CN1645452A - 等离子体显示板及其驱动方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种PDP驱动方法，该方法可包括从输入图像信号生成用来显示多个子场中的放电单元的ON/OFF状态的子场信息，从子场数据生成用来显示每个子场的放电单元的ON/OFF状态的地址信息，从地址数据计算放电单元中处于ON状态的放电单元数，以及控制在随后子场的重置周期期间施加的波形。

Description

等离子体显示板及其驱动方法

技术领域

本发明涉及一种PDP(等离子体显示板)驱动方法。更具体地说，本发明涉及一种减少重置时间的PDP驱动方法。

背景技术

最近，LCD(液晶显示器)、FED(场发射显示器)和PDP已经发展得很活跃。与其它类型的平板装置相比较，PDP具有更好的亮度和发光效率，而且也具有更宽的视角。因此，作为用于大于40英寸的大屏幕显示器的常规CRT(阴极射线管)的替代品PDP受到了重视。

PDP是利用通过气体放电过程所产生的等离子体来显示字符或其它图像的平板显示器。其上具有以矩阵形式提供的几万至几百万个像素。精确的像素量依赖于显示器的大小。PDP分为DC PDP或AC PDP。

因为DC PDP具有暴露于放电空间中的电极，当施加电压时允许电流流进放电空间中，因此存在需要用于限制电流的电阻的问题。另一方面，因为ACPDP具有覆盖有电介质层的电极，所以可以自然地形成限制电流的电容量，并可以在放电过程中防止电极受到离子冲击(ion shock)。因此，AC PDP比DC PDP的寿命长。

图1显示常规AC PDP的透视图。

如图1所示，暴露于电介质层2和保护膜3的扫描电极4和维持电极可以平行地被提供在第一玻璃基板1的下面并彼此形成一对。在第二玻璃基板6上提供有覆盖着绝缘层7的多个地址电极8。在绝缘层7上隔离壁(barrierrip)9与地址电极8平行并位于地址电极8之间。同样，荧光体10被形成于绝缘层7的表面上和隔离壁9的两个侧表面上。将第一和第二玻璃基板1和2彼此相对设置，在两个基板之间具有放电空间11，以便扫描电极4可以与地址电极8交叉，并且维持电极5可以与地址电极8交叉。位于成对的扫描电极4和维持电极5与地址电极8的交叉点处提供的放电空间形成了放电单元12。

图2显示PDP电极排列图。

如图2中所示，PDP电极具有(m×n)矩阵结构。因此，m个地址电极A1到Am可以被以列的方向排列。对应地，n个扫描电极Y1到Yn和维持电极X1到Xn可以交替地以行的方向排列。为了便于讨论，将扫描电极称作“Y电极”而将维持电极称作“X电极”。图2中所示的放电单元12对应于图1中所示的放电单元12。

图3显示常规的PDP驱动波形图。正如所描述的，常规PDP驱动方法中的每个子场包括重置周期、地址周期、维持周期。

重置周期包括：擦除周期、Y斜坡上升周期和Y斜坡下降周期。重置周期擦除先前维持放电的壁电荷状态，且为了执行稳定的地址放电而设置壁电荷。

地址周期选择开启(ON)和未开启(OFF)的单元，且积累在ON单元(寻址单元)处的壁电荷。维持周期执行用于实际显示寻址单元上的图像的放电。

在这种情况中，壁电荷表示在各自电极附近的放电单元的壁(例如，电介质层)上形成并积累在电极上的电荷。壁电荷可以实际上未与电极接触，但是它们被描述为“形成”、“积累”或“堆积”在电极上。而且，壁电压表示通过壁电荷在放电单元的壁上形成的势差(potential difference)。

在常规的重置方法中在Y斜坡上升周期和Y斜坡下降周期通过生成重置放电并控制单元中壁电荷的数量，可在随后的地址周期期间产生精确的寻址操作。在这样的重置方法中，当在重置周期期间Y电极和X电极之间的电压差变大时，在随后的地址周期期间产生精确的寻址操作。

因为在先前子场中已产生维持放电的单元和还没有产生维持放电的单元的壁电荷状态可以不同，在随后子场的重置周期期间负荷可以变化。即，当先前子场中已经产生维持放电的单元数量大时，在放电单元中可以累积足够的点火微粒(priming particle)和壁电荷。因此，在随后子场中放电点火电压将减小，且当先前子场中已产生维持放电的单元数量小时，在放电单元中将累积很少的点火微粒和壁电荷，因此，在随后子场中放电点火电压将增加。

在常规技术中，在重置周期期间同样格式的重置脉冲需要施加到所有的子场。结果，在重置周期期间没有主动地处理负荷变化，且没有执行稳定的重置操作。

发明内容

本发明的一个优点是提供了一种用于生成用于防止误点火和实现高速寻址的重置波形的驱动PDP的装置和方法。

本发明涉及一种显示具有不同亮度的光的PDP的装置。在这样的***中，不考虑PDP中的非理想的放电单元，执行一些智能的重置操作而不是在每个子场中施加同样的结果脉冲是有价值的。

因此，应该确定在每个子场中处于ON状态的单元数。基于关于PDP尺寸和布局的一些优先信息，人们然后可以确定ON单元数是否足以超过阈值。

如果ON单元数超过了阈值，则可以对重置脉冲进行大量调整。例如，上升波形的起始电压可以下降。另一调整是使上升波形的倾斜度降低(即，上升时间可以增加)。还有另一调整是下降波形的下降时间可以增加。

也能相反地(negatively)使用阈值，当ON单元数没有超过阈值时以触发对重置脉冲的改变。甚至可能包括多重阈值且基于已(或未)超过阈值来修改重置脉冲的波形。在极端的例子中，每个边缘的ON单元触发对重置脉冲的轻微修改。

在另一个实施例中，相关ON单元数是PDP片断(segment)内的单元数。在特别大的PDP中，这可是特别有用的方法。片断可以对应于制造的元件的物理边界，或它可以对应于一组位于最接近于相关单元的单元。在本发明的又一实施例中，与相关单元最近的单元的ON状态比位置较远的那些单元的ON状态权值更高。

附图说明

用于说明和解释的目的而提供相应的附图。附图与描述一起用于解释而非限制本发明的原理。

图1显示AC PDP的透视图。

图2显示PDP电极排列图。

图3显示常规PDP驱动波形图。

图4A显示依据本发明的示范性实施例的PDP配置图。

图4B显示依据本发明的示范性实施例PDP控制器的配置。

图5A和5B显示依据本发明的第一实施例的PDP的Y电极驱动波形图。

图6A和6B显示依据本发明的第二实施例的PDP的Y电极驱动波形图。

图7A和7B显示依据本发明的第三实施例的PDP的Y电极驱动波形图。

图8A和8B显示依据本发明的第四实施例的PDP的Y电极驱动波形图。

图9A显示由X和Y电极形成的放电单元的模型图。

图9B显示图9A的等效电路图。

图9C显示图9A的放电单元中没有产生放电。

图9D显示当在图9A的放电单元中产生放电时可以施加电压的状态。

图9E显示当在图9A的放电单元中可以产生放电时漂移的状态。

具体实施方式

以下的详细描述用于解释和说明本发明。在没有背离本发明的情况下可以不同的方式修改本发明。为了清楚地阐述本发明，省略了说明书中没有描述的部分，且在说明书中，相似的部分通常采用同样的附图标记。

图4A显示依据本发明的示范性实施例的PDP配置图。如图所示，PDP包括：板100、控制器200、地址驱动器300、维持电极驱动器(其将被称为X电极驱动器)400和扫描电极驱动器(其将被称为Y电极驱动器)500。

板100包括：以列方向排列的多个地址电极A1至Am、以行方向排列的多个维持电极(X电极)X1至Xn和以行方向排列的多个扫描电极(Y电极)Y1至Yn。X电极X1至Xn可以相应于各个Y电极Y1至Yn形成，且它们的末端被连接(coupled)在一起。板100包括在其上可以排列有X和Y电极X1至Xn和Y1至Yn的玻璃基板(未示出)和在其上可以排列有地址电极A1至Am的玻璃基板(未示出)。两个玻璃基板彼此相对，且在两个玻璃基板之间留有放电空间，以便Y电极Y1至Yn可以与地址电极A1至Am交叉。X电极X1至Xn也被设计为与地址电极A1至Am交叉。

因此，地址电极A1至Am和X和Y电极X1至Xn和Y1至Yn的交叉点上的放电空间形成了放电单元。

控制器200从外部获得视频信号，并且输出地址驱动控制信号、X电极驱动控制信号和Y电极驱动控制信号。而且，控制器200将单帧划分为多个子场且驱动这些子场。每个子场相对于时间操作变化包括重置周期、地址周期和维持周期。

地址驱动器300从控制器200接收地址驱动控制信号，且将用于选择期望的放电单元的显示数据信号施加到各个地址电极A1至Am。X电极驱动器400从控制器200接收X电极驱动控制信号且将驱动电压施加到X电极X1至Xn。Y电极驱动器500从控制器200接收Y电极驱动控制信号且将驱动电压施加到Y电极Y1至Yn。

图4B表示依据本发明的示范性实施例的控制器200的内部结构图。如图所示，PDP的控制器200包括子场数据产生器211、子场数据分配器212、帧存储器213和驱动控制器214。

子场数据产生器2 11从输入图像信号在多个子场中生成用于显示放电单元的ON/OFF状态的子场数据。子场数据分配器212将子场数据产生器211生成的子场数据输入到帧存储器213中，以将该子场数据分配到各个放电单元，并且从帧存储器213中接收分配到每个子场的寻址数据(addressed date)。驱动控制器214根据子场数据分配器212输出的寻址数据中，计算各个子场中处于ON状态的放电单元数，并且控制输入到下一个子场的重置波形以便该重置波形可以对应于放电单元数。

图5A和5B显示依据本发明的第一示范性实施例的Y电极驱动波形图。当在先前的子场中已产生维持放电的单元数比参考值大时(当权值高时)，因为在放电单元中可以积累足够的点火微粒和壁电荷，所以可以降低在随后的子场中放电点火电压。因此，在重置周期间用于施加上升斜坡脉冲的电压为Vs时可以产生强放电。

因此，驱动控制器214控制要在电压为Va处启动的上升斜坡脉冲，该电压可以小于维持放电电压Vs，并且阻止在具有高权值的子场之后的子场的重置周期期间产生强放电，正如图5A中所示。这样，在第一子场的重置周期期间，上升斜坡脉冲的梯度可设置成对应于施加的上升斜坡脉冲的梯度。

此外，当在先前的子场中已产生维持放电的单元数比参考值小时(当权值低时)，在随后的子场中放电点火电压可以升高。这是因为在放电单元中没有积累足够的点火微粒和壁电荷。因此，在重置周期期间在施加上升斜坡脉冲后，当电压增加到大于电压Vs时，在预定时间内不会产生放电。

因此，在接着具有低权值子场之后的子场中的子场的重置周期期间，驱动控制器214控制上升斜坡脉冲以在电压为Vb时启动，该电压大于维持放电电压Vs。从而正如图5 B中所示可以减少重置周期。

在这种情况下，在第一子场的重置周期期间，上升斜坡脉冲的梯度被设置成对应于施加的上升斜坡脉冲的梯度。

正如所描述的，在依据第一示范性实施例的PDP驱动方法中，可以防止强放电的产生或可以减少重置周期。依据先前子场中已经生成的放电单元数，通过允许驱动控制器214控制上升斜坡脉冲的启动电压，可完成上述目的。

在第一实施例中，当上升斜坡脉冲的梯度可以保持恒定时可控制上升斜坡脉冲的启动电压，且也能修改上升斜坡脉冲的梯度。

图6A和6B显示根据本发明的第二示范性实施例的PDP的Y电极驱动波形图。

因为具有高权值的子场之后的子场具有低的放电点火电压，所以在重置周期可以产生强放电。因此，驱动控制器214可以允许上升斜坡脉冲的梯度小于在第一子场的重置周期期间施加的上升斜坡脉冲的梯度，且可以逐渐增加电压以阻止产生如图6A中所示的强放电。因此，在这样的条件下，施加上升斜坡脉冲的时间t3将比在第一子场中施加上升斜坡脉冲的时间tr长。

而且，在该子场的重置周期期间，上升斜坡脉冲的梯度将较少能导致非点火放电(misfiring discharge)。因为设置高放电点火电压大于在第一子场的重置周期期间施加的上升斜坡脉冲的梯度，所以可阻止发生上述非点火放电。随着施加上升斜坡脉冲的时间t4比在第一子场中施加上升斜坡脉冲的时间tr变短了，相应地，可以减少重置时间。

如果在重置周期期间使用下降斜坡脉冲，则本发明也适用于子场采用维持放电脉冲而不是上升斜坡脉冲的情况。

如图7A中所示，可以将下降斜坡脉冲的梯度的绝对值设置成小于在第一子场的重置周期期间施加的下降斜坡脉冲的梯度的绝对值。可以逐渐减少电压以便在具有高权值的子场之后的子场的重置周期期间不会发生非点火放电。因此，施加下降斜坡的时间t5将比在第一子场中施加下降斜坡的时间tf长。

如图7B中所示，可以将下降斜坡脉冲的梯度的绝对值设置成大于在第一子场的重置周期期间施加的下降斜坡脉冲的梯度的绝对值。因此可以使电压逐渐减小，从而在具有更小非点火放电产生概率(probability)的子场(具有低权值的子场之后的子场)的重置周期期间避免非点火放电。因此，因为施加下降斜坡的时间t6将比在第一子场中施加下降斜坡的时间tf变短，所以重置周期缩短了。

图8A和8B表示依据本发明的第四示范性实施例的PDP的Y电极驱动波形图。

如图8A和8B中所示，依据第四实施例在重置周期期间当将X电极的电压设定为Ve时，施加到Y电极的电压将减小预定量。同时可截取在Tf周期期间施加到Y电极的电压以使Y电极漂移。可以重复执行按预定量减小施加到Y电极的电压和在预定时间Tf漂移Y电极的操作。

当上述操作正重复执行时，X电极的电压Vx和Y电极的电压Vy之间的电压差值变得比放电点火电压Vf大时，在X电极和Y电极之间将产生放电。也就是说，放电电流Id流入放电空间。在X电极和Y电极之间开始放电后当漂移Y电极时，依据壁电荷的数量可改变Y电极的电压。这是因为没有从外部动力源提供电荷。因此，壁电荷变化的数量直接减小了放电空间内的电压，且小量变化的壁电荷可以使放电(quench)熄灭。也就是说，在X电极和Y电极处形成的壁电荷可以减少，放电空间内的电压将急速下降，且在放电空间中可使强放电熄灭。当通过减小Y电极的电压形成放电之后、Y电极漂移时，壁电荷将减少，且如上所述同时在放电空间中可使强放电熄灭。当在预定时间内重复执行减小施加到Y电极的电压和漂移Y电极的操作时，在X和Y电极将形成期望数量的壁电荷。因此，因为小量变化的壁电荷使放电熄灭，能够很好的控制壁电荷。

通过漂移也将熄灭强放电。从而在具有更小误点火放电可能性的子场(具有低权值的子场之后的子场)的重置周期Y电极的电压可能急速下降。

也就是说，在具有高权值的子场的重置周期，漂移时间将延长，以便施加下降波形的时间比在第一子场施加下降波形的时间更长，且在具有低权值的子场的重置周期，漂移时间将缩短，以便施加下降波形的时间比第一子场施加下降波形的时间更短。

因为当施加电压到Y电极的时间长时会产生强放电，期望施加电压到Y电极的时间和减少Y电极的电压的时间比使Y电极漂移的时间短。

而且，在施加下降波形时，通过控制减少的电压的幅值，能够控制施加下降波形的时间。也就是说，在具有高权值的重置周期，用于减小下降波形电压的宽度将变窄。从而施加下降波形的时间将比在第一子场中施加下降波形的时间长。此外，在具有低权值的重置周期，用于减小下降波形电压的宽度将变宽，从而施加下降波形的时间将比在第一子场中施加下降波形的时间短。

图9A表示由维持电极和扫描电极形成的放电单元的模式图。图9B表示图9A的等效电路图。图9C表示在图9A中的放电单元中没有产生放电的情况。图9D表示当在图9A中的放电单元产生放电时施加电压的状态。图9E表示当在图9A中的放电单元产生放电时漂移的状态。为了便于描述，电荷-σ_w和+σ_w用来对应在图9A中的更早阶段分别形成在Y和X电极10和20上的电荷。电荷实际形成在电极的电介质层，但是为便于解释，将它们描述为形成在电极上。

如图9A所示，Y电极10通过开关连接到电流源Iin。X电极20连接到电压源Ve。电介质层30和40将分别形成在Y和X电极10和20内。放电气体(未示出)将注入电介质层30和40之间，且电介质层30和40之间的区域将形成放电空间50。

因而，因为Y和X电极10和20、电介质层30和40和放电空间50形成了电容性负载，它们由图9B中的板电容Cp所表示。电介质层30和40的电介质常数定义为ε_r。放电空间50的电压为Vg。电介质层30和40的厚度为d1。最后，电介质层30和40之间的距离(放电空间的宽度)为d2。

如公式1给出的，当开关SW为ON时，施加到板电容Cp的Y电极的电压Vy与时间成比例减小。因而，当开关SW为ON时Y电极10的电压将减小。通过采用图9A至9E中的电流源，Y电极10的电压将减小。减小的电压将直接施加到Y电极10，且通过板电容放电可减小Y电极10的电压。

公式1

$V_y=V_y\left(0\right)-\frac{I_{\mathrm{in}}}{C_p}t$

其中当开关SW为ON时，Vy(0)是Y电极的电压Vy，且Cp是板电容Cp的电容。

如图9C所示，假定施加到Y电极10的电压为Vin，当开关SW为ON同时没有发生放电时，计算施加到放电空间50的电压Vg。

当电压Vin施加到Y电极10时，电荷-σ_t施加到Y电极10，+σ_t施加到X电极20。通过应用高斯法则，公式2和3给出了在电介质层30和40内的电场E1和放电空间50内的电场E2。

公式2

$E_1=\frac{{\mathrm{\σ}}_t}{{\mathrm{\ϵ}}_r{\mathrm{\ϵ}}_0}$

其中σ_t是施加到Y和X电极的电荷，且ε₀是放电空间内的介电常数。

公式3

$E_2=\frac{{\mathrm{\σ}}_t+{\mathrm{\σ}}_w}{{\mathrm{\ϵ}}_0}$

依据在电场和距离之间的关系，公式4给出了外界施加的电压(Ve-Vy)，且公式5给出了放电空间50的电压Vg。

公式4

2d₁E₁+d₂E₂＝V_e-V_in

公式5

V_g＝d₂E₂

从公式2到5，施加到X或Y电极10或20的电荷σ_t和放电空间50内的电压Vg分别由公式6和7给出。

公式6

${\mathrm{\σ}}_t=\frac{V_e-V_{\mathrm{in}}-\frac{d_2}{{\mathrm{\ϵ}}_0}{\mathrm{\σ}}_w}{\frac{d_2}{{\mathrm{\ϵ}}_0}+\frac{2d_1}{{\mathrm{\ϵ}}_r{\mathrm{\ϵ}}_0}}=\frac{V_e-V_{\mathrm{in}}-V_w}{\frac{d_2}{{\mathrm{\ϵ}}_0}+\frac{2d_1}{{\mathrm{\ϵ}}_r{\mathrm{\ϵ}}_0}}$

其中Vw是放电空间50中由壁电荷σ_w形成的电压。

公式7

$V_g=\frac{{\mathrm{\ϵ}}_r{d}_2}{{\mathrm{\ϵ}}_r{d}_2+2d_1}(V_e-V_{\mathrm{in}}-V_w)+V_w=\mathrm{\α}(V_e-V_{\mathrm{in}})+(1-\mathrm{\α})V_w$

实际上，因为放电空间50的内部长度d2与电介质层30和40的厚度d1比较是非常大的值，α几乎为1。也就是说，公式7表示外界施加的电压(VeVin)施加到放电空间50。

接着，如图9D所示，当形成在Y和X电极10和20上的σ_w′量的壁电荷熄灭时，放电空间50内的电压为Vg1。因为可计算由外界施加的电压(VeVin)引起的放电，所以这是可预估的量。施加到Y和X电极10和20上的电荷增加到σ_t′。这种增加会发生，因为当形成壁电荷时，从电压源Vin提供电荷，从而维持了电极的电压。

在图9D中通过应用高斯法则，公式8和9给出了在电介质层30和40内的电场E1和放电空间50内的电场E2。

公式8

$E_1=\frac{{\mathrm{\σ}}_t^{\′}}{{\mathrm{\ϵ}}_r{\mathrm{\ϵ}}_0}$

公式9

$E_2=\frac{{\mathrm{\σ}}_t^{\′}+{\mathrm{\σ}}_w-{\mathrm{\σ}}_w^{\′}}{{\mathrm{\ϵ}}_0}$

从公式8和9，电荷σ_t′施加到Y和X电极10和20，放电空间50内的电压Vg1由公式10和11给出。

公式10

${\mathrm{\σ}}_t^{\′}=\frac{V_e-V_{\mathrm{in}}-\frac{d_2}{{\mathrm{\ϵ}}_0}({\mathrm{\σ}}_w-{\mathrm{\σ}}_w^{\′})}{\frac{d_2}{{\mathrm{\ϵ}}_0}+\frac{2d_1}{{\mathrm{\ϵ}}_r{\mathrm{\ϵ}}_0}}=\frac{V_e-V_{\mathrm{in}}-V_w+\frac{d_2}{{\mathrm{\ϵ}}_0}{\mathrm{\σ}}_w^{\′}}{\frac{d_2}{{\mathrm{\ϵ}}_0}+\frac{2d_1}{{\mathrm{\ϵ}}_r{\mathrm{\ϵ}}_0}}$

公式11

$V_{g1}=d_2{E}_2=\mathrm{\α}(V_e-V_{\mathrm{in}})+(1-\mathrm{\α})V_w-(1-\mathrm{\α})\frac{d_2}{{\mathrm{\ϵ}}_0}{\mathrm{\σ}}_w^{\′}$

因为公式11中α几乎为1，当电压Vin从外界施加以产生放电时，在放电空间50内将产生非常小的电压降。因此当通过放电熄灭的壁电荷的量σ_w′非常大时，放电空间50内的电压Vg1将减小，且将熄灭放电。

接着，如图9E所示，当形成在Y和X电极10和20上的σ_w′量的壁电荷熄灭后，当开关SW为OFF时(例如，漂移放电空间50)放电空间50内的电压为Vg2。因此，可计算由外界施加的电压Vin引起的放电。因为没有施加外界电荷，施加到Y和X电极10和20上的电荷以与图9C同样的方式变为σ_t。通过应用高斯法则，在电介质层30和40内的电场E1和放电空间50内的电场E2由公式2和12给出。

公式12

$E_2=\frac{{\mathrm{\σ}}_t+{\mathrm{\σ}}_w-{\mathrm{\σ}}_w^{\′}}{{\mathrm{\ϵ}}_0}$

从公式12和6，放电空间50的电压为Vg2由公式13给出。

公式13

$V_{g2}=d_2{E}_2=\mathrm{\α}(V_e-V_{\mathrm{in}})+(1-\mathrm{\α})V_w-\frac{d_2}{{\mathrm{\ϵ}}_0}{\mathrm{\σ}}_w^{\′}$

由公式13可知，当开关SW为OFF时(被漂移)，通过熄灭的壁电荷将产生大的电压降。也就是说，如公式12和13所示，电极的漂移状态的壁电荷引起的电压降强度比施加电压状态的壁电荷引起的电压降强度大1/(1-α)倍。结果，因为当熄灭小量的电荷时，漂移状态的放电空间50内的电压将充分地减小，在电极间的电压变得比放电点火电压更小。结果，将急速熄灭放电。也就是说，在放电开始后漂移电极，作为急速放电熄灭机制运行。当放电空间50内的电压减小时，在漂移的Y电极上的电压Vy将增加如图8B所示的一个预定电压。通过固定X电极在电压Ve，将完成上述过程。

如图8B所示，当Y电极漂移且Y电极电压下降引起放电时，将熄灭放电。同时依据放电熄灭机制，形成在Y和X电极上的壁电荷将轻微熄灭。通过重复这一操作，将逐步擦除形成在Y和X电极上的壁电荷。这种逐步机制允许壁电荷调节到理想的状态。也就是说，在重置周期的下降斜坡期，可正确地控制壁电荷以获得理想的壁电荷状态。

在重置周期的下降斜坡期描述了第四实施例，但可用于其它情况。例如，急速熄灭机制适用于通过采用上升斜坡波形来控制壁电荷的情况。也就是说，可能以预定量重复增加电极的电压且漂移电极。另外也可以施加上升斜坡电压到X或Y电极。

已经对本发明连同目前被视为本发明最实用和最佳实施例的部分进行了描述，可以理解的是本发明并不限于公开的实施例，而相反的，它包含了在所附的权利要求的精神和范围之内的各种调整以及等效结构。

例如，在第一实施例中控制上升斜坡脉冲的起始电压，在第二实施例中控制上升斜坡脉冲的梯度，且能够同时控制上升斜坡脉冲的起始电压和梯度。依据先前维持放电状态，通过在随后子场的重置周期施加重置斜坡脉冲的不同梯度和放电点火电压，可在重置周期阻止产生不点火放电。

而且，通过减少通常不可能发生误点火放电的子场的重置周期，能够执行正确的重置操作，且将减少的时间分配到更可能发生不点火放电的子场的重置周期。从而在没有增加整个重置操作所需时间的情况下能够执行再分配。

本申请要求以下优先权：在韩国知识产权局中的韩国专利申请序列第10-2003-0075946号，申请日：2003年10月29日，这里引用其公开内容作为参考。

Claims (21)

1、一种能够将一帧划分为多个子场以显示灰度级的等离子体显示板(PDP)，包括：

板，该板包括多个地址电极和多个与地址电极交叉排列的第一和第二电极，由邻近的地址电极与第一和第二电极形成的放电单元；

驱动器，用于施加驱动电压到地址电极和第一和第二电极；以及

控制器，用于根据输入的图像信号控制所述驱动器，

其中所述控制器包括

子场数据产生器，用于从图像信号中生成用于显示子场中的放电单元的ON/OFF状态的子场数据，

子场数据分配器，用于从子场数据中生成用于显示每个子场的放电单元的ON/OFF状态的地址数据，以及

驱动控制器，用于计算来自一个子场的地址数据的放电单元之中处于ON状态的放电单元数，并控制施加到随后子场的重置周期的波形。

2、根据权利要求1所述的PDP，其中，所述驱动器在重置周期期间将上升波形(从起始电压升到最终电压的波形)施加到第一电极：以及

驱动控制器依据放电单元的临界值是否为ON，来控制随后子场的上升波形的起始电压，以及依据放电单元的临界值是否为ON来控制随后子场的上升波形从起始电压上升到最终电压的上升时间。

3、根据权利要求1所述的PDP，其中，所述驱动器在每个子场的重置周期期间施加上升波形(从起始电压升到最终的电压)到第一电极：以及

依据放电单元的临界值是否为ON，所述驱动控制器控制随后子场的上升波形的起始电压。

4、根据权利要求2所述的PDP，其中，当处于ON状态的放电单元数大于参考数目时，所述驱动控制器使随后子场的上升波形的起始电压减小一预定电压。

5、根据权利要求2所述的PDP，其中，当处于ON状态的放电单元数小于参考值时，所述驱动控制器使随后子场的上升波形的起始电压上升一预定电压。

6、根据权利要求1所述的PDP，其中，所述驱动器在每个子场的重置周期期间施加上升波形(从起始电压升到最终的电压)到第一电极；以及

依据放电单元的临界值是否为ON，所述驱动控制器控制随后子场的上升波形从起始电压升到最终的电压的上升时间。

7、根据权利要求2所述的PDP，其中，当处于ON状态的放电单元数大于参考数目时，所述驱动控制器增加随后子场的上升波形的上升时间。

8、根据权利要求7所述的PDP，其中，当处于ON状态的放电单元数小于参考数目时，所述驱动控制器减少随后子场的上升波形的上升时间。

9、根据权利要求1所述的PDP，其中，所述驱动器在每个子场的重置周期期间施加下降波形(从起始电压下降到最终的电压)到第一电极：以及

依据放电单元的临界值是否为ON，所述驱动控制器控制随后子场的下降波形从起始电压下降到最终的电压的下降时间。

10、根据权利要求9所述的PDP，其中，当处于ON状态的放电单元数大于参考数目时，所述驱动控制器增加随后子场的下降波形的下降时间。

11、根据权利要求9所述的PDP，其中，当处于ON状态的放电单元数小于参考值时，所述驱动控制器减少随后子场的下降波形的下降时间。

12、根据权利要求9所述的PDP，其中，所述下降波形重复地减小电压且使该电压漂移。

13、根据权利要求12所述的PDP，其中，所述驱动控制器控制减小的电压的幅值，并且控制下降波形的下降时间。

14、根据权利要求12所述的PDP，其中，所述驱动控制器控制漂移时间，并且控制下降波形的下降时间。

15、根据权利要求1所述的PDP，其中，所述控制器还包括：用于存储每帧子场数据和地址数据的帧存储器。

16、一种用于驱动等离子体显示板(PDP)的方法，该等离子体显示板包括多个地址电极和与地址电极交叉的多个第一和第二电极，该方法包括：

根据输入图像信号在子场中生成用于显示放电单元的ON/OFF状态的子场数据；

从子场数据生成用于显示每个子场的放电单元的ON/OFF状态的地址数据；以及

从来自地址数据的放电单元之中确定处于ON状态的放电单元数，且控制在随后子场的重置周期期间施加的波形。

17、根据权利要求16所述的方法，其中，确定放电单元数的步骤进一步包括，当处于ON状态的放电单元数大于参考值时，以预定电压减少在随后子场的重置周期期间施加的上升波形的起始电压，且当处于ON状态的放电单元数小于参考值时，以预定电压增加在随后子场的重置周期期间施加的上升波形的起始电压。

18、根据权利要求16所述的方法，其中，确定放电单元数的步骤进一步包括，当处于ON状态的放电单元数大于参考值时，增加在随后子场的重置周期期间用于施加上升波形的时间，且当处于ON状态的放电单元数小于参考值时，减少在随后子场的重置周期期间用于施加上升波形的时间。

19、根据权利要求16所述的方法，其中，确定放电单元数的步骤进一步包括：当处于ON状态的放电单元数大于参考值时，减小在随后子场的重置周期期间施加的上升波形的起始电压，且增加用于施加上升波形的时间，以及

当处于ON状态的放电单元数小于参考值时，增加在随后子场的重置周期期间施加的上升波形的起始电压，且减少用于施加上升波形的时间。

20、根据权利要求16所述的方法，其中，确定放电单元数的步骤进一步包括，当处于ON状态的放电单元数大于参考值时，增加在随后子场的重置周期期间用于施加下降波形的时间，且当处于ON状态的放电单元数小于参考值时，减少在随后子场的重置周期期间用于施加下降波形的时间。

21、根据权利要求18所述的方法，其中，所述下降波形重复地减小电压且使该电压漂移，且

控制减小的电压的幅值或漂移时间以控制下降波形的下降时间。

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