CN1579006A - 处理*** - Google Patents

处理*** Download PDF

Info

Publication number
CN1579006A
CN1579006A CNA028214641A CN02821464A CN1579006A CN 1579006 A CN1579006 A CN 1579006A CN A028214641 A CNA028214641 A CN A028214641A CN 02821464 A CN02821464 A CN 02821464A CN 1579006 A CN1579006 A CN 1579006A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
treatment facility
treatment
correct
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA028214641A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1331192C (zh
Inventor
小原浅己
竹永裕一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN1579006A publication Critical patent/CN1579006A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1331192C publication Critical patent/CN1331192C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B13/00—Adaptive control systems, i.e. systems automatically adjusting themselves to have a performance which is optimum according to some preassigned criterion
    • G05B13/02—Adaptive control systems, i.e. systems automatically adjusting themselves to have a performance which is optimum according to some preassigned criterion electric
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/18—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form
    • G05B19/4097—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form characterised by using design data to control NC machines, e.g. CAD/CAM
    • G05B19/4099—Surface or curve machining, making 3D objects, e.g. desktop manufacturing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/32—Operator till task planning
    • G05B2219/32182—If state of tool, product deviates from standard, adjust system, feedback
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/45—Nc applications
    • G05B2219/45031—Manufacturing semiconductor wafers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Artificial Intelligence (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Software Systems (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Feedback Control In General (AREA)

Abstract

通过LAN 9将CVD设备31、扩散设备33等多台处理设备3；测定设备5；以及管理用的控制计算机7进行连接。各处理设备3存储用于进行处理的控制信息。控制计算机7也存储各处理设备3的控制信息。控制计算机7使各处理设备3实施校正用的处理过程。控制计算机7从测定设备5接受校正对象的处理设备3的处理结果，并根据处理结果校正自己存储的控制信息。在校正处理完成后控制计算机7将校正了的控制信息发送至处理设备3。处理设备3保存校正了的控制信息，在下次处理中使用。

Description

处理***
技术领域
本发明涉及对半导体晶片等被处理体进行处理的处理设备的控制***和控制方法，特别是涉及可以对多台处理设备进行统一管理的控制***和控制方法。
背景技术
为了在半导体晶片表面上成膜和进行掺杂剂扩散等各种处理，使用了半导体处理设备。现有半导体处理设备的主流是单机型。在设置多台单机型处理设备的工厂中，根据存储在各设备的控制器中的控制程序和控制数据对各台设备单独进行控制。另外，各台设备的维修也是单独进行的。
已知也有通过网络将多台处理设备与控制用计算机连接，利用该计算机来控制多台设备。但是，控制用计算机只是向各处理设备发出指令。
因此，需要重复地对各台处理设备设置具有高度的运算处理能力的控制器，因而设备成本增高。另外，半导体制造设备需要定期地进行控制器等的维修(特别是校正)。但是，由于需要对各台设备单独进行维修，所以要花费较多的工夫。
发明内容
本发明是鉴于上述实际情况而进行的，其目的在于高效率地控制多台处理设备。
本发明的第2个目的在于通过减少在各处理设备中设置的控制装置的负担来简化控制装置的结构，由此降低包含多台处理设备的处理***的总设备成本和运转成本。
为了达到上述目的，本发明借助于由独立于处理设备而设置的控制用计算机承担现有的处理设备的控制装置所具备的运算处理功能中的一部分功能，特别是需要高度的运算处理能力的功能来实现各处理设备的负担的降低。
本发明提供一种处理***，该处理***具备：多台处理设备，各处理设备分别具有对被处理体进行处理的处理装置、存储用于控制上述处理装置的控制信息的存储装置、根据上述控制信息对上述处理装置进行控制的控制装置；以及计算机，它是独立于在上述多台处理设备而设置的，被构成为可以经通信媒体在它与上述各处理设备之间进行包含上述控制信息的信息的通信的计算机，并具有根据输入到该计算机中的、上述处理设备对被处理体的处理结果对用于控制该处理设备的上述控制信息进行校正的校正装置。
在一种优选实施形态中，上述各处理设备的控制装置可以以如下方式构成：经上述通信媒体接受被上述计算机的校正装置校正了的控制信息，并将其存储到上述存储装置中，按照校正了的控制信息进行处理。
在一种优选实施形态中，上述计算机具有存储与存储在各处理设备的存储装置中的上述控制信息对应的控制信息的存储装置，上述计算机被构成为在对用于上述多台处理设备中的某一台处理设备的控制信息进行校正的场合，执行：从上述计算机的存储装置中取出存储在上述计算机的存储装置中的、用于上述的一台处理设备的控制信息的步骤；根据上述的一台处理设备对被处理体的处理结果，利用上述校正装置来校正该取出了的控制信息的步骤；将该校正了控制信息存储到上述计算机的存储装置中的步骤；以及经上述通信媒体将上述校正了的控制信息发送至上述的一台处理设备中，并存储在上述处理设备的存储装置中的步骤。
在一种优选实施形态中，上述处理***还具备对上述处理设备的处理结果进行测定的测定设备，上述计算机被构成为经上述通信媒体在它与上述测定设备之间进行信息通信，上述处理结果经上述通信媒体被输入至上述计算机。
在一种优选实施形态中，上述各处理设备的上述处理装置具有将被处理体收容在其内部进行加热的加热炉和设置在加热炉内的多个温度传感器，上述控制信息包含用于根据上述温度传感器的输出推定上述被处理体的温度的模型和规定上述被处理体的在处理过程中的温度变化的方案，上述处理设备的存储装置存储上述模型和上述方案，上述处理设备的控制装置利用存储在上述存储装置中的模型根据上述温度传感器的输出推定上述加热炉内的被处理体的温度，根据该推定的温度对上述加热炉进行控制，使得上述被处理体的温度与存储在上述存储装置中的方案所规定的温度一致。
在一种优选实施形态中，上述计算机被构成为在对用于上述多台处理设备中的某一台处理设备的模型进行校正的场合，执行：将用于校正上述模型的方案发送至上述的一台处理设备的步骤；在上述的一台处理设备中按照用于校正上述模型的方案对被处理体进行处理的步骤；以及根据对上述被处理体的处理结果利用上述校正装置对上述模型进行校正的步骤。
在一种优选实施形态中，上述计算机根据对处理过程中的被处理体的实际温度的测定结果对上述模型进行校正。
在一种优选实施形态中，上述各处理设备将被处理体的处理结束通知上述计算机，上述计算机被构成为根据上述通知对各处理设备的处理次数进行计数，并每当在上一次校正处理后处理次数达到规定次数时就对上述控制信息进行校正。
在一种优选实施形态中，上述处理设备具备将数据处理委托给计算机的装置，上述计算机具有响应于从上述处理设备中接受到的上述委托进行数据处理，并将该数据处理结果发送至上述处理设备的装置，上述处理设备具有接收由上述计算机发送来的数据处理结果，按照接收到的数据处理结果进行工作的装置。
在一种优选实施形态中，上述各处理设备包含用于测定该处理设备对被处理体的处理结果的测定装置，上述测定装置的测定结果可以经上述通信媒体从上述处理设备发送至上述计算机。
附图说明
图1是示出本发明的实施形态的处理***的结构的图。
图2是示出图1所示的CVD设备的结构例的图。
图3是示出反应管内的区域结构的图。
图4是示出图2所示的控制器的结构例的方框图。
图5是示出温度方案例的图。
图6是示出图1所示的控制计算机的结构例的方框图。
图7是示出在图6的设备DB中存储的管理表的例子的图。
图8是说明***初始引入时的校正步骤的图。
图9是说明模型校正处理的图。
图10是说明方案校正处理的图。
图11是说明晶片上的测定点的图。
图12是说明控制计算机响应于在处理设备结束处理时输出的处理结束通知而进行的处理的图。
图13是示出处理***的另一工作例的图。
具体实施方式
以下说明本发明的处理***1。如图1所示，处理***1是半导体处理***，由多台处理设备3、多台(j台)测定设备5(51～5j)、控制计算机7以及将它们相互连接的网络(LAN)9构成。在典型的实施形态中，处理***设置在1个半导体器件制造工厂的建筑物内。但控制计算机也可以设置在离开上述建筑物的地方。
处理设备3包含多台(n台)CVD(化学气相淀积)设备31(311～31n)、多台(m台)氧化设备32(321～32m)、多台(i台)扩散设备33(331～33i)。参照编号的下标表示设备编号。
各CVD设备31(311～31n)具有实质上相互相同的结构，各自收容半导体晶片等被处理体，在被处理体上进行CVD成膜处理。各氧化设备32(321～32m)具有实质上互相相同的结构，进行对半导体晶片等被处理体的表面区域氧化的处理。各扩散设备33(331～33i)具有实质上互相相同的结构，在半导体晶片等被处理体的表面区域进行扩散(掺杂)杂质的处理。测定设备5(51～5j)进行表现出在被处理体上形成的膜的膜厚和扩散区所包含的规定元素的浓度等的被处理体的处理结果的各种数值的测定。
参照图2说明CVD设备31的结构。CVD设备31是批量式设备。CVD设备31具有由内管302a和外管302b构成的二层管结构的反应管302。在反应管302的下侧设置了金属性的筒状集合管321。
在反应管302内，多枚，例如150枚半导体晶片W(即被处理体)以水平状态上下隔开一定间隔安装在晶片舟323中。该晶片舟323隔着保温筒325保持在盖体324上。
在反应管302的周围配置了在上下方向的不同位置上配置的5个加热器331～335。借助于电功率控制器336～340独立地分别对加热器331～335供给电功率，因而可独立地进行控制。加热炉由反应管302、集合管321、加热器331～335构成。如图3所示，反应管302被分为分别与各加热器331～335对应的5个区域。
如图2所示，对集合管321配置了向内管302a内供给气体的3根供气管341、342、343。对各供气管341、342、343经质量流量控制器(MFC)344、34 5、346分别供给二氯硅烷、氨、氮等成膜用的处理气体(原料气体)和携载气体。另外，排气管327与集合管321被连接成经内管302a与外管302b之间的间隙将反应管302内的气体排出。排气管327经压力调整部328等与真空泵连接。
在内管302a的内表面配置了在垂直方向排成一列的5个温度传感器(热电偶)Sin 1～Sin 5。为防止对晶片W的金属污染，各温度传感器Sin 1～Sin 5被石英管(未图示)等覆盖。温度传感器Sin 1～Sin 5分别配置在图3所示的5个区域。
在外管302b的外表面也配置了在垂直方向排成一列的5个温度传感器Sout 1～Sout 5。温度传感器Sout 1～Sout 5也分别配置在图3所示的5个区域中。
CVD设备31具备用于控制反应管302内的处理气氛的温度、气体流量和压力等处理参数的控制器400。控制器400取入温度传感器Sin1～Sin 5和Sout 1～Sout 5的输出信号，对加热器331～335的电功率控制器336～340、压力调整部328、质量流量控制器344～346输出控制信号。
参照图4说明控制器400的详细结构。如图所示，控制器400由控制部411、存储部412、I/O端口413、操作面板414和通信部415构成。
存储部412由RAM、ROM、闪速存储器和盘存储装置等构成，它具有模型存储部412a、方案存储部412b、程序存储部412c和工作区412d。
模型存储部412a存储用于从温度传感器Sin 1～Sin 5和Sout 1～Sout 5的输出信号(测定的温度)和向电功率控制器336～340发出的指令值(与电功率控制器336～340供给加热器331～335的电功率对应的值)，推定(计算)配置在各区域的晶片W的温度，进而求得在以推定的温度为目标值时应向加热器331～335供给的电功率的模型(数学模型：高次、多元函数)。作为该模型，例如可以利用在美国专利第5,517,594号公报中公开的内容。
方案存储部412b存储决定与用CVD设备31进行的成膜处理的种类相应的控制步骤的处理过程方案。各处理过程方案包含形成作为处理对象的晶片W应经历的温度变化的目标的温度方案，该温度方案可以表示成如图5(a)～(c)所示的温度—时间曲线。在通常的批量式处理设备的场合，对全部晶片W准备了1套温度方案。与此相对照，在本实施形态中准备了如图3所示的预先对每个区域进行了调整的温度方案，从而可以使在晶片W之间以及在各晶片的面内处理结果均匀。
图5(a)示出了一边维持晶片W的温度恒定，一边进行成膜处理的温度方案的例子。图5(b)示出了一边使晶片W的温度下降，一边进行成膜处理的温度方案的例子，图5(c)示出了一边使晶片W的温度上升，一边进行成膜处理的温度方案的例子。按照图5(a)所示的方案，借助于一边维持晶片W的温度恒定，一边进行成膜处理，可以在使晶片W的整个面维持大致均匀的温度的状态下进行成膜处理。另外，按照图5(b)所示的方案，借助于一边使晶片W的温度下降，一边进行成膜处理，可以在使晶片W的中心部的温度高于周边部的状态下进行成膜处理。另一方面，按照图5(c)所示的方案，借助于一边使晶片W的温度上升，一边进行成膜处理，可以在使晶片W的中心部的温度低于周边部的状态下进行成膜处理。
程序存储部412c存储控制部411的工作、控制程序等程序。工作区412d具有作为控制部411的工作区等的功能。
I/O端口413向控制部411供给温度传感器Sin 1～Sin 5和Sout1～Sout 5的测定信号，同时向电功率控制器336～340、质量流量控制器344～346、压力调整部328等输出由控制部411输出的控制信号。另外，操作面板414与I/O端口413连接。操作面板414具有显示部和操作部，经I/O端口413显示控制部414提供的图像，并将用户的指令供给控制部411。
通信部415进行通过CVD设备31与控制计算机7之间的LAN 9的通信。
控制部411具有处理器，按照在程序存储部412c中存储的工作、控制程序进行工作。具体而言，控制部411取入温度传感器Sin 1～Sin 5、Sout 1～Sout 5的输出值和向电功率控制器336～340发出的指令值(与向加热器331～335供给的电功率对应的值)，将其应用到在模型存储部412a中存储的模型中，或者以恒定的时间间隔推定各区域的晶片W的温度，或者实质上按实时模式推定各区域的晶片W的温度。另外，控制部411发出向电功率控制器336～340供给电功率的指令，使得推定的温度与在方案存储部412b中存储的温度方案所指示的值一致。
另外，控制部411还向质量流量控制器344～346发出指令，向压力调整部328发出指令等，按照方案对原料气体供给的开始和停止、原料气体的流量和反应管302内的压力等进行控制。
图1的氧化设备32和扩散设备33也是批量式设备，与CVD设备31相同，根据温度传感器的测定值推定晶片W的温度，控制加热器等使推定的晶片温度与方案规定的温度值一致，以此实施所希望的处理过程。
控制计算机7是对全部处理设备31～33和全部测定设备5进行管理的设备，它进行各设备的运行次数的管理、模型的更新(微调整)、方案的更新等控制管理。
参照图6说明控制计算机7的结构例。控制计算机7由控制部71、通信部72、显示部73、输入部74、设备数据库(DB)75和存储部76构成。
通信部72进行通过处理设备31～33与测定设备5之间的LAN 9的通信。显示部73向用户提供该控制计算机的各种信息。输入部74向控制部71输入用户的指令和数据。
设备DB 75由硬盘装置等构成，它存储了按处理设备的类别登记了处理设备31～33的、为了对各设备进行管理所必须的数据的管理表。在例如CVD设备31的场合，管理表如图7所示，包含设备ID、总处理次数(设备设置后总的处理进行次数)、模型校正后处理次数(上次模型校正后的处理次数)、模型(现在存储在该设备中的模型)、方案校正后处理次数(上次方案校正后的处理次数)、方案(现在存储在该设备中的方案)、设定膜厚(希望形成的膜的厚度)等信息。另外，还存储了CVD设备31共同的基本模型(同一规格的设备共同的基本模型)和基本方案(用同一规格的设备在相同条件下进行成膜时共同的基本方案)。
存储部76存储控制部71的工作程序等，并且还具有作为控制部71的工作区的功能。
控制部71按照存储在存储部76中的控制程序进行工作，对处理***1的整体进行管理。特别是在本实施形态中，控制部71对各处理设备31～33的处理进行次数进行计数，以每经过规定的处理次数就进行适当的处理的方式进行各设备的模型和方案的校正(修正)处理。后面将叙述具体处理内容。
下面说明处理***1的工作。
根据各处理设备3的结构和特性对构成该处理***1的各设备的设计阶段等设计基本模型。不过该基本模型是设计规格相同的设备的共同模型，它不反映各设备的实际结构、工作使用环境的分散性。因此，直接使用该基本模型时往往在使用模型推定的晶片温度与施加的晶片温度之间出现偏离。
同样，对处理过程的设计阶段等设计用于定义为获得作为目标的处理结果(目标膜厚、膜的质量、元素浓度等)各处理设备应进行的处理过程(process)的基本方案。不过该基本方案是设计相同且进行相同处理的设备的共同方案，它不反映各设备的结构、工作环境的分散性。因此，直接使用该基本方案时在实际制造的膜或层的成分、厚度、元素浓度等方面产生偏离。
于是，在引入处理***1时等情况下，如图8所示，对各处理设备3的每一台轮流校正基本模型和基本方案(使其定型)，以使推定的晶片温度与实际的晶片温度一致，并得到目标处理结果。
以CVD设备31为例详细说明该校正处理。首先，如图7所示，事先在控制计算机7的设备DB 75中登记各CVD设备31的设备ID，作为该CVD设备31的模型和方案，登记基本模型和基本方案。然后，将总处理次数、模型校正后处理次数、方案校正后处理次数设置为0。
下面参照图9说明模型校正的步骤。控制计算机7的操作员指定CVD设备31的设备ID及其种类，发出模型校正处理开始的指令。
控制部71响应于该指令从存储部76中读出模型校正用的专用方案(步骤S111)。接着，控制部71将开始模型校正处理的指令和校正用方案发送至校正对象的CVD设备31(步骤S112)。校正对象CVD设备31接收来自控制计算机7的指令和校正用方案，将接收到的校正用方案暂时存储在方案存储部412b中(步骤S113)。
处理负责人将晶片W放入盒中，置于CVD设备31的接纳部。CVD设备31的控制部411响应于来自控制计算机7的指令，将晶片W移放到晶片舟323中，并将该晶片舟323置于保温筒325上。
接着，控制部411按照存储在方案存储部412b中的校正用方案实施处理过程(步骤S114)。具体地说，控制部411取入温度传感器Sin1～Sin 5和Sout 1～Sout 5的输出，以及向各电功率控制器336～340发出的指令值，根据模型(初次为基本模型)分区域推定晶片W的温度。进而，控制部411调整向各电功率控制器336～340发出的指令值，使推定的晶片温度与校正用方案定义的温度一致。进而，控制部411按照校正用方案供给气体，进行成膜处理。
在成膜处理结束(步骤S115)后，控制部411将成膜处理结束通知控制计算机7(步骤S116)。控制计算机7接收通知，等待来自测定设备5的测定值的接收(步骤S117)。
处理负责人取出被CVD设备31处理完毕的晶片W(步骤S118)。然后将各区域的晶片W置于测定设备5中(步骤S118)，指定CVD设备31的设备ID，测定其膜厚。测定设备5附上设备ID，将测定的膜厚通知控制计算机7(步骤S119)。
控制计算机7的控制部71将所通知的测定膜厚与校正用方案的目标膜厚进行比较，根据比较结果修正在设备DB 75中登记的该CVD设备用的模型(步骤S121)。具体地说，当测定的膜厚比目标膜厚薄时将现在的模型修正为使推定温度降低，当测定的膜厚比目标膜厚厚时将现在的模型修正为使推定温度升高(使其定型)。
这样一来，将按照校正用方案进行处理而得到的膜厚与目标膜厚进行比较，根据其差来调整模型，使得推定出合适的温度。控制部71将校正了的模型登记到设备DB 75的该CVD设备31的栏内，同时将其发送至校正对象的CVD设备31中(步骤S122)。CVD设备31接收校正了的模型，将其盖写保存到模型存储部412a中(步骤S123)。
控制计算机7和CVD设备31借助于将这样的校正处理重复规定的次数，将基本模型调谐成反映各台设备的专有特性的模型。另外，第2次以后的校正处理采用被此前刚进行的校正处理校正了的模型进行。
当所形成的膜厚与预定膜厚之差在规定水平以下时，以及将校正处理重复了规定次数时，控制部71结束模型的校正处理，移至方案的校正(定型)处理。
下面参照图10说明方案的校正处理。控制计算机7的操作员指定校正对象设备，发出方案校正处理开始的指令。控制计算机7的控制部71响应于该指令向校正对象的CVD设备31发送指令(步骤S211)。CVD设备31接收来自控制计算机7的指令(步骤S212)。
处理负责人将晶片W放入盒中，置于CVD设备31的接纳部。CVD设备31将晶片W移放到晶片舟323中，并将该晶片舟323置于保温筒325上。
接着，CVD设备31按照存储在方案存储部412b中的方案(初次为基本方案)实施处理过程(步骤S213)。具体地说，控制部411取入温度传感器Sin 1～Sin 5和Sout 1～Sout 5的输出，以及向各电功率控制器336～340发出的指令值，根据模型推定各区域中的晶片W的温度。进而，控制部411调整向各电功率控制器336～340发出的指令值，使推定的晶片温度与方案规定的温度一致。进而，控制部411按照方案供给气体，进行成膜处理。
在成膜处理结束(步骤S214)后，控制部411将成膜处理结束通知控制计算机7(步骤S215)。控制计算机7接收通知，等待该设备的测定结果的接收(步骤S216)。
处理负责人从CVD设备31中取出处理完毕的晶片W，置于测定设备5中，输入CVD设备31的设备ID。另外，膜厚的测定如图11所示，对从5个区域的每一区域中抽出的晶片W测定多个部位，例如9个部位的膜厚。测定设备5附上所输入的CVD设备31的设备ID，将测定的膜厚通知控制计算机7(步骤S218)。
控制计算机7的控制部71接收测定值，并将其存储到存储部76中(步骤S219)。接着，控制部71根据测定值进行方案校正处理(步骤S220)。另外，方案校正方法本身虽然是任意的，但在本实施形态中设定进行如下的校正处理。
首先，求出在从5个区域中抽出的晶片W上形成的膜的平均膜厚，调整全部区域的方案所规定的温度，使平均膜厚与目标膜厚一致。例如，在平均膜厚比目标膜厚小时升高全部区域的方案所规定的处理温度，在平均膜厚比目标膜厚大时降低全部区域的方案所规定的处理温度。
接着，分区域求出平均膜厚，调整各区域的方案所规定的温度，使平均膜厚与目标膜厚一致。例如，在某区域的晶片W上形成的膜的平均膜厚比目标膜厚小时升高该区域用的方案所规定的处理温度，在平均膜厚比目标膜厚大时降低该区域用的方案所规定的处理温度。
接着，控制部对方案进行调整，使在各区域的晶片W上形成的膜的膜厚在面内的分散度减小。如上所述，用图2所示的设备结构，在将晶片W升温的期间，晶片周边部的温度比中心部的高。另一方面，在将晶片W降温的期间，晶片周边部的温度比中心部的低。在成膜处理时，如果其他处理条件相同，通常是晶片W的温度高时容易成膜，且形成厚的膜。
当在从某区域抽出的晶片W上形成的膜是周边部厚、中心部薄的凹(杯)形时，若将晶片W的周边部的温度比该膜成膜时的温度相对降低，进行成膜处理，可以形成厚度均匀的膜。为此，可以变更成膜中(处理气体供给中)的温度变化率(图5的处理气体供给中的曲线的梯度)。例如，可以以如下的方式调整该区域用的温度方案：在图5(a)的方案的场合，将处理气体供给中的曲线的梯度从0调整为负值，在图5(b)的方案的场合，使处理气体供给中的曲线的梯度变陡，在图5(c)的方案的场合，使处理气体供给中的曲线的梯度变缓。相反，当从某区域抽出的晶片W上的膜是周边部薄、中心部厚的凸(帽)形时，若将晶片W的周边部的温度比该膜成膜时的温度相对提高，进行成膜处理，可以得到厚度较均匀的膜。为此，可以与上述情形相反地变更温度变化率。
这样一来，控制部71校正了现在存储在校正对象的CVD设备31中的方案。控制部71将校正了的方案盖写保存到设备DB 75的相应CVD设备31用的方案存储区中，同时将其发送至校正对象的CVD设备31中(步骤S221)。CVD设备31的控制部411接收校正了的方案，并将其盖写保存到方案存储部412b中(步骤S222)。
多次重复这样的方案校正处理可以将所有CVD设备31共同的基本方案调谐成反映各台设备的特性的方案。另外，第2次以后的校正处理采用被此前刚进行的校正处理校正了的方案进行。
当所形成的膜厚与预定膜厚之差在规定水平以下时，以及将校正处理重复了规定次数时，控制部71结束方案的校正处理，由显示部73将此意思通知操作员，还通过LAN 9通知完成了校正的处理设备3。处理设备3在操作面板414上显示此意思，向处理负责人报告校正结束。通过以上工作，初始设定时的校正处理结束，其后，CVD设备31进行通常工作(例如，对产品晶片进行成膜处理)。
另外，以上的校正处理可以对多台处理设备3并行地进行。还有，当在图1所示的处理***1中增添新的处理设备3时，只对增添的处理设备3进行上述的校正处理。这时，其他处理设备3可以进行通常工作。
下面参照图12说明各处理设备3进行通常工作时的处理***1的工作。在通常工作时，1次的处理一结束，各处理设备3的控制部411就将处理结束通知控制计算机7。
控制计算机7的控制部71响应于处理结束的通知，对在设备DB 75的管理表(图7)中存储的在该设备中的总处理次数、模型校正后处理次数、方案校正后处理次数加1(步骤S21)。接着，控制部71判断模型校正后处理次数是否达到预先定出的规定值(例如13次)(步骤S22)。
当判定达到了时，控制部71判定需要对该处理设备的模型进行校正，通过显示部73将此意思通知操作员。
以后的工作基本上与图9所示的初始设定时的模型校正工作相同，控制计算机7从存储部76中读出校正对象的处理设备3的校正用方案(步骤S111)，将应开始模型校正处理的意思的指令和校正用方案发送至校正对象的处理设备3中(步骤S112)。处理设备3接收来自控制计算机7的指令和校正用方案，将校正用方案存储在方案存储部412b中(步骤S113)。接着，校正对象的处理设备3按照存储在方案存储部412b中的校正用方案进行成膜处理(步骤S114)。
在成膜处理结束(步骤S115)后，控制部411将成膜处理结束通知控制计算机7(步骤S116)。控制计算机7接收通知，等待来自测定设备5的测定结果的接收(步骤S117)。
处理负责人将处理完毕的晶片W置于测定设备5中，指定处理设备3的设备ID，测定处理结果。测定设备5将测得的膜厚和设备ID发送至控制计算机7(步骤S119)。
控制计算机7的控制部71接收发送来的膜厚(步骤S120)，进行模型校正(步骤S121)。控制部71将校正了的模型盖写保存到设备DB 75中的管理表内的该处理设备3用的模型区，同时将其发送至校正对象的处理设备3(步骤S122)。
处理设备3接收校正了的模型，将其盖写保存到模型存储部412a中。
在以上的校正处理结束后，控制计算机7将记录在设备DB 75中的管理表内的该处理设备用的模型校正后处理次数栏复位成0(图12，步骤S24)。
接着，控制部71判断管理表中存储的该设备的方案校正后处理次数是否达到规定值(步骤S25)。
如未达到，控制部71直接结束与该处理结束通知对应的处理。另一方面，当判定达到了时，控制部71判定需要对该处理设备3的方案进行校正，通过显示部73将此意思通知操作员。
以后的工作基本上与图10所示的初始设定时的方案校正处理相同，控制计算机7的控制部71将应开始方案校正处理的意思的指令发送至校正对象的处理设备3(步骤S211)。
处理设备31接收来自控制计算机7的指令(步骤S212)，接着，按照存储在方案存储部412b中的校正对象的方案实施处理过程(步骤S213)。
在处理过程结束后，控制部411将成膜处理结束通知控制计算机7(步骤S214)。控制计算机接收通知，等待来自测定设备5的测定结果的接收(步骤S216)。
处理负责人将处理完毕的晶片W置于测定设备5中，指定处理设备3的设备ID，测定处理结果。测定设备5将测得的膜厚和设备ID发送至控制计算机7(步骤S218)。另外，测定对象的晶片W、测定点的位置和数目与初始设定时的相同。
控制部71从管理表中读出校正对象处理设备3的现在的方案。然后，按照测定值：(1)调整全部区域的方案，使全部晶片W的平均膜厚等于目标膜厚；(2)调整各区域的方案，使各区域的晶片W的平均膜厚等于目标膜厚；(3)调整各区域的方案，使晶片W之间以及晶片W内的膜厚的分散度减小(步骤S220)。
这样一来，控制计算机7校正了处理设备3的方案，并将其盖写保存到在设备DB 75中记录的管理表的相应处理设备用的方案存储区中，同时将其发送至校正对象的处理设备3中(步骤S221)。
处理设备31接收校正了的方案，将其存储到方案存储部(步骤S223)。
在以上的校正处理结束后，控制计算机7将记录在设备DB 75中的管理表内的该设备用的方案校正后处理次数栏复位成0(图12，步骤S27)。
如以上所述，处理***1用控制计算机7集中管理多台处理设备3。因此，与现有状况相比管理处理大幅度地提高了效率。另外，借助于由控制计算机7承担模型校正、方案校正等处理负担的大部分，可以使各处理设备3的软件结构和硬件结构简化。另外，如上所述，借助于进行校正处理可以恰当地实施处理过程，得到所希望的品质。
本发明不限于上述实施形态，可以有各种变形和应用。例如，在上述实施形态中，实施处理过程，以该处理结果为基础进行模型校正。但是，例如也可以在各区域配置安装了温度传感器的虚设晶片，直接求出各晶片的温度进行记录，对模型进行校正使该实测温度与用模型推定的温度一致。
另外，在上述实施形态中，每进行了规定次数的处理后就实施校正专用的处理过程，对模型和方案进行了校正。但是，也可以一边进行通常的处理，一边调整模型或方案。例如，也可以在进行通常的处理时，将安装了温度传感器的虚设晶片与产品晶片一起配置在各区域中，直接求出各虚设晶片的温度并进行记录，控制计算机7对模型进行校正，使得使用模型推定的温度与实测温度一致，在下次处理开始前更新处理设备3的模型。
另外，也可以从通常处理时所处理的产品晶片中抽出各区域的晶片W作为样品，测定样品晶片上的膜厚等，控制计算机7利用该测定值对模型进行校正，在下次处理开始前更新处理设备3的模型或方案。按照此方法，无需将处理设备3停止，就可以进行模型、方案校正。
另外，在上述实施形态中，用控制计算机7进行了模型和方案的校正处理，也可以用控制计算机7进行其他处理。例如，使控制计算机7具有多台处理设备共同的运算处理功能。于是，如图13所示，当处理负责人操作处理设备3的操作面板414(参照图4)，输入某种信息时，该信息与设备ID一起经LAN 9被发送至控制计算机7(步骤S311)。控制计算机7进行输入信息的分析(步骤S312)，或根据输入信息进行处理(例如用于设备的设定变更的运算等处理)(步骤S313)。将该结果发送至处理设备3。被处理设备3接收到的数据或者在处理设备3的设定变更或控制中被利用，或者被显示在操作面板414上。在这种场合也能够简化各处理设备的结构。另外，处理负责人可以不意识到控制计算机的存在来进行处理设备的操作。
在上述实施形态中，测定设备5是独立于处理设备3的设备。但是，也可以将测定设备5安装在各处理设备3内。按照这种结构，可以经LAN 9将测定设备5对被处理体的测定结果从处理设备3发送至控制计算机。另外，在发送处理结果时，可以自动地将设备ID添加到该结果的数据中，以求更加简便。
在上述实施形态中，作为通信媒体例示了LAN 9，但通信装置的结构是任意的，例如也可以通过软盘、闪速存储器等记录介质在设备之间传送数据、指令。
在上述实施形态中，作为被处理体例示了半导体晶片，但被处理体也可以是液晶显示元件、PDP的玻璃基板等。

Claims (10)

1、一种处理***，其特征在于：
具备：
多台处理设备，各处理设备分别具有对被处理体进行处理的处理装置、存储用于控制上述处理装置的控制信息的存储装置、根据上述控制信息对上述处理装置进行控制的控制装置；以及
计算机，它是独立于上述多台处理设备而设置的，被构成为可以经通信媒体在它与上述各处理设备之间进行包含上述控制信息的信息的通信的计算机，并具有根据输入到该计算机中的、上述处理设备对被处理体的处理结果对用于控制该处理设备的上述控制信息进行校正的校正装置。
2、如权利要求1所述的处理***，其特征在于：
上述各处理设备的控制装置被构成为可以经上述通信媒体接受被上述计算机的校正装置校正了的控制信息，并将其存储到上述存储装置中，按照校正了的控制信息进行处理。
3、如权利要求1所述的处理***，其特征在于：
上述计算机具有存储与存储在各处理设备的存储装置中的上述控制信息对应的控制信息的存储装置，
上述计算机被构成为在对用于上述多台处理设备中的某一台处理设备的控制信息进行校正的场合，执行：
从上述计算机的存储装置中取出存储在上述计算机的存储装置中的、用于上述的一台处理设备的控制信息的步骤；
根据上述的一台处理设备对被处理体的处理结果，利用上述校正装置来校正该取出了的控制信息的步骤；
将该校正了控制信息存储到上述计算机的存储装置中的步骤；以及
经上述通信媒体将上述校正了的控制信息发送至上述的一台处理设备中，并存储在上述处理设备的存储装置中的步骤。
4、如权利要求1所述的处理***，其特征在于：
还具备对上述处理设备的处理结果进行测定的测定设备，
上述计算机被构成为经上述通信媒体在它与上述测定设备之间进行信息通信，
上述处理结果经上述通信媒体被输入至上述计算机。
5、如权利要求1所述的处理***，其特征在于：
上述各处理设备的上述处理装置具有将被处理体收容在其内部进行加热的加热炉和设置在加热炉内的多个温度传感器，
上述控制信息包含用于根据上述温度传感器的输出推定上述被处理体的温度的模型和规定上述被处理体的在处理过程中的温度变化的方案，
上述处理设备的存储装置存储上述模型和上述方案，
上述处理设备的控制装置利用存储在上述存储装置中的模型根据上述温度传感器的输出推定上述加热炉内的被处理体的温度，根据该推定的温度对上述加热炉进行控制，使得上述被处理体的温度与存储在上述存储装置中的方案所规定的温度一致。
6、如权利要求5所述的处理***，其特征在于：
上述计算机被构成为使得在对用于上述多台处理设备中的某一台处理设备的模型进行校正的场合，执行：
将用于校正上述模型的方案发送至上述的一台处理设备的步骤；
在上述的一台处理设备中按照用于校正上述模型的方案对被处理体进行处理的步骤；以及
根据对上述被处理体的处理结果利用上述校正装置对上述模型进行校正的步骤。
7、如权利要求6所述的处理***，其特征在于：
上述计算机根据对处理过程中的被处理体的实际温度的测定结果对上述模型进行校正。
8、如权利要求1所述的处理***，其特征在于：
上述各处理设备将被处理体的处理结束通知上述计算机，
上述计算机被构成为根据上述通知对各处理设备的处理次数进行计数，并每当在上一次校正处理后处理次数达到规定次数时就对上述控制信息进行校正。
9、如权利要求1所述的处理***，其特征在于：
上述处理设备具备将数据处理委托给计算机的装置，
上述计算机具有响应于从上述处理设备中接受到的上述委托进行数据处理，并将该数据处理结果发送至上述处理设备的装置，
上述处理设备具有接收由上述计算机发送来的数据处理结果，按照接收到的数据处理结果进行工作的装置。
10、如权利要求1所述的处理***，其特征在于：
上述各处理设备包含用于测定该处理设备对被处理体的处理结果的测定装置，上述测定装置的测定结果可以经上述通信媒体从上述处理设备发送至上述计算机。
CNB028214641A 2001-08-28 2002-08-28 处理*** Expired - Lifetime CN1331192C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001258024A JP4751538B2 (ja) 2001-08-28 2001-08-28 処理システム
JP258024/2001 2001-08-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1579006A true CN1579006A (zh) 2005-02-09
CN1331192C CN1331192C (zh) 2007-08-08

Family

ID=19085608

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB028214641A Expired - Lifetime CN1331192C (zh) 2001-08-28 2002-08-28 处理***

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7139627B2 (zh)
EP (1) EP1422743B1 (zh)
JP (1) JP4751538B2 (zh)
KR (1) KR100857302B1 (zh)
CN (1) CN1331192C (zh)
DE (1) DE60227963D1 (zh)
TW (1) TW591687B (zh)
WO (1) WO2003021646A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102560681A (zh) * 2010-12-16 2012-07-11 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 测温装置及扩散炉
CN103135455A (zh) * 2011-10-31 2013-06-05 洛克威尔自动控制技术股份有限公司 用于包括过程启动的工作流程的过程控制的***和方法
CN101423935B (zh) * 2007-10-29 2013-07-03 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理装置的控制方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3802889B2 (ja) * 2003-07-01 2006-07-26 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及びその校正方法
US7838072B2 (en) * 2005-01-26 2010-11-23 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for monolayer deposition (MLD)
DE102009016138A1 (de) * 2009-04-03 2010-10-14 Ipsen International Gmbh Verfahren und Computer-Programm zur Steuerung der Wärmebehandlung von metallischen Werkstücken
CN102337518B (zh) * 2010-07-21 2013-07-17 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种载板回收控制方法、***及一种薄膜沉积设备、方法
JP5766647B2 (ja) * 2012-03-28 2015-08-19 東京エレクトロン株式会社 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム
WO2014068981A1 (ja) * 2012-10-31 2014-05-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理装置の制御装置
CN103903998B (zh) * 2012-12-24 2016-08-31 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体工艺的检测方法和检测***
JP6566897B2 (ja) * 2016-03-17 2019-08-28 東京エレクトロン株式会社 制御装置、基板処理システム、基板処理方法及びプログラム
JP7336207B2 (ja) * 2018-05-29 2023-08-31 キヤノン株式会社 基板処理システム、基板処理システムの制御方法、プログラム、および物品製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5408405A (en) * 1993-09-20 1995-04-18 Texas Instruments Incorporated Multi-variable statistical process controller for discrete manufacturing
US5646870A (en) * 1995-02-13 1997-07-08 Advanced Micro Devices, Inc. Method for setting and adjusting process parameters to maintain acceptable critical dimensions across each die of mass-produced semiconductor wafers
JP2986146B2 (ja) * 1995-11-02 1999-12-06 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置のレシピ運用システム
JP3892493B2 (ja) 1995-11-29 2007-03-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理システム
US6110214A (en) * 1996-05-03 2000-08-29 Aspen Technology, Inc. Analyzer for modeling and optimizing maintenance operations
US5867398A (en) * 1996-06-28 1999-02-02 Lsi Logic Corporation Advanced modular cell placement system with density driven capacity penalty system
US5943230A (en) * 1996-12-19 1999-08-24 Applied Materials, Inc. Computer-implemented inter-chamber synchronization in a multiple chamber substrate processing system
JP3274095B2 (ja) * 1997-07-18 2002-04-15 富士通株式会社 加熱炉内の被加熱物の熱解析装置及びそれを用いたリフロー炉の制御装置並びにそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US6161054A (en) * 1997-09-22 2000-12-12 On-Line Technologies, Inc. Cell control method and apparatus
JP3077656B2 (ja) * 1997-12-22 2000-08-14 日本電気株式会社 半導体製造装置のレシピ修正方法
DE19838469B4 (de) * 1998-08-25 2007-10-18 Abb Research Ltd. Prozeßsteuer- und Regelsystem mit verteilter Verarbeitung
US6424880B1 (en) * 1999-09-10 2002-07-23 Applied Materials, Inc. Multi-computer chamber control system, method and medium
US6484064B1 (en) * 1999-10-05 2002-11-19 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for running metrology standard wafer routes for cross-fab metrology calibration
US6584369B2 (en) * 2000-02-02 2003-06-24 Texas Instruments Incorporated Method and system for dispatching semiconductor lots to manufacturing equipment for fabrication
JP4357715B2 (ja) * 2000-07-24 2009-11-04 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置の温度校正方法
US6842659B2 (en) * 2001-08-24 2005-01-11 Applied Materials Inc. Method and apparatus for providing intra-tool monitoring and control
US6708075B2 (en) * 2001-11-16 2004-03-16 Advanced Micro Devices Method and apparatus for utilizing integrated metrology data as feed-forward data
US6721616B1 (en) * 2002-02-27 2004-04-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for determining control actions based on tool health and metrology data
US6732007B1 (en) * 2002-06-05 2004-05-04 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for implementing dynamic qualification recipes

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101423935B (zh) * 2007-10-29 2013-07-03 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理装置的控制方法
CN102560681A (zh) * 2010-12-16 2012-07-11 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 测温装置及扩散炉
CN103135455A (zh) * 2011-10-31 2013-06-05 洛克威尔自动控制技术股份有限公司 用于包括过程启动的工作流程的过程控制的***和方法
CN103135455B (zh) * 2011-10-31 2015-07-22 洛克威尔自动控制技术股份有限公司 用于包括过程启动的工作流程的过程控制的***和方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040029016A (ko) 2004-04-03
DE60227963D1 (de) 2008-09-11
TW591687B (en) 2004-06-11
EP1422743A1 (en) 2004-05-26
US20040215365A1 (en) 2004-10-28
US7139627B2 (en) 2006-11-21
EP1422743A4 (en) 2006-04-05
EP1422743B1 (en) 2008-07-30
JP4751538B2 (ja) 2011-08-17
JP2003067005A (ja) 2003-03-07
WO2003021646A1 (fr) 2003-03-13
CN1331192C (zh) 2007-08-08
KR100857302B1 (ko) 2008-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1579006A (zh) 处理***
CN1669127A (zh) 热处理方法和热处理装置
CN1199237C (zh) 半导体器件的制造方法
US7896649B2 (en) Heat system, heat method, and program
JP2005522051A5 (zh)
CN1760774A (zh) 控制方法、温度控制方法、温度调节器
CA2554645C (en) Method and device for thermally treating substrates
JP5766647B2 (ja) 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム
JP2003512519A (ja) 空間的に分解されたセンサを用いてウェハの均一性を制御するための方法および装置
CN1441294A (zh) 基板贴合装置及其方法以及基板检测装置
CN1630934A (zh) 制造半导体器件的设备和方法及上述设备中用的清洁方法
CN1298028C (zh) 热处理方法及热处理装置
US10096499B2 (en) Substrate processing method, program, control apparatus, film forming apparatus, and substrate processing system
CN1228813C (zh) 半导体制造***
JP2017069414A (ja) エピタキシャル成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法
CN1510175A (zh) 硅片和生产单晶硅的方法
CN1932085A (zh) 制造硅单晶的方法
CN1975619A (zh) 温度控制方法、温度控制装置、热处理装置及热处理方法
TW201534399A (zh) 坩堝隔絕層的製造方法及其所應用之噴塗裝置
JP2009260261A (ja) 熱処理装置、熱処理装置の温度調整方法、及び、プログラム
CN1315161C (zh) 成膜方法
JP7230877B2 (ja) エピタキシャルウェーハの製造システム及びエピタキシャルウェーハの製造方法
JP3450240B2 (ja) ランプアニール装置とランプアニール装置の処理温度制御方法
JP6992736B2 (ja) エピタキシャルウェーハの製造方法および装置
JP2004072030A (ja) 半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20070808

CX01 Expiry of patent term