JP3077656B2 - 半導体製造装置のレシピ修正方法 - Google Patents
半導体製造装置のレシピ修正方法Info
- Publication number
- JP3077656B2 JP3077656B2 JP09353038A JP35303897A JP3077656B2 JP 3077656 B2 JP3077656 B2 JP 3077656B2 JP 09353038 A JP09353038 A JP 09353038A JP 35303897 A JP35303897 A JP 35303897A JP 3077656 B2 JP3077656 B2 JP 3077656B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recipe
- polishing
- semiconductor manufacturing
- manufacturing apparatus
- calculated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
(CMP)を行う半導体製造装置へのレシピ情報を修正
する半導体製造装置のレシピ修正方法に関するものであ
る。
カセットに収納し、カセット単位毎に処理を実行するも
のと、カセットに複数枚収納しているがウェハ1枚また
は2枚毎に処理を実行するものに分けられる。例えば、
前の工程からウェハが複数枚格納されたカセットを、装
置のロードポート(搬入口)に移動させると、CVD装
置等の半導体製造装置では、ロボットがカセット内のウ
ェハを順番に、反応炉である石英ガラス等からなる溝付
きボートに移載して、カセット内のウェハ全ての処理を
同時に行う。また、CMP装置等の半導体製造装置で
は、ロボットがカセット内のウェハを順番に、左右のウ
ェハ吸着パッドに移載し、2枚ずつ処理を行う。このよ
うな半導体製造装置では、カセット毎またはウェハ毎に
プロセスのシーケンスと制御パラメータ(温度、圧力、
ガス流量、パッド回転数、研磨量などの装置を制御する
目標値)であるレシピ情報をテーブル化して、1つのフ
ァイルにする。このファイルは、製品群毎に複数作成
し、ユニークなレシピIDを割り付けて使用する。例え
ば、特開平8−216095号公報には、レシピ情報を
ウェハ単位で管理する方法について述べられている。
開平8−216095号公報などで述べられているレシ
ピ情報は全て固定情報であり、半導体製造装置の状態に
関係なく一意的に設定される。このため、半導体製造装
置の状態が変化したような場合、制御量が変化し、再処
理が必要となる。例えば、半導体前工程の1つであるC
MP工程では、CMP装置によりウェハを研磨し平滑化
する。この工程に製品を投入する時には、製品毎のレシ
ピの一部として、研磨時間に関するレシピ情報が指定さ
れる。しかし、CMP装置は、研磨パッドの摩耗、研磨
剤の劣化や研磨屑の混入により、一定時間に削れる量、
いわゆる研磨レートが変動する。このため、研磨時間を
一定としてCMP装置を制御した場合、研磨量が変化
し、研磨不足や研磨過多を引き起こして再研磨が必要と
なる。
なされたもので、その目的とするところは、研磨レート
が変化しても、研磨量が変化することがなく、再研磨を
不要として工程処理能力を高めることのできる半導体製
造装置のレシピ修正方法を提供することにある。
るために、第1発明(請求項1に係る発明)は、化学機
械研磨を行う半導体製造装置の研磨レートをモニタし、
このモニタした研磨レートおよび研磨必要量から研磨時
間を算出し、この算出した研磨時間に応じたプロセスレ
シピ情報をプロセスレシピ選択テーブルからレシピ変動
部分として選択し、この選択したレシピ変動部分を予め
決定されているレシピ固定部分に加えることによって半
導体製造装置へのレシピ情報を修正するようにしたもの
である。この発明によれば、半導体製造装置の現在の研
磨レートがモニタされ、このモニタされた研磨レートお
よび研磨必要量から研磨時間が算出され、この算出され
た研磨時間に応じたレシピ変動部分がプロセスレシピ選
択テーブルから選択され、この選択されたレシピ変動部
分が予め決定されているレシピ固定部分に加えられるこ
とによって半導体製造装置へのレシピ情報が修正され
る。
発明において、研磨レートを研磨前膜厚測定データと研
磨後膜厚測定データとの差とから算出するようにしたも
のである。この発明によれば、半導体製造装置の現在の
研磨レートが研磨前膜厚測定データと研磨後膜厚測定デ
ータとの差とから算出され、この算出された研磨レート
および研磨必要量から研磨時間が算出され、この算出さ
れた研磨時間に応じたレシピ変動部分がプロセスレシピ
選択テーブルから選択され、この選択されたレシピ変動
部分が予め決定されているレシピ固定部分に加えられる
ことによって半導体製造装置へのレシピ情報が修正され
る。第3発明(請求項3に係る発明)は、第1発明にお
いて、研磨レートを半導体製造装置に接続した化学機械
研磨プロセスをモニタする測定装置からの測定データか
ら算出するようにしたものである。この発明によれば、
半導体製造装置の現在の研磨レートが半導体製造装置に
接続された測定装置からの測定データから算出され、こ
の算出された研磨レートおよび研磨必要量から研磨時間
が算出され、この算出された研磨時間に応じたレシピ変
動部分がプロセスレシピ選択テーブルから選択され、こ
の選択されたレシピ変動部分が予め決定されているレシ
ピ固定部分に加えられることによって半導体製造装置へ
のレシピ情報が修正される。第4発明(請求項4に係る
発明)は、第1発明において、変動パラメータの研磨レ
ートを半導体製造装置の内部に設けた化学機械研磨プロ
セスをモニタする測定装置からの測定データから算出す
るようにしたものである。この発明によれば、半導体製
造装置の現在の研磨レートが半導体製造装置の内部に設
けられた測定装置からの測定データから算出され、この
算出された研磨レートおよび研磨必要量から研磨時間が
算出され、この算出された研磨時間に応じたレシピ変動
部分がプロセスレシピ選択テーブルから選択され、この
選択されたレシピ変動部分が予め決定されているレシピ
固定部分に加えられることによって半導体製造装置への
レシピ情報が修正される。
き詳細に説明する。 〔実施の形態1〕図1はこの発明を適用してなる半導体
製造システムのシステム構成図である。この半導体製造
システムは、レシピ指示システム1と、工場ホストコン
ピュータ2と、CMP装置3と、ウェハ洗浄装置4と、
膜厚測定装置5とから構成される。
装置11と、測定装置用制御装置12と、記憶装置13
とから構成される。製造装置用制御装置11は、一時保
持用のメモリ111を使用し、工場ホストコンピュータ
2、CMP装置3、ウェハ洗浄装置4、記憶装置13と
通信インターフェースを介して、ロット別のプロセスレ
シピ情報や処理結果を通信する。
メモリ121を使用し、工場ホストコンピュータ2、膜
厚測定装置5、記憶装置13と通信インターフェースを
介して、ロット別の測定レシピ情報や測定データを通信
し、ロットの処理結果を判定する。
131、測定レシピテーブル132、測定データテーブ
ル133、レシピ修正テーブル134、変動パラメータ
テーブル135、判定基準テーブル136および履歴テ
ーブル137に各種情報を蓄積する。
いて、図2に示したフローチャートを参照しながら説明
する。最初に、前の工程から来たロットを膜厚測定装置
5に投入する(ステップ201)。測定装置用制御装置
12は、工場ホストコンピュータ2から、投入ロットの
内容と使用する測定レシピIDを得て、記憶装置13の
測定レシピテーブル132から測定レシピ情報を取り出
し、膜厚測定装置5に設定する。
情報に従い、研磨前膜厚測定を行い(ステップ20
2)、これによる測定データ(研磨前の膜厚データ)を
測定装置用制御装置12に送信する。測定装置用制御装
置12は、膜厚測定装置5からの測定データを記憶装置
13の測定データテーブル133に、処理履歴を履歴テ
ーブル137に保存する。
取り出し、CMP装置3に投入する。製造装置用制御装
置11は、工場ホストコンピュータ2から、投入ロット
の内容として膜の種類と研磨必要量を得る。そして、製
造装置用制御装置11は、記憶装置13の変動パラメー
タテーブル135から最新の研磨レート(後述)を得
て、レシピ修正テーブル134内のレシピ修正ルールに
従い上記最新の研磨レートおよび研磨必要量から研磨時
間を算出し、この算出した研磨時間に応じたプロセスレ
シピ情報をプロセスレシピテーブル131からレシピ変
動部分として選択する。
ホストコンピュータ2からのレシピ固定部分と上記のレ
シピ変動部分とを合わせたプロセスレシピ情報を最適レ
シピとし、すなわちレシピ固定部分にレシピ変動部分を
加えることによって修正されたプロセスレシピ情報を最
適レシピとし、この最適レシピをCMP装置3とウェハ
洗浄装置4に送信し(ステップ203)、研磨を開始す
る(ステップ204)。
ウェハ洗浄処理を行う(ステップ205)。製造装置用
制御装置11は、処理の履歴を記録装置13の履歴テー
ブル137に格納する。洗浄が終了したロットは、再
度、膜厚測定装置5に投入される。膜厚測定装置5は、
研磨後膜厚測定を行い(ステップ206)、これによる
測定データ(研磨後の膜厚データ)を測定装置用制御装
置12に送信する。
た測定データを記憶装置13の測定データテーブル13
3に蓄積する。記憶装置13は、投入したロットの研磨
前の膜厚データと研磨後の膜厚データの差と、履歴テー
ブル137にある実際の研磨時間とから、最新の研磨レ
ートを算出し(ステップ207)、変動パラメータテー
ブル135に保存する。得られた最新研磨レートは、次
のロットの最適レシピを求めるときに使用する。
置13の判定基準テーブル136から判定基準情報を取
り出し、研磨後の膜厚が基準内であるか否かの判定を行
い(ステップ208)、判定結果の履歴を履歴テーブル
137に通信する。そして、CMP工程の全ての処理が
終了したロットを排出し(ステップ209)、次の工程
へ送る。
に示すように、CMP装置3の変動パラメータを測定す
る手段として、CMPプロセスをモニタする測定装置6
をCMP装置3に接続し、その測定データを製造装置用
制御装置11へフィードバックして、最適レシピを決定
する。測定装置6は、CMP装置3のテーブル駆動電
流、テーブル温度、研磨剤の濃度、研磨屑の密度を測定
するプロセスモニタリング装置である。
の工程から来たロットをCMP装置3に投入する(図3
に示すステップ301)。製造装置用制御装置11は、
工場ホストコンピュータ2から、投入ロットの内容とし
て膜の種類と研磨必要量を得る。
置13の変動パラメータテーブル135から最新の研磨
レート(後述)を得て、レシピ修正テーブル134内の
レシピ修正ルールに従い上記最新の研磨レートおよび研
磨必要量から研磨時間を算出し、この算出した研磨時間
に応じたプロセスレシピ情報をプロセスレシピテーブル
131からレシピ変動部分として選択する。
ホストコンピュータ2からのレシピ固定部分と上記のレ
シピ変動部分とを合わせたプロセスレシピ情報を最適レ
シピとし、すなわちレシピ固定部分にレシピ変動部分を
加えることによって修正されたプロセスレシピ情報を最
適レシピとし、この最適レシピをCMP装置3とウェハ
洗浄装置4に送信し(ステップ302)、研磨を開始す
る(ステップ303)。
装置用制御装置11に通信する。研磨終了後、ウェハ洗
浄装置4によって、ウェハ洗浄処理を行う(ステップ3
04)。製造装置用制御装置11は、処理の履歴を記録
装置13の履歴テーブル137に格納し、測定データを
測定データテーブル133に保存する。
に投入され、研磨後膜厚測定が行われる(ステップ30
5)。これによる測定データ(研磨後の膜厚データ)
は、測定装置用制御装置12を経由して、記憶装置13
の測定データテーブル133に蓄積される。
データから最新の研磨レートを算出し(ステップ30
6)、変動パラメータテーブル135に保存する。得ら
れた最新の研磨レートは、次のロットの最適レシピを求
めるときに使用する。
置13の判定基準テーブル136から判定基準情報を取
り出し、研磨後の膜厚が基準内であるか否かの判定を行
い(ステップ307)、判定結果の履歴を履歴テーブル
137に通信する。そして、CMP工程の全ての処理が
終了したロットを排出し(ステップ308)、次の工程
へ送る。
に示すように、CMP装置3の変動パラメータをモニタ
する手段として、CMP装置3の内部にプロセスをモニ
タする測定装置31を組み込み、その測定データを製造
装置用制御装置11にフィードバックして、最適レシピ
を決定する。測定装置31は、研磨前後の膜厚を測定す
る装置や研磨中に随時膜厚を測定する装置である。この
半導体製造システムでは、測定装置31が計測した測定
データから最新の研磨レートを算出し、変動パラメータ
テーブル135に保存する。得られた最新の研磨レート
は、実施の形態2と同様にして、次のロットの最適レシ
ピを求めるときに使用する。
実施の形態1〜3によれば、CMP装置3の変動パラメ
ータである研磨レートがロット毎に常時モニターされ、
このモニタされた研磨レートに基づいてCMP装置3へ
のプロセスレシピ情報が最適レシピに修正されるため、
CMP装置3の研磨レートが変化しても、研磨量が変化
することがなく、再研磨を不要として工程処理能力を高
めることができる。
MP装置3へのプロセスレシピ情報が自動的に修正され
るため、作業者によるレシピ算出時間が無くなること
と、レシピ選択の誤りを無くすことができ、工程通過時
間を短くすることができる。すなわち、研磨必要量と現
在のCMP装置3の研磨レートとから人為的に研磨時間
を算出し、プロセスレシピの変動部分を選択することも
できる。しかし、この場合、作業者によるレシピ算出時
間を必要とし、またレシピ選択の誤りが生じる虞れもあ
り、工程通過時間が長くなる。これに対して、実施の形
態1〜3では、CMP装置3へのプロセスレシピ情報を
製造装置用制御装置11が自動的に修正するため、工程
通過時間が短くなる。
入ロットの処理結果判定を自動で行うことができ、工程
の良品率を上げることができる。また、工程内各装置の
履歴情報を保有しているため、工程内の進捗管理が容易
となる。
ロセスレシピ情報を修正する周期をロット毎としたが、
ウェハ毎としてもよい。また、上述した実施の形態1〜
3では、プロセスレシピ情報を製品により決定する固定
部分と、装置の状態により変化する変動部分とに分け
て、前者を工場ホストコンピュータ2に管理させ、後者
を記憶装置13に管理させるようにしたが、両者とも記
憶装置13に管理させるようにしてもよい。すなわち、
レシピ固定部分を記憶装置13に予め登録するようにし
てもよい。
発明によれば、化学機械研磨を行う半導体製造装置の研
磨レートをモニタし、このモニタした研磨レートおよび
研磨必要量から研磨時間を算出し、この算出した研磨時
間に応じたプロセスレシピ情報をプロセスレシピ選択テ
ーブルからレシピ変動部分として選択し、この選択した
レシピ変動部分を予め決定されているレシピ固定部分に
加えることによって半導体製造装置へのレシピ情報を修
正するようにしたので、研磨レートの変化に対し、研磨
量の変化をなくし、再研磨を不要として工程処理能力を
高めることが可能となる。
システム構成図(実施の形態1)である。
明する図である。
明する図である。
システム構成図(実施の形態2)である。
システム構成図(実施の形態3)である。
タ、3…CMP装置、4…ウェハ装置、5…膜厚測定装
置、6,31…測定装置、11…製造装置用制御装置、
12…測定装置用制御装置、13…記憶装置、131…
プロセスレシピテーブル、132…測定レシピテーブ
ル、133…測定データテーブル、134…レシピ修正
テーブル、135…変動パラメータテーブル、136…
判定基準テーブル、137…履歴テーブル。
Claims (4)
- 【請求項1】 化学機械研磨を行う半導体製造装置の研
磨レートをモニタし、このモニタした研磨レートおよび
研磨必要量から研磨時間を算出し、この算出した研磨時
間に応じたプロセスレシピ情報をプロセスレシピ選択テ
ーブルからレシピ変動部分として選択し、この選択した
レシピ変動部分を予め決定されているレシピ固定部分に
加えることによって前記半導体製造装置へのレシピ情報
を修正するようにしたことを特徴とする半導体製造装置
のレシピ修正方法。 - 【請求項2】 請求項1において、前記研磨レートを研
磨前膜厚測定データと研磨後膜厚測定データとの差とか
ら算出するようにしたことを特徴とする半導体製造装置
のレシピ修正方法。 - 【請求項3】 請求項1において、前記研磨レートを前
記半導体製造装置に接続した化学機械研磨プロセスをモ
ニタする測定装置からの測定データから算出するように
したことを特徴とする半導体製造装置のレシピ修正方
法。 - 【請求項4】 請求項1において、前記研磨レートを前
記半導体製造装置の内部に設けた化学機械研磨プロセス
をモニタする測定装置からの測定データから算出するよ
うにしたことを特徴とする半導体製造装置のレシピ修正
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09353038A JP3077656B2 (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 半導体製造装置のレシピ修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09353038A JP3077656B2 (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 半導体製造装置のレシピ修正方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11186204A JPH11186204A (ja) | 1999-07-09 |
JP3077656B2 true JP3077656B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=18428157
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP09353038A Expired - Fee Related JP3077656B2 (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 半導体製造装置のレシピ修正方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3077656B2 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100366630B1 (ko) * | 2000-09-20 | 2003-01-09 | 삼성전자 주식회사 | 샘플 스킵 방식의 알고리즘을 이용한 웨이퍼의 연마 시간제어 방법 및 이를 이용한 웨이퍼의 연마 방법 |
JP2002203825A (ja) * | 2000-10-23 | 2002-07-19 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法および処理条件設定装置 |
JP3708031B2 (ja) | 2001-06-29 | 2005-10-19 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置および処理方法 |
JP5021872B2 (ja) * | 2001-08-02 | 2012-09-12 | 日本電気株式会社 | 半導体製造装置のプロセス時間補正方法 |
JP4751538B2 (ja) * | 2001-08-28 | 2011-08-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
JP2004311549A (ja) * | 2003-04-03 | 2004-11-04 | Seiko Epson Corp | Cmp研磨方法、cmp装置、半導体装置及びその製造方法 |
JP2004319574A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Trecenti Technologies Inc | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置の自動運転方法および自動運転システム、並びにcmp装置の自動運転方法 |
DE102005000645B4 (de) * | 2004-01-12 | 2010-08-05 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Vorrichtung und ein Verfahren zum Behandeln von Substraten |
TW200536662A (en) | 2004-03-04 | 2005-11-16 | Trecenti Technologies Inc | Method and system of chemicalmechanical polishing and manufacturing method of semiconductor device |
JP4408244B2 (ja) * | 2004-07-07 | 2010-02-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板研磨方法および基板研磨装置 |
JP4664630B2 (ja) * | 2004-07-22 | 2011-04-06 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造装置に対する自動レシピ作成装置及び作成方法 |
JP4828831B2 (ja) * | 2005-01-18 | 2011-11-30 | パナソニック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5128065B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2013-01-23 | 株式会社ニコン | 情報処理装置、デバイス製造処理システム、デバイス製造処理方法、プログラム |
JP4942174B2 (ja) * | 2006-10-05 | 2012-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システムの処理レシピ最適化方法,基板処理システム,基板処理装置 |
JP2008141186A (ja) * | 2006-11-08 | 2008-06-19 | Ebara Corp | 研磨方法及び研磨装置 |
KR100827698B1 (ko) | 2006-11-21 | 2008-05-07 | 삼성전자주식회사 | 씨엠피의 공정 수행을 위한 셋업 방법 및 장치 |
JP5089513B2 (ja) * | 2008-07-11 | 2012-12-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置システムの制御装置、プラズマ処理システムの制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体 |
JP2012156334A (ja) | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
JP5853382B2 (ja) | 2011-03-11 | 2016-02-09 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法、及び電子機器の製造方法 |
-
1997
- 1997-12-22 JP JP09353038A patent/JP3077656B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11186204A (ja) | 1999-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3077656B2 (ja) | 半導体製造装置のレシピ修正方法 | |
US6623333B1 (en) | System and method for controlling a wafer polishing process | |
JP4799817B2 (ja) | 半導体ウェハの表面平坦化装置 | |
JP3019079B1 (ja) | 化学機械研磨装置 | |
US6640151B1 (en) | Multi-tool control system, method and medium | |
CN100556620C (zh) | 使用垫调节装置的传感信号来控制化学机械研磨的方法及*** | |
US7234998B2 (en) | Chemical mechanical polishing method, chemical mechanical polishing system, and manufacturing method of semiconductor device | |
JP2007281460A (ja) | モデル予測制御を用いた、半導体製作における個別部品の生産を制御するための方法およびコントローラ装置 | |
US20010039462A1 (en) | System and method for predicting software models using material-centric process instrumentation | |
US6648728B2 (en) | Polishing system | |
KR20040064616A (ko) | 반도체 공정 절차의 인사이튜 센서 기반 제어 | |
US7097534B1 (en) | Closed-loop control of a chemical mechanical polisher | |
JP2002141319A (ja) | ウェーハの研磨時間制御方法及びこれを利用したウェーハの研磨方法 | |
TW200919567A (en) | Polishing condition control apparatus and polishing condition control method of CMP apparatus | |
KR100517671B1 (ko) | 다수 암 연마 툴을 제어하는 시스템 및 방법 | |
JP4717472B2 (ja) | 基板研磨方法 | |
US20200133246A1 (en) | Learning model generation device for supporting machine tool, support device for machine tool and machine tool system | |
JP2020131353A (ja) | 研磨加工システム、学習装置、学習装置の学習方法 | |
JP4274813B2 (ja) | 製品ウェハの処理レシピ決定方法 | |
JPH0817768A (ja) | 半導体装置の製造方法及びそれを実施するための装置 | |
JPH04354673A (ja) | 平面研削盤の制御方法 | |
WO2023106085A1 (ja) | 基板処理方法及び基板処理システム | |
JP2000015574A (ja) | ポリッシングシステム及び仕上げ制御方法 | |
JP4053721B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造装置の制御方法 | |
JP2003045834A (ja) | 半導体製造装置のプロセス時間補正方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080616 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090616 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100616 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100616 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110616 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110616 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120616 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120616 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130616 Year of fee payment: 13 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |