JP7336207B2 - 基板処理システム、基板処理システムの制御方法、プログラム、および物品製造方法 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 331
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 268
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 77
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 128
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 47
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 17
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 15
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 6
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 16
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67294—Apparatus for monitoring, sorting or marking using identification means, e.g. labels on substrates or labels on containers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Description
本発明は、基板処理システム、基板処理システムの制御方法、プログラム、および、物品製造方法に関する。
半導体製造ラインには通常、複数の基板処理装置が設置され、それぞれの保守を効率的に行うことが必要である。
特許文献１には、半導体製造装置から取得したデータに基づき半導体製造装置のトラブル状態を検知し、トラブル状態が検知された半導体製造装置に対してレシピに制御量を反映させることにより正常状態に復旧させる方法が開示されている。
装置を正常状態に復旧させる方法としては、特許文献１のようにレシピに制御量を反映させることの他に、装置の特性自体を変化させるようなやり方がありうる。例えば、装置キャリブレーションの実行、装置リセット、処理シーケンスの変更、装置パラメータの変更等がありうる。しかし、このような復旧方法は、一時的な生産停止を伴う。そのためこれらの復旧方法が、生産計画上、装置停止が許されない時期に実行されると、予定生産量を達成できなくなる可能性がある。また、これらの復旧方法がロット処理中に実行されると、処理シーケンスの変更に伴う処理時間の変動に伴い、製品品質に影響を与える可能性もある。
本発明は、例えば、生産性および製品品質の維持の点で有利な基板処理システムを提供することを目的とする。
本発明の一側面によれば、基板を処理する複数の基板処理装置と、前記複数の基板処理装置の動作を制御するホスト制御装置と、前記複数の基板処理装置のそれぞれの保守を管理する管理装置とを含む基板処理システムであって、前記管理装置は、前記複数の基板処理装置のそれぞれから収集された動作情報に基づいて、保全処理が必要な基板処理装置を判定する判定部と、前記判定部により前記保全処理が必要と判定された基板処理装置に判定結果を通知する通知部とを有し、前記複数の基板処理装置のそれぞれは、前記判定結果を受信した場合、前記保全処理を実行するための情報を前記ホスト制御装置に送信する送信部を有し、前記ホスト制御装置は、前記複数の基板処理装置のそれぞれの稼働状況を監視し、前記保全処理を実行するための情報を送信した基板処理装置の稼働状況に基づいて、該基板処理装置に対する前記保全処理の実施のタイミングを制御する制御部を有し、前記複数の基板処理装置のうち前記判定結果を受信した基板処理装置は、当該基板処理装置の稼働状況に応じて、前記送信部による前記保全処理を実行するための情報の前記ホスト制御装置への送信を中止する、ことを特徴とする基板処理システムが提供される。
本発明によれば、例えば、生産性および製品品質の維持の点で有利な基板処理システムを提供することができる。
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
＜第１実施形態＞
図１は、本実施形態における基板処理システムの構成を示すブロック図である。半導体製造ライン１は、それぞれが基板を処理する複数の基板処理装置１０（半導体製造装置）と、複数の基板処理装置１０の動作を制御するホストコンピュータ１１（ホスト制御装置）とを含みうる。複数の基板処理装置１０の各々は、例えば、リソグラフィ装置（露光装置、インプリント装置、荷電粒子線描画装置等）、成膜装置（ＣＶＤ装置等）、加工装置（レーザー加工装置等）、検査装置（オーバーレイ検査装置等）のいずれかでありうる。また、複数の基板処理装置には、リソグラフィ処理の前処理として基板にレジスト材（密着材）の塗布処理を行うとともに、リソグラフィ処理の後処理として現像処理を行う塗布現像装置（コーター／ディベロッパー）も含まれうる。なお、露光装置は、基板の上に供給されたフォトレジストを原版（マスク）を介して露光することによって該フォトレジストに原版のパターンに対応する潜像を形成する。インプリント装置は、基板の上に供給されたインプリント材に型（原版）を接触させた状態でインプリント材を硬化させることによって基板の上にパターンを形成する。荷電粒子線描画装置は、基板の上に供給されたフォトレジストに荷電粒子線によってパターンを描画することによって該フォトレジストに潜像を形成する。
図１は、本実施形態における基板処理システムの構成を示すブロック図である。半導体製造ライン１は、それぞれが基板を処理する複数の基板処理装置１０（半導体製造装置）と、複数の基板処理装置１０の動作を制御するホストコンピュータ１１（ホスト制御装置）とを含みうる。複数の基板処理装置１０の各々は、例えば、リソグラフィ装置（露光装置、インプリント装置、荷電粒子線描画装置等）、成膜装置（ＣＶＤ装置等）、加工装置（レーザー加工装置等）、検査装置（オーバーレイ検査装置等）のいずれかでありうる。また、複数の基板処理装置には、リソグラフィ処理の前処理として基板にレジスト材（密着材）の塗布処理を行うとともに、リソグラフィ処理の後処理として現像処理を行う塗布現像装置（コーター／ディベロッパー）も含まれうる。なお、露光装置は、基板の上に供給されたフォトレジストを原版（マスク）を介して露光することによって該フォトレジストに原版のパターンに対応する潜像を形成する。インプリント装置は、基板の上に供給されたインプリント材に型（原版）を接触させた状態でインプリント材を硬化させることによって基板の上にパターンを形成する。荷電粒子線描画装置は、基板の上に供給されたフォトレジストに荷電粒子線によってパターンを描画することによって該フォトレジストに潜像を形成する。
半導体製造ライン１における複数の基板処理装置１０のそれぞれは、保守を管理する管理装置１２と接続されている。なお、図１に示されるように、基板処理システムは、半導体製造ライン１を複数含みうる。したがって、管理装置１２は、複数の半導体製造ラインにおける個々の基板処理装置を管理することができる。管理装置１２は、複数の基板処理装置１０それぞれの動作情報を収集、解析し、各基板処理装置について、異常またはその予兆を検知し、保全処理（メンテナンス処理）の要否を判定する保全判定装置として機能しうる。なお、図１において、複数の基板処理装置とホストコンピュータ１１との接続、複数の基板処理装置と管理装置１２との接続は、有線接続、無線接続を問わない。
以下では、具体例を提供するために、複数の基板処理装置１０の各々が露光装置として構成される例を説明する。図２に基板処理装置１０である露光装置の構成を示す。露光装置は、光源ユニット１０１を有する。光源としては、例えば高圧水銀ランプやエキシマレーザなどが使用されうる。なお、光源がエキシマレーザの場合は、光源ユニット１０１は露光装置のチャンバ内部にあるとは限らず、外付けになっている構成もあり得る。
光源ユニット１０１を出た光は照明系１０２を介してマスクステージ１０４に保持されている原版であるマスク１０３を照明する。なお、マスク１０３はレチクルとも呼ばれる。マスク１０３上には転写されるべき回路パターンが描かれている。マスク１０３を照明した光は投影光学系１０５を通過して基板１０８に達する。なお、基板１０８としては、例えばシリコンウエハなどが用いられる。
マスク１０３上のパターンが、投影光学系１０５を介して、基板１０８上に塗布された感光媒体（例えば、レジスト）に転写される。基板１０８は基板チャック１０７に真空吸着などによって平らに矯正された状態で保持されている。また、基板チャック１０７は基板ステージ１０６に保持されている。基板ステージ１０６は移動可能に構成されている。露光装置は、基板ステージ１０６を投影光学系１０５の光軸に対して垂直な面に沿って２次元的にステップ移動させながら、基板１０８上に複数のショット領域を繰り返し露光する。これはステップアンドリピート方式と呼ばれる露光方式である。なお、マスクステージ１０４と基板ステージ１０６を同期しながらスキャンして露光を行う、ステップアンドスキャン方式と呼ばれる露光方式を採用してもよい。
図２に示される露光装置では、露光処理前の基板１０８は基板カセット１１０に格納された状態で露光装置にセットされる。基板カセット１１０内には少なくとも１枚、通常は複数枚の基板１０８が格納されている。そして、不図示のロボットハンドなどにより、１枚の基板１０８が基板カセット１１０から取り出され、プリアライメントユニット１０９に置かれる。プリアライメントユニット１０９で基板１０８の方位合わせおよび位置合わせが行われた後、ロボットハンドにより基板１０８が基板チャック１０７にセットされ、その後、露光処理が行われる。露光処理を終えた基板１０８はロボットハンドにより基板チャック１０７上から取り除かれ基板カセット１１０に回収されるとともに、プリアライメントユニット１０９上で待機していた次の基板１０８が基板チャック１０７にセットされる。このようにして、次々と基板１０８が露光処理される。なお、露光装置が、塗布現像装置等の他の装置とインラインで接続して、露光処理前の基板１０８が他の装置から搬入され、露光処理後の基板１０８が他の装置へ搬出される構成であってもよい。
また、露光装置は制御部１１１を有している。制御部１１１は、コンピュータなどの情報処理装置で構成され、露光装置の各ユニットの制御や各種の演算を行う。また、図１の例では制御部１１１は１つの構成であるが、制御部１１１は１つに限られず、複数の制御部１１１で各部を制御する構成としてもよい。
図３は、ホストコンピュータ１１の構成を示すブロック図である。ホストコンピュータ１１は、露光装置の外部に配置され、露光装置に限らない複数の基板処理装置を制御する情報処理装置である。ＣＰＵ２０１は、ＯＳ（Ｏｐｅｒａｔｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）及び各種アプリケーションプログラムを実行する。ＲＯＭ２０２は、ＣＰＵ２０１が実行するプログラムや演算用のパラメータのうちの固定的なデータを格納する。ＲＡＭ２０３は、ＣＰＵ２０１の作業領域やデータの一時記憶領域を提供する。ＲＯＭ２０２及びＲＡＭ２０３は、バス２０８を介してＣＰＵ２０１に接続される。２０５はマウスやキーボードなどを含む入力装置、２０６はＣＲＴや液晶ディスプレイなどの表示装置である。２０４は、ハードディスク装置、ＣＤ、ＤＶＤ、メモリカード等の外部記憶装置であり、露光処理のための制御プログラムを含む各種プログラムや露光処理の履歴データ（ログ）等を記憶している。入力装置２０５、表示装置２０６、及び外部記憶装置２０４はそれぞれ、不図示のインタフェースを介してバス２０８に接続されている。また、ネットワークに接続して通信を行うための通信装置２０７も、バス２０８に接続されている。通信装置２０７は、例えばＬＡＮに接続してＴＣＰ／ＩＰ等の通信プロトコルによるデータ通信を行い、他の通信装置と相互に通信を行う場合に使用される。通信装置２０７は、データの送信部および受信部として機能し、例えば、露光装置内の制御部１１１あるいは他の制御プロセスから動作情報を受信して、外部記憶装置２０４に記憶されているログに記録する。また、通信装置２０７は、受信した動作情報を管理装置１２に逐次送信してもよいし、管理装置１２からの要求に基づき、外部記憶装置２０４に記憶されているログを送信してもよい。
以上、図３を参照してホストコンピュータ１１の概略構成を説明したが、露光装置内の制御部１１１や管理装置１２も、これと同様の構成を備えうる。
管理装置１２は、複数の基板処理装置１０のそれぞれから収集された動作情報に基づいて、保全処理が必要な基板処理装置を判定する判定部として機能しうる。例えば、管理装置１２は、複数の基板処理装置１０のそれぞれから動作情報を収集し、解析し、どの基板処理装置でどのような異常またはその予兆が発生しているかを検知し、保全処理の要否および保全処理の方法を判定する。保全処理には、例えば、装置キャリブレーションの実行、装置リセット、処理シーケンスの変更、装置パラメータの変更等のうちの少なくともいずれかが含まれうる。
例えば、投影光学系１０５は露光負荷の変動に伴いその温度分布が変化するとともに、フォーカス位置等の光学特性が変化していく（露光収差）。この特性は、基板処理装置１０によって、露光負荷に基づくオープンループ制御で補正されうる。また、定期的に投影光学系１０５の光学特性を実計測しフィードバックすることにより制御誤差が補正されうる。管理装置１２は、例えば、この実計測の結果を動作情報として取得し、その実計測の結果から算出される補正量が所定の閾値より大きくなった場合は、保全処理が必要であると判定する。このように、管理装置１２は、動作情報を収集、解析して、補正量が閾値より大きくなった場合は保全処理が必要であると判定する。また、管理装置１２は、保全処理が必要であると判定した場合、再度、投影光学系１０５の光学特性の実計測を行い、保全処理として、投影光学系１０５のオープンループ制御に使用する係数を更新することが必要であると判定してもよい。または、管理装置１２は、保全処理として、補正量が閾値より大きくない場合と比べて、投影光学系１０５の特性の実計測の頻度を高めることが必要であると判定してもよい。
管理装置１２は、保全処理が必要であると判定された基板処理装置に対して判定結果を通知する通知部として機能しうる。基板処理装置は、管理装置１２から判定結果を受信したことに応答して、その判定結果に基づき保全処理を実行するための情報をホストコンピュータ１１に通知する。ホストコンピュータ１１は、複数の基板処理装置のそれぞれの稼働状況を監視しており、受信した情報および稼働状況に基づいて、当該基板処理装置または関連する他の基板処理装置に対して保全処理の実行を指示するか、保全方法をオペレータへガイダンスする。
図４は、本実施形態の基板処理システムにおける保全処理の方法を示すフローチャートである。Ｓ４０１で、管理装置１２は、複数の基板処理装置１０のそれぞれから収集した動作情報に基づき保全処理が必要な基板処理装置を判定する。Ｓ４０２で、管理装置１２は、保全処理が必要であると判定した基板処理装置に判定結果を通知する。この判定結果には、判定の理由、判定の根拠となるデータ名および値、保全方法が含まれてもよい。
Ｓ４０３で、判定結果を受信した基板処理装置（の制御部１１１）は、保全処理を実行するための情報をホストコンピュータ１１に通知する必要があるかを判定する。例えば、当該基板処理装置がメンテナンス中であり、そのため一時的に所定の計測値が異常値となり、過大あるいは過小な判定根拠の値が通知された場合は、保全処理を実行するための情報のホストコンピュータ１１への送信は中止されてもよい。また、判定結果が通知されたタイミングでは既に当該基板処理装置で保全処理が手動または自動で行われていた場合は、ホストコンピュータ１１への情報の送信が中止されてもよい。
基板処理装置がホストコンピュータ１１への通知が必要と判定した場合、Ｓ４０４で、基板処理装置は、保全処理を実行するための情報をホストコンピュータ１１へ通知する。この情報は、通知された判定結果に基づく情報である。例えば、この情報は、管理装置１２から受信した判定結果そのままの形態であってもよいし、変更を加えてもよい。例えば、判定結果に、補正すべき装置パラメータが含まれており、装置パラメータの識別子として、基板処理装置の内部でしか使用されない装置パラメータの識別子が含まれている場合がありうる。そのような識別子はホストコンピュータ１１には正しく認識されないため、基板処理装置（の制御部１１１）は、その識別子をホストコンピュータ１１で識別可能な識別子に変換して、変換後の判定結果を、保全処理を実行するための情報に含めて通知してもよい。
また、ホストコンピュータ１１と基板処理装置とで使用されるデータの単位が異なる場合、単位を変換するためにデータの演算が必要な場合がある。そのようなデータが判定結果に含まれている場合は、基板処理装置は、データの単位をホストコンピュータ１１で使用される単位に変換するための演算を行い、演算後の判定結果を、保全処理を実行するための情報に含めて通知してもよい。また、装置パラメータに応じて異なる単位に変換する必要がある場合には、基板処理装置は、装置パラメータに応じてデータの演算方法を変更してもよい。
管理装置１２が複数の基板処理装置のうちの２以上の基板処理装置に対して共通の判定結果を送信する場合がありうる。この場合、判定結果を受信した基板処理装置にとっては、次のＳ４０５で行われる保全処理の要否の判定に不要な項目が判定結果に含まれている場合もある。その場合には、基板処理装置は受信した判定結果からそのような項目を削除して、それを保全処理を実行するための情報に含めて通知してもよい。
また、判定結果および現在の装置状態の情報を、保全処理を実行するための情報に含めてホストコンピュータ１１に通知してもよい。例えば、装置状態の情報としては、装置の現在の処理シーケンス情報、装置の環境情報、例えばチャンバ内の温度や気圧、基板ステージ１０６の駆動の回数、駆動のための電圧値、電流値、基板チャック１０７のバキューム圧等の情報を含みうる。
Ｓ４０５で、ホストコンピュータ１１は、受信した保全処理を実行するための情報に基づいて、保全処理が必要か否かを判定する。例えば、保全処理を実行するための情報に、保全処理を実行しない場合に想定される重ね合わせ誤差の情報が含まれていたとする。そして、当該基板処理装置で処理する予定の基板では、バジェットが大きく、当該重ね合わせ誤差が問題にならないと判断される場合は、保全処理を行う必要はないと判断してもよい。
保全処理が必要と判断された場合は、Ｓ４０６で、ホストコンピュータ１１は、保全処理が可能になるタイミングまで、保全処理を待機する。例えば、ホストコンピュータ１１は、保全処理に伴い基板処理装置を停止することが許容できるような生産状況になるまで待機してもよい。あるいは、ホストコンピュータ１１は、保全処理を実行するための情報が通知されたタイミングで当該基板処理装置へ新たなロットをキューイングしないようにし、既にあるロットがすべて処理され終わるまで待機してもよい。このように、ホストコンピュータ１１は、保全処理を実行するための情報を送信した基板処理装置の稼働状況に基づいて、該基板処理装置に対する保全処理の実施のタイミングを制御する。
その後、Ｓ４０７で、ホストコンピュータ１１は、保全処理を実行する、あるいは、オペレータに対して保全方法をガイダンスする。保全処理は、当該基板処理装置に対して行われることが想定されているが、関連する他の基板処理装置に対して行われることもありうる。また、ホストコンピュータ１１によって保全処理が必要と判定された時点またはそれ以降の基板をリワークするよう、基板処理装置を制御してもよい。
以上説明した実施形態によれば、基板処理装置の稼働状況に基づいて、該基板処理装置に対する保全処理の実施のタイミングが調整される。これにより、例えば、生産計画上、装置停止が許されない時期であるにもかかわらず保全処理が実行され予定生産量を達成できなくなるといったことを回避することが可能になる。また、例えばロット処理が終わるのを待ってから保全処理を実行することが可能になるため、製品品質に与える影響を最小限に抑えることができる。
＜第２実施形態＞
図５は、第２実施形態における基板処理システムの構成を示すブロック図である。図１と同じ構成ブロックには同じ参照符号を付し、それらの説明は省略する。管理装置１２からホストコンピュータ１１へのデータの伝送は、図１では基板処理装置１０を介して行われていたが、図５では、管理装置１２とホストコンピュータ１１とを直接接続する通信路５１を介して行われる。本実施形態では、管理装置１２は、保全処理を実行するための情報を、通信路５１を介してホストコンピュータ１１へ通知する。
図５は、第２実施形態における基板処理システムの構成を示すブロック図である。図１と同じ構成ブロックには同じ参照符号を付し、それらの説明は省略する。管理装置１２からホストコンピュータ１１へのデータの伝送は、図１では基板処理装置１０を介して行われていたが、図５では、管理装置１２とホストコンピュータ１１とを直接接続する通信路５１を介して行われる。本実施形態では、管理装置１２は、保全処理を実行するための情報を、通信路５１を介してホストコンピュータ１１へ通知する。
図６は、本実施形態の基板処理システムにおける保全処理の方法を示すフローチャートである。図４のフローチャートと同じ処理工程には同じ参照符号を付し、それらの説明は省略する。第１実施形態では、Ｓ４０３で、判定結果を受信した基板処理装置が、保全処理を実行するための情報をホストコンピュータ１１に通知する必要があるかを判定した。これに対し、本実施形態では、Ｓ４０１の後、Ｓ６０３で、管理装置１２が、保全処理を実行するための情報をホストコンピュータ１１に通知する必要があるかを判定する。例えば、保全処理が必要と判定した基板処理装置から収集した動作情報に基づき、当該基板処理装置がメンテナンス中であるか否かを判定する。メンテナンス中の場合、一時的に所定の計測値が異常値となり、過大あるいは過小な判定根拠の値をとる。このような場合には、保全処理を実行するための情報のホストコンピュータ１１への通知は中止される。
ホストコンピュータ１１への通知が必要と判定された場合は、Ｓ６０４で、管理装置１２は、保全処理を実行するための情報を、通信路５１を介してホストコンピュータ１１へ通知する。このとき、管理装置１２は、例えば当該基板処理装置から収集した動作情報に基づき、現在の装置状態の情報を、保全処理を実行するための情報に含めてホストコンピュータ１１へ通知してもよい。その後の処理は、第１実施形態と同様である（Ｓ４０５～Ｓ４０７）。
＜第３実施形態＞
上述の第１実施形態、第２実施形態では、保全処理を実行するのはホストコンピュータ１１であったが、第３実施形態では、保全処理を実行するのは、ホストコンピュータ１１ではなく管理装置１２であるものとする。本実施形態における基板処理システムの構成は、第２実施形態に係る図５と同様とする。したがって、本実施形態では、ホストコンピュータ１１は、保全処理の依頼を、通信路５１を介して管理装置１２に送信する。管理装置１２は、ホストコンピュータ１１から保全処理の依頼を受信すると、依頼に含まれる対象の基板処理装置あるいは、関連する他の基板処理装置に対して保全処理を実行する。
上述の第１実施形態、第２実施形態では、保全処理を実行するのはホストコンピュータ１１であったが、第３実施形態では、保全処理を実行するのは、ホストコンピュータ１１ではなく管理装置１２であるものとする。本実施形態における基板処理システムの構成は、第２実施形態に係る図５と同様とする。したがって、本実施形態では、ホストコンピュータ１１は、保全処理の依頼を、通信路５１を介して管理装置１２に送信する。管理装置１２は、ホストコンピュータ１１から保全処理の依頼を受信すると、依頼に含まれる対象の基板処理装置あるいは、関連する他の基板処理装置に対して保全処理を実行する。
図７は、本実施形態の基板処理システムにおける保全処理の方法を示すフローチャートである。図４、図６のフローチャートと同じ処理工程には同じ参照符号を付し、それらの説明は省略する。
図７において、Ｓ４０６までは図６と同じである。図６においては、Ｓ４０７でホストコンピュータ１１において保全処理が実行される。これに対し、図７では、Ｓ７０７およびＳ７０８により、管理装置１２において保全処理が実行される。具体的には、Ｓ７０７で、ホストコンピュータ１１は、通信路５１を介して、管理装置１２へ保全処理の依頼メッセージを送信する。Ｓ７０８で、管理装置１２は、受信した依頼メッセージに従って保全処理を実行する。
＜第４実施形態＞
第４実施形態では、管理装置１２ではなくホストコンピュータ１１が保全処理の要否および保全処理の方法を判定する。基板処理システムの構成が第１実施形態に係る図１の構成である場合、管理装置１２は、複数の基板処理装置１０のそれぞれから収集された動作情報を解析して、どの基板処理装置で異常またはその予兆が発生しているかを検知する検知部として機能する。そして、管理装置１２は、検知結果および動作情報を、異常またはその予兆の発生が検知された基板処理装置１０に通知する。複数の基板処理装置１０のそれぞれは、検知結果および動作情報を受信した場合に、その検知結果および動作情報をホストコンピュータ１１へ送信する送信部を有する。検知結果および動作情報を受信した基板処理装置１０は、送信部により、その検知結果及び動作情報をホストコンピュータ１１へ送信（転送）する。
また、基板処理システムの構成が、第２実施形態に係る図５の構成である場合、管理装置１２は、基板処理装置１０を介さずに、検知結果及び動作情報をホストコンピュータ１１へ通知する。
ホストコンピュータ１１は、受信した検知結果及び動作情報に基づいて、保全処理の要否および保全処理の方法を判定する。
第４実施形態では、管理装置１２ではなくホストコンピュータ１１が保全処理の要否および保全処理の方法を判定する。基板処理システムの構成が第１実施形態に係る図１の構成である場合、管理装置１２は、複数の基板処理装置１０のそれぞれから収集された動作情報を解析して、どの基板処理装置で異常またはその予兆が発生しているかを検知する検知部として機能する。そして、管理装置１２は、検知結果および動作情報を、異常またはその予兆の発生が検知された基板処理装置１０に通知する。複数の基板処理装置１０のそれぞれは、検知結果および動作情報を受信した場合に、その検知結果および動作情報をホストコンピュータ１１へ送信する送信部を有する。検知結果および動作情報を受信した基板処理装置１０は、送信部により、その検知結果及び動作情報をホストコンピュータ１１へ送信（転送）する。
また、基板処理システムの構成が、第２実施形態に係る図５の構成である場合、管理装置１２は、基板処理装置１０を介さずに、検知結果及び動作情報をホストコンピュータ１１へ通知する。
ホストコンピュータ１１は、受信した検知結果及び動作情報に基づいて、保全処理の要否および保全処理の方法を判定する。
図８、図９は、本実施形態の基板処理システムにおける保全処理の方法を示すフローチャートである。図４、図６のフローチャートと同じ処理工程には同じ参照符号を付し、それらの説明は省略する。
まず、図８のフローチャートについて説明する。ここでは、基板処理システムが図１の構成であることを前提としている。Ｓ８０１で、管理装置１２は、複数の基板処理装置１０のそれぞれから収集された動作情報を解析して、どの基板処理装置で異常またはその予兆が発生しているかを検知する。そして、管理装置１２は、検知結果および動作情報を、異常またはその予兆の発生が検知された基板処理装置１０に通知する。
Ｓ８０２で、基板処理装置１０は、受信した検知結果および動作情報を、ホストコンピュータ１１へ通知（転送）する。Ｓ８０３で、ホストコンピュータ１１は、受信した検知結果および動作情報に基づき、検知結果および動作情報を送信してきた基板処理装置である第１基板処理装置に対する保全処理の要否および保全処理の方法を判定する。その後の処理は第１実施形態と同様であり、ホストコンピュータ１１は、第１基板処理装置の稼働状況に基づいて第１基板処理装置に対する保全処理の実施のタイミングを制御する（Ｓ４０５～Ｓ４０７）。
次に、図９のフローチャートについて説明する。ここでは、基板処理システムが図５の構成であることを前提としている。Ｓ９０１で、管理装置１２は、複数の基板処理装置１０のそれぞれから収集された動作情報を解析して、どの基板処理装置で異常またはその予兆が発生しているかを検知する。そして、管理装置１２は、検知結果および動作情報を、ホストコンピュータ１１へ通知する。ここで、検知結果には、異常またはその予兆の発生が検知された基板処理装置の識別情報が含まれる。Ｓ８０３で、ホストコンピュータ１１は、受信した検知結果に含まれる識別情報から、異常またはその予兆の発生が検知された基板処理装置（第１基板処理装置）を特定する。そして、ホストコンピュータ１１は、受信した検知結果および動作情報に基づき、第１基板処理装置に対する保全処理の要否および保全処理の方法を判定する。その後の処理は第１実施形態と同様であり、ホストコンピュータ１１は、第１基板処理装置の稼働状況に基づいて第１基板処理装置に対する保全処理の実施のタイミングを制御する（Ｓ４０５～Ｓ４０７）。
＜物品製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態における物品製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品製造方法は、上記の基板処理システムを用いて基板に原版のパターンを形成する形成工程と、該形成工程でパターンが形成された基板を加工する加工工程とを含みうる。更に、かかる物品製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含みうる。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
本発明の実施形態における物品製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品製造方法は、上記の基板処理システムを用いて基板に原版のパターンを形成する形成工程と、該形成工程でパターンが形成された基板を加工する加工工程とを含みうる。更に、かかる物品製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含みうる。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
＜他の実施形態＞
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサがプログラムを読み出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサがプログラムを読み出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。
１：半導体製造ライン、１０：基板処理装置、１１：ホストコンピュータ、１２：管理装置
Claims (19)
- 基板を処理する複数の基板処理装置と、前記複数の基板処理装置の動作を制御するホスト制御装置と、前記複数の基板処理装置のそれぞれの保守を管理する管理装置とを含む基板処理システムであって、
前記管理装置は、
前記複数の基板処理装置のそれぞれから収集された動作情報に基づいて、保全処理が必要な基板処理装置を判定する判定部と、
前記判定部により前記保全処理が必要と判定された基板処理装置に判定結果を通知する通知部と、を有し、
前記複数の基板処理装置のそれぞれは、前記判定結果を受信した場合、前記保全処理を実行するための情報を前記ホスト制御装置に送信する送信部を有し、
前記ホスト制御装置は、
前記複数の基板処理装置のそれぞれの稼働状況を監視し、前記保全処理を実行するための情報を送信した基板処理装置の稼働状況に基づいて、該基板処理装置に対する前記保全処理の実施のタイミングを制御する制御部を有し、
前記複数の基板処理装置のうち前記判定結果を受信した基板処理装置は、当該基板処理装置の稼働状況に応じて、前記送信部による前記保全処理を実行するための情報の前記ホスト制御装置への送信を中止する、
ことを特徴とする基板処理システム。 - 前記保全処理は、装置キャリブレーションの実行、装置リセット、処理シーケンスの変更、装置パラメータの変更、のうちの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
- 前記複数の基板処理装置は、基板を露光する露光装置を含み、
前記判定部は、前記動作情報として前記露光装置から取得した前記露光装置における光学系の光学特性の計測の結果に基づいて、前記光学系の補正量を算出し、該補正量が所定の閾値より大きくなった場合に、前記露光装置に対して前記保全処理が必要と判定する
ことを特徴とする請求項２に記載の基板処理システム。 - 前記保全処理は、前記装置パラメータの変更として、前記光学系のオープンループ制御に使用する係数を更新することを含むことを特徴とする請求項３に記載の基板処理システム。
- 前記保全処理は、前記補正量が前記閾値より大きくない場合と比べて、前記光学特性の計測の頻度を高めることを含むことを特徴とする請求項３に記載の基板処理システム。
- 前記送信部は、前記保全処理が必要と判定された前記基板処理装置において前記保全処理が実行されている状況である場合に、前記保全処理を実行するための情報の前記ホスト制御装置への送信を中止することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板処理システム。
- 前記複数の基板処理装置のそれぞれは、前記判定結果を受信した場合、前記判定結果に含まれる情報を前記ホスト制御装置で識別可能な情報に変換し、変換後の前記判定結果を、前記保全処理を実行するための情報に含めて前記送信部により前記ホスト制御装置に送信することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板処理システム。
- 前記判定結果に含まれる情報は、前記複数の基板処理装置の装置パラメータの識別子を含むことを特徴とする請求項７に記載の基板処理システム。
- 前記複数の基板処理装置のそれぞれは、前記判定結果を受信した場合、前記判定結果に含まれるデータを演算により変換し、変換後の前記判定結果を、前記保全処理を実行するための情報に含めて前記送信部により前記ホスト制御装置に送信することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の基板処理システム。
- 前記演算は、前記データの単位を前記ホスト制御装置で使用される単位に変換するための演算を含むことを特徴とする請求項９に記載の基板処理システム。
- 前記複数の基板処理装置のそれぞれは、前記判定結果を受信した場合、前記判定結果および当該基板処理装置の装置状態の情報を、前記保全処理を実行するための情報に含めて前記送信部により前記ホスト制御装置に送信することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板処理システム。
- 基板を処理する複数の基板処理装置と、前記複数の基板処理装置の動作を制御するホスト制御装置と、前記複数の基板処理装置のそれぞれの保守を管理する管理装置とを含む基板処理システムであって、
前記管理装置は、
前記複数の基板処理装置のそれぞれから収集された動作情報に基づいて、保全処理が必要な基板処理装置を判定する判定部と、
前記判定部により前記保全処理が必要と判定された基板処理装置に判定結果を通知する通知部と、を有し、
前記複数の基板処理装置のそれぞれは、前記判定結果を受信した場合、前記保全処理を実行するための情報を前記ホスト制御装置に送信する送信部を有し、
前記ホスト制御装置は、
前記複数の基板処理装置のそれぞれの稼働状況を監視し、前記保全処理を実行するための情報を送信した基板処理装置の稼働状況に基づいて、該基板処理装置に対する前記保全処理の実施のタイミングを制御する制御部を有し、
前記複数の基板処理装置のそれぞれは、前記判定結果を受信した場合、前記判定結果に含まれる情報を前記ホスト制御装置で識別可能な情報に変換し、変換後の前記判定結果を、前記保全処理を実行するための情報に含めて前記送信部により前記ホスト制御装置に送信する、
ことを特徴とする基板処理システム。 - 前記判定結果に含まれる情報は、前記複数の基板処理装置の装置パラメータの識別子を含むことを特徴とする請求項１２に記載の基板処理システム。
- 基板を処理する複数の基板処理装置と、前記複数の基板処理装置の動作を制御するホスト制御装置と、前記複数の基板処理装置のそれぞれの保守を管理する管理装置とを含む基板処理システムであって、
前記管理装置は、
前記複数の基板処理装置のそれぞれから収集された動作情報に基づいて、保全処理が必要な基板処理装置を判定する判定部と、
前記判定部により前記保全処理が必要と判定された基板処理装置に判定結果を通知する通知部と、を有し、
前記複数の基板処理装置のそれぞれは、前記判定結果を受信した場合、前記保全処理を実行するための情報を前記ホスト制御装置に送信する送信部を有し、
前記ホスト制御装置は、
前記複数の基板処理装置のそれぞれの稼働状況を監視し、前記保全処理を実行するための情報を送信した基板処理装置の稼働状況に基づいて、該基板処理装置に対する前記保全処理の実施のタイミングを制御する制御部を有し、
前記複数の基板処理装置のそれぞれは、前記判定結果を受信した場合、前記判定結果に含まれるデータを演算により変換し、変換後の前記判定結果を、前記保全処理を実行するための情報に含めて前記送信部により前記ホスト制御装置に送信する、
ことを特徴とする基板処理システム。 - 前記演算は、前記データの単位を前記ホスト制御装置で使用される単位に変換するための演算を含むことを特徴とする請求項１４に記載の基板処理システム。
- 基板を処理する複数の基板処理装置と、前記複数の基板処理装置の動作を制御するホスト制御装置と、前記複数の基板処理装置のそれぞれの保守を管理する管理装置とを含む基板処理システムであって、
前記管理装置は、
前記複数の基板処理装置のそれぞれから収集された動作情報に基づいて、保全処理が必要な基板処理装置を判定する判定部と、
前記判定部により前記保全処理が必要と判定された基板処理装置に判定結果を通知する通知部と、を有し、
前記複数の基板処理装置のそれぞれは、前記判定結果を受信した場合、前記保全処理を実行するための情報を前記ホスト制御装置に送信する送信部を有し、
前記ホスト制御装置は、
前記複数の基板処理装置のそれぞれの稼働状況を監視し、前記保全処理を実行するための情報を送信した基板処理装置の稼働状況に基づいて、該基板処理装置に対する前記保全処理の実施のタイミングを制御する制御部を有し、
前記複数の基板処理装置のそれぞれは、前記判定結果を受信した場合、前記判定結果および当該基板処理装置の装置状態の情報を、前記保全処理を実行するための情報に含めて前記送信部により前記ホスト制御装置に送信する、
ことを特徴とする基板処理システム。 - 基板を処理する複数の基板処理装置と、前記複数の基板処理装置の動作を制御するホスト制御装置と、前記複数の基板処理装置のそれぞれの保守を管理する管理装置とを含む基板処理システムの制御方法であって、
前記管理装置が、前記複数の基板処理装置のそれぞれから収集された動作情報に基づいて、保全処理が必要な基板処理装置を判定する判定工程と、
前記管理装置が、前記判定工程で前記保全処理が必要と判定された基板処理装置に判定結果を通知する通知工程と、
前記複数の基板処理装置のそれぞれが、前記判定結果を受信した場合、前記保全処理を実行するための情報を前記ホスト制御装置に送信する送信工程と、
前記ホスト制御装置が、前記複数の基板処理装置のそれぞれの稼働状況を監視し、前記保全処理を実行するための情報を送信した基板処理装置の稼働状況に基づいて、該基板処理装置に対する前記保全処理の実施のタイミングを制御する制御工程と、
を有し、
前記複数の基板処理装置のうち前記判定結果を受信した基板処理装置は、当該基板処理装置の稼働状況に応じて、前記保全処理を実行するための情報の前記ホスト制御装置への送信を中止する、
ことを特徴とする基板処理システムの制御方法。 - 請求項１７に記載の基板処理システムの制御方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
- 請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の基板処理システムを用いて基板の上にパターンを形成する形成工程と、
前記形成工程で前記パターンが形成された前記基板を加工する加工工程と、を有し、
前記加工工程により加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW108116382A TWI755598B (zh) | 2018-05-29 | 2019-05-13 | 基板處理系統、其控制方法、儲存媒體和物品的製造方法 |
| US16/413,767 US10892178B2 (en) | 2018-05-29 | 2019-05-16 | Substrate processing system, method of controlling substrate processing system, computer-readable storage medium, and method of manufacturing article |
| KR1020190059392A KR102405067B1 (ko) | 2018-05-29 | 2019-05-21 | 기판 처리 시스템, 기판 처리 시스템을 제어하는 방법, 컴퓨터-판독가능 저장 매체, 및 물품 제조 방법 |
| CN201910445821.9A CN110544651B (zh) | 2018-05-29 | 2019-05-27 | 基板处理***、其控制方法、存储介质和物品的制造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018102616 | 2018-05-29 | ||
| JP2018102616 | 2018-05-29 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019208009A JP2019208009A (ja) | 2019-12-05 |
| JP2019208009A5 JP2019208009A5 (ja) | 2022-03-08 |
| JP7336207B2 true JP7336207B2 (ja) | 2023-08-31 |
Family
ID=68767843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019034743A Active JP7336207B2 (ja) | 2018-05-29 | 2019-02-27 | 基板処理システム、基板処理システムの制御方法、プログラム、および物品製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7336207B2 (ja) |
| KR (1) | KR102405067B1 (ja) |
| TW (1) | TWI755598B (ja) |
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2019
- 2019-02-27 JP JP2019034743A patent/JP7336207B2/ja active Active
- 2019-05-13 TW TW108116382A patent/TWI755598B/zh active
- 2019-05-21 KR KR1020190059392A patent/KR102405067B1/ko active IP Right Grant
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| JP2009027020A (ja) | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Nikon Corp | 検査装置、露光装置及び検査方法 |
| JP2017092171A (ja) | 2015-11-06 | 2017-05-25 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI755598B (zh) | 2022-02-21 |
| KR20190135922A (ko) | 2019-12-09 |
| KR102405067B1 (ko) | 2022-06-07 |
| JP2019208009A (ja) | 2019-12-05 |
| TW202011122A (zh) | 2020-03-16 |
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|
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