JP2003015157A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V21/00—Supporting, suspending, or attaching arrangements for lighting devices; Hand grips
- F21V21/08—Devices for easy attachment to any desired place, e.g. clip, clamp, magnet
- F21V21/0832—Hook and loop-type fasteners
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- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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Abstract
(57)【要約】
【課題】電極の下地膜として無機性物質からなる無機膜
及び有機性物質からなる有機膜を有する横電界方式の液
晶表示装置において、それらの無機膜及び有機膜上に形
成される電極のライン幅を正確に制御する。 【解決手段】表示部４０内には電極の下地膜として有機
膜が形成されており、表示部４０の周囲の端子部４１内
には電極の下地膜として無機膜が形成されている。有機
膜上には、電極の線幅を読み取るためのバーニャ４３が
形成され、無機膜上には、電極の線幅を読み取るための
バーニャ４４が形成されている。
及び有機性物質からなる有機膜を有する横電界方式の液
晶表示装置において、それらの無機膜及び有機膜上に形
成される電極のライン幅を正確に制御する。 【解決手段】表示部４０内には電極の下地膜として有機
膜が形成されており、表示部４０の周囲の端子部４１内
には電極の下地膜として無機膜が形成されている。有機
膜上には、電極の線幅を読み取るためのバーニャ４３が
形成され、無機膜上には、電極の線幅を読み取るための
バーニャ４４が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置及びそ
の製造方法に関し、特に、横電界方式の液晶表示装置及
びその製造方法に関する。
の製造方法に関し、特に、横電界方式の液晶表示装置及
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置の製造方法においては、各
種パターンをズレがないように相互に重ね合わせる必要
がある工程が存在する。
種パターンをズレがないように相互に重ね合わせる必要
がある工程が存在する。
【０００３】例えば、ＴＦＴ基板上に形成されるゲート
電極及びソース・ドレイン電極は、一般的には、積層パ
ターン構造として形成される。この積層パターン構造に
おける下層パターン（ゲート電極）に対する上層パター
ン（ソース・ドレイン電極）の重ね合わせズレ量は微少
であることが要求される。
電極及びソース・ドレイン電極は、一般的には、積層パ
ターン構造として形成される。この積層パターン構造に
おける下層パターン（ゲート電極）に対する上層パター
ン（ソース・ドレイン電極）の重ね合わせズレ量は微少
であることが要求される。
【０００４】さらには、同層に複数のパターンを形成す
る場合、相互に隣接するパターンの継ぎ目におけるズレ
量も微少であることが要求される。
る場合、相互に隣接するパターンの継ぎ目におけるズレ
量も微少であることが要求される。
【０００５】また、フォトリソグラフィー工程を経て形
成された実パターンの実寸法とマスク上のパターン寸法
（設計値）との差（パターン変換量）も所定の量である
ことが要求される。
成された実パターンの実寸法とマスク上のパターン寸法
（設計値）との差（パターン変換量）も所定の量である
ことが要求される。
【０００６】液晶表示装置を形成した後に、以上のよう
な重ね合わせのズレ量、継ぎ目のズレ量及びパターン変
換量を正確に測定することはほぼ不可能であるので、そ
れらの量を間接的に測定するためバーニャが用いられる
ことが多い。
な重ね合わせのズレ量、継ぎ目のズレ量及びパターン変
換量を正確に測定することはほぼ不可能であるので、そ
れらの量を間接的に測定するためバーニャが用いられる
ことが多い。
【０００７】例えば、特開平６−７５２４３号公報は、
液晶表示装置の表示パターン領域内における各パターン
の重ね合わせのズレ量、隣接パターンの継ぎ目のズレ量
及びパターン変換量を測定するためのバーニャパターン
を備えた液晶表示装置を提案している。
液晶表示装置の表示パターン領域内における各パターン
の重ね合わせのズレ量、隣接パターンの継ぎ目のズレ量
及びパターン変換量を測定するためのバーニャパターン
を備えた液晶表示装置を提案している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】液晶表示装置として
は、配向した液晶分の分子軸の方向（一般に、「ディレ
クタ」と呼ばれる）を基板に対して立ち上がらせること
により表示を行う形式のものと、基板に対して平行な面
内において回転させることにより表示を行う形式のもの
とがある。
は、配向した液晶分の分子軸の方向（一般に、「ディレ
クタ」と呼ばれる）を基板に対して立ち上がらせること
により表示を行う形式のものと、基板に対して平行な面
内において回転させることにより表示を行う形式のもの
とがある。
【０００９】前者の代表例がＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎ
ｅｍａｔｉｃ：ねじれネマティック）モードの液晶表示
装置であり、後者はＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉ
ｔｃｈｉｎｇ）モード（横電界方式）の液晶表示装置と
呼ばれる。
ｅｍａｔｉｃ：ねじれネマティック）モードの液晶表示
装置であり、後者はＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉ
ｔｃｈｉｎｇ）モード（横電界方式）の液晶表示装置と
呼ばれる。
【００１０】ＩＰＳモードの液晶表示装置は、液晶分子
の立ち方の視野角に対する依存性がなく、ＴＮモードの
液晶表示装置よりも広い視野角を達成することができ
る。
の立ち方の視野角に対する依存性がなく、ＴＮモードの
液晶表示装置よりも広い視野角を達成することができ
る。
【００１１】この横電界方式の液晶表示装置において
は、電極を構成するラインの幅を正確に制御する必要が
ある。このライン幅が設計値と大きく異なると、液晶表
示装置の表示部内の輝度の均一性が低下し、あるいは、
電界を最適値にすることができないため、輝度の低下が
生じる。
は、電極を構成するラインの幅を正確に制御する必要が
ある。このライン幅が設計値と大きく異なると、液晶表
示装置の表示部内の輝度の均一性が低下し、あるいは、
電界を最適値にすることができないため、輝度の低下が
生じる。
【００１２】例えば、ＴＮモードの液晶表示装置におい
ては、電極を構成するラインの幅を±１．５乃至２．０
μｍの精度で形成することが必要であるが、横電界方式
の液晶表示装置においては、電極を構成するラインの幅
を±０．２乃至０．３μｍの精度で形成することが要求
される。
ては、電極を構成するラインの幅を±１．５乃至２．０
μｍの精度で形成することが必要であるが、横電界方式
の液晶表示装置においては、電極を構成するラインの幅
を±０．２乃至０．３μｍの精度で形成することが要求
される。
【００１３】一般に、液晶表示装置における電極の下地
膜としては、無機性物質からなる無機膜と有機性物質か
らなる有機膜の２種類がある。上述のように、横電界方
式の液晶表示装置においては、電極のライン幅を高精度
に制御することが要求されるが、有機膜はエッチングさ
れる際にガスを放出するため、有機膜上に形成された電
極のエッチング速度は無機膜上に形成された電極のエッ
チング速度よりも大きく、このため、有機膜上に形成さ
れた電極のライン幅の制御は、一般的に、無機膜上に形
成された電極のライン幅の制御よりも極めて困難であ
る。
膜としては、無機性物質からなる無機膜と有機性物質か
らなる有機膜の２種類がある。上述のように、横電界方
式の液晶表示装置においては、電極のライン幅を高精度
に制御することが要求されるが、有機膜はエッチングさ
れる際にガスを放出するため、有機膜上に形成された電
極のエッチング速度は無機膜上に形成された電極のエッ
チング速度よりも大きく、このため、有機膜上に形成さ
れた電極のライン幅の制御は、一般的に、無機膜上に形
成された電極のライン幅の制御よりも極めて困難であ
る。
【００１４】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであり、電極の下地膜として無機性物質からなる
無機膜及び有機性物質からなる有機膜を有する横電界方
式の液晶表示装置において、それらの無機膜及び有機膜
上に形成される電極のライン幅を正確に制御することが
可能な横電界方式の液晶表示装置及びその製造方法を提
供することを目的とする。
たものであり、電極の下地膜として無機性物質からなる
無機膜及び有機性物質からなる有機膜を有する横電界方
式の液晶表示装置において、それらの無機膜及び有機膜
上に形成される電極のライン幅を正確に制御することが
可能な横電界方式の液晶表示装置及びその製造方法を提
供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明は、電極の下地膜として無機性物質からなる
第１の膜及び有機性物質からなる第２の膜を有する横電
界方式の液晶表示装置であって、第１の膜及び第２の膜
上に電極の線幅を読み取るためのバーニャが形成されて
いることを特徴とする横電界方式の液晶表示装置を提供
する。
め、本発明は、電極の下地膜として無機性物質からなる
第１の膜及び有機性物質からなる第２の膜を有する横電
界方式の液晶表示装置であって、第１の膜及び第２の膜
上に電極の線幅を読み取るためのバーニャが形成されて
いることを特徴とする横電界方式の液晶表示装置を提供
する。
【００１６】本発明に係る横電界方式の液晶表示装置に
よれば、第１の膜及び第２の膜の双方にバーニャが形成
されているため、第１の膜上に形成される電極の線幅と
第２の膜上に形成される電極の線幅とを個別に読み取る
ことができ、かつ、正確に制御することが可能になる。
ひいては、液晶表示装置の歩留まりを向上させることが
できる。
よれば、第１の膜及び第２の膜の双方にバーニャが形成
されているため、第１の膜上に形成される電極の線幅と
第２の膜上に形成される電極の線幅とを個別に読み取る
ことができ、かつ、正確に制御することが可能になる。
ひいては、液晶表示装置の歩留まりを向上させることが
できる。
【００１７】また、本発明は、表示部内には電極の下地
膜として有機性物質からなる第１の膜が形成されてお
り、表示部の周囲の端子部内には電極の下地膜として無
機性物質からなる第２の膜が形成されている横電界方式
の液晶表示装置であって、第１の膜及び第２の膜上に電
極の線幅を読み取るためのバーニャが形成されているこ
とを特徴とする横電界方式の液晶表示装置を提供する。
膜として有機性物質からなる第１の膜が形成されてお
り、表示部の周囲の端子部内には電極の下地膜として無
機性物質からなる第２の膜が形成されている横電界方式
の液晶表示装置であって、第１の膜及び第２の膜上に電
極の線幅を読み取るためのバーニャが形成されているこ
とを特徴とする横電界方式の液晶表示装置を提供する。
【００１８】本発明に係る横電界方式の液晶表示装置に
よれば、表示部内に形成される第１の膜及び端子部内に
形成される第２の膜の双方にバーニャが形成されている
ため、第１の膜上に形成される電極の線幅と第２の膜上
に形成される電極の線幅とを個別に読み取ることがで
き、かつ、正確に制御することが可能になる。ひいて
は、液晶表示装置の歩留まりを向上させることができ
る。
よれば、表示部内に形成される第１の膜及び端子部内に
形成される第２の膜の双方にバーニャが形成されている
ため、第１の膜上に形成される電極の線幅と第２の膜上
に形成される電極の線幅とを個別に読み取ることがで
き、かつ、正確に制御することが可能になる。ひいて
は、液晶表示装置の歩留まりを向上させることができ
る。
【００１９】本発明に係る横電界方式の液晶表示装置に
おける電極は透明導電膜から形成される。例えば、電極
はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）から構
成することができる。
おける電極は透明導電膜から形成される。例えば、電極
はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）から構
成することができる。
【００２０】また、本発明は、横電界方式の液晶表示装
置の製造方法において、基板上に無機性物質からなる第
１の膜を形成する第１の過程と、液晶表示装置の表示部
内において第１の膜上に有機性物質からなる第２の膜を
形成する第２の過程と、表示部の周囲の端子部におい
て、第１の膜上に電極の線幅を読み取るためのバーニャ
を形成する第３の過程と、第２の膜上に電極の線幅を読
み取るためのバーニャを形成する第４の過程と、第１の
膜及び第２の膜上に電極を形成する第５の過程と、を少
なくとも備えることを特徴とする横電界方式の液晶表示
装置の製造方法を提供する。
置の製造方法において、基板上に無機性物質からなる第
１の膜を形成する第１の過程と、液晶表示装置の表示部
内において第１の膜上に有機性物質からなる第２の膜を
形成する第２の過程と、表示部の周囲の端子部におい
て、第１の膜上に電極の線幅を読み取るためのバーニャ
を形成する第３の過程と、第２の膜上に電極の線幅を読
み取るためのバーニャを形成する第４の過程と、第１の
膜及び第２の膜上に電極を形成する第５の過程と、を少
なくとも備えることを特徴とする横電界方式の液晶表示
装置の製造方法を提供する。
【００２１】本発明に係る横電界方式の液晶表示装置の
製造方法によれば、表示部内に形成される第２の膜及び
端子部内に形成される第１の膜の双方にバーニャが形成
される。このため、第１の膜上に形成される電極の線幅
と第２の膜上に形成される電極の線幅とを個別に読み取
ることができ、かつ、正確に制御することが可能にな
る。ひいては、液晶表示装置の歩留まりを向上させるこ
とができる。
製造方法によれば、表示部内に形成される第２の膜及び
端子部内に形成される第１の膜の双方にバーニャが形成
される。このため、第１の膜上に形成される電極の線幅
と第２の膜上に形成される電極の線幅とを個別に読み取
ることができ、かつ、正確に制御することが可能にな
る。ひいては、液晶表示装置の歩留まりを向上させるこ
とができる。
【００２２】第１の膜上に形成するバーニャと第２の膜
上に形成するバーニャは別個の過程において形成しても
よく、あるいは、同一の過程において形成することもで
きる。すなわち、上述の第３の過程と第４の過程とは別
個に実施してもよく、あるいは、同時に実施することも
できる。
上に形成するバーニャは別個の過程において形成しても
よく、あるいは、同一の過程において形成することもで
きる。すなわち、上述の第３の過程と第４の過程とは別
個に実施してもよく、あるいは、同時に実施することも
できる。
【００２３】
【発明の実施の形態】図１、図２及び図３に本発明の一
実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリクス型液
晶表示装置を示す。図１は、本実施形態に係る液晶表示
装置１０の単位画素部分の平面図、図２は図１のＡ−
Ａ’線における断面図、図３は図１の単位画素部分の回
路図である。
実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリクス型液
晶表示装置を示す。図１は、本実施形態に係る液晶表示
装置１０の単位画素部分の平面図、図２は図１のＡ−
Ａ’線における断面図、図３は図１の単位画素部分の回
路図である。
【００２４】図２に示すように、液晶表示装置１０は、
能動素子基板１１と、対向基板１２と、能動素子基板１
１と対向基板１２との間に挟まれた状態で保持されてい
る液晶層１３とからなる。
能動素子基板１１と、対向基板１２と、能動素子基板１
１と対向基板１２との間に挟まれた状態で保持されてい
る液晶層１３とからなる。
【００２５】対向基板１２は、透明絶縁性基板１６上に
遮光膜としてブラックマトリクス層１７と、これと部分
的に重なりあっている色層１８と、ブラックマトリクス
層１７と色層１８の上に形成された透明なオーバーコー
ト層１９と、から形成されている。また、液晶表示パネ
ル表面からの接触等による帯電が、液晶層１３へ電気的
な影響を与えることを防止するために、透明絶縁性基板
１６の裏面には、透明な導電層１５が形成されている。
色層１８は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の染料ま
たは顔料を含む樹脂膜からなっている。
遮光膜としてブラックマトリクス層１７と、これと部分
的に重なりあっている色層１８と、ブラックマトリクス
層１７と色層１８の上に形成された透明なオーバーコー
ト層１９と、から形成されている。また、液晶表示パネ
ル表面からの接触等による帯電が、液晶層１３へ電気的
な影響を与えることを防止するために、透明絶縁性基板
１６の裏面には、透明な導電層１５が形成されている。
色層１８は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の染料ま
たは顔料を含む樹脂膜からなっている。
【００２６】能動素子基板１１は、透明絶縁性基板２２
上に、走査線２８（図１参照）およびゲート電極３０ｃ
（図３参照）を形成する第１の金属層（図２には図示せ
ず）と、その上に形成された第１の層間絶縁膜２３と、
第１の層間絶縁膜２３上に形成された島状非晶質シリコ
ン膜と、データ線２４および薄膜トランジスタ３０のソ
ース電極３０ｂ、ドレイン電極３０ａを形成する第２の
金属層と、この上に形成された第２の層間絶縁膜２５の
うちの第１の膜２５ａと、第２の層間絶縁膜２５のうち
の第２の膜２５ｂと、その上に透明電極により形成され
た共通電極２６及び画素電極２７とを有する。
上に、走査線２８（図１参照）およびゲート電極３０ｃ
（図３参照）を形成する第１の金属層（図２には図示せ
ず）と、その上に形成された第１の層間絶縁膜２３と、
第１の層間絶縁膜２３上に形成された島状非晶質シリコ
ン膜と、データ線２４および薄膜トランジスタ３０のソ
ース電極３０ｂ、ドレイン電極３０ａを形成する第２の
金属層と、この上に形成された第２の層間絶縁膜２５の
うちの第１の膜２５ａと、第２の層間絶縁膜２５のうち
の第２の膜２５ｂと、その上に透明電極により形成され
た共通電極２６及び画素電極２７とを有する。
【００２７】また、第１の層間絶縁膜２３の上には、デ
ータ線２４とともに、画素補助電極３５が形成されてい
る。データ線２４及び画素補助電極３５は第２の金属層
で形成されている。
ータ線２４とともに、画素補助電極３５が形成されてい
る。データ線２４及び画素補助電極３５は第２の金属層
で形成されている。
【００２８】なお、本明細書では、能動素子基板１１及
び対向基板１２において、液晶層１３により近い層を上
の層、液晶層１３からより遠い層を下の層と呼ぶ。
び対向基板１２において、液晶層１３により近い層を上
の層、液晶層１３からより遠い層を下の層と呼ぶ。
【００２９】能動素子基板１１と対向基板１２とは、そ
れぞれの上に配向膜３１、配向膜２０を配し、図１に示
すように画素電極２７および共通電極２６の延伸方向か
ら、１０乃至３０度程度の角度を傾けた所定の方向に、
液晶層１３がホモジニアス配向するように、ラビング処
理がなされた後に、相互に向かい合うように貼り合わさ
れている。この角度を液晶分子の初期配向方位と言う。
れぞれの上に配向膜３１、配向膜２０を配し、図１に示
すように画素電極２７および共通電極２６の延伸方向か
ら、１０乃至３０度程度の角度を傾けた所定の方向に、
液晶層１３がホモジニアス配向するように、ラビング処
理がなされた後に、相互に向かい合うように貼り合わさ
れている。この角度を液晶分子の初期配向方位と言う。
【００３０】能動素子基板１１と対向基板１２との間に
は、液晶層１３の厚みを保持するためのスペーサー（図
示せず）が配置されており、また、液晶層１３の周囲に
は、液晶分子を外部に漏らさないためのシール５０（図
４参照）が形成されている。
は、液晶層１３の厚みを保持するためのスペーサー（図
示せず）が配置されており、また、液晶層１３の周囲に
は、液晶分子を外部に漏らさないためのシール５０（図
４参照）が形成されている。
【００３１】また、透明絶縁性基板１６、２２の各々の
外側には偏光板１４、２１が配置されている。
外側には偏光板１４、２１が配置されている。
【００３２】図１に示すように、能動素子基板１１に
は、データ信号が供給されるデータ線２４と、基準電位
が供給される共通電極配線２６ａ、２６ｂ及び共通電極
２６と、表示すべき画素に対応する画素電極の他に、走
査用信号が供給される走査線２８と、薄膜トランジスタ
（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦ
Ｔ）３０と、を備えている。
は、データ信号が供給されるデータ線２４と、基準電位
が供給される共通電極配線２６ａ、２６ｂ及び共通電極
２６と、表示すべき画素に対応する画素電極の他に、走
査用信号が供給される走査線２８と、薄膜トランジスタ
（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦ
Ｔ）３０と、を備えている。
【００３３】薄膜トランジスタ３０は、ゲート電極３０
ｃ（図３参照）と、ドレイン電極３０ａと、ソース電極
３０ｂとを備えており、走査線２８とデータ線２４との
交点の近傍に各画素に対応して設けられている。ゲート
電極３０ｃは走査線２８に、ドレイン電極３０ａはデー
タ線２４に、ソース電極３０ｂは画素電極２７にそれぞ
れ電気的に接続されている。
ｃ（図３参照）と、ドレイン電極３０ａと、ソース電極
３０ｂとを備えており、走査線２８とデータ線２４との
交点の近傍に各画素に対応して設けられている。ゲート
電極３０ｃは走査線２８に、ドレイン電極３０ａはデー
タ線２４に、ソース電極３０ｂは画素電極２７にそれぞ
れ電気的に接続されている。
【００３４】共通電極２６及び画素電極２７は何れも櫛
歯形状をなしており、各電極の櫛歯は何れもデータ線２
４と平行に延びている。さらに、共通電極２６及び画素
電極２７の櫛歯は相互に噛み合うように、かつ、共通電
極２６及び画素電極２７の櫛歯が相互に隔置されるよう
に、配置されている。
歯形状をなしており、各電極の櫛歯は何れもデータ線２
４と平行に延びている。さらに、共通電極２６及び画素
電極２７の櫛歯は相互に噛み合うように、かつ、共通電
極２６及び画素電極２７の櫛歯が相互に隔置されるよう
に、配置されている。
【００３５】また、図１に示すように、透明電極で形成
された共通電極２６は、共通電極用コンタクトホール３
９ａを介して、共通電極配線２６ｂに接続される。
された共通電極２６は、共通電極用コンタクトホール３
９ａを介して、共通電極配線２６ｂに接続される。
【００３６】共通電極配線２６ｂ及び２６ａは、図１に
示すように、第１の金属層で形成され、走査線２８に平
行な方向に延伸し、周辺部で共通電極電位に接続されて
いる。
示すように、第１の金属層で形成され、走査線２８に平
行な方向に延伸し、周辺部で共通電極電位に接続されて
いる。
【００３７】また、透明電極で形成された画素電極２７
は、図１に示すように、画素電極用コンタクトホール３
９ｂを介して、第２の金属層で形成され、かつ、薄膜ト
ランジスタ３０のソース電極３０ｂと一体で形成された
画素補助電極３５に接続されている。
は、図１に示すように、画素電極用コンタクトホール３
９ｂを介して、第２の金属層で形成され、かつ、薄膜ト
ランジスタ３０のソース電極３０ｂと一体で形成された
画素補助電極３５に接続されている。
【００３８】本実施形態に係る横電界方式の本液晶表示
装置１０においては、走査線２８を介して供給される走
査用信号により選択され、かつ、データ線２４を介して
供給されるデータ信号が書き込まれた画素において、共
通電極２６と画素電極２７との間で、透明絶縁性基板１
６、２２に平行な電界を生じさせ、この電界に従って液
晶分子の配向方向を透明絶縁性基板１６、２２と平行な
平面内において回転させ、所定の表示が行われる。図１
において、共通電極２６と画素電極２７に囲まれた縦長
の領域をコラムと称する。
装置１０においては、走査線２８を介して供給される走
査用信号により選択され、かつ、データ線２４を介して
供給されるデータ信号が書き込まれた画素において、共
通電極２６と画素電極２７との間で、透明絶縁性基板１
６、２２に平行な電界を生じさせ、この電界に従って液
晶分子の配向方向を透明絶縁性基板１６、２２と平行な
平面内において回転させ、所定の表示が行われる。図１
において、共通電極２６と画素電極２７に囲まれた縦長
の領域をコラムと称する。
【００３９】本液晶表示装置１０においては、共通電極
２６及び画素電極２７は何れも透明材料であるＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）でつくられてい
る。
２６及び画素電極２７は何れも透明材料であるＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）でつくられてい
る。
【００４０】また、第１の層間絶縁膜２３は無機性材料
からなる無機膜であり、第２の層間絶縁膜２５を構成す
る第１の膜２５ａは無機性材料からなる無機膜であり、
第２の膜２５ｂは有機性材料からなる有機膜である。
からなる無機膜であり、第２の層間絶縁膜２５を構成す
る第１の膜２５ａは無機性材料からなる無機膜であり、
第２の膜２５ｂは有機性材料からなる有機膜である。
【００４１】有機膜の誘電率は無機膜の誘電率よりも低
いため、第２の層間絶縁膜２５を無機膜単体で構成する
場合と比較して、このような積層膜構造とすることによ
り、層間絶縁膜全体の誘電率を下げることができ、配線
間寄生容量を下げることができる。
いため、第２の層間絶縁膜２５を無機膜単体で構成する
場合と比較して、このような積層膜構造とすることによ
り、層間絶縁膜全体の誘電率を下げることができ、配線
間寄生容量を下げることができる。
【００４２】第２の層間絶縁膜２５を第１の膜２５ａと
第２との膜２５ｂからなる積層膜構造とする場合には、
例えば、第１の膜２５ａを窒化シリコン膜ＳｉＮｘ、第
２の膜２５ｂを感光性アクリル樹脂膜または感光性ポリ
イミド樹脂膜の何れかとすることができる。
第２との膜２５ｂからなる積層膜構造とする場合には、
例えば、第１の膜２５ａを窒化シリコン膜ＳｉＮｘ、第
２の膜２５ｂを感光性アクリル樹脂膜または感光性ポリ
イミド樹脂膜の何れかとすることができる。
【００４３】また、第２の層間絶縁膜２５を有機膜単層
とすることもできる。この場合には、有機膜としては、
例えば、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）膜、有機ポリシ
ラザン膜またはシロキサン膜の何れかを選択することが
できる。
とすることもできる。この場合には、有機膜としては、
例えば、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）膜、有機ポリシ
ラザン膜またはシロキサン膜の何れかを選択することが
できる。
【００４４】図４は、本実施形態に係る横電界方式の液
晶表示装置１０における表示部４０と、表示部４０の周
囲の端子部４１との境界付近の部分的な断面図であり、
図５は、表示部４０と端子部４１との位置関係を示す概
略的な平面図である。
晶表示装置１０における表示部４０と、表示部４０の周
囲の端子部４１との境界付近の部分的な断面図であり、
図５は、表示部４０と端子部４１との位置関係を示す概
略的な平面図である。
【００４５】図４に示すように、図２に示した能動素子
基板１１を構成する積層構造は表示部内４０においての
み形成されており、端子部４１は、透明絶縁性基板２２
と、透明絶縁性基板２２上に形成された無機膜からなる
第１の層間絶縁膜２３と、第１の層間絶縁膜２３上に形
成されたＩＴＯからなる透明導電膜４２と、からなって
いる。
基板１１を構成する積層構造は表示部内４０においての
み形成されており、端子部４１は、透明絶縁性基板２２
と、透明絶縁性基板２２上に形成された無機膜からなる
第１の層間絶縁膜２３と、第１の層間絶縁膜２３上に形
成されたＩＴＯからなる透明導電膜４２と、からなって
いる。
【００４６】本実施形態に係る横電界方式の液晶表示装
置１０においては、図５に示すように、矩形状の表示部
４０の四隅において、第２の膜（有機膜）２５ｂ上にバ
ーニャ４３が形成されている。同様に、矩形状の端子部
４１の四隅において、第１の層間絶縁膜２３（無機膜）
上にバーニャ４４が形成されている。
置１０においては、図５に示すように、矩形状の表示部
４０の四隅において、第２の膜（有機膜）２５ｂ上にバ
ーニャ４３が形成されている。同様に、矩形状の端子部
４１の四隅において、第１の層間絶縁膜２３（無機膜）
上にバーニャ４４が形成されている。
【００４７】バーニャ４３、４４はそれらの中心線４５
（図６参照）が同一方向を向くように配置されている。
本実施形態においては、図５に示すように、バーニャ４
３、４４はそれらの中心線４５が図５の紙面の上下方向
に向くように配置されている。
（図６参照）が同一方向を向くように配置されている。
本実施形態においては、図５に示すように、バーニャ４
３、４４はそれらの中心線４５が図５の紙面の上下方向
に向くように配置されている。
【００４８】バーニャ４３は、表示部４０内において第
２の膜２５ｂ上に形成されている共通電極２６及び画素
電極２７の線幅を読み取るためのものであり、バーニャ
４４は、端支部４１内において第１の層間絶縁膜２３上
に形成されている透明導電膜４２の線幅を読み取るため
のものである。
２の膜２５ｂ上に形成されている共通電極２６及び画素
電極２７の線幅を読み取るためのものであり、バーニャ
４４は、端支部４１内において第１の層間絶縁膜２３上
に形成されている透明導電膜４２の線幅を読み取るため
のものである。
【００４９】バーニャ４３とバーニャ４４とは同一もの
でもよく、あるいは、相互に異なる形状のものでもよ
い。本実施形態に係る横電界方式の液晶表示装置１０に
おいては、バーニャ４３とバーニャ４４とは同一のもの
を使用している。
でもよく、あるいは、相互に異なる形状のものでもよ
い。本実施形態に係る横電界方式の液晶表示装置１０に
おいては、バーニャ４３とバーニャ４４とは同一のもの
を使用している。
【００５０】図６は、本実施形態におけるバーニャ４３
及び４４の形状の一例を示す平面図である。
及び４４の形状の一例を示す平面図である。
【００５１】バーニャ４３及び４４は特定のパターンを
有する金属膜、例えば、ＩＴＯ膜からなる。図６におい
て、黒く塗りつぶした領域が金属膜が形成されている領
域であり、白い領域は金属膜が形成されていない領域で
ある。
有する金属膜、例えば、ＩＴＯ膜からなる。図６におい
て、黒く塗りつぶした領域が金属膜が形成されている領
域であり、白い領域は金属膜が形成されていない領域で
ある。
【００５２】バーニャ４３及び４４の長さ方向に延びる
中心線４５の右半分４５Ｒにおいては、水平方向に延び
るライン状の複数個の金属膜４６Ｒが上下方向に等間隔
に配列され、さらに、金属膜４６Ｒの各々の同一線上に
は金属膜が形成されていない領域（白ヌキの領域）４７
Ｒが金属膜４６Ｒと隣接して形成されている。金属膜４
６Ｒのうち最上位に位置する金属膜４６Ｒは、線幅を測
定する対象である共通電極２６または画素電極２７の線
幅と等しい幅を有しており、下位に位置する金属膜４６
Ｒほど同一量だけ徐々に幅が小さくなっている。
中心線４５の右半分４５Ｒにおいては、水平方向に延び
るライン状の複数個の金属膜４６Ｒが上下方向に等間隔
に配列され、さらに、金属膜４６Ｒの各々の同一線上に
は金属膜が形成されていない領域（白ヌキの領域）４７
Ｒが金属膜４６Ｒと隣接して形成されている。金属膜４
６Ｒのうち最上位に位置する金属膜４６Ｒは、線幅を測
定する対象である共通電極２６または画素電極２７の線
幅と等しい幅を有しており、下位に位置する金属膜４６
Ｒほど同一量だけ徐々に幅が小さくなっている。
【００５３】これに対して、バーニャ４３及び４４の長
さ方向に延びる中心線４５の左半分４５Ｌにおいては、
水平方向に延びるライン状の複数個の金属膜４６Ｌが上
下方向に等間隔に配列され、さらに、金属膜４６Ｌの各
々の同一線上には金属膜が形成されていない領域（白ヌ
キの領域）４７Ｌが金属膜４６Ｌと隣接して形成されて
いる。金属膜４６Ｌのうち最上位に位置する金属膜４６
Ｌは、線幅を測定する対象である共通電極２６または画
素電極２７の線幅と等しい幅を有しており、下位に位置
する金属膜４６Ｌほど同一量だけ徐々に幅が大きくなっ
ている。
さ方向に延びる中心線４５の左半分４５Ｌにおいては、
水平方向に延びるライン状の複数個の金属膜４６Ｌが上
下方向に等間隔に配列され、さらに、金属膜４６Ｌの各
々の同一線上には金属膜が形成されていない領域（白ヌ
キの領域）４７Ｌが金属膜４６Ｌと隣接して形成されて
いる。金属膜４６Ｌのうち最上位に位置する金属膜４６
Ｌは、線幅を測定する対象である共通電極２６または画
素電極２７の線幅と等しい幅を有しており、下位に位置
する金属膜４６Ｌほど同一量だけ徐々に幅が大きくなっ
ている。
【００５４】図６における０乃至−３及び０乃至＋３の
目盛は金属膜４６Ｒ及び金属膜４６Ｌの線幅を表す数字
である。「０」は金属膜４６Ｒ及び金属膜４６Ｌの線幅
がマスク上の線幅の寸法と等しい幅を有していることを
示しており、例えば、「−３」はそこに位置する金属膜
４６Ｒの線幅がマスク上の線幅よりも３μｍ太いことを
示し、「＋３」はそこに位置する金属膜４６Ｌの線幅が
マスク上の線幅よりも３μｍ細いことを示している。
目盛は金属膜４６Ｒ及び金属膜４６Ｌの線幅を表す数字
である。「０」は金属膜４６Ｒ及び金属膜４６Ｌの線幅
がマスク上の線幅の寸法と等しい幅を有していることを
示しており、例えば、「−３」はそこに位置する金属膜
４６Ｒの線幅がマスク上の線幅よりも３μｍ太いことを
示し、「＋３」はそこに位置する金属膜４６Ｌの線幅が
マスク上の線幅よりも３μｍ細いことを示している。
【００５５】バーニャ４３を用いて共通電極２６または
画素電極２７の線幅を測定する場合には、複数個の金属
膜４６Ｒの中で、金属膜４７Ｒと等しい線幅の金属膜４
６Ｒを探す。このようにして捜した金属膜４６Ｒの上下
方向における位置に応じて、マスク上の寸法とどの程度
のズレが生じているかが判明する。
画素電極２７の線幅を測定する場合には、複数個の金属
膜４６Ｒの中で、金属膜４７Ｒと等しい線幅の金属膜４
６Ｒを探す。このようにして捜した金属膜４６Ｒの上下
方向における位置に応じて、マスク上の寸法とどの程度
のズレが生じているかが判明する。
【００５６】同様に、バーニャ４４を用いて透明導電膜
４２の線幅を測定する場合には、複数個の金属膜４６Ｌ
の中で、金属膜４６Ｒの線幅と等しい幅を有している金
属膜４６Ｌを探す。このようにして捜した金属膜４６Ｌ
の上下方向における位置に応じて、その透明導電膜４２
がマスク上の寸法とどの程度ズレが生じているかが判明
する。
４２の線幅を測定する場合には、複数個の金属膜４６Ｌ
の中で、金属膜４６Ｒの線幅と等しい幅を有している金
属膜４６Ｌを探す。このようにして捜した金属膜４６Ｌ
の上下方向における位置に応じて、その透明導電膜４２
がマスク上の寸法とどの程度ズレが生じているかが判明
する。
【００５７】本実施形態に係る横電界方式の液晶表示装
置１０の製造方法は以下の点を除いて、横電界方式の液
晶表示装置の通常の製造方法と同一である。
置１０の製造方法は以下の点を除いて、横電界方式の液
晶表示装置の通常の製造方法と同一である。
【００５８】透明絶縁性基板２２上に第１の層間絶縁膜
２３を形成した後、表示部４０内においてのみ、データ
線２４、画素補助電極３５、第１の膜２５ａ及び第２の
膜２５ｂを順次形成する。
２３を形成した後、表示部４０内においてのみ、データ
線２４、画素補助電極３５、第１の膜２５ａ及び第２の
膜２５ｂを順次形成する。
【００５９】次いで、表示部４０内において、第２の膜
２５ｂ上にバーニャ４３を形成し、さらに、端子部４１
内において、第１の層間絶縁膜２３上にバーニャ４４を
形成する。これらのバーニャ４３及び４４はそれぞれ別
個の過程で形成してもよく、あるいは、同一の過程にお
いて形成することもできる。
２５ｂ上にバーニャ４３を形成し、さらに、端子部４１
内において、第１の層間絶縁膜２３上にバーニャ４４を
形成する。これらのバーニャ４３及び４４はそれぞれ別
個の過程で形成してもよく、あるいは、同一の過程にお
いて形成することもできる。
【００６０】バーニャ４３及び４４を形成した後、表示
部４０内においては、第２の膜２５ｂ上に共通電極２６
及び画素電極２７を形成し、さらに、共通電極２６及び
画素電極２７を覆って配向膜３１を形成する。端子部４
１内においては、第１の層間絶縁膜２３上に透明導電膜
４２を形成する。
部４０内においては、第２の膜２５ｂ上に共通電極２６
及び画素電極２７を形成し、さらに、共通電極２６及び
画素電極２７を覆って配向膜３１を形成する。端子部４
１内においては、第１の層間絶縁膜２３上に透明導電膜
４２を形成する。
【００６１】その後、液晶層１３を間に挟むようにし
て、能動素子基板１１と対向基板１２とを結合させる。
て、能動素子基板１１と対向基板１２とを結合させる。
【００６２】これにより、本実施形態に係る横電界方式
の液晶表示装置１０が形成される。
の液晶表示装置１０が形成される。
【００６３】以上のように本実施形態に係る横電界方式
の液晶表示装置１０によれば、表示部４０内の第２の膜
（有機膜）２５ｂ上にバーニャ４３が形成され、また、
端子部４１内の第１の層間絶縁膜（無機膜）２３上にバ
ーニャ４４が形成されている。これらのバーニャ４３及
び４４によって、第２の膜２５ｂ上に形成される共通電
極２６及び画素電極２７の線幅を正確に把握することが
でき、さらに、第１の層間絶縁膜２３上に形成される透
明導電膜４２の線幅を正確に把握することができる。こ
のように、本実施形態に係る横電界方式の液晶表示装置
１０によれば、各電極の線幅を正確に制御することが可
能となり、ひいては、液晶表示装置１０の製造歩留まり
を上げることができる。
の液晶表示装置１０によれば、表示部４０内の第２の膜
（有機膜）２５ｂ上にバーニャ４３が形成され、また、
端子部４１内の第１の層間絶縁膜（無機膜）２３上にバ
ーニャ４４が形成されている。これらのバーニャ４３及
び４４によって、第２の膜２５ｂ上に形成される共通電
極２６及び画素電極２７の線幅を正確に把握することが
でき、さらに、第１の層間絶縁膜２３上に形成される透
明導電膜４２の線幅を正確に把握することができる。こ
のように、本実施形態に係る横電界方式の液晶表示装置
１０によれば、各電極の線幅を正確に制御することが可
能となり、ひいては、液晶表示装置１０の製造歩留まり
を上げることができる。
【００６４】
【発明の効果】本発明に係る横電界方式の液晶表示装置
及びその製造方法によれば、第１の膜及び第２の膜の双
方の上にバーニャが形成される。このため、第１の膜上
に形成される電極の線幅と第２の膜上に形成される電極
の線幅とを個別に読み取ることができ、かつ、それらの
線幅を正確に把握することが可能になる。ひいては、各
電極の線幅を設計値通りに形成することができるため、
液晶表示装置の歩留まりを向上させることができる。
及びその製造方法によれば、第１の膜及び第２の膜の双
方の上にバーニャが形成される。このため、第１の膜上
に形成される電極の線幅と第２の膜上に形成される電極
の線幅とを個別に読み取ることができ、かつ、それらの
線幅を正確に把握することが可能になる。ひいては、各
電極の線幅を設計値通りに形成することができるため、
液晶表示装置の歩留まりを向上させることができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の単位
画素部分の平面図である。
画素部分の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図３】図１の単位画素部分の回路図である。
【図４】図１に示した液晶表示装置における表示部と、
表示部の周囲の端子部との境界付近の部分的な断面図で
ある。
表示部の周囲の端子部との境界付近の部分的な断面図で
ある。
【図５】図１に示した液晶表示装置における表示部と端
子部との位置関係を示す概略的な平面図である。
子部との位置関係を示す概略的な平面図である。
【図６】図１に示した液晶表示装置において用いられる
バーニャの形状の一例を示す平面図である。
バーニャの形状の一例を示す平面図である。
１０ 本発明の一実施形態に係る横電界方式の液晶表示
装置 １１ 能動素子基板 １２ 対向基板 １３ 液晶層 １６、２２ 透明導電性基板 １７ ブラックマトリクス層 １８ 色層 ２３ 第１の層間絶縁膜 ２５ 第２の層間絶縁膜 ２５ａ 第１の膜 ２５ｂ 第２の膜 ２６ 共通電極 ２７ 画素電極 ２８ 走査線 ３５ 画素補助電極 ４０ 表示部 ４１ 端子部 ４２ 透明導電膜 ４３、４４ バーニャ ５０ シール
装置 １１ 能動素子基板 １２ 対向基板 １３ 液晶層 １６、２２ 透明導電性基板 １７ ブラックマトリクス層 １８ 色層 ２３ 第１の層間絶縁膜 ２５ 第２の層間絶縁膜 ２５ａ 第１の膜 ２５ｂ 第２の膜 ２６ 共通電極 ２７ 画素電極 ２８ 走査線 ３５ 画素補助電極 ４０ 表示部 ４１ 端子部 ４２ 透明導電膜 ４３、４４ バーニャ ５０ シール
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H092 GA14 GA15 HA04 JA24 JA37
JA41 JB01 JB22 JB31 KB25
NA01 NA23 NA29
5C094 AA42 BA03 BA43 CA19 CA24
DA14 DA15 EA04 EA07 EB02
ED03 ED11 ED15 FB01 FB02
FB12 FB15
Claims (6)
- 【請求項１】 電極の下地膜として無機性物質からなる
第１の膜及び有機性物質からなる第２の膜を有する横電
界方式の液晶表示装置であって、 前記第１の膜及び前記第２の膜上に前記電極の線幅を読
み取るためのバーニャが形成されていることを特徴とす
る横電界方式の液晶表示装置。 - 【請求項２】 表示部内には電極の下地膜として有機性
物質からなる第１の膜が形成されており、前記表示部の
周囲の端子部内には電極の下地膜として無機性物質から
なる第２の膜が形成されている横電界方式の液晶表示装
置であって、 前記第１の膜及び前記第２の膜上に前記電極の線幅を読
み取るためのバーニャが形成されていることを特徴とす
る横電界方式の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記電極はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉ
ｎ Ｏｘｉｄｅ）からなるものであることを特徴とする
請求項１または２に記載の横電界方式の液晶表示装置。 - 【請求項４】 横電界方式の液晶表示装置の製造方法に
おいて、 基板上に無機性物質からなる第１の膜を形成する第１の
過程と、 前記液晶表示装置の表示部内において前記第１の膜上に
有機性物質からなる第２の膜を形成する第２の過程と、 前記表示部の周囲の端子部において、前記第１の膜上に
電極の線幅を読み取るためのバーニャを形成する第３の
過程と、 前記第２の膜上に前記電極の線幅を読み取るためのバー
ニャを形成する第４の過程と、 前記第１の膜及び前記第２の膜上に前記電極を形成する
第５の過程と、 を少なくとも備えることを特徴とする横電界方式の液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記第３の過程と前記第４の過程とを同
時に行うことを特徴とする請求項４に記載の横電界方式
の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記電極はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉ
ｎ Ｏｘｉｄｅ）から形成するものであることを特徴と
する請求項３または４に記載の横電界方式の液晶表示装
置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001201230A JP2003015157A (ja) | 2001-07-02 | 2001-07-02 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US10/186,585 US6762814B2 (en) | 2001-07-02 | 2002-07-01 | In-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| KR10-2002-0037797A KR100474756B1 (ko) | 2001-07-02 | 2002-07-02 | 인-플레인 스위칭 모드 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CNB021405239A CN1223889C (zh) | 2001-07-02 | 2002-07-02 | 平面内切换型液晶显示装置及其制造方法 |
| TW091114693A TW562981B (en) | 2001-07-02 | 2002-07-02 | In-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001201230A JP2003015157A (ja) | 2001-07-02 | 2001-07-02 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003015157A true JP2003015157A (ja) | 2003-01-15 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001201230A Withdrawn JP2003015157A (ja) | 2001-07-02 | 2001-07-02 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
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|---|---|
| US (1) | US6762814B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003015157A (ja) |
| KR (1) | KR100474756B1 (ja) |
| CN (1) | CN1223889C (ja) |
| TW (1) | TW562981B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004361949A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む液晶表示装置 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100920923B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2009-10-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
| TW200426484A (en) * | 2003-05-30 | 2004-12-01 | Innolux Display Corp | An active matrix liquid crystal display |
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