CN1484934A - 具有偏离中心的几何形状的焊盘中通孔及制造方法 - Google Patents

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Abstract

集成电路(120)的电接触(122)连接到包括通孔(115)的印刷电路板(PCB)的结合焊盘。一种制造电子组件的方法,利用了如挥发性有机化合物(VOC)的热膨胀物质施加到PCB的至少一个操作。一些VOC(114)进入通孔槽(115)内。使用回流焊接技术,如球栅阵列(BGA)焊料球部件(120)的表面安装技术部件的电接触(122)固定到结合焊盘(104)。根据一个实施例,通孔(115)被形成为偏离中心,以便通过减小VOC从通孔槽(115)向外排气导致的焊料球膨胀(123)的影响,以抑制焊料回流操作期间相邻焊料球(122)之间的桥连。还介绍了基板和电子***。

Description

具有偏离中心的几何形状的焊盘中通孔及制造方法
                       相关发明
本发明涉及以下发明,该发明已受让给本发明的相同受让人:
序列号No.09/712996,题目为“改进的焊盘中通孔(via-in-pad)装置及方法”。
                       技术领域
本发明一般涉及电子封装。更具体地,本发明涉及将集成电路的电接触连接到具有通孔的键合焊盘。
                       背景技术
集成电路(IC)通常组装到封装内,封装物理地和电连接到如印刷电路板(PCB)的基板上形成“电子组件”。“电子组件”可以为“电子***”的一部分。“电子***”在这里广义地定义为包括“电子组件”的任何产品。电子***的例子包括计算机(例如,桌上型电脑、膝上型电脑、手提电脑、服务器、网络产品等)、无线通信装置(例如,蜂窝式电话、无绳电话、寻呼机等)、计算机外设(例如,打印机、扫描仪、监视器等)、娱乐装置(例如,电视机、收音机、立体声、磁带和光盘播放器、录像机等)等。
在电子***领域中,制造商之间存在不断的竞争压力,驱动他们要提高设备性能同时降低制造成本。这特别针对于基板上的IC封装,每个新一代板级封装一定带来提高的性能同时通常使尺寸更小或者更紧凑。
基板通常包括多个绝缘层和金属层,选择性构图金属层以提供金属互连线(这里称做“线迹”),多个电子部件安装在基板的一个或多个表面上,并通过线迹功能性互连。路线条(routing traces)通常运输在***的电子部件例如IC之间传送的信号。一些IC具有较大量的输入/输出(I/O)焊盘。大量的I/O焊盘需要较大量的路线条。一些PCB需要多层路线条以容纳所有的***互连。
位于不同层内的路线条通常通过形成在基板中的通孔电连接。通过制作穿过PCB一些或全部层的孔然后用例如铜或钨等导电材料涂覆或电镀内部孔表面制成通孔。
将部件安装在基板上的常规方法之一称做表面安装技术(SMT)。SMT元件具有直接焊接到基板表面的端子或引线(通常称做“电接触”)。SMT元件由于它们的尺寸小和安装简单而广泛使用。SMT元件的一种常规类型利用球栅阵列(BGA)连接到基板。BGA元件在一个表面具有多个焊料球,每个焊料球表示一个电接触。每个焊料球连接到元件内的导体。
如BGA元件的SMT元件的电接触连接到基板表面上对应的金属化安装或键合焊盘(这里也称做“焊接区”),以便建立到基板的可靠物理接触以及建立在SMT元件和连接到焊接区的至少一个导电条之间的电连接。通常一个焊接区专用于一个SMT电接触。
为了制造其中包括IC封装的部件以较高密度安装的PCB,现已知使用焊盘中通孔结构。在该结构中,通孔形成在每个安装焊盘或焊接区中,由此保存了PCB上可由通孔和焊接区隔离占用的有价值的“空间(real estate)”。所得电子***可以较低成本、更小尺寸制造,因此可以更有商业吸引力。
在SMT元件安装到基板上之前,用焊膏选择性地涂覆基板焊接区。要将SMT元件安装到基板上,要在基板上仔细地定位或“对齐”元件,以使它的电接触(例如焊料球)与对应的焊接区对准。最后,焊料球和焊接区加热到焊料球和焊膏熔化的温度,由此它们物理地融合并形成合适的电和物理连接。
在基板焊接区涂覆有焊膏之前,焊料掩模或焊料抗蚀剂材料层首先施加到基板上除焊接区之外的所有地方。对于焊盘中通孔结构,通孔帽盖材料通常施加到基板的下表面以塞住通孔的下开口。然后,焊膏施加到基板上表面上的焊接区。
焊料掩模、通孔帽盖以及焊膏可以包括一种或多种挥发性材料。这种材料可以包括挥发性有机化合物(VOC)。这种VOC的一个例子为聚乙二醇,它通常用在PCB制造中。与焊膏的约183摄氏度的液化温度相比,聚乙二醇具有约170摄氏度的沸点。
对于含有焊盘中通孔的PCB,当加热焊料球和焊接区时产生问题,这是因为通孔中以液体形式残留的未固化或过量的VOC会膨胀或“排气”向上进入上面的焊料球。这导致焊料球膨胀到能够接触到相邻焊料球的位置,产生短路。该现象称做“BGA桥连”。此外,VOC强有力的排气在焊料球接触通孔的地方留下空隙,显著减弱连接或形成开路。
由于以上提到的原因,及以下通过阅读和理解本说明书对于本领域的技术人员来说显而易见的其它原因,非常需要一种将集成电路连接到提供较高密度的基板同时提供较高质量互连的装置和方法。
                      附图说明
图1示出了现有技术的PCB掩模和筛网的透视图;
图2示出了沿图1的线50截取的图1所示的现有技术PCB的剖面图,和对准以连接到现有技术PCB的IC封装的剖面图;
图3示出了焊料回流操作期间连接到IC封装的图2所示的现有技术PCB,其中由于挥发物的排气使相邻的焊料球桥连;
图4示出了根据本发明的一个实施例的PCB、掩模以及筛网的透视图;
图5示出了根据本发明的一个实施例两个焊接区的示意性俯视图,每个具有偏离中心的通孔;
图6示出了根据本发明的一个实施例沿图4的线150截取的图4所示PCB的剖面图,和对准连接到PCB的IC封装的剖面图;
图7示出了根据本发明的一个实施例在焊料回流操作期间连接到IC封装的本发明的PCB,其中相邻的焊料球膨胀但没有接触;
图8示出了根据本发明的一个实施例连接到IC封装的本发明的PCB;
图9示出了根据本发明的一个实施例覆盖具有多个焊接区的基板一部分的IC的顶视图,每一个焊接区有偏离中心的通孔;和
图10示出了根据本发明的一个实施例制造电子组件的方法流程图,包括在焊接区中形成偏离中心的通孔以抑制相邻的焊料球形成桥连。
                      具体实施方式
在本发明下面的详细说明中,参考作为本发明一部分的附图,并且其中借助可以实施本发明的具体优选实施例进行了说明。非常详细地介绍了这些实施例以使本领域的技术人员能够实施本发明,应该理解可以利用其它实施例并且可以进行组成、机械和电变化同时不脱离本发明的精神和范围。因此下面详细的说明不是限定性的,本发明的范围可以仅由附带的权利要求书进行限定。
本发明提供了焊料回流期间排气产生质量缺陷的热膨胀物质例如挥发性的有机化合物(VOC)的解决方案。这里示出和介绍了各种实施例。在一个实施例中,形成焊盘中通孔结构中的沟槽(channel)偏离焊盘中心以使焊料回流期间排气的影响最小。通过在焊盘或焊接区中偏离通孔沟槽,焊料球的膨胀显著减少,减小了相邻焊料球接触的可能性,使更多的焊料留在焊点中,并减小了焊接区上的剪切应力和冲击疲劳。也介绍了制造方法、本发明对基板、电子组件以及电子***的应用。
除了以上优点之外,本发明的改进的焊盘中通孔装置和方法与现有的封装技术兼容,由此以较低的操作成本实现了显著的质量提高,由此使本发明的装置和方法更具有商业竞争力。
图1示出了现有技术PCB12、掩模2以及筛网3的透视图。PCB12的表面1具有多个焊盘中通孔结构(仅示出了其中的两个),每个包括形成在上面并连接到具有孔5的通孔15的O形焊接区4。焊膏可以施加到每个焊接区4,IC封装上的对应焊料球可以连接到焊接区4,如下所示。
虽然在IC封装技术中通孔可以是实心体或空心体,但这里使用的术语“通孔”是指空心的通孔。通孔15包括如铜的导电材料,其电连接PCB12的不同层(未示出)上的电路线迹。通孔15可以是任何类型或截面,但通常为圆形。在图1示出的现有技术结构中,通孔15基本上是铜或镀铜的圆柱体,具有有限的基本均匀的厚度的壁,其部分延伸到PCB12内(如虚线所示)或者完全穿过PCB12,这取决于PCB的多少层需要连接。通常穿过所有或部分PCB12钻孔,然后用如铜或钨的导电金属覆盖孔的内壁形成通孔15。
如上面的背景技术部分中提到的,PCB12上的焊接区4需要用焊膏涂覆,准备与IC封装的对应焊料球接合。为此,掩模2设置在PCB12的表面1上,筛网装置3将焊膏沿箭头10指示的方向穿过掩模2中的孔8分布。这些焊膏通常包括焊料粉、焊剂、悬浮剂以及溶剂的组合。焊膏不仅涂覆焊接区4,也通过孔5进入到通孔15内。
焊膏筛选操作之后,根据多个工艺变量,在一些或所有液体成分蒸发期间,允许固化或硬化焊膏。当挥发性液体成分没有全部蒸发时,会发生显著问题,如参照图3将介绍。
应该注意在如上参考图1所述施加焊膏之前,可以使用其它掩模以施加含挥发性液体成分的其它材料到PCB12的表面1。例如,可以施加焊料抗蚀剂以定义要保留焊膏的PCB12的表面1的区域。此外,可以不使用掩模将挥发性液体成分例如溶剂施加到PCB12。
此外,如前面和下面将介绍的,设置在通孔15下面并且通常向上延伸到通孔15内的通孔帽盖(17,图2)可包括在经历焊料回流温度时显著排气的未固化的挥发性成分。在一些现有技术的焊盘中通孔的结构中,通孔帽盖材料中未固化的挥发性成分构成了焊料回流期间排气的最主要原因。
可被涂敷到PCB12的表面1的各种材料中的挥发性液体成分为热膨胀物质,即受热时它们膨胀。这些挥发性液体成分可以是任何合适的类型,经常包括挥发性的有机化合物,例如聚乙二醇。
图2示出了沿图1的线50截取的图1所示的现有技术PCB12的剖面图,和被对准连接到现有技术PCB12的IC封装20的剖面图。示出的通孔15含有热膨胀物质,例如“通孔填料”14,在现有技术结构中可以包括固化的材料以及如挥发性的有机化合物的热膨胀物质。仅示出了通孔15内的通孔填料14的特定水平面;水平面可以在全满和空之间的任何范围。
在图2所示的现有技术结构中,通孔填料14主要是来自通孔帽盖17的通孔帽盖材料。然而,通孔填料14也可以包括处理的溶剂残留物。此外,如上所述,通孔填料14也可以包括焊膏。焊膏材料施加到PCB12的上表面1的操作结果是,焊膏16留在焊接区4上以及通孔25内,这里它构成了通孔填料14的相对较小部分。
每个通孔15的下侧(如图2所示)具有通孔帽盖17以防止如焊膏的通孔填料14流过通孔。通孔帽盖17包括例如环氧树脂。通孔帽盖材料在施加到PCB12之后通常需要固化。当这些通孔帽盖材料没有完全固化时,它们会引起通孔15内显著的排气,由此造成焊料球桥连,正如以下将参考图3讨论的。通孔帽盖17不仅覆盖通孔15的底部开口,也向上延伸到通孔15内。
IC封装20包括接触、突点或球22所连接的多个(仅示出其中的两个)焊接区21,每个包括如焊料的导电材料。焊料球22与焊接区4的形状、尺寸和间距近似相同。焊料球22与焊接区4对准或“对齐”。
在随后的回流操作中(下面图3中将介绍),包括焊料球22、焊接区4以及通孔15的封装结构基本上被加热到焊料材料的熔点或液化。回流操作的目的是使焊料球22和焊接区4上的焊膏16流在一起,以使冷却时IC封装20的焊接区21与基板12的焊接区4物理连接和电连接。
图3示出了焊料回流操作期间连接到IC封装20的图2所示的现有技术PCB12,其中由于挥发物的排气使相邻的焊料球22桥连。
当在焊料回流操作期间对包括IC封装20和PCB12的封装结构进行加热时,焊料球22熔化。此外,通孔15内的通孔填料14中的任何VOC均受热并膨胀。通过通孔帽盖17可以防止通孔15下部中的通孔填料14内的VOC从通孔15向下流出。由于当现有技术的结构加热到焊料液化时,在通孔填料14内存在未蒸发的热膨胀材料,因此通孔填料14会在上面熔化的焊料球22内排气产生大气泡23,使焊料球22鼓胀效应地横向膨胀。当相邻的焊料球22在所示的区域26接触时,在电子结构的电路径中产生短路,电子结构会发生操作性故障或者甚至整体失效。
图3所示的焊盘中通孔结构的几何形状造成了相邻焊料球22的桥连。焊料球22牢固地粘附到IC封装20上的焊接区21以及PCB12上的焊接区4。而且,焊料球22具有使即使熔化的焊料球22保持大致球形的高表面张力。由于通孔15在焊接区4内的中心,因此由熔化的焊料球22形成的气泡相当对称,它们的壁具有基本上均匀的厚度,能够相当大程度地阻止坍塌。
图4示出了根据本发明的一个实施例PCB112、掩模102以及筛网103的透视图。
PCB112的表面100具有多个焊盘中通孔结构(仅示出其中2个),每个包括形成在上面并连接到具有孔105的通孔115(虚线所示)的焊接区104。
通孔115可以是任何类型或截面,但在实施例中示出了圆形。通孔115可以部分延伸到PCB112内或者整个穿过PCB112,这取决于PCB的多少层需要连接。
在一个实施例中,钻出通孔115。通孔115具有稍小于它们的钻孔直径的完成直径。在一个实施例中,通孔115的未完成直径在.33到.38毫米(13到15密耳)的范围中。镀覆之后,通孔115的完成直径在.25到.33毫米(10到13密耳)的范围中。焊接区104的直径在.61到.71毫米(24到28密耳)的范围中。
以类似于上面参照图1介绍的方式,PCB112上的焊接区104涂覆有焊膏,准备与IC封装的对应焊料球接合。为此,掩模102设置在PCB112的表面100上,筛网装置103将焊膏通过箭头110指示的方向通过掩模102中的孔108分布。这些焊膏通常包括焊料粉、焊剂、悬浮剂以及溶剂的组合。该操作之后根据多个工艺变量,在一些或全部液体成分蒸发期间固化或硬化焊膏。
以类似于上面图1介绍的现有技术结构的方式,无论是否使用掩模,在参考图4介绍的施加焊膏之前,含VOC的其它材料或其它挥发性液体成分可以施加到PCB112的表面100。例如,可以施加焊料抗蚀剂以限定PCB112的表面100上的区域,该区域为焊膏要保持的位置,例如焊接区104。同样,设置在通孔115下侧并向上延伸到通孔115内的通孔帽盖(117,图6)可包括当经历焊料回流温度时显著排气的未固化的挥发性成分。
在可被施加到PCB112的表面100的各种材料内的挥发性液体成分为热膨胀物质,即受热时它们膨胀。对于以上介绍的现有技术结构,这些挥发性液体成分可以是任何合适的类型,通常包括挥发性的有机化合物(VOC),例如聚乙二醇。
图5示出了根据本发明的一个实施例的两个焊接区130和131的示意性俯视图,每个焊接区分别具有偏离中心的通孔134和135。焊接区130和131表示PCB112的任何两个相邻的焊接区,它们与焊接区104(图4)类似或相同。虽然PCB112上的焊接区分成至少两个不同组,如图9所示并且如下所述,焊接区130和131可以是被认为来自相同组的焊接区。焊接区130包括通孔134,焊接区131包括通孔135。
焊接区130具有几何中心132和边缘138。类似地,焊接区131具有几何中心133和边缘139。通孔134和135分别具有几何中心136和137。
相邻的焊接区130和131的通孔在分别距它们各自的焊接区的几何中心相同的偏移距离140和141处形成。此外,各焊接区130和131的通孔135和136的几何中心基本上在相同的方向偏移。换句话说,通孔135和135的偏移量140和141分别具有基本相同的角度。例如,通孔130和131的几何中心136和137分别各自偏移它们各自的焊接区(130,131)的几何中心(132和133)90度(参考图5的X轴145和Y轴146提供的笛卡尔坐标网格)。
虽然偏移通孔可以以规则、正交的图形提供在焊盘或焊接区中,如图5所示,但本发明不限于这种图形,可以为具有任何相关变量的变化的许多其它类型的图形,这些变量包括但不限于焊接区尺寸、通孔尺寸、相对实际的偏移距离、偏移角以及间距。
图6示出了根据本发明的一个实施例沿图4的线150截取的图4所示PCB112的剖面图,和对准连接到现有技术PCB112的IC封装120的剖面图。PCB112和IC封装120形成了可以为电子***一部分的电子组件。
如上图2示出的现有技术结构介绍的,示出的通孔115含有热膨胀物质,例如“通孔填料”114,可以包括固化材料以及如挥发性的有机化合物的热膨胀物质。仅示出了通孔115内通孔填料114的特定水平面;水平面可以在全满和空之间的任何范围。
在图6所示的实施例中,通孔填料114主要是来自通孔帽盖117的通孔帽盖材料。然而,通孔填料114也可以包括处理的溶剂残留物和焊膏。焊膏材料施加到PCB112的上表面100的操作结果是,焊膏116留在焊接区104上以及通孔115内,在那里通常构成了通孔填料114的相对较小部分。
每个通孔115的下侧(如图6所示)具有通孔帽盖117以防止如焊膏的通孔填料114从通孔流出。在一个实施例中,通孔帽盖117包括环氧树脂,但在另一实施例中,它可以包括环氧树脂和丙烯酸脂的混合物。通孔帽盖117包括通过热和/或紫外线处理而部分或全部固化的焊接掩模材料。在示出的一个实施例中,通孔帽盖117不仅覆盖通孔115的底部开口,也向上延伸到通孔115内。
IC封装120包括多个(仅示出其中两个)接触、突点或球122,每个包括如焊料的导电材料。焊料球122具有与焊接区104近似相同的形状、尺寸和间距。焊料球122与焊接区104对准或“对齐”。
在随后的操作中(下面图7中将介绍),已涂覆有焊膏116的焊料球122和焊接区104基本上被加热到焊接材料的熔点或液化,使焊料球122和焊接区104上的焊膏116在一起流动。这使得在冷却时IC封装120的焊接区121与PCB112的焊接区104物理连接和电连接。
图7示出了根据本发明的一个实施例在焊料回流操作期间连接到IC封装120的本发明的PCB112,其中相邻的焊料球膨胀但没有接触。
当在回流操作期间对包括IC封装120和PCB112的封装结构进行加热时,焊料球122熔化。此外,通孔115内的通孔填料114中的任何VOC受热并膨胀。利用通孔帽盖119可以防止通孔115下部中的通孔填料114内的VOC从通孔115向下流出。
由于当封装结构加热到焊料液相线时在通孔填料114内存在未蒸发的热膨胀材料,通孔填料114在位于上面的熔化的焊料球122内排气产生大气泡123,使焊料球122鼓胀效应地横向膨胀。然而,在相邻的焊料球122可接触结合之前,通过焊料球122中变薄的壁段125排出一些或所有含在气泡123内的气体,使焊料球122基本上坍塌,由此焊料球122中如果不是全部那么也是大多数的焊料保持在IC封装120的焊接区121和PCB112的焊接区104之间的原位。
图7示出的焊盘中通孔结构的几何结构有效地有助于焊料球122的早期坍塌。如以上参考图3示出的现有技术的电子结构所介绍的,焊料球122牢固地粘附到IC封装120上的焊接区121以及PCB112上的焊接区104。对于现有技术的例子,焊料球122具有使即使熔化的焊料球122保持大致球形的高表面张力。
然而,由于通孔115在焊接区104内偏移,因此由熔化的焊料球122形成的气泡不对称。通孔115最接近焊接区104的边缘一侧的焊料球122的壁段125薄于焊料球122的相对壁。这使得气体更容易从焊料球122的较薄壁段125排出。由此在焊料球122生长得大到相互接触,或者有足够的力断开导致大量的焊料流失,或者引起剪切应力或对焊接区104冲击疲劳损伤之前,焊接区104的这些壁段125具有较早坍塌的强烈倾向。
图8示出了根据本发明的一个实施例,连接到IC封装120的本发明的PCB112。
作为相应焊接区104内通孔115偏移的直接结果,焊料球122与对应的焊接区104的焊膏116(图6)一起流动,使焊料球122形成与焊接区104高质量的物理连接和电连接。即使发生排气,它对焊料球122的影响是无关紧要的,因为在相邻的焊料球122相互接触之前,焊料球122容易排气和坍塌。所得电子组件获得相当高的集成度并且可以用相当低的成本制造。
图9示出了根据本发明的一个实施例,覆盖具有多个焊接区151,161,171和181的基板112一部分的IC20的俯视图,每个焊接区都具有各自的偏离中心的通孔152,162,172和182。为了避免焊料回流操作期间熔化的焊料球(122,图7)中不对称表面张力使IC20远离与焊接区,例如焊接区104(图7)适当对齐的可能性,任何IC的焊接区被排列为两组,以使表面张力较均等。
在图9示出的简化例中,其中一组焊接区151排列在虚线160的左手侧,另一组161排列在虚线160的右手侧。焊接区151和161以及通孔152和162用虚线框表示,因为它们在IC20的下面。
焊接区151中的通孔152以远离虚线160的方向偏移。焊接区161中的通孔162以相反方向偏移。
类似布置用于基板112底部中的其它焊接区171和181,其中焊接区171中的通孔172以远离虚线170的方向偏移,焊接区181中的通孔182以相反方向偏移。要安装到包括四个单独焊接区171和四个单独焊接区181的八个焊接区的IC(未示出)的中心线将近似与虚线170对准,以便在焊料回流操作期间焊料球中的不对称表面张力不会使IC滑向一侧。
图10示出了根据本发明的一个实施例制造电子组件的方法流程图,包括形成焊接区中偏离中心的通孔以抑制相邻的焊料球桥连。该方法从200开始。
在202中,多个焊接区被制备在如PCB的基板表面上。每个焊接区具有几何中心和边缘,例如焊接区130具有几何中心132和边缘138(图5)。
在204中,在每个焊接区中形成通孔。在一个实施例中,通过钻孔形成通孔;然而,本发明的范围不限于钻孔,可以使用任何形成通孔的合适工艺,例如冲孔、微穿孔、消融、激光打孔(blasting)、蚀刻等。在焊接区的几何中心和边缘(例如,图5的焊接区130的几何中心132和边缘138)之间的区域中,每个通孔形成有其几何中心(例如图5的通孔134的几何中心136)。在一个实施例中,在焊接区的几何中心没有钻或其它形式形成通孔。然而,在其它实施例中,通孔可以偏离中心或在中心形成。
未完成的通孔被钻出或以其它形式形成在基板中之后,用如铜的导电材料涂覆或镀覆通孔的内壁。
相邻焊接区的通孔(例如,图5中的焊接区130,131)基本上在距它们各自的焊接区的几何中心相同的距离处形成(例如,图5的距离140,141)。
如对图9进行讨论的那样,基板包括至少两组焊接区。一组焊接区内的相邻焊接区的通孔的几何中心以基本相同的方向偏移;即这种通孔与相应焊接区的几何中心的偏移具有基本相同的角度。例如,在图5中,通孔130和131各自的几何中心136和137分别与各焊接区(130,131)的几何中心(132,133)偏移90度。在相同方向具有通孔偏移的焊接区组进一步在图9中显示,其中虚线160左边的焊接区151组具有朝左偏移的通孔152,虚线160右边的另一焊接区161组具有朝右偏移的通孔162。
在206中,一种材料施加在基板的表面上(顶部和/或底部),包括一些或所有通孔的内部。该材料包括热膨胀物质。热膨胀物质可以是任何合适的类型,包括挥发性的有机化合物。热膨胀物质可以由焊料掩模或焊料抗蚀剂材料组成、或是由焊料焊剂或焊膏组成、或者由通孔帽盖材料组成、或是处理溶剂组成、或是可在加热操作之前可用于任何目的施加到基板上的其它任何材料组成。热膨胀物质可以施加到基板的上和/或下表面。
在208中,具有多个接触(例如,球栅阵列结构中的焊料球)的IC封装与基板表面上的焊接区对准。
在210中,进行加热操作(例如焊料回流操作),其中加热焊料接触和焊接区直到它们电和物理地接合。该方法结束于212。
可以与这里介绍的不同顺序进行上述参考图10描述的操作。例如,在当通孔的内部涂覆有导电材料时的相同的操作期间,在形成通孔之后可以形成焊接区。
PCB112可以是其上安装电部件的任何类型的基板,例如由聚酰亚胺、合适的有机材料、硅、玻璃、石英、陶瓷等形成的材料。
安装到PCB112的封装120中的电部件可以是任何类型,例如IC或其它半导体器件;如电感器、电容器、或电阻器的无源元件;或者是其它任何类型的电气或电子器件。如果封装120中的电部件是IC,它可以是任何类型,例如微处理器或微控制器、存储电路、专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP)、射频电路、放大器、功率转换器、滤波器、时钟电路等。
                            结论
本发明显著提高了电子部件的电接触之间的焊料连接的可靠性,表面安装技术部件例如球栅阵列器件和基板上对应的焊盘中通孔焊接区,例如印刷电路板。通过形成与焊接区的几何中心偏离中心的焊盘中通孔,由于减小了表面张力和越靠近通孔侧壁越薄的气泡壁,排出VOC以逃逸膨胀的焊料球所需要的力显著减小。这使得膨胀的焊料球更快地排出挥发性气体。结果,邻接的焊料球相互接触的可能性显著减小。更容易的排气也使较大量的焊料留在IC封装接触和基板焊接区之间的焊点中。这具有在IC封装和基板之间提供较强焊料连接的整体效果,由此确保了电子组件和合并了这种电子组件的任何电子***的更大可靠性。
此外,本发明减小了焊盘中通孔附近的剪切应力和冲击疲劳,因为由于挥发性气体不必需克服焊料球表面中的高表面张力,膨胀的焊料球更容易和用更少的力排出。此外,这有助于更可靠的电子组件。
如这里所示,本发明可以多种不同的实施例实现,包括制造基板的方法、制造电子组件的方法、基板、电子组件、以及电子***。对于本领域技术人员来说其它的实施例将变得显而易见。元件、组成、几何图形、结构、尺寸和操作顺序可以为适应特定产品和封装要求而改变。
图中示出的各种元件仅为示例性的,并没有按比例画出。它的某些部分可以放大,而其它部分可以缩小。附图意在说明本发明的各种实施例,本领域的普通技术人员可以理解和适当地实施。
虽然这里示出和介绍了具体的实施例,但本领域的技术人员应该理解,获得相同目的的任何布局可以代替这里示出的具体实施例。该申请意在覆盖本发明的任何改变或变化。因此,显然本发明仅由权利要求书及其等效物限制。

Claims (30)

1.一种方法,包括:
在基板表面上制造多个焊接区;以及
在每个焊接区中形成偏离中心的通孔。
2.根据权利要求1的方法,其中每个焊接区具有几何中心和边缘,其中每个通孔具有几何中心,并且其中每个通孔形成为其几何中心处于焊接区的几何中心和边缘之间的区域中。
3.根据权利要求2的方法,其中相邻焊接区的通孔的几何中心在基本相同的方向上偏移。
4.根据权利要求2的方法,其中在形成操作中,利用钻孔来形成通孔,并且其中在焊接区的几何中心和边缘之间的区域中钻出通孔。
5.根据权利要求4的方法,其中在焊接区的几何中心处没有钻出通孔。
6.根据权利要求4的方法,其中在距各焊接区的几何中心基本相同的距离处钻出相邻焊接区的通孔,并且其中这种通孔与各焊接区的几何中心的偏移具有基本相同的角度。
7.一种方法,包括:
在基板表面上制造多个焊接区;
在每个焊接区中形成偏离中心的通孔;
在包括通孔的基板的表面上涂敷材料,该材料包括热膨胀物质;
相对于焊接区对准具有包括导电材料的接触的集成电路封装;以及
加热导电材料和焊接区直到它们接合。
8.根据权利要求7的方法,其中所述接触形成球栅阵列的一部分。
9.根据权利要求7的方法,其中所述材料包括挥发性有机化合物。
10.根据权利要求7的方法,其中所述材料选自包括焊料掩模、焊料焊剂、焊膏、溶剂以及通孔帽盖的组。
11.根据权利要求7的方法,其中所述导电材料包括焊料。
12.根据权利要求7的方法,其中所述接触为焊料球。
13.根据权利要求7的方法,其中每个焊接区具有几何中心和边缘,其中每个通孔具有几何中心,并且其中每个通孔形成为其几何中心处于焊接区的几何中心和边缘之间的区域中。
14.根据权利要求13的方法,其中相邻焊接区的通孔的几何中心在基本相同的方向上偏移。
15.根据权利要求13的方法,其中在形成操作中,利用钻孔形成通孔,其中每个焊接区具有边缘,并且其中在焊接区的几何中心和边缘之间的区域中钻出通孔。
16.根据权利要求15的方法,其中在焊接区的几何中心处没有钻出通孔。
17.根据权利要求7的方法,其中在涂敷操作中,热膨胀物质涂敷到两个相邻通孔的内部,并且其中在加热操作中,使焊接区和接触受热时,残留在两个相邻通孔中的热膨胀物质可被抑制使相关接触的桥连。
18.一种包括多个焊接区的基板,每个焊接区具有几何中心,其中每个焊接区中具有相对于焊接区的几何中心偏移的通孔。
19.根据权利要求18的基板,其中每个焊接区具有边缘,其中每个通孔具有几何中心,并且其中每个通孔的几何中心处于其相关焊接区的几何中心和边缘之间的区域中。
20.根据权利要求19的基板,其中相邻焊接区的通孔的几何中心在基本相同的方向上偏移。
21.一种电子组件,包括:
集成电路封装;以及
具有多个焊接区的基板,每个焊接区具有偏移的通孔,并且每个焊接区相对于集成电路封装的接触对准。
22.根据权利要求21的电子组件,其中焊接区和接触受热时,每个通孔抑制了留在通孔中的热膨胀物质引发集成电路封装的相邻接触的桥连。
23.根据权利要求22的电子组件,其中所述热膨胀物质包括挥发性有机化合物。
24.根据权利要求22的电子组件,其中所述热膨胀物质包括挥发性液体,该液体形成来自由焊料掩模、焊料焊剂、焊膏、溶剂以及通孔帽盖组成的组中的材料的一部分。
25.根据权利要求21的电子组件,其中焊接区包括具有在第一方向上偏移的通孔的第一组,和具有在第二方向上偏移的通孔的第二组。
26.根据权利要求21的电子组件,其中每个焊接区具有几何中心和边缘,其中每个通孔具有几何中心,并且其中每个通孔形成为其几何中心处于焊接区的几何中心和边缘之间的区域中。
27.根据权利要求26的电子组件,其中相邻焊接区的通孔的几何中心在相同的方向上偏离这些焊接区的几何中心。
28.一种电子***,包括具有集成电路封装的电子组件和具有多个焊接区的基板,每个焊接区相对于集成电路封装的相应接触对准并且包括偏移的通孔。
29.一种权利要求28的电子***,其中每个焊接区具有几何中心和边缘,其中每个通孔具有几何中心,并且其中每个通孔的几何中心在焊接区的几何中心和边缘之间的区域中。
30.一种权利要求29的电子***,其中相邻焊接区的通孔的几何中心在相同方向上偏离这些焊接区的几何中心。
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