CN1448784A - 光刻用掩模及其制法和光刻设备与器件制法 - Google Patents

光刻用掩模及其制法和光刻设备与器件制法 Download PDF

Info

Publication number
CN1448784A
CN1448784A CN03110769A CN03110769A CN1448784A CN 1448784 A CN1448784 A CN 1448784A CN 03110769 A CN03110769 A CN 03110769A CN 03110769 A CN03110769 A CN 03110769A CN 1448784 A CN1448784 A CN 1448784A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mask
radiation
pattern
reflection
projection system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN03110769A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1302337C (zh
Inventor
M·F·A·厄尔林斯
A·J·J·范迪塞尔东克
M·M·T·M·迪里希斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of CN1448784A publication Critical patent/CN1448784A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1302337C publication Critical patent/CN1302337C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/52—Reflectors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

一种反射掩模具有低分辨率结构，该结构被应用于吸收区域来减弱镜面反射中的功率量。该结构可以形成相衬光栅或者漫射器。同样的技术也可应用于光刻设备中其它的吸收体。

Description

光刻用掩模及其制法 和 光刻设备与器件制法
技术领域
本发明涉及用在光刻投射设备中的掩模，其中的光刻投射设备包括：
用来提供投射辐射束的辐射***；
用来支撑一掩模的支撑结构，其中该掩模用以根据所需图案来对投射光束形成图案；
用来固定一基底的基底台；和
用来将形成图案的射束投射在基底靶部上的投射***。
背景技术
此处使用的术语“图案化装置”应当广义地理解为涉及能够使入射辐射束赋予带图案的截面的部件，其中所述图案与要在基底靶部上形成的图案一致，掩模是该“图案化装置”的一个实例；术语“光阀”也用于本文中。一般地，所述图案与在靶部中形成的器件(device)的特殊功能层相应，例如集成电路或其它器件(见下文)。掩模的概念在光刻中是公知的，它包括例如二进制型、交替相移型、衰减相移型，及各种混合掩模型。这种掩模在辐射束中的布置使入射到掩膜上的辐射能够根据掩膜上的图案而选择性地被透射(在透射性掩模的情形下)或反射(在反射性掩模的情形下)。在使用掩模的情形中，支撑结构一般是一个掩模台，它能够确保掩模被固定在入射辐射束中的理想位置处，并且如果需要该台会相对光束移动。
光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，图案化装置可产生对应于IC每一层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅片)的靶部上(例如包括一个或者多个电路小片(die))。一般的，单一的晶片将包含相邻靶部的整个网格，该相邻靶部由投影***逐个相继辐射。在目前采用掩膜台上的掩膜进行构图的装置中，有两种不同类型的机器。一类光刻设备是，通过一次曝光靶部上的全部掩膜图案而辐射每一靶部；这种装置通常称作晶片分档器。另一种装置(通常称作分步扫描装置)通过在投射光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩膜图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一靶部；因为一般来说，投影***有一个放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩膜台扫描速度的M倍。如这里描述的关于光刻设备的更多信息可以从例如美国专利US6,046,729中获得，该文献这里作为参考引入。
在用光刻投影装置制造方法中，(例如在掩膜中的)图案成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基底上。在这种成像步骤之前，可以对基底可进行各种处理，如涂底漆，涂敷抗蚀剂和软烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它的处理，如曝光后烘烤(PEB)，显影，硬烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础，对例如IC的器件的单层形成图案。这种图案层然后可进行任何不同的处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学-机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每一新层重复全部步骤或者其变化。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯断的其它技术将这些器件彼此分开，单个器件可以安装在载体上，与管脚等连接。关于这些步骤的进一步信息可从例如Peter van Zant的 “微型 集成电路片制造：半导体加工实践入门(Microchip Fabrication：APractical Guide to Semiconductor Processing)”一书(第三版，McGrawHill Publishing Co.，1997，ISBN 0-07-067250-4)中获得，这里作为参考引入。
为了简单的缘故，投影***在下文称为“镜头”；可是，该术语应广意地解释为包含各种类型的投影***，包括例如折射光学装置，反射光学装置，和反折射***。辐射***还可以包括根据这些设计类型中任一设计的操作部件，该操作部件用于操纵、整形或者控制辐射的投射光束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“镜头”。另外，光刻设备可以具有两个或者多个基底台(和/或两个或者多个掩膜台)。在这种“多级式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和WO98/40791中描述的二级光刻设备，这里作为参考引入。
为了减小能被成像特征(feature)的尺寸，正在研制将例如具有从9至16nm范围波长的远紫外辐射用作曝光辐射的光刻设备。在这些波长处，现有的光操纵技术通常不再适用，这是因为例如它们需要的机构不能被充分缩小。因为众所周知没有适合的材料用于在这些波长处制作折射光学元件，所以EUV印刷平板装置采用反射光学***和反射掩模。对于具有高反射比的EUV，为了制造接近法线的入射反射镜，就必需在基底上使用多层堆(stack)，这些多层包括具有对比折光指数和具有调至使用具体波长的层厚的交替材料层。为了制作掩模，或者为了遮掩反射镜的一部分，诸如铬(Cr)、钨(W)、钽(Ta)的吸收材料层或者诸如一氧化钽(TaN)的化合物层被选择地设置在该多层堆的顶部。在掩模的情形中，一般沉积吸收层来覆盖整个掩模，然后进行光光刻处理并蚀刻掉来形成掩模图案。也可采用电子束书写器(writer)。这种掩模的光亮区域通常反射大约65％的入射辐射，同时黑暗区域的反射低于0.5％，由此提供高的对比度。但是，如果黑暗区域的多次曝光相互重叠，则基底接受的累积量就足以引起不希望的对比度损失。当为校准的目的曝光所谓的聚能矩阵(FEM)或曝光大量紧密堆叠的小电路小片而无分划板遮光叶片时，就会出现这种情形。
发明内容
本发明的目的是避免或减轻由对比度损失而引起的问题，其中对比度的损失首先是由掩模的黑暗部分所反射的辐射引起，其次是由光刻设备中其它吸收层引起。
在特别用于如开始段落所述光刻设备内的反射掩模中来获得依照本发明的第一和其它目的，所述掩模具有相对高反射比区域和相对低反射率区域，这些区域确定具有最小印刷特征尺寸的掩模图案；其特征在于：
所述低反射比区域包括一具有按比例小于所述最小印刷特征尺寸结构的层，使得从所述低反射比区域的镜面反射被减弱。
通过在低反射比区域(黑暗区域)上提供这种结构，与如果这些黑暗区域是光滑的情形相比，来自这些区域的镜面反射就被减弱。过去，借助于这些方法，即提供光学光滑(在投射光束的波长处)的上表面并在随后的蚀刻以形成掩模图案的过程中，用抗蚀剂来防护这些黑暗区域以在掩膜中沉积吸收层。从而这些黑暗区域保持光滑。因此，高比例未吸收的入射辐射被直接引入镜面反射，进入投射***并射在基底上。依照本发明运用的结构具有小于掩模图案中最小特征尺寸的尺寸，并损坏其光学光滑度，从而减弱来自这些黑暗区域的镜面反射。应当注意，这种结构可以与可见光波长相比具有足够小的规模，这些黑暗区域对于肉眼看起来仍然是光滑的。
众所周知，掩模可具有印刷特征(feature)，即在掩模用于光刻过程中时将被印刷的特征，和非印刷特征，也称做低分辨率的特征，这些特征不直接出现在印刷图案中但影响这些印刷特征的形状和/或位置。这些特征包括光学接近校正元件、衬线、散射条等。本发明这种结构必须具有小于印刷特征的尺寸而不必具有小于非印刷特征的尺寸。
在本发明的一个优选实施例中，这种结构包括相位光栅。优选的是该光栅包括引起大体π弧度相对相移的凸区和凹区，这可以通过将凸区和凹区间的高度差设置为基本上等于曝光辐射波长的四分之一来获得。
优选的是，凸区和凹区都占有相对低反射比区域总面积的将近百分之五十，以提供对镜面反射的最大抑制。
优选的是，挑选这种相位光栅的间距使得第一阶(和更高)衍射束位于投射***光瞳的外部。以这种方式，进入投射***的不需要的光就被基本上减弱至零。相应的，处于基底级的相位光栅的间距p应当满足不等式： p < &lambda; ( 1 + &sigma; ) NA | M |
其中λ是曝光辐射的波长，NA、M和σ分别是投射***的数值孔径、放大率和光瞳充填率(pupil filling ratio)。如果在制作掩模时所用的光瞳填充率未知，则可以假定为1来确保第一阶位于投射***光瞳的外部。
光栅的精确形成依赖于掩模图案。优选的是，光栅是二维的，以避免如果一维光栅线的排列是掩模图案的线性特征时可能出现的不必要影响。然而，对于没有线性特征或线性特征仅沿一个或有限数范围的方向延伸的掩模图案，可使用交叉掩模图案线条的一维光栅结构。
在本发明另一实施例中，处理这些黑暗区域以用作将反射辐射漫射成大立体角的漫射器。这仍然会将一些辐射反射进投射***中，但是立体角越大，在投射***中辐射被漫射，立体角越小，辐射的小部分进入投射***中。为了用作漫射器，随机或伪随机图案可以施加给吸收层。这可以通过化学或机械粗糙加工吸收层的表面或通过合适的操纵沉积过程例如引入污染物来实现。可以构造吸收层使得另外的散射出现在整个层的内部。在这点上，相对大厚度的层是更有效，但会引入不需要的散焦效应。一种解决方法是使吸收层成粒状，以获得提高散射的大量内边界。
作为吸收层特别有效的材料是钽(Ta)和氮化钽(TaN)。
本发明也提供一种器件制作方法，包括步骤：
提供一至少部分覆盖一层辐射敏感材料的基底；
利用辐射***提供辐射投射光束；
利用图案化装置来使投射光束其横截面具有图案；
使用一投射***在具有该层辐射敏感材料的靶部上投射带图案的辐射光束；
其中所述使用图案化装置的步骤包括定位一具有相对高反射比区域和相对低反射区域的掩模，这些区域确定所述图案，其特征在于：
所述低反射比区域包括一层，该层具有按比例小于所述基底上由所述投射***可分辨所述图案内最小印刷特征的表面结构。
本发明的第二个目的在一种光刻投射设备中获得，该装置包括：
用来提供投射辐射束的辐射***；
用来支撑一掩模的支撑结构，其中该掩模用以根据所需图案来对投射光束形成图案；
用来固定一基底的基底台；和
用来将形成图案的射束投射在基底靶部上的投射***；
一包含在所述辐射***或所述投射***内的光学元件，至少该光学元件的一部分上被设置有吸收层，其特征在于：
所述光学元件的所述吸收层设有按比例小于由所述投射***可分辨最小特征尺寸的结构，使得来自所述吸收层的镜面反射被减弱。
这样，用于掩模的相同发明原理可以用来减弱来自其他至少部分吸收光学元件的不必要反射。这类元件包括辐射***中的反射镜，这些反射镜被部分变暗以确定射束形状、照明场形状或其他照明设置，和用于另一光学元件掩模区域的叶片例如分划板(retic1e)，以及空间滤光器、光瞳或孔径挡板和用来确定数值孔径的叶片。
依照本发明的另一个方面，提供一种器件制作方法，包括步骤：
提供一至少部分覆盖一层辐射敏感材料的基底；
利用辐射***提供辐射投射光束；
利用图案化装置来使投射光束其横截面具有图案；
使用一投射***在具有该层辐射敏感材料的靶部上投射带图案的辐射光束；
其特征在于：
将所述投射光束的一部分吸收进设置在一光学元件上的吸收层内，所述光学元件的所述吸收层设有按比例小于由所述投射***可分辨最小特征尺寸的结构，使得来自所述吸收层的镜面反射被减弱。
尽管在本申请中，依照本发明的装置具体用于制造Ic，但是应该明确理解这些装置可能具有其它应用。例如，它可用于集成光学***的制造，用于磁畴存储器、液晶显示板、薄膜磁头等的引导和检测图案等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，在说明书中任何术语“划线板”，“晶片”或者“电路小片(die)”的使用应认为分别可以由更普通的术语“掩膜”，“基底”和“靶部”代替。
在本文件中，使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如具有365，248，193，157或者126nm波长)和EUV(远紫外辐射，例如具有5-20nm的波长范围)，和粒子束，如离子束或者电子束。
附图说明
现在通过举例的方式，参照附图描述本发明的实施例，其中：
图1表示一种可使用依照本发明实施例掩模的光刻投射设备；
图2表示一个用于说明本发明功能的掩模图案的实例；
图3表示一个应用于依照本发明实施例掩模的低分辨率图案；
图4表示覆盖在图3低分辨率图案上的图2的掩模图案；
图5是用于说明依照第一实施例的掩模是怎样起作用的图表；
图6是示出镜面反射中作为低分辨率图案占空比(duty ratio)和相位阶跃函数的相对功率的曲线图；
图7和8示出在依照本发明实施例制作掩模的方法中，用于曝光抗蚀剂的第一和第二驻波图案；
图9示出从图7和8驻波图案的曝光而得到的组合图像；
图10至13示出依照本发明实施例在掩模制作方法中的各步骤；
图14是用于说明依照本发明第二实施例的掩模是怎样起作用的图表。
在这些附图中，相同的附图标记表示相同的部分。
具体实施方式实施例1
图1示意性的说明一种了使用依照本发明特定实施例的掩模的光刻投射设备。该装置包括：
辐射***Ex、IL，用来提供投射的辐射束PB(例如EUV辐射)，在此具体情况中该辐射***也包括辐射源LA；
第一目标台(掩膜台)MT，设有用于保持掩模MA(例如划线板)的掩膜保持器，并与用于将该掩模相对于物体PL精确定位的第一定位装置PM连接；
第二目标台(基底台)WT，设有用于保持基底W(例如涂敷抗蚀剂的硅晶片)的基底保持器，并与用于将基底相对于物体PL精确定位的第二定位装置PW连接；
投射***(“镜头”)PL(例如多层反射镜组)，用于将掩模MA的辐射部分成像在基底W的靶部C(例如包括一个或多个电路小片(die))上。
如这里指出的，该装置属于反射型(例如具有反射掩模)。可是，一般来说，它还可以是例如透射型(例如具有透射掩模)。另外，该装置可以利用其它种类的构图部件，如上述涉及的程控反射镜阵列型。
辐射源LA(例如产生激光的或放电等离子源)产生辐射光束。该光束直接或经过如扩束器Ex的横向调节装置后，再照射到照射***(照射器)IL上。照射器IL包括调节装置AM，用于设定光束强度分布的外和/或内径向量(通常分别称为σ-外和σ-内)。另外，它一般包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO。按照这种方式，照射到掩模MA上的光束PB在其横截面具有理想的均匀和强度分布。
应该注意，图1中的辐射源LA可以置于光刻投射设备的壳体中(例如当源是汞灯时经常是这种情况)，但也可以远离光刻投射设备，其产生的辐射光束被(例如通过定向反射镜的帮助)引导至该装置中；当光源LA是准分子激光器时通常是后面的那种情况。本发明和权利要求包含这两种方案。
光束PB然后与保持在掩膜台MT上的掩模MA相交。由掩模MA选择性反射的光束PB通过镜头PL，该镜头将光束PB聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位装置(和干射测量装置IF)的辅助下，基底台WT可以精确地移动，例如在光束PB的光路中定位不同的靶部C。类似的，例如在从掩模库中机械取出掩模MA或在扫描期间，可以使用第一定位装置将掩模MA相对光束PB的光路进行精确定位。一般地，用图1中未明确显示的长冲程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)，可以实现目标台MT、WT的移动。可是，在晶片分档器中(与分步扫描装置相对)，掩膜台MT可与短冲程执行装置连接，或者固定。
所表示的装置可以按照二种不同模式使用：
1.在步进模式中，掩膜台MT保持基本不动，整个掩膜图像被一次投射(即单“闪”)到靶部C上。然后基底台WT沿x和/或y方向移动，以使不同的靶部C能够由光束PB照射。
2.在扫描模式中，基本为相同的情况，但是所给的靶部C没有暴露在单“闪”中。取而代之的是，掩膜台MT沿给定的方向(所谓的“扫描方向，例如y方向”)以速度v移动，以使投射光束PB扫描整个掩膜图像；同时，基底台WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同时移动，其中M是镜头PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。在这种方式中，可以曝光相较大的靶部C，而没有牺牲分辨率。
掩模MA具有由数个反射和吸收区域R、A确定的掩模图案MP，如图2中所例举的。这种掩模可以通过在反射区域R内移除例如蚀刻设置在多层堆顶上的吸收层来形成，其中的多层堆使在预期入射角和投射光束波长处的反射最优化。这些吸收区域A是吸收层被留下的区域。
依照本发明的第一实施例，吸收层的表面设置有由成棋盘形图案中的凸区(land)11和凹区(recess)12形成的结构(texture)10，如图3中所示。凸区11和凹区12的间距小于掩模图案中呈现的最小特征尺寸，和/或在基底平面处可被投射***PL分辨，并一般被布置成二维图案以形成二维相位光栅。为了最大化相衬，凸区11和凹区12的高度差优选基本上是投射光束PB辐射波长的四分之一。
图4示出掩模图案MP和低分辨率相位光栅10组合的结果。在反射区域R内，显露出多层堆，同时在吸收区域A内，可以看到低分辨率图案10在吸收层的表面上。应当注意，假如在每个吸收区域A内至少一维相衬光栅是明显的，则低分辨率图案10的精确形状、位置和定向都是不重要的。应当理解，在图2、3和4中，结构和掩模图案都不是按比例的。
图5示出依照本发明第二实施例的掩模是怎样起作用的。(应当注意，图5中所示的角度纯粹是为了说明的目的，在本发明的实际实施例中，投射光束是以非常接近于法线的角度来入射的。)投射光束PB-I由照射***IL投射在掩模MA上，并被反射形成进入投射透镜***P-PL光瞳的图案投射光束PB-R。投射光束PB-I中入射在掩模图案MP内吸收区域A上的能量的大部分都被吸收。一些能量被反射。因为设置在吸收区域A上表面上的相衬光栅10，所以由吸收区域A反射的照射被衍射而不是简单的镜面反射。通过确保凸区11和凹区12总面积的比率充分接近于1，和从凸区反射的辐射与从凹区反射的辐射间相对相差为π弧度，则第0阶光束(镜面反射)就被抑制，且基本上所有的辐射直接进入第1阶衍射光束R-1、R+1及高阶。从而，吸收区域A所反射的辐射就被从图案投射光束PB-R中空间分离出来。通过适当地选择相衬光栅10的间距，就能够确保第1(和更高)阶衍射光束位于投射透镜P-PL的光瞳外面，从而并不被成像在基底上。因此，送至基底黑暗区域上的量就被充分地减小。
从衍射等式，可以推出，对于位于投射***光瞳外部的第1阶，低分辨率图案10的间距p必须满足下列不等式： p < &lambda; ( 1 + &sigma; ) NA | M |
其中λ是投射光束PB中曝光辐射的波长，σ、NA和M分别是投射***PL的光瞳充填率(pupil filling ratio)、数值孔径和放大率。
如上所述，希望全部消除来自吸收区域A的镜面反射，并且通过将从凸区11的反射辐射与从凹区12的反射辐射间的相差Δ设置等于π弧度，和将凸区总面积与凹区总面积的比率设定为1，就可获得。后者的情形也可以由具有占空比DR为0.5的相衬光栅来表示。
尽管如此，即使相差Δ和占空比DR基本偏离其理想值，但也可获得镜面反射所包含内功率的充分及理想缩减。图6示出作为相位光栅10的相差Δ和占空比DR的函数、包含在镜面反射中由吸收区域A所反射的总功率比例S。可以看出，在理想相位阶跃π的+π/5内，相对大的相位误差仍旧产生第0阶90％的衰减。对于λ＝13.5nm，这种相位误差相当于3.4nm阶上0.7nm的深度误差。因此，本发明能够提供在相衬光栅10制作中相对高容差的优点。
通过在吸收层被选择地除去以形成掩模图案MP之前，在吸收层的上表面内蚀刻如图3所示的盘图案，就可相对简单地形成一种合适的相衬光栅10。为此，首先就必需用合适的图案来曝光设置在吸收层顶部的抗蚀层。已经知道，通过用两束相干辐射束照射抗蚀层来曝光抗蚀层以形成线性光栅，其中该两束相干辐射束相互倾斜使得两束光束间的干涉在抗蚀层内形成驻波图。图7示出这种驻波图案的强度分布。该图案的间距是由用于曝光的辐射波长和该两束光束的倾斜角度来决定。依照本发明，同时也用图8所示的第二驻波图案来曝光抗蚀层，该第二驻波图案定向在第一驻波图的90°处，从而给出如图9所示的整个曝光。该两个驻波图案间的角度可以小于90°，这将产生在正交方向具有不同间距的光栅，假如层的间距足够小，则这也是可以接受的。应当理解，采用四束光束可以在一个步骤中完成全部的曝光，或者采用两束光束和光束间的相对旋转以及步骤间的掩模空白在两个步骤完成全部的曝光。
图10至13示出了全部的过程。示于图10中的最初掩模坯(blank)MB包括基底20、用于在投射辐射波长处反射比最佳的多层堆21和覆盖在掩模坯MB顶面上的吸收层22。一开始，将如上所述用正交驻波图案曝光的抗蚀层(未示出)覆盖该最初掩模坯。显影该曝光的抗蚀剂来形成棋盘形图案，并蚀刻吸收层22的曝光区域至等于投射辐射光束四分之一波长的深度，以便确定出表面图案23，如图12中所示。
为了制作掩模图案MP，例如，由采用投射光刻或电子束直接书写器(direct writer)曝光以确定掩模图案的抗蚀剂来再次覆盖吸收层。显影该抗蚀层，并且吸收层22被完全蚀刻掉以形成掩模图案MP的反射区域。从而，如图13中所示的掩模MA具有被曝光的多层堆21的区域和被吸收层22覆盖的区域，这就在其顶面保留一个低分辨率图案23。
当然，该表面图案也可用其它的工序(process)来形成，也可以在随着掩模图案的同时或提前在掩模图案上形成。形成表面图案的其它过程包括用合适的图案来曝光抗蚀剂(采用例如光刻设备、电子束直接书写器、离子束直接书写器或借助于X射线接触或接近印刷)，然后显影抗蚀剂并蚀刻下面的吸收层。该表面图案也可直接在吸收层上采用诸如压模加工或离子束蚀刻的工艺来形成。实施例2
在本发明的第二实施例中，与第一实施例相同的部分如上所述，添加在吸收层上的结构形成漫射器(diffuser)而不是相衬光栅。依照本发明第二实施例的掩模的作用表示在图14中。
如第一实施例那样，入射投射光束由设置在掩模MA上的掩模图案MP形成图案并反射，该所形成的图案且所反射的光束PB-R由投射***的光瞳P-PL所收集。由于掩模图案吸收区域内结构30所形成漫射器的作用，从黑暗区域反射的辐射被漫反射成与投射***PL的数值孔径相比具有大立体角的圆锥体R-D。很显然，在本发明的这个实施例中，从该图案黑暗区域反射的一些光确实进入投射***PL内，但是通过将光被漫反射形成的立体角设置的足够大，就可以将进入的比例充分地减小。
为了起到漫射器的作用，可以吸收层的结构为随机或伪随机结构。这可以光刻地获得或者通过在掩模图案MP形成之前对吸收层的表面进行化学或机械粗加工来获得。同时，也可以通过合适地控制吸收层的产生例如采用沉积来提供必需的粗糙度。吸收层可被设计用来引起内部散射及表面处的散射。这可以通过向吸收层的内部引入大量的光学边界(boundaries)即折射率的变化来获得，可以使吸收层成粒状。
在通过沉积来形成吸收层的地方，粗糙度可以通过操纵诸如沉淀工艺过程的压力和温度以及蒸发或溅射率或者通过引入污染物来获得。
产生所需效果的合适粗糙度可以从下述等式来确定： F = 1 - exp [ - ( 4 &pi; &lambda; ) 2 &sigma; 2 ]
其中F是漫反射而不是镜面反射的入射辐射的比例，λ是辐射的波长，σ是均方根表面粗糙度。对于13.5的辐射，1nm的均方根表面粗糙度引起57％的漫反射，同时2nm引起97％的杂光。
尽管上面已经描述了本发明的具体实施例，但是应当理解本发明也可用其他的方式实施而不是如所述的。本说明无意限制本发明。

Claims (17)

1.一种用在光刻设备中的反射掩模，所述掩模具有相对高反射比区域和相对低反射比区域，这些区域确定具有最小印刷特征尺寸的掩模图案，其特征在于：
所述低反射比区域包括具有按比例小于所述最小印刷特征尺寸的结构的一层，使得从所述低反射率区域的镜面反射被减弱。
2.依照权利要求1的掩模，其中所述结构包括一相位光栅。
3.依照权利要求2的掩模，其中所述光栅包括凸区和凹区，使得从凸区反射的曝光辐射和从凹区反射的曝光辐射间存在着大体π弧度的相移。
4.依照权利要求3的掩模，其中所述凸区的总面积与所述凹区的总面积之比处于2/3至3/2的范围内。
5.依照权利要求1、2、3或4的掩模，其中所述相位光栅具有使得第一阶衍射光位于所述光刻设备投射***光瞳外部的间距。
6.依照权利要求2、3、4或5的掩模，其中所述光栅是二维的。
7.依照权利要求1的掩模，其中所述结构形成用于将所述反射辐射漫反射成大立体角的漫射器。
8.依照权利要求7的掩模，其中所述结构是表面结构。
9.依照权利要求7的掩模，其中所述结构是内部包括数个不同被定向的边界。
10.依照权利要求9的掩模，其中所述层是由粒状材料形成的。
11.依照任一前述权利要求的掩模，其中所述层是由钽(Ta)和/或氮化钽(TaN)形成。
12.依照权利要求7到11的掩模，其中所述结构具有大于或者等于1nm的均方根(rms)粗糙度。
13.一种器件的制作方法，包括步骤：
提供一个至少部分被一层辐射敏感材料覆盖的基底；
利用辐射***提供辐射投射光束；
利用图案化装置来使投射光束的横截面具有图案；
使用投射***，将图案化的辐射光束投射到该层辐射敏感材料的靶部上；
其中所述使用图案化装置的步骤包括：定位具有相对高反射比区域和相对低反射区域的掩模，这些区域确定所述图案，
其特征在于：
所述低反射比区域包括一层，该层具有按比例小于所述基底上由所述投射***可分辨所述图案内最小印刷特征的表面结构。
14.依照权利要求13的方法，其中所述结构包括一相位光栅，该相位光栅包含凸区和凹区，使得从凸区反射的投射光束和从凹区反射的投射光束间存在大体π弧度的相移。
15.依照权利要求14的方法，其中所述相位光栅具有间距p，该间距p满足下列不等式： p < &lambda; ( 1 + &sigma; ) NA | M |
其中λ是投射光束PB中曝光辐射的波长，σ、NA和M分别是投射***PL的光瞳充填率(pupil filling ratio)、数值孔径和放大率。
16.一种光刻投射设备，包括：
用来提供投射辐射束的辐射***；
用来支撑图案化装置的支撑结构，其中该图案化装置用以根据所需图案来对投射光束形成图案；
用来固定基底的基底台；和
用来将图案化的射束投射在基底靶部上的投射***；
包含在所述辐射***或所述投射***内的光学元件，至少该光学元件的一部分上被设置有吸收层，
其特征在于：
所述光学元件的所述吸收层设置有按比例小于由所述投射***可分辨最小特征尺寸的结构，使得来自所述吸收层的镜面反射被减弱。
17.一种器件制造方法，包括步骤：
提供至少部分被辐射敏感材料层覆盖的基底；
利用辐射***提供辐射投射光束；
利用图案化装置来使投射光束的横截面具有图案；
将辐射的图案化光束投射到辐射敏感材料层的靶部上；
其特征在于：
将所述投射光束的一部分吸收进设置在一光学元件上的吸收层内，所述光学元件的所述吸收层设置有按比例小于由所述投射***可分辨最小特征尺寸的结构，使得来自所述吸收层的镜面反射被减弱。
CNB031107699A 2002-03-08 2003-03-06 光刻投射设备、所用的反射掩模以及器件制作方法 Expired - Lifetime CN1302337C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP02251652 2002-03-08
EP02251652.0 2002-03-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1448784A true CN1448784A (zh) 2003-10-15
CN1302337C CN1302337C (zh) 2007-02-28

Family

ID=27838133

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB031107699A Expired - Lifetime CN1302337C (zh) 2002-03-08 2003-03-06 光刻投射设备、所用的反射掩模以及器件制作方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6927004B2 (zh)
JP (1) JP3727317B2 (zh)
KR (1) KR100562195B1 (zh)
CN (1) CN1302337C (zh)
DE (1) DE60309238T2 (zh)
SG (1) SG106672A1 (zh)
TW (1) TW574597B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102096318A (zh) * 2011-01-17 2011-06-15 南京航空航天大学 激光直写技术制备多级结构微阵列的方法
CN102124542A (zh) * 2008-09-05 2011-07-13 旭硝子株式会社 Euv光刻用反射型掩模底板及其制造方法
US8559108B2 (en) 2007-12-21 2013-10-15 Asml Netherlands B.V. Grating for EUV-radiation, method for manufacturing the grating and wavefront measurement system
CN104656376A (zh) * 2013-11-15 2015-05-27 台湾积体电路制造股份有限公司 远紫外线光刻工艺和掩模
CN109196420A (zh) * 2016-06-03 2019-01-11 Asml荷兰有限公司 图案形成装置
CN110366702A (zh) * 2017-02-25 2019-10-22 Asml荷兰有限公司 图案形成装置及其制造方法和图案形成装置的设计方法

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7333178B2 (en) * 2002-03-18 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7170587B2 (en) * 2002-03-18 2007-01-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6972843B2 (en) * 2003-08-25 2005-12-06 Intel Corporation Lithography alignment
SG112034A1 (en) * 2003-11-06 2005-06-29 Asml Netherlands Bv Optical element, lithographic apparatus comprising such optical element and device manufacturing method
DE102004017131B4 (de) * 2004-03-31 2005-12-15 Infineon Technologies Ag Lithographiemaske für die Herstellung von Halbleiterbauelementen
US20050250019A1 (en) * 2004-05-04 2005-11-10 United Microelectronics Corp. Mask device for photolithography and application thereof
US7198872B2 (en) * 2004-05-25 2007-04-03 International Business Machines Corporation Light scattering EUVL mask
US7433016B2 (en) 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070181253A1 (en) * 2006-02-03 2007-08-09 Ming Xu Image receiver media and printing process
US20070292771A1 (en) * 2006-06-20 2007-12-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for optimizing intra-field critical dimension uniformity using a sacrificial twin mask
US7599064B2 (en) * 2007-03-07 2009-10-06 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method, substrate for use in the methods
US7838178B2 (en) * 2007-08-13 2010-11-23 Micron Technology, Inc. Masks for microlithography and methods of making and using such masks
NL1036702A1 (nl) 2008-04-15 2009-10-19 Asml Holding Nv Diffraction elements for alignment targets.
JP2011108942A (ja) * 2009-11-19 2011-06-02 Renesas Electronics Corp 反射型露光用マスク、反射型露光用マスクの製造方法、および、半導体装置の製造方法
JP5648392B2 (ja) * 2010-09-22 2015-01-07 凸版印刷株式会社 反射型フォトマスクブランクおよびその製造方法
IL303832A (en) 2011-11-18 2023-08-01 Regeneron Pharma Microparticles of polymeric proteins
KR20140017767A (ko) 2012-07-31 2014-02-12 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크 및 이의 정렬 방법
CN102998893B (zh) * 2012-11-19 2014-06-25 京东方科技集团股份有限公司 使用反射式掩膜版的曝光装置及曝光方法
AR095196A1 (es) 2013-03-15 2015-09-30 Regeneron Pharma Medio de cultivo celular libre de suero
DE102013220190B4 (de) * 2013-10-07 2021-08-12 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Messteilung und lichtelektrische Positionsmesseinrichtung mit dieser Messteilung
US9261774B2 (en) * 2013-11-22 2016-02-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process and mask with reduced shadow effect and enhanced intensity
TWI804917B (zh) 2015-03-27 2023-06-11 美商再生元醫藥公司 偵測生物污染物之組成物及方法
US10520511B2 (en) 2015-05-12 2019-12-31 Regeneron Pharmaceuticals, Inc. Multimeric protein purity determination
TW202340452A (zh) 2015-08-04 2023-10-16 美商再生元醫藥公司 補充牛磺酸之細胞培養基及用法
CN108366968B (zh) 2015-12-16 2022-02-18 瑞泽恩制药公司 制造蛋白质微粒的组合物和方法
EP3504328A1 (en) 2016-08-24 2019-07-03 Regeneron Pharmaceuticals, Inc. Host cell protein modification
MY197672A (en) 2016-10-07 2023-07-03 Regeneron Pharma Room temperature stable lyophilized protein
CN110914293A (zh) 2017-07-06 2020-03-24 里珍纳龙药品有限公司 用于制备糖蛋白的细胞培养工艺
US10642158B2 (en) * 2017-11-29 2020-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of controlling reticle masking blade positioning to minimize impact on critical dimension uniformity and device for controlling reticle masking blade positioning
CN111479618B (zh) 2017-12-22 2022-08-02 瑞泽恩制药公司 用于表征药物产品杂质的***和方法
SG11202005235WA (en) 2018-01-31 2020-07-29 Regeneron Pharma System and method for characterizing size and charge variant drug product impurities
TW202411650A (zh) 2018-02-01 2024-03-16 美商再生元醫藥公司 治療性單株抗體之品質屬性的定量及模型化
TW202311746A (zh) 2018-02-02 2023-03-16 美商再生元醫藥公司 用於表徵蛋白質二聚合之系統及方法
CN111771000A (zh) 2018-02-28 2020-10-13 瑞泽恩制药公司 用于鉴定病毒污染物的***和方法
WO2019182901A1 (en) 2018-03-19 2019-09-26 Regeneron Pharmaceuticals, Inc. Microchip capillary electrophoresis assays and reagents
DE102018204626A1 (de) * 2018-03-27 2019-04-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsmaske sowie Verfahren zu deren Herstellung
TW202016125A (zh) 2018-05-10 2020-05-01 美商再生元醫藥公司 用於定量及調節蛋白質黏度之系統與方法
US20200064353A1 (en) 2018-08-13 2020-02-27 Regeneron Pharmaceuticals, Inc. Therapeutic Protein Selection in Simulated In Vivo Conditions
EP3775926A1 (en) 2018-08-30 2021-02-17 Regeneron Pharmaceuticals, Inc. Methods for characterizing protein complexes
JP2022517720A (ja) 2019-01-16 2022-03-10 リジェネロン・ファーマシューティカルズ・インコーポレイテッド ジスルフィド結合を特徴付けるための方法
CN113646637A (zh) 2019-01-25 2021-11-12 瑞泽恩制药公司 蛋白a色谱-电喷雾电离质谱仪
AU2020212022A1 (en) 2019-01-25 2021-07-29 Regeneron Pharmaceuticals, Inc. Quantitation and identification of dimers in co-formulations
US10961500B1 (en) 2019-04-23 2021-03-30 Regeneron Pharmaceuticals, Inc. Cell culture medium for eukaryotic cells
CN113785203A (zh) 2019-05-13 2021-12-10 里珍纳龙药品有限公司 改进的竞争性配体结合测定
WO2021061790A1 (en) 2019-09-24 2021-04-01 Regeneron Pharmaceuticals, Inc. Systems and methods for chromatography use and regeneration
US11730793B2 (en) 2019-11-25 2023-08-22 Regeneron Pharmaceuticals, Inc. Sustained release formulations using non-aqueous emulsions
CN115398236B (zh) 2020-01-21 2024-06-11 瑞泽恩制药公司 用于糖基化的蛋白质的电泳的去糖基化方法
WO2022047108A1 (en) 2020-08-31 2022-03-03 Regeneron Pharmaceuticals, Inc. Asparagine feed strategies to improve cell culture performance and mitigate asparagine sequence variants
MX2023007225A (es) 2020-12-17 2023-06-27 Regeneron Pharma Fabricacion de microgeles encapsuladores de proteina.
JP2024519407A (ja) 2021-03-26 2024-05-13 リジェネロン・ファーマシューティカルズ・インコーポレイテッド 混合プロトコルを作成するための方法およびシステム
WO2023287823A1 (en) 2021-07-13 2023-01-19 Regeneron Pharmaceuticals, Inc. Mass spectrometry-based strategy for determining product-related variants of a biologic
EP4370917A1 (en) 2021-07-13 2024-05-22 Regeneron Pharmaceuticals, Inc. Characterization of proteins by anion-exchange chromatography mass spectrometry (aex-ms)
CN113777685B (zh) * 2021-08-30 2023-07-04 同济大学 基于扫描原子光刻技术的大面积自溯源光栅制备方法
EP4402475A1 (en) 2021-09-14 2024-07-24 Regeneron Pharmaceuticals, Inc. Nmass spectrometry-based strategy for characterizing high molecular weight species of a biologic
KR20240067251A (ko) 2021-09-28 2024-05-16 리제너론 파아마슈티컬스, 인크. 약물 및 표적 농도의 정량화 검정
IL311248A (en) 2021-10-07 2024-05-01 Regeneron Pharma PH meter calibration and repair
IL311245A (en) 2021-10-07 2024-05-01 Regeneron Pharma Systems and methods for pH modeling and control
WO2023076612A1 (en) 2021-11-01 2023-05-04 Regeneron Pharmaceuticals, Inc. Methods to prevent disulfide scrambling for ms-based proteomics
WO2023177836A1 (en) 2022-03-18 2023-09-21 Regeneron Pharmaceuticals, Inc. Methods and systems for analyzing polypeptide variants
WO2024130048A1 (en) 2022-12-16 2024-06-20 Regeneron Pharmaceuticals, Inc. Methods and systems for assessing chromatographic column integrity

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5296891A (en) * 1990-05-02 1994-03-22 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Illumination device
JPH05198490A (ja) * 1992-01-22 1993-08-06 Fujitsu Ltd 荷電粒子ビーム露光装置
DE69324578T2 (de) * 1993-02-23 1999-10-14 Interuniversitair Micro-Electronica Centrum Vzw Phasenstruktur um die optische aufloesung fuer ein beleuchtungssystem durch projektion zu erhoehen
JP3078163B2 (ja) * 1993-10-15 2000-08-21 キヤノン株式会社 リソグラフィ用反射型マスクおよび縮小投影露光装置
US5501925A (en) * 1994-05-27 1996-03-26 Litel Instruments High power masks and methods for manufacturing same
EP0757262A4 (en) 1995-02-17 1998-08-12 Washi Kosan Kk CONVEX SURFACE STRUCTURE MADE OF ULTRAFINE PARTICLES
US6410193B1 (en) * 1999-12-30 2002-06-25 Intel Corporation Method and apparatus for a reflective mask that is inspected at a first wavelength and exposed during semiconductor manufacturing at a second wavelength

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8559108B2 (en) 2007-12-21 2013-10-15 Asml Netherlands B.V. Grating for EUV-radiation, method for manufacturing the grating and wavefront measurement system
CN101903808B (zh) * 2007-12-21 2014-02-26 Asml荷兰有限公司 用于euv辐射的光栅、用于制造该光栅的方法和波前测量***
CN102124542A (zh) * 2008-09-05 2011-07-13 旭硝子株式会社 Euv光刻用反射型掩模底板及其制造方法
CN102124542B (zh) * 2008-09-05 2013-04-17 旭硝子株式会社 Euv光刻用反射型掩模底板及其制造方法
CN102096318A (zh) * 2011-01-17 2011-06-15 南京航空航天大学 激光直写技术制备多级结构微阵列的方法
CN102096318B (zh) * 2011-01-17 2012-05-23 南京航空航天大学 激光直写技术制备多级结构微阵列的方法
CN104656376A (zh) * 2013-11-15 2015-05-27 台湾积体电路制造股份有限公司 远紫外线光刻工艺和掩模
CN104656376B (zh) * 2013-11-15 2018-12-28 台湾积体电路制造股份有限公司 远紫外线光刻工艺和掩模
CN109196420A (zh) * 2016-06-03 2019-01-11 Asml荷兰有限公司 图案形成装置
CN110366702A (zh) * 2017-02-25 2019-10-22 Asml荷兰有限公司 图案形成装置及其制造方法和图案形成装置的设计方法
US11487198B2 (en) 2017-02-25 2022-11-01 Asml Netherlands B.V. Patterning device, a method of making the same, and a patterning device design method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040002458A (ko) 2004-01-07
KR100562195B1 (ko) 2006-03-20
TW574597B (en) 2004-02-01
JP2003273013A (ja) 2003-09-26
US6927004B2 (en) 2005-08-09
CN1302337C (zh) 2007-02-28
DE60309238T2 (de) 2007-06-06
SG106672A1 (en) 2004-10-29
US20030180632A1 (en) 2003-09-25
JP3727317B2 (ja) 2005-12-14
TW200307851A (en) 2003-12-16
DE60309238D1 (de) 2006-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1302337C (zh) 光刻投射设备、所用的反射掩模以及器件制作方法
US7602503B2 (en) Methods for measuring a wavefront of an optical system
US7595931B2 (en) Grating for EUV lithographic system aberration measurement
TW544547B (en) Exposure method and apparatus
KR100583693B1 (ko) 실질적으로 투과성인 공정층내에 정렬마크가 제공된 기판,상기 마크를 노광하는 마스크, 디바이스 제조방법 및 그디바이스
CN100338528C (zh) 利用双极照明进行基于规则的栅极缩小的方法和装置
US20120044470A1 (en) Substrate for Use in Metrology, Metrology Method and Device Manufacturing Method
JP4308202B2 (ja) 基板に関する情報を測定する方法及びリソグラフィ装置に使用する基板
CN100559273C (zh) 光刻装置和测量***
CN1517798A (zh) 用于光刻装置的水平传感器
JP4955028B2 (ja) デバイス製造方法、リソグラフィ装置及びそれによって製造されたデバイス
TWI287693B (en) Diffuser plate and method of making same
CN1641484A (zh) 测量方法、用于提供对准标记的方法和器件制造方法
JP3766041B2 (ja) リソグラフィ装置、デバイス製造方法、この方法によって製造されるデバイス、反射器製造方法、この方法によって製造される反射器、位相シフト・マスク
CN100380233C (zh) 利用消除辅助特征来提高处理范围的方法
JP2019518232A (ja) パターニングデバイス
TWI490660B (zh) 微影裝置及方法
US20070287073A1 (en) Lithography systems and methods
CN1591198A (zh) 光刻装置，器件制造方法以及由此制造的器件
CN1540445A (zh) 光刻处理方法，和由此制造的器件
TW200949467A (en) Diffraction elements for alignment targets
EP1197803B1 (en) Lithographic apparatus
CN1282039C (zh) 光刻装置，器件制造方法和光学元件的制造方法
CN1252538C (zh) 光刻装置和器件制造方法
EP1357427B1 (en) Mask for use in lithography, lithographic apparatus, and device manufacturing methods

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20070228

CX01 Expiry of patent term