CN102124542A - Euv光刻用反射型掩模底板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供在实施EUV光刻时抑制了来自掩模图案区域的外周部的吸收膜表面的EUV反射光的影响的EUV掩模、用于制造该EUV掩模的EUV掩模底板以及该EUV掩模底板的制造方法。一种EUV光刻(EUVL)用反射型掩模底板的制造方法，其在基板上至少交替层叠高折射率膜和低折射率膜并形成反射EUV光的多层反射膜，在该多层反射膜上形成吸收EUV光的吸收膜，其特征在于，在形成上述多层反射膜后，通过对上述多层反射膜表面中的、比在使用EUVL用反射型掩模底板制作的EUV光刻用反射型掩模上成为掩模图案区域的部位靠外侧的部位加热，使上述多层反射膜表面中的被加热的部位的EUV光的反射率降低。

Description

EUV光刻用反射型掩模底板及其制造方法
技术领域
本发明涉及用于半导体制造等的EUV(Extreme Ultra Violet：极端紫外)光刻用反射型掩模底板(以下，在本说明书中称作“EUV掩模底板”)及其制造方法、在该EUV掩模底板的吸收膜上形成掩模图案而成的EUV光刻用反射型掩模(以下，在本说明书中称作“EUV掩模”)。
背景技术
以往，在半导体产业中，作为在Si基板等上形成由微细图案构成的集成电路所需要的微细图案的转印技术，采用有使用可见光、紫外光的光刻法。但是，半导体装置的微细化正在加速，另一方面，已经接近以往的光刻法的极限。在光刻法的情况下，图案的分辨率极限是曝光波长的1/2左右，即使采用浸没法也被认为只是曝光波长的1/4左右，即使采用ArF激光(193nm)的浸没法，估计45nm左右也是其极限。因此，作为实现小于45nm的曝光技术，认为有希望的是作为使用波长比ArF激光还短的EUV光的曝光技术的EUV光刻。在本说明书中，EUV光是指软X射线区域或真空紫外线区域的波长的光线，具体是指波长10～20nm左右、特别是13.5nm±0.3nm左右的光线。
EUV光相对于所有的物质都易被吸收，并且在该波长物质的折射率接近于1，因此不能够使用以往的使用可见光或紫外光的光刻那样的折射光学***。因此，在EUV光刻中，使用反射光学***、即反射型光刻掩模(以下称作“EUV掩模”)和反射镜。
掩模底板是在光刻掩模上形成掩模图案前的层叠体。在EUV掩模底板的情况下，具有在玻璃等基板上按顺序形成反射EUV光的反射膜和吸收EUV光的吸收膜的构造(参照专利文献1)。另外，在EUV掩模底板上，在反射膜和吸收膜之间，一般形成有用于在吸收膜上形成掩模图案时保护反射膜的保护膜。而且，在吸收膜上一般形成有用于改善掩模图案检查时的光学对比度的防反射膜。
在EUV掩模底板中，优选使吸收膜的膜厚较薄。在EUV光刻中，曝光光(exposure light)不是相对于EUV掩模从垂直方向进行照射，而是从比垂直方向倾斜几度、一般为6度的方向进行照射。当吸收膜的膜厚较厚时，在EUV光刻时，在通过蚀刻去除该吸收膜的一部分而形成的掩模图案上产生有曝光光的影子，使用该EUV掩模转印在Si晶圆等基板上的抗蚀剂上的掩模图案(以下称作“转印图案”)的形状精度、尺寸精度变得易于变差。形成在EUV掩模上的掩模图案的线宽越小，该问题越明显，因此就要求使EUV掩模底板的吸收膜的膜厚更薄。但是，为了维持EUV光的吸收性，需要吸收膜具有一定程度的膜厚。
在EUV掩模底板的吸收膜上，使用针对EUV光的吸收系数高的材料，其膜厚也设为在向该吸收膜表面照射EUV光时利用吸收膜全部吸收照射来的EUV光那样的膜厚，这是比较理想的。但是，如上所述，由于要求使吸收膜的膜厚较薄，所以利用吸收膜不能够全部吸收照射来的EUV光，其一部分成为反射光。
通过EUV光刻在基板上的抗蚀剂上形成转印图案时，所要求的是在EUV掩模上的反射光的光学对比度，即，来自在掩模图案形成时去除吸收膜并暴露反射膜的部位的反射光、和来自在掩模图案形成时不去除吸收膜的部位的反射光的光学对比度。因此，有人认为只要能够充分地确保反射光的光学对比度，即使利用吸收膜不能够全部吸收照射来的EUV光，也是没有问题的。
基于上述想法，为了使吸收膜的膜厚更薄，提出了利用相位偏移原理的EUV掩模(参照专利文献2)。其特征在于，在掩模图案形成时不去除吸收膜的部位的EUV光(反射光)具有5～15％的反射率，并且，相对于来自在掩模图案形成时去除吸收膜并暴露反射膜的部位的EUV反射光，具有175～185度的相位差。该文献记载有：通过针对来自吸收膜的反射光利用相位偏移原理，该EUV掩模能够充分地维持吸收膜与反射膜的光学对比度，因此能够使吸收膜的膜厚较薄。
专利文献1：美国公开2007-0087578号公报
专利文献2：日本特开2006-228766号公报
但是，本发明人发现，上述原理和膜结构在实际的掩模图案区域(形成掩模图案并在进行EUV光刻时用于图案的转印的区域)上是没有问题的，但是在掩模图案区域的外周部上，上述构造却存在有课题。关于这一点，以下，使用图5进行说明。
图5是表示掩模图案形成后的EUV掩模的一个例子的概略剖视图，在基板120上按顺序形成有反射膜130和吸收膜140，在掩模图案区域210上，通过局部去除140形成有掩模图案。关于图5所示的EUV掩模100的掩模图案区域210，利用上述相位偏移原理能够充分地维持反射膜130的表面与吸收膜140的表面的反射光的光学对比度。但是，实际的曝光区域、即照射EUV光的区域是200。因此，在附图标记220所示的掩模图案区域210的外侧的区域(掩模图案区域的外周部)上也照射有EUV光，但是，此时不能充分地得到由与来自反射膜130的反射光的相位偏移所带来的效果，从吸收膜140的表面产生5～15％左右的反射。其结果，该5～15％左右的EUV反射光照射到Si基板上的抗蚀剂上，有可能产生不需要的抗蚀剂进行感光这样的问题。特别是在进行重叠曝光时该问题更明显。
发明内容
本发明的目的在于，为了解决上述以往技术的问题点，提供在实施EUV光刻时抑制了由来自掩模图案区域的外周部的吸收膜表面的EUV反射光带来的影响的EUV掩模、用于制造该EUV掩模的EUV掩模底板、以及该EUV掩模底板的制造方法。
为了解决上述课题，本发明提供一种EUV光刻(EUVL)用反射型掩模底板的制造方法(本发明的EUV掩模的制造方法(1))，其具有在基板上至少交替层叠高折射率膜和低折射率膜并形成反射EUV光的多层反射膜的工序、和在该多层反射膜上形成吸收EUV光的吸收膜的工序，其特征在于，该EUVL用反射型掩模底板的制造方法包含下述工序：
在实施了形成上述多层反射膜的工序后，通过对上述多层反射膜表面中的、比在使用EUVL用反射型掩模底板制作的EUV光刻用反射型掩模上成为掩模图案区域的部位靠外侧的部位加热，使上述多层反射膜表面中的被加热的部位的EUV光的反射率降低。
在本发明的EUV掩模的制造方法(1)中，优选上述多层反射膜表面中的被加热的部位的、加热前后的EUV光的反射率的差为10～60％。
在本发明的EUV掩模的制造方法(1)中，加热前的EUV光的反射率为60％以上。
另外，本发明提供一种EUV光刻(EUVL)用反射型掩模底板的制造方法(本发明的EUV掩模的制造方法(2))，其具有在基板上至少交替层叠高折射率膜和低折射率膜并形成反射EUV光的多层反射膜的工序、在该多层反射膜上形成保护膜的工序、以及在该保护膜上形成吸收EUV光的吸收膜的工序，其特征在于，该EUVL用反射型掩模底板的制造方法包含下述工序：
在实施了形成上述保护膜的工序后，通过对上述保护膜表面中的、比在使用EUVL用反射型掩模底板制作的EUV光刻用反射型掩模上成为掩模图案区域的部位靠外侧的部位加热，使上述保护膜表面中的被加热的部位的EUV光的反射率降低。
在本发明的EUV掩模的制造方法(2)中，优选上述保护膜表面中的被加热的部位的、加热前后的EUV光的反射率的差为10～60％。
在本发明的EUV掩模的制造方法(2)中，加热前的EUV光的反射率为60％以上。
在本发明的EUV掩模的制造方法(1)和(2)中，优选以满足下述式的条件实施上述加热。
加热前的EUV光的反射率(％)-9370×加热时间(min)×exp(-4370/加热温度(K))≤1％
在本发明的EUV掩模的制造方法(1)和(2)中，优选在上述加热中采用光线或电子射线进行照射。
在本发明的EUV掩模的制造方法(1)和(2)中，优选在上述加热中采用发热构件。
在本发明的EUV掩模的制造方法(1)和(2)中，优选在上述加热中采用喷射预先加热的气体的方法。
在本发明的EUV掩模的制造方法(1)和(2)中，还可以具有在上述吸收膜上形成用于改善掩模图案检查时的光学对比度的防反射膜的工序。
另外，本发明提供一种使用本发明的EUV掩模的制造方法(1)和(2)制造的EUVL用反射型掩模底板(本发明的EUV掩模底板)。
在使用本发明的EUV掩模的制造方法(1)制造的EUV掩模底板中，优选来自吸收膜表面的EUV反射光的相位与来自多层反射膜表面的EUV反射光的相位相差175～185度。
在使用本发明的EUV掩模的制造方法(2)制造的EUV掩模底板中，优选来自吸收膜表面的EUV反射光的相位与来自多层反射膜表面的EUV反射光的相位相差175～185度。
在本发明的EUV掩模底板中，优选上述保护膜表面中的、比在使用EUVL用反射型掩模底板制作的EUV光刻用反射型掩模上成为掩模图案区域的部位靠外侧的部位的EUV光的反射率为1％以下，并且，成为掩模图案区域的部位的EUV光的反射率超过1％且为15％以下。
另外，本发明提供一种在本发明的EUV掩模底板的吸收膜上形成掩模图案而成的EUV光刻(EUVL)用反射型掩模(本发明的EUV掩模)。
另外，本发明提供一种通过使用本发明的EUV掩模在被曝光体上进行曝光来制造半导体集成电路的方法。
在使用本发明的EUV掩模实施EUV光刻时，吸收膜表面(在吸收膜上形成有低反射膜时，为该低反射膜表面)中的、掩模图案区域的外侧的区域(掩模图案区域的外周部)的EUV光的反射率降低。
由此，能够抑制由来自掩模图案区域的外侧的区域(掩模图案区域的外周部)的吸收膜表面的EUV反射光带来的影响、即由来自掩模图案区域的外侧的区域(掩模图案区域的外周部)的吸收膜表面的EUV反射光引起的基板上的抗蚀剂的不需要的感光。
关于掩模图案区域，通过利用相位偏移原理，能够使吸收膜的膜厚较薄，能够使图案微细化，使用该EUV掩模，形成在基板上的抗蚀剂上的转印图案的形状精度、尺寸精度是优良的。
在本发明的EUV掩模底板中，吸收膜表面(在吸收膜上形成有低反射膜时，为该低反射膜表面)中的、比在使用EUV掩模底板制作的EUV掩模上成为掩模图案区域的部位靠外侧的部位的EUV光的反射率降低，因此较佳地得到本发明的EUV掩模。
本发明EUV掩模底板能够通过本发明的EUV掩模底板的制造方法而获得，能够应用于EUV光刻法。
附图说明
图1是表示在大气氛围下使用加热板对带有多层反射膜(Mo/Si多层反射膜)和保护膜(Si膜、Ru膜)的基板加热10分钟时的、EUV光的反射率降低量的加热温度依赖性的曲线图。
图2是表示在基板上形成有多层反射膜的带多层反射膜的基板的一个例子的图。
图3是表示通过在图2所示的带多层反射膜的基板的多层反射膜上形成吸收膜而得到的EUV掩模底板的图。
图4是表示使用图3所示的EUV掩模底板制作的EUV掩模的一个例子的图。
图5是表示掩模图案形成后的EUV掩模的一个例子的概略剖视图。
图6是表示掩模图案形成后的EUV掩模的一个例子的俯视图。
图7是表示在实施例1和比较例1中形成的激光照射前的EUV掩模底板的反射率的曲线图。
具体实施方式
以下，说明本发明的EUV掩模底板的制造方法。
以下，按顺序示出了本发明的EUV的制造方法。
(1)准备基板。
(2)在基板上形成反射EUV光的多层反射膜。
(3)对多层反射膜表面中的、比在使用EUV掩模底板制作的EUV掩模上成为掩模图案区域的部位靠外侧的部位加热。
(4)在多层反射膜上形成吸收膜。
在此，为了长期稳定地维持作为多层反射膜所要求的特性，也可以在上述工序(2)和上述工序(3)之间追加在多层反射膜上形成保护膜的工序(5)。在该情况下，在上述工序(3)中，不对多层反射膜表面而对保护膜表面中的、比在使用EUV掩模底板制作的EUV掩模上成为掩模图案区域的部位靠外侧的部位加热。
另外，在通过蚀刻处理在吸收膜上形成掩模图案时，也可以在上述工序(3)和上述工序(4)之间追加在多层反射膜上或保护膜上形成发挥作为蚀刻阻止构件的作用的缓冲膜的工序(6)。
另外，为了能够对掩模图案进行检查，也可以在上述工序(4)之后追加在吸收膜上形成用于改善掩模图案检查时的光学对比度的防反射膜的工序(7)。
另外，后面进行了详述，也能够在实施了上述工序(4)、工序(7)之后利用加热部件实施上述工序(3)。
另外，为了去除在各个工序中附着在膜表面上的微粒、吸附在膜表面上的污染物质，也可以在各个工序之间追加清洗工序。
以下，按顺序详细说明各个工序。
[基板]
要求基板满足作为EUV掩模底板的基板的特性。因此，基板在曝光时的温度时具有低热膨胀系数(优选为0±1.0×10-7/℃，更优选为0±0.3×10-7/℃，还优选为0±0.2×10-7/℃，进一步优选为0±0.1×10-7/℃，特别优选为0±0.05×10-7/℃)，优选平滑性、平坦性及对清洗液的耐性优良的基板，该清洗液用于掩模底板或掩模图案形成后的EUV掩模的清洗等。作为基板，具体使用具有低热膨胀系数的玻璃、例如SiO2-TiO2类玻璃等，但是并不限定于此，也能够使用析出β石英固溶体后的结晶玻璃、石英玻璃、硅、金属等的基板。另外，也可以在基板上形成应力校正膜那样的膜。
为了能够在制造后的EUV掩模中获得高反射率和高转印精度，优选基板具有0.15nm rms以下、优选0.1nm rms以下的平滑的表面和100nm以下、优选70nm以下的平坦度。
基板的大小、厚度等，由制造的EUV掩模的设计值等适当决定。例如若列举一个例子，则是俯视外形为边长6英寸(152.4mm)的正方形、厚度为0.25英寸(6.35mm)的基板。
优选在基板的形成多层反射膜侧的表面(成膜面)上不存在缺陷。但是，在即使存在缺陷的情况下，凹状缺陷的深度和凸状缺陷的高度也为2nm以下，优选为1.5nm以下，并且这些凹状缺陷和凸状缺陷的半值宽度(FWHM(full width of half maximum))为60nm以下，优选为40nm以下，使得不会由于凹状缺陷和/或凸状缺陷而产生相位缺陷。
[多层反射膜]
作为EUVL用掩模底板的反射膜，基于能够提高EUV光的反射率，使用至少交替地多次层叠高折射率膜和低折射率膜而成的多层反射膜。在此，EUV光的反射率是指，在以入射角6～10度照射EUV光的波长区域的光线时的12～15nm的波长范围内的EUV光的反射率。
多层反射膜表面处的EUV光的反射率，优选最大值为60％以上，更优选为65％以上。
在多层反射膜中，在高折射率膜中广泛使用Si(波长13.5nm的折射率＝0.999)，在低折射率膜中广泛使用Mo(同上述波长的折射率＝0.924)。即，Mo/Si多层反射膜是最普通的。但是，多层反射膜并不限定于此，也能够使用Ru/Si多层反射膜、Mo/Be多层反射膜、Rh/Si多层反射膜、Pt/Si多层反射膜、Mo化合物/Si化合物多层反射膜、Si/Mo/Ru多层反射膜、Si/Mo/Ru/Mo多层反射膜、Si/Ru/Mo/Ru多层反射膜等。基于稳定性或制造的容易性等，优选多层反射膜为Mo/Si多层反射膜。另外，也应用于后述的局部加热。
构成多层反射膜的各层的膜厚及层的重复单位的数量，能够根据所使用的膜材料和多层反射膜所要求的EUV反射光的反射率而适当地选择。当以Mo/Si多层反射膜为例时，为了将EUV光的反射率的最大值设为60％以上，只要重复膜厚4.5±0.1nm的Si层和膜厚2.3±0.1nm的Mo层并按顺序进行层叠以使重复单位数达到30～60即可。
另外，构成多层反射膜的各层，只要使用磁控溅射法、离子束溅射法等众所周知的成膜方法形成为期望的膜厚即可。
例如，在使用离子束溅射法形成Mo/Si多层反射膜时，优选：使用Si靶材作为靶材，使用Ar气体(气压为1.3×10-2～2.7×10-2Pa，优选为1.5×10-2～2×10-2Pa)作为溅射气体，以离子加速电压300～1500V、优选500～1200V、成膜速度0.03～0.30nm/sec、优选0.05～0.2nm/sec形成Si膜，使得膜厚为4.5nm；接着，使用Mo靶材作为靶材，使用Ar气体(气压为1.3×10-2～2.7×10-2Pa，优选为1.5×10-2～2.5×10-2Pa)作为溅射气体，以离子加速电压300～1500V、优选500～1200V、成膜速度0.03～0.30nm/sec、优选0.05～0.2nm/sec形成Mo膜，使得膜厚为2.3nm。以此为1个周期，将Si膜和Mo膜层叠40～50个周期，从而形成Mo/Si多层反射膜。
[保护膜]
为了防止多层反射膜的表面及其附近在保管时自然氧化或在清洗时氧化，能够在多层反射膜上设置保护膜。作为保护膜，能够使用Si、Ru、Rh、C、SiC、或者这些元素的混合物、或者在这些元素中添加氮、硼等的元素等。使用Ru作为保护膜时，特别优选能够兼具后述的缓冲膜的功能。另外，使用Si作为保护膜时，通过在多层反射膜由Mo/Si构成时使最上层为Si膜，能够使该最上层作为保护膜发挥作用。在该情况下，也发挥作为保护膜的作用的最上层的Si膜的膜厚比普通的4.5nm厚，优选为5～15nm。另外，作为保护膜形成Si膜后，也可以在该Si膜上形成兼作保护膜和缓冲膜的Ru膜。
另外，多层反射膜、保护膜等的膜未必必须是1层，也可以是2层以上。
在多层反射膜上设置保护膜时，需要保护膜表面处的EUV光的反射率的最大值满足上述范围。即，优选保护膜表面处的EUV光的反射率的最大值为60％以上，更优选为65％以上。
[多层反射膜(保护膜)的加热]
本发明人得到了在对多层反射膜或保护膜加热时这些膜表面处的EUV光的反射率降低这样的发现。
具体而言，我们认为，在对多层反射膜加热时，通过形成多层反射膜的高折射材料与低折射材料相互扩散并发生反应而形成扩散层，EUV光的反射率降低。
我们认为，在对保护膜加热时，通过形成多层反射膜的表层的材料与形成保护膜的材料相互扩散并发生反应而形成扩散层，以及/或者通过形成位于保护膜的下方的多层反射膜的高折射材料与低折射材料相互扩散并发生反应而形成扩散层，EUV光的反射率降低。为了形成扩散层，保护膜的膜厚为1～15nm，特别优选为5～15nm。
在图1中，示出了在大气氛围下使用加热板对带有多层反射膜和保护膜的基板加热10分钟时的、EUV光的反射率降低量的加热温度依赖性，该多层反射膜和保护膜，是在基板(SiO2-TiO2类玻璃制)上按顺序交替层叠共计40层的Si膜(膜厚4.5nm)和Mo膜(膜厚2.3nm)而形成多层反射膜后、在该多层反射膜上形成Si膜(膜厚4.5nm)作为保护膜、在该Si膜上形成兼作保护膜和缓冲膜的Ru膜(膜厚2.5nm)后的多层反射膜和保护膜。另外，由于使用加热板对带膜的基板整体进行加热，所以整体的反射率降低，由于后述的光线、局部加热中局部加热，所以在局部反射率降低。但是，该反射率的降低量，不管是使用加热板还是使用光线，能够认为都是一样的。
在图1中，纵轴是EUV光的反射率降低量(ΔR(加热引起的反射率降低量(％))/R(加热前的反射率(％)×100))(％)，横轴是1000/T(加热温度)(1/K)。另外，此处所说的EUV光的反射率是指，12～15nm波长范围内的EUV光的反射率的最大值。EUV光的反射率的最大值是指，作为测量对象的膜表面的各个测量点处的反射率中的最大的反射率的值。
因为多层反射膜是一种布拉格反射镜，所以我们认为EUV光的反射率降低量依赖于生成的扩散层的厚度。图1的结果表示符合阿累尼乌斯公式的情况，即EUV光的反射率降低量几乎线性依赖于生成的扩散层的厚度，其加热温度依赖性为一般的反应速度的温度依赖性。另外，因为扩散层的厚度与反应时间(＝加热时间)成正比增加，所以EUV光的反射率降低量的加热温度、加热时间依赖性符合下式(1)。另外，在图1所示的例子的情况下，用式(2)表示式(1)。
反射率降低量∝扩散层的厚度
∝加热时间×exp(a+b/加热温度(K))  式(1)
(其中，a、b为常数)
反射率降低量(％)＝9130×加热时间(min)
×exp(-4370/加热温度(K))  式(2)
在表1中，整理并示出了由图1得到的由加热引起的EUV光的反射率降低量的温度依赖性。
[表1]
  温度   反射率降低量
  (℃)   (％)
  110   1.01
  130   1.77
  150   2.96
  170   4.72
  190   7.23
由图1和表1可知，通过对多层反射膜或保护膜加热，能够降低这些膜表面的EUV光的反射率。在本发明的EUV掩模底板的制造方法中，根据该发现，对多层反射膜表面(在多层反射膜上形成有保护膜时，为保护膜表面)中的、比在使用EUV掩模底板制作的EUV掩模上成为掩模图案区域的部位靠外侧的部位(成为掩模图案区域的外周部的部位)加热。使用附图说明该过程。以下，说明对多层反射膜表面加热的情况，但是在多层反射膜上形成有保护膜的情况下，在以下的说明中，将记载为多层反射膜的部位替换称为保护膜。
另外，如图6所示，一般在152mm×152mm正方形大小的EUV掩模100中，形成掩模图案的区域210与EUV曝光机的视角相同，一般为104×132mm的区域。在该区域内形成供制作1～9个左右器件的掩模图案300，有时在曝光机的1个视角内制作1～9个装置。在这种情况下，将相邻的器件(掩模图案)300的边界区域和成为外周部的部位(图中灰色区域所示的部位)与比成为掩模图案区域的部位靠外侧的部位同等对待。另外，图中灰色区域所示的部位的宽度依赖于其布局、器件的种类。
图2是表示在基板2上形成有多层反射膜3的带多层反射膜的基板的一个例子的图。在图2中，附图标记21表示在使用EUV掩模底板制作的EUV掩模上成为掩模图案区域的部位，附图标记22表示比成为掩模图案区域的部位靠外侧的部位(成为掩模图案区域的外周部的部位)
在本发明的EUV掩模底板的制作方法中，对图2所示的带多层反射膜的基板的多层反射膜3表面中的、成为掩模图案区域的外周部的部位22加热。如上所述，当对多层反射膜的表面加热时，在该表面处的EUV光的反射率降低，因此在加热后的带多层反射膜的基板中，多层反射膜3表面中的被加热的部位、即成为掩模图案区域的外周部的部位22处的EUV光的反射率与未被加热的部位、即成为掩模图案区域的部位21处的EUV光的反射率相比降低。
图3是表示通过在图2所示的带多层反射膜的基板的多层反射膜上形成吸收膜而得到的EUV掩模底板的图。如上所述，在图2所示的带多层反射膜的基板中，多层反射膜3表面中的、成为掩模图案区域的外周部的部位22处的EUV光的反射率与成为掩模图案区域的部位21处的EUV光的反射率相比降低，因此在图3所示的EUV掩模底板中，吸收膜4表面中的、成为掩模图案区域的外周部的部位22处的EUV光的反射率也降低。即，在由本发明的制造方法获得的EUV掩模底板中，吸收膜4表面中的、成为掩模图案区域的外周部的部位22处的EUV光的反射率与成为掩模图案区域的部位21处的EUV光的反射率相比降低。
图4是表示使用图3所示的EUV掩模底板制作的EUV掩模的一个例子的图。在图4所示的EUV掩模中，去除属于掩模图案区域21’的吸收膜4的一部分，形成掩模图案。在使用图4所示的EUV掩模实施EUV光刻时，吸收膜4表面中的、掩模图案区域的外周部22’处的EUV光的反射率与掩模图案区域21’处的EUV光的反射率相比降低，因此能够抑制由来自掩模图案区域的外周部22’的EUV反射光引起的基板上的抗蚀剂的不需要的感光。
为了达到上述效果，在图3所示的EUV掩模底板上，优选吸收膜4表面中的、成为掩模图案区域的外周部的部位22处的EUV光的反射率的最大值为1％以下，更优选为0.8％以下，特别优选为0.6％以下。另一方面，关于吸收膜4表面中的、成为掩模图案区域的部位21，要求降低来自该表面的EUV反射光的反射率，使得根据与多层反射膜3的关系EUV反射光的光学对比度充分地提高。但是，如上所述，为了使吸收膜4的膜厚更薄，只要利用相位偏移原理选择该表面处的EUV光的反射率使得根据与多层反射膜3的关系EUV反射光的光学对比度充分地提高即可。为了利用相位偏移原理，优选该表面处的EUV光的反射率的最大值超过1％且15％以下，更优选为5％以上15％以下(5～15％)，进一步优选为7％以上且15％以下(7～15％)。
另外，即使在不利用相位偏移原理的情况下，也优选该表面处的EUV光的反射率的最大值满足上述范围。
为了使图3所示的EUV掩模底板的吸收膜4表面中的、成为掩模图案区域的外周部的部位22处的EUV光的反射率的最大值和成为掩模图案区域的部位21处的EUV光的反射率的最大值满足上述范围，图2所示的带多层反射膜的基板的多层反射膜3表面中的被加热的部位、即成为掩模图案区域的外周部的部位22处的、加热前后的EUV光的反射率的差为10～60％，优选为15～50％，特别优选为20～50％。
如上所述，在不加热的状态下，优选多层反射膜表面处的EUV光的反射率的最大值为60％以上，更优选为65％以上。因为图2所示的带多层反射膜的基板的多层反射膜3表面中的、成为掩模图案区域的部位21没有被加热，所以EUV光的反射率的最大值位于上述范围。在将形成在EUV光的反射率的最大值位于上述范围内的多层反射膜3表面上的吸收膜4表面(成为掩模图案区域的部位21)处的EUV光的反射率的最大值设为超过1％且为15％以下、并且将吸收膜4表面中的、成为掩模图案区域的外周部的部位22处的EUV光的反射率的最大值设为1％以下时，优选多层反射膜3表面中的、成为掩模图案区域的外周部的部位22处的、加热前后的EUV光的反射率的差为10～60％。
优选多层反射膜3表面中的、成为掩模图案区域的外周部的部位22处的、加热前后的EUV光的反射率的差为10～60％，更优选为15～50％，特别优选为20～50％。
为了将多层反射膜3表面中的、成为掩模图案区域的外周部的部位22处的、加热前后的EUV光的反射率的差设为10～60％，优选以加热温度和加热时间满足下述式(I)的条件的方式实施加热。
加热前的EUV光的反射率(％)-9370×加热时间(min)×exp(-4370/加热温度(K))≤1％…(I)
作为满足上述式(I)的加热条件，例如能够列举以加热温度350℃、加热时间10分钟实施加热、以加热温度400℃、加热时间5分钟实施加热等。
更优选以加热温度和加热时间满足下述式(II)的条件的方式实施加热，进一步优选以满足下述式(III)的条件的方式实施加热。
加热前的EUV光的反射率(％)-9370×加热时间(min)×exp(-4370/加热温度(K))≤0.8％…(II)
加热前的EUV光的反射率(％)-9370×加热时间(min)×exp(-4370/加热温度(K))≤0.6％…(III)
另外，实施加热的环境并不特别地限定，可以在大气中实施，也可以在惰性气体、氮气那样的不活性气体中实施。但是，为了防止由表面氧化导致的表面粗糙度的增加，优选在惰性气体、氮气那样的不活性气体中实施。
用于对成为掩模图案区域的外周部的部位22进行加热的方法，只要是能够选择性地仅对多层反射膜3表面中的、成为掩模图案区域的外周部的部位22加热即可，并不特别地限定。
作为优选的加热方法的一个例子，能够列举通过从掩模图案的上方、下方或横向对多层反射膜3表面中的、成为掩模图案区域的外周部的部位22照射以激光、灯为光源的高能量的光线或照射电子射线而进行加热的直接加热方法、或者对多层反射膜3表面中的、成为掩模图案区域的外周部的部位22喷射预先加热的气体，利用从气体向多层反射膜的热传导进行加热的间接加热方法等。
在照射以激光、灯为光源的光线时，需要选择在构成多层反射膜的材料上具有吸收性的波长区域的光线。例如，能够列举F2激光器(波长约157nm)、ArF准分子激光器(波长约193nm)、KrF准分子激光器(波长约248nm)、YAG激光4倍高次谐波器(波长约266nm)、XeCl准分子激光器(波长约308nm)、Ar激光器(波长约488nm)、YAG激光器(波长约1064nm)、CO2激光器(波长约10.6μm)等的激光光源、氙弧灯(波长约300～约1000nm)、卤素灯(波长约600～约6000nm)等的灯光源。另外，在喷射预先加热的气体的方法的情况下，作为气体能够使用氦气、氩气、氮气等不活性气体、或者空气、水、或者这些气体的混合气体，但是基于热容量、操作性方面考虑，特别优选氦气。
作为优选的加热方法的另一例子，能够列举使利用电阻加热、感应加热等而进行发热的发热构件与多层反射膜3表面中的、成为掩模图案区域的外周部的部位22相接近，并通过辐射或经由气体的热传导进行加热的方法。具体而言，能够列举进行使用钨、碳等丝的电阻加热的发热构件或进行使用碳、铁、不锈钢等磁性体的感应加热的发热构件等。另外，作为上述以外的加热构件，能够列举具有能够加热的探针的原子力显微镜(AFM)、扫描型隧道显微镜(STM)或触针式膜厚计，作为市场上销售的产品，存在有美国Anasys Instruments公司的nano-TA局部热解析***。
在对成为掩模图案区域的外周部的部位22加热时，优选尽可能地防止掩模图案区域被加热从而掩模图案区域的EUV光的反射率降低。具体而言，优选将由对成为掩模图案区域的外周部的部位22加热引起的、掩模图案区域的EUV光的反射率降低设为0.1％以下，将波长偏移量设为0.01nm以下。因此，在对成为掩模图案区域的外周部的部位22加热时，优选极力避免掩模图案区域被加热升温。
因此，在对成为掩模图案区域的外周部的部位22加热时，为了防止掩模图案区域的升温，能够采用将冷却为室温以下(例如10℃以下)或者调整了温度的Al、Cu等金属、SiC、AiN等的高导热物或者热电转换元件设置在掩模图案区域的上方，具体而言设置在掩模图案区域的上方大约1～10mm处的方法、或将冷却为室温以下(例如10℃以下)或者调整了温度的气体(氦气、氢气等)向掩模图案区域喷射的方法。
另外，作为加热方法，即使在上述方法中，也优选通过照射高能量的光线、电子射线来进行加热的方法能够在短时间内仅对希望的部位加热。另外，在照射上述光线、电子射线时，能够从基板上方、下方或斜向等任意方向进行照射，但是由于从上方照射简便且无需考虑基板的吸收，所以是好的。
优选在加热后对多层反射膜3表面中的、成为掩模图案区域的外周部的部位22处的EUV光的反射率进行测量、对部位22处的EUV光的反射率的最大值降至期望的范围的情况进行确认，在确认到上述情况之后在该多层反射膜3上形成吸收膜。在部位22处的EUV光的反射率没有降至期望的范围时，也可以对部位22进一步加热，从而使来自部位22的EUV光的反射率降至期望的范围。
另外，采用通过照射高能量的光线、电子射线来进行加热的方法，在也能够在形成吸收膜后、形成防反射膜后对成为掩模图案区域的外周部的部位22进行加热这一点上是有效的。在该情况下，作为高能量的光线，只要使用在吸收膜表面、防反射膜表面的反射率较低的波长区域的光线即可，具体而言，例如能够使用用作掩模图案的检查光的接近波长257nm的波长的光线、248nm的KrF准分子激光、YAG激光4倍高次谐波(波长约266nm)。另外，随着掩模图案的微细化，正在研究使用于掩模图案的检查光的光短波化，将来有可能将波长199nm、波长193nm的光用于检查。在该情况下，能够使用波长193nm的ArF准分子激光。
另外，与本发明的方法不同，通过减少成为掩模图案区域的外周部的部位22的多层反射膜的重复数量，也能够降低成为掩模图案区域的外周部的部位22处的EUV光的反射率。具体而言，通过将成为掩模图案区域的部位21在多层反射膜3中的重复单位数设为30～60、另一方面将成为掩模图案区域的外周部的部位22在多层反射膜中的重复单位数设为10层以下，也能够形成比成为掩模图案区域的部位靠外侧的部位的EUV光的反射率为1％以下、并且成为掩模图案区域的部位的EUV光的反射率超过1％且为15％以下的EUV掩模。
[吸收膜]
在吸收膜4上特别要求的特性是，根据与多层反射膜3的关系(在该多层反射膜3上形成有保护膜时，为与该保护膜的关系)，EUV反射光的光学对比度充分地提高。为了达成上述特性，优选使吸收膜4表面处的EUV光的反射率极其低，但是因为要求使吸收膜4的膜厚变薄，所以仅靠降低吸收膜4表面处的EUV光的反射率来充分地提高EUV反射光的光学对比度是不现实的，优选根据与来自多层反射膜3的反射光的关系利用相位偏移原理来充分地提高EUV反射光的光学对比度。
为了根据与来自多层反射膜3的反射光的关系利用相位偏移原理，优选来自吸收膜4的EUV反射光的相位与来自多层反射膜3的EUV反射光的相位相差175～185度。
另外，为了充分地提高EUV反射光的光学对比度，优选来自吸收膜4的EUV反射光与来自多层反射膜3的EUV反射光的相位差为175～185度，更优选为177～183度。
如上所述，为了利用相位偏移原理，优选吸收膜4表面中的、成为掩模图案区域的部位21处的EUV光的反射率的最大值为5～15％，更优选为6～15％，进一步优选为7～15％。
另一方面，关于吸收膜4表面中的、成为掩模图案区域的外周部的部位22，为了通过加热降低位于其下方的多层反射膜3处的EUV光的反射率，优选部位22处的EUV光的反射率的最大值为1％以下，更优选为0.8％以下，特别优选为0.6％以下。
为了达成上述特性，吸收膜4由EUV光吸收系数高的材料构成。作为EUV光吸收系数高的材料，优选使用以钽(Ta)为主要成分的材料。在本说明书中，以钽(Ta)为主要成分的材料是指，在该材料中含有Ta40at％(原子组成比％)以上的材料。吸收膜4优选含有50at％以上的Ta，更优选含有55at％以上的Ta。
吸收膜4所用的以Ta为主要成分的材料，除Ta以外还含有从由铪(Hf)、硅(Si)、锆(Zr)、锗(Ge)、硼(B)、氢(H)及氮(N)构成的群中选择的至少1种成分。作为含有除Ta以外的上述元素的材料的具体例子，例如能够列举TaN、TaNH、TaHf、TaHfN、TaBSi、TaBSiN、TaB、TaBN、TaSi、TaSiN、TaGe、TaGeN、TaZr、TaZrN等。
但是，优选在吸收膜4中不含有氧(O)。具体而言，优选吸收膜4中的O的含有率小于25at％。在EUV掩模底板的吸收膜上形成掩模图案而制作EUV掩模时，一般采用干蚀刻(D ryEtching)处理，作为蚀刻气体，一般使用氯类气体(或者含有氯类气体的混合气体)或氟气(或者含有氟类气体的混合气体)。出于防止由于蚀刻处理多层反射膜受到损伤的目的，在多层反射膜上形成含有Ru或Ru化合物的膜作为保护膜时，因为保护膜的损伤较少，所以主要使用氯类气体作为蚀刻气体。但是，在使用氯类气体实施干蚀刻处理时，当吸收膜4含有氧时，蚀刻速度降低，抗蚀剂损伤变大，不是令人满意的。吸收膜4中的氧的含有率优选为15at％以下，更优选为10at％以下，进一步优选为5at％以下。
以来自吸收膜4的EUV反射光与来自多层反射膜3的EUV反射光的相位差为175～185度的方式选择吸收膜4的厚度，并且，优选为10～60nm。吸收膜4的厚度更优选为15～40nm。
上述结构的吸收膜4能够通过实施公知的成膜方法、例如磁控溅射法或离子束溅射法来形成。
例如，作为吸收膜4，在使用磁控溅射法形成TaHf膜时，只要以如下条件实施即可。
溅射靶材：TaHf化合物靶材(Ta＝30～70at％、Hf＝70～30at％)
溅射气体：Ar气体等不活性气体(气压为1.0×10-1～50×10-1P a、优选为1.0×10-1～40×10-1Pa、更优选为1.0×10-1～30×10-1Pa)
成膜前真空度：1×10-4Pa以下，优选为1×10-5Pa以下，更优选为1×10-6Pa以下
输入电力：30～1000W，优选为50～750W、更优选为80～500W
成膜速度：2.0～60nm/min、优选为3.5～45nm/min、更优选为5～30nm/min
[缓冲膜]
为了防止由于在EUV掩模底板的吸收膜4上形成掩模图案而制作EUV掩模时实施的蚀刻处理、一般为干蚀刻处理导致多层反射膜3受到损伤，也可以在多层反射膜3(在多层反射膜上形成有保护膜时，为保护膜)与吸收膜4之间设置发挥作为蚀刻阻止构件的作用的缓冲膜。
作为缓冲膜的材质，选择难以受到吸收膜4的蚀刻处理的影响的物质，即、该蚀刻速度比吸收膜4慢且难以受到该蚀刻处理的损伤的物质。作为满足该条件的物质，例示有例如Cr、Al、Ru、Ta及它们的氮化物、以及SiO2、Si3N4、Al2O3或它们的混合物。即使在这些物质之中，也优选Ru、CrN及SiO2，更优选CrN和Ru，为了兼具保护膜和缓冲膜的功能，特别优选Ru。
缓冲膜的膜厚优选为1～60nm，特别优选为1～10nm，进一步优选为1～5nm。
使用磁控溅射法、离子束溅射法等众所周知的成膜方法形成缓冲膜。在利用磁控溅射法形成Ru膜时，优选使用Ru靶材作为靶材，使用Ar气体(气压为1.0×10-1～10×10-1Pa、优选为2×10-1～7×10-1Pa)作为溅射气体，以输入电力30～500W、优选50～400W、成膜速度5～50nm/min、优选10～35nm/min进行成膜，使得膜厚为2～5nm，优选为2.5～4.5nm。
[防反射膜]
在本发明的掩模底板的制造方法中，也可以在吸收膜4上设置用于改善掩模图案检查时的光学对比度的防反射膜。
在EUV掩模底板的吸收膜上形成掩模图案而制作EUV掩模时，检查掩模图案是否是按照设计形成的。在该掩模图案的检查中，一般使用将波长257nm左右的光(波长248nm的KrF准分子激光或YAG激光4倍高次谐波(波长约266nm))用作检查光的检查机。即，利用257nm左右的波长区域中的反射光的光学对比度进行检查。
在本发明的EUV掩模底板的吸收膜中，EUV光的反射率极其低，作为EUV掩模底板的吸收膜具有优良的特性，但是在检查光的波长区域中，不能说反射率必须充分低，有可能不能充分地获得掩模图案检查时的光学对比度。当不能充分地获得光学对比度时，就不能够在掩模图案检查时充分地判别缺陷，不能进行正确的缺陷检查。
当在吸收膜上形成防反射膜时，向防反射膜表面照射掩模图案的检查光时的反射率极其低，因此掩模图案检查时的光学对比度良好。具体而言，优选向防反射膜表面照射掩模图案的检查光时的反射率为15％以下，更优选为10％以下，进一步优选为5％以下。
为了达成上述特性，优选防反射膜由检查光的波长的折射率比吸收膜低的材料构成。
优选在防反射膜上使用以钽(Ta)为主要成分的材料。防反射膜所用的以Ta为主要成分的材料，除Ta以外还含有从由铪(Hf)、锗(Ge)、硅(Si)、硼(B)、氮(N)、氢(H)及氧(O)构成的群中选择的至少1种成分。
作为含有除Ta以外的上述元素的材料的具体例子，例如能够列举TaO、TaON、TaONH、TaHfO、TaHfON、TaBSiO、TaBSiON等。
在吸收膜上形成防反射膜时，优选吸收膜和防反射膜的厚度合计为10～65nm，更优选为30～65nm，进一步优选为35～60nm。另外，当防反射膜的膜厚比吸收膜的膜厚厚时，有可能在吸收膜上的EUV光吸收特性降低，因此优选防反射膜的膜厚比吸收膜的膜厚薄。因此，优选防反射膜的厚度为1～20nm，更优选为3～15nm，进一步优选为5～10nm。
在本发明的EUV掩模底板的制造方法中，除了多层反射膜、保护膜、缓冲膜、吸收膜、防反射膜以外，在EUV掩模底板的领域中，也可以在EUV掩模底板上设置公知的功能膜。作为这种功能膜的具体例子，例如能够列举如日本特表2003-501823号公报所述的、为了促进基板的静电夹盘(chucking)的作用而在基板的背面侧(相对于成膜面)实施的高介电涂层。以这种目的在基板的背面上实施的高介电涂层，以薄层电阻成为100Ω/□(ohm/square)以下的方式选择构成材料的导电率和厚度。
作为高介电涂层的构成材料，能够从公知文献所述的内容中广泛地进行选择。例如，能够应用日本特表2003-501823号公报所述的高介电常数的涂层，具体而言，是由硅、氮化钛、钼、铬及硅化钽构成的涂层。高介电涂层的厚度，例如能够设为10～1000nm。
能够使用公知的成膜方法、例如磁控溅射法、离子束溅射法这样的溅射法或者CVD法、真空蒸镀法、电解电镀法等来形成高介电涂层。
通过在由上述过程得到的EUV掩模底板的吸收膜上采用光刻处理形成期望的掩模图案，能够得到EUV掩模。
由上述过程得到的EUV掩模，能够应用于将EUV光用作曝光用光源的光刻法的半导体集成电路的制造方法。具体而言，将涂敷了抗蚀剂的硅晶圆等基板配置在载置台上，将本发明的EUV掩模设置在组合反射镜而构成的反射型的曝光装置上。然后，从光源经由反射镜向EUV掩模照射EUV光，利用EUV掩模反射EUV光地向涂敷有抗蚀剂的基板进行照射。通过该图案转印工序，电路图案被转印在基板上。转印有电路图案的基板，通过显影将感光部分或非感光部分蚀刻后，剥离抗蚀剂。通过重复这种工序来制造半导体集成电路。
实施例
以下，列举实施例来具体说明本发明，但是并不是由此解释为限定本发明。
〔实施例1〕
作为成膜用的基板，使用SiO2-TiO2类的玻璃基板(俯视外形边长6英寸(152mm)的正方形、厚度为6.35mm)。该玻璃基板的热膨胀系数为0.2×10-7/℃，杨氏模量为67GPa，泊松比为0.17，相对刚性为3.07×107m2/s2。通过研磨使该玻璃基板形成为表面粗糙度(rms)为0.15nm以下的平滑的表面和100nm以下的平坦度。
通过使用磁控溅射法在基板的背面侧形成厚度100nm的CrN膜，实施薄片电阻70Ω/□的导电膜。
经由形成的CrN膜将基板固定在平板形状的普通的静电夹盘(Electrostatic Chuck)上，使用离子束溅射法在该基板的表面上交替形成Si膜和Mo膜，通过重复50个周期，形成Si/Mo多层反射膜(以下，有时也称作反射层)。
而且，通过使用离子束溅射法在Si/Mo多层反射膜(反射层)上形成Ru膜(膜厚2.5nm)，形成缓冲膜。
CrN膜、Si膜、Mo膜和Ru膜的成膜条件如下所述。
CrN膜的成膜条件
靶材：Cr靶材
溅射气体：Ar和N2的混合气体(Ar：70vol％、N2：30vol％、气压：0.3Pa)
输入电力：150W
成膜速度：0.11nm/sec
膜厚：100nm
Si膜的成膜条件
靶材：Si靶材(掺杂硼)
溅射气体：Ar气(气压0.02Pa)
电压：700V
成膜速度：0.077nm/sec
膜厚：4.5nm
Mo膜的成膜条件
靶材：Mo靶材
溅射气体：Ar气(气压0.02Pa)
电压：700V
成膜速度：0.064nm/sec
膜厚：2.3nm
缓冲膜(Ru膜)的成膜条件
靶材：Ru靶材
溅射气体：Ar气(气压0.02Pa)
电压：500V
成膜速度：0.023nm/sec
膜厚：2.5nm
接着，使用磁控溅射法在缓冲膜上形成含有Ta、N及H的吸收膜(以下，有时也称作吸收体层)(TaNH膜)。
吸收层的组成比(at％)为Ta∶N∶H＝58∶39∶3。
吸收膜(吸收体层)的成膜条件如下所述。
吸收膜(吸收体层(TaNH膜))的成膜条件
靶材：Ta靶材
溅射气体：Ar、N2及H2的混合气体(Ar：89vol％、N2：8.3vol％、H2：2.7vol％、气压：0.46Pa)
输入电力：300W
成膜速度：1.5nm/min
膜厚：51nm
使用磁控溅射法在吸收体层上形成含有Ta、N及O的防反射膜来作为针对波长257nm的检查光的防反射膜(以下，有时也称作低反射层)，得到EUV掩模底板。低反射层的组成比(at％)为Ta∶N∶O＝22.1∶4.4∶73.5。
防反射膜(低反射层(TaON膜))的成膜条件如下所述。
防反射膜(低反射层(TaON膜))的成膜条件
靶材：Ta靶材
溅射气体：Ar、N2及O2的混合气体(Ar：36vol％、N2：14vol％、O2：50vol％、气压：0.3Pa)
输入电力：450W
成膜速度：0.28nm/min
膜厚：10nm
图7示出了制作的EUV掩模底板的波长200～500nm中的反射率光谱。EUV掩模底板在波长260nm附近的反射率较低，适于使用波长257nm的光的掩模图案检查。另外，将波长248nm的KrF准分子激光(能量密度10mJ/cm2/脉冲、频率100Hz)从多层反射膜3的上部向EUV掩模底板的外周部(相当于图2或图3中的附图标记22的部位)照射10分钟。即，仅对成为外周部的部位22局部加热。测量上述部位22处的入射角度为6度(相对于底板法线的角度)的波长13～14nm中的峰值反射率(EUV光的反射率)。峰值反射率为0.8％。
〔实施例1〕
与实施例1相同地形成EUV掩模底板。不进行实施例1中的激光的照射，利用与实施例1相同的方法测量峰值反射率(EUV光的反射率)。部位22的峰值反射率为2.2％。
工业实用性
使用本发明的EUV(Extreme Ultra Violet：极端紫外)光刻用反射型掩模底板制作的EUV光刻用反射型掩模，使用该EUV掩模形成在基板上的抗蚀剂上的转印图案的形状精度、尺寸精度优良，能够应用于将EUV光用作曝光用光源的光刻法的微细图案的半导体集成电路的制造方法。
另外，在此引用了2008年9月5日申请的日本专利申请2008-227909号的说明书、权利要求书、附图及摘要的全部内容，作为本发明的说明书的公开文本而导入。
附图标记说明
2、基板
3、多层反射膜
4、吸收膜
21、在EUV掩模上成为掩模图案区域的部位
22、在EUV掩模上比成为掩模图案区域的部位靠外侧的部位(在EUV掩模上成为掩模图案区域的外周部的部位)
100、EUV掩模
120、基板
130、多层反射膜
140、吸收膜
200、实际的曝光区域
210、掩模图案区域
220、掩模图案区域的外周部
300、掩模图案(装置)

Claims (26)

1.一种EUVL用反射型掩模底板的制造方法，是EUV光刻(EUVL)用反射型掩模底板的制造方法，其在基板上至少交替层叠高折射率膜和低折射率膜，形成反射EUV光的多层反射膜，在该多层反射膜上形成吸收EUV光的吸收膜，其特征在于，在该EUVL用反射型掩模底板的制造方法中，
在形成上述多层反射膜后，通过对上述多层反射膜表面中的、比在使用EUVL用反射型掩模底板制作的EUV光刻用反射型掩模上成为掩模图案区域的部位靠外侧的部位加热，使上述多层反射膜表面中的被加热的部位的EUV光的反射率降低。
2.根据权利要求1所述的EUVL用反射型掩模底板的制造方法，其特征在于，
上述多层反射膜表面中的被加热的部位的、加热前后的EUV光的反射率的差为10～60％。
3.根据权利要求2所述的EUVL用反射型掩模底板的制造方法，其特征在于，
加热前的EUV光的反射率为60％以上。
4.根据权利要求2或3所述的EUVL用反射型掩模底板的制造方法，其特征在于，
以满足下述式的条件实施上述加热：
加热前的EUV光的反射率(％)-9370×加热时间(min)×exp(-4370/加热温度(K))≤1％。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的EUVL用反射型掩模底板的制造方法，其特征在于，
在上述加热中采用光线或电子射线进行照射。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的EUVL用反射型掩模底板的制造方法，其特征在于，
在上述加热中采用发热构件。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的EUVL用反射型掩模底板的制造方法，其特征在于，
在上述加热中采用喷射预先加热的气体的方法。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的EUVL用反射型掩模底板的制造方法，其特征在于，
还具有在上述吸收膜上形成用于改善掩模图案检查时的光学对比度的防反射膜的工序。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的EUVL用反射型掩模底板的制造方法，其特征在于，
对成为掩模图案区域的外周部的部位的EUV光的反射率进行测量，在确认到上述部位的EUV光的反射率的最大值已降至期望的范围之后形成上述吸收膜。
10.一种EUVL用反射型掩模底板的制造方法，是EUV光刻(EUVL)用反射型掩模底板的制造方法，其在基板上至少交替层叠高折射率膜和低折射率膜，形成反射EUV光的多层反射膜，在该多层反射膜上形成保护膜，在该保护膜上形成吸收EUV光的吸收膜，其特征在于，在该EUVL用反射型掩模底板的制造方法中，
在形成上述保护膜后，通过对上述保护膜表面中的、比在使用EUVL用反射型掩模底板制作的EUV光刻用反射型掩模上成为掩模图案区域的部位靠外侧的部位加热，使上述保护膜表面中的被加热的部位的EUV光的反射率降低。
11.根据权利要求10所述的EUVL用反射型掩模底板的制造方法，其特征在于，
上述保护膜表面中的被加热的部位的、加热前后的EUV光的反射率的差为10～60％。
12.根据权利要求11所述的EUVL用反射型掩模底板的制造方法，其特征在于，
加热前的EUV光的反射率为60％以上。
13.根据权利要求11或12所述的EUVL用反射型掩模底板的制造方法，其特征在于，
以满足下述式的条件实施上述加热：
加热前的EUV光的反射率(％)-9370×加热时间(min)×exp(-4370/加热温度(K))≤1％。
14.根据权利要求10～13中任一项所述的EUVL用反射型掩模底板的制造方法，其特征在于，
在上述加热中采用光线或电子射线进行照射。
15.根据权利要求10～13中任一项所述的EUVL用反射型掩模底板的制造方法，其特征在于，
在上述加热中采用发热构件。
16.根据权利要求10～13中任一项所述的EUVL用反射型掩模底板的制造方法，其特征在于，
在上述加热中采用喷射预先加热的气体的方法。
17.根据权利要求10～16中任一项所述的EUVL用反射型掩模底板的制造方法，其特征在于，
还具有在上述吸收膜上形成用于改善掩模图案检查时的光学对比度的防反射膜的工序。
18.根据权利要求10～17中任一项所述的EUVL用反射型掩模底板的制造方法，其特征在于，
对成为掩模图案区域的外周部的部位的EUV光的反射率进行测量，在确认到上述部位的EUV光的反射率的最大值已降至期望的范围之后形成上述吸收膜。
19.一种EUVL用反射型掩模底板，其特征在于，
其由权利要求1～9中任一项所述的方法制造。
20.根据权利要求19所述的EUVL用反射型掩模底板，其特征在于，
来自吸收膜表面的EUV反射光的相位与来自多层反射膜表面的EUV反射光的相位相差175～185度。
21.根据权利要求19或20所述的EUVL用反射型掩模底板，其特征在于，
吸收膜表面中的、比在使用EUVL用反射型掩模底板制作的EUV光刻用反射型掩模上成为掩模图案区域的部位靠外侧的部位的EUV光的反射率为1％以下，并且，成为掩模图案区域的部位的EUV光的反射率超过1％且为15％以下。
22.一种EUVL用反射型掩模底板，其特征在于，
其由权利要求10～18中任一项所述的方法制造。
23.根据权利要求22所述的EUVL用反射型掩模底板，其特征在于，
来自吸收膜表面的EUV反射光的相位与来自多层反射膜表面的EUV反射光的相位相差175～185度。
24.根据权利要求22或23所述的EUVL用反射型掩模底板，其特征在于，
吸收膜表面中的、比在使用EUVL用反射型掩模底板制作的EUV光刻用反射型掩模上成为掩模图案区域的部位靠外侧的部位的EUV光的反射率为1％以下，并且，成为掩模图案区域的部位的EUV光的反射率超过1％且为15％以下。
25.一种EUV光刻(EUVL)用反射型掩模，其特征在于，
其是在权利要求19～24中任一项所述的EUVL用反射型掩模底板的吸收膜上形成掩模图案而成的。
26.一种半导体集成电路的制造方法，其特征在于，
其使用权利要求25所述的EUVL用反射型掩模，对被曝光体进行曝光。
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