CN1441316A - 光掩模的制造方法和使用该光掩模的半导体装置制造方法 - Google Patents

光掩模的制造方法和使用该光掩模的半导体装置制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明的课题是提供能进行精度更高的是否合格的判断的光掩模的制造方法。本发明的光掩模的制造方法包含下述步骤：在光掩模上作成掩模图案(ST.1)；测定作成的掩模图案的尺寸(ST.2、ST.3)；根据尺寸测定的结果，求出在被曝光体上曝光掩模图案时的曝光余量；判断求出的曝光余量是否满足规定的曝光余量；根据是否满足曝光余量的判断结果，判断光掩模是否合格；该制造方法的特征在于：尺寸测定包含掩模图案中在被曝光体上曝光该掩模图案时曝光余量小的临界图案部的尺寸测定。

Description

光掩模的制造方法和 使用该光掩模的半导体装置制造方法
技术领域
本发明涉及光掩模的制造方法以及使用了该光掩模的半导体装置的制造方法。
背景技术
在半导体器件的制造工序中，有在半导体晶片上形成各种图案的图案形成工序、即所谓的光刻工序。在光刻工序中使用了光掩模。
近年来，对光掩模要求的尺寸精度越来越严格，例如，光掩模面内的尺寸均匀性必须为10nm以下。在光掩模的制造工序中，有多个判断是良品还是不良品的项目，以往，只要该项目中的一项不满足规格，就定为不良品、即不合格。
在图8中示出光掩模、例如半色调(ハ-フト-ン)型相位偏移掩模的规格的代表性的项目和规格值的例子。即使在图8中示出的项目，就有11个项目，以往在该11个项目中只要有1项超过规格值的光掩模就定为不合格。虽然光掩模制造技术的高精度化在不断地进展，但由于对光掩模要求的尺寸精度越来越严格，故能得到良品的成品率在下降。
光掩模的规格是这样来决定的，即，在对于半导体晶片的图案曝光中，即使在为得到所希望的曝光余量而必要的以往的规格的各项目全部为规格值的极限值的情况下，也能得到所希望的曝光余量。但是，在实际的光掩模中，全部的项目为规格值的极限值的情况是极为稀少的，大部分的光掩模大多是下述的情况：即使某个项目超过了规格值，但其它的项目具有余量，处于规格值之内。这样的光掩模以往作为不合格来处置，但本发明者们发现了其中存在能得到所希望的曝光余量的光掩模、即在批量生产制品时没有问题的光掩模的事实。即，假设在即使有超过了规格值的项目而其它的项目具有余量而处于规格值之内的情况下，如果因超过了规格值的项目导致的曝光余量的减少部分在具有余量而处于规格值之内的项目的曝光余量的增加部分之下，则作为整体来说，可得到所希望的曝光余量。
图9中示出被定为不合格的半色调型相位偏移掩模的以往的测定例。如图9中所示，即使例如图案尺寸平均值的离目标值的偏移为13nm而超过了规格值的±10nm，而该掩模的图案尺寸面内均匀性为4nm(3σ)，与作为规格值的8nm(3σ)相比具有余量而成为较小的值，在该情况下，如果实际上在晶片上对该掩模进行曝光并测定散焦余量和曝光量余量，则是可得到所希望的曝光余量的。作为关于这方面的本件申请人的先前的申请，有专利申请2000-260285号(平成12年8月3日申请)和专利申请2001-159380号(平成13年5月28日申请)。
在专利申请2000-260285号中，测定光掩模的半导体器件图案(掩模图案)尺寸离散值(ばらつき)及其平均值，根据该测定数据计算曝光余量，如果满足规定的曝光余量，则判断为良品(合格)。此外，在光掩模是相位偏移掩模的情况下，进一步测定相位偏移膜的透射率及其相位差，也根据该测定数据计算曝光余量，如果满足规定的曝光余量，则判断为合格。
专利申请2001-159380号相对于专利申请2000-260285号来说，根据描画位置精度、缺陷部位及缺陷修正后的修正部位等的测定数据来估计曝光余量，可进行精度更高的是否合格的判断。此外，在不能得到所希望的曝光余量的情况下，使用该光掩模的顾客进一步从器件特性的观点或器件制造的观点来判断能否使用，在包含过程管理条件的形态下作出是否合格的判定。
但是，半导体器件的微细化、大规模集成化在其后继续得到了进展，对于光掩模来说，也要求精度更高的是否合格的判断。
发明内容
本发明是鉴于上述的情况而进行的，其目的在于提供能进行精度更高的是否合格的判断的光掩模的制造方法以及使用了该光掩模的半导体装置的制造方法。
本发明的第1形态的光掩模的制造方法是包含下述步骤的光掩模的制造方法：在光掩模上作成掩模图案，测定上述已作成的掩模图案的尺寸，根据上述尺寸测定的结果，求出在被曝光体上曝光上述掩模图案时的曝光余量，判断上述求出的曝光余量是否满足规定的曝光余量，根据是否满足上述曝光余量的判断结果，判断上述光掩模是否合格；该制造方法的特征在于：上述尺寸测定包含上述掩模图案中在上述被曝光体上曝光该掩模图案时曝光余量小的临界图案(クリテイカルパタ-ン)部的尺寸测定。
本发明的第2形态的半导体装置的制造方法的特征在于：使用光掩模来制造半导体装置，该光掩模是这样制造的：在光掩模上作成掩模图案，包含该掩模图案中的在上述被曝光体上曝光时曝光余量小的临界图案部的尺寸测定来测定已作成的掩模图案的尺寸，根据尺寸测定的结果，求出在被曝光体上曝光上述掩模图案时的曝光余量，判断求出的曝光余量是否满足了规定的曝光余量。
附图说明
图1是示出本发明的一个实施例的光掩模的制造方法的流程图。
图2A是示出光掩模的图案配置的一例的平面图，图2B是示出单位图形组的一例的平面图。
图3A～图3C分别是示出单位描画区域的描画错误的例子的平面图。
图4A和图4B分别是示出描画装置的图案形成误差的例子的平面图。
图5是示出临界图案部的一例的平面图。
图6A～图6C分别是示出临界图案部的尺寸测定的一例的平面图。
图7是示出临界图案部的测定部位的一例的平面图。
图8是示出半色调型相位偏移掩模的规格值的一例的图。
图9是示出半色调型相位偏移掩模的测定结果的一例的图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的一个实施例。在该说明时，在整个图中对于共同的部分附以共同的参照符号。
图1是示出本发明的一个实施例的光掩模的制造方法的流程图。本第1实施例是将本发明作为光掩模适用于半色调型相位偏移掩模(以下，称为HT型掩模)的例子。但是，本发明不限于应用于HT型掩模，也可适用于HT型掩模以外的相位偏移掩模，当然也可应用于相位偏移掩模以外的光掩模。
如图1中所示，在掩模空白区(マスクブランクス)上形成掩模图案、例如半导体器件图案(ST.1)。
在本例中，将例如电子束描画装置用于HT型掩模空白区上的感应材料、例如抗蚀剂上，描画基于表现了半导体器件的图形图案的描画图案数据的所希望的半导体器件图案。接着，以已被描画的半导体器件图案为基础，通过经过显影和刻蚀处理，在掩模空白区的玻璃基板上作成由半透明膜(半色调膜)构成的半导体器件图案。在本说明书中，所谓半导体器件图案，是指元件隔离区图案、栅电极图案、接触孔或通孔、布线图案或离子束注入用的窗口图案等的半导体器件的制造中使用的各种各样的图案。另外，在掩模图案的描画中，可以使用电子束描画装置以外的描画装置、例如激光束描画装置和离子束描画装置等。此外，不限于描画，也可使用例如缩小复制装置进行复制。
接着，测定已作成的半导体器件图案的尺寸，测定该尺寸相对于设计值来说以怎样的程度的差异被作成的。
图2A中示出成为测定对象的光掩模的图案配置的一例以及图2B中示出在光掩模中配置的单位图形组的一例。
如图2A中所示，在图案配置的一例中，在光掩模20内配置了横向2列、纵向4段的合计8个作为半导体器件的一单位的芯片21。在芯片21是半导体存储器器件的情况下，以矩阵状重复地配置了例如图2B中示出的单位图形组的区域占了芯片21的大部分。从这样的单位图形组中抽出例如一个单位图形25，测定例如用参照符号23、24示出的部分的尺寸。本例的单位图形25基本上是具有短轴和长轴的哑铃型。在本例中，在例如每1芯片8点的测定点22、合计64点上测定例如哑铃型的单位图形25的短轴尺寸23和长轴尺寸24，计算尺寸的平均值，定为该光掩模的平均尺寸值(ST.2)。再计算64点的测定点22的离散值，定为尺寸离散值(ST.3)。其次，判定平均尺寸值和尺寸离散值是否处于特定的掩模制造线的管理范围内，在处于范围内的情况下，进入下一个测定工序，在处于范围外的情况下，判定为存在某种异常情况，作为不良品再次进行制作。在此，在上述测定工序中作为处于管理范围内而继续进行工序。
再有，也可以包含半导体器件图案中的在被曝光体上曝光半导体器件图案时所使用的曝光装置的曝光条件的最佳化中利用的平均尺寸监视部的尺寸测定，和半导体器件图案中的光掩模内的尺寸离散值的计算中利用的尺寸离散值监视部的尺寸测定来进行尺寸测定。
所谓平均尺寸监视部和尺寸离散值监视部，可以是不同的图案，也可以是同一图案。在为同一图案的情况下，测定该图案的尺寸并分别计算尺寸的平均值和尺寸的离散值即可。
此外，晶片曝光，例如在合计64点的每个测定点22上测定尺寸来求出曝光余量以进行已作成的光掩模的是否合格的判定的做法非常耗费工夫和时间，是不现实的。例如在本例中，通过从光掩模的测定数据计算晶片曝光余量或根据实际的曝光结果进行估计，判断是否能得到所希望的曝光余量，以进行光掩模的是否合格的判定。
其次，在作成的掩模是HT型掩模的情况下，测定芯片21内的局部图案或在芯片21的外侧配置的监视图案的作为半色调膜固有的性能的相位差和透射率，分别计算其平均值和离散值(ST.4)。接着，与上述尺寸同样，判定是否处于掩模制造线的管理范围内，在处于范围内的情况下，进入下一个测定工序，在处于范围外的情况下，判定为存在某种异常情况，作为不良品再次进行制作。
在上述工序中合格的光掩模，如图3A中所示，被分割为描画装置固有的单位描画区域(只利用光束偏转装置就能描画的区域)31。在其分割边界部32上，产生了图3B中示出的分割边界部32中的图案偏移(在本例中，只示出了X方向的偏移，但在Y方向上也存在)和图3C中示出的在图案间产生微小的间隙、或虽然在图中未示但产生图案相互间的重叠等的描画错误。其结果，位于分割边界部32的图案尺寸误差比在其它的位置上作成的同一图案的图案尺寸误差大。另外，如图4A中所示，设计尺寸为正方形的图案(边41x＝边41y)，由于作为描画装置的图案形成误差的XY差(在同一尺寸的X值和Y值中微小地发生误差)的缘故，如图4B中所示产生成为了长方形(边41x≠边41y)的误差。
测定芯片21内的图案或在芯片21的外侧配置的监视图案，得到这样的单位描画区域32间的联系误差(以下称为顶撞精度)和XY差(ST.5)。
根据在上述ST.2和ST.3中得到的平均尺寸值和尺寸离散值、在上述ST.4中得到的相位差的平均值和离散值、透射率的平均值和离散值、以及在上述ST.5中得到的顶撞精度和XY差和使用设计图案或光掩模进行曝光处理时的曝光条件，计算实际的作成掩模与理想掩模的差异。然后，对于实际的曝光时所必要的曝光余量，根据与上述理想掩模的差异来计算上述各自的误差因子对上述曝光余量有怎样的影响，根据上述平均尺寸值和尺寸离散值、相位差的平均值和离散值和透射率的平均值和离散值以及上述顶撞精度和XY差对曝光余量的影响是否满足了预先计算出的上述实际的曝光时所需要的曝光余量，进行作成掩模是否合格的判定。
只有在上述的一系列的掩模测定结果中合格的掩模进入图1中示出的临界图案部尺寸测定工序(ST.6)。
临界图案部(危险图案部)是根据表现半导体器件的图案的形状和以曝光装置为主的曝光条件决定的曝光余量小的图案部。如图1中的ST.7所示那样，预先抽出该临界图案部。临界图案部的抽出的一例如下所述。
首先，对掩模图案的一部分或全部进行包含了加工变动的光刻模拟。接着，求出上述掩模图案被复制到半导体晶片上时的尺寸或形状的计算值，计算上述计算值的距离设计值的变动量。然后，抽出变动量为规定的变动量以上的部位或变动量为最大的部位，将抽出的部位定为临界图案部。例如，以这种方式抽出临界图案部。
光刻模拟中加工变动设定包含例如曝光装置的聚焦变动、曝光装置的曝光量变动和曝光装置的透镜像差的至少任一个。
再者，在本例中，如图5中所示，被分类为等级性地对曝光余量的大小进行了分级的类别以及与被抽出的局部图案部的形状和设计尺寸对应的类别51～54(ST.8)。
例如，作为类别的分类例子，包含下述的3种分类的任意一种来进行分类，
(1)根据临界图案部的尺寸的分类
(2)根据临界图案部的形状的分类
(3)根据临界图案部的尺寸和临界图案部的形状的组合的分类。
在根据已被作成的光掩模来测定临界图案部的尺寸的情况下，在本例中进行危险图案分类(ST.9)。例如，如果平均尺寸值相对于理想值来说处于特定的范围内(例如，从-5nm至+5nm)，则在危险图案分类工序中，如图6A中所示，只测定类别51和52的临界图案部的尺寸，根据该类别的理想尺寸值与已测定的尺寸值的差和离散值计算临界图案部的曝光余量，进行该掩模是否合格的判定。
此外，在平均尺寸值相对于理想值来说处于特定的范围外的情况下，例如在与上述理想值的偏移为-5nm以上的情况下，在危险图案分类工序中，如图6B中所示，除了类别51和52外，包含根据距离理想值的偏移其曝光余量较严格的类别54来进行临界图案部的尺寸测定，进行掩模是否合格的判定。此外，在与上述理想值的偏移为+5nm以上的情况下，在危险图案分类工序中，如图6C中所示，除了类别51和52外，包含根据离理想值的偏移其曝光余量较严格的类别53来进行临界图案部的尺寸测定，进行掩模是否合格的判定。
在以这种方式被分类的每个类别中测定临界图案部的尺寸，在每个类别中包含每个类别中得到的尺寸的测定结果来判断每个类别中光掩模在由曝光装置设定的规定的曝光条件下是否能进行曝光。
关于光掩模在规定的曝光条件下是否能进行曝光的判断的一例，根据临界图案部的尺寸、临界图案部的形状和规定的曝光条件，进行光刻模拟，计算临界图案部被复制到半导体晶片上时的尺寸和形状，根据该计算的结果，判断光掩模在曝光条件下是否能进行曝光。关于具体的一例，进行例如在图7中用参照符号71或72示出的图案部的尺寸测定。然后，利用模拟计算在使用由该测定尺寸值、周边图案和曝光条件决定的该光掩模进行曝光处理时上述图案71或72的部分是否与接近的图案靠在一起等，进行是否合格的判定。
将在包含上述的掩模测定的掩模检查中合格了的掩模，例如在ST.2中得到的平均尺寸值传递给使用该掩模在晶片上曝光半导体器件图案的曝光装置，设定最佳曝光量(ST.10)，以供曝光处理之用。然后，使用合格了的掩模来制造半导体器件。
如上所述，在与一个实施例有关的光掩模的制造方法中，包含根据表现半导体器件的图案形状和以曝光装置为主的曝光条件决定的曝光余量小的临界图案部来判断是否得到了所希望的曝光余量。
与此不同，专利申请2000-260285号和专利申请2001-159380号没有成为包含根据表现半导体器件的图案形状和以曝光装置为主的曝光条件决定的曝光余量小的临界图案部的掩模保证。
这样，在与一个实施例有关的光掩模的制造方法中，由于包含临界图案部来判断是否得到了所希望的曝光余量，故相对于专利申请2000-260285号和专利申请2001-159380号来说，能以更高的精度来进行是否合格的判断。
再者，在与一个实施例有关的光掩模的制造方法中，根据光掩模的图案形成条件来选择保证的临界图案部。
选择临界图案部的方法的一例，如上所述，对掩模图案的一部分或全部进行包含了加工变动的光刻模拟。接着，求出上述掩模图案被复制到半导体晶片上时的尺寸或形状的计算值，计算该计算值的距离设计值的变动量。然后，抽出变动量为规定的变动量以上的部位或变动量为最大的部位，将已被抽出的部位定为临界图案部。
这样的临界图案部是变动量为规定的变动量以上的部位或变动量为最大的部位。如果例如根据这样的部位来进行光掩模的是否合格的判断，可预期精度更高的是否合格的判断。
此外，也可考虑使曝光装置的曝光条件最佳化时例如在图1中示出的ST.2中得到的平均尺寸监视部的尺寸测定值距离设计值的变动量，进行临界图案部的选择抽出。
再有，本发明不限于上述的实施例。例如，所希望的曝光余量是可根据器件的制造的容易程度和抗蚀剂的特性等适当地变化的。此外，虽然例如在估计曝光余量的计算中，也可以纯粹地根据光学像求出曝光余量，但通过从包含了抗蚀剂的特性和进而作为其之前的工序的刻蚀的特性等的计算求出曝光余量，能进行更准确的判断也是毋庸置疑的，求出曝光余量的图案也不限于单元图案，希望估计核心电路部等的被认为是曝光余量最小的场所。此外，在相位偏移掩模的情况下，在难以进行相位和透射率的测定等的情况下，在曝光余量的计算中代入相位和透射率的值的规格值，只对于图案尺寸的值来说使用实际的掩模的测定值也可计算曝光余量。
此外，在上述一实施例中，将对象图案为半导体存储器进行了记述，但即使对于没有重复图案或重复图案少的逻辑器件也可适用。具体地说，通过不相同地分别设定得到平均尺寸值的图案部和尺寸离散值，可在不脱离本发明的要旨的情况下来实施。除此以外，可在不脱离本发明的要旨的范围内作各种变形。
此外，在上述一实施例中，包含了各种阶段的发明，利用在实施例中已公开的多个构成要点的适当的组合，也可抽出各种阶段的发明。
如以上已说明的那样，按照本发明，可提供能进行精度更高的是否合格的判断的光掩模的制造方法和使用了该光掩模的半导体装置的制造方法。

Claims (8)

1.一种光掩模的制造方法，包含：
在光掩模上作成掩模图案；
测定上述作成的掩模图案的尺寸；
根据上述尺寸测定的结果，求出在被曝光体上曝光上述掩模图案时的曝光余量，判断上述求出的曝光余量是否满足规定的曝光余量；
根据是否满足上述曝光余量的判断结果，判断上述光掩模是否合格；其特征在于：
上述尺寸测定包含上述掩模图案中在上述被曝光体上曝光该掩模图案时曝光余量小的临界图案部的尺寸测定。
2.如权利要求1中所述的光掩模的制造方法，其特征在于：
上述尺寸测定包含上述掩模图案中在上述被曝光体上曝光上述掩模图案时所使用的曝光装置的曝光条件的最佳化中利用的平均尺寸监视部的尺寸测定；以及
上述掩模图案中上述光掩模内的尺寸离散值的计算中利用的尺寸离散值监视部的尺寸测定。
3.如权利要求1中所述的光掩模的制造方法，其特征在于：
对上述光掩模的一部分或全部进行包含加工变动的光刻模拟，求出上述光掩模图案被复制到半导体晶片上时的尺寸或形状的计算值，计算上述计算值的距离设计值的变动量；
抽出上述变动量为规定的变动量以上的部位或上述变动量为最大的部位；以及
将上述抽出的部位定为上述临界图案部。
4.如权利要求3中所述的光掩模的制造方法，其特征在于：
上述加工变动包含上述曝光装置的聚焦变动、上述曝光装置的曝光量变动以及上述曝光装置的透镜像差的至少任意一个。
5.如权利要求2中所述的光掩模的制造方法，其特征在于：
考虑对上述曝光装置的曝光条件进行最佳化时得到的上述平均尺寸监视部的尺寸测定值的距离设计值的变动量来抽出上述临界图案部。
6.如权利要求1中所述的光掩模的制造方法，其特征在于：
上述临界图案部被分类为包含上述临界图案部的尺寸、上述临界图案部的形状以及上述临界图案部的尺寸与上述临界图案部的形状的组合的任意一个的类别；
在上述每个类别中测定上述临界图案部的尺寸；以及
在上述每个类别中，包含在上述每个类别中得到的上述尺寸的测定结果来判断上述光掩模是否能在上述曝光装置中设定的规定的曝光条件下进行曝光。
7.如权利要求6中所述的光掩模的制造方法，其特征在于：
上述光掩模是否能在上述曝光条件下进行曝光的判断，根据上述临界图案部的尺寸、上述临界图案部的形状以及上述曝光条件，进行光刻模拟，计算上述临界图案部被复制到半导体晶片上时的尺寸和形状；
根据上述计算的结果，判断上述光掩模是否能在上述曝光条件下进行曝光。
8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：
使用光掩模来制造半导体装置，该光掩模是这样来制造的：在光掩模上作成掩模图案；包含该掩模图案中在上述被曝光体上曝光时曝光余量小的临界图案部的尺寸测定来测定作成的掩模图案的尺寸；根据尺寸测定的结果，求出在被曝光体上曝光上述掩模图案时的曝光余量；以及判断求出的曝光余量是否满足了规定的曝光余量。
CNB03105272XA 2002-02-28 2003-02-26 光掩模的制造方法和使用该光掩模的半导体装置制造方法 Expired - Lifetime CN1223898C (zh)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1641485B (zh) * 2004-01-16 2011-05-25 株式会社东芝 曝光***及评价光刻工艺的方法

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3825741B2 (ja) * 2002-11-14 2006-09-27 株式会社東芝 フォトマスクの評価方法および半導体装置の製造方法
JP3825744B2 (ja) * 2002-12-02 2006-09-27 株式会社東芝 フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
US20050234684A1 (en) * 2004-04-19 2005-10-20 Mentor Graphics Corp. Design for manufacturability
US20060069958A1 (en) * 2004-05-09 2006-03-30 Sawicki Joseph D Defect location identification for microdevice manufacturing and test
JP4709511B2 (ja) * 2004-08-18 2011-06-22 株式会社東芝 マスクパターン補正方法、マスクパターン補正プログラム、フォトマスクの作製方法及び半導体装置の製造方法
JP4904034B2 (ja) * 2004-09-14 2012-03-28 ケーエルエー−テンカー コーポレイション レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体
JP4709639B2 (ja) 2005-12-12 2011-06-22 株式会社東芝 マスクパターン評価方法及び評価装置
JP2007187998A (ja) * 2006-01-16 2007-07-26 Toshiba Corp 投影露光マスク合否判定方法システム及び投影露光マスク合否判定方法
US7553678B2 (en) * 2006-03-17 2009-06-30 United Microelectronics Corp. Method for detecting semiconductor manufacturing conditions
JP4851924B2 (ja) * 2006-12-08 2012-01-11 株式会社東芝 危険箇所集計方法、パターン修正方法およびプログラム
JP2008242112A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Toshiba Corp マスクパターン評価装置及びフォトマスクの製造方法
DE102007032958A1 (de) * 2007-07-14 2009-01-15 Carl Zeiss Sms Gmbh Verfahren zur Ermittlung lithographisch relevanter Maskendefekte
JP4594994B2 (ja) * 2008-03-24 2010-12-08 株式会社東芝 マスクパターンデータ生成方法、マスクの製造方法、半導体装置の製造方法及びパターンデータ生成プログラム
JP4838866B2 (ja) * 2009-02-10 2011-12-14 キヤノン株式会社 露光パラメータ及びレチクルパターンを決定する決定方法、露光方法及びデバイス製造方法。
JP2012068454A (ja) * 2010-09-24 2012-04-05 Toshiba Corp パターン形状判定方法、パターン形状検証方法、パターン補正方法、リソグラフィ用マスクの製造方法および半導体装置の製造方法
JP2012141372A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Toshiba Corp マスク判定方法、露光方法および半導体装置の製造方法
JP6338368B2 (ja) * 2013-12-25 2018-06-06 キヤノン株式会社 パターンの光学像の評価方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5202748A (en) 1991-06-07 1993-04-13 Litel Instruments In situ process control system for steppers
JPH0651497A (ja) 1992-07-28 1994-02-25 Fujitsu Ltd レチクル作製プロセス別寸法良否判別方法およびそのための手段を具備したレチクル
JP3339174B2 (ja) 1993-11-08 2002-10-28 ソニー株式会社 フォトマスクの製造方法、露光方法及び半導体装置の製造方法
JPH08202020A (ja) 1995-01-31 1996-08-09 Sony Corp フォトマスクにおけるパターン形状評価方法、フォトマスク、フォトマスクの作製方法、フォトマスクのパターン形成方法、並びに露光方法
US6016357A (en) 1997-06-16 2000-01-18 International Business Machines Corporation Feedback method to repair phase shift masks
US5965306A (en) 1997-10-15 1999-10-12 International Business Machines Corporation Method of determining the printability of photomask defects
US5877861A (en) 1997-11-14 1999-03-02 International Business Machines Corporation Method for overlay control system
US6366822B1 (en) 1998-08-04 2002-04-02 Advanced Micro Devices, Inc. Statistical process window design methodology
JP3535390B2 (ja) 1998-09-03 2004-06-07 株式会社東芝 露光マスクの検査方法および測長箇所を探索するプログラムを記録した記録媒体
JP2000181045A (ja) 1998-12-10 2000-06-30 Matsushita Electronics Industry Corp パターン補正方法
JP4057733B2 (ja) 1999-02-22 2008-03-05 株式会社東芝 転写パターンのシミュレーション方法
JP4158266B2 (ja) 1999-03-11 2008-10-01 凸版印刷株式会社 フォトマスク外観検査装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1641485B (zh) * 2004-01-16 2011-05-25 株式会社东芝 曝光***及评价光刻工艺的方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW571176B (en) 2004-01-11
KR20040002443A (ko) 2004-01-07
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