JP6338368B2 - パターンの光学像の評価方法 - Google Patents

Description

本発明はパターンの光学像の評価方法に関する。

半導体デバイスの製造工程の露光工程において露光装置が用いられる。露光装置は、光源からの光を用いて照明光学系により、半導体デバイスの回路パターンが形成されたマスク（レチクル）を照明し、マスクのパターンを投影光学系などを介してウエハに転写する。

近年、半導体デバイスの更なるパターン微細化が進み、露光工程においては、照明光学系の変形照明やマスクのパターンの光近接効果補正（ＯＰＣ）などの超解像技術が用いられてきている。

ＯＰＣが行われたパターンは、光学像のシミュレータに入力され、当該ＯＰＣが所望の補正効果を有することを確認するために、パターンの光学像が計算され、評価される。これは、リソグラフィ検証と呼ばれる。リソグラフィ検証は、補正結果が十分に良好であるかどうかを判断するためにＯＰＣを実行している途中に、または、ＯＰＣが完了した後で、実行され得る。このようなリソグラフィ検証をデバイスチップ全面（マスク全面）に実行すると、パターンのデータ量が膨大なため、処理時間に数日費やす事があり、膨大な計算時間がかかる。また、パターンの微細化により、パターンのデータが更に増加するに伴い、リソグラフィ検証に要する時間が増大し、大きな問題となっている。

この問題に対して、予めルールベースでチップ全面にわたり幾何学的な設計ルールでチェックをして、解像が困難なパターンを判別し、その判別結果に基づいて領域を限定したリソグラフィ検証を行う技術（特許文献１）が知られている。

米国特許第７８８６２４３号明細書

特許文献１に記載のリソグラフィ検証は、パターンの光学像の評価を行う領域を小さくできるため、計算処理時間の短縮に一定の効果がある。しかし、リソグラフィ検証の前に、幾何学的な設計ルールでマスク全面をチェックするため、危険パターンの判別に時間がかかる。さらに、複雑な図形の判別には幾何学的な設計ルールも複雑になり、危険パターンの抽出に漏れが出る可能性も無視できない。

そこで、本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、従来より短時間でリソグラフィ検証を行うパターンの光学像の評価方法を提供することを目的とする。

本発明の一側面としての方法は、マスクのパターンの光学像をコンピュータを用いて評価する方法であって、セル単体のパターンの光学像の評価値を計算する計算ステップと、前記セル単体のパターンのうち、該計算された光学像の評価値が前記第１許容範囲にない特定パターンを特定する特定ステップと、前記特定パターンを含む、複数のセルのパターンのデータを取得する取得ステップと、前記特定パターンを含む複数のセルのパターンを配置することによりマスクのパターンを作成する作成ステップと、該作成されたマスクのパターンのうち前記特定パターンの光学像を評価する評価ステップとを有することを特徴とする。

本発明によれば、従来より短時間でリソグラフィ検証を行うパターンの光学像の評価方法を提供することができる。

パターンの光学像を評価する方法のフローチャートの図である。 セル単体の結像特性とマスク全面における結像特性との関係を示す図である。 セルのパターンの一例を示す図である。 セル単体の結像特性を示す図である。 ライブラリ内における危険セル又は危険パターンの割合を示す図である。 セルＡ、Ｆの危険パターンを示す図である。 複数のセルを隣接配置したマスクパターンを示す図である。

以下に、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。

本実施形態は、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル等の表示素子、磁気ヘッド等の検出素子、ＣＣＤ等の撮像素子等の各種デバイスの製造やマイクロメカニクスで用いられるマスク（原版）のパターンの光学像を評価するために適用することができる。

本実施形態におけるパターンの光学像の評価方法を説明する。図１は本実施形態におけるパターンの光学像の評価方法のフローチャートである。本実施形態の方法は、例えば図１に示す各ステップを実行可能なプログラムをネットワーク又は記録媒体を介して情報処理装置（コンピュータ）に供給し、情報処理装置がメモリなどの記憶媒体に記憶されたプログラムを読みだして実行することで実現される。この方法は、マスクパターンを基板に露光する露光装置に用いられる当該マスクのパターンの光学像を評価するために用いられる。露光装置としては、マスクを照明してマスクのパターンの像を投影光学系を用いて基板に投影する露光装置に限らず、近接場露光装置や、電子線を用いて基板を露光する露光装置にも適用できる。電子線露光装置用には、電子線露光装置に転送されるパターンのデータを用いて基板を露光する場合の基板に形成されるパターンを評価するために用いられる。

半導体ロジックチップの集積回路では、電気的な信号の流れから、マスクのレイアウトまでの、一連の複雑な変換を通じて設計される。現在、これらの設計変換の大部分には、自動ソフトウェアツール（シミュレータ）が使用されている。

まず、コンピュータは、電気的な信号の流れ（ネットリスト）を作成する（Ｓ１０２）。次に、ネットリスト上に構成される機能を実現するための素子の集合体であるセルライブラリを決定する（Ｓ１０２）。ライブラリ中のセルの回路規模はさまざまで、ＮＡＮＤゲートやフリップフロップなどのスタンダードセルから，ＲＡＭやＲＯＭ，ＣＰＵコアといったマクロセルまである。マクロセルもまた、スタンダード・セルパターンの組合せで構成されている事が多い。

セルには、レイアウト情報や、電気的な特性を示すデータ等の情報が内在する。本実施形態で用いているスタンダードセルは、代表例としてＧｒｉｄｄｅｄ Ｄｅｓｉｇｎの１次元レイアウトセルを示すが、これに限定されず、２次元レイアウトのパターンなどの矩形以外のパターンにも適用できる。１次元レイアウト技術を説明する。ｌｏｗ ｋ_１化などにより従来の２次元レイアウト（縦横方向に延びる）パターンでは所望のパターンをウエハ上に忠実に転写することが困難となってきた。そこで近年では、１次元レイアウト技術と呼ばれる回路パターンの作製方法が考え出されてきた。この方法は、単一ピッチのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）パターンを形成し、その後、複数の位置において同一像寸法で等グリッド上にカットパターンなどの複数の矩形状のパターン要素を露光する。そうすることで、基板上に予め形成された単一ピッチのＬ／Ｓパターンを当該複数のパターン要素で切断したり、スペース部分を接続したりして回路パターンを作製する。この方法により、従来の２次元的なパターンよりも露光面積を縮小できるだけでなく、露光余裕度が大きく、パターンの解像が技術的に容易となる。

次に、セルライブラリのセルのパターンにＯＰＣを行う（Ｓ１０３）。ここでは、モデルベースＯＰＣを説明する。まず、設計値のスタンダードセル単体一つずつを対象として、シミュレーションによりその光学像を計算する。投影露光装置であれば、セル単体をマスク面に配置して、所定の照明条件で照明し、照明されたセルのパターンを投影光学系を用いて基板（像面）上に投影した場合の像面における光学像を計算する。計算された光学像が目標寸法に近づくように、セルのパターンにＯＰＣ（光近接効果補正）を施す（Ｓ１０３）。ここでは、モデルベースＯＰＣの例を示したが、ルールベースのＯＰＣでも構わない。また、露光マージンは十分確保できる等の理由により、ＯＰＣを行わなくても構わない。

Ｓ１０３でＯＰＣを施されたセルのパターンの結像特性を評価する（Ｓ１０４）。投影露光装置であれば、Ｓ１０３でＯＰＣを施されたセルのパターンをマスク面に配置して、所定の照明条件で照明し、照明されたセルのパターンを投影光学系を用いて像面に投影した場合の像面における光学像を計算する。そして、結像特性として、光学像を所定の評価指標で評価して評価値を計算する。光学像の計算は、周知の結像理論や光学モデルを用いて行われ、光学シミュレータを用いることができる。評価指標としては、光学像の露光余裕度、ＮＩＬＳ、焦点深度（ＤＯＦ）などがある。なお、Ｓ１０３やＳ１０４の露光装置における露光波長、マスクの照明条件、投影光学系のＮＡなどの露光条件は、マスク（チップ）全面のパターンを露光装置で露光するときの露光条件と同一か、近いものを用いるとよい。

次に、Ｓ１０４で求められた光学像の評価値に基づいて、光学像の評価値が第１許容範囲にないセル内のパターンを特定する（Ｓ１０５）。実際に基板にパターンを形成する際は、露光装置以外に、基板に所定の処理を行うプロセス機器の性能や、基板の変形等のさまざまな要因で、不良チップが発生する。この要因による歩留りの低下を抑制するために、露光装置でマスク全面を露光する時の結像特性の許容値が予め定められている。

図２に、マスク全面のリソグラフィ検証による結像特性と、セル単体のパターン毎の結像特性との関係を示す。各セルについて、マスクに配置する前のセル単体における結像特性と、マスクに配置されたときの結像特性を○でプロットしている。縦軸に、複数のセルを配置して作成されたマスクの複数の点における結像特性の値を示す。横軸に、互いに異なる複数のセルについて、セル単体のパターンのセル結像特性を示す。結像特性として焦点深度を示した。バラツキはあるものの、セルの結像特性とマスク全面の結像特性は、正の相関がある事が分かる。したがって、マスク全面の結像特性の許容範囲から、セル単体の結像特性の許容範囲を決めることができる。

一般に、複数のセルを配置して作成されたマスク全面の結像特性は、マスクに配置される前のセル単体の結像特性から微小量変動するため、変動があってもプロセス要求を満足する範囲をセル結像特性の許容範囲に設定する。例えば、図２に示すように、マスク全面の結像特性の第２基準値を３０ｎｍとすると、セルの結像特性の第１基準値を４３．５ｎｍと設定した。第２基準値より大きい範囲を第２許容範囲（３０ｎｍ以上）とし、第１基準値より大きい範囲を第１許容範囲（４３．５ｎｍ以上）とする。セルの結像特性が第１許容範囲にないパターンは、マスクに配置されたときのマスク結像特性が第２許容範囲を満たさない可能性がある。このようなパターンを危険パターンと呼び、危険パターンが内在するセルを危険セルと呼ぶ事にする。危険パターンを抽出するセル結像特性の第２許容範囲は、マスク全面の結像特性の第１許容範囲より広範囲となる。つまり、第１基準値が第２基準値よりも大きい。

Ｓ１０５では、Ｓ１０４で計算された光学像の評価値が第１許容範囲にない危険パターン（特定パターン）を特定する。特定された危険パターンのセル内における位置（座標）は、メモリなどの記憶部に記憶される（Ｓ１０６）。また、作成されるマスクのパターン内における、危険パターンが含まれるセルの配置座標の情報も、メモリに記憶することができる。

次に、ＯＰＣがされたセルのパターンと、ネットリストを用いて、マスクのパターンを作成する（Ｓ１０７）。まず、コンピュータが、Ｓ１０５で特定された危険パターンを含む複数のセルのパターンのデータを取得する。そして、セルのパターンとネットリストを用いて、回路の物理的なレイアウトに変換する。レイアウトに変換するためには自動配置配線ツールが存在する。セルのデータは一般的に、セルが含むデバイスの製作に必要な、全てのレイヤ上の全てのポリゴンを含む。レイアウトの一般的なフォーマットは、ＧＤＳＩＩ、またはＯＡＳＩＳである。自動配置配線ツールにより、マスク全面にわたる物理的なレイアウトデータが生成され、マスクのパターンが作成される。

マスクのパターンが作成されると、ネットリストからレイアウトへの変換が適切に行われていること、および、作成された最終的なレイアウトが特定の幾何学的な設計ルールに確実に従っていること、を確認するためにデザイン検証される。デザイン検証ツールによって異常またはエラーが発見されると、レイアウトがマスク製造のためにマスク製造工場へ送られる前に、設計者は不良箇所を修復しなければならない。さらに、リソグラフィパターニング中に生じる製造歪を予測するレイアウト検証シミュレーションを行う。これらのエラーの規模が大きいと判断される場合には、いくつかの形態の光学およびプロセス補正（ＯＰＣ）を使用して補正がなされる。ＯＰＣは、画像歪、光近接効果、フォトレジスト運動効果、エッチローディング歪、および他の様々なプロセス効果を補正し得る。

次に、作成されたマスクのパターンにＯＰＣ処理が行われる。マスクのパターンの光学像が目標値に近づくように、マスクのパターンの形状が補正される（Ｓ１０８）。ここではウエハプロセス処理に関係する、露光、現像、エッチング等の影響を考慮したモデルを用いた補正を行う事が一般に行われている。なお、Ｓ１０３でＯＰＣを施したセルを配置することにより、チップ全面のＯＰＣ処理を行わなくても、リソグラフィ検証時に十分マージンが得られる場合は省略しても構わない。

次に、マスク全面のうち、Ｓ１０５で特定したパターンの光学像を評価するリソグラフィ検証を行う（Ｓ１０９）。まず、Ｓ１０５で特定し、メモリに記憶されている危険パターンや危険セルの情報に基づき、リソグラフィ検証を行う箇所を抽出する。配置配線ツールを用いたレイアウト設計情報から、危険セルがチップ全面のパターンレイアウトの中で、どの座標にあるかが明らかになる。また、メモリに記憶されている情報から、危険セル内の危険パターンの座標も明らかである。これらの座標情報から、リソグラフィ検証箇所を抽出する。具体的には、パターンの近接効果の影響が無視できない場合、危険パターンの周囲のＫ・λ／ＮＡ（Ｋは定数、λは露光波長、ＮＡは投影光学系の射出側開口数）の領域も含めて計算できるように、光学シミュレータの計算領域を設定する。言い換えれば、マスク全面のうち危険パターンではない領域では、リソグラフィ検証を行わなくてもよい。危険パターンではない領域では、セル単体のときの結像特性が第１許容範囲を満たすため、マスクに配置したときに、第１許容範囲より大きい第２許容範囲を満たす可能性が高い。したがって、危険パターンではない領域でのリソグラフィ検証を省略しても、マスクの結像特性の評価には支障が少ない。このように、本実施形態では、危険パターンではない領域でのリソグラフィ検証を省略して、危険セルや危険パターンのみを効率的にリソグラフィ検証でき、計算時間を短くすることができる。

次に、Ｓ１０９で計算された、危険パターンの光学像の評価値が第２許容範囲にあるかどうかを判定する（Ｓ１１０）。すべての危険パターンについて光学像の評価値が第２許容範囲にあれば、そのパターンを最終的なマスクのパターンとして決定し、マスクのパターンを作成する（Ｓ１１１）。光学像の評価値が第２許容範囲にない危険パターンがあれば、その危険パターンについて、結像特性が向上するようにパターン補正を行う（Ｓ１１２）。パターンの補正として、パターンの形状を変更したり、パターンの位置を変更したり、補助パターンを追加したり、マスク内におけるセルの位置を変更したり、置換したりすることができる。そして、補正されたパターンについて、Ｓ１０３〜Ｓ１１０を繰返し行う。

次に、具体的な実施例を以下に説明する。

図３に、Ｇｒｉｄｄｅｄ Ｄｅｓｉｇｎのスタンダードセルライブラリを示す。予め形成されたＬｉｎｅパターンの所望の部分を切断するためのカット工程に用いられるカットパターンを例に挙げている。カットパターンは、矩形状の複数のパターン要素を含む。通常数百種類のパターンが存在するが、ここでは簡単のためＡ〜Ｏまでの１５個のセルを設定した（Ｓ１０２）。また、１つのカットパターン要素の設計寸法は、縦６４ｎｍ、横４１ｎｍで、グリッドの縦方向のピッチは６４ｎｍ、横方向のピッチは８２ｎｍとなっている。セル境界に約３ｕｍのスペースを取り、互いのセルの近接効果の影響がないようにセルを並べた。スタンダードセルの各カットパターンに対し、線幅と、中心位置座標を変数とした。スタンダードセルのパターンの露光に使用する照明（照明光学系の瞳面おける光強度分布）は輪帯形状とし、外σと輪帯比（外σ÷内σ）を変数とした。

パターンの像の評価対象は、各パターン要素の線幅誤差のＲＭＳとＮＩＬＳとした。また、各パターン要素の設計値中心を含むＸ断面の寸法ＣＤｘ、および、各パターン要素の設計値中心を含むＹ断面の寸法ＣＤｙのＥＬ（露光余裕度）が５％を満たす焦点深度Ｆも評価対象とした。また、各パターン要素の位置シフト誤差ＲＧｘ、および、位置シフト誤差ＲＧｙも評価対象とした。パターン要素の線幅誤差、位置シフト誤差が最小化し、ＮＩＬＳ、焦点深度が最大化する方が好ましいため、本実施例では、評価指標（評価関数）Ｐとして、下記（１）式を用いた。線幅誤差に関しては複数のセルのパターンの像の全評価点の合計のＲＭＳ値と、ＮＩＬＳ、位置シフト誤差、焦点深度に関しては複数のセルのパターンの像の全評価点のうち最悪値（最小値）とを評価関数Ｐの項とした。

Ｐ＝線幅誤差ＲＭＳ／線幅誤差ＲＭＳ許容値
＋ＮＩＬＳ許容値／（ＮＩＬＳ最小値＋０．００１）
＋位置シフト誤差ＲＧｘ、ＲＧｙの最小値／位置シフト誤差許容値
＋焦点深度許容値／（焦点深度Ｆの最小値＋０．００１）
・・・・（１）

なお、線幅誤差ＲＭＳ許容値：目標線幅の１％
ＮＩＬＳ許容値：１．５
位置シフト誤差許容値：５ｎｍ
焦点深度許容値：７０ｎｍ
とした。

その結果、露光条件は、ＮＡ１．３５、外σ０．８５、輪帯比０．５の輪帯照明となり、この露光条件をセル結像特性評価、および、マスク全面の結像特性評価に用いた。なお、スタンダードセルのパターンと照明形状の同時最適化を行ったが、行わなくても構わない。露光条件は予め定まっている、マスク全面を露光する際の露光条件を用いても良い。

また、セルのカットパターンにＯＰＣを行い、セルのカットパターンのバイアス量とシフト量が算出された（Ｓ１０３）。なお、露光マージンに余裕があるセルでは、ＯＰＣを行わず、設計値のままでも構わない。

次に、求められた露光条件とスタンダードセルを用いて各セルのパターンに対して、セル単体の結像特性評価を行った（Ｓ１０４）。評価指標としては、５％露光余裕度における焦点深度を設定した。図４（ａ）に、５％露光余裕度の焦点深度となるパターンの分布を示す。横軸が評価量で縦軸がカットパターンの数を表している。また、図４（ｂ）に、セル毎に、５％露光余裕度における焦点深度の最小値を表している。ここで、セル結像特性の許容範囲をもとに危険セルや危険パターンを決定する（Ｓ１０５）。

図４（ｃ）に、危険セルであると判定する焦点深度の閾値（第１基準値）を変えた時の、危険セルの個数を示す。横軸を閾値とし、縦軸に抽出すべき危険セルの個数を表している。図５（ａ）に、焦点深度の閾値（第１基準値）に対する、マスク内の危険セルの割合を示す。横軸は閾値で、縦軸はセルライブラリに含まれる危険セルの割合を表している。上述のように、セルの結像特性（光学像の評価値）の第１基準値を４３．５ｎｍと設定し、第１許容範囲を４３．５ｎｍ以上とした。閾値が４３．５ｎｍの場合、危険セルは全体セルの６０％に相当する事がわかる。残りの４０％のセルは評価の第１基準値をクリアしているため、詳細なリソグラフィ検証を割愛できる。図５（ｂ）に、焦点深度の閾値（第１基準値）に対する、セルライブラリ内の危険パターンの割合を示す。横軸は閾値で、縦軸はセルライブラリ内における危険パターンの割合を示している。閾値が４３．５ｎｍの場合、危険パターンはパターン総数の７％に相当する。残りの９３％のパターンは、評価の許容値のクリアしているため、詳細なリソグラフィ検証を割愛できる。図６（ａ）に、危険セルと特定されたセルＡの危険パターンの例を示す。図６（ｂ）に、危険セルと特定されたセルＦの危険パターンの例を示す。丸形状の点線で囲んだパターン要素が危険パターンである。セルＡとセルＦとでは、互いに異なる危険パターンを含む。

次に、ネットリストと１５個のスタンダードセルの図形情報から、マスク全面のレイアウトを作成する（Ｓ１０７）。ここでは、図７（ｂ）のような、チップ全面のマスクパターンを作成した。図中のＡ〜Ｏの記号はセルを表し、各セルを隣接して配置している。各セルのレイアウト座標は、一般に配置配線ツールから容易に出力できる。例えばセルの左下を原点と仮定すると、セルＦの基準点は（Ｘｆ、Ｙｆ）点と表される。また、セルの内部の着目パターンは、図７（ａ）に示すように、パターン要素のセル内の座標は（Ｘ１、Ｙ１）と表され、スタンダードセルライブラリ一式の中にその情報が含まれている。マスク全面には、１つ又は複数のチップが配置されうる。

次に、マスク全面のレイアウトに対してＯＰＣをかける（Ｓ１０８）。各カットパターンに対し、線幅と、中心位置座標を変数とした。ＮＡ１．３５、外σ０．８５、輪帯比０．５の輪帯照明で光学シミュレーションを行い、光学像と目標値とのベストフォーカスにおける線幅差や位置ずれ差を最小化するように変数を補正した。

危険パターンのリソグラフィ検証を行う方法を示す。マスク内における危険パターンが内在する危険セルの配置座標（Ｘｆ、Ｙｆ）と、着目する危険パターンのセル内の座標を（Ｘ１、Ｙｙ１）を用いて、
着目する危険パターンの座標（Ｘ、Ｙ）は、
Ｘ＝Ｘｆ＋Ｘ１
Ｙ＝Ｙｆ＋Ｙ１
と同定できる。別の危険パターンの座標についても同様に同定できる。これをマスク全面で行う事により、危険パターン全部のデータベースができる。これらの危険パターンについて、光学像を評価する（Ｓ１０９）。光学像を計算する範囲は、パターンの光近接効果の影響があるため、着目する危険パターンの周囲Ｋ・λ／ＮＡ（２≦Ｋ≦２０）の領域を、シミュレータの計算領域に含めるようにリソグラフィ検証を行う。Ｋの値は着目するパターンの寸法や要求される精度などにより、取りうる値が変わる。逐次領域を変更してはシミュレーションを繰り返し、危険パターンのリソグラフィ検証を行う。このときの評価指標として、スタンダードセルのマスク変数と照明変数の最適化を行った時と同じ評価指標を用いた。なお、着目する危険パターンの計算エリアを効率的に設定するために、複数の危険パターンが同一の計算領域に入るように領域を設定してもよい。また、危険セルとその周辺部分を含めたシミュレーションを繰り返す事で行っても良い。

このように、本実施例によれば、マスク全面においてリソグラフィ検証を行うパターンを削減して、効率的にマスク全体のリソグラフィ検証を行う事ができる。つまり、より短時間でリソグラフィ検証を行うパターンの光学像の評価方法を提供することができる。

次に、第２実施例について説明する。第１実施例では、セルのパターンの結像特性を評価して、危険パターンを特定した。一度、危険パターンを特定すれば、危険パターンの位置がメモリに記憶されている。そのため、次回、同じセルを使ってマスクのパターンを作成する場合には、記憶されている危険パターンの位置を用いればよく、Ｓ１０３、Ｓ１０４、Ｓ１０５を省略することができる。

まず、第１実施例のように、Ｓ１０１〜Ｓ１１１を行って、危険パターンを特定し、第１マスクのパターンを作成する。次に、特定された危険パターンを含む複数のセルを隣接して配置して、第１マスクとは異なる第２マスクのパターンを作成する。そして、メモリに記憶されている危険パターンの位置を読み出し、第２マスクのパターンのうち、特定された危険パターンの位置を抽出して、危険パターンの光学像を計算して、リソグラフィ検証を行う。第２マスク内における危険パターンの位置の特定は、マスク内におけるセルの位置と、セル内における危険パターンの位置を用いて行う。

このように、別のマスクのパターンを作成する際に、同等のウエハプロセスで共通のスタンダードセルライブラリを用いるなら、スタンダードセルの危険セルや危険パターン情報は流用可能である。したがって、Ｓ１０３〜Ｓ１０５の工程が不要のため、さらに計算時間が短くなり、マスクのパターンのリソグラフィ検証を短時間で行う事ができる。一方、特許文献１に記載の方法では、幾何学的な設計ルールのチェックは、チップ（マスク）を新しく設計する度に必要になるという問題がある。

以上のようにして、Ｓ１１１まで行って作成されたマスクパターンは、マスク製造装置（描画装置）に入力されるデータの形式に合わせてデータ変換され、そのデータがマスク製造装置に入力される。そして、マスク製造装置は、その入力データに基づき、マスクブランクスにパターンを描画してマスクを製造する。製造されたマスクは投影露光装置に搬入される。投影露光装置は、設定された露光条件で、製造されたマスクを照明して、基板上の感光剤（レジスト）にマスクのパターンの像を投影して感光剤を露光する。なお、電子線露光装置であれば、作成されたマスクパターンのデータを用いて、電子線の位置やブランキングを制御して、基板にパターンを露光すればよい。

次に、上述の露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施形態を説明する。デバイスは、上記のように製造されたマスクを露光装置に搭載して、感光剤が塗布された基板にマスクのパターンを露光する工程と、該工程で露光された基板を現像する工程と、他の周知の工程とを経ることにより製造される。デバイスは、半導体集積回路素子、液晶表示素子等でありうる。基板は、ウエハ、ガラスプレート等でありうる。当該周知の工程は、例えば、酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等の各工程である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

Claims (11)

1. マスクのパターンの光学像をコンピュータを用いて評価する方法であって、
   セル単体のパターンの光学像の評価値を計算する計算ステップと、
   前記セル単体のパターンのうち、前記計算ステップにおいて計算された前記評価値が第１許容範囲にない特定パターンを特定する特定ステップと、
   前記特定パターンを含む、複数のセルのパターンのデータを取得する取得ステップと、
   前記特定パターンを含む複数のセルのパターンを配置することによりマスクのパターンを作成する作成ステップと、
   該作成されたマスクのパターンのうち前記特定パターンの光学像を評価する評価ステップとを有することを特徴とする方法。
2. 前記特定パターンのうち、前記評価ステップにおいて評価された光学像の評価値が第２許容範囲にないパターンを補正するステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 前記第２許容範囲は前記第１許容範囲より大きいことを特徴とする請求項２に記載の方法。
4. 前記特定ステップにおいて特定された前記特定パターンの前記セルにおける位置を記憶部に記憶するステップを有することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の方法。
5. 前記評価ステップにおいて、前記マスクにおける前記セルの位置と、記憶された前記特定パターンの前記セルにおける位置とを用いて、前記マスクのパターンのうち前記特定パターンの位置を求め、求められた位置を含む領域のパターンの光学像を評価することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の方法。
6. 前記複数のセルは、各セルによって互いに異なる前記特定パターンを含むことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の方法。
7. 前記特定パターンを含む複数のセルのパターンを配置することにより第１マスクのパターンを作成するステップと、
   前記第１マスクのパターンのうち、前記特定パターンの光学像を評価するステップと、前記特定パターンを含む複数のセルのパターンを配置することにより、前記第１マスクのパターンとは異なる第２マスクのパターンを作成するステップと、
   前記第２マスクのパターンのうち、前記特定パターンの光学像を評価するステップと、を有することを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の方法。
8. 前記計算ステップの前に、前記セル単体のパターンに光近接効果補正を行うステップを有し、
   前記計算ステップにおいて、前記光近接効果補正がされたパターンの光学像の評価値を計算することを特徴とする請求項１に記載の方法。
9. 前記セルのパターンは、ラインアンドスペースのパターンをカットまたは接続するための、矩形状のパターン要素で構成されるパターンであることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の方法。
10. コンピュータに請求項１乃至９の何れか１項に記載の方法を実行させるプログラム。
11. 請求項１乃至９の何れか１項に記載の方法を実行する情報処理装置。

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