JP3535390B2 - 露光マスクの検査方法および測長箇所を探索するプログラムを記録した記録媒体 - Google Patents
露光マスクの検査方法および測長箇所を探索するプログラムを記録した記録媒体Info
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体集積回路
装置のリソグラフィ工程に使用される露光マスクの検査
に関する。
装置のリソグラフィ工程に使用される露光マスクの検査
に関する。
【０００２】
【従来の技術】昨今のメモリデバイスの価格破壊によ
り、半導体デバイスの微細化が急速な勢いで進んでい
る。この微細化はメモリデバイスのみならず、高速動作
が要求されるＲＩＳＣチップなどのロジックデバイスに
も及んでいる。そして、デバイスによっては、ロジック
デバイスの微細化がメモリデバイスのそれよりも先行す
る現象がおこっている。すなわち、今までメモリデバイ
スが担っていた微細プロセスのテクノロジドライバとし
ての役割を一部、ロジックデバイスが担う時代となって
きた。この傾向に伴い、ロジックのデバイス的な特徴を
考慮した微細プロセステクノロジの開発がますます重要
になってきている。
り、半導体デバイスの微細化が急速な勢いで進んでい
る。この微細化はメモリデバイスのみならず、高速動作
が要求されるＲＩＳＣチップなどのロジックデバイスに
も及んでいる。そして、デバイスによっては、ロジック
デバイスの微細化がメモリデバイスのそれよりも先行す
る現象がおこっている。すなわち、今までメモリデバイ
スが担っていた微細プロセスのテクノロジドライバとし
ての役割を一部、ロジックデバイスが担う時代となって
きた。この傾向に伴い、ロジックのデバイス的な特徴を
考慮した微細プロセステクノロジの開発がますます重要
になってきている。
【０００３】さらに近年、この微細化の加速に伴い、マ
スク寸法ばらつきがウェーハパターン寸法に与える影響
が無視できなくなってきている。それにより、マスク出
荷時のマスク規格保証（寸法、欠陥など）もますます厳
しいものになってきている。
スク寸法ばらつきがウェーハパターン寸法に与える影響
が無視できなくなってきている。それにより、マスク出
荷時のマスク規格保証（寸法、欠陥など）もますます厳
しいものになってきている。
【０００４】従来、ＤＲＡＭなどの先端の高集積メモリ
デバイスでは、マスク寸法の面内規格保証を、メモリセ
ル部から測長箇所を数箇所抽出し、各測長箇所において
マスクの寸法を測長することにより行っていた。これ
は、メモリセル部のパターンが他のパターンに比べ、寸
法的に厳しく、かつチップ内のある程度の面積（５０−
６０％）を占めていること、および基本的に繰り返しパ
ターンで形成されていることから、寸法の規格決めが比
較的容易であることによる。
デバイスでは、マスク寸法の面内規格保証を、メモリセ
ル部から測長箇所を数箇所抽出し、各測長箇所において
マスクの寸法を測長することにより行っていた。これ
は、メモリセル部のパターンが他のパターンに比べ、寸
法的に厳しく、かつチップ内のある程度の面積（５０−
６０％）を占めていること、および基本的に繰り返しパ
ターンで形成されていることから、寸法の規格決めが比
較的容易であることによる。
【０００５】ところがロジックデバイスは、基本的に回
路パターンがランダムであり、メモリデバイスのメモリ
セル部のように繰り返しパターンで形成される箇所がほ
とんどない。このため、ロジックデバイスでは、メモリ
デバイスのように寸法を測長するのに適切な測長箇所を
メモリセル部より抽出し、この測長箇所で測長してマス
ク寸法を保証する、という手法は基本的に使えない。
路パターンがランダムであり、メモリデバイスのメモリ
セル部のように繰り返しパターンで形成される箇所がほ
とんどない。このため、ロジックデバイスでは、メモリ
デバイスのように寸法を測長するのに適切な測長箇所を
メモリセル部より抽出し、この測長箇所で測長してマス
ク寸法を保証する、という手法は基本的に使えない。
【０００６】このような事情により、現状のロジックデ
バイスでは、測長用の繰り返しパターン、例えばライン
・アンド・スペース（以下Ｌ／Ｓ）パターンを、カーフ
部（チップとチップとの境界部）に配置しておき、この
寸法を測長し、マスクの面内寸法の規格保証を行う、と
いう手法をとっていた。
バイスでは、測長用の繰り返しパターン、例えばライン
・アンド・スペース（以下Ｌ／Ｓ）パターンを、カーフ
部（チップとチップとの境界部）に配置しておき、この
寸法を測長し、マスクの面内寸法の規格保証を行う、と
いう手法をとっていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、測長用
のＬ／Ｓパターンをカーフ部に配置する手法では、露光
マスクの面内寸法の規格保証を、プロセス的、デバイス
的に真に保証すべき箇所のパターン寸法によって行うこ
とはできない。
のＬ／Ｓパターンをカーフ部に配置する手法では、露光
マスクの面内寸法の規格保証を、プロセス的、デバイス
的に真に保証すべき箇所のパターン寸法によって行うこ
とはできない。
【０００８】また、カーフ部は、基本的に露光ショット
の端部となる場合が多い。このため、実際にデバイスと
して機能する露光エリアでのパターン寸法をモニタでき
ない、という事情がある。
の端部となる場合が多い。このため、実際にデバイスと
して機能する露光エリアでのパターン寸法をモニタでき
ない、という事情がある。
【０００９】この発明は、上記の事情に鑑み為されたも
ので、その目的は、ランダムな回路パターンを持つ半導
体集積回路装置の露光マスクであっても、露光マスクの
面内寸法の規格保証を、真に保証すべき箇所の寸法によ
って行うことができ、かつ露光エリアでのパターン寸法
のモニタも可能とする露光マスクの検査方法を提供する
ことにある。
ので、その目的は、ランダムな回路パターンを持つ半導
体集積回路装置の露光マスクであっても、露光マスクの
面内寸法の規格保証を、真に保証すべき箇所の寸法によ
って行うことができ、かつ露光エリアでのパターン寸法
のモニタも可能とする露光マスクの検査方法を提供する
ことにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明では、露光マスクの寸法変動とレジストの
寸法変動との相関曲線の傾きを算出し、前記相関曲線の
傾きが大きい箇所を抽出し、前記抽出された相関曲線の
傾きが大きい箇所から、前記露光マスクの寸法を測長す
る測長箇所を選ぶことを特徴としている。
に、この発明では、露光マスクの寸法変動とレジストの
寸法変動との相関曲線の傾きを算出し、前記相関曲線の
傾きが大きい箇所を抽出し、前記抽出された相関曲線の
傾きが大きい箇所から、前記露光マスクの寸法を測長す
る測長箇所を選ぶことを特徴としている。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態を説明する。 ［第１の実施形態］図１は、この発明の第１の実施形態
に係る露光マスクの検査方法を示す流れ図である。
の実施の形態を説明する。 ［第１の実施形態］図１は、この発明の第１の実施形態
に係る露光マスクの検査方法を示す流れ図である。
【００１２】まず、図１に示ように、工程ＳＴ．１にお
いて、マスク検査を行う露光マスクのＣＡＤレイアウト
（マスクパターン）をシミュレータに入力する。入力し
たＣＡＤレイアウトを図２（Ａ）に示す。図２（Ａ）に
示すＣＡＤレイアウトは、０．１８μｍのデザインルー
ルで形成されるロジックデバイスの素子分離パターンの
一部である。
いて、マスク検査を行う露光マスクのＣＡＤレイアウト
（マスクパターン）をシミュレータに入力する。入力し
たＣＡＤレイアウトを図２（Ａ）に示す。図２（Ａ）に
示すＣＡＤレイアウトは、０．１８μｍのデザインルー
ルで形成されるロジックデバイスの素子分離パターンの
一部である。
【００１３】図２（Ａ）に示すように、ロジックデバイ
スの素子分離パターンは、Ｌ／Ｓのような繰り返しパタ
ーンが少なく、ほとんどがランダムな配置になってい
る。次に、工程ＳＴ．２において、シミュレーションパ
ラメータをシミュレータに入力する。シミュレーション
パラメータは、露光装置の光学条件およびレジストプロ
セス条件を少なくとも含み、実際のリソグラフィ工程を
シミュレータ内に再現するものである。光学条件として
は、露光波長、レンズ開口数（ＮＡ）、コヒーレンスフ
ァクタ（σ）を挙げることができ、レジストプロセス条
件としては、レジストの膜厚および光学定数（ｎ、
ｋ）、現像速度などを挙げることができる。
スの素子分離パターンは、Ｌ／Ｓのような繰り返しパタ
ーンが少なく、ほとんどがランダムな配置になってい
る。次に、工程ＳＴ．２において、シミュレーションパ
ラメータをシミュレータに入力する。シミュレーション
パラメータは、露光装置の光学条件およびレジストプロ
セス条件を少なくとも含み、実際のリソグラフィ工程を
シミュレータ内に再現するものである。光学条件として
は、露光波長、レンズ開口数（ＮＡ）、コヒーレンスフ
ァクタ（σ）を挙げることができ、レジストプロセス条
件としては、レジストの膜厚および光学定数（ｎ、
ｋ）、現像速度などを挙げることができる。
【００１４】次に、工程ＳＴ．３において、露光量を設
定する。第１の実施形態では、露光量を、マスクバイア
ス“０”の条件（マスク寸法と設計寸法との変換差がゼ
ロ）下で０．１８μｍの孤立ラインパターンがレジスト
に、所望の寸法値通り得られる量に設定している。
定する。第１の実施形態では、露光量を、マスクバイア
ス“０”の条件（マスク寸法と設計寸法との変換差がゼ
ロ）下で０．１８μｍの孤立ラインパターンがレジスト
に、所望の寸法値通り得られる量に設定している。
【００１５】次に、工程ＳＴ．４において、光学シミュ
レーション回数を設定する。詳しくは下記するが、この
発明では、光学シミュレーションを数回行う。次に、工
程ＳＴ．５において、与えられたシミュレーションパラ
メータ、および露光量で、光学シミュレーションを開始
する。このとき、マスクバイアスは“０”である。
レーション回数を設定する。詳しくは下記するが、この
発明では、光学シミュレーションを数回行う。次に、工
程ＳＴ．５において、与えられたシミュレーションパラ
メータ、および露光量で、光学シミュレーションを開始
する。このとき、マスクバイアスは“０”である。
【００１６】次に、工程ＳＴ．６において、マスクバイ
アス“０”のときのレジストパターンの寸法値を算出す
る。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示すＣＡＤレイアウト
を、マスクバイアス“０”の条件下で光学シミュレーシ
ョンして得た光学像であり、輪郭をプロットしたもので
ある。
アス“０”のときのレジストパターンの寸法値を算出す
る。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示すＣＡＤレイアウト
を、マスクバイアス“０”の条件下で光学シミュレーシ
ョンして得た光学像であり、輪郭をプロットしたもので
ある。
【００１７】この発明では、上記の光学シミュレーショ
ンを、マスクバイアスを変化させて、何回か行う。マス
クバイアスを変化させることは、ＣＡＤレイアウト、即
ち露光マスクのマスクパターン寸法を変動させることと
等価である。この第１の実施形態では、上記の光学シミ
ュレーションを、マスクバイアスを変化させて３回行
う。即ち、工程ＳＴ．４で設定した設定回数は“３”で
ある。レジストパターンの寸法値は、３回の光学シミュ
レーションにおいてそれぞれ算出される。
ンを、マスクバイアスを変化させて、何回か行う。マス
クバイアスを変化させることは、ＣＡＤレイアウト、即
ち露光マスクのマスクパターン寸法を変動させることと
等価である。この第１の実施形態では、上記の光学シミ
ュレーションを、マスクバイアスを変化させて３回行
う。即ち、工程ＳＴ．４で設定した設定回数は“３”で
ある。レジストパターンの寸法値は、３回の光学シミュ
レーションにおいてそれぞれ算出される。
【００１８】工程ＳＴ．７は、光学シミュレーションの
回数が設定回数か否かを判断する工程である。この第１
の実施形態では、３回の光学シミュレーションを終えた
か否かが判断される。終えていない場合（ＮＯ．）に
は、工程ＳＴ．８において、マスクバイアスを変更す
る。マスクバイアスはＣＡＤレイアウト上で一律に変更
される。ＣＡＤレイアウトのパターンピッチが特定の部
分のみ極度に変化しないようにするためである。マスク
バイアスを変更する量は、デザインルールの５％〜１０
％程度が目安である。この第１の実施形態では、まず、
マスクバイアス“０”から“＋２０ｎｍ”に変更した。
回数が設定回数か否かを判断する工程である。この第１
の実施形態では、３回の光学シミュレーションを終えた
か否かが判断される。終えていない場合（ＮＯ．）に
は、工程ＳＴ．８において、マスクバイアスを変更す
る。マスクバイアスはＣＡＤレイアウト上で一律に変更
される。ＣＡＤレイアウトのパターンピッチが特定の部
分のみ極度に変化しないようにするためである。マスク
バイアスを変更する量は、デザインルールの５％〜１０
％程度が目安である。この第１の実施形態では、まず、
マスクバイアス“０”から“＋２０ｎｍ”に変更した。
【００１９】マスクバイアスを変更した後、工程ＳＴ．
５に戻り、マスクバイアス“＋２０ｎｍ”の条件下で、
再度光学シミュレーションを開始する。このとき、シミ
ュレーションパラメータや露光量は変更しない。
５に戻り、マスクバイアス“＋２０ｎｍ”の条件下で、
再度光学シミュレーションを開始する。このとき、シミ
ュレーションパラメータや露光量は変更しない。
【００２０】次に、工程ＳＴ．６において、マスクバイ
アス“＋２０ｎｍ”のときのレジストパターンの寸法値
を算出する。即ち、マスクバイアス“＋２０ｎｍ”で、
図２（Ｂ）に相当する光学像を得る。
アス“＋２０ｎｍ”のときのレジストパターンの寸法値
を算出する。即ち、マスクバイアス“＋２０ｎｍ”で、
図２（Ｂ）に相当する光学像を得る。
【００２１】次に、工程ＳＴ．７において、所定回数の
光学シミュレーションを終えたか否かを判断し、終えて
いない（ＮＯ．）と判断すると、工程ＳＴ．８におい
て、マスクバイアスを“＋２０ｎｍ”から“−２０ｎ
ｍ”に変化させる。
光学シミュレーションを終えたか否かを判断し、終えて
いない（ＮＯ．）と判断すると、工程ＳＴ．８におい
て、マスクバイアスを“＋２０ｎｍ”から“−２０ｎ
ｍ”に変化させる。
【００２２】この後、工程ＳＴ．５において、マスクバ
イアス“−２０ｎｍ”で、光学シミュレーションを行
い、工程ＳＴ．６において、マスクバイアス“−２０ｎ
ｍ”の条件下で、レジストパターンの寸法値を算出す
る。このときも、マスクバイアスのみを変化させ、シミ
ュレーションパラメータや露光量は変化しない。
イアス“−２０ｎｍ”で、光学シミュレーションを行
い、工程ＳＴ．６において、マスクバイアス“−２０ｎ
ｍ”の条件下で、レジストパターンの寸法値を算出す
る。このときも、マスクバイアスのみを変化させ、シミ
ュレーションパラメータや露光量は変化しない。
【００２３】以上により、マスクバイアス“０”のと
き、マスクバイアス“＋２０ｎｍ”のとき、並びにマス
クバイアス“−２０ｎｍ”のときそれぞれの、レジスト
パターンの寸法値が求められる。
き、マスクバイアス“＋２０ｎｍ”のとき、並びにマス
クバイアス“−２０ｎｍ”のときそれぞれの、レジスト
パターンの寸法値が求められる。
【００２４】工程ＳＴ．７において、所定回数の光学シ
ミュレーションを終えた、と判断した場合（ＹＥＳ．）
には、露光マスクの測長に最適な箇所を抽出する工程に
入る。
ミュレーションを終えた、と判断した場合（ＹＥＳ．）
には、露光マスクの測長に最適な箇所を抽出する工程に
入る。
【００２５】測長に最適な箇所を抽出するために、この
発明では、“ＭＥＦ（Ｍask CDdeviation Ｅnhancement
Ｆactor ）”を利用する。“ＭＥＦ”は、露光マスク
のパターン寸法のばらつきが、ウェーハに形成されたパ
ターン寸法に与える影響を定量化するファクタである。
“ＭＥＦ”は、下記の文献に開示されている。“Electr
ical Characterization of Across-field Lithografic
Performance for 256 Ｍ bit DRAM Technologies”, Pr
oc. SPIE in Symposium Photomask and X-Ray Mask Tec
hnology II, Hideo Yoshikawa, Editor, Vol.2512,pp.2
18-225,1995.(J. Iba, Ｋ. Hashimoto, R. Ferguson,
T. Yanagisawa andD. Samuels)図３は、“ＭＥＦ”を説
明するための図である。
発明では、“ＭＥＦ（Ｍask CDdeviation Ｅnhancement
Ｆactor ）”を利用する。“ＭＥＦ”は、露光マスク
のパターン寸法のばらつきが、ウェーハに形成されたパ
ターン寸法に与える影響を定量化するファクタである。
“ＭＥＦ”は、下記の文献に開示されている。“Electr
ical Characterization of Across-field Lithografic
Performance for 256 Ｍ bit DRAM Technologies”, Pr
oc. SPIE in Symposium Photomask and X-Ray Mask Tec
hnology II, Hideo Yoshikawa, Editor, Vol.2512,pp.2
18-225,1995.(J. Iba, Ｋ. Hashimoto, R. Ferguson,
T. Yanagisawa andD. Samuels)図３は、“ＭＥＦ”を説
明するための図である。
【００２６】図３に示すように“ＭＥＦ”は、パターン
ピッチが一定の条件における、露光マスクの寸法変動
（ΔＬｍ）とレジストの寸法変動（ΔＬｒ）との傾き
（ΔＬｒ／ΔＬｍ）として定義される。ＭＥＦは露光条
件、設計寸法、パターンレイアウト、レジスト条件等に
依存する。
ピッチが一定の条件における、露光マスクの寸法変動
（ΔＬｍ）とレジストの寸法変動（ΔＬｒ）との傾き
（ΔＬｒ／ΔＬｍ）として定義される。ＭＥＦは露光条
件、設計寸法、パターンレイアウト、レジスト条件等に
依存する。
【００２７】図３からも分かるように、露光マスクのパ
ターン寸法のばらつきは、“ＭＥＦ”を乗じることによ
り、レジストのパターン寸法のばらつきとなる。即ち
“ＭＥＦ＞１”のとき、レジストのパターン寸法のばら
つきは、露光マスクのパターン寸法のばらつきよりも、
エンハンスされることになる。この“ＭＥＦ”を利用す
れば、露光マスクのパターンの中で、その寸法のばらつ
きが、レジスト寸法のばらつきをエンハンスさせる箇所
を知ることができる。つまり、露光マスクのパターン寸
法のばらつきを、より厳しく管理すべき箇所を特定でき
る。
ターン寸法のばらつきは、“ＭＥＦ”を乗じることによ
り、レジストのパターン寸法のばらつきとなる。即ち
“ＭＥＦ＞１”のとき、レジストのパターン寸法のばら
つきは、露光マスクのパターン寸法のばらつきよりも、
エンハンスされることになる。この“ＭＥＦ”を利用す
れば、露光マスクのパターンの中で、その寸法のばらつ
きが、レジスト寸法のばらつきをエンハンスさせる箇所
を知ることができる。つまり、露光マスクのパターン寸
法のばらつきを、より厳しく管理すべき箇所を特定でき
る。
【００２８】上記の事項を利用し、第１の実施形態で
は、工程ＳＴ．９において、ＣＡＤレイアウトの全ての
パターンにおける“ＭＥＦ”を算出する。工程ＳＴ．９
では、“ＭＥＦ”を、レジストパターンの線幅寸法（Δ
CDresist）／ＣＡＤレイアウトパターンの線幅寸法（Δ
CDmask）と定義して算出する（CD:Critical Dimension
) 。
は、工程ＳＴ．９において、ＣＡＤレイアウトの全ての
パターンにおける“ＭＥＦ”を算出する。工程ＳＴ．９
では、“ＭＥＦ”を、レジストパターンの線幅寸法（Δ
CDresist）／ＣＡＤレイアウトパターンの線幅寸法（Δ
CDmask）と定義して算出する（CD:Critical Dimension
) 。
【００２９】図４は、工程ＳＴ．９で算出された“ＭＥ
Ｆ”を、ＣＡＤレイアウト上に分布図として示した図で
ある。図４に示すように、“ＭＥＦ”は、ＣＡＤレイア
ウト上で均一に現われるのでなく、様々な値で現われ
る。“ＭＥＦ”が大きい箇所は、ＣＡＤレイアウトパタ
ーンの寸法ばらつきが、レジストパターンの寸法ばらつ
きをエンハンスさせる箇所である。即ち、露光マスクの
パターン寸法のばらつきを、より厳しく管理すべき箇所
である。
Ｆ”を、ＣＡＤレイアウト上に分布図として示した図で
ある。図４に示すように、“ＭＥＦ”は、ＣＡＤレイア
ウト上で均一に現われるのでなく、様々な値で現われ
る。“ＭＥＦ”が大きい箇所は、ＣＡＤレイアウトパタ
ーンの寸法ばらつきが、レジストパターンの寸法ばらつ
きをエンハンスさせる箇所である。即ち、露光マスクの
パターン寸法のばらつきを、より厳しく管理すべき箇所
である。
【００３０】次に、工程ＳＴ．１０において、ＣＡＤレ
イアウトパターンの中から、比較的“ＭＥＦ”が大きい
箇所を抽出する。この第１の実施形態では、“ＭＥＦ”
が大きいか小さいかを判断するための基準値を１．５に
設定した。そして、図４に示すように、“ＭＥＦ”が
１．５以上となる箇所Ａ、Ｂを、“ＭＥＦ”が大きい箇
所として抽出した。
イアウトパターンの中から、比較的“ＭＥＦ”が大きい
箇所を抽出する。この第１の実施形態では、“ＭＥＦ”
が大きいか小さいかを判断するための基準値を１．５に
設定した。そして、図４に示すように、“ＭＥＦ”が
１．５以上となる箇所Ａ、Ｂを、“ＭＥＦ”が大きい箇
所として抽出した。
【００３１】次に、工程ＳＴ．１１において、抽出され
た箇所Ａ、Ｂを、露光マスクの寸法を測るための測長箇
所に指定する。このような第１の実施形態に係る露光マ
スクの検査方法であると、（１） ＣＡＤレイアウトパ
ターンの“ＭＥＦ”を算出し、（２） ＣＡＤレイアウ
トパターンの中から、“ＭＥＦ”が大きい箇所を抽出
し、（３） 抽出された“ＭＥＦ”が大きい箇所を、露
光マスクの寸法を測る測長箇所に指定する。
た箇所Ａ、Ｂを、露光マスクの寸法を測るための測長箇
所に指定する。このような第１の実施形態に係る露光マ
スクの検査方法であると、（１） ＣＡＤレイアウトパ
ターンの“ＭＥＦ”を算出し、（２） ＣＡＤレイアウ
トパターンの中から、“ＭＥＦ”が大きい箇所を抽出
し、（３） 抽出された“ＭＥＦ”が大きい箇所を、露
光マスクの寸法を測る測長箇所に指定する。
【００３２】上記構成を有する露光マスクの検査方法で
あると、露光マスクの寸法を厳しく管理すべき箇所を、
測長箇所に指定できる。よって、露光マスクの面内寸法
の規格保証を、真に保証すべき箇所の寸法によって行う
ことが可能となる。
あると、露光マスクの寸法を厳しく管理すべき箇所を、
測長箇所に指定できる。よって、露光マスクの面内寸法
の規格保証を、真に保証すべき箇所の寸法によって行う
ことが可能となる。
【００３３】しかもこの発明により指定される測長箇所
は、露光エリア内から選ばれる。このため、露光マスク
の面内寸法の規格保証を、実際にデバイスとして機能す
る露光エリア内のパターンの測長することで行える。よ
って、露光マスクの面内寸法の規格保証の精度は、デバ
イスとして機能しないカーフ部に形成された測長用パタ
ーンの寸法を測長する場合に比べて、より向上させるこ
とができる。
は、露光エリア内から選ばれる。このため、露光マスク
の面内寸法の規格保証を、実際にデバイスとして機能す
る露光エリア内のパターンの測長することで行える。よ
って、露光マスクの面内寸法の規格保証の精度は、デバ
イスとして機能しないカーフ部に形成された測長用パタ
ーンの寸法を測長する場合に比べて、より向上させるこ
とができる。
【００３４】［第２の実施形態］上記第１の実施形態で
は“ＭＥＦ”が大きいか小さいかを判断するために、あ
る基準値（具体的には１．５）を設定し、“ＭＥＦ”と
基準値とを比較し、“ＭＥＦ”が大きいか小さいかを判
断した。しかし、“ＭＥＦ”が大きいか小さいかを判断
する方式は、設定した基準値と比較する方式ばかりでな
く、他の方式に変更することが可能である。
は“ＭＥＦ”が大きいか小さいかを判断するために、あ
る基準値（具体的には１．５）を設定し、“ＭＥＦ”と
基準値とを比較し、“ＭＥＦ”が大きいか小さいかを判
断した。しかし、“ＭＥＦ”が大きいか小さいかを判断
する方式は、設定した基準値と比較する方式ばかりでな
く、他の方式に変更することが可能である。
【００３５】この第２の実施形態は、“ＭＥＦ”が大き
いか小さいかを判断する、他の方式に関する。図５は、
この発明の第２の実施形態に係る露光マスクの検査方法
を示す流れ図、図６はＣＡＤレイアウトに得た“ＭＥ
Ｆ”の分布を示す図である。
いか小さいかを判断する、他の方式に関する。図５は、
この発明の第２の実施形態に係る露光マスクの検査方法
を示す流れ図、図６はＣＡＤレイアウトに得た“ＭＥ
Ｆ”の分布を示す図である。
【００３６】図５に示すように、第１の実施形態により
説明した工程ＳＴ．１〜工程ＳＴ．９にしたがって、Ｃ
ＡＤレイアウトパターンの“ＭＥＦ”を算出する。次
に、工程ＳＴ．１２において、パターンを“ＭＥＦ”毎
のグループに分類する。第３の実施形態では回路パター
ンを“ＭＥＦ”の値によって、いくつかのグループに分
類する。具体的には、図６に示すように、 GROUP.１： １．５ ≦ ＭＥＦ GROUP.２： １．４ ≦ ＭＥＦ ＜ １．５ GROUP.３： １．３ ≦ ＭＥＦ ＜ １．４ GROUP.４： ＭＥＦ ＜ １．３ の４つのグループに分類した。
説明した工程ＳＴ．１〜工程ＳＴ．９にしたがって、Ｃ
ＡＤレイアウトパターンの“ＭＥＦ”を算出する。次
に、工程ＳＴ．１２において、パターンを“ＭＥＦ”毎
のグループに分類する。第３の実施形態では回路パター
ンを“ＭＥＦ”の値によって、いくつかのグループに分
類する。具体的には、図６に示すように、 GROUP.１： １．５ ≦ ＭＥＦ GROUP.２： １．４ ≦ ＭＥＦ ＜ １．５ GROUP.３： １．３ ≦ ＭＥＦ ＜ １．４ GROUP.４： ＭＥＦ ＜ １．３ の４つのグループに分類した。
【００３７】次に、工程ＳＴ．１３において、４つのグ
ループの中で、“ＭＥＦ”が最も大きいグループを測長
箇所に指定する。即ち、GROUP.１を測長箇所に指定す
る。図６においては、GROUP.１に含まれる箇所Ａ、Ｂが
測長箇所に指定される。
ループの中で、“ＭＥＦ”が最も大きいグループを測長
箇所に指定する。即ち、GROUP.１を測長箇所に指定す
る。図６においては、GROUP.１に含まれる箇所Ａ、Ｂが
測長箇所に指定される。
【００３８】このように第２の実施形態では、（１）
ＣＡＤレイアウトパターンの“ＭＥＦ”を算出し、
（２） ＣＡＤレイアウトパターンを“ＭＥＦ”毎のグ
ループに分類し、（３） “ＭＥＦ”が最も大きいグル
ープを、露光マスクの寸法を測る測長箇所に指定する。
ＣＡＤレイアウトパターンの“ＭＥＦ”を算出し、
（２） ＣＡＤレイアウトパターンを“ＭＥＦ”毎のグ
ループに分類し、（３） “ＭＥＦ”が最も大きいグル
ープを、露光マスクの寸法を測る測長箇所に指定する。
【００３９】このような第２の実施形態であっても、第
１の実施形態と同様に露光マスクの寸法を厳しく管理す
べき箇所を、測長箇所に指定できる。よって、第１の実
施形態と同様の効果を得ることができる。
１の実施形態と同様に露光マスクの寸法を厳しく管理す
べき箇所を、測長箇所に指定できる。よって、第１の実
施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４０】また、第２の実施形態では、ＣＡＤレイア
ウトパターンを“ＭＥＦ”毎のグループに分類し、“Ｍ
ＥＦ”が最も大きいグループを測長箇所に指定する。こ
のため、“ＭＥＦ”が大きいか小さいかを判断する基準
値を設定する必要がない。
ウトパターンを“ＭＥＦ”毎のグループに分類し、“Ｍ
ＥＦ”が最も大きいグループを測長箇所に指定する。こ
のため、“ＭＥＦ”が大きいか小さいかを判断する基準
値を設定する必要がない。
【００４１】よって、第２の実施形態では“ＭＥＦ”の
予測が困難で、“ＭＥＦ”が大きいか小さいかを判断す
る基準値を、あらかじめ設定しにくいような露光マスク
の検査に、特に有効である。
予測が困難で、“ＭＥＦ”が大きいか小さいかを判断す
る基準値を、あらかじめ設定しにくいような露光マスク
の検査に、特に有効である。
【００４２】［第３の実施形態］上記第１、第２の実施
形態で用いた露光マスクは、素子分離パターン形成用で
あった。
形態で用いた露光マスクは、素子分離パターン形成用で
あった。
【００４３】しかし、この発明は、素子分離パターン形
成用の露光マスクばかりでなく、半導体集積回路装置の
製造に使用する露光マスクであれば、如何なるものにも
適用することができる。半導体集積回路装置の製造に使
用する露光マスクとしては、ゲートパターン形成用の露
光マスク、配線パターン形成用の露光マスク、コンタク
ト／スルーホール／ヴィア開口パターン用の露光マス
ク、不純物イオンを注入するための窓パターン用の露光
マスクを挙げることができる。
成用の露光マスクばかりでなく、半導体集積回路装置の
製造に使用する露光マスクであれば、如何なるものにも
適用することができる。半導体集積回路装置の製造に使
用する露光マスクとしては、ゲートパターン形成用の露
光マスク、配線パターン形成用の露光マスク、コンタク
ト／スルーホール／ヴィア開口パターン用の露光マス
ク、不純物イオンを注入するための窓パターン用の露光
マスクを挙げることができる。
【００４４】図７は、ゲートパターン用の露光マスクの
ＣＡＤレイアウトを示す図、図８は、第２の実施形態に
より説明した方法によって、図７に示すＣＡＤレイアウ
トに得た“ＭＥＦ”の分布を示す図である。
ＣＡＤレイアウトを示す図、図８は、第２の実施形態に
より説明した方法によって、図７に示すＣＡＤレイアウ
トに得た“ＭＥＦ”の分布を示す図である。
【００４５】図８に示すように、GROUP.１に含まれる箇
所Ａ、Ｂ、Ｃが測長箇所に指定される。このように、こ
の発明に係る露光マスクの検査方法は、半導体集積回路
装置の製造に使用する露光マスクであれば、如何なるも
のにも適用することができる。
所Ａ、Ｂ、Ｃが測長箇所に指定される。このように、こ
の発明に係る露光マスクの検査方法は、半導体集積回路
装置の製造に使用する露光マスクであれば、如何なるも
のにも適用することができる。
【００４６】［第４の実施形態］上記第１〜第３の実施
形態では“ＭＥＦ”の算出を、ＣＡＤレイアウトの全て
のパターンに対して行ったが、“ＭＥＦ”の算出は、Ｃ
ＡＤレイアウトの特定のパターンに対してのみ行うこと
も可能である。
形態では“ＭＥＦ”の算出を、ＣＡＤレイアウトの全て
のパターンに対して行ったが、“ＭＥＦ”の算出は、Ｃ
ＡＤレイアウトの特定のパターンに対してのみ行うこと
も可能である。
【００４７】図９に示すようにゲートパターンは、素子
分離領域パターン（Field Area：以下“ＦＡ”）上と、
素子領域パターン（Active Area ：以下“ＡＡ”）上と
に分類されるものである。ゲートパターンのうち、“Ｆ
Ａ”上パターンと重なる部分は配線として機能し、“Ａ
Ａ”上パターンと重なる部分はトランジスタのゲートと
して機能する。トランジスタのゲートとして機能する
“ＡＡ”上のゲートパターンは、寸法の制御を、特に厳
しく管理する必要がある。ゲートパターンの線幅寸法
は、トランジスタの特性に直接影響するからである。
分離領域パターン（Field Area：以下“ＦＡ”）上と、
素子領域パターン（Active Area ：以下“ＡＡ”）上と
に分類されるものである。ゲートパターンのうち、“Ｆ
Ａ”上パターンと重なる部分は配線として機能し、“Ａ
Ａ”上パターンと重なる部分はトランジスタのゲートと
して機能する。トランジスタのゲートとして機能する
“ＡＡ”上のゲートパターンは、寸法の制御を、特に厳
しく管理する必要がある。ゲートパターンの線幅寸法
は、トランジスタの特性に直接影響するからである。
【００４８】即ち、第４の実施形態では、ゲートパター
ンのうち、“ＡＡ”パターンと重なるパターンを“ＭＥ
Ｆ”を算出するパターンに特定し、特定したパターンの
“ＭＥＦ”を算出する。
ンのうち、“ＡＡ”パターンと重なるパターンを“ＭＥ
Ｆ”を算出するパターンに特定し、特定したパターンの
“ＭＥＦ”を算出する。
【００４９】図１０は、この発明の第４の実施形態に係
る露光マスクの検査方法を示す流れ図、図１１はＣＡＤ
レイアウトに得た“ＭＥＦ”の分布を示す図である。図
１０に示すように、第１の実施形態により説明した工程
ＳＴ．１〜工程ＳＴ．８にしたがって、光学シミュレー
ションを行う。
る露光マスクの検査方法を示す流れ図、図１１はＣＡＤ
レイアウトに得た“ＭＥＦ”の分布を示す図である。図
１０に示すように、第１の実施形態により説明した工程
ＳＴ．１〜工程ＳＴ．８にしたがって、光学シミュレー
ションを行う。
【００５０】次に、工程ＳＴ．１４において、“ＭＥ
Ｆ”を算出するパターンを特定する。即ち、図９に示し
たように、ゲートパターンのうち、“ＡＡ”パターンと
重なるパターンを“ＭＥＦ”を算出するパターンに特定
する。
Ｆ”を算出するパターンを特定する。即ち、図９に示し
たように、ゲートパターンのうち、“ＡＡ”パターンと
重なるパターンを“ＭＥＦ”を算出するパターンに特定
する。
【００５１】次に、工程ＳＴ．１５において、特定した
パターンの“ＭＥＦ”を算出する。次に、工程ＳＴ．１
６において、特定したパターンの中から、比較的“ＭＥ
Ｆ”が大きい箇所を抽出する。この第４の実施形態で
は、“ＭＥＦ”が大きいか小さいかを判断するための基
準値を、第１の実施形態と同様に１．５に設定した。そ
して、図１１に示すように、“ＭＥＦ”が１．５以上と
なる箇所Ａ、Ｂ、Ｃを、“ＭＥＦ”が大きい箇所として
抽出した。
パターンの“ＭＥＦ”を算出する。次に、工程ＳＴ．１
６において、特定したパターンの中から、比較的“ＭＥ
Ｆ”が大きい箇所を抽出する。この第４の実施形態で
は、“ＭＥＦ”が大きいか小さいかを判断するための基
準値を、第１の実施形態と同様に１．５に設定した。そ
して、図１１に示すように、“ＭＥＦ”が１．５以上と
なる箇所Ａ、Ｂ、Ｃを、“ＭＥＦ”が大きい箇所として
抽出した。
【００５２】次に、工程ＳＴ．１７において、抽出され
た箇所Ａ、Ｂ、Ｃを、露光マスクの寸法を測るための測
長箇所に指定する。このような第４の実施形態に係る露
光マスクの検査方法であると、（１） ＣＡＤレイアウ
トパターンの中から、“ＭＥＦ”を算出するパターンを
特定し、（２） 特定されたパターンの“ＭＥＦ”を算
出し、（３） 特定されたパターンの中から、“ＭＥ
Ｆ”が大きい箇所を抽出し、（４） 抽出された“ＭＥ
Ｆ”が大きい箇所を、露光マスクの寸法を測る測長箇所
に指定する。
た箇所Ａ、Ｂ、Ｃを、露光マスクの寸法を測るための測
長箇所に指定する。このような第４の実施形態に係る露
光マスクの検査方法であると、（１） ＣＡＤレイアウ
トパターンの中から、“ＭＥＦ”を算出するパターンを
特定し、（２） 特定されたパターンの“ＭＥＦ”を算
出し、（３） 特定されたパターンの中から、“ＭＥ
Ｆ”が大きい箇所を抽出し、（４） 抽出された“ＭＥ
Ｆ”が大きい箇所を、露光マスクの寸法を測る測長箇所
に指定する。
【００５３】このような第４の実施形態であっても、第
１の実施形態と同様に露光マスクの寸法を厳しく管理す
べき箇所を、測長箇所に指定できる。よって、第１の実
施形態と同様の効果を得ることができる。
１の実施形態と同様に露光マスクの寸法を厳しく管理す
べき箇所を、測長箇所に指定できる。よって、第１の実
施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５４】また、第４の実施形態では、“ＭＥＦ”を
算出する箇所を、第１の実施形態に比べて減らすことが
でき、“ＭＥＦ”を算出するための演算時間を短縮でき
る。なお、この第４の実施形態は、測長箇所を、第１の
実施形態により説明した方法にしたがって選んだが、第
２の実施形態とにより説明した方法にしたがって選ぶよ
うにしても良い。
算出する箇所を、第１の実施形態に比べて減らすことが
でき、“ＭＥＦ”を算出するための演算時間を短縮でき
る。なお、この第４の実施形態は、測長箇所を、第１の
実施形態により説明した方法にしたがって選んだが、第
２の実施形態とにより説明した方法にしたがって選ぶよ
うにしても良い。
【００５５】［第５の実施形態］図１２（Ａ）は露光マ
スクのＣＡＤレイアウトを示す図、図１２（Ｂ）は実際
の露光マスクを示す図である。
スクのＣＡＤレイアウトを示す図、図１２（Ｂ）は実際
の露光マスクを示す図である。
【００５６】図１２（Ａ）に示すように、ＣＡＤレイア
ウトでは、パターンのコーナーｃが直角に描かれる。こ
れに対し、図１２（Ｂ）に示すように、実際の露光マス
クでは、パターンのコーナーｃは直角とならない。実際
の露光マスクのパターンは、半導体集積回路装置と同様
に、リソグラフィ法を用いて製造されるためである。
ウトでは、パターンのコーナーｃが直角に描かれる。こ
れに対し、図１２（Ｂ）に示すように、実際の露光マス
クでは、パターンのコーナーｃは直角とならない。実際
の露光マスクのパターンは、半導体集積回路装置と同様
に、リソグラフィ法を用いて製造されるためである。
【００５７】図１２（Ａ）に示すＣＡＤレイアウトを使
用して光学シミュレーションを行うと、コーナーｃにお
いては光の回折や干渉等が発生するので、光学像は、Ｃ
ＡＤレイアウトから大きくはずれることになる。このた
め、図１２（Ｃ）に示すように、特にコーナーｃが含ま
れる領域１０においてＭＥＦが大と判断され、領域１０
が、数多く測長箇所に選ばれてしまう可能性がある。
用して光学シミュレーションを行うと、コーナーｃにお
いては光の回折や干渉等が発生するので、光学像は、Ｃ
ＡＤレイアウトから大きくはずれることになる。このた
め、図１２（Ｃ）に示すように、特にコーナーｃが含ま
れる領域１０においてＭＥＦが大と判断され、領域１０
が、数多く測長箇所に選ばれてしまう可能性がある。
【００５８】このような事情を解消するのが、第５の実
施形態である。図１３（Ａ）はこの発明の第５の実施形
態に係るＣＡＤレイアウトを示す図である。
施形態である。図１３（Ａ）はこの発明の第５の実施形
態に係るＣＡＤレイアウトを示す図である。
【００５９】図１３（Ａ）に示すように、この第５の実
施形態では、ＣＡＤレイアウトのコーナーｃを、実際の
露光マスクのパターンに合致するように補正する。この
ように、ＣＡＤレイアウトのコーナーｃを、実際の露光
マスクのパターンに合致するように補正することで、図
１３（Ｂ）に示すように、特にコーナーｃが含まれる領
域１０においても、シミュレーションに得た光学像がＣ
ＡＤレイアウトから大きく外れることがなくなる。よっ
て、領域１０が、測長箇所に数多く選ばれてしまう事情
を解消することができる。
施形態では、ＣＡＤレイアウトのコーナーｃを、実際の
露光マスクのパターンに合致するように補正する。この
ように、ＣＡＤレイアウトのコーナーｃを、実際の露光
マスクのパターンに合致するように補正することで、図
１３（Ｂ）に示すように、特にコーナーｃが含まれる領
域１０においても、シミュレーションに得た光学像がＣ
ＡＤレイアウトから大きく外れることがなくなる。よっ
て、領域１０が、測長箇所に数多く選ばれてしまう事情
を解消することができる。
【００６０】［第６の実施形態］上記第１〜第５の実施
形態では測長箇所の数を規定していない。測長箇所の数
は特に規定しないことは、開発段階の製品や、研究段階
の最先端のデバイスに使用する露光マスクには有効であ
る。これらの製品、デバイスを製造するための露光マス
クには、極めて高い寸法精度が要求されるからである。
露光マスクの寸法精度は、測長箇所が多いほど高まる。
形態では測長箇所の数を規定していない。測長箇所の数
は特に規定しないことは、開発段階の製品や、研究段階
の最先端のデバイスに使用する露光マスクには有効であ
る。これらの製品、デバイスを製造するための露光マス
クには、極めて高い寸法精度が要求されるからである。
露光マスクの寸法精度は、測長箇所が多いほど高まる。
【００６１】しかし、これら開発段階の製品や、研究段
階のデバイスに使用する露光マスクに対し、量産段階の
製品に使用する露光マスクには、高い寸法精度のみなら
ず、高いスループットも要求される。露光マスクは消耗
品であり、絶えず量産工場に供給され続けなければなら
ない。測長箇所をむやみに増やすと、検査に要する時間
が長くなり、スループットが悪くなる。
階のデバイスに使用する露光マスクに対し、量産段階の
製品に使用する露光マスクには、高い寸法精度のみなら
ず、高いスループットも要求される。露光マスクは消耗
品であり、絶えず量産工場に供給され続けなければなら
ない。測長箇所をむやみに増やすと、検査に要する時間
が長くなり、スループットが悪くなる。
【００６２】よって、測長箇所の数を適切な数に規定す
ることも、特に量産製品に使用する露光マスクにおいて
は有効である。第６の実施形態は、測長箇所の数を規定
する一例である。
ることも、特に量産製品に使用する露光マスクにおいて
は有効である。第６の実施形態は、測長箇所の数を規定
する一例である。
【００６３】図１４は、この発明の第６の実施形態に係
る露光マスクの検査方法を示す流れ図である。図１４に
示すように、第１の実施形態により説明した工程ＳＴ．
１〜工程ＳＴ．９にしたがって、ＣＡＤレイアウトパタ
ーンの“ＭＥＦ”を算出する。
る露光マスクの検査方法を示す流れ図である。図１４に
示すように、第１の実施形態により説明した工程ＳＴ．
１〜工程ＳＴ．９にしたがって、ＣＡＤレイアウトパタ
ーンの“ＭＥＦ”を算出する。
【００６４】次に、工程ＳＴ．１８において、パターン
に番号を“ＭＥＦ”が大きい順に付与する。次に、工程
ＳＴ．１９において、測長箇所設定数以内で番号順に測
長箇所に指定する。この第６の実施形態においては、測
長箇所設定数を２０点とした。
に番号を“ＭＥＦ”が大きい順に付与する。次に、工程
ＳＴ．１９において、測長箇所設定数以内で番号順に測
長箇所に指定する。この第６の実施形態においては、測
長箇所設定数を２０点とした。
【００６５】このような第６の実施形態であっても、第
１の実施形態と同様に露光マスクの寸法を厳しく管理す
べき箇所を、測長箇所に指定できる。よって、第１の実
施形態と同様の効果を得ることができる。
１の実施形態と同様に露光マスクの寸法を厳しく管理す
べき箇所を、測長箇所に指定できる。よって、第１の実
施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６６】また、第６の実施形態では、設定数以内
で、“ＭＥＦ”が大きい順に測長箇所に指定する。この
ため、第６の実施形態では、測長箇所の数が限られてい
た場合でも、限られた数以内で、最適な測長箇所を指定
することができる。
で、“ＭＥＦ”が大きい順に測長箇所に指定する。この
ため、第６の実施形態では、測長箇所の数が限られてい
た場合でも、限られた数以内で、最適な測長箇所を指定
することができる。
【００６７】［第７の実施形態］上記第１〜第６の実施
形態では測長箇所の露光マスク面内における位置は、規
定されない。現在のＬＳＩでは、だいたい同じような寸
法のトランジスタがチップの全体にほぼ均等に存在して
おり、“ＭＥＦ”が大きい箇所は露光マスク面内でほぼ
均等に現れることが、ふつうである。
形態では測長箇所の露光マスク面内における位置は、規
定されない。現在のＬＳＩでは、だいたい同じような寸
法のトランジスタがチップの全体にほぼ均等に存在して
おり、“ＭＥＦ”が大きい箇所は露光マスク面内でほぼ
均等に現れることが、ふつうである。
【００６８】しかしながら、今後、多様な寸法のトラン
ジスタが１つのチップに集積される可能性が高い。しか
も、多様な寸法のトランジスタがチップに集積されるだ
けでなく、ある特定の寸法を持つトランジスタが、チッ
プの一部分に局所的に配置される可能性がある。即ち、
システムＬＳＩである。
ジスタが１つのチップに集積される可能性が高い。しか
も、多様な寸法のトランジスタがチップに集積されるだ
けでなく、ある特定の寸法を持つトランジスタが、チッ
プの一部分に局所的に配置される可能性がある。即ち、
システムＬＳＩである。
【００６９】システムＬＳＩでは、プロセッサに代表さ
れるロジック系の回路、ＤＲＡＭに代表されるメモリ系
の回路が１チップに集積される。このようなシステムＬ
ＳＩでは“ＭＥＦ”の大きい箇所が、ＤＲＡＭブロック
に集中したり、あるいはプロセッサブロックに集中した
りすることも充分に想定される。このような現象が発生
すると、測長箇所が、露光マスクの一部分に局所的に集
中する。測長箇所が、局所的に集中すると、露光マスク
の寸法保証は、局所的な部分の測長のみで行われること
になる。このため、露光マスクの保証精度の面内均一性
が損なわれる可能性がある。
れるロジック系の回路、ＤＲＡＭに代表されるメモリ系
の回路が１チップに集積される。このようなシステムＬ
ＳＩでは“ＭＥＦ”の大きい箇所が、ＤＲＡＭブロック
に集中したり、あるいはプロセッサブロックに集中した
りすることも充分に想定される。このような現象が発生
すると、測長箇所が、露光マスクの一部分に局所的に集
中する。測長箇所が、局所的に集中すると、露光マスク
の寸法保証は、局所的な部分の測長のみで行われること
になる。このため、露光マスクの保証精度の面内均一性
が損なわれる可能性がある。
【００７０】第７の実施形態は、露光マスクの保証精度
の面内均一性を向上させることを目的とする。図１５
は、この発明の第７の実施形態に係る露光マスクの検査
方法を示す流れ図である。
の面内均一性を向上させることを目的とする。図１５
は、この発明の第７の実施形態に係る露光マスクの検査
方法を示す流れ図である。
【００７１】図１５に示すように、第１の実施形態によ
り説明した工程ＳＴ．１〜工程ＳＴ．９にしたがって、
ＣＡＤレイアウトパターンの“ＭＥＦ”を算出する。次
に、工程ＳＴ．２０において、ＣＡＤレイアウトを平面
的な複数のブロックに分割する。
り説明した工程ＳＴ．１〜工程ＳＴ．９にしたがって、
ＣＡＤレイアウトパターンの“ＭＥＦ”を算出する。次
に、工程ＳＴ．２０において、ＣＡＤレイアウトを平面
的な複数のブロックに分割する。
【００７２】図１６はブロック分割の一例を示す図であ
る。図１６に示すように、ブロック分割の一例は、ＣＡ
Ｄレイアウトを平面的に８分割（BLOCK.１〜BLOCK.８）
する。
る。図１６に示すように、ブロック分割の一例は、ＣＡ
Ｄレイアウトを平面的に８分割（BLOCK.１〜BLOCK.８）
する。
【００７３】次に、工程ＳＴ．２１において、各ブロッ
ク（BLOCK.１〜BLOCK.８）毎に、“ＭＥＦ”が大きい箇
所を抽出する。次に、工程ＳＴ．２２において、各ブロ
ック（BLOCK.１〜BLOCK.８）毎に、“ＭＥＦ”が大きい
箇所を測長箇所に指定する。
ク（BLOCK.１〜BLOCK.８）毎に、“ＭＥＦ”が大きい箇
所を抽出する。次に、工程ＳＴ．２２において、各ブロ
ック（BLOCK.１〜BLOCK.８）毎に、“ＭＥＦ”が大きい
箇所を測長箇所に指定する。
【００７４】このような第７の実施形態であっても、第
１の実施形態と同様に露光マスクの寸法を厳しく管理す
べき箇所を、測長箇所に指定できる。よって、第１の実
施形態と同様の効果を得ることができる。
１の実施形態と同様に露光マスクの寸法を厳しく管理す
べき箇所を、測長箇所に指定できる。よって、第１の実
施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７５】しかも、第７の実施形態では、各ブロック
（BLOCK.１〜BLOCK.８）毎に、測長箇所が指定されるの
で、測長箇所が露光マスクの一部分に集中しない。よっ
て、第７の実施形態は、露光マスクの保証精度の面内均
一性を向上させることができる。
（BLOCK.１〜BLOCK.８）毎に、測長箇所が指定されるの
で、測長箇所が露光マスクの一部分に集中しない。よっ
て、第７の実施形態は、露光マスクの保証精度の面内均
一性を向上させることができる。
【００７６】なお、第７の実施形態は、第１〜第６の実
施形態と組み合わせて実施することができる。 ［第８の実施形態］上記第７の実施形態では、ＣＡＤレ
イアウトを複数のブロックに分割する際、単純に８分割
した。しかし、ブロック分割の方式は、回路ブロック毎
に分割しても良い。
施形態と組み合わせて実施することができる。 ［第８の実施形態］上記第７の実施形態では、ＣＡＤレ
イアウトを複数のブロックに分割する際、単純に８分割
した。しかし、ブロック分割の方式は、回路ブロック毎
に分割しても良い。
【００７７】図１７は、第８の実施形態に係るブロック
分割の他の例を示す図である。図１７に示すように、Ｃ
ＡＤレイアウトを、回路ブロック毎に分割する。即ち、
BLOCK.EEPROM、BLOCK.DRAM、BLOCK.LOGIC 、BLOCK.SRAM
に、ブロック分割する。
分割の他の例を示す図である。図１７に示すように、Ｃ
ＡＤレイアウトを、回路ブロック毎に分割する。即ち、
BLOCK.EEPROM、BLOCK.DRAM、BLOCK.LOGIC 、BLOCK.SRAM
に、ブロック分割する。
【００７８】さらに第８の実施形態では、回路ブロック
の他、配線チャネルにもブロックを設定した（BLOCK.CH
ANNEL(I)、BLOCK.CHANNEL(II) ）。配線チャネルに対し
てブロックを設定する必要は特にないが、ブロックは、
回路ブロックに対して設定するばかりでなく、配線チャ
ネルに対して設定することも可能である。
の他、配線チャネルにもブロックを設定した（BLOCK.CH
ANNEL(I)、BLOCK.CHANNEL(II) ）。配線チャネルに対し
てブロックを設定する必要は特にないが、ブロックは、
回路ブロックに対して設定するばかりでなく、配線チャ
ネルに対して設定することも可能である。
【００７９】このような第８の実施形態であっても、第
１の実施形態と同様に露光マスクの寸法を厳しく管理す
べき箇所を、測長箇所に指定できる。よって、第１の実
施形態と同様の効果を得ることができる。
１の実施形態と同様に露光マスクの寸法を厳しく管理す
べき箇所を、測長箇所に指定できる。よって、第１の実
施形態と同様の効果を得ることができる。
【００８０】また、第８の実施形態は、第７の実施形態
と同様に、測長箇所が露光マスクの一部分に集中する事
情を解消できるので、露光マスクの保証精度の面内均一
性を向上させることができる。
と同様に、測長箇所が露光マスクの一部分に集中する事
情を解消できるので、露光マスクの保証精度の面内均一
性を向上させることができる。
【００８１】なお、第８の実施形態は、第１〜第６の実
施形態と組み合わせて実施することができる。 ［第９の実施形態］上記第１〜第８の実施形態により説
明した、この発明に係る露光マスクの検査方法は、コン
ピュータプログラム化し、フロッピディスク、コンパク
トディスク等のコンピュータにより読み取り可能な記録
媒体に記録することができる。
施形態と組み合わせて実施することができる。 ［第９の実施形態］上記第１〜第８の実施形態により説
明した、この発明に係る露光マスクの検査方法は、コン
ピュータプログラム化し、フロッピディスク、コンパク
トディスク等のコンピュータにより読み取り可能な記録
媒体に記録することができる。
【００８２】図１８に示すように、この発明に係る露光
マスクの検査方法がプログラム化されて記録された記録
媒体１は、シミュレータ（コンピュータ）２にセットさ
れる。シミュレータ２は、セットされた記録媒体１か
ら、プログラムを読み取る。そして、シミュレータ２
は、読み取ったプログラムにしたがって、（１） ＣＡ
Ｄレイアウトパターンの“ＭＥＦ”の算出を実行し、
（２） ＣＡＤレイアウトパターンの中から、“ＭＥ
Ｆ”が大きい箇所の抽出を実行する。
マスクの検査方法がプログラム化されて記録された記録
媒体１は、シミュレータ（コンピュータ）２にセットさ
れる。シミュレータ２は、セットされた記録媒体１か
ら、プログラムを読み取る。そして、シミュレータ２
は、読み取ったプログラムにしたがって、（１） ＣＡ
Ｄレイアウトパターンの“ＭＥＦ”の算出を実行し、
（２） ＣＡＤレイアウトパターンの中から、“ＭＥ
Ｆ”が大きい箇所の抽出を実行する。
【００８３】このようにして、ＣＡＤレイアウトの中か
ら、露光マスクの寸法を測長するのに最適な測長箇所が
探索される。そして、（３） 抽出された“ＭＥＦ”が
大きい箇所を、露光マスクの寸法を測る測長箇所の候補
に指定する。
ら、露光マスクの寸法を測長するのに最適な測長箇所が
探索される。そして、（３） 抽出された“ＭＥＦ”が
大きい箇所を、露光マスクの寸法を測る測長箇所の候補
に指定する。
【００８４】以下、記録媒体１に記録されるプログラム
の一例を説明する。なお、プログラムの一例は、第１の
実施形態により説明した検査方法をしたがって説明する
が、記録媒体２には、第２〜第８の実施形態にしたがっ
たプログラムを記録できることはもちろんである。
の一例を説明する。なお、プログラムの一例は、第１の
実施形態により説明した検査方法をしたがって説明する
が、記録媒体２には、第２〜第８の実施形態にしたがっ
たプログラムを記録できることはもちろんである。
【００８５】図１９は、この発明の第９の実施形態に係
るプログラムを示す流れ図である。まず、図１９に示よ
うに、手順ＳＴ．３１において、シミュレータ２へのＣ
ＡＤレイアウト（マスクパターン）の入力を許可する。
るプログラムを示す流れ図である。まず、図１９に示よ
うに、手順ＳＴ．３１において、シミュレータ２へのＣ
ＡＤレイアウト（マスクパターン）の入力を許可する。
【００８６】次に、手順ＳＴ．３２において、シミュレ
ータ２へのシミュレーションパラメータの入力を許可す
る。次に、手順ＳＴ．３３において、露光量の設定を許
可する。
ータ２へのシミュレーションパラメータの入力を許可す
る。次に、手順ＳＴ．３３において、露光量の設定を許
可する。
【００８７】次に、手順ＳＴ．３４において、光学シミ
ュレーション回数の設定を許可する。次に、手順ＳＴ．
３５において、光学シミュレーションを実行する。
ュレーション回数の設定を許可する。次に、手順ＳＴ．
３５において、光学シミュレーションを実行する。
【００８８】次に、手順ＳＴ．３６において、レジスト
パターンの寸法値の算出を実行する。次に、手順ＳＴ．
３７において、光学シミュレーション回数が、手順Ｓ
Ｔ．３４で設定された光学シミュレーション回数になっ
たか否かを判断する。ＮＯ．の場合には、手順ＳＴ．３
８に進み、マスクバイアスの変更を実行する。ＹＥＳ．
の場合には、手順ＳＴ．３９に進み、ＭＥＦの算出を実
行する。
パターンの寸法値の算出を実行する。次に、手順ＳＴ．
３７において、光学シミュレーション回数が、手順Ｓ
Ｔ．３４で設定された光学シミュレーション回数になっ
たか否かを判断する。ＮＯ．の場合には、手順ＳＴ．３
８に進み、マスクバイアスの変更を実行する。ＹＥＳ．
の場合には、手順ＳＴ．３９に進み、ＭＥＦの算出を実
行する。
【００８９】次に、ＭＥＦが算出されたら、手順ＳＴ．
４０において、ＭＥＦが大きい箇所の抽出を実行する。
次に、手順ＳＴ．４１において、ＭＥＦが大きい箇所を
測長箇所の候補に指定する。このような手順を含む測長
箇所を探索するプログラムによれば、第１の実施形態に
より説明した検査方法を実行することができる。
４０において、ＭＥＦが大きい箇所の抽出を実行する。
次に、手順ＳＴ．４１において、ＭＥＦが大きい箇所を
測長箇所の候補に指定する。このような手順を含む測長
箇所を探索するプログラムによれば、第１の実施形態に
より説明した検査方法を実行することができる。
【００９０】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ランダムな回路パターンを持つ半導体集積回路装置
の露光マスクであっても、露光マスクの面内寸法の規格
保証を、真に保証すべき箇所の寸法によって行うことが
でき、かつ露光エリアでのパターン寸法のモニタも可能
とする露光マスクの検査方法を提供できる。
ば、ランダムな回路パターンを持つ半導体集積回路装置
の露光マスクであっても、露光マスクの面内寸法の規格
保証を、真に保証すべき箇所の寸法によって行うことが
でき、かつ露光エリアでのパターン寸法のモニタも可能
とする露光マスクの検査方法を提供できる。
【図１】図１はこの発明の第１の実施形態に係る露光マ
スクの検査方法を示す流れ図。
スクの検査方法を示す流れ図。
【図２】図２（Ａ）は入力したＣＡＤレイアウトを示す
図、図２（Ｂ）はシミュレーションにより得たレジスト
パターンの輪郭を示す図。
図、図２（Ｂ）はシミュレーションにより得たレジスト
パターンの輪郭を示す図。
【図３】図３はＭＥＦを説明するための図。
【図４】図４はこの発明の第１の実施形態にしたがって
ＣＡＤレイアウト上に得たＭＥＦの分布を示す分布図。
ＣＡＤレイアウト上に得たＭＥＦの分布を示す分布図。
【図５】図５はこの発明の第２の実施形態に係る露光マ
スクの検査方法を示す流れ図。
スクの検査方法を示す流れ図。
【図６】図６はこの発明の第２の実施形態にしたがって
ＣＡＤレイアウト上に得たＭＥＦの分布を示す分布図。
ＣＡＤレイアウト上に得たＭＥＦの分布を示す分布図。
【図７】図７はこの発明の第３の実施形態で入力したＣ
ＡＤレイアウトを示す図。
ＡＤレイアウトを示す図。
【図８】図８はこの発明の第３の実施形態にしたがって
ＣＡＤレイアウト上に得たＭＥＦの分布を示す分布図。
ＣＡＤレイアウト上に得たＭＥＦの分布を示す分布図。
【図９】図９はゲートパターンと下地パターンとの関係
を示す図。
を示す図。
【図１０】図１０はこの発明の第４の実施形態に係る露
光マスクの検査方法を示す流れ図。
光マスクの検査方法を示す流れ図。
【図１１】図１１はこの発明の第４の実施形態にしたが
ってＣＡＤレイアウト上に得たＭＥＦの分布を示す分布
図。
ってＣＡＤレイアウト上に得たＭＥＦの分布を示す分布
図。
【図１２】図１２（Ａ）は露光マスクのＣＡＤレイアウ
トを示す図、図１２（Ｂ）は実際の露光マスクを示す
図、図１２（Ｃ）はＣＡＤレイアウトと光学像との関係
を示す図。
トを示す図、図１２（Ｂ）は実際の露光マスクを示す
図、図１２（Ｃ）はＣＡＤレイアウトと光学像との関係
を示す図。
【図１３】図１３（Ａ）はこの発明の第５の実施形態に
係る露光マスクのＣＡＤレイアウトを示す図、図１３
（Ｂ）はこの発明の第５の実施形態に係るＣＡＤレイア
ウトと光学像との関係を示す図。
係る露光マスクのＣＡＤレイアウトを示す図、図１３
（Ｂ）はこの発明の第５の実施形態に係るＣＡＤレイア
ウトと光学像との関係を示す図。
【図１４】図１４はこの発明の第６の実施形態に係る露
光マスクの検査方法を示す流れ図。
光マスクの検査方法を示す流れ図。
【図１５】図１５はこの発明の第７の実施形態に係る露
光マスクの検査方法を示す流れ図。
光マスクの検査方法を示す流れ図。
【図１６】図１６はこの発明の第７の実施形態に用いら
れるブロック分割を示す図。
れるブロック分割を示す図。
【図１７】図１７はこの発明の第８の実施形態に用いら
れるブロック分割を示す図。
れるブロック分割を示す図。
【図１８】図１８はこの発明の第９の実施形態に用いら
れる記録媒体とシミュレータとを示す図。
れる記録媒体とシミュレータとを示す図。
【図１９】図１９はこの発明の第９の実施形態に係る測
長箇所を探索するプログラムの流れ図。
長箇所を探索するプログラムの流れ図。
１…記録媒体、
２…シミュレータ（コンピュータ）。
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平８−202020（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−76348（ＪＰ，Ａ)
Ａｌｆｒｅｄ Ｋ． Ｗｏｎｇ ｅｔ
ａｌ，Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃ Ｅ
ｆｆｅｃｔｓ ｏｆ Ｍａｓｋ Ｃｒｉ
ｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ Ｅｒ
ｒｏｒ，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ
ＳＰＩＥ． Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍｉｃ
ｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ＸＩ ,
米国，ＳＰＩＥ，1998年 ２月25日，Ｖ
ｏｌｕｍｅ3334，106−116
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 1/08
Claims (10)
- 【請求項１】 露光マスクの寸法変動とレジストの寸法
変動との相関曲線の傾きを算出する工程と、 前記相関曲線の傾きが大きい箇所を抽出する工程と、 前記抽出された相関曲線の傾きが大きい箇所から、前記
露光マスクの寸法を測長する測長箇所を選ぶ工程とを具
備することを特徴とする露光マスクの検査方法。 - 【請求項２】 前記測長箇所は、前記相関曲線の傾きが
大きい順に選ばれることを特徴とする請求項１に記載の
露光マスクの検査方法。 - 【請求項３】 前記相関曲線の傾きが大きい箇所を抽出
する工程は、前記相関曲線の傾きを所定範囲毎のグルー
プに分類する工程を含むことを特徴とする請求項１に記
載の露光マスクの検査方法。 - 【請求項４】 前記測長箇所には、前記相関曲線の傾き
が最も大きいグループが選ばれることを特徴とする請求
項３に記載の露光マスクの検査方法。 - 【請求項５】 前記相関曲線の傾きが大きい箇所を抽出
する工程は、前記露光マスクを平面的な複数のブロック
に分割する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載
の露光マスクの検査方法。 - 【請求項６】 前記測長箇所は、前記ブロック毎に選ば
れることを特徴とする請求項５に記載の露光マスクの検
査方法。 - 【請求項７】 前記相関曲線の傾きが１．５以上となる
箇所を、前記相関曲線の傾きが大きい箇所として抽出す
ることを特徴とする請求項１乃至請求項６いずれか一項
に記載の露光マスクの検査方法。 - 【請求項８】 露光マスクの寸法変動とレジストの寸法
変動との相関曲線の傾きは、光学シミュレーションを用
いて算出することを特徴とする請求項１乃至請求項７い
ずれか一項に記載の露光マスクの検査方法。 - 【請求項９】 前記光学シミュレーションに使用する露
光マスクのＣＡＤレイアウトのパターンは、そのコーナ
ー部が実際の露光マスクのパターンに合致するように補
正されることを特徴とする請求項８に記載の露光マスク
の検査方法。 - 【請求項１０】 露光マスクの寸法を測長するのに最適
な測長箇所を探索するプログラムを記録した機械的に読
み取り可能な記録媒体であって、 露光マスクの寸法変動とレジストの寸法変動との相関曲
線の傾きの算出する手順と、 前記相関曲線の傾きが大きい箇所の抽出する手順と、 前記抽出された相関曲線の傾きが大きい箇所を前記露光
マスクの寸法を測長する測長箇所の候補に指定する手順
とを実行するプログラムを記録した機械的に読み取り可
能な記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24986798A JP3535390B2 (ja) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | 露光マスクの検査方法および測長箇所を探索するプログラムを記録した記録媒体 |
| US09/389,090 US6334209B1 (en) | 1998-09-03 | 1999-09-02 | Method for exposure-mask inspection and recording medium on which a program for searching for portions to be measured is recorded |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24986798A JP3535390B2 (ja) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | 露光マスクの検査方法および測長箇所を探索するプログラムを記録した記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000081697A JP2000081697A (ja) | 2000-03-21 |
| JP3535390B2 true JP3535390B2 (ja) | 2004-06-07 |
Family
ID=17199379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24986798A Expired - Fee Related JP3535390B2 (ja) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | 露光マスクの検査方法および測長箇所を探索するプログラムを記録した記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6334209B1 (ja) |
| JP (1) | JP3535390B2 (ja) |
Families Citing this family (36)
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Also Published As
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|---|---|
| JP2000081697A (ja) | 2000-03-21 |
| US6334209B1 (en) | 2001-12-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040224 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040309 |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040311 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080319 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319 Year of fee payment: 8 |
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