CN1379828A - 使用配体交换耐蚀金属有机前体溶液的化学气相沉积过程的流出物的消除 - Google Patents
使用配体交换耐蚀金属有机前体溶液的化学气相沉积过程的流出物的消除 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1379828A CN1379828A CN00814482A CN00814482A CN1379828A CN 1379828 A CN1379828 A CN 1379828A CN 00814482 A CN00814482 A CN 00814482A CN 00814482 A CN00814482 A CN 00814482A CN 1379828 A CN1379828 A CN 1379828A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- effluent
- described method
- adsorbent bed
- metal
- cvd process
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/02—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/02—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography
- B01D53/04—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography with stationary adsorbents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/46—Removing components of defined structure
- B01D53/64—Heavy metals or compounds thereof, e.g. mercury
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/409—Oxides of the type ABO3 with A representing alkali, alkaline earth metal or lead and B representing a refractory metal, nickel, scandium or a lanthanide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2253/00—Adsorbents used in seperation treatment of gases and vapours
- B01D2253/10—Inorganic adsorbents
- B01D2253/102—Carbon
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2253/00—Adsorbents used in seperation treatment of gases and vapours
- B01D2253/10—Inorganic adsorbents
- B01D2253/104—Alumina
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2253/00—Adsorbents used in seperation treatment of gases and vapours
- B01D2253/10—Inorganic adsorbents
- B01D2253/106—Silica or silicates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2253/00—Adsorbents used in seperation treatment of gases and vapours
- B01D2253/10—Inorganic adsorbents
- B01D2253/106—Silica or silicates
- B01D2253/108—Zeolites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2258/00—Sources of waste gases
- B01D2258/02—Other waste gases
- B01D2258/0216—Other waste gases from CVD treatment or semi-conductor manufacturing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
用于消除通过CVD过程,例如,用于在衬底上形成钛酸锶钡(BST)薄膜的金属有机化学气相沉积过程(MOCVD)沉积多组分金属氧化物所产生的流出物的装置和方法,该CVD过程使用含有至少一种金属配位络合物和用于溶解该金属配位络合物的适当溶剂介质的金属源试剂液体溶液,所述的金属配位络合物包含在稳定络合物中与至少一个配体配位结合的金属。对流出物进行吸附处理,以除去流出物中的前体物和MOCVD过程的副产物。可以使用末端监测器(62),如石英微量天平监测器监测吸附处理装置中开始漏出的情况。
Description
发明背景
发明领域
本发明涉及任何使用含有至少一种金属配位络合物和一种用于溶解该金属配位络合物的溶剂的金属源试剂液体溶液的CVD过程的流出物的消除方法和装置,所述的金属络合物包含一种在稳定络合物中与至少一个配体配位键合的金属。例如,本发明的方法和装置可用于消除用来在衬底上形成钛酸锶钡(BST)薄膜的多组分金属氧化物化学气相沉积(CVD)过程产生的流出物。
对相关领域的描述
BST是在半导体制造工业中用于制造薄膜介电微电子装置的重要材料。通常通过化学气相沉积(CVD)进行此类制造,在CVD过程中,蒸发产品膜的钡、锶和钛组分各自的前体(源试剂)用于沉积过程。
可以通过液体输送方法向CVD反应器供应BST成形过程的源试剂,其中,钡、锶和钛组分的有机金属前体溶解在适当的溶剂介质中,例如乙酸正丁酯或四氢呋喃。将含有前体和相应溶剂的液体溶液(也可以使用不同前体的单独溶液)泵送至包括一个维持低压加热区的蒸发器中。在蒸发器中,在可控的温度、压力和流量条件下将液体溶液高速蒸发(“闪蒸”)。在沉积前和沉积后立即用溶剂方便地冲洗蒸发器,以防止可能导致工艺设备和相关的管道、阀门和配件堵塞的固体物质的积聚。
在蒸发器中或其下游,前体蒸气与载气(如氩气或氮气)和氧化剂(如氧气或一氧化二氮)结合。然后结合的前体蒸气混合物流入CVD沉积室中。
通常通过在***的出口安装一台干式泵或湿式泵,在低压,例如在大约100毫托的压力下运转CVD沉积室。在这样的室中,通过结合的气体、有机蒸气和金属有机前体的热反应使前体在受热的衬底上分解,引起BST材料的钙钛矿薄膜在晶片衬底上沉积。化学沉积后,将涂敷了BST膜的晶片转移至另一个室中退火。
在CVD BST过程中,来自CVD沉积室的流出物含有有机物、金属、未反应的前体、前体分解物以及其他由CVD操作所产生的热反应产物。
目前,没有可从商业上获得的消除此类CVD BST过程的流出物的有效方案。
上述问题并非是CVD BST过程所独有的。它们也存在于其他使用含有至少一种金属配位络合物和一种用于溶解该金属配位络合物的合适溶剂的金属源试剂溶液的CVD过程进行的多组分金属氧化物的沉积中,所述的金属络合物包含一种在稳定络合物中与至少一个配体配位键合的金属。上述方法包括在美国专利No.5,820,664中所描述的使用配体交换耐蚀金属有机前体溶液的多组分金属氧化物CVD过程,该专利于1998年10月13日授予Gardiner等人并已转让给康涅狄格州Danbury的高级技术材料公司。
本发明概述
本发明涉及通过CVD过程,例如,BST的CVD沉积多组分金属氧化物所产生的流出物的消除,所述的CVD过程使用含有至少一种金属配位络合物和一种用于溶解该金属配位络合物的合适溶剂的金属源试剂液体溶液,所述的金属配位络合物包含一种在稳定络合物中与至少一个配体配位键合的金属。
一方面,本发明涉及一种用于消除在衬底上沉积多组分金属氧化物膜的CVD过程产生的流出物的方法,其中流出物流过对流出物中的污染物质(前体物和CVD过程的副产物)具有吸附亲合力的吸附剂床。
在一个特定的实施方案中,CVD过程的流出物依次流过金属阱、机动液体驱动器和对流出物中的污染物质具有吸附亲合力的吸附剂床。
本发明可以进一步包括监测从吸附剂床排出的流出物,以检测选定的污染组分的漏出。
本发明在另一方面涉及用于消除在衬底上沉积来自前体组合物的多组分金属氧化物的CVD过程产生的流出物的装置,其中该装置包含一个对流出物中的污染物具有吸附亲合力的吸附剂床。这样的吸附剂床可以是包括金属阱、动力液体驱动器以及对流出物中的污染物质具有吸附亲合力的吸附剂床在内的流出物环流路线的一部分,可以选择性地在吸附剂床上安装终点检测器,用于检测吸附剂床的吸附终点。
上文所述的装置可以进一步包含一种半导体制造设备,其作用包括CVD过程。
在下文的公开内容和所附的权利要求中将更充分地公开本发明的其他方面、特征和实施方案。
对附图的简单描述
图1是与本发明的一个实施方案对应的一种CVD多组分金属氧化物膜制造设备的示意图,该设备包含流出物消除***。
对本发明及其优选实施方案的详细描述
本发明提供了一种用于处理通过CVD过程,例如CVD BST过程,沉积多组分金属氧化物产生的流出物的消除***,所述的CVD过程使用含有至少一种金属配位络合物和一种用于溶解该金属配位络合物的合适溶剂介质的金属源试剂液体溶液,所述的金属配位络合物包含一种在稳定络合物中与至少一个配体配位键合的金属。
虽然本文结合涉及CVD BST过程的流出物处理的具体实施例进行说明,但应当认识到在此所公开的装置和方法可以广泛和有效地应用于消除通过CVD过程沉积多组分金属氧化物产生的流出物流,所述的CVD过程使用含有至少一种金属配位络合物和一种用于溶解该金属配位络合物的合适溶剂介质的金属源试剂液体溶液,所述金属配位络合物包含一种在稳定络合物中与至少一个配体配位键合的金属。上述方法包括在美国专利No.5,820,664中所描述的使用配体交换耐蚀金属有机前体溶液通过CVD过程沉积多组分金属氧化物,该专利于1998年10月13日授予Gardiner等人,将该专利的公开内容整体引入本文作参考。
图1是与本发明的一个实施方案对应的一种CVD多组分金属氧化物膜制造设备10的示意图,其中包含流出物消除***12。
在图1的设备中,由多组分金属氧化物源试剂或前体物的源14提供多组分金属氧化物源试剂或前体物。源14可以包括一个装有前体物的液体溶液的容器。或者,源14可以包括混合或合成单元,在混合或合成单元中首先制备或配制液体前体。
液体前体从源14通过管线16流入蒸发器单元18,在蒸发器单元中闪蒸液体前体使其蒸发,以形成相应的前体蒸气。同时,其他气体,例如载气,如氩气、氦气、氢气等,以及氧化剂,如氧气、一氧化二氮等从气体源单元20通过管线22流入蒸发器单元18。载气夹带前体蒸气以及引入的氧化剂气体形成前体蒸气混合物。
或者可以分别引入载气和氧化剂气体,或者也可以将氧化剂气体在前体蒸气混合物进入CVD室之前引入到蒸发器的下游。进一步可选择的方式是将氧化剂气体直接引入CVD室中。
前体蒸气混合物从蒸发器单元18流入CVD反应器26,通过喷头排放器28将前体蒸气混合物在反应器的内部空间分散成蒸气流30。因此,前体蒸气混合物对准并撞击位于基座34上的晶片衬底32,基座由加热器36加热。维持晶片衬底的温度足够高以引起前体蒸气混合物的分解以及多组分金属氧化物膜在晶片表面的化学气相沉积。
含有废气和分解副产物的流出物从反应器26排出并通过管线38流入流出物消除***12。
流出物消除***12包括一个可选择的金属阱40,用于除去流出物中的金属组分,否则,该金属组分将通过后面的泵44,这可能是有害的。金属阱可以是任何适当的形式,例如冷阱、大表面积金属阱如流出物流过其中的有小孔的过滤器、用于流出物与超低挥发性液体(如Krytox或Fomblin)的气-液接触的液体接触室等。
作为一个特定的例子,金属阱40可以包括一个冷阱装置,该装置包含一个用于将流出物冷却至适当温度的装置。此种装置例如可以包括热交换器,流出物以与冷却液进行间接热交换的方式流过热交换器、安装在管线38上的跟随式冷却器、安装在管路中的嵌入式电阻冷却装置,用于在废气流通过其中时冷却废气流、由例如通过冷冻或其他制冷装置连续或间歇冷却的高热容填充材料填充的填料柱、用于从流出物中吸取热量的热管单元、或任何将流出物适当冷却的其他装置。
也可以将金属阱构造成从流出物中除去金属以外的其他组分,如重有机组分的结构,例如,在冷阱中冷凝此类组分或在气-液接触单元中将此类物质溶解在接触液体中。
流出物从金属阱40通过管线42流入泵44,泵44起到排出物流的动力流体驱动器的作用。虽然示例性地示出了泵,但应当理解的是,可以使用任何其他动力流体驱动器,如压缩机、喷射器、涡轮机、风扇、鼓风机等。泵的结构和运转能够为上游反应器26提供适当的压力水平,如低于大气压的压力水平。
泵将流出物排放到排放管线46中,流出物从管线46流入可选择的泵后冷阱48中。在冷阱48中,可以在适当的温度条件下从流出物中提取可冷凝和/或可凝固的组分并将这些组分从冷阱排入管线50中用于回收和/或再利用。然后处理后的流出物通过管线52流入吸附剂床54。
冷阱48可以选择性地替代或作为可选择的金属阱40的附属设备使用。例如,金属阱40可以包括一种用于回收金属和其他组分的特殊的过滤器,则冷阱48可以用于回收可在冷阱中冷凝或凝固的重有机物和含有金属的物质。
或者,金属阱40可以包括第一冷阱,用于除去对泵具有潜在危害的物质,则冷阱48成为进一步除去流出物的组分的第二冷阱。以这种方式,可以在比金属阱40的冷阱温度更低的温度下运转冷阱48,如使用一个相同的热交换流体冷却第二冷阱48,然后冷却金属阱40的冷阱,从而将流出物的温度连续降低至使后续的物理吸附最大化的低温水平。
或者,可选择的处理单元48不包括冷阱,而包括一种加热装置,用于将流出物的温度升高至使后续的化学吸附最大化的水平。
因此可以看出,根据可能包括物理吸附和/或化学吸附的吸附剂处理步骤,可以灵活地制定本发明的流出物消除方法。
因此,管线52中的废气流入吸附剂床54中。吸附剂床54包括一个含有对将除去的流出物组分具有吸附亲合力的吸附物质的容器。根据需要并适合将进行的消除操作,吸附物质可以包括物理吸附剂和/或化学吸附剂。
虽然示例性地示出了单独一个吸附器单元,但实际上吸附剂床可以是包括以各种串联和/或并联(支路)连接方式排列的多床排列。在吸附剂床54中进行吸附处理后,处理后的流出物从吸附剂床流入管线58中,并可以根据本发明指定的最终用途应用的必要或需要排放至空气中或进一步处理或加工。
出于再生的目的,可以用加热线圈56缠绕吸附剂床。加热线圈可以包括电阻加热带、伴流管线、可选择性地在其中流过适当的热传递流体的热交换线圈或任何其他适当的加热装置。
再生吸附剂床的另外一个特征是吸附剂床可以与再生流体源68连接,再生流体源可选择性地通过管路70流入加热器72,用于在再生操作中将吸附剂床加热至适合吸附的物质从吸附剂床有效脱附的温度。处理后的流体通过管线74从加热器72流入吸附剂床并流过其中进行脱附。应当理解的是,加热器72是可选择的,并且在有些情况下,所需要的吸附物质从吸附剂床的脱附可以仅通过物质传递来实现,物质传递是由于吸附剂与流过吸附剂床的再生气体之间存在浓度差引起的。
还为吸咐剂床配置了排放管线76,用于在再生气体与吸附剂床中的吸附剂接触后排出再生气体。管线76可以与回收单元78连接,可以在回收单元中实现脱附气体的分离,以回收其中的组分用于最终处理、再循环或其他用途。在图示的回收单元中,将脱附气体分离成通过管线80从回收单元排出的第一组分和通过管线82从回收单元排出的第二组分。
如下文更详细的描述,可以使用其他方式和装置再生吸附剂床。
在吸附剂床54的出口端安装了一个流出物放液管60。放液管60将废气的侧流输送至末端检测器62,这将在下文详细描述。在末端检测器检测到所监测的流出物中的物质漏出或开始漏出时,可以构造或设置末端检测器62产生一个控制信号,传输线64将该信号传输至中央处理器(CPU),CPU可以运转安排在设备中产生相应的行动。
例如,可以对***进行设置,使得在末端检测器检测到开始漏出时,将流出物流引向第二吸附剂床或者一个储存(缓冲)容器中储存起来,直至完成吸附剂床的再生。作为选择或另外,可以使用该末端漏出检测器启动再生工序,再生吸附剂床用于后续的运转。
如上文提到的,图1所示的半导体制造设备的特征和布局在性质上仅是示例性的,可以方便地使用其他特征、排列和操作。
因此,本发明的消除***可以有多种方式,包括:a)基于吸附剂的流出物消除单元;b)泵前金属阱、泵和基于吸附剂的流出物消除单元;c)泵前金属阱、泵、泵后冷阱/加热单元和基于吸附剂的流出物消除单元,或d)利用了选自或至少包括一种或多种上述部件的适当装置的任何其他结构。
在一个示例性的结构中,吸附剂床包括一种适当吸附物质,如大表面积活性碳的床。此种吸附物质将除去重有机金属物质。可以使用任何等级的活性碳,包括高纯度颗粒活性碳、椰子碳、沥青碳等。作为选择,吸附剂可以包括用高锰酸盐浸渍的碳或含有一定量金属氧化物的WetleriteTM碳,为吸附剂物质提供氧化性能。
此外,可以使用特殊的催化碳,例如可从Calgon CarbonCorporation购买的、其CentaurTM产品系列中的部分产品。此类碳被配制成具有特别高的催化性能,但没有加入金属氧化物。示例性的CentaurTM碳包括美国专利5,356,849和美国专利5,494,869中所描述的碳,将二专利的公开内容整体引入本文作参考。
除活性碳以外,可以使用大表面积的氧化铝进行物理吸附以及物理捕获金属有机物和有机物。如果需要,可以使用“湿”氧化铝。可以使用强氧化剂,如KMnO4浸渍大表面积的氧化铝,以部分氧化有机物。根据需要,也可以使用用CuSO4浸渍的硅胶以提供较弱的氧化作用。
KMnO4具有氧化有机物的足够的能力。氧化铝床对氧化的物质具有一定的亲合力;或者,可以在氧化铝床后使用碳床,使得部分氧化的有机物被吸附在氧化铝或活性碳上,而无害的部分通过***。
另一种方法是在碳床上方使用氧化铝(或用强氧化剂浸渍的氧化铝)床作为消除***的组成部分。
消除***可以进一步选择性地包括一种末端检测装置,作为检测吸附物质终点或耗尽的装置。末端检测装置例如可以包括:
a)压电石英晶体微量天平,使用对气体的组分具有亲合力的薄膜涂层涂敷其中的石英晶体;
b)比色分析的物质,如KMnO4浸渍的氧化铝,可以将其装在观察孔中(为防止比色分析性能的降级,使观察孔免受正常光线的照射),在氧化后其将变色;
c)在***排气口的热导检测器;和/或
d)红外(IR)装置,如非色散的红外(NDIR)***。
或者可以使用任何不同的其他末端检测方案。
如果使用可逆的物理吸附物质作为吸附介质,也可以将消除***与有机和有机金属物质的循环方法和装置结合使用。一旦耗尽,可以将物量吸附剂/化学吸附剂的失效的吸附罐从消除***中移出并送至再生位置。在这里,可以对床加热、抽吸或同时进行二者,从而使部分或全部物理吸附的物质再挥发。在使用碳作为物理吸附剂的特定情况中,热解碳以挥发吸附的物质,并使其从吸附剂中释放出来可能是有利的。
由于有机物和有机金属物质的物理吸附特性不同,在再生加热或抽真空循环中,不同的吸附物质将在不同的时间洗脱。
可以利用本方法的这种色谱特性将废气中有价值的吸附组分与无价值的吸附组分分离。然后,可以将有价值的吸附组分循环至前体制备过程中,而可以通过其他方法,如焚烧处理无价值组分。
或者,可以将无价值的吸附组分留在吸附介质中,可以焚烧或填埋吸附介质。在另一种可选择的方法中,可以将再生的物理吸附剂/化学吸附剂再循环及再利用于多组分金属氧化物CVD流出物消除过程中。
本发明还设计了用于再生失效的物理吸附剂/化学吸附剂的装置。该装置包括加热部件,优选是接触传导或红外线辐射型,如环绕将再生的吸附罐。该第一加热器防止吸附剂床的热损失并消除了沿壁的冷点以及促使热量进入床体。
第一加热器通常依靠传导机制在床内传递热量。在这一方面,多孔床的导热性通常较差,因为提供热传递的导热通路是点和/或小面积接触。对于大直径床,导热通路的这种不连续性(由于空隙体积和孔隙空间)可能不足以实现可接受的短加热期间,因此必须选择使用其他加热手段和方法。
因此,当使用大直径床时,可能需要使用第二对流加热设备,借此使载气(如N2、Ar、空气等)通过加热装置以升高气体温度,然后使所获得的热气体通过将要再生的物理吸附剂/化学吸附剂床。通过这种方式,热量从载气进入吸附剂床。
第二对流加热设备中可以填充传热增强介质,如紊流器、球体、填料介质如Pall环或Intalox鞍、扭曲带状***物、三角翼***物或螺旋缠绕的线型***物(如由Cal Gavin制造的产品)。
第二对流加热设备可以使用直接的、电加热部件,或者可以使用间接加热(如感应加热等)部件加热载气。如果基于燃烧的加热模式可与吸附物质相容,也可以使用此种加热方式;由于多数活性碳组合物具有可燃性,基于燃烧的加热方式通常不能用于活性碳吸附剂。
带有节流装置(如阀门或可变流量装置(VFD))的真空装置也可以用于吸附罐的真空再生。可以将吸附罐或真空泵排出的气体进料到回收单元,例如冷凝器、进入前体制备单元的进料管(在此,再次利用回收的组分用于合成源试剂)、反应容器或蒸馏回收处理单元中。
作为本发明的末端检测***的一个示例性实施方案,使用石英微量天平(QMB)传感器部件进行测试,其中的传感器涂敷了对流出物中的有机物和有机金属化合物具有亲合力的简单聚合物涂层。
聚合物涂层不与目标有机物和金属有机物反应,但具有在有机物/金属有机物的蒸气相和吸附在聚合物涂层上的同种物质之间建立平衡的性能。作为此种平衡的结果,当极少或没有有机物通过洗气容器时,QMB传感器的聚合物涂层吸附极少量的有机物或没有吸附有机物。
但是,当有机物开始通过洗气器时,平衡的约束使得部分有机物被吸附到QMB的聚合物涂层上。这最终导致QMB的重量变化并伴随QMB的频率输出的变化。可以利用此种频率输出的变化产生适当类型(听觉、视觉、触觉等)的信号,指示吸附罐已到达终点并需要更换。
末端检测方案可以有多种变化,为了捕获所关心的特定有机物或金属有机物,可以在QMB上涂敷多种涂层,包括疏水或亲水涂层。优选QMB传感器利用可逆的化学性质,从而使得***中少量有机物的漏出不会导致***错误“启动”。
为了允许目标物质通过传感器,也可以将这样的QMB技术与多种选择性的吸附剂或捕获剂协同使用。例如,如果QMB传感器涂层在有水存在或水的浓度高度可变的环境中倾向于物理吸附H2O分子,则可以使用一种除水单元,例如Permapure过滤器,从QMB末端检测器监控的流出物中除去大部分水分子。
作为选择,在本发明的广泛实践中,可以使用其它低成本的末端监控装置。例如,可以使用Kitigawa管,此种管具有利用Cr(VI)或Cr(VI)和H2SO4的化学原理。当存在所监测的组分时,一部分管发生变色,其他管不变色,但这样的管利用可以用作简单末端监控方法的化学性质。
具体的末端监测装置可以例如包括:
a)使用具有Cr(VI)或Cr(VI)和H2SO4特性的样品管,定期从CVD反应器的排出气流中“局部采样”,
b)在洗气器吸附罐中安装观察镜,用Cr(VI)或Cr(VI)+H2SO4浸渍观察镜后面的树脂,当洗气器树脂(吸附物质)的末端部分与所关心的有机分子接触时,产生可通过视觉识别的颜色变化,或
c)向使用比色显色带的自动监测器中加入Cr(VI)或Cr(VI)和H2SO4化学物质,比色显色带例如由Zellweger Analytics制造并用在该公司MDA产品线的监控***中的比色显色带。
另一个在本发明的广泛实践中具有潜在用途的化学组成的例子包括加载了KMnO4的大表面积氧化铝吸附剂,在与有机分子接触时,给出比色指示。在与有机物质反应后,可观察到一个明显的颜色变化。为检测终点状态,可以将该强氧化化学组成与上文描述的任何物理方法协同使用。
为了消除前体和有机物,可以使用大表面积的有机物吸附剂的床,如碳或有机聚合物吸附剂,如Dow Sorbathene丸粒或Rohm & HaasAmberlite丸粒。也可以使用具有大表面积的无机材料的床,如氧化铝、分子筛、硅胶、疏水沸石、亲水沸石等。此外,用强氧化剂如KMnO4浸渍的大表面积吸附剂(有机物或无机物)的床也可以用作全部或部分吸附剂床。
虽然结合特定的多组分金属氧化物描述了本发明,但应当理解的是,本发明的消除方法和装置也可以用于其他使用低蒸气压、可以通过液体输送***输送的金属有机物的方法。
结合下文的实施例更充分地说明本发明的特征和优点。虽然在此结合这些具体实施例的描述涉及CVD BST过程的流出物的处理,但应当认识到,在此所公开的装置和方法可以广泛和有效地用于消除通过CVD过程沉积的多组分金属氧化物而产生的气流。
实施例1
通过泵后FTIR表征在一台可商购的BST设备中进行的气相BST过程的流出物,所述的设备使用前体BST9-0047(康涅狄格州Danbury高级技术材料公司),送料流速为35mg/min。该BST前体混合物含有:
双(TMHD)(五甲基二亚乙基三胺)钡
双(TMHD)(五甲基二亚乙基三胺)锶
双(异丙氧基)双(TMHD)钛
该金属有机反应物使用约为3/2的Ba/Sr用量比,并与乙酸正丁酯结合。使用氧气作为氧化剂,流量为0.5标准升/分钟(slpm)。使用氮气和氩气作为输运气体。在沉积所有晶片前和后,用乙酸正丁酯(nBA)冲洗反应器和液体输送***5至10分钟。冲洗通常持续5至10分钟,并以500标准立方厘米/分钟(sccm)的流速引入溶剂。以70埃/分钟的沉积速率对每个晶片持续沉积3.5分钟,连续处理晶片。在沉积之间处理和转移晶片的时间约为2.5分钟。
在晶片处理和转移过程中,BST前体组合物和溶剂绕过沉积室。使用Edwards QDP干式泵作为反应室的真空源。***在泵前使用冷阱,但在泵后不对流出物进行处理。
在冲洗过程中,监测到显著量的nBA,其浓度最高达900至1250百万分率(ppm),或接近联邦政府和ACGIH公布的限制范围150ppm的10倍。沉积过程中的浓度分布显示每次处理晶片时,nBA的浓度降低,但其代价是产生了碳氧化物。沉积前的nBA(但未冲洗时)稳定在45.5ppm的浓度。在沉积过程中,溶剂浓度由32.5%下降至30.9ppm。同时,CO浓度迅速上升至24.1ppm,而CO2的浓度迅速上升至30.7ppm。
所涉及的每种可能物质的阈极限值(TLV)和1/2 IDLH值如下:
TLV 1/2 IDLH
钡前体 未知 未知
锶前体 未知 未知
钛前体 未知 未知
nBA 150ppm 5000ppm
THF 200ppm 10000ppm
CO 50ppm 750ppm
CO2 5000ppm 25000ppm
该***的运转具有许多特征性的缺陷:
(1)在冲洗过程中,所测量的nBA的量虽然远远低于5000ppm的1/2 IDLH值,但接近联邦政府和ACGIH所公布的接触限值(TLV)150ppm的10倍。
(2)nBA的量,特别是在冲洗过程中所测量的量产生臭味问题。
(3)部分Ba、Sr和Ti物质(前体物或前体物分解的副产物)通过冷阱但却不能消除。
(4)在处理过程中产生的CO和CO2是产生环境的温室效应的因素。
实施例2
通过提供(在泵下游)双区吸附剂单元改进实施例1的***,其中的吸附剂单元包括氧化铝床作为双区吸附剂单元的第一级,KMnO4浸渍的活性碳作为双区吸附剂单元的第二级。从泵流出的流出物依次流入第一和第二吸附剂床。定期地加热和抽吸吸附剂床,以使吸附的物质从吸附剂床脱附。然后将脱附的蒸气进行回收处理并进行分离以回收蒸气中的有机组分。在第一和第二吸附剂床各自的排放管上连接石英微量天平监测器,监测器的压电石英晶体部件上具有对流出物的有机组分具有吸附亲合力的涂层。监测器用于监测排放的废气中有机物的漏出,从而可以更换吸附剂床并装载新的吸附物质,以高效地消除流出物。
虽然在此引用具体特征和示例性实施方案描述本发明,但应当认识到,本发明的应用不限于此,而应当扩展并包括其他特征、改进和备选实施方案,基于在此的公开和示例性教导,本领域的普通技术人员将容易地想到这些扩展内容。因此,以下的权利要求应当被理解和解释为,在其精神和范围内,包括这些全部的特征、改进和替换实施方案。
Claims (84)
1.一种消除在使用相应的源试剂在衬底上沉积多组分金属氧化物的CVD过程中产生的流出物的方法,所述的方法包括使CVD过程所产生的流出物通过对流出物中的有机物和金属有机物具有吸附亲合力的吸附剂床。
2.权利要求1所述的方法,其中的吸附剂床含有物理吸附剂。
3.权利要求1所述的方法,其中的吸附剂床含有化学吸附剂。
4.权利要求1所述的方法,其中吸附剂床的结构选自由固定床、喷淋床、流化床和再循环流化床所组成的组。
5.权利要求1所述的方法,其中在吸附剂床的上游安装泵并且所述泵的运转维持CVD过程中预定的压力条件。
6.权利要求5所述的方法,其还包括从泵上游的流出物中除去金属物质。
7.权利要求5所述的方法,其还包括使流出物通过泵后冷阱以从流出物中除去有机物和金属有机物组分。
8.权利要求1所述的方法,其中的吸附剂床含有活性碳吸附剂。
9.权利要求8所述的方法,其中的活性碳吸附剂包括选自由颗粒活性碳、椰子碳、沥青碳及其混合物所组成的组的吸附剂。
10.权利要求1所述的方法,其中的吸附剂床含有碳吸附剂。
11.权利要求10所述的方法,其中的碳吸附剂还含有高锰酸盐。
12.权利要求10所述的方法,其中的碳吸附剂还含有金属氧化物。
13.权利要求1所述的方法,其中的吸附剂床含有催化性碳吸附剂。
14.权利要求1所述的方法,其中的吸附剂床含有氧化铝。
15.权利要求1所述的方法,其中的吸附剂床含有湿氧化铝。
16.权利要求1所述的方法,其中的吸附剂床含有用氧化剂浸渍的氧化铝。
17.权利要求16所述的方法,其中的氧化剂包括高锰酸钾。
18.权利要求1所述的方法,其中的吸附剂床含有用硫酸铜浸渍的硅石。
19.权利要求1所述的方法,其中的吸附剂床含有活性碳吸附剂物质和氧化铝吸附剂物质。
20.权利要求1所述的方法,其中的吸附剂床含有活性碳吸附剂物质和用氧化剂浸渍的氧化铝吸附剂物质。
21.权利要求1所述的方法,其还包括对从吸附剂床排出的流出物进行监测,以监测选定组分的漏出。
22.权利要求21所述的方法,其中的监测包括使流出物与一种比色介质接触,一旦选定的组分漏出,所述的比色介质将发生色变。
23.权利要求21所述的方法,其中的监测包括监测流出物的导热率。
24.权利要求21所述的方法,其中的监测包括非色散的红外监测。
25.权利要求21所述的方法,其中的监测包括使流出物与石英微量天平监测器接触,其中的监测器包含一种压电晶体,所述晶体的表面带有与流出物的选定组分具有亲合力的涂层,由此压电晶体具有指示流出物的选定组分漏出的频率变化特性。
26.权利要求25所述的方法,其中的涂层对选定的组分具有可逆的亲合力。
27.权利要求25所述的方法,其中的涂层选自由亲水涂层和疏水涂层所组成的组。
28.权利要求25所述的方法,其还包括在流出物与压电晶体的涂层接触前从流出物中除去水。
29.权利要求21所述的方法,其中的监测包括使流出物与含有Cr(VI)或Cr(VI)+H2SO4的化学物质接触。
30.权利要求21所述的方法,其中的监测包括用比色化学物质浸渍吸附剂床的出口末端并在可观察到吸附剂床的浸渍出口末端的位置安装观察镜,在流出物的选定组分漏出时,该比色化学物质显示出可视觉分辨的色变。
31.权利要求1所述的方法,其中通过加热使吸附剂床再生。
32.权利要求1所述的方法,其中通过真空脱附吸附剂床先前吸附的物质使吸附剂床再生。
33.权利要求1所述的方法,其中通过热解作用使吸附剂床再生。
34.权利要求1所述的方法,其中通过脱附吸附剂床先前吸附的物质使吸附剂床再生,其中在不同的脱附条件下进行所述的脱附,所述的脱附条件包括脱附第一脱附组分的第一脱附条件和脱附第二脱附组分的第二脱附条件。
35.权利要求1所述的方法,其中的吸附剂床在包括向吸附剂床以传导方式传递热量的第一再生步骤中再生,以及在包括由流过吸附剂床的加热气体实现的对流加热的第二再生步骤中再生。
36.权利要求1所述的方法,其还包括调节通过吸附剂床的气流以控制吸附剂床的真空压力。
37.权利要求1所述的方法,其中从吸附剂床流出的流出物流入回收装置,用于回收流出物的选定组分。
38.权利要求37所述的方法,其中的回收装置选自由冷凝单元、蒸馏单元、合成单元和反应单元所组成的组。
39.权利要求1所述的方法,其中的吸附剂床含有选自由碳、有机聚合物、氧化铝、分子筛、硅胶、亲水沸石、疏水沸石及其组合物所组成的组的吸附剂。
40.权利要求1所述的方法,其中在衬底上沉积多组分金属氧化物膜的CVD过程是沉积BST的过程。
41.一种消除在衬底上沉积BST的CVD过程产生的流出物的方法,所述的CVD过程使用包括钡、锶和钛金属有机物源试剂的前体组合物,其中的有机溶剂包含在前体组合物中和/或作为CVD过程的冲洗介质使用,并且有机溶剂相应地存在于CVD过程的流出物中,所述的方法包括使自CVD过程产生的含有有机溶剂的流出物依次流过金属阱、动力流体驱动器和对有机物具有吸附亲合力的吸附剂床,以从流出物中除去有机物。
42.权利要求41所述的方法,其中冷却金属阱以从流出物中捕获金属物质。
43.权利要求41所述的方法,其中的金属阱含有大表面积介质,用以从流出物中捕获金属物质。
44.权利要求41所述的方法,其中的金属阱含有实质上不挥发的液体,用以从流出物中捕获金属物质。
45.权利要求41所述的方法,其中的吸附剂床含有物理吸附剂。
46.权利要求41所述的方法,其中再生吸附剂床以回收所述的有机物。
47.权利要求46所述的方法,其中通过加热和/或抽吸吸附剂床实现再生。
48.权利要求46所述的方法,其中在不同的时间回收从吸附剂床分离的有机物以分别回收其不同的组分。
49.权利要求46所述的方法,其中随后对回收的有机物进行冷凝。
50.权利要求46所述的方法,其中随后对回收的有机物进行蒸馏。
51.权利要求46所述的方法,其中通过加热完成再生。
52.权利要求51所述的方法,其中通过旋转窑加热以脱附吸附剂床的吸附剂。
53.权利要求51所述的方法,其中通过热的旋转螺杆加热吸附剂床的吸附剂。
54.权利要求51所述的方法,其中通过使吸附剂床与加热的气流接触进行所述的加热,并且对脱附的有机物进行回收处理以从中回收需要的有机物。
55.一种消除CVD过程所产生的流出物的装置,该CVD过程用于在衬底上沉积来自相应的金属源试剂的多组分金属氧化物膜,所述的装置包括:
对所述的金属源试剂及其CVD过程副产物具有吸附亲合力的吸附剂床;
使CVD过程与所述的吸附剂床连接的流路,从而使来自CVD过程的流出物流入吸附剂床,以从流出物中除去残余的源试剂及其CVD过程副产物。
56.权利要求55所述的装置,其还包括安装在所述流路中的泵。
57.权利要求56所述的装置,其还包括安装在泵上游的金属阱。
58.权利要求56所述的装置,其还包括安装在泵下游的冷阱。
59.权利要求55所述的装置,其中的吸附剂床被安排成可再生性的。
60.权利要求55所述的装置,其还包括与吸附剂床的排放部分连接的末端监测器。
61.权利要求60所述的装置,其中的末端监测器包括石英微量天平监测器。
62.权利要求55所述的装置,其还包括半导体制造设备,该设备的运转包括所述的MOCVD过程。
63.权利要求55所述的装置,其中在衬底上沉积多组分金属氧化物膜CVD过程是沉积BST的过程。
64.一种消除在衬底上沉积BST的液体供应CVD过程产生的流出物的装置,该CVD过程使用含有相应的钛酸锶钡金属有机物源试剂的前体组合物,其中的有机溶剂包含在前体组合物中和/或作为液体供应CVD过程中的冲洗介质使用,并且有机溶剂相应地存在于液体供应CVD过程的流出物中,所述的装置内含一个流出物流动回路,所述的回路依次包括金属阱、机动流体驱动器和对有机物具有吸附亲合力的吸附剂床。
65.权利要求64所述的装置,其还包括半导体制造设备,该设备的运转包括所述的CVD过程。
66.权利要求64所述的装置,其还包括末端监测器,用以监测吸附剂床中有机物的漏出。
67.权利要求64所述的装置,其中的吸附剂床是可再生的,用于回收吸附剂床先前吸附的有机物。
68.一种消除多组分金属氧化物CVD过程的流出物的方法,该CVD过程使用含有至少一种金属配位络合物和用于溶解该金属配位络合物的合适的溶剂介质的金属源试剂液体溶液,所述的金属配位络合物包含在稳定络合物中与至少一种配体配位键合的金属,所述的方法包括使多组分金属氧化物CVD过程的流出物流过含有对流出物中的有机物和金属有机物具有吸附亲合力的吸附剂床。
69.权利要求68所述的方法,其中在吸附剂床的上游安装泵,所述泵的运转维持CVD过程中预定的压力条件。
70.权利要求69所述的方法,其还包括从泵上游的流出物中除去金属物质。
71.权利要求69所述的方法,其还包括使流出物流过泵后冷阱,以从流出物中除去有机物和金属有机物组分。
72.权利要求68所述的方法,其还包括监测从吸附剂床排出的流出物,以监测选定组分的漏出。
73.权利要求72所述的方法,其中的监测包括使流出物与石英微量天平监测器接触,其中的监测器包括一种压电晶体,所述晶体的表面带有与流出物的选定组分具有亲合力的涂层,由此压电晶体具有指示流出物的选定组分漏出的频率变化特性。
74.权利要求73所述的方法,其中的涂层对选定的组分具有可逆的亲合力。
75.权利要求73所述的方法,其中的涂层选自由亲水涂层和疏水涂层所组成的组。
76.权利要求73所述的方法,其还包括在流出物与压电晶体的涂层接触前从流出物中除去水。
77.权利要求72所述的方法,其中的监测包括用比色化学物质浸渍吸附剂床的出口末端并在可观察到吸附剂床浸渍出口末端的位置安装观察镜,在流出物的选定组分漏出时,该比色化学物质显示出可视觉分辨的色变。
78.一种消除多组分金属氧化物CVD过程的流出物的方法,该CVD过程使用含有至少一种金属配位络合物和用于溶解该金属配位络合物的适当溶剂介质的金属源试剂液体溶液,所述的金属配位络合物包括在稳定络合物中与至少一种配体配位键合的金属,所述的方法包括使CVD过程产生的含有溶剂的流出物依次流过金属阱、机动液体驱动器和对有机物具有吸附亲合力的吸附剂床,以从流出物中除去有机物。
79.权利要求78所述的方法,其中冷却金属阱以从流出物中捕获金属物质。
80.权利要求78所述的方法,其中的金属阱含有大表面积介质,用以从流出物中捕获金属物质。
81.权利要求78所述的方法,其中的金属阱含有实质上不挥发的液体,用以从流出物中捕获金属物质。
82.一种消除多组分金属氧化物CVD过程的流出物的装置,该CVD过程使用含有至少一种金属配位络合物和用于溶解该金属配位络合物的适当溶剂介质的金属源试剂液体溶液,所述的金属配位络合物包括在稳定络合物中与至少一种配体配位键合的金属,所达的装置含有一个流出物流动回路,所述回路依次包括金属阱、机动液体驱动器和对有机物具有吸附亲合力的吸附剂床。
83.权利要求82所述的装置,其还包括与吸附剂床的排放部分连接的末端监测器。
84.权利要求83所述的装置,其中的末端监测器包括石英微量天平监测器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/420,107 | 1999-10-18 | ||
US09/420,107 US6500487B1 (en) | 1999-10-18 | 1999-10-18 | Abatement of effluent from chemical vapor deposition processes using ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1379828A true CN1379828A (zh) | 2002-11-13 |
Family
ID=23665107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN00814482A Pending CN1379828A (zh) | 1999-10-18 | 2000-10-18 | 使用配体交换耐蚀金属有机前体溶液的化学气相沉积过程的流出物的消除 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6500487B1 (zh) |
EP (1) | EP1230420A4 (zh) |
JP (1) | JP2003512528A (zh) |
KR (1) | KR20020042724A (zh) |
CN (1) | CN1379828A (zh) |
AU (1) | AU2114301A (zh) |
TW (1) | TW544722B (zh) |
WO (1) | WO2001029281A1 (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100411102C (zh) * | 2003-12-26 | 2008-08-13 | 尤泰克株式会社 | Cvd气化器、溶液气化式cvd装置及cvd用气化方法 |
CN110140190A (zh) * | 2016-12-09 | 2019-08-16 | 应用材料公司 | 用于前级固体形成量化的石英晶体微量天平的利用 |
CN110876270A (zh) * | 2018-06-29 | 2020-03-10 | 奥塔装置公司 | 用于mocvd减排的方法和*** |
CN113874096A (zh) * | 2019-05-24 | 2021-12-31 | 恩特格里斯公司 | 用于从气体混合物去除氨的方法和*** |
CN113939362A (zh) * | 2019-05-24 | 2022-01-14 | 恩特格里斯公司 | 吸附有机金属蒸汽的方法和*** |
Families Citing this family (274)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6943392B2 (en) * | 1999-08-30 | 2005-09-13 | Micron Technology, Inc. | Capacitors having a capacitor dielectric layer comprising a metal oxide having multiple different metals bonded with oxygen |
US6500487B1 (en) * | 1999-10-18 | 2002-12-31 | Advanced Technology Materials, Inc | Abatement of effluent from chemical vapor deposition processes using ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions |
US6558517B2 (en) * | 2000-05-26 | 2003-05-06 | Micron Technology, Inc. | Physical vapor deposition methods |
US6838122B2 (en) | 2001-07-13 | 2005-01-04 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition methods of forming barium strontium titanate comprising dielectric layers |
US20030017266A1 (en) * | 2001-07-13 | 2003-01-23 | Cem Basceri | Chemical vapor deposition methods of forming barium strontium titanate comprising dielectric layers, including such layers having a varied concentration of barium and strontium within the layer |
US7011978B2 (en) | 2001-08-17 | 2006-03-14 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming capacitor constructions comprising perovskite-type dielectric materials with different amount of crystallinity regions |
JP3744850B2 (ja) * | 2001-12-18 | 2006-02-15 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3973605B2 (ja) * | 2002-07-10 | 2007-09-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及びこれに使用する原料供給装置、成膜方法 |
JP4113755B2 (ja) * | 2002-10-03 | 2008-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
US20040159235A1 (en) * | 2003-02-19 | 2004-08-19 | Marganski Paul J. | Low pressure drop canister for fixed bed scrubber applications and method of using same |
US6843830B2 (en) * | 2003-04-15 | 2005-01-18 | Advanced Technology Materials, Inc. | Abatement system targeting a by-pass effluent stream of a semiconductor process tool |
FR2858333B1 (fr) * | 2003-07-31 | 2006-12-08 | Cit Alcatel | Procede et dispositif pour le depot peu agressif de films dielectriques en phase vapeur assiste par plasma |
US20070197895A1 (en) | 2006-02-17 | 2007-08-23 | Sdgi Holdings, Inc. | Surgical instrument to assess tissue characteristics |
JP6034546B2 (ja) * | 2006-03-16 | 2016-11-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 軽減システムの改善された操作方法及び装置 |
KR101551170B1 (ko) * | 2007-05-25 | 2015-09-09 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 저감 시스템의 효율적 작동을 위한 방법들 및 장치 |
KR101468606B1 (ko) * | 2007-05-25 | 2014-12-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 전자 디바이스 제조 시스템들을 조립하고 작동시키는 방법들 및 장치 |
WO2008156687A1 (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-24 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems for designing and validating operation of abatement systems |
JP5133013B2 (ja) * | 2007-09-10 | 2013-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置の排気系構造、成膜装置、および排ガスの処理方法 |
WO2009055750A1 (en) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for smart abatement using an improved fuel circuit |
JP5277784B2 (ja) * | 2008-08-07 | 2013-08-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料回収方法、トラップ機構、排気系及びこれを用いた成膜装置 |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8197579B2 (en) * | 2009-06-19 | 2012-06-12 | Empire Technology Development Llc | Gas storage and release using piezoelectric materials |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US8241596B2 (en) * | 2010-12-31 | 2012-08-14 | Mks Instruments, Inc. | High-efficiency, hot trap apparatus and method |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
CN102426146B (zh) * | 2011-09-21 | 2013-06-19 | 重庆交通大学 | 沥青烟尘含量的测定方法及其沥青烟尘的采样装置 |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
JP5910286B2 (ja) * | 2012-04-24 | 2016-04-27 | 宇部興産株式会社 | 含窒素化合物を含む排ガスの処理方法 |
JP6123454B2 (ja) * | 2012-04-27 | 2017-05-10 | 宇部興産株式会社 | 有機含窒素化合物含有ガスの処理装置、有機含窒素化合物含有ガスの処理剤及び成膜装置 |
US8728240B2 (en) | 2012-05-02 | 2014-05-20 | Msp Corporation | Apparatus for vapor condensation and recovery |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
JP6602709B2 (ja) * | 2016-03-23 | 2019-11-06 | 大陽日酸株式会社 | 排ガス処理装置、及び排ガス処理方法 |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10005018B2 (en) * | 2016-09-02 | 2018-06-26 | Battelle Memorial Institute | Xenon collection method and system |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
TWI779134B (zh) | 2017-11-27 | 2022-10-01 | 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 | 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102657269B1 (ko) | 2018-02-14 | 2024-04-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법 |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
TWI819010B (zh) | 2018-06-27 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
TWI751420B (zh) | 2018-06-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm知識產權私人控股有限公司 | 薄膜沉積方法 |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
TW202140831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220006455A (ko) | 2020-07-08 | 2022-01-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4842746A (en) * | 1986-06-16 | 1989-06-27 | Quadrex Hps Inc. | Method of removing toxic agents for trichlorotrifluoroethane |
US5151395A (en) * | 1987-03-24 | 1992-09-29 | Novapure Corporation | Bulk gas sorption and apparatus, gas containment/treatment system comprising same, and sorbent composition therefor |
US4842621A (en) * | 1987-03-26 | 1989-06-27 | The Dow Chemical Company | Recovery process |
US5417934A (en) * | 1988-06-04 | 1995-05-23 | Boc Limited | Dry exhaust gas conditioning |
EP0382984A1 (en) * | 1989-02-13 | 1990-08-22 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Thermal decomposition trap |
DE69025921T2 (de) * | 1989-10-27 | 1996-10-10 | Pall Corp | Vorrichtung und methode zur sorption von komponenten aus einem gas |
US5187131A (en) * | 1990-01-16 | 1993-02-16 | Tigg Corporation | Method for regenerating particulate adsorbents |
US5820664A (en) | 1990-07-06 | 1998-10-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Precursor compositions for chemical vapor deposition, and ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions comprising same |
US5151110A (en) * | 1990-09-11 | 1992-09-29 | University Of New Mexico | Molecular sieve sensors for selective detection at the nanogram level |
US6110531A (en) * | 1991-02-25 | 2000-08-29 | Symetrix Corporation | Method and apparatus for preparing integrated circuit thin films by chemical vapor deposition |
US5648114A (en) * | 1991-12-13 | 1997-07-15 | Symetrix Corporation | Chemical vapor deposition process for fabricating layered superlattice materials |
US5356849A (en) | 1993-01-21 | 1994-10-18 | Calgon Carbon Corporation | Catalytic carbon |
US5444249A (en) * | 1994-02-14 | 1995-08-22 | Telaire Systems, Inc. | NDIR gas sensor |
US5445008A (en) * | 1994-03-24 | 1995-08-29 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Microbar sensor |
US5494869A (en) | 1994-03-29 | 1996-02-27 | Calgon Carbon Corporation | Process for regenerating nitrogen-treated carbonaceous chars used for hydrogen sulfide removal |
US6030591A (en) * | 1994-04-06 | 2000-02-29 | Atmi Ecosys Corporation | Process for removing and recovering halocarbons from effluent process streams |
US5817575A (en) * | 1996-01-30 | 1998-10-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Prevention of clogging in CVD apparatus |
US5928426A (en) * | 1996-08-08 | 1999-07-27 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for treating exhaust gases from CVD, PECVD or plasma etch reactors |
US5827947A (en) * | 1997-01-17 | 1998-10-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Piezoelectric sensor for hydride gases, and fluid monitoring apparatus comprising same |
KR100253089B1 (ko) * | 1997-10-29 | 2000-05-01 | 윤종용 | 반도체소자 제조용 화학기상증착장치 및 이의 구동방법, 그 공정챔버 세정공정 레시피 최적화방법 |
US6099649A (en) * | 1997-12-23 | 2000-08-08 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition hot-trap for unreacted precursor conversion and effluent removal |
US6328804B1 (en) * | 1998-07-10 | 2001-12-11 | Ball Semiconductor, Inc. | Chemical vapor deposition of metals on a spherical shaped semiconductor substrate |
US6383300B1 (en) * | 1998-11-27 | 2002-05-07 | Tokyo Electron Ltd. | Heat treatment apparatus and cleaning method of the same |
US6238514B1 (en) * | 1999-02-18 | 2001-05-29 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and method for removing condensable aluminum vapor from aluminum etch effluent |
US6500487B1 (en) * | 1999-10-18 | 2002-12-31 | Advanced Technology Materials, Inc | Abatement of effluent from chemical vapor deposition processes using ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions |
US6391385B1 (en) * | 1999-10-18 | 2002-05-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method of abating of effluents from chemical vapor deposition processes using organometallic source reagents |
-
1999
- 1999-10-18 US US09/420,107 patent/US6500487B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-10-18 KR KR1020027004953A patent/KR20020042724A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-10-18 JP JP2001532260A patent/JP2003512528A/ja not_active Withdrawn
- 2000-10-18 CN CN00814482A patent/CN1379828A/zh active Pending
- 2000-10-18 AU AU21143/01A patent/AU2114301A/en not_active Abandoned
- 2000-10-18 EP EP00984541A patent/EP1230420A4/en not_active Withdrawn
- 2000-10-18 TW TW089121783A patent/TW544722B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-10-18 WO PCT/US2000/041253 patent/WO2001029281A1/en not_active Application Discontinuation
-
2002
- 2002-10-23 US US10/278,276 patent/US6833024B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100411102C (zh) * | 2003-12-26 | 2008-08-13 | 尤泰克株式会社 | Cvd气化器、溶液气化式cvd装置及cvd用气化方法 |
CN110140190A (zh) * | 2016-12-09 | 2019-08-16 | 应用材料公司 | 用于前级固体形成量化的石英晶体微量天平的利用 |
CN110876270A (zh) * | 2018-06-29 | 2020-03-10 | 奥塔装置公司 | 用于mocvd减排的方法和*** |
CN113874096A (zh) * | 2019-05-24 | 2021-12-31 | 恩特格里斯公司 | 用于从气体混合物去除氨的方法和*** |
CN113939362A (zh) * | 2019-05-24 | 2022-01-14 | 恩特格里斯公司 | 吸附有机金属蒸汽的方法和*** |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1230420A1 (en) | 2002-08-14 |
US6833024B2 (en) | 2004-12-21 |
EP1230420A4 (en) | 2006-02-01 |
JP2003512528A (ja) | 2003-04-02 |
TW544722B (en) | 2003-08-01 |
KR20020042724A (ko) | 2002-06-05 |
WO2001029281A9 (en) | 2001-09-27 |
US6500487B1 (en) | 2002-12-31 |
AU2114301A (en) | 2001-04-30 |
WO2001029281A1 (en) | 2001-04-26 |
US20030056726A1 (en) | 2003-03-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1379828A (zh) | 使用配体交换耐蚀金属有机前体溶液的化学气相沉积过程的流出物的消除 | |
US6749671B2 (en) | Abatement of effluents from chemical vapor deposition processes using organometallic source reagents | |
CN1110345C (zh) | 处理及回收废气中所含气态烃的方法 | |
CN1031783C (zh) | 使用吸附冷凝法的溶剂回收*** | |
TW201107288A (en) | Processes for purification of acetylene | |
CN1254300C (zh) | 包含挥发性碳化氢的排气的处理方法及实施该方法的装置 | |
TW201216397A (en) | Discharge gas treating system | |
CN1193620A (zh) | 全氟化合物的分离及纯化方法和*** | |
WO2002055458A2 (en) | Process for purifying octafluorocyclobutane, process for preparing the same, and use thereof | |
CN1131587A (zh) | 以最小的污染和颗粒分配超高纯度气体的方法 | |
JP2022509280A (ja) | プラズマ誘起浄水のための方法及び装置 | |
CN1153609C (zh) | 净化空气的方法和装置 | |
JP2019136640A (ja) | 活性炭の性能回復可能性判断方法及び活性炭再生方法並びに活性炭リユースシステム | |
US20050061147A1 (en) | Chemisorbent system for abatement of effluent species | |
CN211302563U (zh) | 一种油气处理*** | |
JP2004339187A (ja) | パーフルオロ化合物の精製方法及び成膜方法 | |
CN206837636U (zh) | 溶剂回收装置 | |
US20070028771A1 (en) | Adsorption apparatus, semiconductor device manufacturing facility comprising the same, and method of recycling perfulorocompounds | |
CN105854510A (zh) | 一种VOCs处理设备及方法 | |
CN1078090C (zh) | 从气流中脱除全氟代烃 | |
CN115584482B (zh) | 钽源前驱体的纯化方法 | |
JP4515571B2 (ja) | 溶剤回収装置と溶剤回収方法 | |
CN110201489A (zh) | 一种氯乙烯尾气处理***及一种气体浓缩装置 | |
JP2004043278A (ja) | ハロゲン化有機化合物の吸脱着能に優れた活性炭、該活性炭の製造方法、ハロゲン化有機化合物の吸脱着装置並びに吸脱着方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |