CN1369061A - 半导体结构 - Google Patents

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Abstract

借助于一对相对地且倾斜地,以对于晶片表面及垂线成一倾斜角引导的激光光束以使携载导线图形的一光阻材料层发荧光,来对半导体晶片、电路板及类似多层结构进行高速的光学检查,其中的缺陷将被将被检查出,并最好使用一时间－延迟－集成CCD成象照相机用于记录加重了其上的非发荧光导线图形的一荧光表面图象,同时遮蔽来自下层的所有光。

Description

半导体结构
本发明涉及半导体结构等类似物，例如多层晶片、芯片、电路板等的光学检查，更具体地，但非排他地，涉及对缺陷或人工产物(artifact)等的高速检查，及在其中采用选择性的层发荧光，有助于优先的有区别的或有选择的成像这样的结构的预定的表面或层或部分。
背景
在授予Yamanaka等人的美国专利5,278,012中，描述了为了遮盖在一多层半导体晶片或芯片或类似物的受控的平坦的表面上沉积的导体图形，从而对其下的层进行遮蔽，使用该层半导体晶片或芯片或类似物的一激光束激发的发荧光的顶部介电层；且通过在我的共有未决的1997年6月23日递交的美国专利申请08/880,836，题为“用荧光散射顶层识别光学地检查多层电子部件及类似物的方法和设备”中描述的技术，实现了进一步的改进，使用粗糙的或随机地崎岖不平的层或表面及凸出角度导体实现这样的技术。
已被教导在用于其他目的的检查***，例如发荧光环氧电路板中使用荧光来实现忽略在可见光谱中具有高对比度的结构中的粒状金属导体(Orbot公司及其他公司的设备)。但未解决消除下层图象的问题。(Hughes公司)还建议使用电视摄像机来使操作员可进行观看，以确定是否向各晶片施加保护层(resist)或去除了各晶片上的保护层作为过程控制的手段，如在文章“High ThrougnoutInspection Tool For Photoresist Patterning(用于光阻材料构型的高通量检查工具)”中所述，Semiconductor International(国际半导体)，1997年9月。
另一方面，本发明解决了对于各晶片的保护层图形中的所有缺陷，例如发线短路、针孔、错误的线宽或间隔或组织，及对于构型的保护层中的其他缺陷，自动地执行各晶片的完整表面的百分之百高速扫描检查的很多严格及困难的问题。而且，本发明是通过对整个晶片表面包括缺陷(不象所述文章的电视大视野隅角检查中的，可表示所看图象的仅一小片断)的光阻材料荧光和自动图象分析的一种新颖的技术而这样做的。例如，本发明实现了对一或两象素的针孔缺陷的检测，而这种缺陷在所述文章的技术中的发荧光保护层的大的亮视场中不能被检测到。本发明还允许对晶片图形是否符合设计原则(称之为良好的参考图象)、该晶片上的相邻电路图形或类似物进行自动分析，用以检查正确的图形形态。
发明目的
因此，本发明的一个目的在于提供一种用于实现多层晶片、芯片及其他半导体和类似装置的高速光学扫描检查的新的改进的方法和设备，其不应受到上述现有技术限制；相反，应实现在各晶片层的制做过程中对光阻材料的有缺陷及无缺陷沉积的自动的总体的检查，精确地确定期望的导体和其他电路结构在其上及不在其上的位置。
本发明的另一目的在于提供一种新技术，其实现保护层图形的自动或半自动检查以验证正确的图形几何图形，并检测例如开口、短路、刻痕、凸出等缺陷，以及还有在后述的金属减去过程中的驻留的未去除的或未显现的保护层碎渣(scum)，可防止在金属附加过程中的可导致短路及凸出型缺陷的酸蚀刻期间的金属的适当的去除，如在后面更加完整说明的，可防止第二层更重的金属被沉积或化学地结合至该碎渣下面的基底金属上，导致空隙或断裂。
本发明的再一目的在于当将光阻材料沉积在金属层上且在蚀刻下面的金属之前，提供这样一种检查以在蚀刻之前在制做的保护层施加台中进行修补。
本发明的再一目的在于提供一种更加通用的新的改进的激光感生发荧光光阻材料检查***。
其他的目的将在下文中进行说明并在后附的权利要求中更加全面地指出。概述
总之，从其重要的装置方面之一来说，本发明包括设备，用于光学地检查在一多层集成电路晶片及类似物的顶层上的不透光的导线图形，除了在下层上的图形外，其中这些导线图形被形成在响应于预定频率的激光发荧光的一材料的这样的一顶层上且其中发荧光频率不同于该预定频率，所述设备具有组合的用于生成并沿着自该层的相对侧以与其相对倾斜的角度射出的一对光束，引导所述预定频率的激光到所述顶层上的装置；用于光学检查响应于该对光束引导至其上而从顶层发荧光的所述不同频率的光，产生遮蔽下层的一被照明的顶层发荧光背景且在其上该些导线图形呈现为暗线的装置；用于调节该对激光光束的运行以避免可能产生频率差拍的严格的频率相干的装置；及用于调节该对光束的所述相对倾斜的角度以消除在可能被误表现为暗导线的线之间的相邻导线的近侧边之间的暗阴影区的生成的装置。
从一更广的观点看，本发明还包括一种方法，用于光学地检查在一多层集成电路晶片及类似物的顶层上的不透光的导线图形，除了在下层上的图形外，该方法包括在响应于预定频率的激光发荧光的一材料的这样的一顶层上形成该导线图形且其中发荧光频率不同于该预定频率；以与所述层成一倾斜角将所述预定频率的激光引导到该层上；光学检查响应于该激光引导至其上而从顶层发荧光的所述不同频率的光，产生遮蔽下层的一被照明的顶层发荧光背景且在其上这些导线图形呈现为暗线；及调节所述倾斜角以使在可能被误表现为暗导线的线之间的相邻导线的近侧边之间的暗阴影区的生成最小化。
以下详细地描述优选的及最佳方式设计及细节。
附图
现将参照附图对本发明进行描述，其中图1A是具有一光阻材料—金属导体图形非均匀表面的一多层半导体晶片的一白光反射的图象；
图1B是根据本发明的方法和设备产生的同一晶片的荧光图象，示出了加重该导线图形以被检查为暗阴影线的发荧光保护层的有效遮蔽亮背景；
图2A和2B是这些晶片的通孔区的分别类似于图1A和1B的示意图；
图3(a)-(e)是通过一正保护层附加过程的在晶片的制做中的连续步骤的概略性纵向截面图；
图4(a)-(e)是为对于一负保护层减去过程的类似步骤的示意图；
图5(a)-(e)是对于一正保护层的带有附加和减去过程的类似步骤的示意图；
图6是一光学激光束狭缝形成示意图；
图7是用于使用被倾斜地引导至晶片表面上的一对相对地引导的荧光激发激光束的一优选的光学检查设备的概略性光路示意图；
图8和9是TDI-CCD象素传感器阵列的示意图；
图10是一改型的类似于图7的视图；
图11也是另一改型的类似于图7的视图，但采用更多结构式而更少图解式的形式；及
图12是一自动检查***的方框图。
本发明的优选实施例
在对采用以本发明为基础的新的检查方法或技术的优选的设备之前，首先观察半导体结构是如何被制做是有用和重要的，通过自动或机器光学检查检测显现的光阻材料一导线图形蚀刻中的可能的缺陷是重要的。介绍
如先前说明的，半导体晶片及类似物由一或多层传导(金属)材料构成。各层的制做要求沉积光阻材料以确定这些电路结构将被放置的位置。
如先前说明的，荧光可被使用以检查光阻材料图形。当光阻材料被沉积在金属上时，本发明使得该保护层图形在对下面的金属进行蚀刻之前被进行检查。可在保护层台中对缺陷进行修补；而在蚀刻后这样做会更加困难，或者是不可能的。
被用于制做半导体的正和负保护层可被做得发出荧光，使得其下的表面不可见，可采用我的对于介电顶层的共有的申请中所述的方式。这些下部表面可经常具有在可见白光图象中产生暗色图形的一不均匀的布局，如在图1A和2A中所示。图1A和2A示出了在白光下的不均匀的金属导体表面上的一光阻材料的光学图象。
为确保在该保护层的整个厚度上进行均匀的曝光，其必须在曝光频率上是相对透明的，通常在频谱的紫外区，如后面详细描述的。然而，为实现对下部特征的对准的验证，该保护层必须是在频谱的可见光范围内相对透明，使得检查缺陷在视觉上特别困难。然而，本发明通过消除在下面层的图象，实现了人工地或是自动地或是半自动地检查该保护层。这是通过使该保护层发出荧光而实现的，如图1B和2B中所示。图1B和2B示出了使得图1A和2A的各自的保护层发出荧光的效果，明亮(荧光)部分是发出荧光的保护层部分。这可通过在该保护层不会自然地发出荧光的情况下，将荧光材料加至该保护层而实现。图1A、1B和2A、2B是使用由Shipley公司生产的商业上可购得的聚酰亚胺保护膜而获得的，该聚酰亚胺保护膜被发现当被约488-514nm波长范围内的激光激发时，发出在约600-700nm波长范围内的荧光。
为使用任一种保护层类型制做一电路，导体的图形别放置在一基底上且覆盖有绝缘层，其进而可由一导电材料层所覆盖，接着覆盖有一光阻材料层(图3a、4a和5a)。该光阻材料、一种流体材料填充其下的不均匀表面，且其顶部表面保持平坦。当被光照射时，正保护层变得可溶解，而负保护层变得不可溶解。也就是说，在去除可溶解的保护层后，正保护层显示出被光照射处的金属，而负保护层显示出未被曝光处的金属。
如先前所述的制做过程可被附加或减去。在一减去的过程中，无屏蔽的导体被蚀刻掉，而不溶解的保护层保护了期望的导体所在处的层。在一附加过程中，没有第二导体层被施加至该部分并去除可溶解的保护层，展现导体被期望处的区域并施加有金属，形成希望的导线图形。不管制做过程的类型，保护层在白光下是透明的(图1A、2A)且可被做得在适当的荧光—激发光下呈现为可见的(图1B、2B)。
图3示出了一正附加过程的例子，及图4示出了一负减去过程的例子。在该正附加过程中，该保护层沿期望的传导图形被曝光(图3b)。该曝光的保护层变为可溶解的并被洗除，展现出下面的绝缘层(图3c)。一金属层被沉积在该部分上，附着至该无屏蔽传导层(图3d)。该未被曝光的保护层被去除，还有它上面的金属，留下附着至该绝缘层的一导体(图3e)。在图4b的示例性负减去过程中，该光阻材料仅沿着期望的传导图形被曝光。未被曝光的保护层被去除，留下覆盖有硬化的光阻材料层的传导图形(图4c)。无屏蔽的导体被蚀刻掉(图4d)且最后该硬化的保护层也被去除(图4e)。
图5示出了与附加和减去过程相组合的一正保护层的使用。该保护层被沉积在一薄金属层上且该保护层被从期望留下最后的金属处被去除。一较厚的金属层被沉积在该无屏蔽的薄金属的顶上，起到用于结合目的的一籽晶(seed)层的作用。剩余的保护层和下方的薄金属被蚀刻掉，留下一较厚的金属仍被保留，仅在高度上有略微的减小。
在所有上述的过程中，在实际实践中，紧在该保护层下方的传导层经常是一不均匀表面，如在图4中概略地示出的。曝光该光阻材料所需的光可从金属背面反射通过该保护层，曝光比期望宽的一线。为了吸收光和减少来自下面金属的反射的目的，因此将染料加至该透明的光阻材料；对于视觉检查，可见性的提高是不利的，因为该保护层必须保持它的透明性以实现对准的验证。基础(underlying)问题
因为返回的荧光信号较弱，通常对于要求非常强的信号的快速的检查(因为高速扫描仅允许非常短的照相机曝光时间)是太暗淡了，带有基础结构的荧光图形的自动检查到目前为止在商业上尚未可行。
本发明的基础是在材料上提高可用的荧光强度，同时抑制来自该晶片或类似物中的下部表面或层的反射的技术的发现。现在通过这样被提高的信号的效率并通过使用一更加敏感的扫描技术和装置，实现了实际可行的高速自动的荧光检查。
如在我的所述的共有未决的申请中所述，来自发荧光表面的各点的荧光光线在所有的方向上被发射，且光线对于不是正处于入射激发光线方向上的成象照相机，可被准直。一些荧光光线将从该表面的所有平坦的、成角度的、及不规则且凸起的部分行进回到该照相机，且与该发荧光表面的角度或照明的角度无关，因为各发荧光颗粒在所有的球面(半)方向上发射光。因此荧光的使用不仅是获得对比度，而且也产生一些与激发光入射到被检查的表面上的角度无关的被发射的光线，实现了所有弯曲的表面和非平坦的表面的成象。而用正常反射或散射的光，这些是不能被成象或看到的。如在我的共有未决的申请及在所述的授予Yamanaka的专利中进一步说明的，在成象照相机前方的一适当的过滤器仅允许成象荧光光线，阻断出所有其他的光。
由于本发明的基础目的在于以高扫描速度自动地检查晶片、电路板、芯片模件等类似物的图形缺陷，适当的照明光源和成象检测器必须被考虑。例如常规的电视摄像机是不适合的，因为以高速运动的图象产生模糊。仅看单一点的光电倍增管对于检查来说是太慢了。而且要求高的灵敏度，由于可用的激光功率受到限制，且在一些情况下，需要过分的小心以不会过度激发材料或使其烧着。因此决定使用时间-延迟-集成(time-delay-intgrated：TDI)电耦合器件(CCD)以实现没有模糊的高速扫描。
为获得有效的照明，研究中至少有三种光源可能用于发荧光：水银灯、氙灯和激光器。然而，水银灯被确定在树脂材料中仅产生小量的荧光激发能量；例如对于488毫微米，通常是5毫瓦的数量级。氙灯仅稍好些，产生20毫瓦。根据本发明的一优选版本，一种空气冷却的氩激光器已被发现是最有用的，可产生1000毫瓦。更重要的是放置照相机观看处的激发频率，以及有效地使用所有可获得的功率。对于线性时间-延迟-及-集成CCD，电耦合器件观看到一矩形，以使要求一矩形的照明。用一柱面透镜产生的激光狭缝照明因此被选择使光阻材料发荧光，如图6所示。这已被发现可实现对可用能量的最有效的使用，当所有来自激光器的光被聚焦进扫描区域时。为做到这点，如图6所示，一光束扩展透镜1被采用以生成最好直径对应于该矩形的长边的一光束，接着一外部柱面透镜3将该圆压缩成适当长度的一狭缝。这样，所有激光的能量被精确地放置在该***观看的地方。
尽管在所述共有的申请和所述专利的***中，激光源将其光束引导到一倾斜反射镜上以垂直地向下反射到晶片表面上，且由成象照相机接收垂直向上的激发的荧光光线，已发现将该激发光束以一角度投射到该表面(且垂直地)提高了该照相机可获得的且来自所有表面点，包括不规则处和表面凸起处的荧光球面发射。较佳地，的确，如图7所示，使用了一对引导来自相对侧的且以这样倾斜的角度入射光束的激光源。
因为高速检查中的快速扫描提供了很短的时间来收集光且因此要求例如多激光器的一强壮的激发光源，仅使用这样的激光光源提高了功率，但通常会遇到这样的问题：相干光束将会相互干涉和抵消。如果两个分离的激光器或激光路径被这样使用，光束将不会被相位锁定且干涉图形将会发生时间改变。尽管某些相位随机化装置可用，但这样会付出减低功率的代价，将会破坏使用多光束的益处。然而，使用本发明的技术，采用时间-延迟-集成CCD照相机，带有该对相对倾斜的光束，这些光束可有效地增加而非损耗功率。
然后，考虑图7的多激光器照明***，在成象照相机TDI-CCD的相对侧上的一对激光器引导各自的光束通过光束扩展器1和1’(如图6所示)到反射镜上，该些反射镜引导该被扩展的圆形光束通过柱形透镜3和3’以生成光的狭缝5和5’，以类似但是相对倾斜的角度(最好约45°)投射到扫描台上的晶片的保护层一导体表面上(在图7中概略地表示为“r”、“p”)，这样被标记化。通过使用象素一检查水平传感器行1-n(A、B、C、D等)和垂直列1-n的时间-延迟-集成CCD照相机(TDI-CCD)，从激光光束激发的晶片表面发射且被准直在照相机处的荧光光线在该照相机产生在各列上总计的象素(PA等)，该CCD的输出是两光束的总和功率。根据本发明通过当晶片表面在该扫描台上被移动时或者被扫描时，使该时间-延迟-集成CCD中累积的电荷在该器件中以相同的速度被电移动，可获得该结果。每当该台移动一行，电荷被移位该器件上的一行。因此每个激光光束狭缝(5，5’)被定位以实现沿该CCD的不同行群的照明，以使总的功率输出是被来自晶片表面的各激光光束荧光激发所照明的各行群的总和。由于在例如在一行上的100个单位光的输出产生与带有在各100行上的一个单位光的时间-延迟-集成CCD相同的输出，各光束信号分布的定位将不会重叠，如图9所示，产生由各激光器单独刺激的荧光信号的总和的净效。根据本发明，由于各光束的宽度可被容易地聚焦，多激光光束功率可被这样加在一起，没有严格的频率相干，实现了一种特别有效的荧光激发***。该非常敏感的时间-延迟-集成照相机***的使用还实现高效率的发荧光表面的成象。如图7所示，该照相机对除了荧光光线以外的所有光的滤除，还阻断或遮蔽来自晶片下层或其他装置的所有反射，且如图1B和2B所示，实现了有选择地观看在发荧光表面上的导体。
尽管在图7中示出使用来自一对不同但类似的激光器的激光的一对相对倾斜的狭缝光束，如果需要的话，可从一单个公共激光光源导出两狭缝光束，如图10所述，使用一分束器以生成两路径，且调节这些路径的运行(长度或其他变化)以避免可产生具有抵消效果的频率差拍的严格的频率相干，如前所述。在任一情况下(图7或图10)，通过沿着与所述层成相对的倾斜角度的来自该层的相对侧的被照射为狭缝5，5’的一对光束，引导一预定频率的荧光激发激光到所述层上，在一多层集成电路晶片或电路板或类似物的顶部荧光保护层“r”上的不透光导线图形“p”被进行光学地检查，除了下层上的图形外。对来自响应于将该对光束引导到其上的该顶层的不同发荧光频率的的荧光进行光学检查，产生一遮蔽下层的被照明的顶层发荧光背景，其上的导线图形呈现为暗线(图1B和2B)。该对激光光束的运行被进行调整以使避免如前所述的可能生成频率差拍的严格的频率相干；及该对光束的所述相对倾斜角被调节以消除在这些线之间的相邻导线的近侧之间可能生成暗阴影区，如图1B和2B所示，否则可能被误显现为暗导线。通过在扫描顶层时，沿该TDI CCD的连续行的象素传感器，监视该TDI CCD中的发荧光的光来进行该检查，且其中得到的该CCD中的累积电荷以与扫描的相同速度被移位；且对各激光光束进行定位以照明沿该CCD的一不同行群，以产生总和由各激光光束单独产生的被监视的荧光信号的净效。
如先前所述，最好通过首先将初始光束扩展成一基本圆形的光束且然后将被扩展的光束通过一柱面透镜以对该光束进行平象以用作为狭缝激光照射到所述顶层上，来形成这些狭缝激光光束。
先前所述的图1B和2B的结果通过一氩激光器(Laser Physics生产的型号为Las-1000的激光器)发射488nm和514nm频率照明来获得。该***还使用用于扫描的一TDI(时间延迟集成)CCD照相机芯片(Reticon生产的型号为1024×96TDI)。该对相对侧引导的激光光束狭缝被倾斜以与该晶片表面的垂直方向和平面成约45°角。
然而，在某些应用中，小的线断裂或类似可能未被照明，而该对倾斜的光束从其侧边缘在该断裂上投射阴影。对于这样的情况，已发现将倾斜的光束之一调整高到90°角左右，如图11中由对于晶片成基本垂直入射角N被引导的左手激光光束，并用成一锐角的其他(右手)光束，这些问题可能被极佳地解决。
如前所述，而且，本发明的荧光保护层检查过程还适于结合由图12的***方框图中给出的其他自动检查特征，其中示出有一激光模拟的荧光保护层成象***(也可以是图7和图10所示的)，结合有几个成象照相机-用于TV监视器的一彩色照相机(这样标记的)；及用于晶片或其他装置检查台的顶部和底部照相机。最后所述的照相机可允许对于A/D和材料检验进行比较，进而进行众所周知的图形参考和设计规则分析。该扫描台可以是自动地计算机控制及监视的，如图所示，检测的缺陷信息被从一缺陷收集缓冲器馈送给该计算机。
对于本技术领域的熟练技术人员来说，在不脱离由后附的权利要求限定的本发明的精神和范围的前提下，对本发明作出进一步的改型和作其他的应用和使用是显见的。

Claims (20)

1、一种对除了一多层集成电路晶片或类似物的下层上的图形以外的，在顶层上的不透光的导线图形进行光学检查的方法，包括有步骤：在响应于预定频率的一激光而发荧光的一材料的这样一顶层上形成这些导线图形且其中该发荧光频率不同于该预定频率；沿与该层成相对倾斜角从该层的相对侧投射的一对光束，将所述预定频率的激光引导到所述层上；光学地检查响应于该对光束引导到该层上而从该顶层发荧光的所述不同频率的光；产生遮蔽下层的一被照明的顶层发荧光背景且在其上的导线图形呈现为暗线；调节该对激光光束的运行以避免可能产生频率差拍的严格的频率相干；及调节该对光束的所述相对的倾斜的角度以消除否则可能被误显现为暗导线的这些线之间的相邻导线的近侧边之间的暗阴影区的产生。
2、根据权利要求1所述的方法，其中通过自一对分离的激光器生成所述对光束，而取得提高的光束功率。
3、根据权利要求1所述的方法，其中通过光学地***一公共的激光光束以生成该对光束，来产生该对光束。
4、根据权利要求1所述的方法，其中通过当该顶部层被扫描时，沿-时间-延迟-集成CCD的连续行的象素传感器，监视该时间-延迟-集成CCD中的发荧光的光来进行该检查，且其中所得到的该CCD中的累积电荷以与该扫描相同的速度被电移位；且对各激光光束进行定位以照明沿该CCD的不同行群，以产生总和由各激光光束单独生成的被监视的荧光信号的净效。
5、根据权利要求1所述的方法，其中各激光光束首先被扩展成基本的圆形且然后被通过一柱面透镜以平象该光束，以用作为一狭缝激光用于投射到所述顶层上。
6、一种用于光学地检查一多层集成电路晶片及类似物的除了在下层上的图形外的、在顶层上的不透光的导线图形的设备，其中这些导线图形被形成在响应于预定频率的激光发荧光的一材料的这样的一顶层上且其中发荧光频率不同于该预定频率，所述设备具有组合的用于生成并沿着自该层的相对侧以与其相对的倾斜的角度射出的一对光束，引导所述预定频率的激光到所述顶层上的装置；用于光学检查响应于该对光束引导至其上而从顶层发荧光的所述不同频率的光，产生遮蔽下层的一被照明的顶层发荧光背景的且在其上这些导线图形呈现为暗线的装置；用于调节该对激光光束的运行以避免可能产生频率差拍的严格的频率相干的装置；及用于调节该对光束的所述相对倾斜的角度以消除否则可能被误表现为暗导线的这些线之间的相邻导线的近侧边之间的暗阴影区的生成的装置。
7、根据权利要求6所述的设备，其中通过自一对分离的激光器生成所述对光束的装置而取得提高的光束功率。
8、根据权利要求6所述的设备，其中通过光学地***一公共的激光光束以生成该对光束的装置来产生该对光束。
9、根据权利要求6所述的设备，其中通过以下的装置进行该检查：用于监视具有连续行的象素传感器的-时间-延迟-集成CCD中的发荧光的光的装置；用于当以预定的速度扫描该顶层时，扫描所述行的装置；用于将所得到的该CCD中的累积电荷以与该扫描相同的速度进行电移位的装置；及用于对各激光光束进行定位以照明沿该CCD的不同行群，以产生总和由各激光光束单独生成的被监视的荧光信号的净效的装置。
10、根据权利要求6所述的设备，其中各激光光束首先通过一光束扩展透镜被扩展成基本的圆形且然后被通过一柱面透镜以平象该光束，以用作为一狭缝激光用于投射到所述顶层上。
11、一种对除了一多层集成电路晶片或类似物的下层上的图形以外的，在顶层上的不透光的导线图形进行光学检查的方法，包括有步骤：在响应于预定频率的一激光而发荧光的一材料的这样一顶层上形成这些导线图形且其中该发荧光频率不同于该预定频率；与所述层成一倾斜角地将所述预定频率的激光引导到所述层上；光学地检查响应于该激光引导到该层上而从该顶层发荧光的所述不同频率的光；产生遮蔽下层的一被照明的顶层发荧光背景且在其上的导线图形呈现为暗线；及调节所述倾斜角以使否则可能被误显现为暗导线的这些线之间的相邻导线的近侧边之间的暗阴影区的生成最小化。
12、根据权利要求11所述的方法，其中该激光首先被扩展成基本的圆形且然后被平象以用作为一狭缝激光用于以所述倾斜角投射到所述顶层上。
13、根据权利要求11所述的方法，其中通过当该顶部层被扫描时，沿-时间-延迟-集成CCD的连续行的象素传感器，监视该时间-延迟-集成CCD中的发荧光的光，来进行该检查，且其中所得到的该CCD中的累积电荷以与该扫描相同的速度被电移位。
14、根据权利要求11所述的方法，其中所述材料是对可见光是透明的且可由约488-514nm波长范围内的激光激活以发射在约600-700nm波长范围内的可见光的一保护层。
15、一种用于光学地检查一多层集成电路晶片及类似物的除了在下层上的图形外的、在顶层上的不透光的导线图形的设备，其中这些导线图形被形成在响应于预定频率的激光发荧光的一材料的这样的一顶层上且其中发荧光频率不同于该预定频率，所述设备具有组合的用于生成并沿与所述顶层成一倾斜角发射的光束，引导所述预定频率的激光到所述顶层上的装置；用于光学检查响应于该光束引导至其上而从顶层发荧光的所述不同频率的光，产生遮蔽下层的一被照明的顶层发荧光背景且在其上这些导线图形呈现为暗线的装置；用于调节该光束的所述倾斜角以使否则可能被误表现为暗导线的这些线之间的相邻导线的近侧边之间的暗阴影区的生成最小化的装置。
16、根据权利要求15所述的设备，其中通过以下的装置进行该检查：用于监视具有连续行的象素传感器的-时间-延迟-集成CCD中的发荧光的光的装置；用于当以预定的速度扫描该顶层时，扫描所述行的装置；用于将所得到的该TDI CCD中的累积电荷以与该扫描相同的速度进行电移位的装置。
17、根据权利要求15所述的设备，其中该激光光束首先通过一光束扩展透镜被扩展成基本的圆形且然后被通过一柱面透镜以平象该光束，以用作为一狭缝激光用于以所述倾斜角投射到所述顶层上。
18、根据权利要求15所述的设备，其中所述倾斜角约为45度。
19、根据权利要求15所述的设备，其中提供有用于引导另一激光光束以基本垂直地投射到所述顶层上。
20、根据权利要求11所述的方法，其中另一激光光束被基本垂直地投射到所述顶层上。
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