CN1325986C

CN1325986C - 液晶显示装置

Info

Publication number: CN1325986C
Application number: CNB2004100369953A
Authority: CN
Inventors: 廉谷勉; 野上祐辅
Original assignee: NEC LCD Technologies Ltd
Current assignee: Tianma Japan Ltd
Priority date: 2003-04-25
Filing date: 2004-04-26
Publication date: 2007-07-11
Anticipated expiration: 2024-04-26
Also published as: CN1550858A; TW200424660A; US20040212761A1; KR20040096424A; TWI242087B; KR100644110B1; JP2004325953A; US7092049B2

Abstract

本发明涉及一种横向电场方式的液晶显示装置，目的是减小串扰并增大对比度。与共用布线3连接的遮光布线4覆盖由透明材料构成的屏蔽共用电极16之下的漏极布线7的两侧。由此，在提高对比度的的同时减小串扰。还有，在几乎不降低屏透射率(白亮度)的情况下提高对比度。再有，设置该遮光布线实质上不会对像素的写入造成影响。

Description

液晶显示装置

技术区域

本发明涉及液晶显示装置，特别涉及采用横向电场的液晶显示装置。

背景技术

在液晶显示装置中，为增大对比度，通过降低基板表面的落差、均匀地进行取向膜的摩擦处理来统一液晶分子的取向。除降低基板表面的落差的方法以外，还有其它增大对比度的方法，不过，在涉及这些方法之前，先对限制对比度的原因进行考察。

图11是现有的液晶显示装置的TFT基板一侧的俯视图，图12是沿图11的剖切线I-I的剖面图。首先采用图11的俯视图对现有的液晶显示装置进行说明。首先在透明基板1之上形成由Cr膜构成的扫描布线2和与其平行的共用布线3。其次，沉积覆盖扫描线2、共用布线3的栅极绝缘膜5，再在其上形成半导体层6、用于供给像素信号的漏极布线7。把作为漏极布线7的一部分的漏电极8及源电极9连接于半导体层6。源电极9在共用布线3之上构成存储电极10，再向像素的中央方向延伸而构成下部像素电极11。由半导体层6、漏电极8、源电极9、半导体层6下方的扫描线2构成作为开关元件的薄膜晶体管。

其次，在栅极绝缘膜5之上，形成对在栅极绝缘膜5上形成的元件进行覆盖的保护膜12、层间绝缘膜13。在层间绝缘膜13之上形成用于对液晶施加电场的上部像素电极14和共用电极15。

此时，共用电极15在共用布线3之间的漏极布线7之上延伸，构成屏蔽共用电极16，对从共用布线3之间的漏极布线7泄漏到像素的显示区域的电场进行屏蔽。上部像素电极14、共用电极15、屏蔽共用电极16设在同层，与扫描线2、漏极布线7夹着绝缘膜(保护膜12及层间绝缘膜13)，位于液晶一侧，作为布线层而位于最上层，由ITO等透明材料形成。上部像素电极14通过上下贯通绝缘膜的接触孔17连接于下部像素电极11。另一方面，共用电极15及屏蔽共用电极16也同样通过上下贯通绝缘膜的接触孔18连接于下层的共用布线3。

如果更详细地进行说明的话，屏蔽共用电极16形成为，与在下层形成的漏极布线7重叠而设，比漏极布线7宽，外伸长度L。特别是为了防止从漏极布线7向上部像素电极14的电场泄漏，该外伸量L必须为4μm以上，特别是在对串扰要求苛刻的情况下，必须为6～8μm。

之后，在层间绝缘膜13上面形成上部像素电极14、共用电极15、屏蔽共用电极16后，用取向膜(未图示)覆盖显示区域的表面，再实施摩擦处理，从而完成TFT基板100。再有，与TFT基板100相对，配置有滤色片(CF)基板300，把液晶层200夹在它们之间来保持。

对来自漏极布线的泄漏电场进行屏蔽的液晶显示装置的构造，例如，如专利文献1所示。在该液晶显示装置中，为了降低来自信号线(漏极布线)的泄漏电场所造成的串扰并增大开口率，在信号线的上下两方以绝缘膜为中介使屏蔽共用布线(电极)配置为三明治状，并通过沿信号线配置的接触孔使这些上下共用布线相连接，从而完全屏蔽来自信号线的泄漏电场。

在该构造中，在信号线两侧配置有接触件，而且，在信号线的下层，在全部区域中都有连接于共用电位的共用布线存在。因此，该构造对于减小串扰非常有效，不过，由于对信号线的电容性负荷变得非常大，在大型画面等中就会产生由信号的钝化造成的面内亮度差，因而难以实用化。再者，需要用于形成配置在信号线两侧的接触件的面积，因而难以增大开口率。

接着，用图13的剖面图来说明该外伸区域为何是使对比度降低的构成。

如图13所示，在该外伸区域L上，从背照灯一侧入射的透过光通过透明基板1→栅极绝缘膜5→保护绝缘膜12→层间绝缘膜13→屏蔽共用电极16(ITO电极)→取向膜(未图示)→液晶层200→取向膜(未图示)→CF基板300(光B)。在屏蔽共用电极16和上部像素电极14的之间的完全开口部，通过的是透明基板1→栅极绝缘膜5→保护绝缘膜12→层间绝缘膜13→取向膜(未图示)→液晶层200→取向膜(未图示)-CF基板300(光C)。把该外伸区域L(通过ITO的区域，准开口部)作为区域B，把完全开口部作为区域C，把光完全不通过的区域作为区域A。

首先考虑在各区域的暗亮度(black brightness)，对于区域A(完全遮光部)，因为光完全不通过，暗亮度为零。对于区域B(准开口部)与区域C(完全开口部)，作为基本的光通过路径，除ITO以外没有差异。可是ITO是透明电极，因而几乎不会由于透过而使亮度降低。因此，无论是在区域B还是在区域C，都能设定大致相同的暗亮度。

另一方面，对于白亮度(white brightness)，在像素电极-共用电极之间施加电场，使具有折射率各向异性的液晶层大体上旋转为与基板平行，这样，穿过TFT基板100一侧的偏振片(省略图示)的光由于双折射现象而改变偏振光状态，光就会通过CF基板300一侧的偏振片(省略图示)。图13是定性、示意地表示在上述构成的液晶显示装置的液晶层200上施加电场时的电场状态(电力线)的剖面图。在该状态中，在区域C(完全开口部)中，水平方向的电场成分大，因而，液晶层的液晶分子大幅度旋转，由于与其对应的双折射现象，光就会通过CF基板300一侧的偏振片，显示为白。在另一区域B(准开口部)中，电场(电力线)为斜方向，因而水平方向的电场成分小，与区域C(完全开口部)相比，液晶分子在水平方向不旋转。因此，通过CF基板300一侧偏振片的光量比区域C(完全开口部)的少。还有，不言而喻，在区域A(完全遮光部)由于存在由遮光材料构成的漏极布线7，白亮度为零。

此处，如果设为

区域A(完全遮光部)的暗亮度：a；白亮度：A；面积率：X％；

区域B(准开口部)的暗亮度：b；白亮度：B；面积率：Y％；

区域C(完全开口部)的暗亮度：c；白亮度：C；面积率：Z％，

(X+Y+Z＝100％)，则液晶显示装置整体的对比度可以用下式来表示。

整体对比度＝(白亮度平均)/(暗亮度平均)

＝(AX/100+BY/100+CZ/100)/(aX/100+bY/100+cZ/100)

＝(BY/100+CZ/100)/(bY/100+cZ/100)

＝(BY+CZ)/(bY+cZ)

如上述说明的，假定区域B、C的暗亮度大体上相同，设b＝c，

那么，就成为

整体对比度＝(BY+CZ)/{c(Y+Z)} 式(1)

例如，此处，如果把完全开口部+准开口部对液晶显示装置中的包含遮光区域的显示区域整体的面积率设为Y+Z＝W0(常数)，那么就成为

整体对比度＝(BY+CZ)/(c×WO)

＝{BY+C(W0-Y)}/cWO

＝W1-W2Y 式(2)

(W1：常数，W2：常数)。

即，在图1 3所示的现有构造中，为了对从漏极布线7向显示区域的泄漏电场进行屏蔽，使区域B(面积率Y)越大，对比度就越低。图14是表示屏蔽共用电极16的外伸长L和对比度的实测值的关系的曲线图。如图14所示，如果增大该外伸长L，就能够增大对从漏极布线7泄漏到显示区域的电场进行屏蔽的程度。这样，就能够减小由泄漏电场引起的串扰，但其反面是，对比度就会变小。

图15表示减小该区域B来增大对比度的液晶显示装置的构造。在图1 5所示的液晶显示装置中，用Cr等遮光材料来形成图11、12的本来由透明材料构成的屏蔽共用电极16。这样，使对比度减小的区域B(准开口部)就会消失，因而对比度就会变大。这样，根据式(2)的计算，就能够使对比度提高到857。

然而，如果用Cr等遮光材料形成如图15所示的屏蔽共用电极116的话，就会产生制造工艺上的问题。即，为使TFT基板100的表面平坦化，如果层间绝缘膜13使用有机膜、再在其上形成由Cr构成的屏蔽共用电极116的话，金属膜和有机膜的界面的贴紧性差，金属就容易剥落。而且，选定Cr作为遮光金属的话，Cr的膜应力大(Cr：1Gpa，而ITO：0.2～0.6GPa)，并且，再加上Cr在成膜时的加热所引起的热应力，在使TFT基板100返回到室温时TFT基板100就会大幅度起翘，造成Cr从层间绝缘膜13剥落的现象。(另一方面，ITO能够在不加热的情况下成膜，因而不会增加热应力)。还有，即使能用Cr成膜，由于工序中的热过程，Cr表面也会被氧化，因而也不能确保与ACF(Anisotropic Conductive Film：各向异性导电膜)相连接时的连接可靠性。因此，在用Cr形成屏蔽共用电极116的情况下，就必须再在它之上层积ITO，增加了工序数。基于以上的理由，用Cr等遮光金属形成本来由透明材料构成的屏蔽共用电极是不现实的。

【专利文献1】

特开平10-186407号公报(段落号0057，图4)

如上所述，在现有的液晶显示装置中，为了减小串扰，使透明的屏蔽共用电极从漏极布线的宽度方向大幅度外伸，以这种形状来覆盖漏极布线。

单纯减小该外伸长度能够增大对比度，不过，同时对漏极布线进行屏蔽的本来的功能就会下降，因而不能减小该外伸长度。

因此，在现有的液晶显示装置中，即使能够减小串扰，由于该露出的区域使对比度下降，因而也不能在减小串扰的同时增大对比度。

发明内容

针对以上所述，本发明的目的是提供一种LCD装置，该LCD装置能够实质性地减小串扰而不降低对比度，不会像现有LCD装置那样受到在减小串扰和提高对比度之间的折衷关系的限制。

本发明以优选实施方式提供一种液晶显示装置(LCD)，包括第1、第2基板和夹在上述第1基板和第2基板之间的液晶层(LC)，在上述第1基板上设有：互相平行延伸的多条栅极布线和多条共用布线；覆盖上述栅极布线及上述共用布线的第1绝缘膜；垂直于上述栅极布线及上述共用布线而延伸并构成多个像素的多条漏极布线；覆盖上述漏极布线和上述第1绝缘膜的第2绝缘膜；皆由透明材料构成、在每个像素中互相平行延伸、对LC层200施加平行于上述第1基板的电场、使上述LCD层的LC分子旋转至与上述第1基板平行的平面内的共用电极及像素电极，从垂直于上述第1基板的方向看上去，上述共用电极具有从上述漏极布线两侧向外伸出的外伸区域；在由2条上述共用电极构成的区域中的共用电极下方延伸的遮光膜，从垂直于上述第1基板的方向看上去，该遮光膜具有至少与上述共用电极的上述外伸区域的一部分相重叠的重叠部分，并且电连接于上述共用电极。

根据本发明的LCD装置，上述共用电极的外伸区域有效地减小了上述漏极布线和上述像素之间的串扰；而具有与外伸区域相重叠的部分的上述遮光膜位则提高了本来会被上述共用电极的外伸区域降低的对比度。

通过以下参照附图的说明，本发明的上述以及其它目的、特征及优点将会更加清楚。液晶显示装置中，上述遮光膜位于上述共用电极下方，为收在上述共用电极的宽度内的结构，在宽度方向包含延伸到上述共用布线之间的上述漏极布线。

附图说明

图1是本发明的第1实施方式的液晶层显示装置俯视图。

图2是沿图1的II-II线的剖面图。

图3是沿图1的II-II线的剖面图，表示来自背照灯的光在TFT基板的各区域入射、透过或反射的情况。

图4是表示在本发明的第1实施方式的液晶层显示装置中串扰变小了的曲线图。

图5是表示在本发明的第1实施方式的液晶层显示装置中减小了屏蔽共用电极的从漏极布线的外伸长量时的液晶层显示装置的剖面图。

图6是本发明的第1实施方式的变形例的液晶层显示装置俯视图。

图7是本发明的第2实施方式的液晶层显示装置俯视图。

图8是沿图7的II-II线的剖面图。

图9是本发明的第3实施方式的液晶层显示装置俯视图。

图10是沿图9的II-II线的剖面图。

图11是现有的液晶层显示装置俯视图。

图12是沿图11的I-I线的剖面图。

图13是沿图11的I-I线的剖面图，表示电场的情况。

图14是表示在本发明的第1实施方式的液晶层显示装置中、TFT基板的屏蔽共用电极的从漏极布线的外伸长量变大后、串扰变小但对比度也变小的情况的曲线图。

图15是在现有的液晶层显示装置中把TFT基板的屏蔽共用电极做成遮光金属时的液晶层显示装置的剖面图。

图16是表示在液晶层显示装置中、在把TFT基板分成了遮光部、透明电极部、透过部的情况下、对于各种电极的对比度的计算值及实测值的表。

图17是表示在图16的表所示的对比度的计算中采用的暗亮度、白亮度的值的表。

图18是表示对由于在图1所示的TFT基板上设置了遮光布线而增加的漏极布线电容进行计算而求出的值的表。

具体实施方式

下面，参照图1、2对本发明的第1实施方式进行说明。图1是表示第1实施方式的液晶显示装置的TFT基板一侧的一个像素的俯视图，图2是沿图1的II-II线的剖面图。另外，在以下的实施方式中，像素电极及与其平行而设的共用电极的形状做成“ㄑ”字状的弯曲的形状。当然，把它们做成直线状的结构也适用于本发明的构成。

参照2，在透明基板1之上形成由Cr膜构成的扫描线2及与其平行的共用布线3。此时，同时形成与共用布线3连接的遮光布线4。其次，沉积覆盖扫描线2、共用布线3、遮光布线4的栅极绝缘膜5，在其上形成半导层6、用于供给像素信号的漏极布线7。作为漏极布线7的一部分的漏电极8及源电极9连接于半导体层6。源电极9在共用布线3之上构成存储电极10，再向像素中央方向延伸而构成下部像素电极11。此时，漏极布线7如图1所示，成为在共用布线3之间由遮光布线4夹着其两侧的形状。还有，由半导体层6、漏电极8、源电极9、半导体层6下方的扫描线2构成作为开关元件的薄膜晶体管。此处，漏极布线7和其两侧所配置的遮光布线4之间的间隔，以下述方式来决定。作为遮光布线4自身的图形的线宽精度，取为约1.0μm的余量，作为漏极布线7和其两侧所配置的遮光布线4之间的位置偏移精度，取为约1.0μm的余量，这样，在设计上合计设有1.0μm～2.0μm的间隔，漏极布线7和其两侧所配置的遮光布线4就不会重叠(如果重叠，漏极布线7的电容就会增大)。

其次，在栅极绝缘膜5之上，形成对栅极绝缘膜5上所形成的元件进行覆盖的保护膜12、层间绝缘膜13。在层间绝缘膜13上形成用于对液晶层施加电场的上部像素电极14和共用电极15。

此时，共用电极15延伸到共用布线3之间的漏极布线7上面，构成屏蔽共用电极16，对从共用布线3之间的漏极布线7泄漏到像素的显示区域的电场进行屏蔽。上部像素电极14、共用电极15、屏蔽共用电极16设在同层，与扫描线2、漏极布线7夹着绝缘膜(保护膜12及层间绝缘膜13)，位于液晶层一侧，作为布线层位于最上层，用透明材料形成。上部像素电极14通过上下贯通绝缘膜的接触孔17连接于下部像素电极11。另一方面，共用电极15及屏蔽共用电极16也同样通过上下贯通绝缘膜的接触孔18连接于下层的共用布线3。

更详细地进行说明的话，屏蔽共用电极16设置得与在下层形成的漏极布线7相重叠，比漏极布线7宽，形成外伸长度L。现有技术的该外伸量L，特别是为防止从漏极布线7向上部像素电极14泄漏电场，必须为4μm以上，特别是在对串扰要求苛刻的情况下，必须为6～8μm。

在层间绝缘膜13上面形成上部像素电极14、共用电极15、屏蔽共用电极16之后，用取向膜(未图示)覆盖显示区域的表面，实施摩擦处理，从而完成TFT基板100。再有，与TFT基板100相对，配置滤色片基板300，把液晶层200夹在它们之间来保持。

其次，把图1、2所示的本实施方式的构造在图3改用剖面图显示。把该构造与现有构造的图13进行比较。在本实施方式的构造中，在与现有构造中区域B对应的地方，通过设置遮光布线4来减小区域B的比率，由于设置了遮光布线4，区域A(完全遮光部)的比率就变大了。因此，如图16的表中记载的实测数据，对比度从639到710，增大了71。

使用图16及图17的表，对于具有本实施方式的构造的液晶显示装置的对比度为何会提高，详细地进行说明。

表1中表示实测值和计算得到的计算值。图17的表是在求图6表中的计算值时使用的各区域的暗亮度、白亮度以及对比度的值。这些值，首先在假定区域B(准开口部)的暗亮度与区域C(完全开口部)的暗亮度相同的基础上，从图16表中的实测值推定为3.5cd/m²。其次，以此为前提，改变图17表中的区域B和区域C的白亮度值，把与16表中的实测值，例如，本实施方式的构造(构造2)的暗亮度、白亮度、对比度最近似时的值作为区域B和区域C白亮度。这样，如图17的表所示，把区域B(准开口部)的暗亮度定为3.5cd/m²，白亮度定为1200cd/m²，把区域C(完全开口部)的暗亮度定为3.5cd/m²，白亮度定为3000cd/m²，这样，如图16的表所示，计算值与实测值大体上一致。例如，把图1 7表中的区域B及区域C的暗亮度、白亮度的值用于图16表中的现有构造的话，就得到与实测值极为接近的计算值，区域B和区域C的暗亮度、白亮度的值实际也是大体上与此接近的值。

根据具体的数值，以与现有构造的液晶层显示装置进行比较的形式，把本实施方式的液晶层显示装置的改善程度表示如下。

首先，对于现有的构造，区域A(完全遮光部)、区域B(准开口部)、区域C(完全开口部)的面积比率分别为62％、16％、22％。对比度如前面的说明，由对比度＝(AX/100+BY/100+CZ/100)/(aX/100+bY/100+cZ/100)给出，因此，使用图17的表中记载的参数计算对比度的话，对比度为644。

其次，采用本实施方式、在现有构造的区域B的一半的区域配置遮光布线4的话，此前的准开口部在显示区域所占的比例就从16％减半至8％，反之，完全遮光部在显示区域所占的比例就从8％提高到70％。此时，计算对比度的话，对比度就变为721。实测值也如该计算结果，现有构造的对比度为639，而在本实施方式的构造中对比度上升至710，这表明由于设有遮光布线4而提高了对比度。

如上所述，对比度由这3个区域(A，B，C)的面积比率来决定，如本实施方式的构造，区域B的面积比率小，因而能够获得高对比度。

再有，如果区域B的面积比率变为0％，对比度就有最大上升。这相当于用Cr等的遮光膜形成本来由ITO构成的屏蔽共用电极16。于是，如图16表中的构造3的计算值所示，对比度上升至857。但是，该构造如前述的那样，工艺性课题上的难度很大，是不实际的。

还有，为使区域B的面积比率成为0％，也可以在区域B的部分全部配置遮光布线4。在这种情况下，对比度确实会上升到相同的857。然而，如果采用该构造，如计算结果所示，会降低白亮度(显示画面变暗)。该构造可以考虑用于重视对比度的单色产品。

在本发明中，如果对区域A、B、C的面积比率进行最优化，对于现有例，就能够在几乎不降低白亮度的同时使对比度上升。具体地讲，使用图17表中的各区域的暗亮度、白亮度、对比度的值，就能够算出尽量不使白亮度降低而增大对比度的最佳面积率。例如，如果是图16表中的最下段记载的构成，相对对于现有构造，白亮度的降低仅为1.5％(846cd/m²对859cd/m²)，对比度从644至732，增加了88。

再有，由于该遮光布线对从漏极布线向显示区域的电场进行屏蔽，与现有构造相比还能够减小串扰。实际上在液晶层显示装置中采用了本实施方式的构造的情况下，如图4所示，能够使漏极布线7的泄漏电场产生的纵串扰现象在全背景调谐中维持在极低的水平。这样，由于在漏极布线7的两侧设有与共用布线3连接的遮光布线4，因而能够对从漏极布线7向显示区域的电场进行屏蔽，因此，能够如图5所示的屏蔽共用电极36那样，缩短此前为屏蔽电场而确保的屏蔽共用电极的外伸长量，这样就能够扩大开口部面积(区域C)。

如果设置遮光布线4，它与漏极布线7之间的寄生电容就会增加，不过，其增加量根据计算仅为5％，对像素的写入不良不会大幅度增加。还有，实际评价对像素的写入状态的话，在面内上下(导出漏极布线7的基板上下的漏极端子的位置)的写入率的差，在现有构造中为2.0％，在图1的本实施方式的构造中为2.8％，大体上是同等水平。再稍微详细地进行说明，在使用大型画面、从画面的基板上侧的漏极端子输入信号的情况下，随着走向画面的下侧，信号波形变钝，因而，随着走向画面的下侧，施加在像素电极上的电压也变小(比本来施加的信号电压小的电压就会被写入像素电极中)。实际上，如果对画面上侧和画面下侧的像素的亮度差进行相对比较的话，现有构造有2.0％的相对差，本实施方式是2.8％的相对差，比现有构造有所增加，是实用上没有问题的微小增加。

在漏极布线7的两侧设置有与共用布线3连接的遮光布线4，因而就会认为在漏极布线7和共用布线3之间的寄生电容会增大，不过，实际上如上述的数值所示，几乎观察不到电容增加的影响。可以认为其理由与如图18的表所示的计算结果相符。在图18表中的下面是表示相对于参考构造和把遮光布线配置在漏极布线下方的构造的、包含以漏极布线为中心的两侧的像素的剖面图。

在现有构造中，漏极布线和其上层的屏蔽共用电极的电容是每1像素23.1fF。而在新的构造中，漏极布线和屏蔽共用电极之间的电容由于分割为漏极布线和配置在漏极布线两侧的遮光布线之间的、以及漏极布线和屏蔽共用电极之间的2处电容，因而漏极布线和屏蔽共用电极的电容减小为17.8fF。还有，漏极布线和配置在其两侧的遮光布线的电容是9.44fF，共计也是27.24fF，没有大幅度增加。

作为第1的实施方式的变形例，考虑如图6所示的构造。在该变形例中漏极布线是直线状，与“ㄑ”字状的第1的实施方式不同。这种使漏极布线形成为直线状的原因是，像素的大小能够增大到比较大的250～300μm左右，能够使显示区域整体中的透过区域增大，从开口率的观点来看是有余量的情况(一般而言，像素尺寸大时，布线及接触件等占的比例就小，因而开口率比较容易增大)。对于该变形例的漏极布线27，如图6所示，遮光布线24也能够做成从两侧夹着漏极布线27的构成。

如第1实施方式的液晶显示装置那样，在漏极布线做成“ㄑ”字状情况下，像素的大小做成比较小的200μm以下，而且是要求大开口率(亮度)的情况。在这种情况下，如图1所示，使像素电极形成为“ㄑ”字状，与此对应，使漏极布线也弯曲成“ㄑ”字，这样就能够增大开口率。以使其成为最短的条件来决定屏蔽共用电极的外伸，因而，如果漏极布线形成为直线状的话，就会出现不必要地被屏蔽共用电极的外伸占有的区域，开口率就会减小。

其次，图7、8表示本发明的第2实施方式的液晶层显示装置。图7是表示第2实施方式的液晶层显示装置的TFT基板一侧的1个像素的俯视图，图8是沿图7的II-II线的剖面图。

在第2实施方式的液晶层显示装置中，与在上层配置的屏蔽共用电极56的端部相比，在下层配置的遮光布线4更向外伸出。在这种情况下，由于用遮光布线4遮盖了更多的区域A的部分，因而提高了对比度。虽然遮光布线4从屏蔽共用电极56向外伸出，但由于漏极布线7两侧的遮光布线4屏蔽了从漏极布线7泄漏到显示区域的电场，因此，能够减小屏蔽共用电极56的宽度。因此，与现有的构造相比开口率变大，同时，对比度提高，串扰变小。

其次，图9、10表示本发明的第3实施方式的液晶层显示装置。图9是表示第3实施方式的液晶层显示装置的TFT基板一侧的1个像素的俯视图，图10是沿图9的II-II线的剖面图。

在本实施方式中，漏极布线7和遮光布线44之间也是通过遮光来进一步提高对比度。可是在该构造中，在漏极布线7和遮光布线44之间形成了大的负荷电容。虽然能够增大对比度，但信号钝化也变大了。因此，对于希望使大型尺寸的液晶层显示装置的布线负荷多少降低一些的产品，优选的是采用第1实施方式的构造。因此，是采用第1实施方式的构造、还是采用第3实施方式的构造，取决于其产品所追求的特性。

在第3实施方式的构造中，根据图17表中的各区域的暗亮度、白亮度、对比度的值，就能够设定在极力不降低白亮度的情况下提高对比度的最佳的面积率。例如，图16表中的最下段记载的构成，相对于现有构造，白亮度的降低仅为1.5％(846cd/m²对859cd/m²)，对比度从644至732，增加了88。

以上说明的作为本发明的特征的遮光布线，位于离液晶层比漏极布线远的位置，当然，配置得离液晶层比屏蔽共用电极远、但离液晶层比漏极布线近，也能够获得本发明的效果。

针对屏蔽共用电极下面的漏极布线而设置的遮光布线，在不减小LCD的白亮度、不降低LCD的写入质量的情况下，提高了对比度，并实质性地减小了串扰。

由于上述具体实施方式是作为例子来进行说明的，因而本发明并不限于上述具体实施方式，在不超出本发明的范围，本领域的技术人员能够由此很容易进行修正或改变。

Claims

1.一种液晶显示装置，包括第1、第2基板和夹在上述第1基板和上述第2基板之间的液晶层，在上述第1基板上设有：

互相平行延伸的多条栅极布线和多条共用布线；

覆盖上述栅极布线及上述共用布线的第1绝缘膜；

垂直于上述栅极布线及上述共用布线而延伸并构成多个像素的多条漏极布线；

覆盖上述漏极布线和上述第1绝缘膜的第2绝缘膜；

在每个上述像素中互相平行延伸、对上述液晶层施加平行于上述第1基板的电场的共用电极及像素电极，上述共用电极由透明材料构成，从垂直于上述第1基板的方向看上去，具有从上述漏极布线两侧向外伸出的外伸区域；以及

沿由2条上述共用电极构成的至少一个区域中的上述共用电极延伸的遮光膜，从垂直于上述第1基板的方向看上去，上述遮光膜具有至少与上述共用电极的上述外伸区域的一部分相重叠的重叠部分，并且电连接于上述共用电极。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中：

一对上述遮光膜夹着上述漏极布线，而且不从上述共用电极两侧伸出。

3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中：

一对上述遮光膜夹着上述漏极布线，而且从上述共用电极两侧伸出。

4.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中：

从垂直于上述第1基板的方向看上去，上述遮光膜从上述漏极布线两侧伸出，而且不从上述共用电极两侧伸出。

5.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中：

上述遮光膜设置在比上述漏极布线离上述液晶层远的位置。

6.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中：

上述共用电极与上述像素电极的相对应的部分形成在共用层上，而且上述共用层设在比上述遮光膜及上述漏极布线离上述液晶层近的位置。

7.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其中：

上述像素电极具有另外的部分，上述另外的部分与上述漏极布线形成在另外的共用层上，而且上述另外的共用层设在比上述遮光膜离上述液晶层近的位置。