CN1324703C - 静电放电保护电路的结构 - Google Patents

Abstract

本发明是关于一种静电放电保护电路的结构，其是由数个薄膜晶体管以及至少一尖端结构所构成。其中，每一薄膜晶体管分别具有一栅极以及一源极/漏极。而尖端结构是配置在部分栅极的尾端处以及边缘处至少其中之一。特别是，尖端结构是位于避开源极/漏极的栅极尾端处或是边缘处，由于尖端结构是设计在避开元件的位置，因此当静电在尖端处放电时，就不会烧毁元件而导致静电放电保护电路失效。

Description

静电放电保护电路的结构

技术领域

本发明涉及一种电学领域保护电路装置中的静电放电保护电路的结构，特别是涉及一种应用于液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)，可以使静电能在特定的位置放电，而能够避免元件被烧毁的静电放电保护电路(Electrostatic Discharge，ESD)的结构。

背景技术

静电放电为从非导电表面的静电移动的现象，其会造成集成电路中的元件与其它电路组成的损害。例如在地毯上行走的人体，在相对湿度较高的情况下就可检测出约带有几百至几千伏的静态电压，而在相对湿度较低的情况下可检测出约带有一万伏以上的静态电压。

一般在液晶显示器的制造过程中，会经过许多机台以及人员的操作，而机台与人员多少都会带有静电。因此当上述的带电体(人体、机器或仪器)接触到液晶显示面板时，将可能会向液晶显示面板放电，此静电放电的瞬间功率有可能会造成液晶显示面板内的组成元件及电路损坏或失效。

为了避免静电放电损伤液晶显示面板中的组成元件以及电路，一般都会在液晶显示面板的非显示区域中设计静电放电保护电路。而通常静电放电保护电路是在薄膜晶体管的制造过程中，一并形成在基板的边缘处(非显示区域中)。较详细的说明是，当在定义第一金属层(M1)以在基板的显示区域中形成扫瞄配线以及有源元件的栅极时，会同时在基板的非显示区域中定义出静电放电保护电路的栅极。后续，当在定义第二金属层(M2)以在基板的显示区域中形成数据配线以及有源元件的源极/漏极时，亦会同时在基板的非显示区域中定义出静电放电保护电路的源极/漏极。如此一来，当面板遭受到静电放电的冲击时，将会触发静电放电保护电路的保护机制，而将静电放电导出，避免静电放电直接导入内部的元件及电路，而造成损毁。

但是，现有传统的静电放电保护电路的设计却存在一些问题，即静电放电保路电路容易在尖角处或是电流密度较高处放电，而导致邻近的元件被损坏。这是因为现有传统的静电放电保护电路的布局会有许多弯曲的设计，而在这些弯曲处的电流密度会较高，因此静电容易集中在此处放电。此外，一般静电放电保护电路的布局在某些区域会有尖角的结构，同样的，静电也容易集中在该处放电。倘若上述静电放电的位置恰巧为元件所在之处，则大量电流集中在该处放电将可能会导致元件被烧毁，使得静电放电保护电路失效。

由此可见，上述现有的静电放电保护电路的结构仍存在有缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决静电放电保护电路的结构存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。

有鉴于上述现有的静电放电保护电路的结构存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，积极加以研究创新，以期创设一种新型的静电放电保护电路的结构，能够改进一般现有的静电放电保护电路的结构，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本发明的主要目的在于，克服现有的静电放电保护电路的结构存在的缺陷，而提供一种新型的静电放电保护电路的结构，所要解决的主要技术问题是使其可以使静电能在特定的位置放电，而能够避免元件被烧毁。

本发明的目的及解决其主要技术问题是采用以下的技术方案来实现的。依据本发明提出的一种静电放电保护电路的结构，其包括：多个薄膜晶体管，每一所述薄膜晶体管分别具有一栅极以及一源极/漏极；以及至少一尖端结构，配置在部分该些栅极的尾端处以及边缘处至少其中之一。

本发明的目的及解决其技术问题还可以采用以下的技术措施来进一步实现。

前述的静电放电保护电路的结构，其中所述的该些源极/漏极是为直线状的布局。

前述的静电放电保护电路的结构，其中所述的该些尖端结构是位于避开该些源极/漏极的该些栅极的尾端处以及边缘处至少其中之一。

前述的静电放电保护电路的结构，其中所述的该些尖端结构是为锐角结构或是栅极尾端变细的结构。

本发明的目的及解决其主要技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种静电放电保护电路的结构，适于改善当该静电放电保护电路的布局跨过一第一配线时所产生的静电放电现象，该静电放电保护电路的结构包括：多个薄膜晶体管，每一所述薄膜晶体管分别具有一栅极以及一源极/漏极；一第二配线，其是与该些薄膜晶体管的该源极/漏极电性连接，且该第二配线是跨过该第一配线；以及至少一尖端结构，配置在该第一配线以及该第二配线相交处的附近，且该尖端结构是与该第一配线连接以及该第二配线至少其中之一连接在一起。

本发明的目的及解决其技术问题还可以采用以下的技术措施来进一步实现。

前述的静电放电保护电路的结构，其更包括至少一第一尖端结构，配置在部分该些栅极的尾端处以及边缘处至少其中之一。

前述的静电放电保护电路的结构，其中所述的该些第一尖端结构是位于避开该些源极/漏极的该些栅极的尾端处以及边缘处至少其中之一。

前述的静电放电保护电路的结构，其中所述的该些源极/漏极是为直线状的布局。

本发明的目的及解决其主要技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种静电放电保护电路的结构，该静电放电保护电路是与一第一配线电性连接，该静电放电保护电路的结构包括：多个静电放电保护元件；至少一拟静电放电保护元件，该拟静电放电保护元件是排列于该些静电放电保护元件旁，且位于最外侧，该拟静电放电保护元件包括：多个拟薄膜晶体管，每一所述拟薄膜晶体管分别具有一拟栅极以及一拟源极/漏极；一拟第二配线，其是该些拟薄膜晶体管的该拟源极/漏极电性连接，且该拟第二配线仅延伸至靠近该第一配线之处；以及至少一尖端结构，其是配置在邻近该些拟第二配线尾端的该第一配线边缘处。

本发明的目的及解决其技术问题还可以采用以下的技术措施来进一步实现。

前述的静电放电保护电路的结构，其更包括至少一第一尖端结构，配置在该拟第二配线的尾端处。

前述的静电放电保护电路的结构，其更包括至少一第二尖端结构，配置在部分该些拟栅极的尾端处以及边缘处至少其中之一。

前述的静电放电保护电路的结构，其中所述的该些拟源极/漏极是为直线状的布局。

本发明的目的及解决其主要技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种静电放电保护电路的结构，该静电放电保护电路是与一第一配线电性连接，该静电放电保护电路的结构包括：多个静电放电保护元件；至少一拟静电放电保护元件，该拟静电放电保护元件是排列于该些静电放电保护元件旁，且位于最外侧，该拟静电放电保护元件包括：多个拟薄膜晶体管，每一所述拟薄膜晶体管分别具有一拟栅极以及一拟源极/漏极；一拟第二配线，其是该些拟薄膜晶体管的该拟源极/漏极电性连接，且该拟第二配线是跨过该第一配线；以及至少一尖端结构，配置在该第一配线以及该拟第二配线相交处的附近，且该尖端结构是与该第一配线以及该拟第二配线至少其中之一连接在一起。

本发明的目的及解决其技术问题还可以采用以下的技术措施来进一步实现。

前述的静电放电保护电路的结构，其中部分该些尖端结构是与该第一配线连接在一起，另一部份的该些尖端结构是与该拟第二配线连接在一起。

前述的静电放电保护电路的结构，其更包括至少一第一尖端结构，配置在部分该些栅极的尾端处以及边缘处至少其中之一。

前述的静电放电保护电路的结构，其中所述的该些第一尖端结构是位于避开该些源极/漏极的该些栅极的尾端处以及边缘处至少其中之一。

前述的静电放电保护电路的结构，其中所述的该些拟源极/漏极是为直线状的布局。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，为了达到前述发明目的，本发明的主要技术内容如下：

本发明提出一种静电放电保护电路的结构，其是由数个薄膜晶体管以及至少一尖端结构所构成，其中每一薄膜晶体管是包括一栅极以及一源极/漏极。而尖端结构是配置在部分栅极的尾端处以及边缘处至少其中之一。特别是，源极/漏极可以是直线状的布局，且尖端结构是位于避开源极/漏极的栅极尾端处以及边缘处至少其中之一，而上述尖端结构可以是锐角结构或是将栅极尾端变细的结构。

本发明又提出一种静电放电保护电路的结构，其是适于改善当静电放电保护电路的布局跨过一第一配线时所产生的静电放电现象，该静电放电保护电路的结构包括数个薄膜晶体管、一第二配线以及至少一尖端结构。其中，每一薄膜晶体管具有一栅极以及一源极/漏极。而第二配线是与薄膜晶体管的源极/漏极电性连接，且第二配线是跨过第一配线。另外，尖端结构是配置在第一配线以及第二配线相交处的附近，且尖端结构是与第一配线连接在一起，或是与第二配线连接在一起，或是一部分的尖端结构是与第一配线连接在一起，而另一部份的尖端结构是与第二配线连接在一起。

本发明又提出一种静电放电保护电路的结构，其是与一第一配线电性连接，且静电放电保护电路是由数个静电放电保护元件以及至少一拟静电放电保护元件所构成，其中，该拟静电放电保护元件是排列于静电放电保护元件旁，且位于最外侧，而本发明的拟静电放电保护元件包括数个拟薄膜晶体管、一拟第二配线及至少一尖端结构。其中，每一拟薄膜晶体管具有一拟栅极以及一拟源极/漏极。而拟第二配线是与拟薄膜晶体管的拟源极/漏极电性连接，且拟第二配线仅延伸至靠近第一配线之处。另外，尖端结构是位于邻近拟第二配线的尾端处的第一配线边缘处。本发明还可在拟第二配线的尾端处配置另一尖端结构。

本发明又提出一种静电放电保护电路的结构，其是与一第一配线电性连接，且静电放电保护电路是由数个静电放电保护元件以及至少一拟静电放电保护元件所构成，其中，该拟静电放电保护元件是排列于静电放电保护元件旁，且位于最外侧，而本发明的拟静电放电保护元件包括数个拟薄膜晶体管、一拟第二配线及至少一尖端结构。其中每一拟薄膜晶体管具有一拟栅极以及一拟源极/漏极。而拟第二配线是与拟薄膜晶体管的拟源极/漏极电性连接，且拟第二配线是跨过第一配线。另外，尖端结构是配置在第一配线以及拟第二配线相交处的附近，且尖端结构是与第一配线以及拟第二配线至少其中之一连接在一起。

本发明由于在静电放电保护电路特定的区域处设计有尖端结构，以迫使静电在所设计的尖端结构处放电，因此可以有效的防止静电在元件所在之处放电而烧毁元件。

本发明由于利用拟静电放电保护元件的设计，并且在特定的位置设计尖端结构，以使静电在特定的位置放电，因此本发明可以有效的避免静电在元件所在之处放电而烧毁元件。

综上所述，本发明特殊结构的静电放电保护电路的结构，是由数个薄膜晶体管以及至少一尖端结构所构成；其中，每一薄膜晶体管分别具有一栅极以及一源极/漏极；而尖端结构是配置在部分栅极的尾端处以及边缘处至少其中之一；特别是尖端结构是位于避开源极/漏极的栅极尾端处或是边缘处；由于尖端结构是设计在避开元件的位置，因此当静电在尖端处放电时就不会烧毁元件而导致静电放电保护电路失效，而可使静电能在特定的位置放电，进而能够避免元件被烧毁。其具有上述诸多的优点及实用价值，且在同类产品中均未见有类似的结构设计公开发表或使用，不论在结构上或功能上皆有较大改进，在技术上有较大进步，并产生了好用及实用的效果，而确实具有增进的功效，从而更加适于实用，诚为一新颖、进步、实用的新设计。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。

附图说明

图1是依照本发明第一实施例的静电放电保护电路的上视示意图。

图2是图1中由I-I’剖面的剖面示意图。

图3是各种尖端结构的图案形状示意图。

图4是依照本发明第二实施例的静电放电保护电路的上视示意图。

图5是依照本发明第三实施例的静电放电保护电路的上视示意图。

图6是图5的拟静电放电保护元件的上视示意图。

图7是图6中由III-III’剖面的剖面示意图。

图8是依照本发明第四实施例的拟静电放电保护元件的上视示意图。

101：薄膜晶体管                 102：栅极

108：源极/漏极                  110、404a、404b：尖端结构

610、604a、604b：尖端结构       804a、804b：尖端结构

104：介电层                     106：半导体层

300a、300b：尖端结构的图案      302a、302b：尖端结构的图案

304a、304b：尖端结构的图案      306a、306b：尖端结构的图案

308a、308b：尖端结构的图案      402：共享线(共用线)

406：数据配线                   500：静电放电保护元件

502：拟静电放电保护元件         504：元件结构

506：拟元件结构                 508、510：导线

601：拟薄膜晶体管               602：拟栅极

608：拟源极/漏极                606、806：拟数据配线

具体实施方式

以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的静电放电保护电路的结构其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。

本发明所提供的静电放电保护电路的结构，是在特定的位置处设计有尖端结构，以将静电引导至特定的位置，而这些特定的位置是为避开元件或线路所在之处，因此本发明可以使元件或是线路不会遭到静电放电的损害。以下举出数个较佳实施例并配合所附图示来说明本发明的静电放电保护电路的结构，但是并非限定本发明的静电放电保护电路的布局必须是图中所绘示的图案，只要是在静电放电保护电路中设计有尖端结构，以引导静电至特定位置的其它布局，也都包括在本发明的范围内。

第一实施例

请同时参阅图1及图2所示，图1是依照本发明第一实施例的静电放电保护电路的上视示意图，图2是图1中由I-I’剖面的剖面示意图。本实施例的静电放电保护电路，是由数个薄膜晶体管101以及至少一尖端结构110所构成，其中：

上述的每一薄膜晶体管101，具有一栅极102以及一源极/漏极108，且在栅极102与源极/漏极108之间还包括形成设有一介电层104以及一半导体层106，其中，该栅极102，是配置在一基板100上，且属于第一金属层(M1)的一部份。而介电层104是覆盖在栅极102上。该半导体层106，是覆盖在介电层104上，其中半导体层106例如是包括一未经掺杂非晶硅层(通道层)以及一经掺杂的非晶硅层(欧姆接触层)。

另外，该源极/漏极108，是属于第二金属层(M2)，其是形成在半导体层106上，并对应栅极102配置。在一较佳实施例中，源极/漏极108可以是对称且直线状的布局。由于源极/漏极108是为直线状的布局，而对应源极/漏极108的栅极102亦设计成直线状，因此各组成元件都呈现对称且直线的布局结构。这样的对称且直线的布局结构方式，可以有效的解决现有传统的静电放电保护电路的弯曲状的布局方式，会产生有因弯曲处的电流密度较高而使该处容易产生放电的情形。

此外，上述的尖端结构110是配置在部分栅极102的尾端处或是边缘处或是尾端处或边缘处两处。且尖端结构110所在之处是为了避开元件或线路所在之处，例如是避开源极/漏极108之处。而尖端结构110可以是锐角结构，或是将栅极尾端变细的结构(如图3所示)。在图3中，该尖端结构110可以是栅极尾端变细的结构300a或是锐角结构302a、304a、306a，甚至可以维持原栅极尾端的结构308a，而在对应的另一栅极处才设计有尖端结构。而配置在另一栅极边缘处的尖端结构，可以是凸出结构300b、308b或是锐角结构302b、304b、306b。上述的各种结构形式的尖端结构还可以作任意的排列组合。

由于本实施例在部分栅极102的尾端处或边缘处设计尖端结构，以引导静电至其它不重要的位置(即避开元件所在之处)，因此本发明可以避免元件遭到静电放电的损害。

第二实施例

请参阅图4所示，是依照本发明第二实施例的静电放电保护电路的上视示意图，且图4中由II-II’的剖面图亦如同图2所示。本实施例的静电放电保护电路，是适于改善当静电放电保护电路的布局跨过一配线时所产生的静电放电现象。在图4中，与图1相同的元件是以相同的标号标示。

请同时参阅图4、图2所示，本实施例的静电放电保护电路，是与一第一配线402(例如是共享线)电性连接，且该静电放电保护电路是由数个薄膜晶体管101、一第二配线406(例如是数据配线)以及至少一尖端结构404a或404b所构成。

其中，栅极102以及共享线402，都是属于第一金属层(M1)，且共享线402会与薄膜晶体管101的栅极102电性连接。而介电层104是覆盖在栅极102以及共享线402上，半导体层106则是覆盖在介电层104上。另外，源极/漏极108是形成在半导体层106上，并且对应栅极102配置，且在一较佳实施例中，该源极/漏极108可以是直线状的布局。

此外，数据配线406与源极/漏极108同样是属于第二金属层，且其是与薄膜晶体管101的源极/漏极108电性连接，且数据配线406是跨过共享线402。以往静电经常会在数据配线406以及共享线402的相交处放电，而造成数据配线406以及共享线402短路，因此本实施例特别在数据配线406以及共享线402相交处的附近设计尖端结构404a、404b，以将静电引导至尖端结构404a、404a处，避免静电放电造成数据配线406与共享线402之间短路。

而尖端结构404a、404b，是配置在共享线402以及数据配线406的相交处的附近，其中尖端结构404a是与数据配线406连接在一起，其是利用将数据配线406变细而形成的尖端结构。另外，尖端结构404b是配置在共享线402的边缘处，且尽可能的避开数据配线406。在本实施例中，亦可以仅在共享线402的边缘处配置尖端结构404b，或是仅在数据配线406处设计尖端结构404a。同样的，尖端结构404a、404b的形状并不限定在图中所绘示的形状，类似图3所绘示的尖端结构的图案形状都可以用在此处。

本发明第二实施例除了在数据配线406以及共享线402相交处的附近设计尖端结构404a、404b，以避免静电导致数据配线406以及共享线402短路之外，本实施例亦可以结合第一实施例的技术，即亦在部分栅极102结构的尾端或是边缘处设计尖端结构110，以引导静电至避开元件或线路所在之处。

第三实施例

请参阅图5所示，是依照本发明第三实施例的静电放电保护电路的上视示意图。本实施例的静电放电保护电路的结构，是包括数个静电放电保护元件500以及至少一拟静电放电保护元件502；其中，该拟静电放电保护元件502是排列于静电放电保护元件500旁，且位于最外侧，换言之，拟静电放电保护元件502可以排列于静电放电保护元件500所在区域的其中一侧或是两侧。而这些静电放电保护元件500是藉由导线508而与其它元件结构504(例如是驱动元件)电性连接，同样的，拟静电放电保护元件502亦可以透过导线508而与拟元件结构506(例如是拟驱动元件)电性连接。

上述的静电放电保护元件500，可以是传统的静电放电保护电路的设计，或是如同第一实施例所述的静电放电保护电路的设计，或者是如同第二实施例所述的静电放电保护电路的设计，或者是其组合。而拟静电放电保护元件502的结构将在以下详细说明。

请参阅图6以及图7所示，图6是图5的拟静电放电保护元件502的上视示意图，图7是图6中由III-III’剖面的剖面示意图。上述的拟静电放电保护元件502，其包括数个拟薄膜晶体管601、拟数据配线606以及至少一尖端结构604a或604b。其中，该每一拟薄膜晶体管601，具有一拟栅极602以及一拟源极/漏极608，且在拟栅极602以及拟源极/漏极608之间更包括形成有介电层104以及半导体层106。特别是，本实施例的静电放电保护电路会与共享线402电性连接，因此该共享线402会与拟薄膜晶体管601的拟栅极602电性连接，也会与先前所述的静电放电保护电路500的栅极电性连接(图中未示)。而在一较佳实施例中，源极/漏极608可以是直线状的布局。

此外，拟数据配线606是与部分源极/漏极608电性连接，而且拟数据配线606仅延伸至靠近共享线402之处。换言之，拟数据配线606在靠近共享线402之处即中断而不再继续延伸。由于以往静电经常会在两导线之相交处(例如是数据配线以及共享线的相交处)放电，因此本实施例特别设计拟静电放电保护元件的拟数据配线606在靠近共享线402之处即中断，而且在邻近拟数据配线606的共享线402边缘处设计尖端结构604b，以使静电被引导至该处进行放电。当然，在拟数据配线606的尾端处亦可以选择性的设计另一尖端结构604a，以使静电在两尖端结构604a、604b所在之处产生放电。同样的，尖端结构604a、604b的形状并不限定在图中所绘示的形状，类似图3所绘示的尖端结构的图案形状都可以用在此处。特别值得一提的是，由于拟静电放电保护元件并非真实用于静电放电保护的元件，因此将拟数据配线设计成断线，并不会影响静电放电保护元件对于元件的静电保护作用。

本发明第三实施例除了将拟静电放电保护元件的拟数据配线606设计成断线型态，以使静电能在该处进行放电之外，本实施例亦可以结合第一实施例的技术，而在部分拟栅极602结构的尾端或是边缘处设计尖端结构610，以引导静电能在尖端结构610所在之处进行放电。

第四实施例

本发明第四实施例的静电放电保护电路的结构是与先前所述的第三实施例相似。两实施例都是在静电放电保护元件所在区域的一侧或是两侧设计有拟静电放电保护元件。第四实施例与第三实施例不同之处是在拟静电放电保护元件的布局上略有差异，而静电放电保护元件的部分则与第三实施例相同，因此在此不再赘述。

请参阅图8与图7所示，图8是依照本发明第四实施例的拟静电放电保护元件的上视示意图，图7是图8中由III-III’剖面的剖面图。本实施例的拟静电放电保护元件，是由数个拟薄膜晶体管601、拟数据配线806以及至少一尖端结构804a或804b所构成；其中：

上述的每一拟薄膜晶体管601，具有一拟栅极602以及一拟源极/漏极608，且拟栅极602以及拟源极/漏极608之间还形成有介电层104、半导体层106。同样的，共享线402会与拟薄膜晶体管601的拟栅极电性连接。而且在一较佳实施例中，源极/漏极608可以是直线状的布局。

此外，上述的拟数据配线806，是与拟源极/漏极608电性连接，且拟数据配线806是跨过共享线402。另外，本实施例特别在拟数据配线806以及共享线402相交处的附近设计尖端结构804a、804b，以将静电引导至尖端结构804a、804b进行放电。

其中，上述的尖端结构804a，是与拟数据配线806连接在一起，而尖端结构804b是与共享线402连接在一起，且尽可能的避开共享线402。同样的，本实施例亦可以仅在共享线402边缘处配置尖端结构804b，或是仅在拟数据配线806的边缘设计尖端结构804a。而尖端结构804a、804b的形状并不限定在图中所绘示的形状，类似图3所绘示的尖端结构的图案形状都可以用在此处。

同样的，本实施例亦可以结合第一实施例的技术，即亦在部分拟栅极602结构的尾端或是边缘处设计尖端结构610，以引导静电至尖端结构610所在之处进行放电。

特别值得一提的是，本实施例所设计拟静电放电保护元件几乎与静电放电保护元件一样，因此，当静电放电保护元件有损坏或无法正常运作时，将可以利用拟电放电保护元件来取代，而可提高产品的生产率。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但是凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (17)

1、一种静电放电保护电路的结构，其特征在于其包括：

多个薄膜晶体管，每一所述薄膜晶体管分别具有一栅极以及一源极/漏极；以及

至少一尖端结构，配置在部分该些栅极的尾端处以及边缘处至少其中之一，且避开该些源极/漏极。

2、根据权利要求1所述的静电放电保护电路的结构，其特征在于其中所述的该些源极/漏极是为直线状的布局。

3、根据权利要求1所述的静电放电保护电路的结构，其特征在于其中所述的该些尖端结构是位于避开该些源极/漏极的该些栅极的尾端处以及边缘处至少其中之一。

4、根据权利要求1所述的静电放电保护电路的结构，其特征在于其中所述的该些尖端结构是为锐角结构或是栅极尾端变细的结构。

5、一种静电放电保护电路的结构，适于改善当该静电放电保护电路的布局跨过一第一配线时所产生的静电放电现象，其特征在于该静电放电保护电路的结构包括：

多个薄膜晶体管，每一所述薄膜晶体管分别具有一栅极以及一源极/漏极；

一第二配线，其是与该些薄膜晶体管的该源极/漏极电性连接，且该第二配线是跨过该第一配线；以及

至少一尖端结构，配置在该第一配线以及第二配线相交处的附近，且该尖端结构是与该第一配线连接以及该第二配线至少其中之一连接在一起。

6、根据权利要求5所述的静电放电保护电路的结构，其特征在于其更包括至少一第一尖端结构，配置在部分该些栅极的尾端处以及边缘处至少其中之一。

7、根据权利要求6所述的静电放电保护电路的结构，其特征在于其中所述的该些第一尖端结构是位于避开该些源极/漏极的该些栅极的尾端处以及边缘处至少其中之一。

8、根据权利要求5所述的静电放电保护电路的结构，其特征在于其中所述的该些源极/漏极是为直线状的布局。

9、一种静电放电保护电路的结构，该静电放电保护电路是与一第一配线电性连接，其特征在于该静电放电保护电路的结构包括：

多个静电放电保护元件；

至少一拟静电放电保护元件，该拟静电放电保护元件是排列于该些静电放电保护元件旁，且位于最外侧，该拟静电放电保护元件包括：

多个拟薄膜晶体管，每一所述拟薄膜晶体管分别具有一拟栅极以及一拟源极/漏极；

一拟第二配线，其是该些拟薄膜晶体管的该拟源极/漏极电性连接，且该拟第二配线仅延伸至靠近该第一配线之处；以及

至少一尖端结构，其是配置在邻近该些拟第二配线尾端的该第一配线边缘处。

10、根据权利要求9所述的静电放电保护电路的结构，其特征在于其更包括至少一第一尖端结构，配置在该拟第二配线的尾端处。

11、根据权利要求9所述的静电放电保护电路的结构，其特征在于其更包括至少一第二尖端结构，配置在部分该些拟栅极的尾端处以及边缘处至少其中之一。

12、根据权利要求9所述的静电放电保护电路的结构，其特征在于其中所述的该些拟源极/漏极是为直线状的布局。

13、一种静电放电保护电路的结构，该静电放电保护电路是与一第一配线电性连接，其特征在于该静电放电保护电路的结构包括：

多个静电放电保护元件；

至少一拟静电放电保护元件，该拟静电放电保护元件是排列于该些静电放电保护元件旁，且位于最外侧，该拟静电放电保护元件包括：

多个拟薄膜晶体管，每一所述拟薄膜晶体管分别具有一拟栅极以及一拟源极/漏极；

一拟第二配线，其是该些拟薄膜晶体管的该拟源极/漏极电性连接，且该拟第二配线是跨过该第一配线；以及

至少一尖端结构，配置在该第一配线以及该拟第二配线相交处的附近，且该尖端结构是与该第一配线以及该拟第二配线至少其中之一连接在一起。

14、根据权利要求13所述的静电放电保护电路的结构，其特征在于其中部分该些尖端结构是与该第一配线连接在一起，另一部份的该些尖端结构是与该拟第二配线连接在一起。

15、根据权利要求13所述的静电放电保护电路的结构，其特征在于其更包括至少一第一尖端结构，配置在部分该些栅极的尾端处以及边缘处至少其中之一。

16、根据权利要求15所述的静电放电保护电路的结构，其特征在于其中所述的该些第一尖端结构是位于避开该些源极/漏极的该些栅极的尾端处以及边缘处至少其中之一。

17、根据权利要求13所述的静电放电保护电路的结构，其特征在于其中所述的该些拟源极/漏极是为直线状的布局。

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