CN1317770C - 器件的制造方法及器件制造装置、器件以及电子机器 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 96
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 227
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims abstract description 130
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 118
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 58
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 31
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 17
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 13
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 117
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 95
- 239000010408 film Substances 0.000 description 78
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 39
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 33
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 31
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 22
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 18
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 16
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 230000009471 action Effects 0.000 description 11
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 9
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- -1 Merlon Polymers 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 8
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 6
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GLZPCOQZEFWAFX-UHFFFAOYSA-N Geraniol Chemical compound CC(C)=CCCC(C)=CCO GLZPCOQZEFWAFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- WRMNZCZEMHIOCP-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethanol Chemical compound OCCC1=CC=CC=C1 WRMNZCZEMHIOCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N Allylamine Chemical compound NCC=C VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical group C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004054 benzoquinones Chemical class 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- QMVPMAAFGQKVCJ-UHFFFAOYSA-N citronellol Chemical compound OCCC(C)CCC=C(C)C QMVPMAAFGQKVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005323 thioketone group Chemical group 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N (2,3,4-triphenylcyclopenta-1,3-dien-1-yl)benzene Chemical compound C1C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMVPMAAFGQKVCJ-SNVBAGLBSA-N (R)-(+)-citronellol Natural products OCC[C@H](C)CCC=C(C)C QMVPMAAFGQKVCJ-SNVBAGLBSA-N 0.000 description 1
- HXVNBWAKAOHACI-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethyl-3-pentanone Chemical compound CC(C)C(=O)C(C)C HXVNBWAKAOHACI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IIFFFBSAXDNJHX-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n,n-bis(2-methylpropyl)propan-1-amine Chemical compound CC(C)CN(CC(C)C)CC(C)C IIFFFBSAXDNJHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPSJGADGUYYRKE-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran-2-one Chemical compound O=C1C=CC=CO1 ZPSJGADGUYYRKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDWLUGYOLUHEMN-UHFFFAOYSA-N Dinobuton Chemical compound CCC(C)C1=CC([N+]([O-])=O)=CC([N+]([O-])=O)=C1OC(=O)OC(C)C HDWLUGYOLUHEMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical class CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical group CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GLZPCOQZEFWAFX-YFHOEESVSA-N Geraniol Natural products CC(C)=CCC\C(C)=C/CO GLZPCOQZEFWAFX-YFHOEESVSA-N 0.000 description 1
- 239000005792 Geraniol Substances 0.000 description 1
- OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N Linoleic acid Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N 0.000 description 1
- 229920005479 Lucite® Polymers 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- GLZPCOQZEFWAFX-JXMROGBWSA-N Nerol Natural products CC(C)=CCC\C(C)=C\CO GLZPCOQZEFWAFX-JXMROGBWSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001417495 Serranidae Species 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical group C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000425573 Talanes Species 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JGQFVRIQXUFPAH-UHFFFAOYSA-N beta-citronellol Natural products OCCC(C)CCCC(C)=C JGQFVRIQXUFPAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical group CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULBTUVJTXULMLP-UHFFFAOYSA-N butyl octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCCCC ULBTUVJTXULMLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 235000000484 citronellol Nutrition 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229960004643 cupric oxide Drugs 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- MHDVGSVTJDSBDK-UHFFFAOYSA-N dibenzyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1COCC1=CC=CC=C1 MHDVGSVTJDSBDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- HYPPXZBJBPSRLK-UHFFFAOYSA-N diphenoxylate Chemical compound C1CC(C(=O)OCC)(C=2C=CC=CC=2)CCN1CCC(C#N)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 HYPPXZBJBPSRLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004192 diphenoxylate Drugs 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- LVGKNOAMLMIIKO-QXMHVHEDSA-N ethyl oleate Chemical group CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OCC LVGKNOAMLMIIKO-QXMHVHEDSA-N 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000012840 feeding operation Methods 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940113087 geraniol Drugs 0.000 description 1
- 125000005456 glyceride group Chemical group 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- OYHQOLUKZRVURQ-IXWMQOLASA-N linoleic acid Natural products CCCCC\C=C/C\C=C\CCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-IXWMQOLASA-N 0.000 description 1
- 235000020778 linoleic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- VMTCKFAPVIWNOF-UHFFFAOYSA-N methane tetrahydrofluoride Chemical compound C.F.F.F.F VMTCKFAPVIWNOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002895 organic esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002898 organic sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N pyrazoline Chemical compound C1CN=NC1 DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000015096 spirit Nutrition 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- RAOIDOHSFRTOEL-UHFFFAOYSA-N tetrahydrothiophene Chemical compound C1CCSC1 RAOIDOHSFRTOEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N toluene Substances CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003325 tomography Methods 0.000 description 1
- RBNWAMSGVWEHFP-UHFFFAOYSA-N trans-p-Menthane-1,8-diol Chemical compound CC(C)(O)C1CCC(C)(O)CC1 RBNWAMSGVWEHFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
一种器件的制造方法及器件制造装置,其中,器件制造装置(S)包括能够在基板P上配置液体状材料的喷墨装置(10)、以及能够使加热到一定温度的气体与基板相接触的预干燥装置(80)。能够在对多层布线器件进行预干燥处理时,保持高的工作效率,及低成本。
Description
技术领域
本发明是涉及具有在基板上层叠的材料层的器件的制造方法及器件制造装置,以及器件及电子机器。
背景技术
历来,大多是使用光刻法作为具有半导体集成电路等微细布线图形的器件的制造方法,但使用喷墨方式的器件制造方法受到注目(例如,参照专利文献1及2)。在上述公告中所公开的技术是,通过喷头将含有图形形成用材料的液体状材料喷到图形形成面上而在基板上层叠材料层,从而形成多层布线器件的,对于少量多品种的生产非常有效。
专利文献1:特开平11-274671号公告。
专利文献2:特开2000-216330号公告。
但是,在现有技术中,为了制造多层布线的器件,是通过交替地进行将液体状材料配置在基板上的工序、和使用扁平烤盘或电炉对所述配置的液体状材料进行预干燥的工序,从而形成多层的材料层。并且,通过对形成有多层的材料层的基板进行烧结处理,从而形成多层布线器件。
但是,在现有技术的制造方法中,一直存在以下的问题。
在现有技术中,在向基板上供给液体状材料的工序中采用了喷墨装置等材料供给装置,基板是在被支承在装置的台架的状态下供给液体状材料。而在对供给到基板上的液体状材料进行干燥的工序中,采用了扁平烤盘或电炉等干燥装置,基板被从描画装置的台架暂时卸下之后,保持在干燥装置内进行干燥。而且,经干燥处理后的基板,被再次搬送并支承在描画装置的台架上,进行供给液体状材料的处理。
这样,在分别进行供给液体状材料处理与干燥处理时,基板是在受到不同的台架支承下来进行的。在这种情况下,基板必须相应处理而从台架上卸下,例如,每次装载于材料供给装置的台架时,材料供给装置就必须对基板进行定位校正。这样会使工作效率下降。
发明内容
本发明就是鉴于上述问题而提出的,其目的在于,提供一种在进行多层布线器件的干燥处理时,能够维持高的操作性,并以低的成本制造器件的器件的制造方法及器件制造装置、以及器件及电子机器。
为了解决上述问题,本发明的器件的制造方法,具有向基板上供给液体状材料从而在该基板上层叠多层的材料层的工序,其特征在于:具有将所述液体状材料配置在所述基板上的制膜工序、和通过使配置有所述液体状材料的所述基板与加热至所定温度的气体接触,从而对所述液体状材料进行预干燥的预干燥工序,所述制膜工序和所述预备干燥工序在同一台架上进行。
根据本发明,由于在对基板上配置的液体状材料进行预干燥处理时,是将配置有所述液体状材料的所述基板与加热至所定温度的气体接触,使所述膜状材料预干燥,所以在预干燥处理时,即使不将基板从为了配置液体状材料的装置的台架上卸下,也能够简单地进行预干燥处理。
另外,在本发明的器件的制造方法中,采用了在所述制膜工序与所述预干燥工序分别进行所定的次数之后,具有对所述基板进行烧结的烧结工序的构成。
这样,由经预干燥且层叠的多层材料层可以制造多层布线器件。
另外,在本发明的器件的制造方法中,采用了所述液体状材料是将器件形成用材料分散配置在所定的溶剂中的,并根据所述溶剂来设定所述所定的温度的构成。
这样,在预干燥处理中,可以以适当的温度高效率地去除液体状材料中的溶剂。
另外,在本发明的器件的制造方法中,采用了采用能够定量滴下所述液体状材料的液滴喷出装置进行所述制膜工序的构成。
这样,能够进行器件的少量多品种的生产。
另外,本发明的器件的制造方法,具有向基板上供给液体状材料从而在该基板上层叠多层的材料层的工序,其特征在于:具有将所述液体状材料配置在所述基板上的制膜工序、和通过使配置有所述液体状材料的所述基板的表面上的气体针对该基板产生相对移动,从而对所述液体状材料进行预干燥的预干燥工序,所述制膜工序和所述预备干燥工序在同一台架上进行。
根据该器件的制造方法,由于是在对配置在基板上的液体状材料进行预干燥时,使配置有所述液体状材料的所述基板的表面上的气体、相对于该基板产生相对移动而进行预干燥,所以即使不将基板从为了配置液体状材料的装置的台架上卸下,也能够简单地进行预干燥处理。也就是说,通过基板的表面上的气体相对于该基板的移动,使基板表面的气压下降,促进液体状材料的蒸发。而且,由于在预干燥时并非一定要对基板加热,所以能够减轻对基板与材料等的热负担。
另外,在本发明的器件的制造方法中,既可以通过使所述气体接触所述基板从而进行所述预干燥工序,也可以通过使所述基板移动从而进行所述预干燥工序。
在每一种情况下,都是通过基板的表面上的气体相对于该基板的移动,促进液体状材料的蒸发。
本发明中器件的制造装置,具有可向基板上供给液体状材料的制膜装置,其特征在于:具有将所述基板与加热至所定温度的气体接触的预干燥装置。
根据本发明,由于是使在制膜装置中对基板上设置的液体状材料进行预干燥的装置,具有由加热至所定温度的气体与所述基板接触的构成,所以在进行预干燥处理过程中,即使不将基板从为了配置液体状材料的装置的台架上卸下,也能够简单地进行预干燥处理。
另外,在本发明的器件的制造方法中,采用了所述预干燥装置包括支承所述基板的台架、可以向受到所述台架支承的所述基板供给所述气体的气体供给部、以及使所述台架与所述气体供给部产生相对移动的移动装置的构成。
这样,由于能够例如在对基板进行扫描的同时进行干燥处理,所以能够对基板全面均匀地进行高效率的干燥。另外,通过在接触与分离的方向上移动台架与气体供给部,能够容易地改变干燥条件。
另外,在本发明的器件的制造方法中,采用了所述制膜装置,包括能够定量滴下所述液体状材料的液滴喷出装置的构成。
这样,能够进行器件的少量多品种的生产。
另外,本发明中器件的制造装置,具有可向基板上供给液体状材料的制膜装置,其特征在于:具有使所述基板表面上的气体针对所述基板产生相对移动的预干燥装置,在工作中不将基板从用于配置液体材料的装置的台架中取出。
根据本发明中器件的制造装置,由于是使在制膜装置中对基板上设置的液体状材料进行预干燥的预干燥装置,具有由加热至所定温度的气体与所述基板产生相对移动的构成,所以即使不将基板从为了配置液体状材料的装置的台架上卸下,也能够简单地进行预干燥处理。而且,由于在预干燥时并非一定要对基板加热,所以能够减轻对基板与材料等的热负担。另外,因可以省去加热装置所以能实现低成本化。
本发明的器件的特征是由所述的器件制造装置而制造。
根据本发明,由于是由本发明的器件制造装置所制造,所以能够提供低成本且廉价的器件。
本发明的电子机器的特征是安装有所述的器件。
根据本发明,能够提供低成本且廉价的电子机器。
这里,本发明中的液滴喷出装置包括设置有喷头的喷墨装置。喷墨装置的喷头是,能够由喷墨法定量地喷出液体状材料、例如能够定量、断续地滴下1~300纳克的液体状材料(流动体)的装置。
通过采用喷墨法作为材料层的层叠方法,因而能够以廉价的设备在任意位置以任意厚度配置材料层。
此外,作为液滴喷出装置,也可以是分配器(dispenser)。
作为喷墨的方式,既可以是由压电体元件的体积变化而引起流动体(液体状材料)喷出的压电射出方式,也可以是通过施加热而急剧产生气泡从而使流动体喷出的方式。
这里,所谓流动体是指具有从喷头的喷嘴能够喷出(能滴下)的粘度的介质。与是水性还是油性没有关系。只要是满足了能够从喷嘴等喷出的粘度就已经足够,即使是混入固体的物质,只要作为全体是流动体即可。而且,流动体中所包含的材料,除了溶剂中作为微粒的被分散物之外,还可以有被加热到熔点以上而溶解的物质,还可以有溶剂以外的染料、颜料等其它所添加的功能性材料。另外,所谓布线图形(电路)是指构成电路元件间的电连接关系的电路,它具有特定的电特征及一定的电特性等。另外,基板除了是指平面基板之外,也可以是曲面状的基板。并且,图形形成面的硬度并不一定是硬的,除了玻璃、塑料、金属等之外,还可以是具有可挠性的薄膜、纸、橡胶等的表面。
附图说明
图1是表示本发明中器件制造装置的一实施例的概略立体图。
图2是喷头的分解立体图。
图3是喷头主要部分的立体图的局部剖面图。
图4是表示本发明中器件制造方法的一实施例的流程图。
图5是用于说明本发明中器件制造方法的模式图。
图6是表示有源矩阵型有机EL显示装置的电路图。
图7是表示图6的显示装置中像素部的平面结构的放大图。
图8是表示由本发明的电光学装置的制造方法而制造的有机EL显示装置的层状结构一例的图。
图9是表示本发明的电光学装置的制造方法的一例的说明图。
图10是表示本发明的电光学装置的制造方法的一例的说明图。
图11是表示设置有本发明器件的电子机器的一例的说明图。
图12是表示设置有本发明器件的电子机器的一例的说明图。
图13是表示设置有本发明器件的电子机器的一例的说明图。
图中:10-喷墨装置(液滴喷出装置、制膜装置);14-第一移动装置(移动装置);80-预干燥装置;81-气体供给部;83-第三移动装置(移动装置);DS-器件(有机ELE装置);P-基板;S-器件制造装置;ST-台架。
具体实施方式
下面参照图1~图3对本发明的器件制造装置加以说明。图1是表示本发明中器件制造装置的一实施例的概略立体图。图2及图3是表示喷头的图。
在图1中,器件制造装置S设置有能够在基板P上配置液体状材料的制膜装置10、以及对基板上配置的液体状材料进行预干燥的预干燥装置80。制膜装置10是能够以所定的图形供给液体状材料的液滴喷出装置(喷墨装置)。
还有,在以下的说明中是以喷墨装置为例说明制膜装置10,但并不特别限于喷墨装置,只要是能够在基板上配置液体状材料即可。例如,也可以采用筛网印刷法在基板上配置液体状材料。
在图1中,制膜装置10包括:基底12、设在基底12上且支承基板P的台架ST、介于基底12与台架ST之间且将台架ST支承为可移动状态的第一移动装置(移动装置)14、可定量地向受到台架ST支承的基板喷出(滴下)包含所定材料的液体状材料(流动体)的喷头(液滴喷出装置)20、以及支承喷头并使其能够移动的第二移动装置16。在基底12上,设置有作为重量测量装置的电子天平(未图示)、封盖(capping)单元22、以及清洗单元24。
另外,器件制造装置S,还具有向受到台架ST支承的基板P吹出被加热至所定温度的气体的预干燥装置80。在预干燥装置80中设有用于向基板P供给被加热的气体的气体供给部81,该气体供给部81设置在受到台架ST支承的基板P的对向的位置。
并且,包括喷头20的喷出液体状材料的动作、加热气体供给部81的气体供给动作、第一移动装置14及第二移动装置16的移动动作在内的器件制造装置S的动作,均受到控制装置CONT的控制。
这里,图1中所示的是仅有一个喷头20的情况,但实际上在喷墨装置中设置多个喷头20,由这些多个喷头20分别喷出不同或相同种类的液体状材料。
第一移动装置14设置在基底12上,沿Y轴方向决定其位置。第二移动装置16,使用支柱16A、16A,相对于基底12直立安装,安装在基底12的后部12A上。第二移动装置16的X轴方向(第二方向),是与第一移动装置的Y方向(第一方向)相垂直的方向。这里,Y轴方向是沿着基底12的前部12B与后部12A的方向。而X轴方向是沿着基底12的左右方向,各自为水平。另外,Z轴方向是与X轴及Y轴都垂直的方向。
第一移动装置14,例如可以由线性马达构成,设置有导轨40,40、以及设置在该导轨40上,且可以沿其移动的滑块42。该线性马达形式的第一移动装置14的滑块42,能够沿着导轨40在Y轴方向上移动并可定位。
另外,滑块42具有用于绕Z轴旋转(θz)的马达44。该马达44,是例如直接驱动马达,马达44的转子固定在台架ST上。由此,通过对马达44的通电,能够使转子与台架ST沿θz方向旋转对台架ST进行检索(旋转检索)。也就是说,第一移动装置14,可以使台架ST沿Y轴方向及θz方向移动。
台架ST是用于保持基板P并将它定位在所定的位置的。另外,台架ST具有吸附保持装置50,并通过吸附保持装置50的动作,通过台架ST的孔穴46A,将基板P吸附保持在台架ST上。
第二移动装置16通过线性马达所构成,它包括:固定在支柱16A、16A上的横梁16B、支承在该横梁16B上的导轨62A、以及设置在该导轨62A上且可以沿X轴方向移动的滑块60。滑块60能够决定沿着导轨62A,在Y轴方向上移动的位置。喷头20安装在滑块60上。
喷头20具有作为摇动定位装置的马达62、64、66、68。通过马达62的动作,喷头20可以沿Z轴上下移动并定位。Z轴方向是与X轴及Y轴都垂直的方向(上下方向)。通过马达64的动作,能够使喷头20沿绕Y轴的β方向摇动并定位。通过马达66的动作,能够使喷头20沿围绕X轴的γ方向摇动并定位。通过马达68的动作,能够使喷头20沿围绕Z轴的α方向上摇动并定位。也就是说,第二移动装置16可支承喷头20并使其能够在X轴方向(第一方向)及Z轴方向移动的同时,还可以使该喷头20在θx、θy、θz方向上移动。
这样,在滑块60中,图1中的喷头20,能够在Z方向直线移动并定位,还能够沿α、β、γ方向上摇动并定位。喷头20的液体状材料喷出面20P,能够正确地控制对于台架ST一侧的基板P的位置或姿态。还有,在喷头20的液体状材料喷出面20P ,设有多个喷出液体状材料的喷嘴。
图2是表示喷头20的分解立体图。如图2所示,喷头20设置有具有喷嘴211的喷嘴板210、具有振动板230的压力室基板220、以及镶嵌支承这些喷嘴板210与振动板230的筐体250。如图3的立体图的局部剖面图所示,喷头20的主要部分的结构,是由喷嘴板210与振动板230夹持压力室基板220的结构。在喷嘴板210中,在与压力室基板220相贴合时,在与型腔(压力室)221相对应的位置上形成喷嘴211。压力室基板220中,通过对单晶硅基板等进行蚀刻,设置了多个能够起到各个压力室作用的型腔221。型腔221与型腔221之间由侧壁(隔离壁)222所分离。各型腔221经供给口224与作为共同流路的备用腔(reserve)223相连。振动板230,例如可以由热氧化膜等所构成。振动板230上设有液体状材料罐口231,构成能够从未图示的罐(流动体收容部)经管道(流路)供给任意液体状材料的结构。在振动板230上的相当于型腔221的位置,形成有压电体元件240。压电体元件240设置有由上部电极与下部电极(未图示)夹持PZT元件等压电陶瓷晶体的构造。压电体元件240能够根据来自控制装置CONT供给的喷出信号而发生体积变化。
为了使喷头20能够喷出液体状材料,首先,控制装置CONT将用于使液体状材料喷出的喷出信号供给到喷头20,液体状材料流入喷头20的型腔221中,在被供给了喷出信号的喷头20中,由于上部电极与下部电极之间施加的电压而使压电体元件240发生体积变化。该体积变化使振动板230变形,使型腔221的容积发生变化。其结果是液体状材料就从该型腔221的喷嘴孔211喷出。在喷出了液体状材料的型腔221中因喷出而减少的液体状材料又从罐得到新的补充。
另外,上述喷头是具有由于压电体体积发生的变化而使液体状材料喷的结构,但也可以是由发热体对液体状材料加热使其膨胀而使液体状材料喷的结构。
电子天平(未图示)为了测量由喷头20的喷嘴所喷出的液滴中的一滴的重量并进行管理,例如,从喷头20的喷嘴接受5000滴的液滴。电子天平通过对该5000滴的重量用数字5000去除,就可以正确地测量一滴液滴的重量。基于该液滴的测定量,能够对喷头20所喷出液滴的量进行最佳控制。
清洗单元24,可以在器件制造工序中或待机时,定期或随时地对喷头20的喷嘴进行清洗。封盖单元22,是为了不使喷头20的喷出面P干燥,在器件制造工序中或待机时,对该喷头20的喷出面P进行覆盖。
通过由第二移动装置16使喷头20在X轴方向上的移动,能够在电子天平、清洗单元24、或封盖单元22的上部,有选择地决定喷头20的位置。也就是说,即使是在器件制造操作的过程中,例如如果喷头20向电子天平一侧移动,就能够测定液滴的重量。而且,如果喷头20向清洗单元24一侧移动,就能够对喷头20进行清洗。如果喷头20向封盖单元22一侧移动,就能够对喷头20加盖,防止其干燥。
也就是说,这些电子天平、清洗单元24、以及封盖单元22,都在基底12上的后端侧,在喷头20的移动所经路径的下方,离开台架ST而配置。为了使对于台架ST的基板P的给料操作及排料操作能够在基底12的前端侧进行,这些电子天平、清洗单元24、或封盖单元22,都不对操作带来障碍。
在基板P的上面具有形成布线图形(电路)的图形形成区域。而且,为了形成布线图形,对基板P上形成了图形的区域由喷头20喷出液体状的材料。为了形成布线图形,将金属材料等器件形成用材料分散于所定的溶剂构成液体状的材料。
再回到图1,预干燥装置80具有支柱82A,82A、与固定在支柱82A上的横梁82B。气体供给部81是通过横梁82B下的第三移动装置(移动装置)83所支承。第三移动装置,例如可以由气动汽缸所构成,支承气体供给部81并可使其沿Z轴方向移动。气体供给部81把X轴方向作为长边方向,沿所述长边方向设有多个朝下(-Z轴方向)的气体供给喷嘴。因此,来自气体供给部81的气体被向下排出。
第一移动装置14的导轨40,延伸到预干燥装置80的气体供给部81的下方,支承基板P的台架ST,被设置成可以移动到气体供给部81的下方。因此,通过台架ST将基板P移动到气体供给部81的下方,从而可以使来自气体供给部81的气体能够从基板P的上方(从正上方)接触到基板P。
气体供给部81的气体供给喷嘴,通过具有橡胶等的可挠性的配管(流路)与气体供给源(未图示)相接续。气体供给源中设置有加热装置,气体供给源将由加热装置加热到所定温度的气体供给到气体供给部81。加热装置由控制装置CONT所控制,由加热装置加热到所定温度的气体,从气体供给部81的气体供给喷嘴,吹拂到台架ST所支承的基板P上。
接着,对使用所述器件制造装置S在基板P上层叠多层材料层的顺序,参照图4的流程图加以说明。
首先,将基板P装载于台架ST。台架ST是通过吸附保持装置50而将基板P吸附与保持。控制装置CONT,对支承基板P的台架ST与喷头20进行定位校正(步骤SP1)。
也就是说,控制装置CONT,在利用第一移动装置14或马达44等将台架ST确定在所定的位置的同时,利用第二移动装置或马达62、64、66、68等来确定喷头20的位置。使支承基板P的台架ST,配置在喷头20的下方。
控制装置CONT,通过喷头20将第一液体状材料喷到经过定位校正处理的基板P上(步骤SP2)。
控制装置CONT,使台架ST相对于喷头20移动,并从喷头20喷出第一液体状材料,在基板P上以所定的图形配置第一液体状材料。在基板P上形成第一液体状材料的图形(制膜)。
控制装置CONT,从气体加热部81放出加热的气体。此时来自气体加热部81的气体的温度,是根据第一液体状材料的溶剂而设定(步骤SP3)。
也就是说,气体的温度,是根据将其吹拂到第一液体状材料时,能够使第一液体状材料所含的溶剂去除而预先设定的。在控制装置CONT中预先记忆有关于工艺的信息,即,关于第一液体状材料中所使用的溶剂的沸点的信息,控制装置CONT根据所记忆的信息,来设定气体的温度。
在本实施例中,从气体加热部81所供给的加热气体的温度设定约为100℃。而且,在第一液体状材料中所使用的溶剂的沸点较高的情况下,从气体加热部81所供给的加热气体的温度可以根据溶剂而设定得较高。而在第一液体状材料中所使用的溶剂的沸点较低的情况下,从气体加热部81所供给的加热气体的温度也可以根据溶剂而设定得较低。气体的温度可以根据溶剂而设置得尽可能的低,能够减轻对于基板或材料等的负担。
接着,控制装置CONT,通过第一移动装置14,将支承配置有液体状材料的基P的台架ST沿Y轴方向移动,移动到预干燥装置80的气体供给部81的下方。而且,控制装置CONT将台架ST沿Y轴方向移动的同时,由气体供给部81将加热到所定温度的气体从基板的正上方吹拂,进行对第一液体状材料的预干燥(预烧结)(步骤SP4)。
也就是说,基板P沿Y方向扫描的同时,受到被加热的气体的吹拂。这样,能够使基板P全面均匀地与加热气体接触。这里,在从第一液体状材料的制膜工序(步骤SP2)向第一液体状材料的预干燥工序(步骤SP4)移动的过程中,基板P没有被从台架ST上卸下(参照图5的模式图)。
在对第一液体状材料进行预干燥的工序中,台架ST的移动速度(即基板P的扫描速度)可以由控制装置CONT进行最佳控制。控制装置CONT可以根据材料和基板等的材质而设定最佳扫描速度,也就是设定对基板P吹拂气体的时间。而且,吹向基板的气体的风速也根据材料和基板等进行最佳设定。此时,控制装置CONT,是根据吹拂的气体不至于使基板上设置的液体状材料发生位移的程度,而进行风速与送风时间的最佳设定。
也就是说,控制装置CONT能够对与基板P接触的气体的温度、风速、时间、以及风量等参数,根据液体状材料的溶剂、材料物性、以及基板等进行控制。控制装置CONT是基于记忆的关于工艺的信息(使用溶剂的物性、材料的物性、基板的物性等)进行控制。
这里,由于气体供给部81能够由第三移动装置83而沿着Z轴方向移动,所以控制装置CONT能够根据基板P的厚度、液体状材料的溶剂、材料的物性等,利用第三移动装置83对气体供给部81与基板P之间的距离进行调节,例如达到不造成材料损害的程度,或者不至于使基板上设置的液体状材料发生位移的程度,进行预干燥。
对于第一液体状材料实行第一预干燥之后,控制装置CONT使台架ST向+Y轴方向移动,利用喷头20对基板P进行第二液体状材料的制膜工序(描画工序)(步骤SP5)。
这里,在从第一液体状材料的预干燥工序(步骤SP4)向第二液体材料的制膜工序(步骤SP5)移动的过程中,基板P没有从台架ST上卸下。
完成第二液体状材料的制膜工序后,控制装置CONT将台架ST移动到预干燥装置80中,进行边沿Y轴方向移动台架ST边对第二液体状材料的预干燥工序(步骤SP6)。
在此,在从第二液体状材料的制膜工序(步骤SP5)向第二液体状材料的预干燥工序(步骤SP6)的转换过程中,基板P没有从台架ST上卸下。
控制装置CONT能够根据第二液体状材料的溶剂、材料物性、以及基板等,对与基板P接触的气体的温度、风速、时间(台架ST的扫描速度)、以及风量等参数,进行控制。控制装置CONT是基于所述记忆的有关工艺信息而进行控制。
另外,在这种情况下,控制装置CONT也能够利用第三移动装置83,边调节气体供给部81与基板P之间的距离,边进行预干燥。
这样,多次进行将液体状材料配置到基板上的制膜工序、和通过使配置有液体状材料的基板与加热到所定温度的气体接触从而从液体状材料中去除溶剂的工序之后,对该基板实施烧结工序(步骤SP7)。
在烧结工序中,将基板P从台架ST取下,搬入扁平烤盘、电炉或红外线炉等烧结装置中。基板P是由所述烧结装置,例如在300℃以上的温度,加热30分钟以上进行烧结。另外,烧结装置将最初的温度设定为室温(25℃),将要烧结的基板P放置于室温状态的烧结装置内。而且,对基板P的升温速度,例如设置为10℃/分以下,到达300℃以上时设为固定的温度,例如加热30分钟。其后,将冷却速度例如设置为10℃/分以下,到达室温时,将基板从烧结装置搬出。
这样,在基板P上就被层叠多层的材料层,而形成了多层布线图形。
如以上的说明,由于在为了将基板上配置的液体状材料中的溶剂去除而进行预干燥处理时,是对设置有液体状材料的基板P吹拂加热到所定温度的气体而进行预干燥,所以在预干燥时,即使不将基板P从台架ST取下,也能够以简易的结构简单地进行预干燥。所以,在提高工作效率的同时,还能够实现底成本化。
而且,在所述实施例中,说明的是气体供给部81的喷嘴为固定的形式,但喷嘴的取向也可以变动,对基板P吹拂气体的角度也可以改变。而且,也可以配置多孔体来取代喷嘴(或喷嘴的前端部),通过该多孔体向基板P吹拂气体。这样做,能够使气体均匀的接触基板P。
在所述实施例中,说明的是通过台架ST使基板P移动而接触气体。当然,也可以移动预干燥装置80一侧,也可以使台架ST与预干燥装置80双双移动。进而,说明的是通过气体供给部81沿Z轴方向上的移动而调节基板P与气体供给部81之间的距离,但也可以将台架ST设置为可沿Z轴方向移动,通过台架ST沿Z轴方向上的移动而调节基板P与气体供给部81之间的距离。当然,也可以使台架ST与气体供给部81双双可沿Z轴方向上的移动。
而且,在所述实施例中,是将由加热装置加热的气体吹拂到基板上而进行的预干燥,但预干燥并非一定需要热。也就是说,在对基板上配置的液体状材料进行干燥处理时,也可以不对基板加热,而是利用在配置有液体状材料的基板上气体对于基板的相对移动而进行预干燥。
具体说来,例如可以将未加热的气体吹拂到基板上。作为供给到基板上的气体,例如,除了空气之外,还可以采用氮气等对液体状材料不具有活性的惰性气体。气体的温度。例如可以是与基板配置的环境温度大体相同。这样,基板表面上气体(空气)相对于基板移动,使基板表面的蒸汽压降低,促进液体状材料的蒸发。
或者是,也可以单是基板在装置上移动。即,通过基板的所定范围内的往复移动,使基板表面上气体(空气)相对于基板移动,使基板表面的蒸汽压降低,促进液体状材料的蒸发。当然,也可以在将未加热气体吹拂到基板的同时,使基板移动。由此促进液体状材料的蒸发。而且,还可以通过基板表面上气氛的减压而促进液体状材料的蒸发。
这样,利用在配置有液体状材料的基板上气体对于基板的相对移动,就回避了预干燥时对基板的加热。在预干燥中,是以重叠配置液体状材料为目的,可以只要是能够将上一次在基板上配置的液体状材料的溶剂进行一定程度的去除就已足够,所以,即使不使用热,也能够在短时间内进行干燥处理。
由于回避了预干燥时对基板的加热,所以能够减轻对基板或材料等的负担。例如,基板温度的上升,容易导致基板的热变形,成为图形尺寸误差的原因,有引起品质下降的可能性。所以,减轻器件处理过程中需要加热的工艺,就能够控制由于热引起的制品的品质下降。特别是在基板为大型的情况下,容易产生大的热变形(应变弯曲等),所述非加热干燥就更为有利。或者是在必须进行严格的温度控制而处理的情况下,通过所述非加热干燥,也能够减轻控制的负担。而且,由于环境温度不发生大的变化,能够减轻由于工艺上的热而引起的不良现象。
而且,由于在干燥处理时不需要加热,所以可省去加热装置,能够使装置紧凑,并能够实现低成本化。
接着,对通过使用具有所述结构的器件制造装置S,由喷头20对基板P喷出液体状材料,在基板P上叠层多层材料层,而在基板P上形成叠层布线图形的方法的一例加以说明。
在以下的说明中,作为一例,表示的是制造EL(电发光)表示器件以及驱动该器件的的TFT(薄膜晶体管)的制造顺序。
EL表示器件,具有将含有荧光性的无机及有机化合物的薄膜,夹在阴极与阳极之间的结构,在所述薄膜上注入电子及孔穴,通过再结合而生成激发子,利用该激发子的去激作用而放出的光(荧光、磷光)的发光元件。
这里,如上所述,在喷摸装置10上设置有多个喷头20各喷头分别喷出含有不同材料的液体状材料。液体状材料是将材料制成微细颗粒状,并利用溶剂及粘结剂使之成为膏状的物质,并设定有能够从喷头20喷出的粘度(例如50cps以下)。这样,在对于基板P的这些多个喷头中,从第一喷头喷出含有第一材料的液体状材料后进行预干燥(预烧结),再从第二喷头喷出含有第二材料的液体状材料后进行预干燥(预烧结),以下使用多个喷头进行同样的处理,在基板P上叠层多层的材料,形成多层布线图形。
图6、图7、图8是表示使用有机电发光元件的有源矩阵型显示装置的一例。图6是表示有机EL装置的电路图,图7是将对向电极及有机电发光装置元件去除状态下的像素部的放大俯视图。
如图6中所示的电路图,该有机EL显示装置DS,在基板上,多条扫描线131、在对于这些扫描线131的交叉方向上延长的多条信号信号线132、以及与这些信号线132相并列延长的多条共同给电线133分别布线,在每个扫描线131与信号线132的交叉点设置像素AR而构成。
对于信号线132,设置着备有移位寄存器、电平移动器、视频线路、以及模拟开关的数据驱动电路90。
而对于扫描线131,设置了具有移位寄存器以及电平移动器的扫描驱动电路100。而且,在各个像素AR的区域设置有:通过扫描线131在栅电极上供给有扫描信号的第一薄膜晶体管322、保持通过该第一薄膜晶体管322而由信号线132供给的图像信号的保持容量cap、在栅电极上供给有由保持容量cap所保持的图像信号的第二薄膜晶体管324、当通过该第二薄膜晶体管324而与共同给电线133电接续时从共同给电线133流入驱动电流的像素电极323、以及夹在该像素电极(阳极)323与对向电极(阴极)522之间的发光部(发光层)366。
在这样的结构中,驱动扫描线131,使第一薄膜晶体管322处于ON状态,此时信号线132的电位由保持容量cap所保持,根据该保持容量cap的状态,而决定第二薄膜晶体管324的导通状态。这样,通过第二薄膜晶体管324的电路从共同给电线133像素电极323流入电流,进而电流又通过发光层360而流到对向电极522,发光层360则根据所流过的电流的量而发光。
这里,如图7所示,各像素AR的平面结构配置成,平面形状为长方形的像素电极323的四边,被信号线132、共同给电线133、扫描线131、以及图中未表示的其它像素电极用扫描线所包围。
图8是沿图7中A-A箭头所示的剖面图。这里,如图8所示的有机EL显示装置,是从与配置有薄膜晶体管的基板P一侧相反的一侧将光取出的形态,即顶部发射型。
作为基板P的形成材料,可以列举出玻璃、石英、蓝宝石、聚酯、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚醚酮等合成树脂等例子。这里,在有机EL显示装置为顶部发射型的情况下,基板P也可以是不透明,在这种情况下,也可以使用氧化铝等陶瓷、在不锈钢等金属的表面实施氧化等绝缘处理的板,热固性树脂、热塑性树脂等。
而在从配置TFT的基板一侧取出光的形态,即在背发射型中,作为基板应使用透明的物质,即能够使光透过的透明或半透明的材料,例如可以举出透明玻璃、石英、蓝宝石,或聚酯、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚醚酮等透明合成树脂等例子。特别是,作为基板的形成材料,廉价的苏打玻璃最为合适。
如图8所示,顶部发射型的有机EL显示装置DS,具有基板P、由铟锡氧化物(ITO)等透明电极材料所构成的阳极(像素电极)323、能够从阳极323输送孔穴的孔穴输送层370、含有一种电发光物质即有机EL物质的发光层(有机EL层、电光学元件)360、在发光层360的上部设置的电子输送层350、在电子输送层350的上面设置的由铝(Al)、金(Au)、镁(Mg)、银(Ag)、钙(Ca)等所构成的阴极(对向电极)522、在基板P上形成,作为控制是否向像素电极323写入数据信号的通电电极的薄膜晶体管(以下称“TFT”)324。TFT324,是基于来自扫描线驱动电路100以及数据线驱动电路90的动作指令而动作,进行控制向像素电极323的通电。
TFT324,是通过以SiO2为主体的基底保护层581而设置在基板P的表面。该TFT324具有,在基底保护层581的上层形成的硅层541、在基底保护层581的上层设置的覆盖硅层541的栅绝缘层582、在栅绝缘层582的上面中与硅层541相对面的部分设置的栅电极542、在栅绝缘层582的上层设置的覆盖栅电极542的第一层间绝缘膜583、通过涉及到栅绝缘层582及第一层间绝缘膜583而开口的接触孔而与硅层541相接续的源电极543、夹持栅电极542,设置在源电极543的对面位置,通过涉及到栅绝缘层582及第一层间绝缘膜583而开口的接触孔而与硅层541相接续的漏电极(第一材料层)544、设置在第一层间绝缘膜583的上层,覆盖源电极543与漏电极544的第二层间绝缘膜(第二材料层)584。
而且,在第二层间绝缘膜584的上面配置有像素电极323,像素电极323与漏电极(第一材料层)544,通过设置在第二层间绝缘膜584上的接触孔323a而接续。而且,在第二层间绝缘膜584的表面中设置着有机EL元件之外的部分与阴极522之间,设置有由合成树脂等构成的第三层间绝缘层521(隔栅层)。
还有,硅层541内,夹持栅绝缘层582,与栅电极542相重合的区域为沟道区域。而且,在硅层541内沟道区域的源一侧设置有源区域,而在沟道区域的漏一侧设置有漏区域。其中源区域通过贯穿栅绝缘层582及第一层间绝缘膜583而开口的接触孔,与源电极543相接续。而漏区域则通过贯穿栅绝缘层582及第一层间绝缘膜583而开口的接触孔,与由同源电极543同一层形成的漏电极544相接续,像素电极323则通过漏电极544与硅层541的漏区域相接续。
下面参照图9及图10,对图8所示的有机EL显示装置的制造工艺加以说明。
最初,在基板P上形成硅层541。在形成硅层541时,首先,如图9(a)所示,在基板P的表面以TEOS(四乙氧基硅烷)或氧气等为原料,用等离子体CVD(化学气相沉积)法,形成厚度约为200~500nm的非晶硅膜,构成基底保护层581。
接着,如图9(b)所示,设定基板的温度约为350℃,在基底保护层581的表面,用等离子体CVD或ICVD法,形成由厚度约为30~70nm的非晶硅膜构成的半导体层541A。接着,对半导体层541A实行激光退火法、急速加热法、或固相生长法等晶化工序,使半导体层541A晶化,成为多晶硅层。在激光退火法中,例如使用激元激光器发出的长尺寸为400mm的线形光束,该输出强度例如设定为200mJ/cm2。关于线形光束,使线形光束进行扫描的方式为在相当于其短尺寸方向的激光强度峰值的90%的部分在每个区域重叠。
接着,如图9(c)所示,对半导体层(多晶硅层)514A进行图形化而形成岛状的硅层514之后,对于其表面,以TEOS(四乙氧基硅烷)或氧气等为原料,用等离子体CVD(化学气相沉积)法,形成厚度约为60~150nm的硅的氧化膜或氮化膜,形成栅绝缘膜582。还有,硅层541,成为如图6所示的第二薄膜晶体管324的沟道区域、及源·漏区域,但在不同的截面位置,也形成构成第一薄膜晶体管322的沟道区域、及源·漏区域的半导体膜。也就是说,两种类的晶体管322、324同时形成,但由于是由同样的顺序形成,所以在以下的说明中,关于晶体管,仅对第二薄膜晶体管324加以说明,而将第一薄膜晶体管322的说明省略。
另外,栅绝缘膜582也可以是具有多孔性的硅的氧化膜。由具有多孔性的SiO2膜所构成的栅绝缘膜582,可以使用作为反应气体的Si2H6与O3,由CVD法所形成。使用这些反应气体,气相中能够形成颗粒大的SiO2,该颗粒大的SiO2,堆积在硅层541或基底保护层581上。因此,栅绝缘膜582断层中就有很多孔隙,形成多孔体。而且,栅绝缘膜582成为多孔体使其具有底的介电率。
另外,还可以对栅绝缘膜582的表面进行H(氢)等离子体处理。由此使孔隙表面的Si-O结合中的摇摆结合置换为Si-H结合,使膜的耐吸湿性变好。而且,在经该等离子体处理的栅绝缘膜582的表面,还可以设置别的SiO2层。这样,能够形成低介电率的绝缘膜。
另外,由CVD法形成栅绝缘膜582时的反应气体,除了Si2H6+O3之外,还可以是Si2H6+O2、Si3H8+O3、Si3H8+O2等。进而,还可以使用在上述气体中加入含硼(B)的反应气体、含氟(F)的反应气体等。
进而,还可以用喷墨法形成栅绝缘膜582。作为为了形成栅绝缘膜582而从喷头20喷的液体状材料,可以是将上述SiO2等材料在适当的溶剂中分散而膏状化的物质,或者是含有绝缘性材料的溶胶等。作为含有绝缘性材料的溶胶,可以是将四乙氧基硅烷等硅烷化合物在适当的溶剂中溶解而得到的物质,或者是将含有铝的螯化盐、有机碱金属盐、或有机碱土金属盐的组成物,经烧结调剂而得到仅无机氧化物。用喷墨法形成的栅绝缘膜582,其后进行预干燥。
在用喷墨法形成的栅绝缘膜582时,在为了形成栅绝缘膜582的喷动作之前,还可以对基底保护层581或硅层541等进行能够控制液体状材料亲和性的表面处理。在这种情况下的表面处理,是UV、等离子体处理等亲液处理。这样做,使为了形成栅绝缘膜582的液体状材料能够更密切地与基底保护层581接触,并平坦化。
接着,如图9(d)所示,在栅绝缘膜582上由溅射法形成含有铝、钽、钼、钨等金属的导电膜,其后,再将其图形化,形成栅电极542。接着,在这种状态下,注入高浓度的磷离子,在硅层541上,形成对于栅电极542能够自我调整的源区域541s及漏区域541d。在这种情况下,栅电极542作为形成图形用的掩模。还有,未导入不纯物的部分成为导通区域541c。
接下来,如图9(e)所示,形成第一层间绝缘膜583。第一层间绝缘膜583与栅绝缘膜582同样,是由硅的氧化膜或氮化膜、具有多孔性的硅的氧化膜等所构成,以与形成栅绝缘膜582相同的顺序,在栅绝缘膜582的上层形成。
进而,与栅绝缘膜582的形成工序相同,第一层间绝缘膜583也可以由喷墨法来形成。作为为了形成第一层间绝缘膜583而从喷头20喷出的液体状材料,与栅绝缘膜582同样,可以是将上述SiO2等材料在适当的溶剂中分散而膏状化的物质,或者是含有绝缘性材料的溶胶等。作为含有绝缘性材料的溶胶,可以是将四乙氧基硅烷等硅烷化合物在适当的溶剂中溶解而得到的物质,或者是将含有铝的螯化盐、有机碱金属盐、或有机碱土金属盐的组成物,经烧结调剂而得到仅无机氧化物。用喷墨法形成的第一层间绝缘膜583,其后进行预干燥。
在用喷墨法形成的第一层间绝缘膜583时,在为了形成第一层间绝缘膜583的喷出动作之前,还可以对栅绝缘膜582的上面进行能够控制液体状材料亲和性的表面处理。在这种情况下的表面处理,是UV、等离子体处理等的亲液处理。这样做,是为了形成第一层间绝缘膜583的液体状材料能够更密切地与栅绝缘膜582,并平坦化。
而且,通过使用光刻法对该第一层间绝缘膜583及栅绝缘膜582进行形成图形的处理,形成与源电极及漏电极相对应的接触孔。接着,在形成由铝、铬、钽等金属所构成的覆盖第一层间绝缘膜583的导电层之后,在该导电层中,设置图形形成用掩模以覆盖应该形成源电极及漏电极的区域,同时,通过对导电层实行形成图形,形成源电极543与漏电极544。
接着,在第一层间绝缘膜583上形成信号线、共同给电线、以及扫描线(图中未表示)。此时,由于它们所包围的场所成为如后面要叙述的那样形成反光层等的像素,所以例如在背发射型的情况下,TFT324就不在所述各布线所包围区域的正下方而形成各布线。
接着,如图10(a)所示,形成第二层间绝缘膜584,覆盖第一层间绝缘膜583、各电极543、544、以及所述未图示的各布线。
第一层间绝缘膜583由喷膜法形成。器件制造装置IJ的控制装置CONT,如图10(a)所示,在漏电极(第一材料层)544的上面设定非喷区域(非滴下区域)H,在漏电极544的非喷出区域以外的部分,喷出为形成第二层间绝缘膜584的液体状材料,覆盖源电极543及第一层间绝缘膜583,形成第二层间绝缘膜584。通过这样做,形成接触孔323a。或者是,也可以用光刻法法形成接触孔323a。
这里,作为为了形成第二层间绝缘膜584而从喷头20喷的液体状材料,与第一层间绝缘膜583同样,可以是将上述SiO2等材料在适当的溶剂中分散而膏状化的物质,或者是含有绝缘性材料的溶胶等。作为含有绝缘性材料的溶胶,可以是将四乙氧基硅烷等硅烷化合物在适当的溶剂中溶解而得到的物质,或者是将含有铝的螯化盐、有机碱金属盐、或有机碱土金属盐的组成物,经烧结调剂而得到仅无机氧化物。用喷墨法形成的第二层间绝缘膜584,其后进行预干燥。
在用喷墨法形成的第二层间绝缘膜584时,在为了形成第二层间绝缘膜584的喷动作之前,还可以对漏电极544的非喷区域H进行能够控制液体状材料亲和性的表面处理。在这种情况下的表面处理,是防液处理。这样做,是为了在非喷区域H上不配置液体状材料,以稳定地形成接触孔323a。而且,在非喷区域H以外的漏电极544上面、源电极543上面、第一层间绝缘膜583上面,通过预先实施亲液处理,使为了形成第二层间绝缘膜584的液体状材料能够更密切地与第一层间绝缘膜583、源电极543、以及漏电极544的非喷区域H以外的部分更紧密地接触,并平坦化。
这样,在第二层间绝缘膜584中与漏电极544相对应的部分形成接触孔323a,同时在漏电极(第一材料层、导电材料层)544的上层形成第二绝缘层(第二材料层、绝缘性材料层)584,这样,就能够如图8(b)所示,形成像素电极(阳极)323,在接触孔323a中填充导电性材料,即通过接触孔323a而形成与漏电极544相接续的导电性材料的图形。
与有机EL元件相接续的阳极323,由搀杂ITO或氟等的SnO2,进而ZnO、聚胺等透明电极材料所构成,通过接触孔323a与TFT324的漏电极544相接续。在阳极323的形成中,在第二层间绝缘膜584上形成3所述透明电极材料所构成的喔,再通过对该膜的形成图形而形成。
阳极523形成之后,如图10(c)所示,形成有机隔栅膜521,覆盖第二层间绝缘膜584的所定位置及阳极323的一部分。第三绝缘膜521,由丙烯树脂、聚酰亚胺树脂等合成树脂所构成。具体的第三绝缘膜521的形成方法,例如,可以将由丙烯树脂、聚酰亚胺树脂等保护膜溶于溶剂中得到的溶液,用旋转喷涂等方法进行涂敷而形成绝缘层。还有,绝缘层的构成材料,只要是不溶解于后述液体状材料的溶剂,且通过侵蚀容易得到图形,什么样的物质都可以。进而,使用光刻法法对绝缘层同时侵蚀,通过形成开口部521a,形成具有开口部521a的第三绝缘膜521。
这里,在第三绝缘膜521的表面,形成显示亲液性的区域、与显示防液性的区域。在本实施例中,通过等离子体处理工序,而形成各工序。具体地讲,离子体处理工序具有与加热工序、使开口部521a的壁面及像素电极323的电极面成为亲液性的亲液化工序、使第三绝缘层521的上面成为防液性的防液化工序、以及冷却工序。
也就是说,将基材(包含第三绝缘层等的基板P)加热到所定的温度(例如70~80度左右),接着进行作为亲液化工序的,在大气气氛中以氧气作为反应气体的等离子体处理(氧气等离子体处理),接着进行作为防液化工序的,在大气气氛中以四氟化甲烷作为反应气体的等离子体处理(CF4等离子体处理),将为了进行等离子体处理而加热的基板冷却到室温,就在所定的场所给予了亲液性与防液性。还有,关于像素电极323的电极面,虽然也受到若干该CF4等离子体处理的影响,但由于像素电极323的出来缺乏对氟的亲和性,所以在亲液化处理工序中赋予的氢氧基就不能置换氟氢基,所以能够保持亲液性。
接着,如图10(d)所示,在阳极323的上面形成孔穴输送层370。这里,对孔穴输送层370的形成材料,并无特别的限制,可以使用共知的材料,例如可以由三苯胺介电体(TPD)、吡唑啉介电体、丙烯胺介电体、二苯乙烯介电体、三苯二胺介电体等所构成。具体地讲,可以给出特开昭63-70257号、同63-175860号、特开平2-135359号、同2-135361号、同2-209988号、同3-37992号、同3-152184号等专利中所记载的例子,但希望是三苯二胺介电体,其中更为希望的是4,4′-二(N(3-甲苯)-N-氨基苯)联苯。
还有,也可以形成孔穴注入层以取代孔穴输送层,进而,也可以同时形成孔穴注入层与孔穴输送层。在这种情况下,作为孔穴注入层的材料,例如可以是铜酞菁染料(CuPc)、聚四氢苯硫基亚苯,即聚亚苯亚乙烯基、1,1′-二(-N,N-二三氨基苯)环己烷、三(8-偏苯三酚亚油酸)铝等,特别希望的是铜酞菁染料CuPc)。
在形成孔穴注入/输送层370时,使用喷墨法。即,将含有所述孔穴注入/输送层材料的组成物液体状材料喷在阳极323的电极面上之后,通过实施预干燥处理,在阳极323上形成孔穴注入/输送层370。还有,在该形成孔穴注入/输送层370的工序之后,应该防止孔穴注入/输送层370以及发光层(有机EL层)的氧化,希望能够在氮气、氩气等惰性气体中进行。例如,在喷头(未图示)中填充含有所述孔穴注入/输送层材料的组成物液体状材料,将喷头的喷嘴对向阳极323的电极面,在喷头相对于基材(基板P)移动的同时,由喷头的喷嘴将控制为一滴的墨滴喷到电极面。接着,对喷出的液滴接着干燥处理,使液体状材料中所含的溶剂挥发,形成孔穴注入/输送层370。
还有,作为组成物液体状材料,例如,可以使用将聚乙烯、二氧化、四氢噻吩、介电体与聚苯乙烯、砜、酸等的混合物,溶解于异丙醇、等极性溶剂中所得到的溶液。这里,喷出的液滴,在经亲液处理的阳极323的电极面上扩展,充满开口部521a的底部近旁。另一方面,液滴并不会粘附于经防液处理的第三绝缘层521上。所以,即使是液滴从所应该喷出的位置发生了偏离,喷到了第三绝缘层521的上面也不会发生液滴对该上面的润湿,不与第三绝缘层521向粘附的液滴就会流入第三绝缘层521的开口部521a内。
接着,在孔穴注入/输送层370上形成发光层360。作为发光层360形成材料,并无特别的限制,可以是低分子的有机发光色素或该分子发光体,即可以使用由各种荧光物质或磷光物质所构成的发光物质。在构成发光物质的共扼系高分子中,特别希望有包含亚芳香基亚乙烯结构的物质。在低分子荧光中,例如可以使用萘介电体、蒽介电体、二萘嵌苯介电体、聚甲炔染料系、咕吨系、邻吡喃酮系、蓝色素系等色素类,8-氢喹啉以及该介电体的金属错体、芳香族胺、四苯基环戊二烯介电体等,或者是专利特开昭57-51781、同59-19439号公报等中所记载的公知的物质。
发光层360,是用与孔穴注入/输送层370同样的方法所形成。即喷墨法将含有发光层材料的组成物液体状材料喷在孔穴注入/输送层370上之后,通过预干燥处理,在第三绝缘层521上形成的开口部521a内部的孔穴注入/输送层370上形成发光层360。该发光层的形成工序,也在如上所述的惰性气体中进行。由于喷出的组成物液体状材料受到经防液处理区域的排斥,所以即使是从所应喷出的位置发生了偏离,被排斥的液体也会流入第三绝缘层521上形成的开口部521a内。
接着,在发光层360上形成电子输送层350。电子输送层350是与发光层360相同,使用喷墨法所形成。作为电子输送层350的形成材料,并无特别的限制,可以举出的例子有,二唑啉硫酮介电体、蒽醌地麦威及其介电体、苯醌及其介电体、萘醌及其介电体、蒽醌及其介电体、四tetra氰基蒽醌地麦威及其介电体、芴酮介电体、联苯双乙烯及其介电体、苯乙哌啶介电体、8-氢喹啉以及该介电体的金属错体等。具体地讲,与前面的孔穴输送层的形成材料同样,有在特开昭63-70257号、同63-175860号、特开平2-135359号、同2-135361号、同2-209988号、同3-37992号、同3-152184号等专利中所记载的例子,特别希望是2-(4-联苯)-5-(4-t-丁基butyl苯基phenyl)-1,3,4-二唑啉硫酮、苯醌、蒽醌、三(8-氧喹啉(8-キノリノル))铝。由喷墨法将组成物液体状材料喷出后,进行预干燥。
还有,在将所述孔穴注入/输送层370的形成材料与电子输送层350的形成材料混合入发光层360的形成材料,作为发光层材料而使用的情况下,关于孔穴注入/输送层形成材料与电子输送层形成材料的使用量,尽管根据所使用的化合物的种类而有所不同,但可以在具有充分的成膜性与不阻碍发光特性的范围内,做适当的决定。通常取发光层形成材料的1~40重量%,进而希望的是2~30重量%。
接着,如图10(e)所示,在电子输送层350及第三绝缘层521的上面形成阴极522。阴极522,是在电子输送层350及第三绝缘层521的全面上,或者是以条纹状而形成。关于阴极522,当然可以是由铝、镁、锂、钙等单体材料或镁∶银(1∶10合金)的合金材料所构成的一层材料所形成,也可以形成二层或三层的金属(合金)层。具体地讲,可以使用锂20(20nm左右)/铝或LiF(0.5nm左右)/铝,MgF2/铝的叠层结构。阴极222是由上述金属所构成的薄膜,可使光透过。
还有,在所述实施例中,各绝缘层的形成时使用的是喷墨法。但在源电极543及漏电极544、或者是阳极323及阴极522的形成时,也可以使用喷墨法。预干燥处理是在组成物液体状材料分别喷出后而进行的。
还有,作为构成导电性材料层的导电性材料(器件形成用材料),可以是所定的金属,或者是导电性聚合物。
作为金属,根据金属浆料的用途可以列举出,银、金、镍、铟、锡、铅、锌、钛、铜、铬、钽、钨、钯、铂、铁、钴、硼、硅、铝、镁、钪、铑、铱、钒、钌、锇、铌、铋、钡等中的至少一种或由这些金属构成的合金。而且,还可以列举出氧化银(AgO或Ag2O)或氧化铜等。
而且,作为将上述导电性材料成为能够从喷头喷出的浆状物的有机溶剂,只要是含有碳的数量在5以上的乙醇类(例如松油醇、香茅醇、香叶醇、橙花醇、苯乙基醇)中的一种,或者是含有有机酯(例如醋酸乙荃、油酸乙荃、醋酸丁基、甘油酯)中的一种的溶剂即可,可根据琐事使用的金属或非金属浆状物的用途而适当地选择。进而,还可以使用矿物酒精、正十三(碳)烷或者它们的混合物、碳原子数在5以上的碳氢化合物(例如松萜蒎烯等)、醇类(例如n-庚醇等)、***(例如乙荃ethy苯甲基***等)、酯(例如n-丁基硬脂酸盐等)、酮(例如二异丁基甲酮等)、有机耽化物(例如三异丁胺等)、有机硅化物(例如硅油等)、有机硫化物及其混合物。还有,在有机溶剂中还可以根据需要添加有机物。而且,可以根据这些溶剂来设定预干燥处理时气体的温度。
下面对设置有所述实施例的EL显示装置的电子机器的例子加以说明。
图11是表示手机的一例的立体图。在图11中,符号1000表示手机的本体,1001表示使用所述有机EL装置的表示部。
图12是表示手表型电子机器一例的立体图。在图12中,符号1100表示手表的本体,1101表示使用所述有机EL装置的表示部。
图13是表示文字处理器、个人电脑等携带型信息处理装置一例的立体图。在图13中,符号1200表示信息处理装置,1202表示键盘等输入部,1204表示信息处理装置本体,1206表示使用所述有机EL装置的表示部。
图11~图13所示的电子机器,由于设置有所述实施例的有机EL显示装置,所以能够实现设置有表示品质优良、具有明亮图像的有机EL显示装置部的电子机器。
在所述实施例中,本发明的器件的制造方法,是适用于有机EL显示装置器件的驱动用TFT的布线图形的形成,但并不限于有机EL显示装置,也可以适用于PDP(等离子体显示面板)器件布线图形的制造,液晶表示器件布线图形的制造。而且,在制造各种多层布线器件时,导电性材料层及绝缘性材料层中任意材料层的形成时,都能够适用喷墨法。
还有,本发明的技术范围也不限于上述实施例,在不脱离本发明宗旨的范围内,能够添加各种的变更,在实施例中所列举的具体的材料或层的结构仅仅是一例,可以进行适当的变更。
如以上的说明,在对基板上配置的液体状材料进行预干燥处理时,由于是使用加热到一定温度的气体与配置有液体状材料的基板相接触而进行的干燥,所以在预干燥处理时,即使不将基板从为配置液体状材料的装置台架上取下,也能够简单地进行预干燥。所以能够使工作效率提高,实现低成本化。
Claims (11)
1.一种器件的制造方法,具有向基板上供给液体状材料从而在该基板上层叠多层的材料层的工序,其特征在于:具有
将所述液体状材料配置在所述基板上的制膜工序、和
通过使配置有所述液体状材料的所述基板与加热至所定温度的气体接触,从而对所述液体状材料进行预干燥的预干燥工序,
所述制膜工序和所述预备干燥工序在同一台架上进行。
2.根据权利要求1所述的器件的制造方法,其特征在于:具有在分别进所定的次数的所述制膜工序与所述预干燥工序之后,对所述基板进行烧结的烧结工序。
3.根据权利要求1或2所述的器件的制造方法,其特征在于:所述液体状材料是将器件形成用材料分散配置在所定的溶剂中的,并根据所述溶剂来设定所述所定的温度。
4.根据权利要求1或2所述的器件的制造方法,其特征在于:采用能够定量滴下所述液体状材料的液滴喷出装置进行所述制膜工序。
5.根据权利要求3所述的器件的制造方法,其特征在于:采用能够定量滴下所述液体状材料的液滴喷出装置进行所述制膜工序。
6.一种器件的制造方法,具有向基板上供给液体状材料从而在该基板上层叠多层的材料层的工序,其特征在于:具有
将所述液体状材料配置在所述基板上的制膜工序、和
通过使配置有所述液体状材料的所述基板的表面上的气体针对该基板产生相对移动,从而对所述液体状材料进行预干燥的预干燥工序,
所述制膜工序和所述预备干燥工序在同一台架上进行。
7.根据权利要求5所述的器件的制造方法,其特征在于:通过使所述气体接触所述基板从而进行所述预干燥工序。
8.根据权利要求5所述的器件的制造方法,其特征在于:通过使所述基板移动从而进行所述预干燥工序。
9.一种器件的制造装置,具有可向基板上供给液体状材料的制膜装置,其特征在于:具有将所述基板与加热至所定温度的气体接触的预干燥装置,所述预干燥装置包括:
支承所述基板的台架、
可以向受到所述台架支承的所述基板供给所述气体的气体供给部、以及
使所述台架与所述气体供给部产生相对移动的移动装置。
10.根据权利要求9所述的器件的制造装置,其特征在于:所述制膜装置,包括能够定量滴下所述液体状材料的液滴喷出装置。
11.一种器件的制造装置,具有可向基板上供给液体状材料的制膜装置,其特征在于:具有使所述基板表面上的气体针对所述基板产生相对移动的预干燥装置,在工作中不将基板从用于配置液体材料的装置的台架中取出。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP200269168 | 2002-03-13 | ||
JP2002069168 | 2002-03-13 | ||
JP2002258810A JP4126996B2 (ja) | 2002-03-13 | 2002-09-04 | デバイスの製造方法及びデバイス製造装置 |
JP2002258810 | 2002-09-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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CN1444424A CN1444424A (zh) | 2003-09-24 |
CN1317770C true CN1317770C (zh) | 2007-05-23 |
Family
ID=28043705
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB031204139A Expired - Fee Related CN1317770C (zh) | 2002-03-13 | 2003-03-13 | 器件的制造方法及器件制造装置、器件以及电子机器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7364622B2 (zh) |
JP (1) | JP4126996B2 (zh) |
KR (1) | KR100524278B1 (zh) |
CN (1) | CN1317770C (zh) |
TW (1) | TWI224489B (zh) |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20070523 Termination date: 20120313 |