CN1310095C - 电子照相光电导体及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是提供一种电子照相光电导体，它表现出良好的电子照相性能，尤其是高敏感性。本发明的另一个目的是提供一种制备该电子照相光电导体的方法，它包括用涂敷液形成表现出高敏感性的光敏层的步骤。本发明的电子照相光电导体包含含有光电物质的光敏层，其主要组分是金属酞菁化合物，其次要组分是具有中心元素氢的酞菁化合物。次要组分的含量为1μmol—200mmol，以1mol主要组分为基准。本发明的制造方法采用含有光电物质的涂敷液，所述光电物质包含金属酞菁化合物主要组分和含量为1μmol—200mmol的具有中心元素氢的酞菁化合物次要组分，以1mol主要组分为基准。

Description

电子照相光电导体及其制造方法
技术领域
本发明涉及用于采用电子照相体系的打印机、复印机或传真机的电子照相光电导体(以下称为光电导体)及其制造方法。具体地说，本发明涉及一种这样的电子照相光电导体，它通过改进光敏层内的光电物质从而获得良好的敏感性，本发明还涉及这种光电导体的制造方法。
背景技术
电子照相光电导体一般需要具有在黑暗中保持表面电位、受光产生电荷并且受光后转移电荷的功能。已知的两种类型的光电导体包括所有功能集中在单一层中的所谓单层型光电导体以及由功能独立的两层制成的所谓叠层型光电导体，其叠层中一层主要用于产生电荷，另一层主要用于在黑暗中保持表面电荷并受光转移电荷。
采用这些电子照相光电导体的电子照相体系形成图像适用例如Carlson方法。此法包括光电导体在黑暗中电晕充电，在光电导体带电的表面上形成静电潜影(如原始的字符或图像的潜影)，用色料粉显影如此形成的静电图像，将显示的色料图像转移并固定在载体(如纸)上来用这种方法形成图像。色料图像转移后，光电导体除去电荷和残留的色料，通过光照放电，然后循环使用。
作为电子照相光电导体的光敏材料，使用的是分散在树脂粘合剂中的无机光电导物质，如硒、硒合金、氧化锌和硫化镉，和分散在树脂粘合剂中或者真空沉积的有机光导电物质，如聚N-乙烯基咔唑、聚乙烯基蒽、酞菁化合物或双偶氮化合物等。
在这些有机光电物质中，特别深入研究了酞菁化合物的应用。仅用一种和两种的混合物的情形已经有报道。
使用有意混合的两种或多种酞菁化合物在例如日本未审查的专利申请NoH2-170166，H2-84661和H6-145550中有描述。但是多数这些报道的混合使用的例子都涉及混合晶体，即报道形成新晶体形式。已知混合晶体的形成能够改变晶体的稳定性、敏感性和寿命，混晶形式内的酞菁的敏感性也会变化。但是，每种报道中都存在这样的问题，即当不同酞菁化合物的混合比在一个小区间内变化时，电性能并没有详细研究。
使用有意混合的两种或多种酞菁化合物的另一个例子在美国专利No5773181中有描述。该文献描述了一种方法，该方法通过控制两种或多种苯环上有氟的酞菁化合物的混合物内的晶体形式来控制敏感性。混合比被详细进行了研究。但是，该专利中的实施例仅显示了中心原子固定的研究结果，具有不同中心原子的酞菁化合物的混合物没有进行任何研究。
美国专利No5418107和5153313也揭示了晶体稳定性、敏感性和寿命能够通过混合两种或多种酞菁而改变，通过混合镓酞菁、铟酞菁或钛氧基氧代酞菁次要组分，尤其可提高无金属酞菁主要组分的敏感性。但是，在混合作为次要组分的无金属酞菁与作为主要组分的镓酞菁、铟酞菁或钛氧基氧代酞菁的情形下，没有揭示任何性能提高的例子。仅有一个通过混合次要组分与钛氧基氧代酞菁主要组分来提高性能的例子是这样的情形，次要组分钒氧基氧代酞菁的分子结构与主要组分钛氧基氧代酞菁相同。因为金属酞菁表现出比无金属酞菁高的性能，所以通过向无金属酞菁加入一种金属酞菁就会很容易提高性能。相反，包括无金属酞菁并表现出较低的性能的具有中心元素氢的酞菁，加入到表现出较高性能的金属酞菁中，预计很难提高性能，原因在于两类酞菁的性能不同。因此，在性能提高方面，仅有很少的研究。
日本未审查的专利申请№H3-35245和2001-115054揭示了可以使用两种或多种酞菁化合物，它们是合成酞菁过程中生成不同类型酞菁的副反应的产物。但是，这些文献仅涉及钛氧基氧代酞菁内氯化钛氧基氧代酞菁的副产物。关于氯化钛氧基氧代酞菁，已知存在两氯取代的化合物的副产物和一氯取代的化合物的副产物。但是，这些文献仅研究了单氯取代化合物的含量与副产物之间的关系。因为金属酞菁的合成方法仅产生痕量的具有中心元素氢的酞菁，很难用常规方法检测和定量分析。
虽然酞菁化合物用于电子照相光电导体的光敏材料是已知的，但是在使用两种或多利酞菁化合物的情形下，混合比与电性能尤其敏感性之间的关系尚未揭示。
发明的内容
鉴于上述问题，本发明的一个目的是通过阐明上述关系，来提供一种电子照相光电导体，它表现出良好的电子照相性能，尤其是敏感性。本发明的另一个目的是提供一种制造电子照相光电导体的方法，它包括这样的步骤，使用可形成具有高敏感性的光敏层的液态涂料形成光敏层。
本发明的发明人进行了深入研究解决了这个问题，发现当具有中心元素氢的酞菁化合物作为次要组分与作为产生电荷的物质存在于光电导体的光敏层内的金属酞菁化合物呈特定比例时，可以明显提高光电导体的敏感性。本发明的电子照相光电导体是基于这样的发现完成的。
本发明的电子照相光电导体包含导电基板，和含有光电物质的光敏层，所述光电物质含有金属酞菁化合物主要组分和具有中心元素氢的酞菁化合物次要组分，所述次要组分的含量为1μmol-200mmol，以1mol主要组分为基准。
本文所述的金属酞菁是在酞菁环中心含有金属元素原子的化合物，所述具有中心元素氢的酞菁化合物是在酞菁环中心含有两个氢原子的化合物。
本发明的发明人还发现，当液态涂料含有光敏物质时，用制造电子照相光电导体的方法就可以明显提高光电导体的敏感性，所述方法包括用液态涂料形成光敏层覆盖导电基板的步骤，所述光敏物质包含金属酞菁主要组分和特定比例的具有具有中心元素氢的酞菁化合物次要组分。本发明的制造电子照相光电导体的方法是基于该发现完成的。
本发明的制造电子照相光电导体的方法包括如下步骤，用液态涂料涂布导电基板，所述液态涂料含有传导光电的物质，该物质包括金属酞菁化合物主要组分和具有中心元素氢的酞菁化合物次要组分，所述次要组分的含量为1μmol-200mmol，以1mol主要组分为基准。
在本发明的制造方法中，金属酞菁指在酞菁环中心具有一个金属原子的化合物，具有中心元素氢的酞菁化合物指在酞菁环中心含有两个氢原子的化合物。
本发明电子照相光电导体的光敏层可以是单层类型或叠层类型，负电类型或正电类型，不局限于这些类型的任一种的组合。本发明制造方法中的涂布方法可以是浸涂方法、喷涂方法和任何其他可能的方法，不局限于任一种特定方法。
发明的具体实施方式
下面详细说明本发明的具体实施方式。
电子照相光电导体分为负电叠层类型光电导体、正电叠层类型光电导体和正电单层类型光电导体。本发明具体描述负电叠层类型光电导体和正电单层类型光电导体。除了本发明所涉及的酞菁化合物，制造光电导体的组合物和方法可以合适地选自已知的物质和方法。
充负电荷的叠层类型光电导体这样形成，将光敏层叠加在底涂层上或中间层上，再依次叠加到导电基板上。该光电导体是功能独立的光电导体，由电荷产生层和电荷转移层组成。充正电荷的单层类型光电导体也可这样形成，将光敏层叠加到底涂层或中间层上，而该光电导体是这样的单层类型光电导体，其中单层光敏层起产生电荷和转移电荷两种作用。这两种类型的光电导体不必带有底涂层，可以带有保护层。
导电基板用作光电导体的电极，同时用作其他层的载体。基材的形式也可以是转筒、平板或膜。基材的材料可以是金属铝、不锈钢或镍，或具有传导处理表面的玻璃或树脂。
底涂层主要含有树脂或氧化物膜例如氧化铝膜。底涂层是为了防止过量电荷从导电基板射到光敏层，覆盖基材表面的缺陷，并提高基材与光敏层之间的粘合质量而提供的。底涂层的粘合剂树脂可以选自氯乙烯、乙酸乙烯酯和其他树脂组分的共聚物、聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、聚(乙烯醇缩乙醛)树脂、聚(乙烯醇缩丁醛)树脂、聚(乙烯醇)树脂、聚(氯乙烯)树脂、聚(乙酸乙烯酯)树脂、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、丙烯酸类树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、蜜胺树脂、聚硅氧烷树脂、聚酰胺树脂、聚醇缩醛树脂、聚烯丙基化物树脂、聚砜树脂、聚甲基丙烯酸酯和这些化合物的共聚物。这些化合物可以单独使用或以合适的组合来使用。用于叠层类型光电导体的优选树脂尤其包括可溶于醇的聚酰胺、可溶于溶剂的芳族聚酰胺和热固性聚氨酯树脂。可溶于醇的聚酰胺可以优选选自以下共聚物例如尼龙6、尼龙8、尼龙12、尼龙66、尼龙610或尼龙612，或者N-烷基改性的或N-烷氧基烷基改性的尼龙。这些聚酰胺的可买到的化合物包括AMILAN CM8000(一种6/66/610/12共聚尼龙，购自Toray Industries，Inc.)、ELBAMIDE 9061(一种6/66/612共聚尼龙，购自日本杜邦有限公司)和DAIAMIDE T-170(一种主要含尼龙12的共聚尼龙，购自Daicel-Huels Co.，Ltd.)。
底涂层可以含有金属氧化物的微粒，例如氧化钛(TiO2)、氧化锡(SnO2)、氧化硅(二氧化硅)、氧化锌、氧化钙、氧化铝或氧化锆，金属的硫酸盐例如硫酸钡或硫酸钙，金属的氮化物例如氮化硅或氮化铝，无机物质的细粉例如碳酸钙，或其他提供导电性的添加剂。所述添加剂的含量可以确定为任何值，只要允许形成稳定层。
充正电荷类型的光电导体的底涂层的粘合剂树脂可以含有提供转移空穴物质，来提供空穴转移能力并减少捕获的电荷。空穴转移物质的含量有利地处于0.1-60重量％范围内，更优选5-40重量％，以底涂层的固态组分为基准。其他已知的添加剂也可以包含于底涂层内，只要它们不会损害电子照相的性能。
底涂层可以是单层或两层或多层不同层的叠层。底涂层的厚度可以是任何值，只要不会产生不好的作用例如增大重复操作中的残留电势，同时，底涂层的组分必须要考虑。
产生电荷的层通过有机光电物质的产生电荷物质的真空沉积来形成，或应用产生电荷的物质粒子分散于树脂粘合剂内的材料来形成。产生电荷的层在接收光时产生电荷。产生电荷的层需要高的电荷产生率。同时，产生的电荷射入电荷转移层的性能也很重要，适宜的是具有很小的电场依赖性和即使在低电场也有足够的射入。
在本发明中，必需的是，产生电荷的层除了含有金属酞菁主要组分，还含有特定比例的具有中心元素氢的酞菁化合物次要组分。这样的组合物可明显提高敏感性。虽然提高的机理尚不十分清楚，但是有人提出了以下理由。敏感性的提高可以通过加入次要组分来实现，所述次要组分能够改善X射线衍射分析或类似装置测不出的微晶格缺陷，而且能够改善微观区域内的叠层特性。也有人提出所述提高是次要组分化合物自身的内在功能所决定。
在本发明中，金属酞菁指在酞菁环中心含有一个金属元素原子的化合物，具有中心元素氢的酞菁化合物指在酞菁环的中心含有两个氢原子的化合物。
能够用于本发明的酞菁化合物可以用以下文献所述的方法分析，例如C.C.Lezonff等人的“酞菁”，1989，VCM出版公司，和F.H.Moser等人的“酞菁”，1983，CRC出版社。
金属酞菁主要组分优选在酞菁环中心含有金属钛元素，钛氧基酞菁尤其是有利的。有利的钛氧基酞菁包括α类型钛氧基酞菁、β类型钛氧基酞菁、Y类型钛氧基酞菁、无定形态的钛氧基酞菁和在CuKαX射线衍射谱图中Bragg角2θ＝9.6°时具有最大峰的钛氧基酞菁，如日本未审查的专利申请№H8-209023所述。另外，具有中心金属元素镓、铟、钯或氧化值为3或更高的中心金属元素的金属酞菁化合物也可以有利地使用。还可以使用其他的金属酞菁、铜酞菁例如ε-类型铜酞菁。
具有中心元素氢的酞菁化合物次要组分优选是无金属的酞菁。无金属的酞菁的例子包括X类型无金属酞菁和τ类型无金属酞菁。酞菁化合物次要组分的含量需要是1μmol-200mmol，优选1μmol-100mmol，以1mol金属酞菁化合物主要组分为基准。如果该次要组分的含量低于1μmol，那么就不能获得提高敏感性的效果，如果该含量高于200mmol，那么该效果就达饱和，而且该次要组分的存在会抑制光敏性的提高。
根据需要，在合成过程中产生的额外酞菁化合物可以通过升华脱除。作为合成的副产物而产生的具有中心元素氢的酞菁化合物也可以用于本发明中。
本发明的电荷产生层基本含有金属酞菁主要组分和具有中心元素氢的酞菁化合物次要组分。其他产生电荷的物质可以同时包含于产生电荷层内，例如颜料或染料例如偶氮、花蒽酮、二萘嵌苯、perynone、多环醌、squalirium、噻喃、喹吖酮、靛蓝、花青、azulenium化合物。偶氮颜料包括双偶氮颜料和三偶氮颜料、二萘嵌苯颜料包括N，N′-二(3，5-二甲基苯基)-3，4：9，10-二萘嵌苯二(羧基酰亚胺)。
产生电荷层的树脂粘合剂可以选自以下聚合物和共聚物：聚碳酸酯、聚酯、聚酰胺、聚氨酯、环氧、聚(乙烯醇缩丁醛)、苯氧基聚合物、聚硅氧烷、甲基丙烯酸酯、这些化合物的卤化物和氰基乙醇盐，和这些物质的合适组合。产生电荷层内产生电荷的物质的含量是10-5000重量份，优选50-1000重量份，以100重量份树脂粘合剂为基准。
产生电荷层的膜厚度由产生电荷物质的吸光率决定，通常至多为5微米，优选不超过1微米。产生电荷层主要含有产生电荷的物质，并任选含有转移电荷物质添加剂或其他材料。
转移电荷层是含有一种或合适地组合的多种的具有转移空穴性能的转移电荷物质，分散于树脂粘合剂内。转移电荷的物质包括腙化合物、苯乙烯基化合物、胺化合物和这些化合物的衍生物。转移电荷的层用作绝缘物，在黑暗中用于保持电荷，在受光后起转移从电荷产生层注入的电荷的作用。电荷转移层中使用的粘合剂树脂包括以下聚合物、混合的聚合物和共聚物：聚碳酸酯、聚酯、聚苯乙烯和甲基丙烯酸酯。粘合剂树脂与电荷转移物质的相容性以及机械、化学和电学稳定性和粘合性很重要。按100重量份树脂粘合剂计，电荷转移物质在转移电荷层内的含量为20-500重量份，优选为30-300重量份。电荷转移层的厚度优选3-50微米，更好为15-40微米以保持实际有效的表面电位。
单层类型的光敏层主要含有产生电荷物质、转移空穴物质和作为转移电荷物质的转移电子物质(具有受体性质的化合物)和粘合剂树脂。该单层类型的光敏层，如在叠层类型中一样，必需含有金属酞菁化合物主要组分作为产生电荷物质和含量为1μmol-200mmol的具有中心元素氢的酞菁次要组分，以本发明中的1mol主要组分为基准。也可以包含叠层类型中所描述的其他的产生电荷物质。单层类型光敏层内产生电荷物质的含量占光敏层的固态组分的0.1-20重量％，优选0.5-10重量％。
充负电荷叠层类型的转移空穴物质也可以用于单层类型的光敏层内，例如腙化合物、吡唑啉化合物、吡唑啉酮化合物、噁二唑化合物、噁唑化合物、芳胺化合物、联苯胺化合物、stylbene化合物、苯乙烯基化合物、聚-N-乙烯基咔唑和聚硅烷。这些转移空穴物质可以单独使用或以两种或多种物质的组合形式使用。转移空穴物质需要在受光时表现出高转移空穴的能力，也需要表现出与产生电荷物质的合适的组合能力。转移空穴物质的含量占光敏层的固态组分的5-80重量％，优选10-60重量％。
转移电子物质(具有受体性质的化合物)可以选自丁二酸酐、马来酸酐、二溴丁二酸酐、邻苯二甲酸酐、3-硝基邻苯二甲酸酐、4-硝基邻苯二甲酸酐、苯均四酸酐、苯均四酸、偏苯三酸、偏苯三酸酐、邻苯二甲酰亚胺、4-硝基邻苯二甲酰亚胺、四氰基乙烯、四氰基喹啉并二甲烷、氯醛缩三氯叔丁醇(chloranyl)、四溴代苯醌(bromanyl)、邻硝基苯甲酸、丙二腈、三硝基芴酮、三硝基噻吨酮、二硝基苯、二硝基蒽、二硝基吖啶、硝基蒽醌、二硝基蒽醌、噻喃化合物、醌化合物、苯醌(benzoquinone)化合物、二苯酚合苯醌化合物、萘醌化合物、蒽醌化合物、1，2-二苯乙烯醌化合物和偶氮醌化合物。这些转移电子物质可以单独使用或两种或多种组合使用。转移电子物质的含量占光敏层的固态组分的1-50重量％，优选5-40重量％。
单层类型光敏层的粘合剂树脂可以选自与上述产生电荷层或转移电荷层内的粘合剂树脂相同的树脂。它们的例子是以下聚合物和共聚物：聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、聚(乙烯醇缩乙醛)树脂、聚(乙烯醇缩丁醛)树脂、聚(乙烯醇)树脂、聚(氯乙烯)树脂、聚(乙酸乙烯酯)树脂、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、丙烯酸类树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、蜜胺树脂、聚硅氧烷树脂、聚酰胺树脂、聚醇缩醛树脂、聚烯丙基化物树脂、聚砜树脂、聚甲基丙烯酸酯。这些化合物可以单独使用或以合适的组合来使用。不同分子量的同样类型的树脂可以以混合物的形式使用。出售的树脂的含量为光敏层固态组分的10-90重量％，优选20-80重量％。
为了提高耐苛刻环境条件和有害光的性能，光敏层可以含有抗氧剂和抑制光降解的抑制剂。用于该目的的化合物包括酯化的化合物和色原烷醇的衍生物，例如生育酚、聚(芳基链烷)化合物、氢醌衍生物、酯化化合物和二醚化化合物、二苯甲酮衍生物、苯并***衍生物、硫醚化合物、苯二胺衍生物、膦酸酯、磷酸酯、苯酚化合物、受阻酚化合物、直链胺化合物、环胺化合物和受阻胺化合物。
为了提高形成的膜的匀涂质量，并提供润滑能力，光敏层可以含有匀涂剂例如硅油或氟油。为了降低摩擦系数和提供润滑能力，光敏层也可以含有上述金属氧化物的微粒、含氟树脂的粒子例如聚四氟乙烯树脂、或含氟的梳子类型的支化共聚物。根据需要，其他已知的添加剂也可以包含于光敏层内，只要不明显损害电子照相的性能。为了保持实际有效的表面电位，单层类型光敏层的有利的厚度是3-100微米，更优选10-50微米。
为了提高重复印刷中的耐久性，根据需要，可以提供保护层。该保护层可以含有主粘合剂树脂或例如无定形碳的无机膜。为了提高导电性、降低摩擦系数或给出润滑性，粘合剂树脂可以含有上述金属氧化物、金属硫酸盐或金属氮化物的微粒。为了赋予转移电荷能力，所述粘合剂树脂也可以含有上述转移空穴物质或转移电子物质，或为了提高形成的膜的匀涂性能或给出润滑性，含有匀涂剂硅油或含氟油。其他已知的添加剂也可以根据需要包含于保护层内，只要它们不妨害光电性能。
光电导体层可以这样施加和形成，用已知的油漆搅拌器、球磨机、超声分散仪的方法，用合适溶剂将上述构成材料溶解并分散，制成涂敷液，然后用选自浸涂、喷涂刮板涂布、辊涂、螺旋涂布和滑动跳涂的已知涂布方法施加该涂敷液，形成层，最后干燥。
制备涂敷液的溶剂可以选自多种有机溶剂。底涂层的涂敷液的有机溶剂可以选自醚溶剂例如二甲醚、二***、1，4-二噁烷、四氢呋喃、四氢吡喃、乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚，和酮溶剂例如丙酮、甲基乙基酮、环己酮、甲基异丁基酮、甲基异丙基酮。这些溶剂可以有效地单独使用或以两种或多种的混合物的形式使用，或以与其他溶剂的混合物的形式使用。
当光敏层形成于底涂层上时，用于形成叠层类型或单层类型的光敏层的涂敷液的有机溶剂优选表现出对底涂层材料具有低溶解性，并优选溶解用于光敏层的材料。有用的溶剂包括卤化烃，例如二氯甲烷、二氯乙烷、三氯乙烷、氯仿和氯苯。这些溶剂可以有效地单独使用或合适地组合使用。也可以使用与其他有机溶剂的混合物。用于形成保护层的涂敷液的有机溶剂可以选自任何不溶解保护层下面的层，而溶解保护层材料的溶剂。
本发明的制备光电导体的方法包括如下步骤：使用含有金属酞菁化合物主要组分和含量为1μmol-200mmol(以1mol主要组分为基准)的具有中心元素氢的酞菁化合物次要组分的涂敷液，在导电基板上涂敷并形成光敏层。对于该制备方法，没有提出其他特定的条件。也就是说，本发明的方法包括使用上述涂敷液，在叠层类型光电导体情形下形成产生电荷层，或在单层类型光电导体的情形下，形成单层光敏层的步骤。
实施例
下面参照实施例来说明本发明。但是，本发明的范围不局限于这些实施例。
实施例1-6和对比例1-2
实施例1
形成底涂层
混合70重量份聚酰胺树脂(AMILAN CM8000，Toray Industries Inc.生产)和930重量份甲醇，制备底涂层的涂敷液。由浸涂方法将该涂敷液施加到铝基板上，形成底涂层，干厚0.5微米。
钛氧基氧代酞菁的合成
将800g邻-酞二腈(phthalodinitrile)(Tokyo Kasei Kogyo Co.Ltd生产)和1.8L喹啉(Wako Pure Chemical Ltd生产)放入反应容器内并搅拌。将297g四氯化钛(Kishida Chemical Co.Ltd生产)在干氮气气氛下滴加入容器内并搅拌。然后，将混合物在2小时内加热至180℃，在该温度下保持并搅拌15小时。
使反应液冷却至130℃并过滤，然后用3L N-甲基-2-吡咯烷酮洗涤。在氮气气氛下，将湿饼在1.8L N-甲基-2-吡咯烷酮内于160℃加热，并搅拌1小时。将该液体冷却并过滤，然后依次用3L N-甲基-2-吡咯烷酮、2L丙酮、2L甲醇和4L温水洗涤。
将这样获得的钛氧基氧代酞菁的湿饼在含有360ml 36％盐酸和4L水的稀盐酸中于80℃加热并搅拌1小时。将该液体冷却，过滤，并用4L温水洗涤，然后干燥。用真空升华的方法将该物质纯化三次，然后干燥。将200g这样得到的干物质放入-5℃的4kg 96％硫酸中，搅拌并冷却，保持在-5℃温度或更低温度1小时。将硫酸溶液加入到35L水和5kg冰中，同时冷却并搅拌，使温度保持在10℃以内，冷却并搅拌1小时。将该液体过滤，然后用10L温水洗涤。
然后，将该物质在含有770ml 36％盐酸和10L水的稀盐酸中，于80℃加热并搅拌1小时。将该液体冷却并过滤，用10L温水洗涤，并干燥。用升华的方法将该物质纯化，得到纯钛氧基氧代酞菁。
无金属酞菁的合成
用日本未审查的专利申请№H7-207183中实施例2所述的方法合成无金属酞菁。用升华的方法将形成的物质纯化，得到纯的无金属酞菁。
形成产生电荷的层
将1μmol(＝0.51455mg)得到的无金属酞菁加入到1mol(＝576.44g)钛氧基氧代酞菁。该将混合的物料，0.5L水和1.5L邻-二氯苯放入包含6.6kg8mm直径的氧化锆球的球磨机内，研磨24小时。然后，用1.5L丙酮和1.5L甲醇萃取形成的物料，然后过滤，用1.5L水洗涤，并干燥。
将10重量份得到的含无金属酞菁的钛氧基氧代酞菁与10重量份氯乙烯树脂(MR-110，由ZEON公司生产)、686重量份二氯甲烷和294重量份1，2-二氯乙烷混合，并超声波分散，得到产生电荷层的涂敷液。用浸涂方法，将该涂敷液施加到上述底涂层上。由此就形成了干厚为0.2微米的产生电荷的层。
形成转移电荷的层
转移电荷的层的涂敷液由以下方式形成：混合100重量份4-(二苯基氨基)苯甲醛苯基(2-噻吩基甲基)腙(Fuji Electric有限公司生产)、100重量份聚碳酸酯树脂(PANLITE K-1300，Teijin Chemicals有限公司生产)、800重量份二氯甲烷、1重量份硅烷偶联剂和4重量份二(2，4-二-叔丁基苯基)苯基亚膦酸盐(Fuji Electric有限公司生产)。如上所述，由浸涂方式，将该涂敷液施加到产生电荷层上，形成干厚为20微米的转移电荷的层。这样，就制成了电子照相光电导体。
实施例2
用与实施例1相同的方式制成电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量变化成50μmol，以1mol钛氧基氧代酞菁为基准。
实施例3
用与实施例1相同的方式制成电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量变化成1mmol，以1mol钛氧基氧代酞菁为基准。
实施例4
用与实施例1相同的方式制成电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量变化成10mmol，1mol钛氧基氧代酞菁为基准。
实施例5
用与实施例1相同的方式制成电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量变化成100mmol，以1mol钛氧基氧代酞菁为基准。
实施例6
用与实施例1相同的方式制成电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量变化成200mmol，以1mol钛氧基氧代酞菁为基准。
对比例1
用与实施例1相同的方式制成电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量变化成100nmol，以1mol钛氧基氧代酞菁为基准。
对比例2
用与实施例1相同的方式制成电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量变化成300mmol，以1mol钛氧基氧代酞菁为基准。
这样得到的光电导体的电性能采用静电记录纸测试仪(EPA-8200，由Kawaguchi Electric Works有限公司生产)测试。表1示出了在衰减期-600V--300V期间的敏感性E1/2(μJ/cm2)，和在衰减期-600V--100V期间的敏感性E100(μJ/cm2)的测试结果。
               表1
  敏感性E1/2(μJ/cm2)   敏感性E100(μJ/cm2)
 实施例1   0.14   0.31
 实施例2   0.13   0.30
 实施例3   0.14   0.31
 实施例4   0.14   0.32
 实施例5   0.15   0.34
 实施例6   0.16   0.38
 对比例1   0.29   0.80
 对比例2   0.31   0.85
从表1中可以看出，每个实施例都表现出令人满意的高敏感性，而每个对比例都表现出比实施例低的敏感性。
实施例7-12和对比例3-4
实施例7
用与实施例1所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了用根据日本未审查的专利申请№H1-123868中的实施例1所述的方法合成的准无定形态钛氧基氧代酞菁代替实施例1中的钛氧基氧代酞菁。
实施例8
用与实施例7所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量改变成50μmol，以1mol准无定形态钛氧基氧代酞菁为基准。
实施例9
用与实施例7所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量改变成1mmol，以1mol准无定形态钛氧基氧代酞菁为基准。
实施例10
用与实施例7所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量改变成10mmol，以1mol准无定形态钛氧基氧代酞菁为基准。
实施例11
用与实施例7所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量改变成100mmol，以1mol准无定形态钛氧基氧代酞菁为基准。
实施例12
用与实施例7所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量改变成200mmol，以1mol准无定形态钛氧基氧代酞菁为基准。
对比例3
用与实施例7相同的方式制成电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量变化成100nmol，以1mol准无定形态钛氧基氧代酞菁为基准。
对比例4
用与实施例7相同的方式制成电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量变化成300mmol，以1mol准无定形态钛氧基氧代酞菁为基准。
这样得到的光电导体的电性能采用静电记录纸测试仪(EPA-8200，由Kawaguchi Electric Works有限公司生产)测试，如实施例1所述。表2示出了敏感性E1/2(μJ/cm2)和E100(μJ/cm2)的测试结果。
              表2
  敏感性E1/2(μJ/cm2)   敏感性E100(μJ/cm2)
  实施例7   0.18   0.58
  实施例8   0.17   0.55
  实施例9   0.17   0.56
  实施例10   0.18   0.57
  实施例11   0.19   0.59
  实施例12   0.21   0.67
  对比例3   0.39   1.11
  对比例4   0.42   1.20
从表2中可以看出，每个实施例都表现出令人满意的高敏感性，而每个对比例都表现出比实施例低的敏感性。
实施例13-18和对比例5-6
实施例13
用与实施例1所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了用普通方法合成的α类型钛氧基氧代酞菁代替实施例1中的钛氧基氧代酞菁。
实施例14
用与实施例13所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量改变成50μmol，以1molα类型钛氧基氧代酞菁为基准。
实施例15
用与实施例13所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量改变成1mmol，以1molα类型钛氧基氧代酞菁为基准。
实施例16
用与实施例13所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量改变成10mmol，以1molα类型钛氧基氧代酞菁为基准。
实施例17
用与实施例13所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量改变成100mmol，以1mol α类型钛氧基氧代酞菁为基准。
实施例18
用与实施例13所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量改变成200mmol，以1molα类型钛氧基氧代酞菁为基准。
对比例5
用与实施例13相同的方式制成电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量变化成100nmol，以1molα类型钛氧基氧代酞菁为基准。
对比例6
用与实施例13相同的方式制成电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量变化成300mmol，以1molα类型钛氧基氧代酞菁为基准。
这样得到的光电导体的电性能采用静电记录纸测试仪(EPA-8200，由Kawaguchi Electric Works有限公司生产)测试，如实施例1所述。表3示出了敏感性E1/2(μJ/cm2)和E100(μJ/cm2)的测试结果。
               表3
  敏感性E1/2(μJ/cm2)   敏感性E100(μJ/cm2)
  实施例13   0.17   0.55
  实施例14   0.16   0.53
  实施例15   0.16   0.53
  实施例16   0.17   0.55
  实施例17   0.18   0.58
  实施例18   0.22   0.67
  对比例5   0.36   1.05
  对比例6   0.38   1.13
从表3中可以看出，每个实施例都表现出令人满意的高敏感性，而每个对比例都表现出比实施例低的敏感性。
实施例19-24和对比例7-8
实施例19
形成底涂层
由浸涂方法向铝基板施加涂敷液，形成厚0.2微米的底涂层，并在100℃干燥30分钟。底涂层的涂敷液通过如下所述的搅拌和溶解来制成。
下述的“份”指“重量份”。
氯乙烯-乙酸乙烯酯-乙烯醇共聚物：50份
(SOLBINA，Nissin Chemical Industry有限公司生产)
(氯乙烯92％，乙酸乙烯酯3％，乙烯醇5％)
甲基乙基酮：950份
形成单层类型的光敏层
无金属酞菁采用日本未审查的专利申请№H7-207183中实施例2所述的方法合成。所形成的物质采用升华的方法进行纯化，得到纯无金属酞菁。将该无金属酞菁以1μmol的比例，加入到根据日本未审查的专利申请№H1-123868的实施例1所述方法合成的准无定形态钛氧基氧代酞菁，以1mol准无定形态钛氧基氧代酞菁为基准。
为了制备单层类型光敏层的涂敷液，将以下物质的混合物由油漆搅拌器分散1小时：2重量份含无金属酞菁的准无定形态钛氧基氧代酞菁、65重量份由下式HTM-1表示的转移空穴物质、28重量份由下式ETM-1表示的转移电子物质、0.1重量份硅油(KF-40，由Shin-Etsu Chemical有限公司生产)和1000重量份二氯甲烷。
向该混合物中加入105重量份具有下式BD-1重复单元的聚碳酸酯树脂：
Figure C0311040700211
将该混合物搅拌并溶解，由油漆搅拌器分散1小时，得到单层类型光敏层的涂敷液。将该涂敷液由浸涂方法施加到上述底涂层上，形成单层类型的光敏层，干厚为25微米。这样，就制成了实施例19的电子照相光电导体。
实施例20
以与实施例19相同的方式制备电子照相光电导体，除了将无金属酞菁的含量改变成50μmol，以1mol准无定形态钛氧基氧代酞菁为基准。
实施例21
以与实施例19相同的方式制备电子照相光电导体，除了将无金属酞菁的含量改变成1mmol，以1mol准无定形态钛氧基氧代酞菁为基准。
实施例22
以与实施例19相同的方式制备电子照相光电导体，除了将无金属酞菁的含量改变成10mmol，以1mol准无定形态钛氧基氧代酞菁为基准。
实施例23
以与实施例19相同的方式制备电子照相光电导体，除了将无金属酞菁的含量改变成100mmol，以1mol准无定形态钛氧基氧代酞菁为基准。
实施例24
以与实施例19相同的方式制备电子照相光电导体，除了将无金属酞菁的含量改变成200mmol，以1mol准无定形态钛氧基氧代酞菁为基准。
对比例7
用与实施例19相同的方式制成电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量变化成100nmol，以1mol准无定形态钛氧基氧代酞菁为基准。
对比例8
用与实施例19相同的方式制成电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量变化成300mmol，以1mol准无定形态钛氧基氧代酞菁为基准。
这样得到的光电导体的电性能采用静电记录纸测试仪(EPA-8200，由Kawaguchi Electric Works有限公司生产)测试。表4示出了在衰减期+600V-+300V期间的敏感性E1/2(μJ/cm2)，和在衰减期+600V-+100V期间的敏感性E100(μJ/cm2)的测试结果。
               表4
  敏感性E1/2(μJ/cm2)   敏感性E100(μJ/cm2)
  实施例19   0.20   0.61
  实施例20   0.19   0.58
  实施例21   0.19   0.58
  实施例22   0.19   0.59
  实施例23   0.20   0.61
  实施例24   0.21   0.68
  对比例7   0.37   1.10
  对比例8   0.35   1.02
从表4中可以看出，每个实施例都表现出令人满意的高敏感性，而每个对比例都表现出比实施例低的敏感性。
实施例25-30和对比例9-10
实施例25
用与实施例1相同的方式制备电子照相光电导体，除了用根据普通方法合成的氯化镓酞菁代替实施例1中的钛氧基氧代酞菁。
实施例26
用与实施例25相同的方式制备电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量改变成50μmol，以1mol氯化镓酞菁为基准。
实施例27
用与实施例25相同的方式制备电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量改变成1mmol，以1mol氯化镓酞菁为基准。
实施例28
用与实施例25相同的方式制备电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量改变成10mmol，以1mol氯化镓酞菁为基准。
实施例29
用与实施例25相同的方式制备电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量改变成100mmol，以1mol氯化镓酞菁为基准。
实施例30
用与实施例25相同的方式制备电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量改变成200mmol，以1mol氯化镓酞菁为基准。
对比例9
用与实施例25相同的方式制成电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量变化成100nmol，以1mol氯化镓酞菁为基准。
对比例10
用与实施例25相同的方式制成电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量变化成300mmol，以1mol氯化镓酞菁为基准。
这样得到的光电导体的电性能采用静电记录纸测试仪(EPA-8200，由Kawaguchi Electric Works有限公司生产)测试。表5示出了敏感性E1/2(μJ/cm2)和敏感性E100(μJ/cm2)的测试结果。
                 表5
  敏感性E1/2(μJ/cm2)   敏感性E100(μJ/cm2)
  实施例25   0.21   0.59
  实施例26   0.20   0.58
  实施例27   0.20   0.58
  实施例28   0.20   0.57
  实施例29   0.21   0.60
  实施例30   0.22   0.62
  对比例9   0.36   1.11
  对比例10   0.40   1.26
从表5中可以看出，每个实施例都表现出令人满意的高敏感性，而每个对比例都表现出比实施例低的敏感性。
实施例31-36和对比例11-12
实施例31
用与实施例1所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了用根据普通方法合成的氯化铟酞菁代替实施例1中的钛氧基氧代酞菁。
实施例32
用与实施例31所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了将无金属酞菁的含量改变成50μmol，以1mol氯化铟酞菁为基准。
实施例33
用与实施例31所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了将无金属酞菁的含量改变成1mmol，以1mol氯化铟酞菁为基准。
实施例34
用与实施例31所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了将无金属酞菁的含量改变成10mmol，以1mol氯化铟酞菁为基准。
实施例35
用与实施例31所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了将无金属酞菁的含量改变成100mmol，以1mol氯化铟酞菁为基准。
实施例36
用与实施例31所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了将无金属酞菁的含量改变成200mmol，以1mol氯化铟酞菁为基准。
对比例11
用与实施例31相同的方式制成电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量变化成100nmol，以1mol氯化铟酞菁为基准。
对比例12
用与实施例31相同的方式制成电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量变化成300mmol，以1mol氯化铟酞菁为基准。
这样得到的光电导体的电性能采用静电记录纸测试仪(EPA-8200，由Kawaguchi Electric Works有限公司生产)测试。表6示出了敏感性E1/2(μJ/cm2)和敏感性E100(μJ/cm2)的测试结果。
                 表6
  敏感性E1/2(μJ/cm2)   敏感性E100(μJ/cm2)
  实施例31   0.26   0.65
  实施例32   0.24   0.63
  实施例33   0.24   0.63
  实施例34   0.25   0.64
  实施例35   0.26   0.66
  实施例36   0.28   0.70
  对比例11   0.40   1.21
  对比例12   0.41   1.32
从表6中可以看出，每个实施例都表现出令人满意的高敏感性，而每个对比例都表现出比实施例低的敏感性。
实施例37-42和对比例13-14
实施例37
用与实施例1所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了用根据普通方法合成的钒氧基氧代酞菁代替实施例1中的钛氧基氧代酞菁。
实施例38
用与实施例37所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了将无金属酞菁的含量改变成50μmol，以1mol钒氧基氧代酞菁为基准。
实施例39
用与实施例37所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了将无金属酞菁的含量改变成1mmol，以1mol钒氧基氧代酞菁为基准。
实施例40
用与实施例37所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了将无金属酞菁的含量改变成10mmol，以1mol钒氧基氧代酞菁为基准。
实施例41
用与实施例37所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了将无金属酞菁的含量改变成100mmol，以1mol钒氧基氧代酞菁为基准。
实施例42
用与实施例37所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了将无金属酞菁的含量改变成200mmol，以1mol钒氧基氧代酞菁为基准。
对比例13
用与实施例37相同的方式制成电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量变化成100nmol，以1mol钒氧基氧代酞菁为基准。
对比例14
用与实施例37相同的方式制成电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量变化成300mmol，以1mol钒氧基氧代酞菁为基准。
这样得到的光电导体的电性能采用静电记录纸测试仪(EPA-8200，由Kawaguchi Electric Works有限公司生产)测试。表7示出了敏感性E1/2(μJ/cm2)和敏感性E100(μJ/cm2)的测试结果。
                表7
  敏感性E1/2(μJ/cm2)   敏感性E100(μJ/cm2)
  实施例37   0.22   0.63
  实施例38   0.21   0.61
  实施例39   0.21   0.62
  实施例40   0.22   0.64
  实施例41   0.23   0.65
  实施例42   0.25   0.74
  对比例13   0.43   1.22
  对比例14   0.48   1.30
从表7中可以看出，每个实施例都表现出令人满意的高敏感性，而每个对比例都表现出比实施例低的敏感性。
实施例43-48和对比例15-16
实施例43
用与实施例1所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了用根据普通方法合成的钯酞菁代替实施例1中的钛氧基氧代酞菁。
实施例44
用与实施例43所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了将无金属酞菁的含量改变成50μmol，以1mol钯酞菁为基准。
实施例45
用与实施例43所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了将无金属酞菁的含量改变成1mmol，以1mol钯酞菁为基准。
实施例46
用与实施例43所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了将无金属酞菁的含量改变成10mmol，以1mol钯酞菁为基准。
实施例47
用与实施例43所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了将无金属酞菁的含量改变成100mmol，以1mol钯酞菁为基准。
实施例48
用与实施例43所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了将无金属酞菁的含量改变成200mmol，以1mol钯酞菁为基准。
对比例15
用与实施例43相同的方式制成电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量变化成100nmol，以1mol钯酞菁为基准。
对比例16
用与实施例43相同的方式制成电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量变化成300mmol，以1mol钯酞菁为基准。
这样得到的光电导体的电性能采用静电记录纸测试仪(EPA-8200，由Kawaguchi Electric Works有限公司生产)测试。表8示出了敏感性E1/2(μJ/cm2)和敏感性E100(μJ/cm2)的测试结果。
               表8
  敏感性E1/2(μJ/cm2)   敏感性E100(μJ/cm2)
  实施例43   0.33   0.90
  实施例44   0.31   0.86
  实施例45   0.31   0.87
  实施例46   0.32   0.89
  实施例47   0.34   0.91
  实施例48   0.35   0.94
  对比例15   0.47   1.42
  对比例16   0.45   1.37
从表8中可以看出，每个实施例都表现出令人满意的高敏感性，而每个对比例都表现出比实施例低的敏感性。
实施例49-54和对比例17-18
实施例49
用与实施例1所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了用根据日本未审查专利申请№H5-273775中合成实施例1所述方法合成的钛氧基酞菁2，3-丁二醇配合物代替实施例1中的钛氧基氧代酞菁。
实施例50
用与实施例49所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了将无金属酞菁的含量改变成50μmol，以1mol钛氧基酞菁配合物为基准。
实施例51
用与实施例49所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了将无金属酞菁的含量改变成1mmol，以1mol钛氧基酞菁配合物为基准。
实施例52
用与实施例49所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了将无金属酞菁的含量改变成10mmol，以1mol钛氧基酞菁配合物为基准。
实施例53
用与实施例49所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了将无金属酞菁的含量改变成100mmol，以1mol钛氧基酞菁配合物为基准。
实施例54
用与实施例49所述相同的方式制备电子照相光电导体，除了将无金属酞菁的含量改变成200mmol，以1mol钛氧基酞菁配合物为基准。
对比例17
用与实施例49相同的方式制成电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量变化成100nmol，以1mol钛氧基酞菁配合物为基准。
对比例18
用与实施例49相同的方式制成电子照相光电导体，除了无金属酞菁的含量变化成300mmol，以1mol钛氧基酞菁配合物为基准。
这样得到的光电导体的电性能采用静电记录纸测试仪(EPA-8200，由Kawaguchi Electric Works有限公司生产)测试。表9示出了敏感性E1/2(μJ/cm2)和敏感性E100(μJ/cm2)的测试结果。
                表9
  敏感性E1/2(μJ/cm2)   敏感性E100(μJ/cm2)
  实施例49   0.37   1.03
  实施例50   0.36   1.00
  实施例51   0.36   1.01
  实施例52   0.38   1.04
  实施例53   0.40   1.09
  实施例54   0.44   1.17
  对比例17   0.59   1.74
  对比例18   0.62   1.95
从表9中可以看出，每个实施例都表现出令人满意的高敏感性，而每个对比例都表现出比实施例低的敏感性。
本发明的效果
如上所述，本发明提供一种电子照相光电导体，根据本发明，它表现出良好的电子照相性能，尤其是良好的敏感性，其中光敏层含有两种呈特定混合比例的特定类型的酞菁化合物。本发明也提供一种制备这种电子照相光电导体的方法。

Claims (7)

1.一种电子照相光电导体，它包括：
导电基板；
和形成在导电基板上的光敏层，该光敏层含有光电物质，所述光电物质包含金属酞菁化合物主要组分和具有中心元素氢的酞菁化合物次要组分，以1mol主要组分为基准，所述次要组分的含量是1μmol-200mmol；
所述的金属酞菁化合物是在酞菁环中心含有金属元素原子的化合物，所述具有中心元素氢的酞菁化合物是在酞菁环中心含有两个氢原子的、不含金属原子的化合物。
2.如权利要求1所述的电子照相光电导体，其特征在于所述金属酞菁化合物在酞菁环的中心有一个金属元素的原子，所述具有中心元素氢的酞菁化合物在酞菁环的中心有两个氢原子；所述金属元素是钛、镓、铟、钯和钒。
3.如权利要求1或2所述的电子照相光电导体，其特征在于所述金属酞菁化合物是钛氧基氧代酞菁。
4.如权利要求2所述的电子照相光电导体，其特征在于所述金属元素是具有氧化值3或4的元素。
5.如权利要求1或2所述的电子照相光电导体，其特征在于以1mol主要组分为基准，所述次要组分的含量是1μmol-100mmol。
6.一种制造电子照相光电导体的方法，它包括以下步骤：
用含有光电物质的涂敷液涂布导电基板，在基板上形成包含光电物质的光敏层，以制成电子照相光电导体，所述光电物质包含金属酞菁化合物主要组分和具有中心元素氢的酞菁化合物次要组分，以1mol主要组分为基准，所述次要组分的含量是1μmol-200mmol；
所述的金属酞菁化合物是在酞菁环中心含有金属元素原子的化合物，所述具有中心元素氢的酞菁化合物是在酞菁环中心含有两个氢原子的、不含金属原子的化合物。
7.如权利要求6所述的制造电子照相光电导体的方法，其特征在于所述金属酞菁化合物在酞菁环的中心有一个金属元素的原子，所述具有中心元素氢的酞菁化合物在酞菁环的中心有两个氢原子，所述的金属元素是钛、镓、铟、钯、和钒。
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