CN1299367C - 使用自扫描型发光器件阵列的光写入头 - Google Patents

使用自扫描型发光器件阵列的光写入头 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种光写入头，以一维状态排列着多个自扫描型发光器件阵列芯片，包括传送器件阵列和发光器件阵列；在各个芯片中，共通的起始脉冲总线与上述1维排列的传送器件中处于最初位置的传送器件的栅电极连接；共通的n相时钟脉冲总线连接在各个芯片上；单独的2条写入信号总线分别连接在各个芯片上，上述2条写入信号总线，在各个芯片中每隔一个地连接到上述发光器件上。可以减少要取出的信号线的条数。

Description

使用自扫描型发光器件阵列的光写入头
技术领域
本发明涉及光写入头，特别是涉及使用自扫描型发光器件阵列的光写入头。
背景技术
光打印头即光写入头，具备使发光器件排列成一列而构成的发光器件阵列。作为发光器件阵列，在例如使用发光二极管(LED)阵列构成光打印头的情况下，在A3尺寸的打印纸上打印600dpi(dots perinch，每英寸点数)的光写入头时，一列大约要排列7200个LED。在这样的光写入头的情况下，从每一个LED都要引出电极，并与驱动IC的电极电连。连接通常可以使用金丝键合技术。通常，驱动n个LED的IC，要进行串-并变换，以把n个串行数据变换成n个并行数据，根据该并行数据控制n个LED的亮灯关灯。
因此，光写入头取出的信号线的条数，若除去电源和供与定时有关的脉冲使用的信号线之外，与驱动IC的条数是相等的。但是，若这样的话则在信号线的条数过多的情况下，采用设置把数据分配给m个驱动IC(串-并变换)的特定驱动IC的办法，就可以把要取出的信号线的条数减少到1/m。
如上所述，使用LED阵列的现有的光写入头，由于恰好具有LED个数的布线，故若上述特定的驱动IC附近不用串-并变换减少要取出的信号线的条数，则变成为不能形成与外部之间的接口的构造。为此，因结果变成为在与LED阵列的同基板上边要配置特定的驱动IC，故存在着光写入头的宽度(与LED的排列方向成直角方向的宽度)变宽的问题。而且，由于将串-并转换专用的特定驱动IC内藏于写入头中，增加了成本。
另一方面，本发明人，关于作为发光器件阵列的构成要素，把注意力集中于具有pnpn构造的晶闸管，可以实现发光点的自扫描这种情况，已经提出了专利申请(特开平1-238962号公报，特开平2-14584号公报，特开平2-92650号公报、特开平2-92651号公报)，表明了作为光打印机用光源在安装方面简便、发光器件的节距可以形成得细、可以制作小型紧凑的发光器件阵列等等。
此外，本发明人等，还提出了自扫描型发光器件阵列的方案(特开平-263668号公报)，其构造是把由发光晶闸管构成的传送器件作为移位寄存器，与发光器件阵列分离开来。
发明内容
本发明的目的在于，提供可以采用自扫描型发光器件阵列的办法减少要取出的信号线的条数的光写入头。
为了实现上述目的，本发明提供一种光写入头，以一维状态排列着多个自扫描型发光器件阵列芯片，包括：
1维地排列具有控制阈值电压或阈值电流的栅电极的多个3端传送器件、用具有电单向性的器件使相邻的传送器件的栅电极彼此连接、通过各个负载电阻把电源线连接到上述传送器件的各个栅电极上、通过电流限制电阻把n相时钟脉冲线分别以n个传送器件的间隔连接到上述各传送器件的阴极或阳极上而形成的传送器件阵列；上述n为大于等于2的整数；
使具有控制阈值电压或阈值电流的栅电极的与上述传送器件的数量相同的3端发光器件以1维状态排列，把上述发光器件的各个栅电极连接到每n个上述传送器件的对应的栅电极上，并通过电流限制电阻把外加写入信号的线连接到上述各个发光器件的阴极或阳极上而形成的发光器件阵列；
上述多个芯片被分成以m个芯片为一组的多个组，在各组内的所有芯片上，单独的起始脉冲总线与上述1维排列的传送器件中处于最初位置的传送器件的栅电极连接；上述m为大于等于1的整数；
某相的m条时钟脉冲总线分别以m个芯片的间隔连接在各组内的m个芯片上；
共通的其他相的时钟脉冲总线连接在各个芯片上；
共通的写入信号总线分别连接在各个芯片上。
另外，本发明的光写入头，以一维状态排列着多个自扫描型发光器件阵列芯片，包括：
1维地排列具有控制阈值电压或阈值电流的栅电极的多个3端传送器件、用具有电单向性的器件使相邻的传送器件的栅电极彼此连接、通过各个负载电阻把电源线连接到上述传送器件的各个栅电极上、把n相时钟脉冲线分别以n个传送器件的间隔连接到上述各传送器件的阴极或阳极上而形成的传送器件阵列；上述n为大于等于2的整数；
使具有控制阈值电压或阈值电流的栅电极的与上述传送器件的数量相同的3端发光器件以1维状态排列、把上述传送器件的各个栅电极连接到上述发光器件的对应的栅电极上、把外加写入信号的线连接到上述各个发光器件的阴极或阳极上而形成的发光器件阵列；
在各个芯片中，共通的起始脉冲总线与上述1维排列的传送器件中处于最初位置的传送器件的栅电极连接；
共通的n相时钟脉冲总线连接在各个芯片上；
单独的2条写入信号总线分别连接在各个芯片上，上述2条写入信号总线，在各个芯片中每隔一个地连接到上述发光器件上。
另外，本发明的光写入头，以一维状态排列着多个自扫描型发光器件阵列芯片，包括：
1维地排列具有控制阈值电压或阈值电流的栅电极的多个3端传送器件、用具有电单向性的器件使相邻的传送器件的栅电极彼此连接、通过各个负载电阻把电源线连接到上述传送器件的各个栅电极上、通过电流限制电阻把n相时钟脉冲线分别以n个传送器件的间隔连接到上述各传送器件的阴极或阳极上而形成的传送器件阵列；上述n为大于等于2的整数；
使具有控制阈值电压或阈值电流的栅电极的与上述传送器件的数量相同的3端发光器件以1维状态排列、把上述发光器件的各个栅电极连接到每n个上述传送器件的对应的栅电极上、通过电流限制电阻把外加写入信号的线连接到上述各个发光器件的阴极或阳极上而形成的发光器件阵列；
在各个芯片中，单独的起始脉冲总线分别与上述1维排列的传送器件中处于最初位置的传送器件的栅电极连接；
共通的n相时钟脉冲总线连接在各个芯片上；
共通的写入信号总线连接在各个芯片上。
另外，本发明的光写入头，以一维状态排列着多个自扫描型发光器件阵列芯片，包括：
1维地排列具有控制阈值电压或阈值电流的栅电极的多个3端传送器件、用具有电单向性的器件使相邻的传送器件的栅电极彼此连接、通过各个负载电阻把电源线连接到上述传送器件的各个栅电极上、把n相时钟脉冲线分别以n个传送器件的间隔连接到上述各传送器件的阴极或阳极上而形成的传送器件阵列；上述n为大于等于2的整数；
使具有控制阈值电压或阈值电流的栅电极的与上述传送器件的数量相同的3端发光器件以1维状态排列、把上述传送器件的各个栅电极连接到上述发光器件的对应的栅电极上、把外加写入信号的线连接到上述各个发光器件的阴极或阳极上而形成的发光器件阵列；
m条起始脉冲总线分别以m个芯片的间隔连接在相应的芯片的上述1维排列的传送器件中处于最初位置的传送器件的栅电极上；上述m是大于等于2的整数；
共通的n相时钟脉冲总线连接在各个芯片上；
上述多个芯片被分成以彼此相邻的m个芯片为一组的多个组，把单独的写入信号总线分别连接到各芯片组内的所有芯片上；
连接到上述起始脉冲总线、n相时钟脉冲总线、写入信号总线上的电阻器内置于芯片内。
另外，本发明的光写入头，以一维状态排列着多个自扫描型发光器件阵列芯片，包括：
1维地排列具有控制阈值电压或阈值电流的栅电极的多个3端传送器件、用具有电单向性的器件使相邻的传送器件的栅电极彼此连接、通过各个负载电阻把电源线连接到上述传送器件的各个栅电极上、把n相时钟脉冲线分别以n个传送器件的间隔连接到上述各传送器件的阴极或阳极上而形成的传送器件阵列；上述n为大于等于2的整数；
使具有控制阈值电压或阈值电流的栅电极的与上述传送器件的数量相同的3端发光器件以1维状态排列、把上述传送器件的各个栅电极连接到上述发光器件的对应的栅电极上、把外加写入信号的线连接到上述各个发光器件的阴极或阳极上而形成的发光器件阵列；
上述多个芯片被分成以彼此相邻的m个芯片为一组的多个组；上述m是大于等于2的整数；
在一组内的芯片中，使芯片的最后一个传送器件的栅电极通过电单向性的器件与相邻下一芯片的最初传送器件的栅电极连接；
在各组内的最初的芯片中，共通的起始脉冲总线连接在上述1维排列的传送器件中处于最初位置的传送器件的栅电极上；
共通的n相时钟脉冲总线连接在各个芯片上；
单独的写入信号总线分别连接在各芯片组内的所有芯片上。
另外，本发明的光写入头，以一维状态排列着多个自扫描型发光器件阵列芯片，包括：
1维地排列具有控制阈值电压或阈值电流的栅电极的多个3端传送器件、用具有电单向性的器件使相邻的传送器件的栅电极彼此连接、通过各个负载电阻把电源线连接到上述传送器件的各个栅电极上、把n相时钟脉冲线分别以n个传送器件的间隔连接到上述各传送器件的阴极或阳极上而形成的传送器件阵列；上述n为大于等于2的整数；
使具有控制阈值电压或阈值电流的栅电极的与上述传送器件的数量相同的3端发光器件以1维状态排列、把上述传送器件的各个栅电极连接到上述发光器件的对应的栅电极上、把外加写入信号的线连接到上述各个发光器件的阴极或阳极上而形成的发光器件阵列；
上述多个芯片被分成以彼此相邻的m个芯片为一组的多个组，在各组内的所有芯片上，单独的起始脉冲总线与上述1维排列的传送器件中处于最初位置的传送器件的栅电极连接；上述m是大于等于2的整数；
某一相的m条时钟脉冲总线分别以m个芯片的间隔连接在各组内的m个芯片上；
共通的其他相的时钟脉冲总线连接在各个芯片上；
共通的写入信号总线分别连接在各个芯片上。
可以在本发明的光写入头中使用的1点亮灯型的自扫描型发光器件阵列芯片，具有下述那样的基本构造。
就是说，一点亮灯型的自扫描型发光器件阵列芯片，包括：
1维地排列具有控制阈值电压或阈值电流的栅电极的多个3端传送器件、用具有电单向性的器件使相邻的传送器件的栅电极彼此连接、通过各个负载电阻把电源线连接到传送器件的各个栅电极上、把n相(n为大于等于2的整数)时钟脉冲线，分别按照顺序按每相n个传送器件连接到各个传送器件剩下的2个端子的一方上所形成的传送器件阵列，
使多个具有控制阈值电压或阈值电流的栅电极的3端发光器件1维地进行排列、把传送器件的各个栅电极连接到发光器件的对应的栅电极上、把加写入信号的线连接到各个发光器件的剩下的2个端子中的一方上形成的发光器件阵列。
根据本发明的光写入头的第1方案，则使多个上述那样构成的一点亮灯型的自扫描型发光器件阵列，一维地进行排列，把共通的起始脉冲总线连接到各个芯片上，把共通的2相时钟脉冲总线连接到各个芯片上，把单独的写入信号总线分别连接到各个芯片上。
此外，倘根据本发明的光写入头的第2方案，则在第1方案中，连接到起始脉冲总线、n相时钟脉冲总线、写入信号总线上的电流限制电阻内置于芯片内。
此外，倘根据本发明的光写入头的第3方案，则在第1方案中，连接到n相的时钟脉冲总线上的电流限制电阻内置于芯片内。
此外，倘根据本发明的光写入头的第4方案，则在第3方案中向每一条n相的时钟脉冲总线都***缓冲器IC。
此外，根据本发明的光写入头的第5方案，则使用2点亮灯型的自扫描型发光器件阵芯片。在该方案的情况下，把共通的起始脉冲总线连接到各个芯片上，把共通的2相的时钟脉冲总线连接到各个芯片上，把单独的2条写入信号总线分别连接到各个芯片上，在各个芯片中，把上述2条写入脉冲总线，每隔一条地连接到上述发光器件上。此外，根据本发明的第6方案，则采用多个亮灯型的自扫描发光器件阵列。
该多个亮灯型的自扫描发光器件阵列芯片，包括：
1维地排列具有控制阈值电压或阈值电流的栅电极的多个3端传送器件、用具有电单向性的器件使相邻的传送器件的栅电极彼此连接、通过各个负载电阻把电源线连接到传送器件的各个栅电极上、通过电流限制电阻把n相(n为大于等于2的整数)时钟脉冲线分别按照顺序按每相n个传送器件连接到各个传送器件剩下的2个端子的一方上所形成的传送器件阵列，
使多个具有控制阈值电压或阈值电流的栅电极的3端发光器件1维地进行排列、把发光器件的各个栅电极连接到每n个传送器件的对应的栅电极上、通过电流限制电阻把加写入信号的线连接到各个发光器件的剩下的2个端子中的一方上而形成的发光器件阵列。
在使该自扫描型发光器件阵列芯片排列成一维的光写入头的情况下，分别把单独的起始脉冲总线连接到各个芯片上，把共通的n相时钟脉冲总线连接到各个芯片上，把共通的电流施加总线连接到各个芯片上。
此外，本发明的第7方案，在使用一点亮灯型的自扫描型发光器件阵列芯片的光写入头中，把m条(m是大于等于2的整数)的起始脉冲总线按照顺序重复地连接到各个芯片上，把共通的n相的时钟脉冲总线连接到各个芯片上，把单独的写入信号总线分别连接到相邻的m个的每一个的芯片上，连接到起始脉冲总线、时钟脉冲总线、写入信号总线上的电阻内置于芯片内。
此外，在本发明的第8方案的情况下，在使用一点亮灯型的自扫描型发光器件阵列芯片的光写入头中，多个芯片，被分成彼此相邻的m个(m是大于等于2的整数)的芯片组，在一组内的芯片中，使某一芯片的终点键合焊盘与下一级的芯片的起始脉冲键合焊盘连接，把共通的起始脉冲总线连接到各芯片组内的最初的芯片上，把共通的n相的时钟脉冲总线连接到各个芯片上，把单独的写入信号总线分别连接到各个芯片的所有的芯片上。
此外，在本发明的第9方案中，在使用多点亮灯型的自扫描型发光器件阵列芯片的光写入头中，把单独的起始脉冲总线连接到相邻的每m(m是大于等于2的整数)个的芯片上，把某一相的m条的时钟脉冲总线按照顺序地连接到相邻的m个的芯片上，把共通的另外的相的时钟脉冲总线连接到各个芯片上，把写入信号总线分别连接到各个芯片上。
附图说明
图1示出了3端发光晶闸管的基本构造。
图2是自扫描型发光器件阵列的等效电路图。
图3示出了作为本发明的实施例1的光写入头。
图4A、图4B示出了在实施例1中使用的一点亮灯型的SLED芯片。
图5示出了作为本发明的实施例2a的光写入头。
图6A、图6B示出了在实施例2a中使用的电阻内置型的SLED芯片。
图7A、图7B示出了在实施例2b中使用的电阻内置型的SLED芯片。
图8示出了作为本发明的实施例2c的光写入头。
图9示出了作为本发明的实施例3的光写入头。
图10A、图10B示出了在实施例3中使用的2点亮灯型的SLED芯片。
图11示出了作为本发明的实施例4的光写入头。
图12示出了在实施例4中使用的多点亮灯型的SLED芯片。
图13示示出了作为本发明的实施例5的光写入头。
图14示出了实施例5的驱动波形例。
图15示出了作为本发明的实施例6的光写入头。
图16A、图16B示出了在实施例6中使用的1点亮灯型的SLED芯片。
图17示出了实施例6的驱动波形例。
图18示出了作为本发明的实施例7的光写入头。
具体实施方式
首先，简单地对使用本发明的光写入头的自扫描型发光器件阵列进行说明。自扫描型发光器件阵列，使用3端发光晶闸管。在图1中，示出了3端发光晶闸管的基本构造。作为一个例子，在P型GaAs衬底10上边形成PNPN构造12。该3端发光晶闸管的控制极14，具有控制接通电压的作用，加到阴极16上的接通电压，将变成为把PN结的扩散电位和控制电压加到控制极电压上的电压。此外，在接通后，控制极电压变成为与阳极电压大体上一致。因此，如果阳极18已接地，则控制极电压将变成为0V。
图2示出了使用这样的3端发光晶闸管的、在上述特开平2-263668号公报中公开的自扫描型发光器件阵列的等效电路。该自扫描型发光器件阵列，具备传送器件T1、T2、T3、…的阵列，和写入用发光器件L1、L2、L3、…的阵列。这些发光器件和传送器件，由3端发光晶闸管构成，相邻的传送器件的栅电极间，用二极管D1、D2、D3、D4…进行连接。
传送器件的各个阴极电极，交互地供给时钟脉冲1、2。VGA是电源(通常是-5V)，经由负载电阻RL连接到各个传送器件的栅电极G1、G2、G3、…上。这些传送器件T1、T2、T3、…，二极管D1、D2、D3、…，借助于多个负载电阻RL，构成移位寄存器8。传送器件的栅电极也连接到对应的发光器件的栅电极上。给第1列的传送器件T1的栅电极加上起始脉冲S。给写入用发光器件的阴极电极加上写入信号I。
简单说明该自扫描型发光器件阵列的动作。
现在，假定传送器件T2处于ON状态，栅电极G2的电压，就从电源电压VGA(-5V)上升，变成为几乎为0。因此，如果写入信号I的电压低于PN结的扩散电位(大约1V)，则可以使发光器件L0变成为发光状态。
对此，栅电极G1约为-5V，栅电极G3变成为约-1V。因此，发光器件L1写入电压变成为大约-6V，发光器件L3的写入电压变成为大约-2V。然后，仅仅向发光器件L2写入的写入信号I的电压将变成为-1到-2V的范围。当发光器件L2变成为ON，就是说变成为发光状态时，写入信号I线的电压固定为大约-1V，所以不会有选择别的发光器件而发光的可能。
发光器件的发光强度由流向写入信号I的电流量决定，可以以任意的强度进行图象写入。此外为了把发光状态传送给其次的发光器件，必须使写入信号I线的电压暂时降低到0V，使正在发光的发光器件暂时变成为OFF。
在把这样的自扫描型发光器件阵列应用到光打印机等中去的情况下，作为集成有某一一定数量的传送器件和发光器件的一个半导体芯片的形式构成自扫描型发光器件阵列芯片，把该自扫描型发光器件阵列芯片例如排列成一列，形成规定尺寸的自扫描型发光器件阵列。
以下，根据附图详细地说明使用这样的直线状光源的光写入头的
实施例。
实施例1
如图3所示，使56个600dpi/128发光点/一点亮灯型(一个发光器件同时亮灯)的自扫描型发光器件阵列(简写为SLED)芯片排列起来，构成A3尺寸用光写入头。在该实施例中使用的一点亮灯型的SLED芯片示于图4A、图4B。
图4B所示的SLED，由128个传送器件T1～T128和128个写入用发光器件L1～L128构成。移位寄存器部分构成为，相邻的传送器件的栅电极间的连接，使用二极管连接。VGA是电源，经由负载电阻RL连接到各个传送器件的栅电极上。此外，传送器件的栅电极也连接到对应的发光器件的栅电极上。给传送器件T1的栅电极加上起始脉冲S。给传送器件的阴极电极交互地加上时钟脉冲1、2。给写入用发光器件的阴极电极加上写入信号I。
在这样的SLED芯片中，如图4A所示，具有1、2、VGA、S、I用的键合焊盘30、32、34、36、38。
回到图3，对向排列有56个具有上述那样的键合焊盘30、32、34、36、38的SLED芯片的自扫描型发光器件阵列进行布线的信号布线进行说明。从连接器20的VGA端子、2端子、1端子、S端子分别延伸出一条总线22、24、26、28。各个SLED芯片的1键合焊盘30，通过外加的电流限制电阻R1连接到1总线26上，2键合焊盘32，通过外加的电流限制电阻R2连接到2总线24上。此外，S键合焊盘36，通过外加的电流限制电阻RS连接到S总线28上，VGA键合焊盘34连接到VGA总线22上。再有，各个SLED芯片的I键合焊盘38，通过外加的电流限制电阻RI，经过写入信号I(1)～I(56)用的总线，连接到连接器20的对应的I(1)～I(56)端子上。
在这样的写入头的情况下，由于给各个SLED芯片提供同一起始脉冲ФS，故同时开始传送动作。在各个SLED芯片中正在亮灯的一个发光器件的发光强度，由分别提供给各个SLED芯片的写入信号I(1)～I(56)决定。
以上那样构成的光写入头，从芯片取出的布线数，给S、1、2、VGA、I(1)～I(56)用的键合焊盘的布线再加上接地用的布线(未画出来)，合计为61条。与使用LED阵列的现有光写入头的布线比，布线条数变得及其之少，此外，所使用的电阻R1、R2、RS、RI的总数，为56×4＝224个。
另外，在上述的实施例中，虽然说明的是用传送用时钟脉冲1、2驱动的2相驱动的SLED，但是，也可以是用大于等于3相的时钟脉冲进行驱动的SLED。
实施例2a
本实施例，是把图3的光写入头的外加电流限制电阻R1、R2、RS、RI内置于SLED芯片内的光写入头。
如图5所示，使56个内置电阻的600dpi/128发光点/一点亮灯型的SLED芯片排列起来，构成A3尺寸用光写入头。图6A、图6B示出了在本实施例中使用的SLED。
如图6B所示，SLED芯片，内置有电流限制电阻R1、R2、RS、RI。这些电阻，分别***到1线40、2线42、S线46、I线48内。一个芯片的键合焊盘的个数，如图6A所示，与实施例1是一样的。
就如使图5的写入头与图3的写入头进行对比就可以明白的那样，作为电部件，可以实现仅仅用SLED芯片的光写入头，可以实现宽度更窄的光写入头。
实施例2b
本实施例，不使用实施例2a的SLED芯片，而代之以使用仅仅内置电流限制电阻R1、R2的SLED芯片。图7A、图7B示出了在本实施例中使用的SLED芯片。在该SLED芯片的情况下，分别把电阻R1、R2***到1线40、2线42内，向S线46、I线48内不***电流限制电阻。如上所述，由于不向I线48内***电阻，故用电流源驱动连接器20的I(1)～I(56)端子。另外，ON状态的晶闸管的阳极-阴极间电压，相等地保持大体上PN结的正向电压而与电流无关。利用该性质，作为电流源也可以使用把电压源和电阻组合起来的构成。如上所述，由于不向I线48内***电阻，故如图6所示，由于消除了在把电阻RI内置于芯片或光写入头内的情况下所发生的发热，故与图6的芯片比较可以防止芯片温度的上升。
实施例2c
图8示出了本实施例的光写入头。在本实施例中，向实施例2b的光写入头的1、2总线内***了缓冲器IC61、62。
之所以***缓冲器IC，其理由如下。就是说，在SLED芯片的1线、2线的每一条线内流入大约5mA的电流时，在60个芯片中分别流向1线26、2线24的电流将高达300mA。当大电流进行断续时，会产生不希望的辐射，存在着产生电磁波故障的危险性。采用向总线内***缓冲器IC的办法，就可以阻止因大电流的断续所产生的辐射的发生。
此外，采用***缓冲器IC的办法，只要把比缓冲器IC的阈值还高或还低的电压提供给连接器20的1、2端子即可。在具有二极管耦合的传送器件的SLED芯片的情况下，从动作原理上说难于用3V使之动作，但是采用***缓冲器IC的办法，尽管需要另外的5V电源，但却可以用3V系的信号来驱动SLED芯片了。这样一来，就可以采用降低电源电压的办法来降低功耗。
实施例3
本实施例，是使56个600dpi/128发光点/2点亮灯型(2个发光器件同时亮灯)的自扫描型发光器件阵列(简写为SLED)芯片排列起来构成的A3尺寸用光写入头。
图9示出了光写入头的构成，图10A、图10B示出了在本实施例中使用的SLED芯片。
图10A、图10B所示的SLED芯片，除去图6的SLED芯片中的写入信号I之外，还具有写入信号J。向J线49内***电流限制电阻RJ。把写入信号I、J交互地连接到发光器件上。借助于此，使得在一个芯片内使2个发光器件同时亮灯成为可能，此外写入信号的占空比增加，有效性的光量增加。
若用本实施例的光写入头，如图9所示，由于给每个芯片都提供2条写入信号总线I(1)～I(56)，J(1)～J(56)，故与实施例1比较，增加56条总线，从芯片取出的取出总线条数变成为117条。
另外，在各个芯片中，传送时钟总线也可以是大于等于3相，写入信号总线也可以是大于等于3条。
实施例4
本实施例，是使56个600dpi/128发光点/多个点亮灯型(多个发光器件同时亮灯)的自扫描型发光器件阵列芯片排列起来构成的A3尺寸用写入头。
图11示出了写入头的构成，图12示出了在本实施例中使用的SLED芯片。在多个亮灯型的SLED芯片的情况下，传送器件T的各个阴极电极，通过电流限制电阻70、72连接到1、2线40、42上，发光器件L的各个阴极电极通过电流限制电阻74连接到I线48上。这些电流限制电阻71、72、73已集成到芯片内。然后，把发光器件L的各个栅电极，连接到输入时钟脉冲1的传送器件T的栅电极上。
在把这样的SLED排列起来的图11所示的光写入头的情况下，准备56个起始脉冲S(1)～S(56)，各自连接到各个芯片SLED上，对每一个芯片，都用起始脉冲把表明要使之导通的多个传送器件的数据，预先写入到移位寄存器内，借助于写入脉冲I，使多个发光器件同时亮灯。在多个亮灯型SLED芯片的情况下，由于所有的电流限制电阻都内置于芯片内，故作为电部件可以仅仅用SLED实现光写入头。
另外，在以上的实施例中，传送时钟总线也可以是大于等于3相，此外S总线也可以设置大于等于3条。
实施例5
图13示出了本实施例的光写入头。在本实施例中，与图5所示的实施例2a的光写入头比，如图13所示，设置S(1)总线28(1)和S(2)总线28(2)这么2条起始脉冲总线，把S(1)总线28(1)连接到SLED1、SLED3、SLED5...上，把S(2)总线连接到SLED2、SLED4...上。
再有，使图5的光写入头中的写入信号I的条数变成为一半，就是说变成为I(1)～I(28)，使得向相邻的2个芯片中的每一个芯片提供同一写入信号。
倘采用该构造的写入头，则总线的取出条数还要给S(1)、S(2)、1、2、VGA、I(1)～I(28)加上接地用的总线(未画出来)变成为合计34条。
图14示出了图13的写入头的信号波形，可知：向奇数号的SLED芯片提供起始脉冲S(1)，向偶数号的SLED芯片提供起始脉冲S(2)，向相邻的2个SLED芯片的每一个提供写入信号S(1)、S(2)、S(3)...。
另外，传送时钟总线也可以是大于等于3相，S总线也可以设置大于等于3条。
实施例6
图15示出了本实施例的光写入头。在本实施例中，如图15所示，使用把实施例2a的SLED芯片(图5)的最终的耦合二极管D128的阴极作为终点键合焊盘(end)37取出来的芯片，使第(2N-1)号芯片的end键合焊盘37与第2N号的芯片的S键合焊盘36连接。然后，把起始脉冲S连接到(2N-1)号的SLED芯片上。
这样一来，就可以把2个芯片作为一个芯片处理。因此，取出条数要给S、1、2、VGA、I(1)～I(28)的总线加上接地用的总线(未画出来)变成为合计33条。
在图16A、图16B中示出了这样的SLED芯片的键合焊盘和电路。示出的是把最终的耦合二极管D128的阴极作为end键合焊盘37取出来的情况。
图17示出了图15的光写入头的信号波形。与图14的信号布线比较可知发光器件的发光动作与实施例5是一样的。
传送时钟总线也可以是大于等于3相，此外，把end键合焊盘37和S键合焊盘36连接起来的芯片，也可以把大于等于3个芯片作成为一组。
实施例7
采用把实施例4(图11)的Ф1总线作成为L条的办法，就可以使起始脉冲总线(数据输入线)的条数变成为1/L。图18示出了L＝2时的本实施例的光写入头。1总线增大为1(1)总线和1(2)总线这么2条，起始脉冲总线减少至S(1)总线到S(28)总线这么28条。因此，从SLED芯片引出的总线，给1(1)、1(2)、2、VGA、I、S(1)～S(28)的总线加上接地用的总线变成为合计34条。
此外，在本实施例中，传送时钟总线也可以是大于等于3相，1总线也可以设置大于等于3条。
倘采用本实施例的光写入头，就可以把表明想要使之同时亮灯的发光器件的数据预先写入到移位寄存器中，用写入信号I使之同时亮灯。
倘采用本发明就可以采用使用自扫描型发光器件阵列的办法提供可以减少从SLED芯片取出的信号线的条数的光写入头。

Claims (1)

1.一种光写入头，以一维状态排列着多个自扫描型发光器件阵列芯片，包括：
1维地排列具有控制阈值电压或阀值电流的栅电极的多个3端传送器件、用具有电单向性的器件使相邻的传送器件的栅电极彼此连接、通过各个负载电阻把电源线连接到上述传送器件的各个栅电极上、通过电流限制电阻把n相时钟脉冲线分别以n个传送器件的间隔连接到上述各传送器件的阴极或阳极上而形成的传送器件阵列；上述n为大于等于2的整数；
使具有控制阈值电压或阈值电流的栅电极的与上述传送器件的数量相同的3端发光器件以1维状态排列，把上述发光器件的各个栅电极连接到每n个上述传送器件的对应的栅电极上，并通过电流限制电阻把外加写入信号的线连接到上述各个发光器件的阴极或阳极上而形成的发光器件阵列；
其特征在于，
上述多个芯片被分成以m个芯片为一组的多个组，在各组内的所有芯片上，单独的起始脉冲总线与上述1维排列的传送器件中处于最初位置的传送器件的栅电极连接；上述m为大于等于1的整数；
某相的m条时钟脉冲总线分别以m个芯片的间隔连接在各组内的m个芯片上；
共通的其他相的时钟脉冲总线连接在各个芯片上；
共通的写入信号总线分别连接在各个芯片上。
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