CN1204615C - 电子器件测定装置及测定方法 - Google Patents

电子器件测定装置及测定方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1204615C
CN1204615C CNB021424950A CN02142495A CN1204615C CN 1204615 C CN1204615 C CN 1204615C CN B021424950 A CNB021424950 A CN B021424950A CN 02142495 A CN02142495 A CN 02142495A CN 1204615 C CN1204615 C CN 1204615C
Authority
CN
China
Prior art keywords
measurement terminal
electronic device
pin
leading section
determinator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB021424950A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1405873A (zh
Inventor
齐藤隆司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TESEK CO Ltd
Original Assignee
TESEK CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TESEK CO Ltd filed Critical TESEK CO Ltd
Publication of CN1405873A publication Critical patent/CN1405873A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1204615C publication Critical patent/CN1204615C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2644Adaptations of individual semiconductor devices to facilitate the testing thereof
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/04Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0425Test clips, e.g. for IC's
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)

Abstract

一种电子器件测定装置,其中的第1及第2测量端子(21A、21B)由具有弹性的导电材料构成,并被设置成可分别与电子器件(1)的引脚(3)的同一面的基部侧及前端侧接触。第1测量端子(21A)的与引脚(3)接触的前端部突出于第2测量端子(21B)的前端部,并且,从由引脚(3)基部侧看上去形成钝角的方向按压引脚(3)。由于第1测量端子(21A)的前端部突出于第2测量端子(21B)的前端部,所以前者对引脚(3)的按压力比后者强,从而可防止引脚(3)的弯曲。

Description

电子器件测定装置及测定方法
技术领域
本发明涉及以开耳芬(Kelvin)接触方式测定电子器件的电子器件测定装置及测定方法。
背景技术
在对IC、分立元件等的厚膜成型电子器件(以下简称为电子器件)进行电子特性测定的电子器件测定装置中,是通过把电子器件设置在测定位置上对其电特性进行测定。这时,使测量端子与电子器件的多个引脚接触,同时由测定器通过测量端子加载电流或电压,对电子器件的阻抗等电特性进行测定,根据其测定结果对电子器件按等级进行分类及存储。作为特性的测定方式,有通过加载及测定共用的测量端子进行的单接触方式和分别通过加载及测定用测量端子进行的双接触方式。通常,在不要求高测定精度的情况下使用前者,而在要求高精度测定的情况下则使用后者。
作为一种开耳芬接触方式的测定对象的电子器件,例如有SMD(Surface Mount Device)。该SMD是一种被安装在表面附着焊锡等的接合材料的,构成对应图形的图形电路板上,然后进行加热,通过接合材料与图形电路板构成电连接的电子器件。为了通过接合材料与图形电路板形成良好的电连接,通常使SMD1的引脚3形成如图12所示的S字状。另外,对于SMD1,把形成有引脚3的面称为侧面,把面积大于该侧面的,被配置成面向安装基板的面称为主面。
如图13A所示,电子器件测定装置具有向相对纸面垂直的方向搬送作为测定对象的SMD1的测定滑槽111。测定滑槽111由成为SMD1搬送通路的下面的台部111A和成为SMD1搬送通路的两侧面的引导部111B构成。在测定滑槽111上的SMD1测定位置的上方,配置有把被搬送到测定位置上的SMD1按压固定在测定滑槽111的台部111A上的按压部件113。
在测定位置上的中间夹有测定滑槽111的台部111A的两侧,设置1对由以规定的间隔而对向的第1及第2测量端子121A、121B构成的接触器。第1测量端子121A由垂直的基部(垂直片部)和从基部弯曲90度的弯曲部构成,并具有倒L字形状。第1测量端子121A的基部被固定在限制部件123上,弯曲部的前端被配置在SMD1的引脚3的斜上方。
第2测量端子121B由垂直的基部(垂直片部)和从基部弯曲90度的弯曲部构成,并具有倒L字形状。第2测量端子121B的基部被固定在摇动部件125上,弯曲部的前端被配置在SMD1的引脚3的下方。第2测量端子121B的基部通过接触部与第3测量端子121C的一端接触。第3测量端子121C的另一端及第1测量端子121A的基部与测定器(未图示)的电路连接。
下面参照图13B对这样构成的以往的电子器件测定装置的动作进行说明。把SMD1搬送到测定滑槽111的测定位置上,然后通过测定滑槽111的台部111A和按压部件113把SMD1夹持固定。在这个状态下,对限制部件123的外侧面施加向测定滑槽111的台部111A的中心轴方向的作用力。这样,使被保持在限制部件123上的第1测量端子121A的弯曲部侧前端(以下称为前端部)向内侧移动,并与SMD1的引脚3的上侧侧面接触。
配置在测定滑槽111的台部111A两侧的2个摇动部件125在限制部件123进行动作的同时进行转动,形成倒八字形。通过这个动作,使被固定在摇动部件125上的第2测量端子121B的前端向上方移动,与SMD1的引脚3的下端接触。其结果如图14所示,SMD1的引脚3形成被第1及第2测量端子121A、121B的各个前端部所夹持的状态,能够使测量端子121A、121B强有力地与引脚3接触。
另外,如图15所示,当使第1测量端子121A向箭头①的方向移动,把其前端部按压在引脚3上时,第1测量端子121A的前端部在引脚3的上方侧面上向箭头②的方向滑动,剥离下形成在引脚3表面上的氧化膜层。通过使测量端子121A的前端部与被剥离下氧化膜层的引脚3的表面形成强有力的接触,可降低导致测定误差的接触阻抗。
这样,在使第1及第2测量端子121A、121B与SMD1的引脚3接触的状态下,测定SMD1的电特性。当测定结束后,停止对摇动部件125施加作用力127,使测量端子121A、121B与引脚3分离。此时,如图15所示,第1测量端子121A的前端部在引脚3的表面上向箭头③的方向滑动,然后向箭头④的方向分离。最后,使按压部件113还原到规定的位置,送出测定完毕的SMD1。
另外,由于摇动部件125以比较大的摆幅进行摇动,所以固定在摇动部件125上的第2测量端子121B全体的移动量大,但通过第3测量端子121C把第2测量端子121B连接到测定器,可防止第2测量端子121B受到强的弯曲力。
但是,在上述的以往的电子器件测定装置中,为了降低接触阻抗,用2个测量端子121A、121B强力地夹住SMD1的引脚3,然而这样却存在着SMD1的引脚3被弯曲的问题。在把引脚3被弯曲的SMD1安装到图形电路板上时,将导致引脚3与图形电路板的接触不良。
另外,由于第2测量端子121B是通过第3测量端子121C与测定器连接,所以在第2测量端子121B与第3测量端子121C的接触部产生接触阻抗,从而构成了增大测定误差的问题。
另外,由于第1测量端子121A的至弯曲部的距离短,并且其基部被限制部件123固定,所以,第1测量端子121A在移动方向上的弹性小。因此,假设当第1测量端子121A在与SMD1的引脚3接触时在引脚3的排列方向(相对纸面的垂直方向)发生错位,则第1测量端子121A的前端部进入到相邻引脚3之间,将会导致引脚3的弯曲。
另外,在测定结束后,在第1测量端子121A从SMD1的引脚3上分离时,如图15所示,由于测量端子121A的前端部是在引脚3的表面上向与箭头②相反的箭头③的方向滑动,所以被剥离下的氧化膜层颗粒会附着在测量端子121A的前端。因此,在进行反复测定的过程中,在测量端子121A的前端部上将会形成氧化物的堆积,将会增大与引脚3的接触阻抗。因此,必须以较短的周期更换新的测量端子121A。
发明内容
本发明的目的是提供一种在对电子器件进行特性测定时可防止电子器件的引脚被弯曲的电子器件测定装置。
本发明的其他目的是提供一种提高测定电子器件特性的测定精度的电子器件测定装置。
本发明的又一目的是提供一种可延长电子器件特性测定用测量端子的使用寿命的电子器件测定装置。
为了达到上述的目的,本发明的电子器件测定装置的特征是:所述第1及第2测量端子由具有弹性的材料构成,并且,被设置成可分别与所述引脚的同一面的基部侧及前端侧接触,所述第1测量端子的前端部突出于所述第2测量端子的前端部,并且,所述前端部从形成自所述引脚基部侧看去的钝角的方向按压所述引脚。
由于第1测量端子的前端部突出于第2测量端子的前端部,所以前者按压电子器件的引脚的按压力比后者强。如果从引脚侧的角度看,则由于在第1测量端子所接触的基部侧受到较大的作用力,第2测量端子所接触的前端侧受到较小的作用力,所以可防止引脚的弯曲。
本发明的另一种电子器件测定装置的特征是:包括保持所述第1及第2测量端子的各个基部的保持部件;具有被所述第1及第2测量端子在其厚度方向移动自如地插通的多个贯通孔、限制所述第1及第2测量端子在平行于所述引脚的排列方向的第1方向上的移动的限制部件;推挤所述限制部件,使所述第1及第2测量端子向接近所述引脚的方向移动的推挤部件,所述第1及第2测量端子的各个前端部被弯曲向所述引脚侧,其前端区域在上下方向相互对向,所述限制部件的贯通孔在与第1方向垂直的第2方向上的长度大于所述第1或第2测量端子在第2方向上的长度。
本发明的又一种电子器件测定装置的特征是:包括保持所述第1及第2测量端子的各个基部的保持部件;具有被所述第1及第2测量端子在其厚度方向移动自如地插通的多个贯通孔、限制所述第1及第2测量端子在所述引脚的排列方向上的移动的限制部件;推挤所述限制部件,使所述第1及第2测量端子向接近所述引脚的方向移动的推挤部件,所述第1及第2测量端子的各个前端部被弯曲向所述引脚侧,其前端区域在所述引脚的排列方向上展开,并在上下方向相互对向。
另外,关于本发明的电子器件测定方法,其特征在于:包括把具有引脚的电子器件搬送到测定位置上并用夹持部件夹持固定的第1工序;把电子器件测定用的第1及第2测量端子按压到所述电子器件的引脚的第2工序;使用所述第1及第2测量端子进行所述电子器件的电特性测定的第3工序;解除由所述夹持部件对所述电子器件的夹持的第4工序;和使所述第1及第2测量端子从所述电子器件的引脚分离的第5工序。
通过在解除对电子器件的夹持后使第1及第2测量端子从电子器件的引脚上分离,可使测量端子的前端部不经过在引脚表面上的滑动而直接分离开测量端子,可防止在测量端子的前端部上附着被剥离下的氧化膜层颗粒。
附图说明
图1是表示本发明1实施例的电子器件测定装置的剖面图。
图2是图1所示的接触器的主视图。
图3是图1所示的接触器的侧视图。
图4是图1所示的接触器的俯视图。
图5是图3中的V部的放大图。
图6是图4中的VI部的放大图。
图7是图2所示的限制部件的俯视图。
图8是表示图1所示电子器件测定装置的电路构成的方框图。
图9是表示图1及图8所示的电子器件测定装置的动作的流程图。
图10A是表示图1所示的电子器件测定装置的在测定时的状态的图,图10B是表示测量端子与引脚的接触状态放大图。
图11是说明图10B所示的第1测量端子的前端部的移动状况的说明图。
图12是具有引脚的SMD的主视图。
图13A是以SMD为测定对象的以往的电子器件测定装置的主视图,13B是表示在测定时的状态的图。
图14是表示图13B的在测定时的测量端子与引脚的接触状态的图。
图15是说明第1测量端子的前端部的移动状况的说明图。
具体实施方式
下面,参照附图,对本发明进行详细说明。
图1是表示本发明一实施例的电子器件测定装置的视图。在图1中,坐标系的“X”表示测量端子基部的厚度方向(测量端子前端部的弯曲方向)、“Y”表示测量端子的宽度方向、“Z”表示测量端子基部的长度方向。图1所示的电子器件测定装置具有把作为测定对象的SMD1向与“XZ”面垂直的“Y”方向搬送的测定滑槽11。测定滑槽11由形成SMD1通路的下面的台部11A、形成SMD1的通路的两侧面的引导部11B构成。另外,为了减小被搬送的SMD1与台部11A之间的摩擦阻抗,在SMD1的通路中设置微小的深度余量。
在SMD1的通路中的规定位置上对SMD1的电特性进行测定。称该规定位置为测定位置。在测定位置的上方配置按压部件,用于把被搬送到测定位置上的SMD1的主面按压固定在台部11A上。由按压部件13及台部11A构成把SMD1的主面夹在中间的夹持部。在测定位置上的把台部11A夹在中间的测定滑槽11的两侧上,配置具有测量端子的一对接触器20。
下面参照图2~图7,对接触器20的构成进行说明。如图2所示,接触器20具有由第1测量端子21A及第2测量端子21B构成的4对测量端子对21。测量端子对21的数量与测定对象SMD1在一侧的引脚3的根数相同。测量端子21A、21B相互隔离,并且在“Y”方向上交替地配置。
测量端子21A、21B通过使用铜等的具有弹性的导电材料形成线状制作而成。测量端子21A为加载电流/电压用的测量端子,测量端子21B为用于检测电流/电压的测量端子。由于在加载用的测量端子21A内流过的检测用的电流大于流过检测用的测量端子21B的电流,可使测量端子21A的径向截面积大于第2测量端子21B的径向截面积,以降低第1测量端子21A的电阻阻抗。
如图3所示,测量端子21A、21B的前端部侧向X方向呈大致直角的弯曲。又如图5所示,测量端子21A的弯曲部分的前端侧稍微突出于测量端子21B。测量端子21A的弯曲部的长度稍微长于测量端子21B的弯曲部,测量端子21A的前端突出于测量端子21B的前端。
如图6所示,测量端子21A、21B在前端部都向相互的区域方向扩展宽度,在扩展的部分上具有在上下方向上的相互对向区域。在测量端子21B的对向区域上,粘固由陶瓷等构成的绝缘部件31。由于绝缘部件31把测量端子21A、21B绝缘隔离,所以可防止两者的短路。由于只把绝缘部件31设置在测量端子21B的弯曲部的一部分区域上(图中的前端区域),所以,不会因绝缘部件31的重量而导致测量端子21B发生变形。另外,绝缘部件31只要至少粘固在测量端子21A、21B的各个对象面的一方便可。
如图2所示,测量端子21A、21B的基部共同被由塑料等的绝缘体构成的保持部件23所保持。印刷基板25被固定在保持部件23的下侧,基板25上的图形电路与测量端子21A、21B构成电连接。在基板25的下侧***测定器的连接头,从而构成接触  20与测定器的电流回路。
在4对测量端子对21的两侧配置其高度低于测量端子21A、21B的2根支撑部件27。支撑部件27的根部与测量端子对21一同被固定在保持部件23上,在其前端部之间设置横跨测量端子对21的限制部件29。支撑部件27由弹性材料构成,具有带状形状,可在其厚度方向(X方向)形成弹性变形,而在其宽度方向(Y方向)上不能形成弹性变形。
如图7所示,在被固定在支撑部件27上的限制部件29上形成8个截面为大致矩形的贯通孔29A。贯通孔29A是对应8个测量端子21A、21B而设置,在各个贯通孔29A内各***1根测量端子21A、21B。贯通孔29A在Y方向(第1方向)上的长度与插通贯通孔29A内的测量端子21A、21B在Y方向上的长度大致相同。实际上,贯通孔29A在Y方向的长度稍长于测量端子21A、21B在Y方向的长度,并且测量端子21A、21B在贯通孔29A内可在宽度的方向上进行微小的移动。
另一方面,贯通孔29A在X方向(第2方向)上的长度充分大于测量端子21A、21B在X方向的长度(厚度)。例如,前者的长度可大于后者长度的大约2倍。通过把测量端子21A、21B插通在这样形成的贯通孔29A内,一方面限制了测量端子21A、21B在Y方向上的移动,另一方面又确保了在X方向上的移动的自由度。在图7中,用斜线表示各个插通在贯通孔29A内的测量端子21A、21B的剖面。
另外,在此说明了在各个贯通孔29A内分别插通1根测量端子21A、21B的情况,但也可以在各个贯通孔内分别插通1对测量端子。在这种情况下,在构成测量端子对的测量端子21A、21B之间必须进行完全的绝缘。
如图1所示,这样构成的接触器20,其根部通过穿过保持部件23的螺孔23A的接触器固定螺钉15被固定在测定滑槽11的台部11A上。配置测量端子21A、21B,使其与SMD1的引脚3的排列方向一致,把测量端子21A、21B的前端部配置在对应的SMD1的引脚3的侧方。此时,测量端子21A的前端部位于引脚3的基部侧,测量端子21B的前端部位于引脚3的前端侧。接触器20的限制部件29与推挤部件17的前端部连接。推挤部件17向测定滑槽11的台部11A的中心方向推挤驱动限制部件29。
图8表示如此构成的电子器件测定装置的电路构成。控制电子器件测定装置全体动作的控制部41分别与和接触器20连接的测定器43、驱动按压部件13的推压部件驱动部13A及驱动推挤部件17的推挤部件驱动部17A连接。
下面,参照图9,对所构成的电子器件测定装置的动作进行说明。首先,把SMD1搬送到测定滑槽11的测定位置上,然后,控制部41控制按压部件驱动部13A使按压部件13下降。从而,把SMD1夹持固定在测定滑槽11的台部11A与按压部件13之间(步骤S1)。然后,控制部41控制推挤驱动部17A,使其驱动推挤部件,向测定滑槽11的台部11A的中心轴的方向推挤接触器20的限制部件29。从而使限制部件29如图10A所示的那样向台部11A的中心轴方向移动。随着限制部件29的移动,测量端子对21(测量端子21A、21B)逐渐弯曲,各个前端部分别与SMD1的引脚3的同一侧面(上面)形成接触(步骤S2)。
此时,由于贯通孔29A限制住测量端子21A、21B向Y方向的移动,所以,可防止测量端子21A、21B的各个前端部在Y方向上的位置偏移。即使发生了位置偏移,由于确保了测量端子21A、21B在贯通孔29A内的X方向上的移动自由度,所以利用限制部件29与操持部件23之间的测量端子21A、21B部分的弹性,可防止各个前端部进入到邻接的引脚之间,顶弯SMD1的引脚。另外,由于测量端子21A、21B在其前端部的宽度展宽,所以由此也可以防止前端部进入邻接的引脚之间,顶弯SMD1的引脚。其结果,可减少在在成型图形电路板上进行SMD1的安装时的引脚3与图形电路板的接触不良。
如图11所示,从引脚3的基部侧观察,则箭头①方向与SMD1的引脚3形成钝角θ,当从该箭头①方向推挤测量端子21A的前端部时,测量端子21A的前端部使引脚3的侧面朝向其根部向箭头②的方向滑动。其结果,如图10B所示,测量端子21A的前端部与测量端子21B的前端部之间的间隔形成扩张,测量端子21A、21B分别分开地与引脚3的基部侧和前端侧接触。
另一方面,由于测量端子21A在被弯曲的部分的长度梢长于第2测量端子21B,且测量端子21A的前端部突出于测量端子21B,所以测量端子21A对SMD1的引脚3的按压力比测量端子21B的按压力强。如果从引脚3侧观察,则在与测量端子21A接触的基部侧上受到比较大的力,而在与测量端子21B接触的前端侧上则只受到比较小的力。这样,可防止引脚3的弯曲,从而可减少在在成型图形电路板上进行SMD1的安装时的引脚3与图形电路板的接触不良。
然后,在测量端子21A、21B的前端部形成与SMD1的引脚3分开接触的状态下,对SMD1进行开耳芬接触方式的电特性测定(步骤S3)。这时,从测定器43通过测量端子21A对SMD1的引脚3加载电流或电压,通过测量端子21B检测出可得出其结果的电流或电压,然后通过测定器43对该检测结果进行分析,从而可获知该SMD1的电特性。
在一般的情况下,加载用测量端子的接触阻抗是导致该测量端子前端部发热损坏的原因,而检测用测量端子受接触阻抗的影响小。因此,把对SMD1的引脚3以比较强的力按压,以减小其与引脚3的接触阻抗的测量端子21A作为加载用测量端子。而把对引脚3以比较弱力按压,以形成比较大的接触阻抗的第2测量端子21B作为测定用测量端子。这样,可延长测量端子的寿命。
另外,如图11所示,在测量端子21A的前端部在SMD1的引脚3的表面上向箭头②的方向滑动时,引脚3表面上形成的氧化膜层将会剥落。因此,通过使测量端子21A强力地接触被剥离氧化膜层的引脚3表面,可降低造成测定误差的接触阻抗,从而可提高测定的准确性。
另外,SMD1的测定虽然是在测量端子21A、21B的各个前端部张开的状态下进行,但即使是在前端部未张开的状态下通过第1测量端子21A向引脚3加载电流或电压的情况下,由于在测量端子21A、21B的前端部之间设有绝缘部件31,所以不会降低测定的准确性。
在测定结束后,使按压部件13上升到还原位置,解除SMD1的被测定滑槽11的台部11A和按压部件13夹持固定的状态(步骤S4)。从而使SMD1能够在上下方向(Z方向)上移动。在这个状态下,解除推挤部件17对限制部件29的推挤。从而使测量端子21A、21B在反作用力的作用下还原到原来的状态,使测量端子21A、21B的前端部与SMD1的引脚3分离(步骤S5)。
这样,在使SMD1形成可在上下方向移动的状态之后,通过从SMD1的引脚3分离开测量端子21A的前端部,测量端子21A的前端部不向与箭头②方向相反的方向滑动,而直接向箭头③的方向分离。因此,可防止被剥离下的氧化膜层颗粒附着在测量端子21A的前端部上,从而可延长测量端子21A的寿命。
另外,即使在从SMD1的引脚被分离开的测量端子21A、21B的各个前端部呈合拢的状态下对测量端子21A加载电流或电压的情况下,由于测量端子21A、21B的各个前端部之间配置有绝缘部件31,所以可防止因测量端子21A、21B之间的短路而发生的测定错误。
本实施例的电子器件测定装置由于使测量端子21A、21B的前端部与SMD1的引脚3的同一侧面接触,所以测量端子21A、21B的移动量比图13所示的以往的测量端子121B小。因此,不需要在测量端子21A、21B的途中设置接触部,并可减小造成测定误差的原因的接触阻抗,从而可提高测定的准确性。
另外,本实施例是以测定对象为图12所示的SMD1的情况为例进行的说明,但也可以是SMD1以外的其他电子器件。例如也可以是对向的引脚为从其基部呈八字状地直线扩张的电子器件。
如上所述,本发明把第1及第2测量端子设置成分别与电子器件的引脚的同一面的基部侧及前端侧接触,第1测量端子的与引脚接触的前端部突出于第2测量端子的前端部,从形成自引脚的基部侧看去形成钝角的方向推挤引脚。由于第1测量端子的前端部突出于第2测量端子的前端部,所以第1测量端子能够以比第2测量端子强的力按压电子器件的引脚,从而可防止引脚的弯曲。因此,可减少在成型图形电路板上进行电子器件的安装时的引脚与图形电路板的接触不良。另外,通过把与引脚的接触阻抗比较小的第1测量端子作为加载用测量端子,把接触阻抗比较大的第2测量端子作为测定用测量端子,可减小电子器件的测定误差,可提高测定的准确性。
另外,在限制部件的贯通孔内,使与电子器件的引脚在排列方向(第1方向)垂直的第2方向的长度长于第1或第2测量端子在第2方向的长度。这样,可确保贯通孔内的第2方向上的第1及第2测量端子的自由度,可利用在限制部件与保持部件之间部分的第1及第2测量端子的弹性。从而,即使第1及第2测量端子的前端部在引脚的排列方向上形成错位,也可以防止因该前端部进入到相邻的2根引脚之间而造成引脚的弯曲。
另外,通过在前端部扩展第1及第2测量端子的宽度,即使在第1及第2测量端子的前端部在引脚的排列方向上发生错位的情况下,也可以防止因该前端部进入到相邻的2根引脚之间而造成引脚的弯曲。
另外,通过在停止对电子器件的夹持固定后使第1及第2测量端子与电子器件的引脚分离,能够使测量端子的前端部不形成在引脚表面上的滑动,而分离开测量端子。因此,可防止被剥离下的氧化膜层的颗粒附着在测量端子的前端部上,从而可延长测量端子的寿命。

Claims (8)

1.一种电子器件测定装置,是一种使第1及第2测量端子分别接触电子器件的多个引脚,对所述电子器件进行测定的电子器件测定装置,其特征在于:所述第1及第2测量端子由具有弹性的材料构成,并且,被设置成可分别与所述引脚的同一面的基部侧及前端侧接触,所述第1测量端子的前端部突出于所述第2测量端子的前端部,并且,所述前端部从形成自所述引脚基部侧看去的钝角的方向按压所述引脚。
2.根据权利要求1所述的电子器件测定装置,其特征在于:在所述第1及第2测量端子之间设置绝缘部件。
3.根据权利要求2所述的电子器件测定装置,其特征在于:只在第1及第2测量端子的前端部的前端区域上设置绝缘部件。
4.根据权利要求1所述的电子器件测定装置,其特征在于:所述第1测量端子的径向截面面积大于所述第2测量端子的径向截面面积。
5.根据权利要求1所述的电子器件测定装置,其特征在于:具有在所述电子器件的测定位置上夹持所述电子器件的夹持部件。
6.一种电子器件测定装置,是一种使第1及第2测量端子分别接触电子器件的多个引脚,对所述电子器件进行测定的电子器件测定装置,其特征在于:包括保持所述第1及第2测量端子的各个基部的保持部件;具有被所述第1及第2测量端子在其厚度方向移动自如地插通的多个贯通孔、限制所述第1及第2测量端子在平行于所述引脚的排列方向的第1方向上的移动的限制部件;推挤所述限制部件,使所述第1及第2测量端子向接近所述引脚的方向移动的推挤部件,所述第1及第2测量端子的各个前端部被弯曲向所述引脚侧,其前端区域在上下方向相互对向,所述限制部件的贯通孔在与第1方向垂直的第2方向上的长度大于所述第1或第2测量端子在第2方向上的长度。
7.一种电子器件测定装置,是一种使第1及第2测量端子分别接触电子器件的多个引脚,对所述电子器件进行测定的电子器件测定装置,其特征在于:包括保持所述第1及第2测量端子的各个基部的保持部件;具有被所述第1及第2测量端子在其厚度方向移动自如地插通的多个贯通孔、限制所述第1及第2测量端子在所述引脚的排列方向上的移动的限制部件;推挤所述限制部件,使所述第1及第2测量端子向接近所述引脚的方向移动的推挤部件,所述第1及第2测量端子的各个前端部被弯曲向所述引脚侧,其前端区域在所述引脚的排列方向上展开,并在上下方向相互对向。
8.一种电子器件的测定方法,其特征在于:包括把具有引脚的电子器件搬送到测定位置上,并用夹持部件夹持固定的第1工序;把电子器件测定用的第1及第2测量端子按压到所述电子器件的引脚的第2工序;使用所述第1及第2测量端子进行所述电子器件的电特性测定的的第3工序;在所述电子器件的测定结束后,解除由所述夹持部件对所述电子器件的夹持的第4工序;和使所述第1及第2测量端子从所述电子器件的引脚分离的第5工序。
CNB021424950A 2001-09-20 2002-09-20 电子器件测定装置及测定方法 Expired - Lifetime CN1204615C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001286629 2001-09-20
JP2001286629A JP4024023B2 (ja) 2001-09-20 2001-09-20 電子部品測定装置及び方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1405873A CN1405873A (zh) 2003-03-26
CN1204615C true CN1204615C (zh) 2005-06-01

Family

ID=19109574

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB021424950A Expired - Lifetime CN1204615C (zh) 2001-09-20 2002-09-20 电子器件测定装置及测定方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP4024023B2 (zh)
KR (1) KR100508376B1 (zh)
CN (1) CN1204615C (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1314974C (zh) * 2004-08-06 2007-05-09 中国科学院上海微***与信息技术研究所 纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法
JPWO2006068156A1 (ja) * 2004-12-22 2008-06-12 株式会社 オプト・システム ケルビンプローブ
JP4831614B2 (ja) * 2006-08-15 2011-12-07 株式会社ヨコオ ケルビン検査用治具
JP5144997B2 (ja) * 2007-09-21 2013-02-13 東京特殊電線株式会社 コンタクトプローブユニット及びその製造方法
JP5086872B2 (ja) * 2008-04-07 2012-11-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 電子部品測定装置の測子の接触機構及びそれを用いた電子部品測定装置
SG192135A1 (en) * 2011-05-26 2013-09-30 Ismeca Semiconductor Holding Clamp
CN111366811B (zh) * 2020-03-19 2022-06-21 北京广利核***工程有限公司 一种电子元器件的集成式自动检验装置及方法
CN114325339B (zh) * 2021-12-31 2024-04-05 苏州思迈尔电子设备有限公司 传感器电路板检测装置及其检测方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58158939A (ja) * 1982-03-16 1983-09-21 Nec Corp 半導体ウエハ−、チツプの測定方法
JPH05144895A (ja) * 1991-11-20 1993-06-11 Nec Yamagata Ltd プローブカード
US6121783A (en) * 1997-04-22 2000-09-19 Horner; Gregory S. Method and apparatus for establishing electrical contact between a wafer and a chuck
KR19980084369A (ko) * 1997-05-23 1998-12-05 배순훈 켈빈 프로브 팁
JPH1164385A (ja) * 1997-08-21 1999-03-05 Hitachi Electron Eng Co Ltd 検査用基板のプローブ

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030025839A (ko) 2003-03-29
JP4024023B2 (ja) 2007-12-19
KR100508376B1 (ko) 2005-08-17
CN1405873A (zh) 2003-03-26
JP2003090849A (ja) 2003-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1930482A (zh) 探针以及探针的制造方法
CN1305181C (zh) 接触构件
US7808261B2 (en) Contact with plural beams
CN110501538B (zh) 检查夹具、检查装置、以及探针的制造方法
KR100659944B1 (ko) 플런저 및 이를 장착한 검사용 탐침장치
CN1204615C (zh) 电子器件测定装置及测定方法
CN1237709A (zh) 适合检查多接脚装置的探针卡
CN1950709A (zh) 对器件的探查
CN1782716A (zh) 探针板、使用其的检查方法及由该方法检查的半导体装置
CN1809757A (zh) 测试被测体的电气特性的测试方法及测试装置
KR102155315B1 (ko) 기계적 변형 시험기
CN1726398A (zh) 检验方法及检验装置
CN101071140A (zh) 基板检查用触头、基板检查用夹具及基板检查装置
CN113287023A (zh) 接触端子、检查治具以及检查装置
CN1393696A (zh) 检测器的按压接触结构
CN1601283A (zh) 连接卡
JP3558298B2 (ja) 電極集合体、icソケット、icテスター、および電極集合体の製造方法
US12000863B2 (en) Probe pin having gripping structure
CN1146730C (zh) 使用方便的接触装置
JP2017036997A (ja) 両面回路基板の検査装置及び検査方法
CN200953030Y (zh) 一种晶圆测试卡
CN102326304A (zh) 同轴连接器
JP3059385U (ja) 検査用プローブ
US11454650B2 (en) Probe, inspection jig, inspection device, and method for manufacturing probe
EP0522572A1 (en) Method and device for measuring a semiconductor element with bumps, and method and device for manufacturing a semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20050601

CX01 Expiry of patent term