CN117716476A - 基板处理方法和基板处理装置 - Google Patents

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CN117716476A CN202280052438.7A CN202280052438A CN117716476A CN 117716476 A CN117716476 A CN 117716476A CN 202280052438 A CN202280052438 A CN 202280052438A CN 117716476 A CN117716476 A CN 117716476A
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Abstract

一种基板处理方法，是使基板与超临界状态的处理流体接触来对该基板进行处理的基板处理装置的基板处理方法，基板处理装置具备：处理容器(31)，其具有能够收容基板的处理空间；主供给线路(50)，其用于向处理空间供给处理流体；排出线路(52)，其具有第一开闭阀，该排出线路(52)用于从处理空间排出处理流体；以及旁通线路(53)，其从主供给线路(50)的分支点处分支出来，在排出线路(52)中的比第一开闭阀靠下游侧的合流点处合流，基板处理方法包括升压工序和保持工序。在升压工序中，在基板收容于处理空间的状态下，从主供给线路(50)向处理空间供给处理流体，由此将处理空间的压力升压至给定的处理压力(P1)。在保持工序中，在升压工序之后，在将第一开闭阀关闭的状态下使处理流体向旁通线路(53)流通，并且将处理空间的压力保持在处理压力(P1)。

Description

基板处理方法和基板处理装置
技术领域
本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。
背景技术
在半导体晶圆(下面，也称为晶圆。)等基板的表面形成集成电路的层叠构造的半导体装置的制造工序中，已知有将添加了添加剂的超临界状态的处理流体长时间地封入在处理容器内的基板处理(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2008-532268号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够将超临界状态的处理流体跨越长时间地稳定地封入在处理容器内的技术。
用于解决问题的方案
基于本公开的一个方式的基板处理方法是使基板与超临界状态的处理流体接触来对该基板进行处理的基板处理装置的基板处理方法。所述基板处理装置具备处理容器、主供给线路、排出线路以及旁通线路。处理容器具有能够***述基板的处理空间。主供给线路用于向所述处理空间供给所述处理流体。排出线路具有第一开闭阀，该排出线路用于从所述处理空间排出所述处理流体。旁通线路从所述主供给线路的分支点处分支出来，在所述排出线路中的比所述第一开闭阀靠下游侧的合流点处合流。另外，基于本公开的一个方式的基板处理方法包括升压工序和保持工序。在升压工序中，在所述基板收容于所述处理空间的状态下，从所述主供给线路向所述处理空间供给所述处理流体，由此将所述处理空间的压力升压至给定的处理压力。在保持工序中，在所述升压工序之后，在将所述第一开闭阀关闭的状态下使所述处理流体向所述旁通线路流通，并且将所述处理空间的压力保持在所述处理压力。
发明的效果
根据本公开，能够将超临界状态的处理流体长时间且稳定地封入在处理容器内。
附图说明
图1是示出实施方式所涉及的基板处理***的概要结构的图。
图2是示出实施方式所涉及的供给处理单元的结构的一例的截面图。
图3是示出实施方式所涉及的基板处理单元的结构的一例的外观立体图。
图4是示出实施方式所涉及的连接于基板处理单元的供给线路和排出线路的结构的一例的图。
图5是示出实施方式所涉及的基板处理单元执行的各处理的过程的一例的流程图。
图6是示出实施方式所涉及的升压处理、保持处理、流通处理以及减压处理时的处理空间的压力的随时间的变化的一例的图。
图7是示出实施方式所涉及的升压处理的动作例的图。
图8是示出实施方式所涉及的保持处理的动作例的图。
图9是示出实施方式所涉及的流通处理的动作例的图。
图10是示出实施方式所涉及的减压处理的动作例的图。
图11是示出实施方式所涉及的减压处理的动作例的图。
图12是示出其它实施方式所涉及的保持处理的动作例的图。
具体实施方式
下面，参照附图来详细地说明本申请公开的基板处理方法和基板处理装置的实施方式。此外，并不通过以下所示的实施方式来限定本公开。另外，需要注意的是，附图是示意性的，各要素的尺寸关系、各要素的比率等有时与实际不同。并且，在附图的彼此间有时也包括彼此的尺寸关系、比率不同的部分。
在半导体晶圆(下面，也称为晶圆。)等基板的表面形成集成电路的层叠构造的半导体装置的制造工序中，已知有将添加了添加剂的超临界状态的处理流体长时间地封入在处理容器内的基板处理。
另一方面，当在处理容器内封入高压的超临界状态的处理流体时，会从阀等产生泄漏，因此难以将超临界状态的处理流体长时间且稳定地封入在处理容器内。
因此，期待克服上述的问题点，实现能够将超临界状态的处理流体长时间且稳定地封入在处理容器内的技术。
＜基板处理***的概要＞
首先，参照图1来说明实施方式所涉及的基板处理***1的概要结构。图1是示出实施方式所涉及的基板处理***1的概要结构的图。以下，为了使位置关系明确，规定彼此正交的X轴、Y轴及Z轴，并将Z轴正方向设为铅直向上方向。
如图1所示，基板处理***1具备搬入搬出站2和处理站3。基板处理***1是基板处理装置的一例。搬入搬出站2与处理站3相邻地设置。
搬入搬出站2具备承载件载置部11和搬送部12。在承载件载置部11载置将多张半导体晶圆W(下面记载为“晶圆W”)以水平状态收容的多个承载件C。晶圆W是基板的一例。
搬送部12与承载件载置部11相邻地设置，在搬送部12的内部具备基板搬送装置13和交接部14。基板搬送装置13具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置13能够进行沿水平方向和铅直方向的移动、以及以铅直轴为中心的回转，基板搬送装置13使用晶圆保持机构来在承载件C与交接部14之间进行晶圆W的搬送。
处理站3与搬送部12相邻地设置。处理站3具备搬送部15、多个供给处理单元16以及多个基板处理单元17。多个供给处理单元16与多个基板处理单元17排列设置于搬送部15的两侧。图1所示的供给处理单元16和基板处理单元17的配置、个数是一例，不限定于图示的配置、个数。
搬送部15在内部具备基板搬送装置18。基板搬送装置18具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置18能够进行沿水平方向和铅直方向的移动、以及以铅直轴为中心的回转，基板搬送装置18使用晶圆保持机构来在交接部14、供给处理单元16以及基板处理单元17之间进行晶圆W的搬送。
供给处理单元16对由基板搬送装置18搬送来的晶圆W进行给定的添加剂供给处理。关于供给处理单元16的结构例，在后文叙述。
基板处理单元17对由供给处理单元16供给了添加剂的晶圆W进行给定的基板处理。关于基板处理单元17的结构例，在后文叙述。
另外，基板处理***1具备控制装置4。控制装置4例如是计算机，具备控制部19和存储部20。
控制部19包括具有CPU(Central Processing Unit：中央处理器)、ROM(Read OnlyMemory：只读存储器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、输入输出端口等的微计算机、各种电路。该微计算机的CPU通过读出并执行ROM中存储的程序来实现后述的控制。
此外，该程序也可以是记录于能够由计算机读取的记录介质的程序，从该记录介质被安装到控制装置4的存储部20。作为能够由计算机读取的记录介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
存储部20例如通过RAM、闪速存储器(Flash Memory)等半导体存储器元件、或者硬盘、光盘等存储装置来实现。
在如上述那样构成的基板处理***1中，首先，搬入搬出站2的基板搬送装置13从载置于承载件载置部11的承载件C取出晶圆W，并将所取出的晶圆W载置于交接部14。载置于交接部14的晶圆W被处理站3的基板搬送装置18从交接部14取出，并被搬入到供给处理单元16。
被搬入到供给处理单元16的晶圆W在通过供给处理单元16而被实施了添加剂供给处理之后，被基板搬送装置18从供给处理单元16搬出。从供给处理单元16搬出的晶圆W被基板搬送装置18搬入到基板处理单元17，通过基板处理单元17而被实施基板处理。
通过基板处理单元17进行了基板处理的晶圆W被基板搬送装置18从基板处理单元17搬出，并被载置于交接部14。然后，载置于交接部14的处理完毕的晶圆W被基板搬送装置13送回承载件载置部11的承载件C。
＜供给处理单元的结构＞
接着，参照图2来说明供给处理单元16的结构。图2是示出实施方式所涉及的供给处理单元16的结构的一例的截面图。供给处理单元16例如构成为逐张地对晶圆W的上表面供给添加剂A的单片式的供给处理单元。
如图2所示，供给处理单元16利用配置在形成处理空间的外腔室23内的晶圆保持机构25以使晶圆W大致水平的方式保持晶圆W，并通过使该晶圆保持机构25绕铅直轴旋转来使晶圆W旋转。
而且，供给处理单元16使喷嘴臂26进入到旋转的晶圆W的上方，通过从设置于该喷嘴臂26的前端部的喷嘴26a供给添加剂A，来对晶圆W的上表面进行添加剂供给处理。
在上述的添加剂供给处理中供给的添加剂A例如是低价的醇(例如乙醇、甲醇、IPA(异丙醇)等)与极性不同于该低价的醇的极性的液体的混合液。另外，添加剂A是与被用作处理流体的CO2(二氧化碳)之间的亲和性高的液体。
该添加剂A是预先以给定的比例混合而成的添加剂，被贮存于贮存部28。贮存部28具有罐28a和密闭容器28b。在罐28a中贮存预先以给定的比例混合而成的添加剂A。
此外，可以在罐28a的内部设置有搅拌机构(未图示)等。由此，能够将混合了极性不同的多种药液的添加剂A以良好地混合后的状态供给到晶圆W。
在密闭容器28b的内部保存罐28a，密闭容器28b隔离出用于收容该罐28a的内部空间、以及外部空间。
另外，控制部19(参照图1)使氮气供给部27动作来向罐28a的内部供给氮气，由此将密闭容器28b的内部升压。由此，经由连接在罐28a的内部与喷嘴26a之间的、添加剂供给部29的添加剂供给路29a来向喷嘴26a供给添加剂A。
氮气供给部27具有氮气供给源27a、氮气供给路径27b、流量调整器27c以及过滤器27d。氮气供给源27a例如是贮藏氮气的罐。氮气供给路径27b将氮气供给源27a与罐28a的内部连接，用于从氮气供给源27a向罐28a的内部供给氮气。
流量调整器27c配置于氮气供给路径27b，用于调整向罐28a的内部供给的氮气的流量。流量调整器27c具有开闭阀、流量控制阀以及流量计等。过滤器27对在氮气供给路径27b流通的氮气进行过滤。
另外，在添加剂供给部29的添加剂供给路29a设置有阀29b。控制部19能够通过打开和关闭该阀29b，来控制是否向喷嘴26a供给添加剂A。
在实施方式所涉及的添加剂供给处理中，一边使晶圆保持机构25旋转，一边向晶圆W的整个上表面供给添加剂A，之后，使晶圆保持机构25的旋转平缓地停止。
通过这样结束了添加剂供给处理的晶圆W保持着在其上表面盛有添加剂A的状态、换言之在晶圆W的上表面形成有添加剂A的液膜的状态，被设置于晶圆保持机构25的未图示的交接机构交接给基板搬送装置18。之后，晶圆W从供给处理单元16被搬出。
此外，在该添加剂供给处理中，从晶圆W溢出的添加剂A被外腔室23、配置在外腔室23内的内杯24接住。
而且，添加剂A从设置于外腔室23的底部的排液口23a、设置于内杯24的底部的排液口24a被排出。并且，外腔室23内的气氛从设置于外腔室23的底部的排气口23b被排气。
结束供给处理单元16中的添加剂供给处理且在上表面盛有添加剂A的晶圆W被搬送到基板处理单元17。
然后，在基板处理单元17内，一边将晶圆W上表面的添加剂A与超临界状态的处理流体(下面，记载为“超临界流体”)混合，一边使该超临界流体与晶圆W接触，由此进行针对晶圆W的基板处理。
＜基板处理单元的结构＞
接着，参照图3来说明基板处理单元17的结构。图3是示出实施方式所涉及的基板处理单元17的结构的一例的外观立体图。
如图3所示，基板处理单元17具有处理容器31、保持板32以及盖构件33。在处理容器31形成有用于搬入和搬出晶圆W的开口部34。保持板32在水平方向上保持作为处理对象的晶圆W。盖构件33支承该保持板32，并且在将晶圆W搬入到了处理容器31内时将开口部34密闭。
处理容器31在内部具有例如能够收容直径300mm的晶圆W的处理空间。在处理空间设置有第一供给头36、第二供给头37以及排出头38。
在第一供给头36、第二供给头37以及排出头38形成有沿着长边方向、具体地说是沿着与晶圆W的搬入搬出方向(Y轴方向)正交的水平方向(X轴方向)排列的多个开口。
第一供给头36与主供给线路50连接，用于将从该主供给线路50供给的处理流体供给到处理空间。
具体地说，第一供给头36以使多个开口朝向上方的状态设置于处理空间的底部，从比收容于处理空间的晶圆W(未图示)靠下方的位置朝向晶圆W的下表面供给处理流体。
此外，第一供给头36只要从至少比晶圆W靠下方的位置向处理空间供给处理流体即可，未必需要朝向上方供给处理流体。
第二供给头37与副供给线路51连接，用于将从该副供给线路51供给的处理流体供给到处理空间。副供给线路51的下游侧的端部分支为分支供给线路51b、51c。
分支供给线路51b与第二供给头37的长边方向上的一个端部连接，分支供给线路51c与第二供给头37的长边方向上的另一个端部连接。
第二供给头37同处理空间中的与开口部34相反一侧的侧面相邻地设置。形成于第二供给头37的多个开口配置在比被收容于处理空间的晶圆W(未图示)靠上方的位置，并且朝向开口部34侧。第二供给头37将从第二供给线路供给的处理流体从处理空间中的与开口部34相反一侧的侧面朝向开口部34大致水平地供给。
排出头38与排出线路52连接，在处理空间中与开口部34侧的侧面相邻，并且设置在比开口部34靠下方的位置。形成于排出头38的多个开口朝向第二供给头37侧。该排出头38将处理空间内的处理流体排出到排出线路52。
此外，排出线路52的上游侧的端部分支为分支排出线路52a、52b。分支排出线路52a与排出头38的长边方向上的一个端部连接，分支排出线路52b与排出头38的长边方向上的另一个端部连接。
基板处理单元17从主供给线路50经由第一供给头36向处理容器31的处理空间供给处理流体，由此使处理空间的压力上升(后述的升压处理)。
之后，基板处理单元17的分别设置于主供给线路50、副供给线路51以及排出线路52的阀109、111、118(参照图4)全部成为关闭状态。
由此，使处理容器31的处理空间保持在给定的处理压力P1(参照图5)(后述的保持处理)，并通过添加了添加剂A的处理流体来对晶圆W实施给定的基板处理。作为该基板处理，例如能够举出氧化处理、氘化处理、羟基化处理等。
之后，基板处理单元17一边从副供给线路51经由第二供给头37向处理空间供给处理流体，一边将供给到处理空间的处理流体经由排出头38排出到排出线路52(后述的流通处理)。
由此，在处理空间中形成在晶圆W的周围向规定的方向流动的处理流体的层流。该处理流体的层流例如从第二供给头37起在晶圆W的上方沿着晶圆W的上表面朝向开口部34的上部流动。并且，在开口部34的上方，处理流体的层流的方向向下方侧改变，处理流体的层流通过开口部34的附近并朝向排出头38流动。
接着，参照图4来说明连接于基板处理单元17的供给线路和排出线路的结构。图4是示出连接于基板处理单元17的供给线路和排出线路的结构的一例的图。
如图4所示，实施方式所涉及的处理流体的供给线路构成为包括主供给线路50和副供给线路51。主供给线路50在一端侧与作为处理流体的供给源的流体供给源100连接，在另一端侧与处理容器31内部的第一供给头36(参照图3)连接。
流体供给源100例如是贮藏作为处理流体的一例的CO2的罐。贮藏于流体供给源100的处理流体被供给到主供给线路50和副供给线路51。
在主供给线路50上，从上游侧去向下游侧依次设置有阀101、合流部50a、加热器102、压力传感器103、分支部50b、节流孔104、温度传感器105、分支部50c、阀106以及压力传感器107。
并且，在主供给线路50上，从压力传感器107去向下游侧依次设置有温度传感器108、分支部50d、阀109以及过滤器110。分支部50d是分支点的一例。此外，本公开中的上游侧和下游侧这些用语以处理流体的流动方向为基准。
阀101是用于调整来自流体供给源100的处理流体的供给和非供给的阀，在打开状态下使超临界流体向下游侧的主供给线路50流通，在关闭状态下不使超临界流体向下游侧的主供给线路50流通。
例如，在阀101处于打开状态的情况下，被加压至19MPa～20MPa左右而成为超临界状态的处理流体从流体供给源100经由阀101被供给到主供给线路50。
加热器102对在阀101的下游侧流动的处理流体进行加热。压力传感器103在加热器102与分支部50b之间检测在主供给线路50中流动的处理流体的压力。
节流孔104用于调整从流体供给源100供给的处理流体的压力。温度传感器105在节流孔104与分支部50c之间检测在主供给线路50中流动的处理流体的温度。阀106是用于调整针对主供给线路50的分支部50d的处理流体的供给和非供给的阀。
压力传感器107在阀106与温度传感器108之间检测在主供给线路50中流动的处理流体的压力。温度传感器108在压力传感器107与分支部50d之间检测在主供给线路50中流动的处理流体的温度。
阀109是第二开闭阀的一例，是用于调整针对基板处理单元17的第一供给头36的处理流体的供给和非供给的阀。过滤器110将在主供给线路50中流动的处理流体中所含的异物去除。
此外，主供给线路50在合流部50a处与吹扫线路55连接。吹扫线路55的一个端部与吹扫气体供给源126连接，另一个端部与主供给线路50的合流部50a连接。
吹扫气体供给源126例如是贮藏吹扫气体的罐。吹扫气体例如是氮气等非活性气体。在吹扫线路55的中途部，从吹扫气体供给源126侧起去向主供给线路50侧依次设置有止回阀127和阀128。
例如在处理流体向基板处理单元17的处理空间的供给停止的期间，贮藏于吹扫气体供给源126的吹扫气体经由吹扫线路55和主供给线路50被供给到基板处理单元17的处理空间。
另外，主供给线路50在分支部50b处与分支线路56连接。分支线路56的一个端部与主供给线路50的分支部50b连接，另一个端部与废气部EXH连接。在分支线路56的中途部设置有阀129。
副供给线路51在上游侧与主供给线路50的分支部50c连接，在下游侧在分支部51a处分支为分支供给线路51b和分支供给线路51c，并与处理容器31内部的第二供给头37(参照图3)连接。
在副供给线路51上，从分支部50c去向下游侧依次设置有阀111、过滤器112以及分支部51a。阀111是用于调整针对基板处理单元17的第二供给头37的处理流体的供给和非供给的阀。过滤器112将在副供给线路51中流动的处理流体中所含的异物去除。
在分支供给线路51b、51c上分别设置有温度传感器113、114。温度传感器113、114在分支供给线路51b、51c中检测在副供给线路51中流动的处理流体的温度。
在基板处理单元17的处理容器31设置有温度传感器115。温度传感器115检测处理容器31内部的处理空间的温度。
排出线路52在一端侧与处理容器31内部的排出头38(参照图3)连接，在另一端侧与废气部EXH连接。
排出线路52的与排出头38连接的上游侧分支为分支排出线路52a和分支排出线路52b。分支排出线路52a与分支排出线路52b在下游侧的合流部52c处合流。
在分支排出线路52a上，从上游侧去向下游侧依次设置有温度传感器116和压力传感器117。温度传感器108在分支排出线路52a中检测在排出线路52中流动的处理流体的温度。压力传感器117在分支排出线路52a中检测在排出线路52中流动的处理流体的压力。
在排出线路52上，从合流部52c起去向下游侧依次设置有阀118、合流部52d、压力调整阀119、温度传感器120、压力传感器121以及阀122。合流部52d是合流点的一例。
阀118是第一开闭阀的一例，是用于调整处理流体从基板处理单元17的排出和非排出的阀。
压力调整阀119是用于调整在排出线路52中流动的处理流体的压力的阀，例如由背压阀构成。能够在控制装置4的控制下根据基板处理单元17的处理空间的压力适应性地调整压力调整阀119的开度。例如能够通过PID(Proportional-Integral-Differential：比例积分微分)控制来调整压力调整阀119的开度。
温度传感器120在压力调整阀119的下游侧检测在排出线路52中流动的处理流体的温度。压力传感器121在压力调整阀119的下游侧检测在排出线路52中流动的处理流体的压力。
阀122是用于调整处理流体向废气部EXH的排出和非排出的阀。在将处理流体向废气部EXH排出的情况下阀122被打开，在不排出处理流体的情况下阀122被关闭。
另外，在实施方式中，在主供给线路50与排出线路52之间连接有旁通线路53。该旁通线路53在一端侧与主供给线路50的分支部50d连接，在另一端侧与排出线路52的合流部52连接。
在旁通线路53上，从分支部50d去向合流部52d依次设置有节流孔123、分支部53a以及阀124。节流孔123用于调整在旁通线路53中流动的处理流体的压力。阀124是用于调整旁通线路53中的处理流体的流通和非流通的阀。
另外，旁通线路53在分支部53a处与分支线路54连接。分支线路54的一个端部与旁通线路53的分支部53a连接，另一个端部与废气部EXH连接。在分支线路54的中途部设置有阀125。
＜实施方式＞
接着，参照图5～图11来说明实施方式所涉及的基板处理的详情。图5是示出实施方式所涉及的基板处理单元17执行的各处理的过程的一例的流程图，图6是示出实施方式所涉及的升压处理、保持处理、流通处理以及减压处理时的处理空间的压力的随时间的变化的一例的图。
此外，通过控制部19(参照图1)读出控制装置4(参照图1)的存储部20(参照图1)中保存的程序并基于所读出的命令控制基板处理单元17，来执行图5所示的各处理过程。
另外，在步骤S101中的搬入处理的开始时间点，图4所示的全部的阀101、106、109、111、118、122、124、125、128、129以及压力调整阀119为关闭状态。
如图5所示，在基板处理单元17中，首先，进行将盛有添加剂A的晶圆W搬入到处理空间的搬入处理(步骤S101)。在该搬入处理中，首先，将盛有添加剂A的晶圆W保持于保持板32(参照图3)。之后，将保持板32及盖构件33与晶圆W一同收容于处理容器31的内部，通过盖构件33将开口部34密闭。
接着，在基板处理单元17中，进行升压处理(步骤S102)。在该升压处理中，如图7所示，将主供给线路50的阀101、106、109变更为打开状态。图7是示出实施方式所涉及的升压处理的动作例的图。
由此，如图7中用粗虚线所示，从流体供给源100经由主供给线路50将超临界状态的处理流体供给到处理空间。此外，在该升压处理中，将副供给线路51的阀111、排出线路52的阀118、122及压力调整阀119、旁通线路53的阀124、以及分支线路54的阀125维持在关闭状态。
因此，通过向基板处理单元17内的处理空间供给处理流体，该处理空间的压力上升。具体地说，如图6所示，从时间T1到时间T2进行升压处理，由此处理空间的压力从大气压上升至处理压力P1。
处理压力P1是超过使作为处理流体的CO2成为超临界状态的临界压力Ps(约7.2MPa)的压力，例如为18MPa左右。通过该升压处理，处理空间内的处理流体相变为超临界状态，与盛在晶圆W的上表面的添加剂A混合。
此外，在升压处理中，将处理流体从配置于晶圆W的下方的第一供给头36(参照图3)供给到晶圆W的下表面。由此，防止由于处理流体碰到晶圆W的上表面而使盛在晶圆W的上表面的添加剂A洒落。
此外，在图7～图12中，为了使得容易理解，省略了主供给线路50、副供给线路51、排出线路52、旁通线路53及分支线路54、以及设置于这些线路的各线路的多个阀以外的图示。另外，在图7～图12中，对打开状态的阀标注“O”，对关闭状态的阀标注“C”。
接着，如图5所示，在基板处理单元17中，进行保持处理(步骤S103)。在该保持处理中，将基板处理单元17内的处理空间隔离，如图6所示，从时间T2到时间T3(例如几小时左右)，将处理空间的压力保持在处理压力P1。由此，在处理空间中对晶圆W实施给定的基板处理。
而且，在实施方式所涉及的保持处理中，如图8所示，将主供给线路50的阀109变更为关闭状态，将排出线路52的压力调整阀119变更为PID控制状态(在以下的附图中记载为“PID”)。
另外，在保持处理中，将排出线路52的阀122和旁通线路53的阀124变更为打开状态。图8是示出实施方式所涉及的保持处理的动作例的图。
由此，如图8中用粗虚线所示，从流体供给源100经由主供给线路50向比旁通线路53与排出线路52间的合流部52d靠下游侧的位置供给超临界状态的处理流体。
此外，在该保持处理中，将主供给线路50的阀101、106维持在打开状态，将副供给线路51的阀111、排出线路52的阀118以及分支线路54的阀125维持在关闭状态。
如图8所示，在实施方式所涉及的保持处理中，将基板处理单元17的处理容器31隔离的全部的阀109、111、118在与连接于处理容器31的一侧相反的一侧以高的压力(例如18MPa)与流动的超临界流体接触。
换言之，在实施方式中，通过使超临界流体向旁通线路53流通，除了阀109、111以外，排出线路52的阀118也在与连接于处理容器31的一侧相反的一侧以高的压力与流动的超临界流体接触。
由此，即使在将处理容器31隔离的阀109、111、118中发生了由于夹杂异物等引起的不良状况的情况下，也能够抑制保持于处理容器31内的超临界状态的处理流体泄漏。这是由于，在将处理容器31隔离的全部的阀109、111、118(尤其是阀118)的两侧几乎不产生成为泄漏的原因的压力差。
因而，根据实施方式，能够将超临界状态的处理流体长时间且稳定地封入在处理容器31内。
另外，在实施方式中，能够在抑制处理流体的补充的同时将超临界状态的处理流体长时间且稳定地封入在处理容器31内，因此能够稳定地维持处理容器31内的添加剂A的浓度。因而，根据实施方式，能够稳定地实施给定的基板处理。
另外，在实施方式中，控制部19可以通过压力传感器117(参照图4)来检测保持处理中的处理空间的压力，并根据该处理空间的压力来对压力调整阀119进行PID控制。
例如，在处理空间的压力处于下降倾向的情况下，控制部19可以进行控制，以使压力调整阀119的开度减小来使比压力调整阀119靠上游侧的位置(即，阀109、111、118的与连接于处理容器31的一侧相反的一侧)的压力变高。
由此，能够将超临界状态的处理流体长时间且更稳定地封入在处理容器31内。
另外，在实施方式所涉及的保持处理中，也可以使设置于主供给线路50的阀109定期地打开和关闭。由此，即使在处理空间的压力处于下降倾向的情况下，也能够使该处理空间的压力容易地恢复为处理压力P1。
因而，根据实施方式，能够将超临界状态的处理流体长时间且更稳定地封入在处理容器31内。
另外，在实施方式中，供给处理流体的流体供给源100也可以具有在保持处理时能够将向旁通线路53等供给的处理流体的压力减压至给定的压力(例如18.5MPa左右)的减压机构。
由此，在实施方式所涉及的保持处理时，能够减少向废气部EXH排出的处理流体的量，因此能够减少处理流体的使用量。因而，根据实施方式，能够减少保持处理的运行成本。
此外，在本公开中，不限于通过流体供给源100的减压机构将向旁通线路53等供给的处理流体的压力减压的情况。例如，也可以将阀111和阀106分别变更为能够将阀111和阀106的下游侧的压力减压的减压阀，在保持处理时，使用这两个减压阀将向旁通线路53等供给的处理流体的压力减压。
由此，在实施方式所涉及的保持处理时，也能够减少向废气部EXH排出的处理流体的量，因此能够减少处理流体的使用量。因而，根据实施方式，能够减少保持处理的运行成本。
返回到图5的说明。接着，在基板处理单元17中，进行流通处理(步骤S104)。在该流通处理中，如图9所示，将副供给线路51的阀111和排出线路52的阀118变更为打开状态，将主供给线路50的阀106和旁通线路53的阀124变更为关闭状态。图9是示出实施方式所涉及的流通处理的动作例的图。
由此，在处理空间中，形成从第二供给头37(参照图3)在晶圆W的上方沿着晶圆W的上表面去向排出头38(参照图3)的处理流体的层流。
此外，在该流通处理中，将主供给线路50的阀101和排出线路52的阀122维持在打开状态，将主供给线路50的阀109和分支线路54的阀125维持在关闭状态。另外，在该流通处理中，将排出线路52的压力调整阀119维持在PID控制状态。
在该流通处理中，将处理空间的压力保持为维持处理流体的超临界状态的压力。具体地说，如图6所示，从进行流通处理的时间T3到时间T4，将处理空间的压力维持在给定的压力P2(例如16MPa左右)。
通过该流通处理，滞留于晶圆W的上表面的包含添加剂A的处理流体被置换为不包含添加剂A的处理流体。实施流通处理，直到残留于处理空间的添加剂A充分地减少了的阶段、例如处理空间中的添加剂A的浓度达到0％～几％的阶段为止。
另外，在实施方式中，建议控制部19通过压力传感器117(参照图4)检测流通处理中的处理空间的压力，并根据该处理空间的压力来对压力调整阀119进行PID控制。由此，能够稳定地维持处理容器31内的处理流体的压力。
此外，在图6的例子中，在流通处理中，以使处理空间的压力恒定的方式使处理流体流通，但流通处理中的处理空间的压力未必需要是恒定的。
另外，在图6的例子中，示出给定的压力P2为比处理压力P1低的压力的例子，但本公开不限于该例，压力P2也可以是与处理压力P1大致相等的值，压力P2也可以是比处理压力P1高的压力。
返回到图5的说明。接着，在基板处理单元17中，进行减压处理(步骤S105)。在该减压处理中，如图10所示，将主供给线路50的阀101和副供给线路51的阀111变更为关闭状态，将排出线路52的压力调整阀119变更为完全打开状态。图10是示出实施方式所涉及的减压处理的动作例的图。
由此，停止向处理空间供给处理流体。另一方面，由于排出线路52的阀118、122以及压力调整阀119为打开的状态，因此处理空间内的处理流体通过排出线路52被排出到外部。由此，处理空间的压力下降。
此外，在该减压处理中，将排出线路的阀118、122维持在打开状态，将主供给线路50的阀106、109、旁通线路53的阀124以及分支线路54的阀125维持在关闭状态。
实施该减压处理，直到处理空间的压力下降为大气压为止。具体地说，如图6所示，从时间T4到时间T5实施减压处理，由此，处理空间的压力从处理压力P1下降为大气压。
另外，在实施方式中，也可以在使处理空间的压力减压至给定的压力(例如3MPa左右)而使处理空间内的处理流体从超临界状态相变为气体状态之后，还经由旁通线路53和分支线路54排出处理流体。
具体地说，如图11所示，将旁通线路53的阀124和分支线路54的阀125变更为打开状态。图11是示出实施方式所涉及的减压处理的动作例的图。
由此，除了通过排出线路52以外，还通过旁通线路53和分支线路54将处理空间内的处理流体排出到外部，因此能够使减压处理迅速地完成。
返回到图5的说明。接着，在基板处理单元17中，进行搬出处理(步骤S106)。在该搬出处理中，保持板32和盖构件33移动来将结束了干燥处理的晶圆W从处理空间搬出。当结束该搬出处理时，针对一张晶圆W的一系列的基板处理结束。
＜其它实施方式＞
接着，参照图12来说明其它实施方式所涉及的基板处理。此外，在下面的其它实施方式中，通过对与实施方式相同的部位标注相同的附图标记来省略重复的说明。
另外，在该其它实施方式中，基板处理的各处理过程如图5所示那样，进行各处理过程时的处理空间的压力的随时间的变化如图6所示那样。并且，其它实施方式所涉及的搬入处理(步骤S101)和升压处理(步骤S102)是与上述的实施方式同样的处理，因此省略详细的说明。
在其它实施方式所涉及的保持处理(步骤S103)中，与上述的实施方式同样地将基板处理单元17内的处理空间隔离，如图6所示，从时间T2到时间T3将处理空间的压力保持在处理压力P1。由此，在处理空间中对晶圆W实施给定的基板处理。
而且，在其它实施方式所涉及的保持处理中，如图12所示，将主供给线路50的阀109定期地打开和关闭。图12是示出其它实施方式所涉及的保持处理的动作例的图。
此外，在该保持处理中，将主供给线路50的阀101、106维持在打开状态。另外，在该保持处理中，将副供给线路51的阀111、排出线路52的阀118、122及压力调整阀119、旁通线路53的阀124、以及分支线路54的阀125维持在关闭状态。
由此，如图12中的粗虚线所示，从流体供给源100定期地供给高压的处理流体，因此，即使在处理空间的压力处于下降倾向的情况下，也能够使该处理空间的压力容易地恢复为处理压力P1。
因而，根据其它实施方式，能够将超临界状态的处理流体长时间且稳定地封入在处理容器31内。此外，其它实施方式所涉及的流通处理(步骤S104)、减压处理(步骤S105)以及搬出处理(步骤S106)是与上述的实施方式同样的处理，因此省略详细的说明。
实施方式所涉及的基板处理方法是使基板(晶圆W)与超临界状态的处理流体接触来对该基板进行处理的基板处理装置(基板处理***1)的基板处理方法。基板处理装置(基板处理***1)具备处理容器31、主供给线路50、排出线路52以及旁通线路53。处理容器31具有能够收容基板(晶圆W)的处理空间。主供给线路50用于向处理空间供给处理流体。排出线路52具有第一开闭阀(阀118)，该排出线路52用于从处理空间排出处理流体。旁通线路53从主供给线路50的分支点(分支部50d)处分支出来，在排出线路52中的比第一开闭阀(阀118)靠下游侧的合流点(合流部52d)处合流。另外，基于本公开的一个方式的基板处理方法包括升压工序(步骤S102)和保持工序(步骤S103)。在升压工序(步骤S102)中，在基板(晶圆W)收容于处理空间的状态下，从主供给线路50向处理空间供给处理流体，由此将处理空间的压力升压至给定的处理压力P1。在保持工序(步骤S103)中，在升压工序(步骤S102)之后，在将第一开闭阀(阀118)关闭的状态下使处理流体向旁通线路53流通，并且将处理空间的压力保持在处理压力P1。由此，能够将超临界状态的处理流体长时间且稳定地封入在处理容器31内。
另外，在实施方式所涉及的基板处理方法中，主供给线路50具有设置在比分支点(分支部50d)靠下游侧的位置的第二开闭阀(阀109)。由此，即使在停止了从主供给线路50向处理空间供给处理流体的状态下，也能够使处理流体向旁通线路53流通。
另外，在实施方式所涉及的基板处理方法中，在保持工序(步骤S103)中，使第二开闭阀(阀118)定期地打开和关闭。由此，能够将超临界状态的处理流体长时间且更稳定地封入在处理容器31内。
另外，在实施方式所涉及的基板处理方法中，基板处理装置(基板处理***1)还具备用于向处理空间供给处理流体的副供给线路51。另外，主供给线路50朝向在处理容器31内被水平地保持的基板(晶圆W)的下表面供给处理流体，副供给线路51朝向在处理容器31内被水平地保持的基板(晶圆W)的上方沿水平方向供给处理流体。由此，能够防止由于处理流体碰到晶圆W的上表面而使盛于晶圆W的上表面的添加剂A洒落，并且能够将滞留于晶圆W的上表面的包含添加剂A的处理流体高效地置换为不包含添加剂A的处理流体。
另外，在实施方式所涉及的基板处理方法中，基板处理装置(基板处理***1)还具备用于向处理空间供给处理流体的副供给线路51。另外，主供给线路50具有第一减压阀，所述第一减压阀设置在比分支点(分支部50d)靠上游侧的位置，能够将该第一减压阀的下游侧的压力减压。另外，副供给线路51具有第二减压阀，所述第二减压阀能够将该第二减压阀的下游侧的压力减压。而且，在保持工序(步骤S103)中，将比第一减压阀和第二减压阀靠下游侧的位置的处理流体的压力减压至给定的压力。由此，能够减少保持处理的运行成本。
另外，在实施方式所涉及的基板处理方法中，基板处理装置(基板处理***1)具备向处理容器31供给处理流体的流体供给源100。另外，流体供给源100具有能够将供给的处理流体的压力减压的减压机构。而且，在保持工序(步骤S103)中，将从流体供给源100供给的处理流体的压力减压至给定的压力。由此，能够减少保持处理的运行成本。
另外，其它实施方式所涉及的基板处理方法是使基板(晶圆W)与超临界状态的处理流体接触来对该基板进行处理的基板处理装置(基板处理***1)的基板处理方法。基板处理装置(基板处理***1)具备处理容器31和主供给线路50。处理容器31具有能够收容基板(晶圆W)的处理空间。主供给线路50具有第二开闭阀(阀109)，该主供给线路50用于向处理空间供给处理流体。另外，基于本公开的一个方式的基板处理方法包括升压工序(步骤S102)和保持工序(步骤S103)。在升压工序(步骤S102)中，在基板(晶圆W)收容于处理空间的状态下，从主供给线路50向处理空间供给处理流体，由此将处理空间的压力升压至给定的处理压力P1。在保持工序(步骤S103)中，在升压工序(步骤S102)之后，使第二开闭阀(阀109)定期地打开和关闭，并且将处理空间的压力保持在处理压力P1。由此，能够将超临界状态的处理流体长时间且稳定地封入在处理容器31内。
另外，在各实施方式所涉及的基板处理方法中，在保持工序(步骤S103)中，使处理容器31内充满包含添加剂A的处理流体，添加剂A包含低价的醇。由此，能够实施给定的基板处理。
另外，在各实施方式所涉及的基板处理方法中，处理流体是CO2。由此，能够实施给定的基板处理。
另外，实施方式所涉及的基板处理装置(基板处理***1)具备处理容器31、主供给线路50、排出线路52、旁通线路53以及控制部19。处理容器31具有能够收容基板(晶圆W)的处理空间。主供给线路50用于向处理空间供给超临界状态的处理流体。排出线路52具有第一开闭阀(阀118)，该排出线路52用于从处理空间排出处理流体。旁通线路53从主供给线路50的分支点(分支部50d)处分支出来，在排出线路52中的比第一开闭阀(阀118)靠下游侧的合流点(合流部52d)处合流。控制部19控制各部。另外，控制部19进行以下控制：在基板(晶圆W)收容于处理空间的状态下，从主供给线路50向处理空间供给处理流体，由此将处理空间的压力升压至给定的处理压力P1。另外，控制部19进行以下控制：在将处理空间的压力升压至处理压力P1之后，在将第一开闭阀(阀118)关闭的状态下使处理流体向旁通线路53流通，并且将处理空间的压力保持在处理压力P1。由此，能够将超临界状态的处理流体长时间且稳定地封入在处理容器31内。
另外，在实施方式所涉及的基板处理装置(基板处理***1)中，主供给线路50具有设置在比分支点(分支部50d)靠下游侧的位置的第二开闭阀(阀109)。由此，即使在停止了从主供给线路50向处理空间供给处理流体的状态下，也能够使处理流体向旁通线路53流通。
另外，各实施方式所涉及的基板处理装置(基板处理***1)还具备用于向处理空间供给处理流体的副供给线路51。另外，主供给线路50朝向在处理容器31内被水平地保持的基板(晶圆W)的下表面供给处理流体，副供给线路51朝向在处理容器31内被水平地保持的基板(晶圆W)的上方沿水平方向供给处理流体。由此，能够防止由于处理流体碰到晶圆W的上表面而使盛于晶圆W的上表面的添加剂A洒落，并且能够将滞留于晶圆W的上表面的包含添加剂A的处理流体高效地置换为不包含添加剂A的处理流体。
以上，对本公开的实施方式进行了说明，但本公开并不限定于上述实施方式，只要不脱离其主旨，就能够进行各种变更。
应认为本次公开的实施方式在所有方面均为例示，而非限制性的。实际上，上述的实施方式能够通过多种方式来具体实现。另外，上述的实施方式也可以不脱离所附的权利要求书及其主旨地以各种方式进行省略、置换、变更。
附图标记说明
W：晶圆(基板的一例)；1：基板处理***(基板处理装置的一例)；16：供给处理单元；17：基板处理单元；19：控制部；31：处理容器；50：主供给线路；50d：分支部(分支点的一例)；51：副供给线路；52：排出线路；52d：合流部(合流点的一例)；53：旁通线路；100：流体供给源；109：阀(第二开闭阀的一例)；118：阀(第一开闭阀的一例)；A：添加剂；P1：处理压力。

Claims (12)

1.一种基板处理方法，是使基板与超临界状态的处理流体接触来对该基板进行处理的基板处理装置的基板处理方法，
所述基板处理装置具备：
处理容器，其具有能够***述基板的处理空间；
主供给线路，其用于向所述处理空间供给所述处理流体；
排出线路，其具有第一开闭阀，所述排出线路用于从所述处理空间排出所述处理流体；以及
旁通线路，其从所述主供给线路的分支点处分支出来，在所述排出线路中的比所述第一开闭阀靠下游侧的合流点处合流，
所述基板处理方法包括：
升压工序，在所述基板收容于所述处理空间的状态下，从所述主供给线路向所述处理空间供给所述处理流体，由此将所述处理空间的压力升压至给定的处理压力；以及
保持工序，在所述升压工序之后，在将所述第一开闭阀关闭的状态下使所述处理流体向所述旁通线路流通，并且将所述处理空间的压力保持在所述处理压力。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
所述主供给线路具有设置在比所述分支点靠下游侧的位置的第二开闭阀。
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，
在所述保持工序中，使所述第二开闭阀定期地打开和关闭。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理方法，其中，
所述基板处理装置还具备用于向所述处理空间供给所述处理流体的副供给线路，
所述主供给线路朝向在所述处理容器内被水平地保持的所述基板的下表面供给所述处理流体，
所述副供给线路朝向在所述处理容器内被水平地保持的所述基板的上方沿水平方向供给所述处理流体。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的基板处理方法，其中，
所述基板处理装置还具备用于向所述处理空间供给所述处理流体的副供给线路，
所述主供给线路具有第一减压阀，所述第一减压阀设置在比所述分支点靠上游侧的位置，能够将该第一减压阀的下游侧的压力减压，
所述副供给线路具有第二减压阀，所述第二减压阀能够将该第二减压阀的下游侧的压力减压，
在所述保持工序中，将比所述第一减压阀和所述第二减压阀靠下游侧的位置的所述处理流体的压力减压至给定的压力。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的基板处理方法，其中，
所述基板处理装置具备向所述处理容器供给所述处理流体的流体供给源，
所述流体供给源具有能够将供给的所述处理流体的压力减压的减压机构，
在所述保持工序中，将从所述流体供给源供给的所述处理流体的压力减压至给定的压力。
7.一种基板处理方法，是使基板与超临界状态的处理流体接触来对该基板进行处理的基板处理装置的基板处理方法，
所述基板处理装置具备：
处理容器，其具有能够***述基板的处理空间；以及
主供给线路，其具有第二开闭阀，所述主供给线路用于向所述处理空间供给所述处理流体，
所述基板处理方法包括：
升压工序，在所述基板收容于所述处理空间的状态下，从所述主供给线路向所述处理空间供给所述处理流体，由此将所述处理空间的压力升压至给定的处理压力；以及
保持工序，在所述升压工序之后，使所述第二开闭阀定期地打开和关闭，并且将所述处理空间的压力保持在所述处理压力。
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的基板处理方法，其中，
在所述保持工序中，使所述处理容器内充满包含添加剂的所述处理流体，
所述添加剂包含低价的醇。
9.根据权利要求1～8中的任一项所述的基板处理方法，其中，
所述处理流体是CO2。
10.一种基板处理装置，具备：
处理容器，其具有能够收容基板的处理空间；
主供给线路，其用于向所述处理空间供给超临界状态的处理流体；
排出线路，其具有第一开闭阀，所述排出线路用于从所述处理空间排出所述处理流体；
旁通线路，其从所述主供给线路的分支点处分支出来，在所述排出线路中的比所述第一开闭阀靠下游侧的合流点处合流；以及
控制部，其控制各部，
其中，所述控制部进行以下控制：
在所述基板收容于所述处理空间的状态下，从所述主供给线路向所述处理空间供给所述处理流体，由此将所述处理空间的压力升压至给定的处理压力，
在将所述处理空间的压力升压至所述处理压力之后，在将所述第一开闭阀关闭的状态下使所述处理流体向所述旁通线路流通，并且将所述处理空间的压力保持在所述处理压力。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，
所述主供给线路具有设置在比所述分支点靠下游侧的位置的第二开闭阀。
12.根据权利要求10或者11所述的基板处理装置，其中，
还具备用于向所述处理空间供给所述处理流体的副供给线路，
所述主供给线路朝向在所述处理容器内被水平地保持的所述基板的下表面供给所述处理流体，
所述副供给线路朝向在所述处理容器内被水平地保持的所述基板的上方沿水平方向供给所述处理流体。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2574781B2 (ja) * 1987-01-21 1997-01-22 株式会社日立製作所 超臨界ガス又は液化ガスによる基板の洗浄方法
JP3835593B2 (ja) * 2001-06-13 2006-10-18 大日本スクリーン製造株式会社 高圧処理装置
JP2004228526A (ja) * 2003-01-27 2004-08-12 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法および半導体装置の製造方法
JP2004225152A (ja) * 2003-01-27 2004-08-12 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法および半導体装置の製造方法
US7345000B2 (en) 2003-10-10 2008-03-18 Tokyo Electron Limited Method and system for treating a dielectric film
JP4464125B2 (ja) * 2003-12-22 2010-05-19 ソニー株式会社 構造体の作製方法及びシリコン酸化膜エッチング剤
US20060135047A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Alexei Sheydayi Method and apparatus for clamping a substrate in a high pressure processing system
JP2006319207A (ja) * 2005-05-13 2006-11-24 Horiba Stec Co Ltd 流量制御装置、薄膜堆積装置および流量制御方法
JP2007234862A (ja) * 2006-03-01 2007-09-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 高圧処理装置および高圧処理方法
JP2008182034A (ja) * 2007-01-24 2008-08-07 Sony Corp 基体処理方法及び基体処理装置
JP7197396B2 (ja) * 2019-02-06 2022-12-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR102262250B1 (ko) * 2019-10-02 2021-06-09 세메스 주식회사 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법

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