JP2004228526A - 基板処理方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 169
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 80
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 61
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 45
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 20
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- -1 for instance Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 142
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 73
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 45
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 33
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 24
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 14
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 13
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 6
- GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C=C GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 5
- YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dione Chemical compound CC(C)(C)C(=O)CC(=O)C(C)(C)C YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910004529 TaF 5 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims description 4
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- VYXHVRARDIDEHS-QGTKBVGQSA-N (1z,5z)-cycloocta-1,5-diene Chemical compound C\1C\C=C/CC\C=C/1 VYXHVRARDIDEHS-QGTKBVGQSA-N 0.000 claims description 3
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 claims description 3
- VYXHVRARDIDEHS-UHFFFAOYSA-N 1,5-cyclooctadiene Chemical compound C1CC=CCCC=C1 VYXHVRARDIDEHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004912 1,5-cyclooctadiene Substances 0.000 claims description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 3
- IVCXCMWIDPRYEH-UHFFFAOYSA-N but-2-yne Chemical compound CC#CC.CC#CC IVCXCMWIDPRYEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 45
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 28
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 27
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 23
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- SHXHPUAKLCCLDV-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trifluoropentane-2,4-dione Chemical compound CC(=O)CC(=O)C(F)(F)F SHXHPUAKLCCLDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical class OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000011534 incubation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
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Abstract
【課題】超臨界状態の媒体を用いて、高アスペクト比の微細なパターンへのＣｕの拡散防止膜およびＣｕ膜の埋め込みを可能にする。
【解決手段】第１の超臨界状態の媒体を含む第１の処理媒体を被処理基板上に供給して基板処理を行う第１の工程と、第２の超臨界状態の媒体を含む第２の処理媒体を前記被処理基板上に供給することにより、前記被処理基板上にＣｕ拡散防止膜を形成する第２の工程と、第３の超臨界状態の媒体を含む第３の処理媒体を前記被処理基板上に供給することにより、前記被処理基板上にＣｕ膜を形成する第３の工程とを有することを特徴とする基板処理方法。
【選択図】 図１
【解決手段】第１の超臨界状態の媒体を含む第１の処理媒体を被処理基板上に供給して基板処理を行う第１の工程と、第２の超臨界状態の媒体を含む第２の処理媒体を前記被処理基板上に供給することにより、前記被処理基板上にＣｕ拡散防止膜を形成する第２の工程と、第３の超臨界状態の媒体を含む第３の処理媒体を前記被処理基板上に供給することにより、前記被処理基板上にＣｕ膜を形成する第３の工程とを有することを特徴とする基板処理方法。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は基板処理方法および半導体装置の製造方法に係り、更には金属膜の成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置の高性能化に伴い、半導体デバイスの高集積化が進んで微細化の要求が著しくなっており、配線ルールは０．１３μｍから０．１０μｍ以下の領域へと開発が進んでいる。また、配線材料は従来のＡｌから、配線遅延の影響の少ない、抵抗値の低いＣｕに置き換えられてきている。
【０００３】
そのため、Ｃｕ成膜技術と微細配線技術の組み合わせが、近年の微細化した多層配線技術の重要なキーテクノロジーとなっている。
【０００４】
前記したＣｕの成膜方法に関しては、スパッタ法、ＣＶＤ法、メッキ法などが一般に知られているが、いずれも微細配線を考えた場合にはカバレージに限界があり、０．１μｍ以下の高アスペクト比の微細パターンに効率よくＣｕを成膜することは非常に困難である。
【０００５】
そこで、微細パターンにＣｕを効率よく成膜する方法として超臨界状態の媒体を用いたＣｕの成膜方法が提案されている（例えば、非特許文献１参照。）。前記非特許文献１によると、超臨界状態のＣＯ２を用いてＣｕ成膜のためのＣｕを含む前駆体化合物（プレカーサ）を溶解し、Ｃｕの成膜を行っている。超臨界状態とは、物質の温度・圧力が当該物質固有の値（臨界点）以上となったときに、当該物質が気体と液体の特徴を併せ持つ状態になることをいう。
【０００６】
例えば、前記したＣＯ２の超臨界状態の媒体においては、Ｃｕを含む前駆体化合物であるＣｕ成膜プレカーサの溶解度が高い一方で粘性が低く、拡散性が高いために前記したようなアスペクト比が高い微細なパターンにＣｕ成膜が可能となる。前記非特許文献１では、微細パターンへのＣｕの埋め込みが紹介されている。
【０００７】
【非特許文献１】
「Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ Ｃｏｎｆｏｒｍａｌ Ｃｏｐｐｅｒ ａｎｄ Ｎｉｃｋｅｌ Ｆｉｌｍｓ ｆｒｏｍ Ｓｕｐｅｒｃｒｉｔｉｃａｌ Ｃａｒｂｏｎ Ｄｉｏｘｉｄｅ」
ＳＣＩＥＮＣＥ ｖｏｌ２９４ ２００１ １０月５日
ｗｗｗ．ｓｃｉｅｎｃｅｍａｇ．ｏｒｇ
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、前記したようなＣｕ成膜によって実際に半導体デバイスを作成する際には、例えばＣｕ配線間の絶縁膜中へのＣｕの拡散を防止するためにＣｕと絶縁膜の間にＣｕの拡散防止膜を形成する必要がある。
【０００９】
前記したようなＣｕの拡散防止膜は、金属膜、金属窒化膜または金属膜と金属窒化膜の積層膜などが用いられることが知られており、例えばＴｉ，Ｔａ，Ｗ，ＴｉＮ，ＴａＮ，ＷＮなどが用いられる。
【００１０】
前記したようなＣｕ拡散防止膜の形成には従来よりスパッタ法が用いられてきた。しかし、近年半導体デバイスの微細パターンにおいてはカバレージが十分とはいえず、スパッタ法を適用するのは困難である。また、前記スパッタ法に換わってカバレージのよいＣＶＤ法も近年多く用いられるようになっているが、０．１μｍ以下の高アスペクト比の微細パターンにおいてはやはりカバレージが不十分であるのが現状である。
【００１１】
また、Ｃｕを超臨界状態の媒体を用いて形成することを考えた場合には、加圧プロセスの他にスパッタ法もしくはＣＶＤ法のために減圧プロセスが必要で、２種類の形式の異なる装置を用意する必要がある。また、基板を減圧装置と加圧装置の間で搬送する必要が有り、生産性が低い問題がある。
【００１２】
そこで、本発明では上記の問題を解決した、新規で有用な基板処理方法および半導体装置の製造方法を提供することを統括的目的とした。
【００１３】
本発明のより具体的な課題は、超臨界状態の媒体を用いたことによって、高アスペクト比の微細なパターンへのＣｕの拡散防止膜およびＣｕ膜の埋め込みを可能にすることである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の課題を解決するために、
請求項１に記載したように、
第１の超臨界状態の媒体を含む第１の処理媒体を被処理基板上に供給して基板処理を行う第１の工程と、
第２の超臨界状態の媒体を含む第２の処理媒体を前記被処理基板上に供給することにより、前記被処理基板上にＣｕ拡散防止膜を形成する第２の工程と、
第３の超臨界状態の媒体を含む第３の処理媒体を前記被処理基板上に供給することにより、前記被処理基板上にＣｕ膜を形成する第３の工程とを有することを特徴とする基板処理方法により、また、
請求項２に記載したように、
前記Ｃｕ拡散防止膜は、金属膜または前記金属の窒化膜の単層膜または前記金属膜と前記金属の窒化膜の積層膜よりなることを特徴とする請求項１記載の基板処理方法により、また、
請求項３に記載したように、
前記第２の工程は、前記金属膜を形成する工程または前記金属の窒化膜を形成する工程または前記金属膜と前記金属の窒化膜の積層膜を形成する工程よりなることを特徴とする請求項２記載の基板処理方法により、また
請求項４に記載したように、
前記第２の超臨界状態の媒体は、超臨界状態のＣＯ２、超臨界状態の窒化化合物、および超臨界状態のＣＯ２と超臨界状態の窒化化合物が混合されたもののいずれかであることを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項５に記載したように、
前記窒素化合物はＮＨ３であることを特徴とする請求項４記載の基板処理方法により、また、
請求項６に記載したように、
前記第２の処理媒体は、前記第２の超臨界状態の媒体に金属を含む前駆体化合物を添加したものであることを特徴とする請求項１〜５のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項７に記載したように、
前記金属はＴａであることを特徴とする請求項６記載の基板処理方法により、また、
請求項８に記載したように、
前記金属を含む前駆体化合物はＴａＦ５，ＴａＣｌ５，ＴａＢｒ５，ＴａＩ５よりなる群より選ばれることを特徴とする請求項７記載の基板処理方法により、また、
請求項９に記載したように、
前記金属を含む前駆体化合物は有機金属化合物であることを特徴とする請求項７記載の基板処理方法により、また、
請求項１０に記載したように、
前記有機金属化合物は、（Ｃ５Ｈ５）２ＴａＨ３，（Ｃ５Ｈ５）２ＴａＣｌ３のいずれかであることを特徴とする請求項９記載の基板処理方法により、また、
請求項１１に記載したように、
前記第２の工程は、前記金属窒化膜を含む膜を形成した後で、前記第２の超臨界状態の媒体によって前記被処理基板表面の第２の処理媒体および副生成物を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜１０のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法により、また、
請求項１２に記載したように、
前記第３の超臨界状態の媒体は、超臨界状態のＣＯ２であることを特徴とする請求項１〜１１のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法により、また、
請求項１３に記載したように、
前記第３の処理媒体は、前記第３の超臨界状態の媒体に銅を含む前駆体化合物を添加したものであることを特徴とする請求項１〜１２のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項１４に記載したように、
前記銅を含む前駆体化合物は、Ｃｕ＋２（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）２、Ｃｕ＋２（アセチルアセトネート）２、およびＣｕ＋２（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン）２のいずれかであることを特徴とする請求項１３記載の基板処理方法により、また、
請求項１５に記載したように、
前記銅を含む前駆体化合物は、Ｃｕ＋１（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）とシリロレフィンリガンドを含み、前記シリロレフィンリガンドは、トリメチルビニルシラン（ｔｍｖｓ）、アリルオキシトリメチルシリル（ａｏｔｍｓ）、ジメチルアセチレン（２−ブチン）、２−メチル−１−ヘキシン−３−イン（ＭＨＹ）、３−ヘキシン−２，５−ジメトキシ（ＨＤＭ）、１，５−シクロオクタジエン（１，５−ＣＯＤ）、およびビニルトリメトキシレン（ＶＴＭＯＳ）からなる群から選択されることを特徴とする請求項１３記載の基板処理方法により、また、
請求項１６に記載したように、
前記第３の工程は、前記Ｃｕ膜を形成した後で、前記第３の超臨界状態の媒体によって前記被処理基板表面の第３の処理媒体および副生成物を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜１５のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法により、また、
請求項１７に記載したように、
前記第１の超臨界状態の媒体は、超臨界状態であるＣＯ２であることを特徴とする請求項１〜１６のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項１８に記載したように、
前記第１の処理媒体は、前記第１の超臨界状態の媒体にエッチング剤を添加したものであることを特徴とする請求項１〜１７のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項１９に記載したように、
前記エッチング剤はキレート剤、ハロゲン化合物、酸、アミンのいずれかであることを特徴とする請求項１８記載の基板処理方法により、また、
請求項２０に記載したように、
前記第１の工程において、前記第１の処理媒体によって前記被処理基板上のＣｕ表面に形成された当該Ｃｕの酸化膜が除去されることを特徴とする請求項１〜１９のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項２１に記載したように、
前記第１の工程は、前記第１の処理媒体による前記基板処理を行った後で、前記第１の超臨界状態の媒体によって前記被処理基板表面の第１の処理媒体および副生成物を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜２０のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法により、また、
請求項２２に記載したように、
被処理基板を処理する処理容器において、前記第１の工程、前記第２の工程および前記第３の工程が行われることを特徴とする請求項１〜２１のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項２３に記載したように、
前記第１の工程が前記被処理基板を処理する処理容器で行われ、前記第２の工程が別の処理容器で行われ、前記第３の工程がさらに別の処理容器で行われることを特徴とする請求項１〜２１のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項２４に記載したように、
被処理基板を処理する処理容器において前記第１の工程および前記第２の工程が行われ、別の処理容器において前記第３の工程が行われることを特徴とする請求項１〜２１のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項２５に記載したように、
被処理基板を処理する処理容器において前記第１の工程がおこなわれ、別の処理容器において前記第２の工程および前記第３の工程が行われることを特徴とする請求項１〜２１のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項２５に記載したように、
請求項１〜２５のうち、いずれか一項記載の基板処理方法を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法により、解決する。
［作用］
本発明によれば、Ｃｕ拡散防止膜の形成およびＣｕ膜の埋め込みの双方を、超臨界状態の媒体を使って行うことが可能となる。超臨界状態の媒体は、金属、例えばＣｕもしくはＴａを含む前駆体化合物の溶解度が高く、かつ流動性に富んで拡散性が高いため、非常に微細なパターンにおいてもＣｕの拡散防止膜の形成およびＣｕ膜の埋め込みが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態について、図面に基づき以下に説明する。
［第１実施例］
図１は、本発明による基板処理方法を示すプロセスフローである。本プロセスでは前記したような超臨界状態のＣＯ２、もしくは超臨界状態の窒素化合物を用いることにより、以下の処理を行う。
【００１６】
図１を参照するに、前記基板処理方法は、大別して、第１の工程である被処理基板表面のクリーニング（図中Ｓ１００で示す）、第２の工程であるＣｕ拡散防止膜の成膜（図中Ｓ２００で示す）、第３の工程であるＣｕ膜の成膜（図中Ｓ３００で示す）からなる。
【００１７】
まず、前記第１の工程においては、超臨界状態のＣＯ２に、エッチング剤を溶解した処理媒体を用いることにより、被処理基板上の、例えばＣｕ膜の表面に形成されたＣｕの酸化膜を除去する。前記Ｃｕ膜上の酸化膜を除去することで、次の第２の工程で形成されるＣｕ拡散防止膜と当該Ｃｕ膜との電気的接触抵抗（コンタクト抵抗）値を低減することが可能になる。
【００１８】
次に前記第２の工程においては、前記第１の工程において、清浄になった前記Ｃｕ膜表面に、Ｃｕ拡散防止膜として、金属膜、金属窒化膜または金属膜と金属窒化膜の積層膜を形成する。例えば、金属膜と金属窒化膜の積層膜を形成する場合、超臨界状態のＣＯ２に金属を含む前駆体化合物である金属成膜プレカーサを溶解した処理媒体を用いることで金属膜を形成し、さらに超臨界状態の窒素化合物もしくは超臨界状態の窒素化合物に超臨界状態のＣＯ２を混合した媒体に前記金属成膜プレカーサを溶解した処理媒体を用いることで金属窒化膜を形成する。本工程では超臨界状態のＣＯ２もしくは窒素化合物を用いることで、例えば微細パターンにＣｕ拡散防止膜を効率よく成膜することが可能となる。
【００１９】
第３の工程では、超臨界状態のＣＯ２にＣｕを含む前駆体化合物であるＣｕ膜成膜プレカーサを溶解した処理媒体を用いることでＣｕ膜を形成する。本工程では超臨界状態のＣＯ２を用いることで、微細パターンにＣｕ膜を効率よく成膜することが可能となる。
【００２０】
次に前記基板処理方法を行う基板処理装置について図に基づき説明する。
［第２実施例］
図２は、本発明による基板処理方法を実施可能な基板処理装置５００の構成を示す。
【００２１】
図２を参照するに、前記基板処理装置５００は、大別すると、基板ヒータ５０１ａを内蔵した基板保持台５０１Ａを有する処理容器５０１と、基板処理を行うための超臨界状態の媒体を含む処理媒体を前記処理容器に供給する混合器５０２と、前記処理容器５０１を排気する排気ライン５０３を含む排気系からなる。
【００２２】
前記載置台５０１Ａには、被処理基板である半導体ウェハＷが載置され、前記混合器５０２より超臨界状態の媒体を含む処理媒体が前記処理容器５０１に供給され、基板処理がなされる。基板処理後の当該処理媒体は、バルブ５０４を開放することで前記排気ライン５０３より排出されて、前記処理容器５０１は、略大気圧状態となる。前記処理容器５０１内を大気圧以下に排気する場合は前記バルブ５０６およびバルブ５３８を開放することで真空ポンプ５０７により、真空排気ライン５０８より真空排気することが可能である。
【００２３】
前記処理容器５０１には、前記処理媒体を形成して当該処理媒体を前記処理容器５０１に供給する前記混合器５０２が、バルブ５０９を付した供給ライン５１０を介して接続されている。前記混合器５０２においては超臨界状態の媒体と所定の添加物を混合することによって処理媒体を形成して前記処理容器５０１に供給する。
【００２４】
前記混合器５０２には、液体ＣＯ２供給源５１２が接続された加圧ライン５１１ａが接続されている。前記加圧ライン５１１ａにおいて、バルブ５１４およびバルブ５１６ａが開放されて、前記液体ＣＯ２供給源５１２よりＣＯ２が前記混合器５０２に供給される。その際、前記加圧ライン５１１ａに設置された加圧ポンプ５１７ａによって、前記混合器５０２に供給されるＣＯ２が加圧されて超臨界状態にまでされる。前記加圧ポンプ５１７ａは、運転中の温度上昇を抑えてＣＯ２が液体の状態で加圧可能なように、チラーで冷やされる。
【００２５】
さらに、前記加圧ライン５１１ｂにおいてバルブ５１５およびバルブ５１６ｂを開放することで液体ＮＨ３供給源５１３よりＮＨ３が前記混合器５０２に供給可能であり、その際、前記加圧ライン５１１ｂに設置された加圧ポンプ５１７ｂによって、前記混合器５０２に供給されるＮＨ３が加圧されて超臨界状態にまでされる。前記加圧ポンプ５１７ｂは運転中の温度上昇を抑えてＮＨ３が液体の状態で加圧可能なように、チラーで冷やされる。
また、前記バルブ５１４、５１６ａと、前記バルブ５１５、５１６ｂを開放することにより、超臨界状態のＣＯ２および超臨界状態のＮＨ３の混合した超臨界状態の媒体を生成することも可能である。前記バルブ５１４、５１６ａと、前記バルブ５１５、５１６ｂは同時に開放してもよいし、前記バルブ５１４、５１６ａを先に開放するか、もしくは前記バルブ５１５、５１６ｂを先に開放してもよい。
【００２６】
また、前記混合器５０２、前記処理容器５０１、供給ライン５１０、前記加圧ライン５１１ａの一部、前記加圧ライン５１１ｂの一部、５１６ａおよびバルブ５１６ｂなどにはヒータが設置されて加熱され、ＣＯ２、ＮＨ３が臨界点を超えて超臨界状態となるようにしている。なお、前記基板処理装置５００においてヒータが設置されて加熱され、超臨界状態を生成するエリアを本図中エリア５０１Ｂにて示す。
【００２７】
さらに、前記混合器５０２には、液体原料供給ライン５１８、固体原料供給ライン５１９、ガス供給ライン５２０が接続されており、それぞれ液体原料、固体原料、およびガスを超臨界状態の媒体に溶解または混合して処理媒体を作成して前記処理容器５０１に供給する構造となっている。
【００２８】
まず、前記液体原料供給ライン５１８について説明する。前記液体原料供給ライン５１８は、液体原料５２３を保持する液体原料容器５２１に接続されている。前記液体原料容器５２１は、図示しない不活性ガス供給源に接続するガスライン５２２から供給される不活性ガスによって加圧され、バルブ５２３を開放することで前記液体原料供給ライン５１８より当該液体原料５２３が前記混合器５０２に供給される。その際、前記液体ガス供給ライン５１８に設置された質量流量コントローラ５２４によって、供給される前記液体原料５２３が、所定の流量に調整される。供給された当該液体原料５２３は、前記混合器５０２において超臨界状態の媒体と混合されて前記処理容器５０１へと供給される。
【００２９】
次に、前記固体原料供給ライン５１９について説明する。前記固体原料供給ライン５１９は、超臨界状態の媒体であるＣＯ２に溶解した固体原料５２６ａまたは５２６ｂを当該超臨界状態の媒体と共に前記混合器５０２に供給する。まず、前記固体原料５２６ａの供給方法に関して説明する。予めバルブ５２８ａおよび前記バルブ５１４を開放し、前記加圧ライン５１１ａを介して前記液体ＣＯ２供給源５１２よりＣＯ２が固体原料容器５２５ａに供給される。その際、前記加圧ライン５１１ａに設置された加圧ポンプ５１７ａによって、前記固体原料容器５２５ａに供給されるＣＯ２が加圧されて超臨界状態にまでされる。この超臨界状態の媒体であるＣＯ２に前記固体原料５２６ａを十分溶解させた処理媒体を作成しておく。その後、バルブ５２７ａを開放して、予め超臨界状態の媒体に満たされた前記混合容器５０２に当該処理媒体を供給する。前記混合器５０２に供給された当該処理媒体は、前記バルブ５０９を開放することで前記供給ライン５１０より前記処理容器５０１に供給される。前記固体原料５２６ｂに関しても同様にして、予めバルブ５２８ｂおよび前記バルブ５１４を開放し、前記加圧ライン５１１ｂを介して前記液体ＣＯ２供給源５１２よりＣＯ２が固体原料容器５２５ｂに供給される。その際、前記加圧ライン５１１ｂに設置された加圧ポンプ５１７ｂによって、前記固体原料容器５２５ｂに供給されるＣＯ２が加圧されて超臨界状態にまでされる。この超臨界状態の媒体であるＣＯ２に前記固体原料５２６ｂを十分溶解させた処理媒体を作成しておく。その後、バルブ５２７ｂを開放して、予め超臨界状態の媒体に満たされた前記混合容器５０２に当該処理媒体を供給する。前記混合器５０２に供給された当該処理媒体は、前記バルブ５０９を開放することで前記供給ライン５１０より前記処理容器５０１に供給される。
【００３０】
さらに、前記ガス供給ライン５２０に関して説明する。前記ガス供給ライン５２０は、バルブ５３０を付するＨ２供給ライン５２９と、バルブ５３２を付するエッチング剤供給ライン５３１が接続されており、それぞれＨ２とエッチング剤を前記混合器５０２に供給することが可能となっている。供給されたＨ２やエッチング剤は、前記混合器において超臨界状態の媒体と混合されて前記処理容器５０１へと供給される。
【００３１】
このように、前記基板処理装置５００は、超臨界状態の媒体に、固体原料、液体原料、またはガスなどを混合または溶解させた処理媒体を用いることで基板処理を行うことが可能である。
【００３２】
さらに、前記加圧ライン５１１ａおよび５１１ｂは、それぞれバルブ５４０ａおよび５４０ｂを付した予備加圧ライン５３５を介して前記処理容器５０１に接続されており、当該予備加圧ライン５３５を介して、前記混合器５０２を通さずに前記処理容器５０１の圧力を上昇させることが可能な構造となっている。
【００３３】
また、危険防止のために、前記混合器５０２、前記加圧ライン５１１ａ、５１１ｂにはそれぞれ圧力開放弁５３６、５３７ａ、５３７ｂが設置されており、圧力の異常上昇を防止している。前記処理容器５０１は排気ライン５０３を通じて、背圧弁５０４で所定の圧力に調整されるので圧力の異常上昇を防止できる。
【００３４】
次に、前記基板処理装置５００を用いて、本発明による基板処理方法を行う際のプロセスの流れに関して以下に説明する。
［第３実施例］
前記したように、本発明による基板処理方法は大別して前記第１の工程、前記第２の工程および前記第３の工程からなる。次に、それぞれの第１〜３の工程についての詳細な流れを、図面に基づき、説明する。ただし、先に説明した部分には同一の参照符号を使用して、説明を省略する。
【００３５】
はじめに、第３実施例として、前記第１の工程の内容のプロセスフローを図３に示す。
【００３６】
図３を参照するに、前記第１の工程はステップ１０１（図中Ｓ１０１と示す。以下同様）〜１０７よりなる。
【００３７】
まず、前記基板保持台５０１Ａに載置されたウェハＷの処理にあたり、ステップ１０１において前記バルブ５０６、５３４および５３８を開放して前記真空ポンプ５０７によって、前記処理容器５０１および前記混合器５０２の真空排気を行う。当該真空排気終了後、前記バルブ５０６、５３４および５３８を閉じる。または、前記バルブ５３４を開放せず前記バルブ５０９を開放して前記混合器５０２は処理容器５０１を通じて真空排気を行うことが可能である。
【００３８】
次に、ステップ１０２において、前記バルブ５１４および前記バルブ５４０ａを開放して前記処理容器５０１にＣＯ２を供給する。その際前記加圧ポンプ５１７ａを用いて加圧を行い、さらに前記処理容器５０１および前記混合器５０２を含む前記エリア５０１Ｂはヒータによって加熱されているために前記処理容器５０１内のＣＯ２は、当該ＣＯ２の臨界点を超える条件にされる。また、前記加圧ポンプ５１７ａはチラーによって冷却されているため、ＣＯ２がガス状になることを防ぎ、ＣＯ２を液体状態で加圧できる。なお、当該ＣＯ２の臨界点は、温度３１．０３℃、圧力７．３８ＭＰａであり、前記処理容器５０１は当該臨界点以上の温度、圧力に制御されて、前記前記処理容器５０１は超臨界状態のＣＯ２で満たされた状態となる。その後、前記バルブ５１４および前記バルブ５４０ａは閉じる。このように予め前記処理容器５０１内を超臨界状態のＣＯ２で満たしておくことで、この後で超臨界状態のＣＯ２を含む処理媒体が前記処理容器５０１に導入された場合に当該処理媒体が超臨界状態を維持でき、超臨界状態の高濃度に溶解した処理媒体が保持できる。また、当該処理容器５０１が所定の圧力となった状態で、前記基板ヒータ５０１ａによって前記ウェハＷが加熱されて２００℃〜４００℃の温度にされる。
【００３９】
次にステップ１０３において、前記バルブ５３２を開放することで、前記エッチング剤供給ライン５３１から、エッチング剤が減圧状態の前記混合器５０２に供給され、前記混合器５０２内は当該エッチング剤で満たされ、所定の時間経過後前記バルブ５３２が閉じられる。
【００４０】
次にステップ１０４において、前記バルブ５１６ａが開放されて予めチラーで冷却された前記加圧ポンプ５１７ａによって前記ＣＯ２が前記混合器５０２に導入され超臨界状態まで加圧されることにより前記エッチング剤は十分に拡散・混合して処理媒体を形成する。所定の超臨界圧力で前記バルブ５１６ａが閉じられる。
【００４１】
次にステップ１０５において前記バルブ５０９が開放されて、超臨界状態のＣＯ２を含む当該処理媒体が、前記混合器５０２より前記処理容器５０１に導入される。また、必要に応じて圧力調整のために前記バルブ５１６ａの開閉がなされ、前記混合器５０２内の処理媒体が前記処理容器５０１に輸送される。
【００４２】
次に、ステップ１０６においては当該処理媒体によって、基板処理がなされる。また、ステップ１０２の前記処理容器の超臨界状態への予備加圧はステップ１０４とステップ１０５の間で行ってもよい。超臨界状態のＣＯ２に溶解したエッチング剤によって、被処理基板表面の、例えばＣｕ表面に形成されたＣｕＯｘ膜を除去する反応が生じる。反応した後発生した副生成物は超臨界状態のＣＯ２は溶解しやすい特徴を有するために被処理基板への再付着が生じることはない。前記エッチング剤としては、キレート剤、ハロゲン化合物、酸、アミンが使用可能である。
【００４３】
具体的には、たとえばキレート剤としてはＨ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）が使用可能であり、また、ハロゲンとしてはＣｌＦ３が、酸としてはＨＣｌなどが、超臨界状態のＣＯ２とともにＣｕ表面の酸化膜を除去する。このようにＣｕ表面の酸化膜を除去することで、この後の第２の工程において成膜されるＣｕ拡散防止膜と当該Ｃｕ膜のコンタクト抵抗を低減させることが可能となる。
【００４４】
他にもエッチング剤としては、アセチルアセトン、１，１，１−トリフルオロ−ペンタン−２，４−ジオン、２，６−ジメチルペンタン−３，５−ジオン、２，２，７−トリメチロクタン−２，４−ジオン、２，２，６，６−テトラメチルヘプタン−３，５−ジオン、ＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸）、ＮＴＡ（ニトリロ三酢酸）、酢酸、蟻酸、シュウ酸、マレイン酸、グリコール酸、クエン酸、リンゴ酸、乳酸、アミノ酸、トリエタノールアミンなどが使用可能である。
【００４５】
このように、本ステップ１０６において、Ｃｕ表面の酸化膜を除去することで、前記第２の工程において成膜される前記Ｃｕ拡散防止膜と当該Ｃｕ膜との電気的接触抵抗（コンタクト抵抗）値を低減することが可能となる。
【００４６】
次にステップ１０７において、前記バルブ５０４を開放して前記処理容器５０１および前記混合器５０２内の処理媒体および反応副生成物を排出して、前記第１の工程を終了する。
【００４７】
なお、前記ステップ１０７の後に、さらに図４で示すようにリンス工程を付加してもよい。
［第４実施例］
図４は、図３で示した前記第３実施例の変形例である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００４８】
図４を参照するに、ステップ１０１〜ステップ１０７までは図３で示した第３実施例の場合と同一である。
【００４９】
ステップ１０８において、前記バルブ５０４を閉じて、前記バルブ５１６ａを開放して前記混合器および前記処理容器５０１内を超臨界状態のＣＯ２で満たす。その後前記バルブ５１６ａを閉じる。
【００５０】
その後、ステップ１１０において再び前記バルブ５０４を開放することで前記処理容器５０１および前記混合器５０２から前記超臨界状態のＣＯ２を排出する。このステップ１０８からステップ１１０の工程を設けることで、前記処理容器５０１内壁や、前記ウェハＷに付着していた未反応の処理媒体や副生成物を前記処理容器５０１の外へと排出することが可能となる。また、必要に応じてステップ１０９によって前記ステップ１０８より前記ステップ１０７に工程を戻して、このステップ１０７からステップ１０８のリンス工程を複数回繰り返すことにより、さらに前記したような残留物や反応副生成物を取り除くことができる。
［第５実施例］
次に、第５実施例として前記第２の工程のプロセスフローの内容を示す。前記第２の工程では、Ｃｕ拡散防止膜を形成する。前記したように、Ｃｕ拡散防止膜は金属膜または金属窒化膜の単層膜、もしくは金属膜と金属窒化膜の積層膜からなる。本実施例においては、金属膜と金属窒化膜の積層膜を形成する場合を記述する。そのため、本実施例におけるＣｕ拡散防止膜の形成工程は、金属膜を形成する前半の工程と当該金属の窒化膜を形成する後半の工程からなる。
【００５１】
まず前記第２の工程の前半の工程に関して、図５に示す。
【００５２】
図５を参照するに、ステップ２０１〜ステップ２０２は前記ステップ１０１〜ステップ１０２の場合と同一である。但し、ウェハＷは前記基板ヒータ５０１ａによって２５０℃〜５００℃に保持される。
【００５３】
次にステップ２０３において、前記固体原料容器５２５ａに保持されたＴａ成膜プレカーサである前記固体原料５２６ａを前記混合器５０２に導入する。まず、本ステップ２０３に移行するにあたって予め前記バルブ５１４および５２８ａを開放し、また前記加圧ポンプ５１７を用いて前記固体原料容器５２５ａをＣＯ２で加圧状態とする。また前記処理容器５２５ａは前記エリア５０１Ｂの範囲であり、ヒータで加熱されているため、前記固体原料容器５２５ａ内では超臨界状態のＣＯ２が生成される。さらに当該超臨界状態のＣＯ２はプレカーサの溶解度が高いため、当該超臨界状態のＣＯ２に、前記Ｔａ成膜プレカーサである例えばＴａＦ５である固体原料５２６ａが十分に溶解して処理媒体が形成される。そこで本ステップ２０３において前記バルブ５２７ａを開放して当該処理媒体を前記混合器５０２に供給する。その際、前記固体原料容器５２５ａの圧力を維持するために、必要に応じて前記バルブ５２８ａを開閉する。所定の時間前記バルブ５２７ａを開放した後、前記バルブ５２７ａを閉じる。
【００５４】
次にステップ２０５において、前記バルブ５０９が開放されて、前記混合器５０２から超臨界状態のＣＯ２を含む当該処理媒体が、前記混合器５０２より前記処理容器５０１に導入される。また、必要に応じて圧力調整のために前記バルブ５１６の開閉がなされ、ＣＯ２の超臨界状態が維持される。
【００５５】
次のステップ２０６において、被処理基板である前記ウェハＷ上に、Ｔａ膜の成膜が行われ、所定時間経過後、次のステップ２０７に移行する。なお、本ステップにおいて、前記ウェハＷは、前記基板ヒータ５０１ａによっておよそ２５０℃〜５００℃に維持される。
【００５６】
前記したように超臨界状態のＣＯ２は、溶解性が高く、また非常に流動性が高く、拡散性に富むため、例えば０．１μｍ以下の微細なパターンの底部や側壁にも、効率よく当該金属膜を成膜することができ、良好なカバレージ特性を得ることができる。
【００５７】
次のステップ２０７は、前記ステップ１０７と同じである。
【００５８】
また、Ｔａ成膜プレカーサは、本実施例ではハロゲン化合物であるＴａＦ５を用いたが、他にハロゲン化合物としてはＴａＣｌ５，ＴａＢｒ５，ＴａＩ５を使用しても同様の結果が得られる。また、有機金属のプレカーサとしては、（Ｃ５Ｈ５）２ＴａＨ３，（Ｃ５Ｈ５）２ＴａＣｌ３などを用いても同様の結果を得ることが可能である。
［第６実施例］
図５に示した第５実施例は、図６に示す第６実施例のように変形が可能である。
【００５９】
図６には前記第２の工程の前半のプロセスフローを示す。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００６０】
図６におけるステップ２０８〜２１０は、前記ステップ１０８〜１１０と同じリンス工程であり、同様に前記処理容器５０１内や前記ウェハＷに付着した残留物や反応副生成物を除去する効果がある。
［第７実施例］
次に、前記第２の工程の後半のプロセスフローを図７に示す。当該後半のプロセスでは前記金属の窒化膜を形成する。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００６１】
まずステップ２１１は、前記ステップ１０１と同じである。
【００６２】
次にステップ２１２において、前記バルブ５１５および５４０ｂを開放して前記処理容器５０１に窒素化合物のガス、例えばＮＨ３を供給する。その際前記加圧ポンプ５１７ｂを用いて加圧を行い、さらに前記処理容器５０１および前記混合器５０２を含む前記エリア５０１Ｂはヒータによって加熱されているために、前記処理容器５０１内のＮＨ３は、ＮＨ３の臨界点を超える条件にされる。なお、当該ＮＨ３の臨界点は、温度１３２．２５℃、圧力１１．３３ＭＰａであり、前記処理容器５０１は当該臨界点以上の温度、圧力に制御されて、前記前記処理容器５０１は超臨界状態のＮＨ３で満たされた状態となる。このように予め前記処理容器５０１内の圧力を上昇しておくことで、この後で超臨界状態のＮＨ３を含む処理媒体が前記処理容器５０１に導入された場合に当該処理媒体の圧力が急激に変化することを防止する。また、当該処理容器５０１が所定の圧力となった状態で、前記基板ヒータ５０１ａによって前記ウェハＷが加熱されて２５０℃〜５００℃の温度にされる。所定の時間経過後、前記バルブ５１５および５４０ｂを閉じる。
【００６３】
次に、ステップ２１３において、前記固体原料容器５２５ａに保持されたＴａ成膜プレカーサである前記固体原料５２６ａを前記混合器５０２に導入する。まず、本ステップ２１３に移行するにあたって予め前記バルブ５１４および前記バルブ５２８ａを開放し、また前記加圧ポンプ５１７ａを用いて前記固体原料容器５２５ａをＣＯ２で加圧状態とする。また前記処理容器５２５ａは前記エリア５０１Ｂの範囲であり、ヒータで加熱されているため、前記固体原料容器５２５ａ内では超臨界状態のＣＯ２が生成される。さらに当該超臨界状態のＣＯ２はプレカーサの溶解度が高いため、当該超臨界状態のＣＯ２に、前記Ｔａ成膜プレカーサである例えばＴａＦ５である固体原料５２６ａが十分に溶解して処理媒体が形成される。そこで本ステップ２１３において前記バルブ５２７ａを開放して当該処理媒体を前記混合器５０２に供給する。その際、前記固体原料容器５２５ａの圧力を維持するために、必要に応じて前記バルブ５２８ａを開閉する。所定の時間前記バルブ５２７ａを開放した後、前記バルブ５２７ａを閉じる。
【００６４】
次にステップ２１５において、前記バルブ５０９が開放されて、前記混合器５０２から超臨界状態のＣＯ２を含む当該処理媒体が、前記混合器５０２より、前記ステップ２１２で予め超臨界状態のＮＨ３で満たされた前記処理容器５０１に導入される。また、必要に応じて圧力調整のために前記バルブ５１６ａの開閉がなされ、前記処理容器５０１内の超臨界状態が維持される。
【００６５】
次のステップ２１６において、被処理基板である前記ウェハＷ上に、ＴａＮ膜の成膜が行われ、所定時間経過後、次のステップ２０７に移行する。なお、本ステップにおいて、前記ウェハＷは、前記基板ヒータ５０１ａによっておよそ２５０℃〜５００℃に維持される。
【００６６】
前記したように超臨界状態のＮＨ３は、非常に流動性が高く、拡散性に富むため、例えば０．１μｍ以下の微細なパターンの底部や側壁にも、効率よく当該金属窒化膜を成膜することができ、良好なカバレージ特性を得ることができる。
【００６７】
次のステップ２１７は、前記ステップ１０７と同じである。
【００６８】
なお、本実施例では、前記固体原料容器５２５ａにおける前記処理媒体の溶解および、前記処理容器５０２の予備加圧は超臨界状態のＣＯ２を用い、また、前記処理容器５０１の予備加圧は超臨界状態のＮＨ３を用いたが、当該ＮＨ３と、ＣＯ２の混合媒体の超臨界状態の媒体を用いても同様の結果が得られる。
【００６９】
また、窒化化合物はＮＨ３に限定されず、他の窒素化合物も同様に使用可能である。
［第８実施例］
図７に示した第７実施例は、図８に示す第８実施例のように変形が可能である。
【００７０】
図８には前記第２の工程の後半のプロセスフローを示す。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００７１】
図８におけるステップ２１８〜２２０は、前記ステップ１０８〜１１０と同じリンス工程であり、同様に前記処理容器５０１内や前記ウェハＷに付着した残留物や副生成物を除去する効果がある。
【００７２】
また、第５〜８実施例においては、Ｃｕ拡散防止膜として、金属膜と金属窒化膜の積層膜を形成する例を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。たとえば、Ｃｕ拡散防止膜として、Ｔａの単層膜を形成する場合は、第５実施例または第６実施例の工程のみでＣｕ拡散防止膜を形成し、第７実施例または第８実施例で示したＴａＮ膜形成工程を省略すればよい。また、同様にＴａＮの単層膜を形成する場合は、第７実施例または第８実施例の工程のみでＣｕ拡散防止膜を形成し、第５実施例または第６実施例で示したＴａ膜形成工程を省略すればよい。
［第９実施例］
次に、第９実施例として、前記第３の工程のプロセスフローの内容を図９に示す。前記第３の工程は前記ウェハＷ上に、Ｃｕ膜を形成する工程である。当該Ｃｕ膜を形成するには、Ｃｕ成膜プレカーサとして固体原料を用いる場合と液体原料を用いる場合があるが、まず、図９には固体原料を用いる場合のプロセスフローを示す。
【００７３】
図９を参照するに、まずステップ３０１および３０２は、前記ステップ１０１および１０２と同一である。但しウェハＷは、前記基板ヒータ５０１ａによって１５０℃〜４００℃に保持される。
【００７４】
次にステップ３０３において、前記バルブ５３０を開放してＨ２を前記Ｈ２供給ライン５２９より前記混合器５０２に所定量導入した後、前記バルブ５３０を閉じる。前記混合器５０２は、当該Ｈ２で満たされる。
【００７５】
次にステップ３０４において、前記固体原料容器５２５ｂに保持されたＣｕ成膜プレカーサである前記固体原料５２６ｂを前記混合器５０２に導入する。まず、本ステップ３０４に移行するにあたって予め前記バルブ５１４および５２８ｂを開放し、また前記加圧ポンプ５１７ａを用いて前記固体原料容器５２５ｂをＣＯ２で加圧状態とする。また前記処理容器５２５ｂは前記エリア５０１Ｂの範囲であり、ヒータで加熱されているため、前記固体原料容器５２５ｂ内では超臨界状態のＣＯ２が生成される。さらに当該超臨界状態のＣＯ２はプレカーサの溶解度が高いため、当該超臨界状態のＣＯ２に、前記Ｃｕ成膜プレカーサである例えばＣｕ＋２（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）２である固体原料５２６ｂが十分に溶解して処理媒体が形成される。そこで本ステップ３０４において前記バルブ５２７ａを開放して当該処理媒体を前記混合器５０２に供給する。その際、前記固体原料容器５２５ｂの圧力を維持するために、必要に応じて前記バルブ５２８ｂを開閉する。所定の時間前記バルブ５２７ｂを開放した後、前記バルブ５２７ｂを閉じる。
【００７６】
次にステップ３０５において、前記バルブ５０９が開放されて、前記混合器５０２から超臨界状態のＣＯ２を含む当該処理媒体が、前記混合器５０２より前記処理容器５０１に導入される。また、必要に応じて圧力調整のために前記バルブ５１６の開閉がなされ、ＣＯ２の超臨界状態が維持される。
【００７７】
次のステップ３０６において、被処理基板である前記ウェハＷ上に、以下
【００７８】
【化１】
で示す反応が生じてＣｕ膜の成膜が行われる。但し、式中、ｈｆａｃはヘキサフルオロアセチルアセトネートを示す。所定時間経過後、次のステップ３０７に移行する。なお、本ステップにおいて、前記ウェハＷは、前記基板ヒータ５０１ａによっておよそ１５０℃〜４００℃に維持される。
【００７９】
前記したように超臨界状態のＣＯ２は、非常に流動性が高く、拡散性に富むため、例えば０．１μｍ以下の微細なパターンの底部や側壁にも、効率よく当該Ｃｕ膜を成膜することができ、良好なカバレージ特性を得ることができる。
【００８０】
次のステップ３０７は、前記ステップ１０７と同じである。
【００８１】
また、Ｃｕ成膜プレカーサは、本実施例ではＣｕ＋２（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）２を用いたが、他にＣｕ＋２（アセチルアセトネート）２、およびＣｕ＋２（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン）２などを用いても同様の結果を得ることが可能である。
【００８２】
前記Ｃｕ成膜プレカーサが、超臨界状態のＣＯ２に高い溶解性を示す例を、図１０（ａ）、（ｂ）に示す。（図１０（ａ）Ｒ．Ｅ．Ｓｉｅｖｅｒｓ ａｎｄ Ｊ．Ｅ．Ｓａｄｌｏｗｓｋｉ， Ｓｃｉｅｎｃｅ ２０１（１９７８）２１７、図１０（ｂ）Ａ．Ｆ．Ｌａｇａｌａｎｔｅ， Ｂ．Ｎ．Ｈａｎｓｅｎ， Ｔ．Ｊ．Ｂｒｕｎｏ， Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ， ３４（１９９５））
図１０（ａ）は、Ｃｕ成膜プレカーサである、Ｃｕ＋２（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）２の飽和蒸気圧曲線である。例えば、４０℃の際の飽和蒸気圧はおよそ０．０１Ｔｏｒｒであることがわかる。
【００８３】
一方、図１０（ｂ）は、３１３．１５Ｋ（４０℃）において、超臨界状態のＣＯ２中のＣｕ＋２（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）２の分圧を示したものである。例えば、超臨界領域である１５ＭＰａ時において、当該分圧はおよそ１０００Ｐａ以上であり、前記した通常の飽和状態の場合に比較して非常に高密度のＣｕ＋２（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）２が超臨界状態のＣＯ２中に存在する、すなわち、高い溶解性を示していることがわかる。
【００８４】
このように、高い溶解性を持ちながら、流動性と拡散性が良好である超臨界状態の媒体をもちいることで、成膜レートを維持しながら、微細パターンのカバレージが良好な成膜を行うことが可能となっている。
［第１０実施例］
また、前記第９実施例は以下図１１に示す、第１０実施例のように変更が可能である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００８５】
図１１を参照するに、図１１ではステップ３０８〜３１０が付加されているが、これは前記ステップ１０８〜１１０と同一のリンス工程であり、同様に、前記処理容器５０１内部や前記ウェハＷ上の残留物や副生成物を取り除く効果がある。
［第１１実施例］
次に、前記第３の工程のプロセスフローの例として、Ｃｕ成膜プレカーサに液体原料を用いた場合の例を示す。
【００８６】
図１２は、Ｃｕ成膜プレカーサに液体原料を用いた場合の前記第３の工程のプロセスフローを示す図である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００８７】
図１１を参照するに、ステップ３１１およびステップ３１２は、前記ステップ３０１およびステップ３０２と同一である。但し、ウェハＷは前記基板ヒータ５０１ａによって１００℃〜３５０℃に維持される。
【００８８】
次にステップ３１３において、前記ガスライン５２２から供給される例えばＡｒなどの不活性ガスによって押し出された、Ｃｕ成膜プレカーサの例えばＣｕ＋１（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（トリメチルビニルシラン）である前記液体原料５２３が、前記液体原料供給ライン５１８から減圧状態の前記混合器５０２に供給され、所定の時間経過後前記バルブ５３２が閉じられる。
【００８９】
次にステップ３１４において、前記バルブ５１６が開放されて超臨界状態のＣＯ２が前記混合器５０２に導入され、当該超臨界状態のＣＯ２と前記液体原料５２３が十分に拡散・混合して処理媒体を形成する。所定の時間経過後前記バルブ５１６が閉じられる。
【００９０】
次にステップ３１５において前記バルブ５０９が開放されて、超臨界状態のＣＯ２を含む当該処理媒体が、前記混合器５０２より前記処理容器５０１に導入される。また、必要に応じて圧力調整のために前記バルブ５１６の開閉がなされ、ＣＯ２の超臨界状態が維持される。
【００９１】
ステップ３１６において、被処理基板である前記ウェハＷ上に、以下
【００９２】
【化２】
で示す反応が生じてＣｕ膜の成膜が行われる。但し式中、ｈｆａｃはヘキサフルオロアセチルアセトネートを示し、ｔｍｖｓはトリメチルビニルシランを示している。所定時間経過後、次のステップ３１７に移行する。なお、本ステップにおいて、前記ウェハＷは、前記基板ヒータ５０１ａによっておよそ１００℃〜３５０℃に維持される。
【００９３】
前記したように超臨界状態のＣＯ２は、非常に流動性が高く、拡散性に富むため、例えば０．１μｍ以下の微細なパターンの底部や側壁にも、効率よく当該Ｃｕ膜を成膜することができ、良好なカバレージ特性を得ることができる。
【００９４】
次のステップ３１７は、前記ステップ３０７と同じである。
【００９５】
また、Ｃｕ成膜プレカーサは、本実施例ではＣｕ＋１（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（トリメチルビニルシラン）を用いたが、他にＣｕ＋１（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）とシリロレフィンリガンドを含み、前記シリロレフィンリガンドは、アリルオキシトリメチルシリル（ａｏｔｍｓ）、ジメチルアセチレン（２−ブチン）、２−メチル−１−ヘキシン−３−イン（ＭＨＹ）、３−ヘキシン−２，５−ジメトキシ（ＨＤＭ）、１，５−シクロオクタジエン（１，５−ＣＯＤ）、およびビニルトリメトキシレン（ＶＴＭＯＳ）からなる群から選択されるプレカーサを用いても同様の結果を得ることが可能である。
【００９６】
さらに、本実施例にて用いる処理媒体に、以下のような添加物を加えて成膜されるＣｕ膜の膜質を改善しても良い。
【００９７】
例えば、前記処理媒体にＨ２Ｏを添加することで、第５〜８実施例で前記したＣｕ拡散防止膜上にＣｕ膜を成長させる際のインキュベーションタイムを短縮して実質的な成膜速度を向上させることができる。
【００９８】
また、例えば（ＣＨ３）Ｉや（Ｃ２Ｈ５）Ｉを添加することで、微細パターンにＣｕ膜を形成する際ボトムアップフィルが可能となり、（Ｋｅｗ−Ｃｈａｎ Ｓｈｉｍ， Ｈｙｕｎ−Ｂａｅ Ｌｅｅ， Ｏｈ−Ｋｙｕｍ Ｋｗｏｎ， Ｈｙｕｎｇ−Ｓａｎｇ Ｐａｒｋ， Ｗｏｎｙｏｎｇ Ｋｏｈ ａｎｄ Ｓａｎｇ−Ｗｏｎ Ｋａｎｇ， ”Ｂｏｔｔｏｍ−ｕｐ Ｆｉｌｌｉｎｇ ｏｆ Ｓｕｂｍｉｃｒｏｍｅｔｅｒ Ｆｅａｔｕｒｅｓ ｉｎ Ｃａｔａｌｙｓｔ−Ｈｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ”， Ｊ．Ｅｌｅｃｔｏｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ． １４９（２） （２００２）Ｇ１０９−Ｇ１１３）例えば０．１μｍ以下のビアホールでもボイドが発生することなく高品質のＣｕ膜が成膜できる。
［第１２実施例］
また、前記第１１実施例は以下図１３に示す、第１２実施例のように変更が可能である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００９９】
図１３を参照するに、図１３ではステップ３１８〜３２０のリンス工程が付加されているが、これは前記ステップ１０８〜１１０と同一であり、同様に、前記処理容器５０１内部や前記ウェハＷ上の残留物や副生成物を取り除く効果がある。
［第１３実施例］
また、ここまで前記第１の工程、第２の工程および第３の工程に関して説明したが、前記第１〜３の工程はいずれも基板処理装置５００において行われる。それを示したものが図１４である。図１４には本発明で実施される、前記第１〜３の工程（図中Ｓ１００、Ｓ２００およびＳ３００にて示す）を示すが、領域Ａで囲まれた前記第１〜３の工程はすべて前記基板処理装置５００において行われる。これを、以下に示すように、別の基板処理装置を用いることで処理方法を変更することが可能である。
【０１００】
図１５は図１４で示した基板処理方法の別の実施例である。例えば、領域Ｂで示される前記第１の工程は前記基板処理装置５００においておこなう。その後、被処理基板を別の基板処理装置に輸送して、領域Ｃで示される前記第２の工程が行われ、さらに別の基板処理装置に被処理基板を輸送して領域Ｄで示される前記第３の工程を行う。このように別の基板処理装置、さらに別の基板処理装置に被処理基板を輸送することで連続的に前記第１〜３の工程を行うことも可能である。
【０１０１】
また、図１６および図１７には図１４で示した基板処理方法のさらに別の実施例を示す。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【０１０２】
図１６を参照するに、領域Ｅで示す前記第１および第２の工程を、例えば前記基板処理装置５００にて行い、被処理基板を別の基板処理装置に輸送して、領域Ｆで示される前記第３の工程が行わるフローとなっている。また、図１７においては、領域Ｇで示す第１の工程を、例えば前記基板処理装置５００にて行い、被処理基板を別の基板処理装置に輸送して、領域Ｈで示される前記第１および第２の工程が行わるフローとなっており、いずれの場合も図１４で示した前記第１〜３の工程を前記基板処理装置５００で行う場合と同様の結果が得られる。
【０１０３】
また、被処理基板を輸送する際は酸素を含む大気に曝さないことが重要であり、減圧下もしくは不活性ガス中を搬送する必要がある。
［第１４実施例］
次に、本発明の基板処理方法を用いた半導体装置の製造工程について、以下図１８（ａ）〜（ｃ）、図１９（ｄ）〜（ｇ）において手順を追って説明する。
【０１０４】
まず、図１８（ａ）を参照するに、シリコンからなる半導体基板上に形成されたＭＯＳトランジスタなどの素子（図示せず）を覆うように絶縁膜、例えばシリコン酸化膜６０１が形成されている。当該素子に電気的に接続されている、例えばＷからなる配線層（図示せず）と、これに接続された、例えばＣｕからなる配線層６０２が形成されている。
【０１０５】
また、前記シリコン酸化膜６０１上には、Ｃｕ層６０２を覆うように、第１の絶縁層６０３が形成されている。前記絶縁層６０３には、溝部６０４ａおよびホール部６０４ｂが形成されている。前記溝部６０４ａおよびホール部６０４ｂには、配線層であるＣｕ層６０４が形成され、これが前述のＣｕ層６０２と電気的に接続された構成となっている。ここで前記第１の絶縁層６０３と前記Ｃｕ層６０４の接触面および前記Ｃｕ層６０２と前記Ｃｕ層６０４の接触面にはバリア層６０４ｃが形成されている。前記バリア層６０４ｃは、前記Ｃｕ層６０４から前記第１の絶縁層６０３へＣｕが拡散するのを防止すると共に、前記Ｃｕ層６０４と前記第１絶縁層６０３の密着性を向上させる密着層の機能をはたしている。また、前記バリア層６０４ｃは、金属と、当該金属窒化膜の構成、例えばＴａとＴａＮからなる。さらに、前記Ｃｕ層６０４および前記第１の絶縁層６０３の上を覆うように第２の絶縁層６０６が形成されている。本実施例では、前記第２の絶縁層６０６に、本発明による基板処理方法を適用して、Ｃｕ層およびバリア層を形成する。
【０１０６】
次に、図１８（ｂ）を参照するに、前記第２の絶縁層には、溝部６０７ａおよびホール部６０７ｂがドライエッチング法によって形成される。
【０１０７】
次に、図１８（ｃ）において、本発明による基板処理方法の前記第１の工程を適用する。前記したように、超臨界状態のＣＯ２とエッチング剤を用いることにより、処理基板表面をクリーニングする。たとえば前記ホール部６０７ｂの底部に露出している前記Ｃｕ層６０４の表面に形成した酸化膜を除去して、次の工程にて形成されるバリア層と前記Ｃｕ層６０４との密着性を向上させる。また、前記溝部６０７ａおよび前記ホール部６０７ｂ内部に残留したエッチングの残渣物や副生成物を除去する効果もある。
【０１０８】
次に図１９（ｄ）において、本発明による第２の工程を適用し、前記第２の絶縁膜６０６上および前記Ｃｕ層６０４の露出面に、バリア層６０７ｃの成膜を行う。前記バリア層６０７ｃは、例えばこの場合Ｔａ膜とＴａＮ膜からなり、前記第２の工程では、前記したように前半にＴａ膜を成膜して後半にＴａＮ膜を成膜して、Ｔａ／ＴａＮからなるバリア層６０７ｃを形成する。
【０１０９】
また、前記したように、本工程では超臨界状態のＣＯ２およびＮＨ３を用いているため良好な拡散性を有し、微細な前記ホール部６０７ｂおよび溝部６０７ａ部の底部や側壁部にも良好なカバレージで前記バリア膜６０７ｃを形成することができる。
【０１１０】
次に図１９（ｅ）において、本発明による第３の工程を適用し、前記バリア層６０７ｃの上にＣｕ層６０７を形成する。ここでも、前記したように、超臨界状態のＣＯ２を用いているため、Ｃｕ成膜プレカーサが溶解した超臨界状態のＣＯ２が良好な拡散性を有するため、微細な前記ホール部６０７ｂおよび溝部６０７ａ部の底部や側壁部にも良好なカバレージで前記Ｃｕ層６０７を形成することができる。
【０１１１】
次に、図１９（ｆ）において、例えばＣＭＰ法により、前記Ｃｕ層６０７上部および前記バリア膜６０７ｃが研削されて、前記第２の絶縁層６０６のＣｕ配線が完成する。また、この工程の後に、さらに前記第２の絶縁層の上部に第２＋ｎ（ｎは自然数）の絶縁層を形成し、それぞれの絶縁層に本発明による基板処理方法を適用してＣｕ配線を形成することが可能である。また、前記第１の絶縁層に形成された前記バリア膜６０４ｃおよびＣｕ層６０４の形成にも本発明を適用することが可能である。
【０１１２】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【０１１３】
【発明の効果】
本発明によれば、Ｃｕ拡散防止膜の形成およびＣｕ膜の埋め込みの双方を、超臨界状態の媒体を使って行うことが可能となる。超臨界状態の媒体は、金属、例えばＣｕもしくはＴａを含む前駆体化合物の溶解度が高く、かつ流動性に富んで拡散性が高いため、非常に微細なパターンにおいてもＣｕの拡散防止膜の形成およびＣｕ膜の埋め込みが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その１）である。
【図２】本発明による基板処理をおこなう基板処理装置の構成を示す図である。
【図３】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その２）である。
【図４】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その３）である。
【図５】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その４）である。
【図６】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その５）である。
【図７】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その６）である。
【図８】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その７）である。
【図９】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その８）である。
【図１０】Ｃｕを含むプレカーサの溶解度を示す図である。
【図１１】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その９）である。
【図１２】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その１０）である。
【図１３】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その１１）である。
【図１４】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その１２）である。
【図１５】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その１３）である。
【図１６】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その１４）である。
【図１７】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その１５）である。
【図１８】本発明による基板処理方法を用いた半導体装置の製造方法を示す図（その１）である。
【図１９】本発明による基板処理方法を用いた半導体装置の製造方法を示す図（その２）である。
【符号の説明】
５００ 基板処理装置
５０１ 処理容器
５０２ 混合器
５０３ 排気ライン
５０４，５０６，５０９，５１４，５１５，５１６，５２３，５２７ａ，５２７ｂ，５２８ａ，５２８ｂ，５３０，５３２，５３４，５３８，５４０ バルブ
５０８，５３３ 真空排気ライン
５１０ 供給ライン
５１１ 加圧ライン
５１２ 液体ＣＯ２供給源
５１３ 液体ＮＨ３供給源
５１７ 加圧ポンプ
５１８ 液体原料供給ライン
５１９ 固体原料供給ライン
５２０ ガス供給ライン
５２１ 液体原料容器
５２２ ガス供給ライン
５２３ 液体原料
５２４ 質量流量コントローラ
５２５ａ，５２５ｂ 固体原料容器
５２６ａ，５２６ｂ 固体原料
５２９ Ｈ２供給ライン
５３１ エッチング剤供給ライン
５３５ 予備加圧ライン
５３６，５３７ 圧力開放弁
【発明の属する技術分野】
本発明は基板処理方法および半導体装置の製造方法に係り、更には金属膜の成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置の高性能化に伴い、半導体デバイスの高集積化が進んで微細化の要求が著しくなっており、配線ルールは０．１３μｍから０．１０μｍ以下の領域へと開発が進んでいる。また、配線材料は従来のＡｌから、配線遅延の影響の少ない、抵抗値の低いＣｕに置き換えられてきている。
【０００３】
そのため、Ｃｕ成膜技術と微細配線技術の組み合わせが、近年の微細化した多層配線技術の重要なキーテクノロジーとなっている。
【０００４】
前記したＣｕの成膜方法に関しては、スパッタ法、ＣＶＤ法、メッキ法などが一般に知られているが、いずれも微細配線を考えた場合にはカバレージに限界があり、０．１μｍ以下の高アスペクト比の微細パターンに効率よくＣｕを成膜することは非常に困難である。
【０００５】
そこで、微細パターンにＣｕを効率よく成膜する方法として超臨界状態の媒体を用いたＣｕの成膜方法が提案されている（例えば、非特許文献１参照。）。前記非特許文献１によると、超臨界状態のＣＯ２を用いてＣｕ成膜のためのＣｕを含む前駆体化合物（プレカーサ）を溶解し、Ｃｕの成膜を行っている。超臨界状態とは、物質の温度・圧力が当該物質固有の値（臨界点）以上となったときに、当該物質が気体と液体の特徴を併せ持つ状態になることをいう。
【０００６】
例えば、前記したＣＯ２の超臨界状態の媒体においては、Ｃｕを含む前駆体化合物であるＣｕ成膜プレカーサの溶解度が高い一方で粘性が低く、拡散性が高いために前記したようなアスペクト比が高い微細なパターンにＣｕ成膜が可能となる。前記非特許文献１では、微細パターンへのＣｕの埋め込みが紹介されている。
【０００７】
【非特許文献１】
「Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ Ｃｏｎｆｏｒｍａｌ Ｃｏｐｐｅｒ ａｎｄ Ｎｉｃｋｅｌ Ｆｉｌｍｓ ｆｒｏｍ Ｓｕｐｅｒｃｒｉｔｉｃａｌ Ｃａｒｂｏｎ Ｄｉｏｘｉｄｅ」
ＳＣＩＥＮＣＥ ｖｏｌ２９４ ２００１ １０月５日
ｗｗｗ．ｓｃｉｅｎｃｅｍａｇ．ｏｒｇ
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、前記したようなＣｕ成膜によって実際に半導体デバイスを作成する際には、例えばＣｕ配線間の絶縁膜中へのＣｕの拡散を防止するためにＣｕと絶縁膜の間にＣｕの拡散防止膜を形成する必要がある。
【０００９】
前記したようなＣｕの拡散防止膜は、金属膜、金属窒化膜または金属膜と金属窒化膜の積層膜などが用いられることが知られており、例えばＴｉ，Ｔａ，Ｗ，ＴｉＮ，ＴａＮ，ＷＮなどが用いられる。
【００１０】
前記したようなＣｕ拡散防止膜の形成には従来よりスパッタ法が用いられてきた。しかし、近年半導体デバイスの微細パターンにおいてはカバレージが十分とはいえず、スパッタ法を適用するのは困難である。また、前記スパッタ法に換わってカバレージのよいＣＶＤ法も近年多く用いられるようになっているが、０．１μｍ以下の高アスペクト比の微細パターンにおいてはやはりカバレージが不十分であるのが現状である。
【００１１】
また、Ｃｕを超臨界状態の媒体を用いて形成することを考えた場合には、加圧プロセスの他にスパッタ法もしくはＣＶＤ法のために減圧プロセスが必要で、２種類の形式の異なる装置を用意する必要がある。また、基板を減圧装置と加圧装置の間で搬送する必要が有り、生産性が低い問題がある。
【００１２】
そこで、本発明では上記の問題を解決した、新規で有用な基板処理方法および半導体装置の製造方法を提供することを統括的目的とした。
【００１３】
本発明のより具体的な課題は、超臨界状態の媒体を用いたことによって、高アスペクト比の微細なパターンへのＣｕの拡散防止膜およびＣｕ膜の埋め込みを可能にすることである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の課題を解決するために、
請求項１に記載したように、
第１の超臨界状態の媒体を含む第１の処理媒体を被処理基板上に供給して基板処理を行う第１の工程と、
第２の超臨界状態の媒体を含む第２の処理媒体を前記被処理基板上に供給することにより、前記被処理基板上にＣｕ拡散防止膜を形成する第２の工程と、
第３の超臨界状態の媒体を含む第３の処理媒体を前記被処理基板上に供給することにより、前記被処理基板上にＣｕ膜を形成する第３の工程とを有することを特徴とする基板処理方法により、また、
請求項２に記載したように、
前記Ｃｕ拡散防止膜は、金属膜または前記金属の窒化膜の単層膜または前記金属膜と前記金属の窒化膜の積層膜よりなることを特徴とする請求項１記載の基板処理方法により、また、
請求項３に記載したように、
前記第２の工程は、前記金属膜を形成する工程または前記金属の窒化膜を形成する工程または前記金属膜と前記金属の窒化膜の積層膜を形成する工程よりなることを特徴とする請求項２記載の基板処理方法により、また
請求項４に記載したように、
前記第２の超臨界状態の媒体は、超臨界状態のＣＯ２、超臨界状態の窒化化合物、および超臨界状態のＣＯ２と超臨界状態の窒化化合物が混合されたもののいずれかであることを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項５に記載したように、
前記窒素化合物はＮＨ３であることを特徴とする請求項４記載の基板処理方法により、また、
請求項６に記載したように、
前記第２の処理媒体は、前記第２の超臨界状態の媒体に金属を含む前駆体化合物を添加したものであることを特徴とする請求項１〜５のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項７に記載したように、
前記金属はＴａであることを特徴とする請求項６記載の基板処理方法により、また、
請求項８に記載したように、
前記金属を含む前駆体化合物はＴａＦ５，ＴａＣｌ５，ＴａＢｒ５，ＴａＩ５よりなる群より選ばれることを特徴とする請求項７記載の基板処理方法により、また、
請求項９に記載したように、
前記金属を含む前駆体化合物は有機金属化合物であることを特徴とする請求項７記載の基板処理方法により、また、
請求項１０に記載したように、
前記有機金属化合物は、（Ｃ５Ｈ５）２ＴａＨ３，（Ｃ５Ｈ５）２ＴａＣｌ３のいずれかであることを特徴とする請求項９記載の基板処理方法により、また、
請求項１１に記載したように、
前記第２の工程は、前記金属窒化膜を含む膜を形成した後で、前記第２の超臨界状態の媒体によって前記被処理基板表面の第２の処理媒体および副生成物を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜１０のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法により、また、
請求項１２に記載したように、
前記第３の超臨界状態の媒体は、超臨界状態のＣＯ２であることを特徴とする請求項１〜１１のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法により、また、
請求項１３に記載したように、
前記第３の処理媒体は、前記第３の超臨界状態の媒体に銅を含む前駆体化合物を添加したものであることを特徴とする請求項１〜１２のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項１４に記載したように、
前記銅を含む前駆体化合物は、Ｃｕ＋２（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）２、Ｃｕ＋２（アセチルアセトネート）２、およびＣｕ＋２（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン）２のいずれかであることを特徴とする請求項１３記載の基板処理方法により、また、
請求項１５に記載したように、
前記銅を含む前駆体化合物は、Ｃｕ＋１（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）とシリロレフィンリガンドを含み、前記シリロレフィンリガンドは、トリメチルビニルシラン（ｔｍｖｓ）、アリルオキシトリメチルシリル（ａｏｔｍｓ）、ジメチルアセチレン（２−ブチン）、２−メチル−１−ヘキシン−３−イン（ＭＨＹ）、３−ヘキシン−２，５−ジメトキシ（ＨＤＭ）、１，５−シクロオクタジエン（１，５−ＣＯＤ）、およびビニルトリメトキシレン（ＶＴＭＯＳ）からなる群から選択されることを特徴とする請求項１３記載の基板処理方法により、また、
請求項１６に記載したように、
前記第３の工程は、前記Ｃｕ膜を形成した後で、前記第３の超臨界状態の媒体によって前記被処理基板表面の第３の処理媒体および副生成物を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜１５のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法により、また、
請求項１７に記載したように、
前記第１の超臨界状態の媒体は、超臨界状態であるＣＯ２であることを特徴とする請求項１〜１６のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項１８に記載したように、
前記第１の処理媒体は、前記第１の超臨界状態の媒体にエッチング剤を添加したものであることを特徴とする請求項１〜１７のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項１９に記載したように、
前記エッチング剤はキレート剤、ハロゲン化合物、酸、アミンのいずれかであることを特徴とする請求項１８記載の基板処理方法により、また、
請求項２０に記載したように、
前記第１の工程において、前記第１の処理媒体によって前記被処理基板上のＣｕ表面に形成された当該Ｃｕの酸化膜が除去されることを特徴とする請求項１〜１９のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項２１に記載したように、
前記第１の工程は、前記第１の処理媒体による前記基板処理を行った後で、前記第１の超臨界状態の媒体によって前記被処理基板表面の第１の処理媒体および副生成物を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜２０のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法により、また、
請求項２２に記載したように、
被処理基板を処理する処理容器において、前記第１の工程、前記第２の工程および前記第３の工程が行われることを特徴とする請求項１〜２１のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項２３に記載したように、
前記第１の工程が前記被処理基板を処理する処理容器で行われ、前記第２の工程が別の処理容器で行われ、前記第３の工程がさらに別の処理容器で行われることを特徴とする請求項１〜２１のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項２４に記載したように、
被処理基板を処理する処理容器において前記第１の工程および前記第２の工程が行われ、別の処理容器において前記第３の工程が行われることを特徴とする請求項１〜２１のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項２５に記載したように、
被処理基板を処理する処理容器において前記第１の工程がおこなわれ、別の処理容器において前記第２の工程および前記第３の工程が行われることを特徴とする請求項１〜２１のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項２５に記載したように、
請求項１〜２５のうち、いずれか一項記載の基板処理方法を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法により、解決する。
［作用］
本発明によれば、Ｃｕ拡散防止膜の形成およびＣｕ膜の埋め込みの双方を、超臨界状態の媒体を使って行うことが可能となる。超臨界状態の媒体は、金属、例えばＣｕもしくはＴａを含む前駆体化合物の溶解度が高く、かつ流動性に富んで拡散性が高いため、非常に微細なパターンにおいてもＣｕの拡散防止膜の形成およびＣｕ膜の埋め込みが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態について、図面に基づき以下に説明する。
［第１実施例］
図１は、本発明による基板処理方法を示すプロセスフローである。本プロセスでは前記したような超臨界状態のＣＯ２、もしくは超臨界状態の窒素化合物を用いることにより、以下の処理を行う。
【００１６】
図１を参照するに、前記基板処理方法は、大別して、第１の工程である被処理基板表面のクリーニング（図中Ｓ１００で示す）、第２の工程であるＣｕ拡散防止膜の成膜（図中Ｓ２００で示す）、第３の工程であるＣｕ膜の成膜（図中Ｓ３００で示す）からなる。
【００１７】
まず、前記第１の工程においては、超臨界状態のＣＯ２に、エッチング剤を溶解した処理媒体を用いることにより、被処理基板上の、例えばＣｕ膜の表面に形成されたＣｕの酸化膜を除去する。前記Ｃｕ膜上の酸化膜を除去することで、次の第２の工程で形成されるＣｕ拡散防止膜と当該Ｃｕ膜との電気的接触抵抗（コンタクト抵抗）値を低減することが可能になる。
【００１８】
次に前記第２の工程においては、前記第１の工程において、清浄になった前記Ｃｕ膜表面に、Ｃｕ拡散防止膜として、金属膜、金属窒化膜または金属膜と金属窒化膜の積層膜を形成する。例えば、金属膜と金属窒化膜の積層膜を形成する場合、超臨界状態のＣＯ２に金属を含む前駆体化合物である金属成膜プレカーサを溶解した処理媒体を用いることで金属膜を形成し、さらに超臨界状態の窒素化合物もしくは超臨界状態の窒素化合物に超臨界状態のＣＯ２を混合した媒体に前記金属成膜プレカーサを溶解した処理媒体を用いることで金属窒化膜を形成する。本工程では超臨界状態のＣＯ２もしくは窒素化合物を用いることで、例えば微細パターンにＣｕ拡散防止膜を効率よく成膜することが可能となる。
【００１９】
第３の工程では、超臨界状態のＣＯ２にＣｕを含む前駆体化合物であるＣｕ膜成膜プレカーサを溶解した処理媒体を用いることでＣｕ膜を形成する。本工程では超臨界状態のＣＯ２を用いることで、微細パターンにＣｕ膜を効率よく成膜することが可能となる。
【００２０】
次に前記基板処理方法を行う基板処理装置について図に基づき説明する。
［第２実施例］
図２は、本発明による基板処理方法を実施可能な基板処理装置５００の構成を示す。
【００２１】
図２を参照するに、前記基板処理装置５００は、大別すると、基板ヒータ５０１ａを内蔵した基板保持台５０１Ａを有する処理容器５０１と、基板処理を行うための超臨界状態の媒体を含む処理媒体を前記処理容器に供給する混合器５０２と、前記処理容器５０１を排気する排気ライン５０３を含む排気系からなる。
【００２２】
前記載置台５０１Ａには、被処理基板である半導体ウェハＷが載置され、前記混合器５０２より超臨界状態の媒体を含む処理媒体が前記処理容器５０１に供給され、基板処理がなされる。基板処理後の当該処理媒体は、バルブ５０４を開放することで前記排気ライン５０３より排出されて、前記処理容器５０１は、略大気圧状態となる。前記処理容器５０１内を大気圧以下に排気する場合は前記バルブ５０６およびバルブ５３８を開放することで真空ポンプ５０７により、真空排気ライン５０８より真空排気することが可能である。
【００２３】
前記処理容器５０１には、前記処理媒体を形成して当該処理媒体を前記処理容器５０１に供給する前記混合器５０２が、バルブ５０９を付した供給ライン５１０を介して接続されている。前記混合器５０２においては超臨界状態の媒体と所定の添加物を混合することによって処理媒体を形成して前記処理容器５０１に供給する。
【００２４】
前記混合器５０２には、液体ＣＯ２供給源５１２が接続された加圧ライン５１１ａが接続されている。前記加圧ライン５１１ａにおいて、バルブ５１４およびバルブ５１６ａが開放されて、前記液体ＣＯ２供給源５１２よりＣＯ２が前記混合器５０２に供給される。その際、前記加圧ライン５１１ａに設置された加圧ポンプ５１７ａによって、前記混合器５０２に供給されるＣＯ２が加圧されて超臨界状態にまでされる。前記加圧ポンプ５１７ａは、運転中の温度上昇を抑えてＣＯ２が液体の状態で加圧可能なように、チラーで冷やされる。
【００２５】
さらに、前記加圧ライン５１１ｂにおいてバルブ５１５およびバルブ５１６ｂを開放することで液体ＮＨ３供給源５１３よりＮＨ３が前記混合器５０２に供給可能であり、その際、前記加圧ライン５１１ｂに設置された加圧ポンプ５１７ｂによって、前記混合器５０２に供給されるＮＨ３が加圧されて超臨界状態にまでされる。前記加圧ポンプ５１７ｂは運転中の温度上昇を抑えてＮＨ３が液体の状態で加圧可能なように、チラーで冷やされる。
また、前記バルブ５１４、５１６ａと、前記バルブ５１５、５１６ｂを開放することにより、超臨界状態のＣＯ２および超臨界状態のＮＨ３の混合した超臨界状態の媒体を生成することも可能である。前記バルブ５１４、５１６ａと、前記バルブ５１５、５１６ｂは同時に開放してもよいし、前記バルブ５１４、５１６ａを先に開放するか、もしくは前記バルブ５１５、５１６ｂを先に開放してもよい。
【００２６】
また、前記混合器５０２、前記処理容器５０１、供給ライン５１０、前記加圧ライン５１１ａの一部、前記加圧ライン５１１ｂの一部、５１６ａおよびバルブ５１６ｂなどにはヒータが設置されて加熱され、ＣＯ２、ＮＨ３が臨界点を超えて超臨界状態となるようにしている。なお、前記基板処理装置５００においてヒータが設置されて加熱され、超臨界状態を生成するエリアを本図中エリア５０１Ｂにて示す。
【００２７】
さらに、前記混合器５０２には、液体原料供給ライン５１８、固体原料供給ライン５１９、ガス供給ライン５２０が接続されており、それぞれ液体原料、固体原料、およびガスを超臨界状態の媒体に溶解または混合して処理媒体を作成して前記処理容器５０１に供給する構造となっている。
【００２８】
まず、前記液体原料供給ライン５１８について説明する。前記液体原料供給ライン５１８は、液体原料５２３を保持する液体原料容器５２１に接続されている。前記液体原料容器５２１は、図示しない不活性ガス供給源に接続するガスライン５２２から供給される不活性ガスによって加圧され、バルブ５２３を開放することで前記液体原料供給ライン５１８より当該液体原料５２３が前記混合器５０２に供給される。その際、前記液体ガス供給ライン５１８に設置された質量流量コントローラ５２４によって、供給される前記液体原料５２３が、所定の流量に調整される。供給された当該液体原料５２３は、前記混合器５０２において超臨界状態の媒体と混合されて前記処理容器５０１へと供給される。
【００２９】
次に、前記固体原料供給ライン５１９について説明する。前記固体原料供給ライン５１９は、超臨界状態の媒体であるＣＯ２に溶解した固体原料５２６ａまたは５２６ｂを当該超臨界状態の媒体と共に前記混合器５０２に供給する。まず、前記固体原料５２６ａの供給方法に関して説明する。予めバルブ５２８ａおよび前記バルブ５１４を開放し、前記加圧ライン５１１ａを介して前記液体ＣＯ２供給源５１２よりＣＯ２が固体原料容器５２５ａに供給される。その際、前記加圧ライン５１１ａに設置された加圧ポンプ５１７ａによって、前記固体原料容器５２５ａに供給されるＣＯ２が加圧されて超臨界状態にまでされる。この超臨界状態の媒体であるＣＯ２に前記固体原料５２６ａを十分溶解させた処理媒体を作成しておく。その後、バルブ５２７ａを開放して、予め超臨界状態の媒体に満たされた前記混合容器５０２に当該処理媒体を供給する。前記混合器５０２に供給された当該処理媒体は、前記バルブ５０９を開放することで前記供給ライン５１０より前記処理容器５０１に供給される。前記固体原料５２６ｂに関しても同様にして、予めバルブ５２８ｂおよび前記バルブ５１４を開放し、前記加圧ライン５１１ｂを介して前記液体ＣＯ２供給源５１２よりＣＯ２が固体原料容器５２５ｂに供給される。その際、前記加圧ライン５１１ｂに設置された加圧ポンプ５１７ｂによって、前記固体原料容器５２５ｂに供給されるＣＯ２が加圧されて超臨界状態にまでされる。この超臨界状態の媒体であるＣＯ２に前記固体原料５２６ｂを十分溶解させた処理媒体を作成しておく。その後、バルブ５２７ｂを開放して、予め超臨界状態の媒体に満たされた前記混合容器５０２に当該処理媒体を供給する。前記混合器５０２に供給された当該処理媒体は、前記バルブ５０９を開放することで前記供給ライン５１０より前記処理容器５０１に供給される。
【００３０】
さらに、前記ガス供給ライン５２０に関して説明する。前記ガス供給ライン５２０は、バルブ５３０を付するＨ２供給ライン５２９と、バルブ５３２を付するエッチング剤供給ライン５３１が接続されており、それぞれＨ２とエッチング剤を前記混合器５０２に供給することが可能となっている。供給されたＨ２やエッチング剤は、前記混合器において超臨界状態の媒体と混合されて前記処理容器５０１へと供給される。
【００３１】
このように、前記基板処理装置５００は、超臨界状態の媒体に、固体原料、液体原料、またはガスなどを混合または溶解させた処理媒体を用いることで基板処理を行うことが可能である。
【００３２】
さらに、前記加圧ライン５１１ａおよび５１１ｂは、それぞれバルブ５４０ａおよび５４０ｂを付した予備加圧ライン５３５を介して前記処理容器５０１に接続されており、当該予備加圧ライン５３５を介して、前記混合器５０２を通さずに前記処理容器５０１の圧力を上昇させることが可能な構造となっている。
【００３３】
また、危険防止のために、前記混合器５０２、前記加圧ライン５１１ａ、５１１ｂにはそれぞれ圧力開放弁５３６、５３７ａ、５３７ｂが設置されており、圧力の異常上昇を防止している。前記処理容器５０１は排気ライン５０３を通じて、背圧弁５０４で所定の圧力に調整されるので圧力の異常上昇を防止できる。
【００３４】
次に、前記基板処理装置５００を用いて、本発明による基板処理方法を行う際のプロセスの流れに関して以下に説明する。
［第３実施例］
前記したように、本発明による基板処理方法は大別して前記第１の工程、前記第２の工程および前記第３の工程からなる。次に、それぞれの第１〜３の工程についての詳細な流れを、図面に基づき、説明する。ただし、先に説明した部分には同一の参照符号を使用して、説明を省略する。
【００３５】
はじめに、第３実施例として、前記第１の工程の内容のプロセスフローを図３に示す。
【００３６】
図３を参照するに、前記第１の工程はステップ１０１（図中Ｓ１０１と示す。以下同様）〜１０７よりなる。
【００３７】
まず、前記基板保持台５０１Ａに載置されたウェハＷの処理にあたり、ステップ１０１において前記バルブ５０６、５３４および５３８を開放して前記真空ポンプ５０７によって、前記処理容器５０１および前記混合器５０２の真空排気を行う。当該真空排気終了後、前記バルブ５０６、５３４および５３８を閉じる。または、前記バルブ５３４を開放せず前記バルブ５０９を開放して前記混合器５０２は処理容器５０１を通じて真空排気を行うことが可能である。
【００３８】
次に、ステップ１０２において、前記バルブ５１４および前記バルブ５４０ａを開放して前記処理容器５０１にＣＯ２を供給する。その際前記加圧ポンプ５１７ａを用いて加圧を行い、さらに前記処理容器５０１および前記混合器５０２を含む前記エリア５０１Ｂはヒータによって加熱されているために前記処理容器５０１内のＣＯ２は、当該ＣＯ２の臨界点を超える条件にされる。また、前記加圧ポンプ５１７ａはチラーによって冷却されているため、ＣＯ２がガス状になることを防ぎ、ＣＯ２を液体状態で加圧できる。なお、当該ＣＯ２の臨界点は、温度３１．０３℃、圧力７．３８ＭＰａであり、前記処理容器５０１は当該臨界点以上の温度、圧力に制御されて、前記前記処理容器５０１は超臨界状態のＣＯ２で満たされた状態となる。その後、前記バルブ５１４および前記バルブ５４０ａは閉じる。このように予め前記処理容器５０１内を超臨界状態のＣＯ２で満たしておくことで、この後で超臨界状態のＣＯ２を含む処理媒体が前記処理容器５０１に導入された場合に当該処理媒体が超臨界状態を維持でき、超臨界状態の高濃度に溶解した処理媒体が保持できる。また、当該処理容器５０１が所定の圧力となった状態で、前記基板ヒータ５０１ａによって前記ウェハＷが加熱されて２００℃〜４００℃の温度にされる。
【００３９】
次にステップ１０３において、前記バルブ５３２を開放することで、前記エッチング剤供給ライン５３１から、エッチング剤が減圧状態の前記混合器５０２に供給され、前記混合器５０２内は当該エッチング剤で満たされ、所定の時間経過後前記バルブ５３２が閉じられる。
【００４０】
次にステップ１０４において、前記バルブ５１６ａが開放されて予めチラーで冷却された前記加圧ポンプ５１７ａによって前記ＣＯ２が前記混合器５０２に導入され超臨界状態まで加圧されることにより前記エッチング剤は十分に拡散・混合して処理媒体を形成する。所定の超臨界圧力で前記バルブ５１６ａが閉じられる。
【００４１】
次にステップ１０５において前記バルブ５０９が開放されて、超臨界状態のＣＯ２を含む当該処理媒体が、前記混合器５０２より前記処理容器５０１に導入される。また、必要に応じて圧力調整のために前記バルブ５１６ａの開閉がなされ、前記混合器５０２内の処理媒体が前記処理容器５０１に輸送される。
【００４２】
次に、ステップ１０６においては当該処理媒体によって、基板処理がなされる。また、ステップ１０２の前記処理容器の超臨界状態への予備加圧はステップ１０４とステップ１０５の間で行ってもよい。超臨界状態のＣＯ２に溶解したエッチング剤によって、被処理基板表面の、例えばＣｕ表面に形成されたＣｕＯｘ膜を除去する反応が生じる。反応した後発生した副生成物は超臨界状態のＣＯ２は溶解しやすい特徴を有するために被処理基板への再付着が生じることはない。前記エッチング剤としては、キレート剤、ハロゲン化合物、酸、アミンが使用可能である。
【００４３】
具体的には、たとえばキレート剤としてはＨ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）が使用可能であり、また、ハロゲンとしてはＣｌＦ３が、酸としてはＨＣｌなどが、超臨界状態のＣＯ２とともにＣｕ表面の酸化膜を除去する。このようにＣｕ表面の酸化膜を除去することで、この後の第２の工程において成膜されるＣｕ拡散防止膜と当該Ｃｕ膜のコンタクト抵抗を低減させることが可能となる。
【００４４】
他にもエッチング剤としては、アセチルアセトン、１，１，１−トリフルオロ−ペンタン−２，４−ジオン、２，６−ジメチルペンタン−３，５−ジオン、２，２，７−トリメチロクタン−２，４−ジオン、２，２，６，６−テトラメチルヘプタン−３，５−ジオン、ＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸）、ＮＴＡ（ニトリロ三酢酸）、酢酸、蟻酸、シュウ酸、マレイン酸、グリコール酸、クエン酸、リンゴ酸、乳酸、アミノ酸、トリエタノールアミンなどが使用可能である。
【００４５】
このように、本ステップ１０６において、Ｃｕ表面の酸化膜を除去することで、前記第２の工程において成膜される前記Ｃｕ拡散防止膜と当該Ｃｕ膜との電気的接触抵抗（コンタクト抵抗）値を低減することが可能となる。
【００４６】
次にステップ１０７において、前記バルブ５０４を開放して前記処理容器５０１および前記混合器５０２内の処理媒体および反応副生成物を排出して、前記第１の工程を終了する。
【００４７】
なお、前記ステップ１０７の後に、さらに図４で示すようにリンス工程を付加してもよい。
［第４実施例］
図４は、図３で示した前記第３実施例の変形例である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００４８】
図４を参照するに、ステップ１０１〜ステップ１０７までは図３で示した第３実施例の場合と同一である。
【００４９】
ステップ１０８において、前記バルブ５０４を閉じて、前記バルブ５１６ａを開放して前記混合器および前記処理容器５０１内を超臨界状態のＣＯ２で満たす。その後前記バルブ５１６ａを閉じる。
【００５０】
その後、ステップ１１０において再び前記バルブ５０４を開放することで前記処理容器５０１および前記混合器５０２から前記超臨界状態のＣＯ２を排出する。このステップ１０８からステップ１１０の工程を設けることで、前記処理容器５０１内壁や、前記ウェハＷに付着していた未反応の処理媒体や副生成物を前記処理容器５０１の外へと排出することが可能となる。また、必要に応じてステップ１０９によって前記ステップ１０８より前記ステップ１０７に工程を戻して、このステップ１０７からステップ１０８のリンス工程を複数回繰り返すことにより、さらに前記したような残留物や反応副生成物を取り除くことができる。
［第５実施例］
次に、第５実施例として前記第２の工程のプロセスフローの内容を示す。前記第２の工程では、Ｃｕ拡散防止膜を形成する。前記したように、Ｃｕ拡散防止膜は金属膜または金属窒化膜の単層膜、もしくは金属膜と金属窒化膜の積層膜からなる。本実施例においては、金属膜と金属窒化膜の積層膜を形成する場合を記述する。そのため、本実施例におけるＣｕ拡散防止膜の形成工程は、金属膜を形成する前半の工程と当該金属の窒化膜を形成する後半の工程からなる。
【００５１】
まず前記第２の工程の前半の工程に関して、図５に示す。
【００５２】
図５を参照するに、ステップ２０１〜ステップ２０２は前記ステップ１０１〜ステップ１０２の場合と同一である。但し、ウェハＷは前記基板ヒータ５０１ａによって２５０℃〜５００℃に保持される。
【００５３】
次にステップ２０３において、前記固体原料容器５２５ａに保持されたＴａ成膜プレカーサである前記固体原料５２６ａを前記混合器５０２に導入する。まず、本ステップ２０３に移行するにあたって予め前記バルブ５１４および５２８ａを開放し、また前記加圧ポンプ５１７を用いて前記固体原料容器５２５ａをＣＯ２で加圧状態とする。また前記処理容器５２５ａは前記エリア５０１Ｂの範囲であり、ヒータで加熱されているため、前記固体原料容器５２５ａ内では超臨界状態のＣＯ２が生成される。さらに当該超臨界状態のＣＯ２はプレカーサの溶解度が高いため、当該超臨界状態のＣＯ２に、前記Ｔａ成膜プレカーサである例えばＴａＦ５である固体原料５２６ａが十分に溶解して処理媒体が形成される。そこで本ステップ２０３において前記バルブ５２７ａを開放して当該処理媒体を前記混合器５０２に供給する。その際、前記固体原料容器５２５ａの圧力を維持するために、必要に応じて前記バルブ５２８ａを開閉する。所定の時間前記バルブ５２７ａを開放した後、前記バルブ５２７ａを閉じる。
【００５４】
次にステップ２０５において、前記バルブ５０９が開放されて、前記混合器５０２から超臨界状態のＣＯ２を含む当該処理媒体が、前記混合器５０２より前記処理容器５０１に導入される。また、必要に応じて圧力調整のために前記バルブ５１６の開閉がなされ、ＣＯ２の超臨界状態が維持される。
【００５５】
次のステップ２０６において、被処理基板である前記ウェハＷ上に、Ｔａ膜の成膜が行われ、所定時間経過後、次のステップ２０７に移行する。なお、本ステップにおいて、前記ウェハＷは、前記基板ヒータ５０１ａによっておよそ２５０℃〜５００℃に維持される。
【００５６】
前記したように超臨界状態のＣＯ２は、溶解性が高く、また非常に流動性が高く、拡散性に富むため、例えば０．１μｍ以下の微細なパターンの底部や側壁にも、効率よく当該金属膜を成膜することができ、良好なカバレージ特性を得ることができる。
【００５７】
次のステップ２０７は、前記ステップ１０７と同じである。
【００５８】
また、Ｔａ成膜プレカーサは、本実施例ではハロゲン化合物であるＴａＦ５を用いたが、他にハロゲン化合物としてはＴａＣｌ５，ＴａＢｒ５，ＴａＩ５を使用しても同様の結果が得られる。また、有機金属のプレカーサとしては、（Ｃ５Ｈ５）２ＴａＨ３，（Ｃ５Ｈ５）２ＴａＣｌ３などを用いても同様の結果を得ることが可能である。
［第６実施例］
図５に示した第５実施例は、図６に示す第６実施例のように変形が可能である。
【００５９】
図６には前記第２の工程の前半のプロセスフローを示す。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００６０】
図６におけるステップ２０８〜２１０は、前記ステップ１０８〜１１０と同じリンス工程であり、同様に前記処理容器５０１内や前記ウェハＷに付着した残留物や反応副生成物を除去する効果がある。
［第７実施例］
次に、前記第２の工程の後半のプロセスフローを図７に示す。当該後半のプロセスでは前記金属の窒化膜を形成する。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００６１】
まずステップ２１１は、前記ステップ１０１と同じである。
【００６２】
次にステップ２１２において、前記バルブ５１５および５４０ｂを開放して前記処理容器５０１に窒素化合物のガス、例えばＮＨ３を供給する。その際前記加圧ポンプ５１７ｂを用いて加圧を行い、さらに前記処理容器５０１および前記混合器５０２を含む前記エリア５０１Ｂはヒータによって加熱されているために、前記処理容器５０１内のＮＨ３は、ＮＨ３の臨界点を超える条件にされる。なお、当該ＮＨ３の臨界点は、温度１３２．２５℃、圧力１１．３３ＭＰａであり、前記処理容器５０１は当該臨界点以上の温度、圧力に制御されて、前記前記処理容器５０１は超臨界状態のＮＨ３で満たされた状態となる。このように予め前記処理容器５０１内の圧力を上昇しておくことで、この後で超臨界状態のＮＨ３を含む処理媒体が前記処理容器５０１に導入された場合に当該処理媒体の圧力が急激に変化することを防止する。また、当該処理容器５０１が所定の圧力となった状態で、前記基板ヒータ５０１ａによって前記ウェハＷが加熱されて２５０℃〜５００℃の温度にされる。所定の時間経過後、前記バルブ５１５および５４０ｂを閉じる。
【００６３】
次に、ステップ２１３において、前記固体原料容器５２５ａに保持されたＴａ成膜プレカーサである前記固体原料５２６ａを前記混合器５０２に導入する。まず、本ステップ２１３に移行するにあたって予め前記バルブ５１４および前記バルブ５２８ａを開放し、また前記加圧ポンプ５１７ａを用いて前記固体原料容器５２５ａをＣＯ２で加圧状態とする。また前記処理容器５２５ａは前記エリア５０１Ｂの範囲であり、ヒータで加熱されているため、前記固体原料容器５２５ａ内では超臨界状態のＣＯ２が生成される。さらに当該超臨界状態のＣＯ２はプレカーサの溶解度が高いため、当該超臨界状態のＣＯ２に、前記Ｔａ成膜プレカーサである例えばＴａＦ５である固体原料５２６ａが十分に溶解して処理媒体が形成される。そこで本ステップ２１３において前記バルブ５２７ａを開放して当該処理媒体を前記混合器５０２に供給する。その際、前記固体原料容器５２５ａの圧力を維持するために、必要に応じて前記バルブ５２８ａを開閉する。所定の時間前記バルブ５２７ａを開放した後、前記バルブ５２７ａを閉じる。
【００６４】
次にステップ２１５において、前記バルブ５０９が開放されて、前記混合器５０２から超臨界状態のＣＯ２を含む当該処理媒体が、前記混合器５０２より、前記ステップ２１２で予め超臨界状態のＮＨ３で満たされた前記処理容器５０１に導入される。また、必要に応じて圧力調整のために前記バルブ５１６ａの開閉がなされ、前記処理容器５０１内の超臨界状態が維持される。
【００６５】
次のステップ２１６において、被処理基板である前記ウェハＷ上に、ＴａＮ膜の成膜が行われ、所定時間経過後、次のステップ２０７に移行する。なお、本ステップにおいて、前記ウェハＷは、前記基板ヒータ５０１ａによっておよそ２５０℃〜５００℃に維持される。
【００６６】
前記したように超臨界状態のＮＨ３は、非常に流動性が高く、拡散性に富むため、例えば０．１μｍ以下の微細なパターンの底部や側壁にも、効率よく当該金属窒化膜を成膜することができ、良好なカバレージ特性を得ることができる。
【００６７】
次のステップ２１７は、前記ステップ１０７と同じである。
【００６８】
なお、本実施例では、前記固体原料容器５２５ａにおける前記処理媒体の溶解および、前記処理容器５０２の予備加圧は超臨界状態のＣＯ２を用い、また、前記処理容器５０１の予備加圧は超臨界状態のＮＨ３を用いたが、当該ＮＨ３と、ＣＯ２の混合媒体の超臨界状態の媒体を用いても同様の結果が得られる。
【００６９】
また、窒化化合物はＮＨ３に限定されず、他の窒素化合物も同様に使用可能である。
［第８実施例］
図７に示した第７実施例は、図８に示す第８実施例のように変形が可能である。
【００７０】
図８には前記第２の工程の後半のプロセスフローを示す。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００７１】
図８におけるステップ２１８〜２２０は、前記ステップ１０８〜１１０と同じリンス工程であり、同様に前記処理容器５０１内や前記ウェハＷに付着した残留物や副生成物を除去する効果がある。
【００７２】
また、第５〜８実施例においては、Ｃｕ拡散防止膜として、金属膜と金属窒化膜の積層膜を形成する例を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。たとえば、Ｃｕ拡散防止膜として、Ｔａの単層膜を形成する場合は、第５実施例または第６実施例の工程のみでＣｕ拡散防止膜を形成し、第７実施例または第８実施例で示したＴａＮ膜形成工程を省略すればよい。また、同様にＴａＮの単層膜を形成する場合は、第７実施例または第８実施例の工程のみでＣｕ拡散防止膜を形成し、第５実施例または第６実施例で示したＴａ膜形成工程を省略すればよい。
［第９実施例］
次に、第９実施例として、前記第３の工程のプロセスフローの内容を図９に示す。前記第３の工程は前記ウェハＷ上に、Ｃｕ膜を形成する工程である。当該Ｃｕ膜を形成するには、Ｃｕ成膜プレカーサとして固体原料を用いる場合と液体原料を用いる場合があるが、まず、図９には固体原料を用いる場合のプロセスフローを示す。
【００７３】
図９を参照するに、まずステップ３０１および３０２は、前記ステップ１０１および１０２と同一である。但しウェハＷは、前記基板ヒータ５０１ａによって１５０℃〜４００℃に保持される。
【００７４】
次にステップ３０３において、前記バルブ５３０を開放してＨ２を前記Ｈ２供給ライン５２９より前記混合器５０２に所定量導入した後、前記バルブ５３０を閉じる。前記混合器５０２は、当該Ｈ２で満たされる。
【００７５】
次にステップ３０４において、前記固体原料容器５２５ｂに保持されたＣｕ成膜プレカーサである前記固体原料５２６ｂを前記混合器５０２に導入する。まず、本ステップ３０４に移行するにあたって予め前記バルブ５１４および５２８ｂを開放し、また前記加圧ポンプ５１７ａを用いて前記固体原料容器５２５ｂをＣＯ２で加圧状態とする。また前記処理容器５２５ｂは前記エリア５０１Ｂの範囲であり、ヒータで加熱されているため、前記固体原料容器５２５ｂ内では超臨界状態のＣＯ２が生成される。さらに当該超臨界状態のＣＯ２はプレカーサの溶解度が高いため、当該超臨界状態のＣＯ２に、前記Ｃｕ成膜プレカーサである例えばＣｕ＋２（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）２である固体原料５２６ｂが十分に溶解して処理媒体が形成される。そこで本ステップ３０４において前記バルブ５２７ａを開放して当該処理媒体を前記混合器５０２に供給する。その際、前記固体原料容器５２５ｂの圧力を維持するために、必要に応じて前記バルブ５２８ｂを開閉する。所定の時間前記バルブ５２７ｂを開放した後、前記バルブ５２７ｂを閉じる。
【００７６】
次にステップ３０５において、前記バルブ５０９が開放されて、前記混合器５０２から超臨界状態のＣＯ２を含む当該処理媒体が、前記混合器５０２より前記処理容器５０１に導入される。また、必要に応じて圧力調整のために前記バルブ５１６の開閉がなされ、ＣＯ２の超臨界状態が維持される。
【００７７】
次のステップ３０６において、被処理基板である前記ウェハＷ上に、以下
【００７８】
【化１】
【００７９】
前記したように超臨界状態のＣＯ２は、非常に流動性が高く、拡散性に富むため、例えば０．１μｍ以下の微細なパターンの底部や側壁にも、効率よく当該Ｃｕ膜を成膜することができ、良好なカバレージ特性を得ることができる。
【００８０】
次のステップ３０７は、前記ステップ１０７と同じである。
【００８１】
また、Ｃｕ成膜プレカーサは、本実施例ではＣｕ＋２（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）２を用いたが、他にＣｕ＋２（アセチルアセトネート）２、およびＣｕ＋２（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン）２などを用いても同様の結果を得ることが可能である。
【００８２】
前記Ｃｕ成膜プレカーサが、超臨界状態のＣＯ２に高い溶解性を示す例を、図１０（ａ）、（ｂ）に示す。（図１０（ａ）Ｒ．Ｅ．Ｓｉｅｖｅｒｓ ａｎｄ Ｊ．Ｅ．Ｓａｄｌｏｗｓｋｉ， Ｓｃｉｅｎｃｅ ２０１（１９７８）２１７、図１０（ｂ）Ａ．Ｆ．Ｌａｇａｌａｎｔｅ， Ｂ．Ｎ．Ｈａｎｓｅｎ， Ｔ．Ｊ．Ｂｒｕｎｏ， Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ， ３４（１９９５））
図１０（ａ）は、Ｃｕ成膜プレカーサである、Ｃｕ＋２（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）２の飽和蒸気圧曲線である。例えば、４０℃の際の飽和蒸気圧はおよそ０．０１Ｔｏｒｒであることがわかる。
【００８３】
一方、図１０（ｂ）は、３１３．１５Ｋ（４０℃）において、超臨界状態のＣＯ２中のＣｕ＋２（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）２の分圧を示したものである。例えば、超臨界領域である１５ＭＰａ時において、当該分圧はおよそ１０００Ｐａ以上であり、前記した通常の飽和状態の場合に比較して非常に高密度のＣｕ＋２（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）２が超臨界状態のＣＯ２中に存在する、すなわち、高い溶解性を示していることがわかる。
【００８４】
このように、高い溶解性を持ちながら、流動性と拡散性が良好である超臨界状態の媒体をもちいることで、成膜レートを維持しながら、微細パターンのカバレージが良好な成膜を行うことが可能となっている。
［第１０実施例］
また、前記第９実施例は以下図１１に示す、第１０実施例のように変更が可能である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００８５】
図１１を参照するに、図１１ではステップ３０８〜３１０が付加されているが、これは前記ステップ１０８〜１１０と同一のリンス工程であり、同様に、前記処理容器５０１内部や前記ウェハＷ上の残留物や副生成物を取り除く効果がある。
［第１１実施例］
次に、前記第３の工程のプロセスフローの例として、Ｃｕ成膜プレカーサに液体原料を用いた場合の例を示す。
【００８６】
図１２は、Ｃｕ成膜プレカーサに液体原料を用いた場合の前記第３の工程のプロセスフローを示す図である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００８７】
図１１を参照するに、ステップ３１１およびステップ３１２は、前記ステップ３０１およびステップ３０２と同一である。但し、ウェハＷは前記基板ヒータ５０１ａによって１００℃〜３５０℃に維持される。
【００８８】
次にステップ３１３において、前記ガスライン５２２から供給される例えばＡｒなどの不活性ガスによって押し出された、Ｃｕ成膜プレカーサの例えばＣｕ＋１（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（トリメチルビニルシラン）である前記液体原料５２３が、前記液体原料供給ライン５１８から減圧状態の前記混合器５０２に供給され、所定の時間経過後前記バルブ５３２が閉じられる。
【００８９】
次にステップ３１４において、前記バルブ５１６が開放されて超臨界状態のＣＯ２が前記混合器５０２に導入され、当該超臨界状態のＣＯ２と前記液体原料５２３が十分に拡散・混合して処理媒体を形成する。所定の時間経過後前記バルブ５１６が閉じられる。
【００９０】
次にステップ３１５において前記バルブ５０９が開放されて、超臨界状態のＣＯ２を含む当該処理媒体が、前記混合器５０２より前記処理容器５０１に導入される。また、必要に応じて圧力調整のために前記バルブ５１６の開閉がなされ、ＣＯ２の超臨界状態が維持される。
【００９１】
ステップ３１６において、被処理基板である前記ウェハＷ上に、以下
【００９２】
【化２】
【００９３】
前記したように超臨界状態のＣＯ２は、非常に流動性が高く、拡散性に富むため、例えば０．１μｍ以下の微細なパターンの底部や側壁にも、効率よく当該Ｃｕ膜を成膜することができ、良好なカバレージ特性を得ることができる。
【００９４】
次のステップ３１７は、前記ステップ３０７と同じである。
【００９５】
また、Ｃｕ成膜プレカーサは、本実施例ではＣｕ＋１（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（トリメチルビニルシラン）を用いたが、他にＣｕ＋１（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）とシリロレフィンリガンドを含み、前記シリロレフィンリガンドは、アリルオキシトリメチルシリル（ａｏｔｍｓ）、ジメチルアセチレン（２−ブチン）、２−メチル−１−ヘキシン−３−イン（ＭＨＹ）、３−ヘキシン−２，５−ジメトキシ（ＨＤＭ）、１，５−シクロオクタジエン（１，５−ＣＯＤ）、およびビニルトリメトキシレン（ＶＴＭＯＳ）からなる群から選択されるプレカーサを用いても同様の結果を得ることが可能である。
【００９６】
さらに、本実施例にて用いる処理媒体に、以下のような添加物を加えて成膜されるＣｕ膜の膜質を改善しても良い。
【００９７】
例えば、前記処理媒体にＨ２Ｏを添加することで、第５〜８実施例で前記したＣｕ拡散防止膜上にＣｕ膜を成長させる際のインキュベーションタイムを短縮して実質的な成膜速度を向上させることができる。
【００９８】
また、例えば（ＣＨ３）Ｉや（Ｃ２Ｈ５）Ｉを添加することで、微細パターンにＣｕ膜を形成する際ボトムアップフィルが可能となり、（Ｋｅｗ−Ｃｈａｎ Ｓｈｉｍ， Ｈｙｕｎ−Ｂａｅ Ｌｅｅ， Ｏｈ−Ｋｙｕｍ Ｋｗｏｎ， Ｈｙｕｎｇ−Ｓａｎｇ Ｐａｒｋ， Ｗｏｎｙｏｎｇ Ｋｏｈ ａｎｄ Ｓａｎｇ−Ｗｏｎ Ｋａｎｇ， ”Ｂｏｔｔｏｍ−ｕｐ Ｆｉｌｌｉｎｇ ｏｆ Ｓｕｂｍｉｃｒｏｍｅｔｅｒ Ｆｅａｔｕｒｅｓ ｉｎ Ｃａｔａｌｙｓｔ−Ｈｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ”， Ｊ．Ｅｌｅｃｔｏｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ． １４９（２） （２００２）Ｇ１０９−Ｇ１１３）例えば０．１μｍ以下のビアホールでもボイドが発生することなく高品質のＣｕ膜が成膜できる。
［第１２実施例］
また、前記第１１実施例は以下図１３に示す、第１２実施例のように変更が可能である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００９９】
図１３を参照するに、図１３ではステップ３１８〜３２０のリンス工程が付加されているが、これは前記ステップ１０８〜１１０と同一であり、同様に、前記処理容器５０１内部や前記ウェハＷ上の残留物や副生成物を取り除く効果がある。
［第１３実施例］
また、ここまで前記第１の工程、第２の工程および第３の工程に関して説明したが、前記第１〜３の工程はいずれも基板処理装置５００において行われる。それを示したものが図１４である。図１４には本発明で実施される、前記第１〜３の工程（図中Ｓ１００、Ｓ２００およびＳ３００にて示す）を示すが、領域Ａで囲まれた前記第１〜３の工程はすべて前記基板処理装置５００において行われる。これを、以下に示すように、別の基板処理装置を用いることで処理方法を変更することが可能である。
【０１００】
図１５は図１４で示した基板処理方法の別の実施例である。例えば、領域Ｂで示される前記第１の工程は前記基板処理装置５００においておこなう。その後、被処理基板を別の基板処理装置に輸送して、領域Ｃで示される前記第２の工程が行われ、さらに別の基板処理装置に被処理基板を輸送して領域Ｄで示される前記第３の工程を行う。このように別の基板処理装置、さらに別の基板処理装置に被処理基板を輸送することで連続的に前記第１〜３の工程を行うことも可能である。
【０１０１】
また、図１６および図１７には図１４で示した基板処理方法のさらに別の実施例を示す。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【０１０２】
図１６を参照するに、領域Ｅで示す前記第１および第２の工程を、例えば前記基板処理装置５００にて行い、被処理基板を別の基板処理装置に輸送して、領域Ｆで示される前記第３の工程が行わるフローとなっている。また、図１７においては、領域Ｇで示す第１の工程を、例えば前記基板処理装置５００にて行い、被処理基板を別の基板処理装置に輸送して、領域Ｈで示される前記第１および第２の工程が行わるフローとなっており、いずれの場合も図１４で示した前記第１〜３の工程を前記基板処理装置５００で行う場合と同様の結果が得られる。
【０１０３】
また、被処理基板を輸送する際は酸素を含む大気に曝さないことが重要であり、減圧下もしくは不活性ガス中を搬送する必要がある。
［第１４実施例］
次に、本発明の基板処理方法を用いた半導体装置の製造工程について、以下図１８（ａ）〜（ｃ）、図１９（ｄ）〜（ｇ）において手順を追って説明する。
【０１０４】
まず、図１８（ａ）を参照するに、シリコンからなる半導体基板上に形成されたＭＯＳトランジスタなどの素子（図示せず）を覆うように絶縁膜、例えばシリコン酸化膜６０１が形成されている。当該素子に電気的に接続されている、例えばＷからなる配線層（図示せず）と、これに接続された、例えばＣｕからなる配線層６０２が形成されている。
【０１０５】
また、前記シリコン酸化膜６０１上には、Ｃｕ層６０２を覆うように、第１の絶縁層６０３が形成されている。前記絶縁層６０３には、溝部６０４ａおよびホール部６０４ｂが形成されている。前記溝部６０４ａおよびホール部６０４ｂには、配線層であるＣｕ層６０４が形成され、これが前述のＣｕ層６０２と電気的に接続された構成となっている。ここで前記第１の絶縁層６０３と前記Ｃｕ層６０４の接触面および前記Ｃｕ層６０２と前記Ｃｕ層６０４の接触面にはバリア層６０４ｃが形成されている。前記バリア層６０４ｃは、前記Ｃｕ層６０４から前記第１の絶縁層６０３へＣｕが拡散するのを防止すると共に、前記Ｃｕ層６０４と前記第１絶縁層６０３の密着性を向上させる密着層の機能をはたしている。また、前記バリア層６０４ｃは、金属と、当該金属窒化膜の構成、例えばＴａとＴａＮからなる。さらに、前記Ｃｕ層６０４および前記第１の絶縁層６０３の上を覆うように第２の絶縁層６０６が形成されている。本実施例では、前記第２の絶縁層６０６に、本発明による基板処理方法を適用して、Ｃｕ層およびバリア層を形成する。
【０１０６】
次に、図１８（ｂ）を参照するに、前記第２の絶縁層には、溝部６０７ａおよびホール部６０７ｂがドライエッチング法によって形成される。
【０１０７】
次に、図１８（ｃ）において、本発明による基板処理方法の前記第１の工程を適用する。前記したように、超臨界状態のＣＯ２とエッチング剤を用いることにより、処理基板表面をクリーニングする。たとえば前記ホール部６０７ｂの底部に露出している前記Ｃｕ層６０４の表面に形成した酸化膜を除去して、次の工程にて形成されるバリア層と前記Ｃｕ層６０４との密着性を向上させる。また、前記溝部６０７ａおよび前記ホール部６０７ｂ内部に残留したエッチングの残渣物や副生成物を除去する効果もある。
【０１０８】
次に図１９（ｄ）において、本発明による第２の工程を適用し、前記第２の絶縁膜６０６上および前記Ｃｕ層６０４の露出面に、バリア層６０７ｃの成膜を行う。前記バリア層６０７ｃは、例えばこの場合Ｔａ膜とＴａＮ膜からなり、前記第２の工程では、前記したように前半にＴａ膜を成膜して後半にＴａＮ膜を成膜して、Ｔａ／ＴａＮからなるバリア層６０７ｃを形成する。
【０１０９】
また、前記したように、本工程では超臨界状態のＣＯ２およびＮＨ３を用いているため良好な拡散性を有し、微細な前記ホール部６０７ｂおよび溝部６０７ａ部の底部や側壁部にも良好なカバレージで前記バリア膜６０７ｃを形成することができる。
【０１１０】
次に図１９（ｅ）において、本発明による第３の工程を適用し、前記バリア層６０７ｃの上にＣｕ層６０７を形成する。ここでも、前記したように、超臨界状態のＣＯ２を用いているため、Ｃｕ成膜プレカーサが溶解した超臨界状態のＣＯ２が良好な拡散性を有するため、微細な前記ホール部６０７ｂおよび溝部６０７ａ部の底部や側壁部にも良好なカバレージで前記Ｃｕ層６０７を形成することができる。
【０１１１】
次に、図１９（ｆ）において、例えばＣＭＰ法により、前記Ｃｕ層６０７上部および前記バリア膜６０７ｃが研削されて、前記第２の絶縁層６０６のＣｕ配線が完成する。また、この工程の後に、さらに前記第２の絶縁層の上部に第２＋ｎ（ｎは自然数）の絶縁層を形成し、それぞれの絶縁層に本発明による基板処理方法を適用してＣｕ配線を形成することが可能である。また、前記第１の絶縁層に形成された前記バリア膜６０４ｃおよびＣｕ層６０４の形成にも本発明を適用することが可能である。
【０１１２】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【０１１３】
【発明の効果】
本発明によれば、Ｃｕ拡散防止膜の形成およびＣｕ膜の埋め込みの双方を、超臨界状態の媒体を使って行うことが可能となる。超臨界状態の媒体は、金属、例えばＣｕもしくはＴａを含む前駆体化合物の溶解度が高く、かつ流動性に富んで拡散性が高いため、非常に微細なパターンにおいてもＣｕの拡散防止膜の形成およびＣｕ膜の埋め込みが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その１）である。
【図２】本発明による基板処理をおこなう基板処理装置の構成を示す図である。
【図３】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その２）である。
【図４】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その３）である。
【図５】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その４）である。
【図６】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その５）である。
【図７】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その６）である。
【図８】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その７）である。
【図９】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その８）である。
【図１０】Ｃｕを含むプレカーサの溶解度を示す図である。
【図１１】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その９）である。
【図１２】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その１０）である。
【図１３】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その１１）である。
【図１４】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その１２）である。
【図１５】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その１３）である。
【図１６】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その１４）である。
【図１７】本発明による基板処理方法のプロセスフローを示す図（その１５）である。
【図１８】本発明による基板処理方法を用いた半導体装置の製造方法を示す図（その１）である。
【図１９】本発明による基板処理方法を用いた半導体装置の製造方法を示す図（その２）である。
【符号の説明】
５００ 基板処理装置
５０１ 処理容器
５０２ 混合器
５０３ 排気ライン
５０４，５０６，５０９，５１４，５１５，５１６，５２３，５２７ａ，５２７ｂ，５２８ａ，５２８ｂ，５３０，５３２，５３４，５３８，５４０ バルブ
５０８，５３３ 真空排気ライン
５１０ 供給ライン
５１１ 加圧ライン
５１２ 液体ＣＯ２供給源
５１３ 液体ＮＨ３供給源
５１７ 加圧ポンプ
５１８ 液体原料供給ライン
５１９ 固体原料供給ライン
５２０ ガス供給ライン
５２１ 液体原料容器
５２２ ガス供給ライン
５２３ 液体原料
５２４ 質量流量コントローラ
５２５ａ，５２５ｂ 固体原料容器
５２６ａ，５２６ｂ 固体原料
５２９ Ｈ２供給ライン
５３１ エッチング剤供給ライン
５３５ 予備加圧ライン
５３６，５３７ 圧力開放弁
Claims (26)
- 第１の超臨界状態の媒体を含む第１の処理媒体を被処理基板上に供給して基板処理を行う第１の工程と、
第２の超臨界状態の媒体を含む第２の処理媒体を前記被処理基板上に供給することにより、前記被処理基板上にＣｕ拡散防止膜を形成する第２の工程と、
第３の超臨界状態の媒体を含む第３の処理媒体を前記被処理基板上に供給することにより、前記被処理基板上にＣｕ膜を形成する第３の工程とを有することを特徴とする基板処理方法。 - 前記Ｃｕ拡散防止膜は、金属膜または前記金属の窒化膜の単層膜または前記金属膜と前記金属の窒化膜の積層膜よりなることを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
- 前記第２の工程は、前記金属膜を形成する工程または前記金属の窒化膜を形成する工程または前記金属膜と前記金属の窒化膜の積層膜を形成する工程よりなることを特徴とする請求項２記載の基板処理方法。
- 前記第２の超臨界状態の媒体は、超臨界状態のＣＯ２、超臨界状態の窒化化合物、および超臨界状態のＣＯ２と超臨界状態の窒化化合物が混合されたもののいずれかであることを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか１項記載の基板処理方法。
- 前記窒素化合物はＮＨ３であることを特徴とする請求項４記載の基板処理方法。
- 前記第２の処理媒体は、前記第２の超臨界状態の媒体に金属を含む前駆体化合物を添加したものであることを特徴とする請求項１〜５のうち、いずれか１項記載の基板処理方法。
- 前記金属はＴａであることを特徴とする請求項６記載の基板処理方法。
- 前記金属を含む前駆体化合物はＴａＦ５，ＴａＣｌ５，ＴａＢｒ５，ＴａＩ５よりなる群より選ばれることを特徴とする請求項７記載の基板処理方法。
- 前記金属を含む前駆体化合物は有機金属化合物であることを特徴とする請求項７記載の基板処理方法。
- 前記有機金属化合物は、（Ｃ５Ｈ５）２ＴａＨ３，（Ｃ５Ｈ５）２ＴａＣｌ３のいずれかであることを特徴とする請求項９記載の基板処理方法。
- 前記第２の工程は、前記金属窒化膜を含む膜を形成した後で、前記第２の超臨界状態の媒体によって前記被処理基板表面の第２の処理媒体および副生成物を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜１０のうち、いずれか１項記載の基板処理方法。
- 前記第３の超臨界状態の媒体は、超臨界状態のＣＯ２であることを特徴とする請求項１〜１１のうち、いずれか１項記載の基板処理方法。
- 前記第３の処理媒体は、前記第３の超臨界状態の媒体に銅を含む前駆体化合物を添加したものであることを特徴とする請求項１〜１２のうち、いずれか１項記載の基板処理方法。
- 前記銅を含む前駆体化合物は、Ｃｕ＋２（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）２、Ｃｕ＋２（アセチルアセトネート）２、およびＣｕ＋２（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン）２のいずれかであることを特徴とする請求項１３記載の基板処理方法。
- 前記銅を含む前駆体化合物は、Ｃｕ＋１（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）とシリロレフィンリガンドを含み、前記シリロレフィンリガンドは、トリメチルビニルシラン（ｔｍｖｓ）、アリルオキシトリメチルシリル（ａｏｔｍｓ）、ジメチルアセチレン（２−ブチン）、２−メチル−１−ヘキシン−３−イン（ＭＨＹ）、３−ヘキシン−２，５−ジメトキシ（ＨＤＭ）、１，５−シクロオクタジエン（１，５−ＣＯＤ）、およびビニルトリメトキシレン（ＶＴＭＯＳ）からなる群から選択されることを特徴とする請求項１３記載の基板処理方法。
- 前記第３の工程は、前記Ｃｕ膜を形成した後で、前記第３の超臨界状態の媒体によって前記被処理基板表面の第３の処理媒体および副生成物を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜１５のうち、いずれか１項記載の基板処理方法。
- 前記第１の超臨界状態の媒体は、超臨界状態であるＣＯ２であることを特徴とする請求項１〜１６のうち、いずれか１項記載の基板処理方法。
- 前記第１の処理媒体は、前記第１の超臨界状態の媒体にエッチング剤を添加したものであることを特徴とする請求項１〜１７のうち、いずれか１項記載の基板処理方法。
- 前記エッチング剤はキレート剤、ハロゲン化合物、酸、アミンのいずれかであることを特徴とする請求項１８記載の基板処理方法。
- 前記第１の工程において、前記第１の処理媒体によって前記被処理基板上のＣｕ表面に形成された当該Ｃｕの酸化膜が除去されることを特徴とする請求項１〜１９のうち、いずれか１項記載の基板処理方法。
- 前記第１の工程は、前記第１の処理媒体による前記基板処理を行った後で、前記第１の超臨界状態の媒体によって前記被処理基板表面の第１の処理媒体および副生成物を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜２０のうち、いずれか１項記載の基板処理方法。
- 被処理基板を処理する処理容器において、前記第１の工程、前記第２の工程および前記第３の工程が行われることを特徴とする請求項１〜２１のうち、いずれか１項記載の基板処理方法。
- 前記第１の工程が前記被処理基板を処理する処理容器で行われ、前記第２の工程が別の処理容器で行われ、前記第３の工程がさらに別の処理容器で行われることを特徴とする請求項１〜２１のうち、いずれか１項記載の基板処理方法。
- 被処理基板を処理する処理容器において前記第１の工程および前記第２の工程が行われ、別の処理容器において前記第３の工程が行われることを特徴とする請求項１〜２１のうち、いずれか１項記載の基板処理方法。
- 被処理基板を処理する処理容器において前記第１の工程がおこなわれ、別の処理容器において前記第２の工程および前記第３の工程が行われることを特徴とする請求項１〜２１のうち、いずれか１項記載の基板処理方法。
- 請求項１〜２５のうち、いずれか一項記載の基板処理方法を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003017948A JP2004228526A (ja) | 2003-01-27 | 2003-01-27 | 基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
| CNB2003801093056A CN100495649C (zh) | 2003-01-27 | 2003-12-26 | 基板处理方法 |
| AU2003292701A AU2003292701A1 (en) | 2003-01-27 | 2003-12-26 | Semiconductor device |
| US10/543,378 US7476619B2 (en) | 2003-01-27 | 2003-12-26 | Semiconductor device |
| KR1020057013729A KR100644005B1 (ko) | 2003-01-27 | 2003-12-26 | 기판 처리 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| PCT/JP2003/016990 WO2004095557A1 (ja) | 2003-01-27 | 2003-12-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003017948A JP2004228526A (ja) | 2003-01-27 | 2003-01-27 | 基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004228526A true JP2004228526A (ja) | 2004-08-12 |
| JP2004228526A5 JP2004228526A5 (ja) | 2006-03-09 |
Family
ID=32904960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003017948A Pending JP2004228526A (ja) | 2003-01-27 | 2003-01-27 | 基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7476619B2 (ja) |
| JP (1) | JP2004228526A (ja) |
| KR (1) | KR100644005B1 (ja) |
| CN (1) | CN100495649C (ja) |
| AU (1) | AU2003292701A1 (ja) |
| WO (1) | WO2004095557A1 (ja) |
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- 2003-12-26 WO PCT/JP2003/016990 patent/WO2004095557A1/ja active Application Filing
- 2003-12-26 CN CNB2003801093056A patent/CN100495649C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-26 KR KR1020057013729A patent/KR100644005B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-12-26 AU AU2003292701A patent/AU2003292701A1/en not_active Abandoned
- 2003-12-26 US US10/543,378 patent/US7476619B2/en not_active Expired - Fee Related
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| WO2014007028A1 (ja) * | 2012-07-04 | 2014-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
| JP2014012869A (ja) * | 2012-07-04 | 2014-01-23 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
| CN104471106A (zh) * | 2012-07-04 | 2015-03-25 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜方法和成膜装置 |
| US9777377B2 (en) | 2012-07-04 | 2017-10-03 | Tokyo Electron Limited | Film forming method and film forming device |
| JP2018108579A (ja) * | 2016-12-30 | 2018-07-12 | 上海頤柏熱処理設備有限公司Ｓｈａｎｇｈａｉ Ｙｉｂａｉ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｆｕｒｎａｃｅｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 超臨界状態洗浄システムおよび方法 |
| WO2023013435A1 (ja) * | 2021-08-05 | 2023-02-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100644005B1 (ko) | 2006-11-13 |
| CN100495649C (zh) | 2009-06-03 |
| CN1745459A (zh) | 2006-03-08 |
| WO2004095557A1 (ja) | 2004-11-04 |
| KR20050088497A (ko) | 2005-09-06 |
| AU2003292701A1 (en) | 2004-11-19 |
| US7476619B2 (en) | 2009-01-13 |
| US20060154482A1 (en) | 2006-07-13 |
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Legal Events
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|
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