CN113651357B - 锆氧化物纳米粒子及其制备方法、光刻胶组合物及其应用 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种锆氧化物纳米粒子及其制备方法、光刻胶组合物及其应用。该锆氧化物纳米粒子的制备方法包括如下步骤：提供或制备锆盐溶液，所述锆盐溶液包括第一溶剂和分散于所述第一溶剂中的锆盐；将配体加入所述锆盐溶液中，混合均匀，以制备含锆反应体系；加热所述含锆反应体系，控制加热温度为40℃～100℃，使所述含锆反应体系中生成锆氧化物；停止加热，并静置至析出固体组分。该锆氧化物纳米粒子的制备方法能够显著降低锆氧化物纳米粒子的粒径并提高粒径分布的均匀程度，进而能够有效提高作为光刻胶时显影后图案的分辨率。

Description

锆氧化物纳米粒子及其制备方法、光刻胶组合物及其应用

技术领域

本发明涉及光刻技术领域，特别是涉及一种锆氧化物纳米粒子及其制备方法、光刻胶组合物及其应用。

背景技术

光刻技术(lithography)是半导体产业的核心，也是制造大规模集成电路的先决条件。目前半导体行业中最先进的光刻技术——193nm液浸式深紫外光刻已经接近其物理极限，波长为13.5nm(或更短)的极紫外光刻技术(extreme-ultraviolet lithography)被认为是极具发展潜力的下一代光刻技术。

目前光刻材料主要有聚合物型、分子玻璃型和金属氧化物纳米颗粒三大类。聚合物型光刻胶是一种常用的深紫外光刻胶。聚合物型的光刻胶中聚合物链段的尺寸一般在6nm～10nm之间，这将不可避免地造成光刻图案具有3nm～5nm甚至是5nm以上的粗糙度，严重影响30nm及以下的光刻工艺节点。这一因素使得聚合物型的光刻材料难以满足极紫外光刻技术的实际需求。金属氧化物纳米颗粒型光刻胶具有几个纳米的尺寸，有利于降低光刻图案的粗糙度。并且相比于传统的聚合物型的光刻材料，过渡金属元素在极紫外波段下能够表现出更强的吸收特性。

对于金属氧化物纳米颗粒型光刻胶来说，粒径的大小和粒径分布的均匀程度显著影响显影过程中的溶解度变化，进而影响显影后图案的分辨率。传统技术中难以获得小粒径且粒径分布均匀的纳米颗粒，这限制了显影后图案分别率的进一步提高。

发明内容

基于此，有必要提供一种能够获得小粒径且粒径分布均匀的锆氧化物纳米粒子的制备方法。对应地，还提供了一种锆氧化物纳米粒子、光刻胶组合物及该光刻胶组合物的具体应用。

根据本发明的一个实施例，一种锆氧化物纳米粒子的制备方法，其包括如下步骤：

提供或制备锆盐溶液，所述锆盐溶液包括第一溶剂和分散于所述第一溶剂中的锆盐；

将配体加入所述锆盐溶液中，混合均匀，以制备含锆反应体系；

加热所述含锆反应体系，控制加热温度为40℃～100℃，使所述含锆反应体系中生成锆氧化物；

停止加热，并静置至析出固体组分。

在其中一个实施例中，所述锆盐选自羧酸锆、磺酸锆、醇锆、卤化锆、硝酸锆和硫酸锆中的一种或多种。

在其中一个实施例中，所述第一溶剂选自醇类、酯类和烃类中的一种或多种。

在其中一个实施例中，所述配体选自羧酸类配体。

在其中一个实施例中，在所述含锆反应体系中，所述锆盐中的锆离子与所述配体的物质的量之比为1:(0.1～10)。

在其中一个实施例中，在加热所述含锆反应体系的过程中，依次使所述含锆反应体系在70℃～100℃的温度条件下反应6h～24h、在50℃～70℃的温度条件下反应3h～12h、在40℃～50℃的温度条件下反应3h～12h。

在其中一个实施例中，在静置至析出固体组分之后，还包括过滤获取所述固体组分并干燥所述固体组分的步骤。

在其中一个实施例中，在所述锆盐溶液中，所述锆盐的质量含量为40％～80％。

对应地，一种锆氧化物纳米粒子，由根据上述任一实施例所述的锆氧化物纳米粒子的制备方法制备所得的锆氧化物纳米粒子。

在其中一个实施例中，所述锆氧化物颗粒为粒径在1nm～3nm之间的晶体。

又一方面，本发明的另一实施例还提供了根据上述任一实施例所述的锆氧化物纳米粒子的制备方法制备所得的锆氧化物纳米粒子在光刻胶中的应用。

具体地，一种光刻胶组合物，其包括：第二溶剂以及分散于所述第二溶剂中的感光剂和光刻材料，所述光刻材料包括根据上述任一实施例所述的锆氧化物纳米粒子的制备方法制备所得的锆氧化物纳米粒子。

在其中一个实施例中，在所述光刻胶组合物中，所述光刻材料的重量百分比为1％～15％，所述感光剂的重量百分比为0.005％～1.5％。

再一方面，本发明的另一实施例还提供了一种根据上述任一实施例所述的光刻胶组合物在制备光刻图案中的应用。

具体地，在制备光刻图案时，采用极紫外光刻***或电子束光刻***进行曝光。

在一些传统的氧化锆纳米颗粒的制备方法中，通常会将锆盐和配体同时加入溶液中混合均匀，再通过加水水解的的方式制备锆氧化物的纳米颗粒，但是这样的混合方式制备所得的锆氧化物的晶型通常比较复杂，不具有固定的晶体结构，最终所得的粉末颜色通常呈白色。

上述实施例提供的锆氧化物纳米粒子的制备方法中，预先准备好锆盐溶液，再将配体加入该锆盐溶液中充分混合均匀，通过控制温度以控制锆盐溶液反应的热力学过程，形成尺寸均一且分子结构相同的氧化锆纳米颗粒的，并且能以晶体的形式析出。

附图说明

图1为实施例1所得的锆氧化物纳米粒子的X射线单晶衍射结构图谱；

图2为实施例1所得的锆氧化物纳米粒子的动态光散射图谱；

图3为实验例3所得的刻蚀显影后光刻胶表面形貌示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述。文中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本文所使用的“多”包括两个和多于两个的项目。本文所使用的“某数以上”应当理解为某数及大于某数的范围。

除了在操作实施例中所示以外或另外表明之外，所有在说明书和权利要求中表示成分的量、物化性质等所使用的数字理解为在所有情况下通过术语“约”来调整。例如，因此，除非有相反的说明，否则上述说明书和所附权利要求书中列出的数值参数均是近似值，本领域的技术人员能够利用本文所公开的教导内容寻求获得的所需特性，适当改变这些近似值。用端点表示的数值范围的使用包括该范围内的所有数字以及该范围内的任何范围，例如，1至5包括1、1.1、1.3、1.5、2、2.75、3、3.80、4和5等等。

根据本发明的一个实施例，一种锆氧化物纳米粒子的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供或制备锆盐溶液，所述锆盐溶液包括第一溶剂和分散于所述第一溶剂中的锆盐；

将配体加入所述锆盐溶液中，混合均匀，以制备含锆反应体系；

加热所述含锆反应体系，控制加热温度为40℃～100℃，使所述含锆反应体系中生成锆氧化物；

停止加热，并静置至析出固体组分。

其中，锆盐溶液可以是自行制备的，也可以在市场上购买得到。

在一些传统的氧化锆纳米颗粒的制备方法中，通常会将锆盐和配体一同加入溶液中混合均匀，再通过加水水解的的方式制备锆氧化物的纳米颗粒，但是这样的混合方式制备所得的锆氧化物纳米颗粒的尺寸较大且不均一，最终仅能够得到非晶体状的白色粉末。

上述实施例提供的锆氧化物纳米粒子的制备方法中，预先准备好锆盐溶液，再将配体加入该锆盐溶液中充分混合均匀，通过控制温度以控制锆盐溶液反应的热力学过程，形成尺寸均一且分子结构相同的氧化锆纳米颗粒，并且以晶体的形式析出。经过X射线单晶衍射的结果可得到锆氧化物纳米粒子的分子结构。

在其中一个具体示例中，在将配体加入锆盐溶液中之前，还包括将锆盐分散于第一溶剂中以制备锆盐溶液的步骤。在使锆盐均匀分散于第一溶剂中之后，再向锆盐溶液中加入配体，以制备含锆反应体系。

在其中一个具体示例中，锆盐选自具有锆离子的盐，例如羧酸锆、磺酸锆、醇锆、卤化锆、硝酸锆和硫酸锆中的一种或多种。特别地，锆盐可以是醇锆。

在其中一个具体示例中，第一溶剂选自能够溶解所用锆盐的第一溶剂。可选地，第一溶剂可以是醇类、酯类和烃类中的一种或多种。

在其中一个具体示例中，配体选自羧酸类配体。可选地，配体选自甲基丙烯酸、丙烯酸和3,3-二甲基丙烯酸中的一种或多种。

配体会在反应之后包覆于锆氧化物颗粒的周围。同时配体对于形成锆氧化物晶粒具有一定的稳定作用。在其中一个具体示例中，在所述含锆反应体系中，所述锆盐中的锆离子与所述配体的物质的量之比为1:(0.1～10)。

在其中一个具体示例中，在将配体加入锆盐溶液中之后，还包括采用搅拌的方式以使配体与锆盐溶液之间混合均匀。搅拌的方式可以是搅拌棒搅拌、机械搅拌或磁力搅拌。可选地，搅拌的方式是磁力搅拌。搅拌的时长以使得锆盐溶液与配体混合均匀为准，搅拌时长不宜过长。在其中一个具体示例中，搅拌的时长为1min～10min，可选地，搅拌的时长为5min。

进一步地，通过控制反应过程的具体温度条件，可以进一步优化反应的热力学过程，获得纳米颗粒尺寸更为均匀且呈单晶状的锆氧化物。在其中一个具体示例中，在加热所述含锆反应体系的过程中，依次使所述含锆反应体系在70℃～100℃的温度条件下反应6h～24h、在50℃～70℃的温度条件下反应3h～12h、在40℃～50℃的温度条件下反应3h～12h。阶梯式地降低反应体系的温度，能够使制备得到的锆氧化物颗粒的粒径更为均匀。

在其中一个具体示例中，停止对所述含锆反应体系的加热之后，还需要静置24h～72h，以使得反应体系逐步达到能量最低的状态，此时锆元素会以锆氧化物晶体的形式析出，析出的锆氧化物晶体具有粒径分布均匀且粒径较小的优点。可选地，在静置的过程中，控制含锆反应体系的温度为15℃～35℃。进一步地，可以控制含锆反应体系在室温下静置。

在其中一个具体示例中，在静置至析出固体组分之后，还包括过滤获取所述固体组分并干燥所述固体组分的步骤。可选地，使固体组分干燥的方式是真空干燥。真空干燥的温度可以是常温，例如15℃～35℃。

在其中一个具体示例中，在锆盐溶液中，锆盐的质量含量为40％～80％。

发明人发现，通过合理控制各原料的添加顺序及反应过程的温度条件，能够使含有锆盐的反应体系在静置过程中自发地形成晶体状锆氧化物纳米颗粒，这可能得益于在本方法优化得到的条件下，所形成的氧化锆纳米颗粒的尺寸均一且分子结构相同，而能以晶体的形式得到锆氧化物纳米颗粒材料。

进一步地，本发明还提供了一种锆氧化物纳米粒子，其由上述锆氧化物纳米粒子的制备方法制得。

具体地，该锆氧化物纳米粒子包括锆氧化物颗粒和包覆该锆氧化物纳米颗粒的配体，其中，锆氧化物呈晶体状，且锆氧化物纳米粒子粒径在1nm～3nm之间。

进一步地，上述锆氧化物纳米粒子可以应用于光刻胶中。

根据本发明的有一个实施例，一种光刻胶组合物，其中包括：第二溶剂以及分散于第二溶剂中的感光剂和光刻材料。光刻材料包括根据上述至少一个实施例中的锆氧化物纳米粒子的制备方法制备所得的锆氧化物纳米粒子。

在其中一个具体示例中，在光刻胶组合物中，光刻材料的重量百分比为1％～15％。可选地，光刻材料的重量百分比为5％～15％。进一步可选地，光刻材料的重量百分比为8％～12％。

在其中一个具体示例中，在光刻胶组合物中，感光剂的重量百分比为0.005％～1.5％。可选地，感光剂的重量百分比为0.1％～1.5％。进一步可选地，感光剂的重量百分比为0.5％～1.5％。例如，当所述感光剂的量少于0.5％时，感光度太低；而所述感光剂的量大于1.5％时，感光度较高，不利于得到高分辨图形。

进一步地，在其中一个具体示例中，感光剂可以选自光致产酸剂。光致产酸剂可以包括鎓盐、硝基苄基化合物、重氮化合物、N-羟基酰亚胺磺酸酯以及卤代三嗪中的一种或多种。具体包括但不限于，三苯基锍三氟甲磺酸酯、三苯基锍全氟丁基磺酸酯、二(4-叔丁基苯基)碘鎓对甲苯磺酸酯、对硝基苄醇、重氮甲烷基化合物、重氮萘醌磺酸酯、N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸酯，2-(4-甲氧基本乙烯基)-4,6-双(三氯甲基)-1,3,5-三嗪。优选为N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸酯。

在其中一个具体示例中，光刻胶组合物中的第二溶剂为乳酸乙酯、乙酸丁酯、丙二醇甲醚醋酸酯、甲醇、乙醇和丙醇中的一种或多种。可选地，光刻胶组合物中的溶剂为丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)。

在其他一些具体示例中，所述光刻胶组合物还包括稳定剂、流平剂、分散剂或增稠剂。

所述稳定剂可以包括但不限于，异戊醇、正己醇、丙三醇和正己烷等。稳定剂可以保证光刻胶组合物的化学性能稳定，保持化学平衡，降低光刻胶组合物的表面张力，防止光、热分解或氧化分解等作用。

所述流平剂可以包括但不限于丙烯酸类化合物、有机硅类化合物和氟碳类化合物等。所述流平剂的作用为调节光刻胶体系的粘度及流动性，增加成膜均一性。

所述分散剂可以为木质素磺酸盐，例如木质素磺酸钠、木质素磺酸钙和木质素磺酸铵等。

所述增稠剂可以包括但不限于为羟甲基纤维素、海藻酸钠、羟甲基、羟乙基纤维素醚、壳聚糖、聚丙烯酰胺等。

上述光刻胶组合物可以适用于多种光刻技术，例如254nm紫外光刻、365nm紫外光刻、深紫外光刻、极紫外光刻或电子束光刻等。较优地，由于上述光刻胶组合物中的金属氧化物纳米颗粒具有统一的晶体构型和极窄的晶粒粒径分布，因而上述光刻胶组合物能够体现出极高的分辨率，尤其适用于极紫外光刻或电子束光刻。

进一步地，本发明还提供了一种光刻图案的形成方法，请参照图1，其包括如下步骤S100～S400。

步骤S100，在衬底上施加根据上述实施例所述的光刻胶组合物。

其中，可以选用常规装置如旋转涂布机将光刻胶组合物施加衬底上。施加前，光刻胶组合物优选经用孔径为0.22μm的过滤器过滤。衬底可以是硅晶片或石英晶片，也可以包括形成有传感器、电路、晶体管等的硅晶片或石英晶片。

步骤S200，去除光刻胶组合物中的溶剂以形成光刻胶膜。

具体地，去除光刻胶组合物中的溶剂的方式可以是在温度为50℃～130℃的条件下进行烘干，烘干的时间可以是10s～300s。

步骤S300，使所述光刻胶膜于辐射下进行曝光。

具体地，利用曝光***将所获得的光刻胶膜暴露于辐射。曝光***可以为254nm紫外低压汞灯曝光***、365nm紫外高压汞灯曝光***、深紫外光刻***、极紫外光刻***或电子束光刻***。具体地，可以在电子束的辐射下对光刻胶膜进行曝光。

步骤S400，利用显影剂使经过曝光后的所述光刻胶膜显影，形成光刻图案。

具体地，在形成光刻胶图案时，需要有掩膜板对光线进行遮挡以形成期望形状的光刻胶图案。其中，显影剂可以为异丙醇、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、环己烷、正庚烷、正戊烷、4-甲基-2-戊醇、丙二醇甲醚醋酸酯、乙酸乙酯、1，4-二氧六环和乙酸丁酯中的一种或多种。

为了更易于理解及实现本发明，以下还提供了如下较易实施的、更为具体详细的实施例及对比例作为参考。通过下述具体实施例和对比例的描述及性能结果，本发明的各实施例及其优点也将显而易见。

如无特殊说明，以下各实施例所用的原材料皆可从市场上常规购得。

实施例1

取20g已经配好的质量浓度为70％的锆盐溶液以及20g甲基丙烯酸，将甲基丙烯酸与锆盐溶液混合后在室温下磁力搅拌5min，以使其均匀混合。在锆盐溶液中，锆盐为异丙醇锆，溶剂为正丙醇。

停止搅拌后将反应体系升温至80℃，并保持反应体系在80℃的条件下持续反应18h；再将反应体系降温至60℃，并保持反应体系在80℃的条件下持续反应6h；再将反应体系降温至40℃，并保持反应体系在40℃的条件下持续反应6h，最后使反应体系冷却至室温(约25℃)。

将反应体系在在室温下静置2天，待反应体系中析出固体组分，其中，析出的固体组分呈无色透明状。再通过过滤的方式将该固体组分分离出来，在室温的条件下，将该固体组分置于真空烘箱中烘6h，使得该固体组分完全干燥，获得锆氧化物纳米粒子。

实施例2

取20g已经配好的质量浓度为70％的锆盐溶液以及20g甲基丙烯酸，将甲基丙烯酸与锆盐溶液混合后在室温下磁力搅拌5min，以使其均匀混合。在锆盐溶液中，锆盐为异丙醇锆，溶剂为正丙醇。

停止搅拌后将反应体系升温至65℃，并保持反应体系在65℃的条件下持续反应24h；最后使反应体系冷却至室温(约25℃)。

将反应体系在在室温下静置2天，待反应体系中析出固体组分，其中，析出的固体组分呈无色透明状。再通过过滤的方式将该固体组分分离出来，在室温的条件下，将该固体组分置于真空烘箱中烘6h，使得该固体组分完全干燥，获得锆氧化物纳米粒子。

对比例1

取14g异丙醇锆和20g甲基丙烯酸，同时加入6g正丙醇中，然后在室温下磁力搅拌5min，以使其均匀混合。

停止搅拌后将反应体系升温至65℃，并保持反应体系在65℃的条件下持续反应24h；最后使反应体系冷却至室温(约25℃)。

将反应体系在在室温下静置2天，待反应体系中析出固体组分，其中，析出的固体组分为白色粉末状。再通过过滤的方式将该固体组分分离出来，在室温的条件下，将该固体组分置于真空烘箱中烘6h，使得该固体组分完全干燥，获得锆氧化物纳米粒子。

对比例2

取20g质量浓度为70％的锆盐溶液以及20g甲基丙烯酸，将甲基丙烯酸与锆盐溶液混合后在室温下磁力搅拌5min，以使其均匀混合。在锆盐溶液中，锆盐为异丙醇锆，溶剂为正丙醇。

停止搅拌后将反应体系升温至65℃，加入1.8g甲基丙烯酸与0.2g水的混合物，并保持反应体系在65℃的条件下持续反应18h；再加入1.8g甲基丙烯酸与0.2g水的混合物，并保持反应体系在65℃的条件下持续反应6h。

将反应体系倒入60g水中，离心并用清水洗涤，分离出其中的固体组分，其中，析出的固体组分为白色粉末状。在65℃下真空干燥4h后得到锆氧化物纳米粒子。

对上述各实施例以及对比例进行如下实验例的测试。

实验例1：通过X射线单晶衍射仪测试所得锆氧化物纳米粒子样品，结果可见于表1，实施例1的X射线单晶衍射仪测试图谱可见于图1。

实验例2：通过动态光散射仪测试所得锆氧化物纳米粒子样品的尺寸分布，结果见于表1，实施例1和对比例2的动态光散射图谱可见于表1。

实验例3：采用实施例1所得锆氧化物纳米粒子制备光刻胶组合物，并进一步进行曝光显影，具体步骤如下：

将实施例1所得锆氧化物纳米粒子分散于丙二醇单甲醚乙酸酯中，再加入光致产酸剂N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸酯，配制成光刻胶组合物，其中，锆氧化物纳米粒子的质量含量为10％，光致产酸剂的质量含量为1％，余量为丙二醇单甲醚乙酸酯；

将配制好的光刻胶组合物旋涂于硅片表面，在100℃的条件下进行预烘，除去其中的溶剂；

在极紫外光(波长为13.5nm)曝光***下进行曝光，形成条纹状图案；

用异丙醇旋覆浸没硅片进行显影，并用扫描电子显微镜观察硅基板上的各图案，测试结果如图3。

表1

	晶型	粒径分布
			实施例1	晶体	1nm～3nm
实施例2	晶体	1nm～3nm
			对比例1	非晶体	3nm～12nm
对比例2	非晶体	3nm～12nm

图1为对实施例1进行X射线单晶衍射仪测试的结果，其表示实施例1所得锆氧化物纳米颗粒具有规整的晶体结构。

图2为经动态光散射仪测试得到的实施例1所得锆氧化物纳米颗粒的粒径分布，可以发现其中锆氧化物纳米粒子的粒径分布于1nm～3nm之间，并且大量集中于2nm左右。

图3为曝光显影后的条纹图案，左下角的比例尺标记为100nm，右上角的21nm指的是单个条纹的线宽。从图3可以发现，采用实施例1制备的晶体状锆氧化物纳米颗粒作为光刻材料，在电子束曝光***的刻蚀下，能够得到边缘清晰的线宽为21nm的光刻图案。即采用该光刻胶能够获得21nm的光刻特征尺寸，已经能够得到CPU制程中7nm制程节点的要求。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (13)

1.一种锆氧化物纳米粒子的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供或制备锆盐溶液，所述锆盐溶液包括第一溶剂和分散于所述第一溶剂中的锆盐，所述锆盐选自羧酸锆、磺酸锆、醇锆、卤化锆、硝酸锆和硫酸锆中的一种或多种，所述第一溶剂选自醇类溶剂、酯类溶剂和烃类溶剂中的一种或多种；

将配体加入所述锆盐溶液中，混合均匀，以制备含锆反应体系；

加热所述含锆反应体系，控制加热温度为40℃～100℃，使所述含锆反应体系中生成锆氧化物；

停止加热，并静置至析出固体组分，形成所述锆氧化物纳米粒子，所述锆氧化物纳米粒子为粒径在1nm～3nm之间的晶体。

2.根据权利要求1所述的锆氧化物纳米粒子的制备方法，其特征在于，静置的时长为24h～72h。

3.根据权利要求1所述的锆氧化物纳米粒子的制备方法，其特征在于，所述配体选自羧酸类配体。

4.根据权利要求3所述的锆氧化物纳米粒子的制备方法，其特征在于，所述配体选自甲基丙烯酸、丙烯酸和3,3-二甲基丙烯酸中的一种或多种。

5.根据权利要求1～4任一项所述的锆氧化物纳米粒子的制备方法，其特征在于，在所述含锆反应体系中，所述锆盐中的锆离子与所述配体的物质的量之比为1:(0.1～10)。

6.根据权利要求1～4任一项所述的锆氧化物纳米粒子的制备方法，其特征在于，在加热所述含锆反应体系的过程中，依次使所述含锆反应体系在70℃～100℃的温度条件下反应6h～24h、在50℃～70℃的温度条件下反应3h～12h、在40℃～50℃的温度条件下反应3h～12h。

7.根据权利要求1～4任一项所述的锆氧化物纳米粒子的制备方法，其特征在于，在静置至析出固体组分之后，还包括过滤获取所述固体组分并干燥所述固体组分的步骤。

8.根据权利要求1～4任一项所述的锆氧化物纳米粒子的制备方法，其特征在于，在所述锆盐溶液中，所述锆盐的质量含量为40％～80％。

9.一种锆氧化物纳米粒子，其特征在于，由根据权利要求1～8任一项所述的锆氧化物纳米粒子的制备方法制备得到。

10.一种光刻胶组合物，其特征在于，包括：第二溶剂以及分散于所述第二溶剂中的感光剂和光刻材料，所述光刻材料包括根据权利要求9所述的锆氧化物纳米粒子。

11.根据权利要求10所述的光刻胶组合物，其特征在于，在所述光刻胶组合物中，所述光刻材料的重量百分比为1％～15％，所述感光剂的重量百分比为0.005％～1.5％。

12.根据权利要求10或11所述的光刻胶组合物在制备光刻图案中的应用。

13.根据权利要求12所述的光刻胶组合物在制备光刻图案中的应用，其特征在于，在制备光刻图案时，采用极紫外光刻***或电子束光刻***进行曝光。

Images