CN117597763A - 用于匹配网络的重复调谐的***和方法 - Google Patents

用于匹配网络的重复调谐的***和方法 Download PDF

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安东尼·奥丽维提
基思·罗斯
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Abstract

本公开可以包括一种用于校准射频等离子体处理设备中的匹配网络中的电容器的方法，该方法包括。该方法可以包括识别匹配网络中的电容器，测量整个匹配网络的阻抗，以及将电容器从零步长值驱动到预定义步长值。该方法还可以包括测量零步长值和预定义步长值之间的每个步长处的阻抗，将每个步长值的所测量阻抗识别到预定义阻抗曲线，以及基于将每个步长值的所测量阻抗识别到预定义阻抗曲线，将电容器位置与特定阻抗匹配。匹配网络的校准也可以通过在最频繁使用的电容器值的范围内优化步长百分比报告率来增强。

Description

用于匹配网络的重复调谐的***和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2021年4月29日提交的第17/244,193号美国非临时专利申请的优先权，该申请的内容通过引用结合于本文中。
技术领域
背景技术
射频(radio frequency，RF)等离子体增强工艺广泛用于半导体制造，以蚀刻不同类型的膜，在低至中等处理温度下沉积薄膜，并进行表面处理和清洁。这种工艺的特征是采用等离子体，即部分离子化的气体，该等离子体用于在反应室内从前体生成中性物质和离子，为离子轰击提供能量，和/或执行其他动作。射频等离子体增强工艺是通过已知的射频处理设备来执行的。
射频处理设备可以包括将信号传输到等离子体反应室的射频生成器。可以具有可变阻抗的射频匹配设备可以位于射频生成器和等离子体反应室之间。可以通过改变射频匹配设备的阻抗来控制或以其他方式调谐射频匹配设备。调谐射频匹配设备降低了来自等离子体反应室和/或射频匹配设备的反射功率，这可以增加从射频生成器转移到等离子体反应室并进入等离子体过程的功率。
发明内容
附图说明
当与附图一起阅读时，从以下详细描述中可以最恰当地理解本公开。需要强调的是，根据行业的标准实践，各种特征并没有按比例绘制。事实上，为了讨论的清楚性，可以任意增加或减少各种特征的尺寸。
图1是根据本公开的实施例的射频等离子体处理设备的框图表示。
图2是根据本公开的实施例的匹配网络的示意性表示。
图3是根据本公开的实施例的等离子体处理设备的示意性表示。
图4是示出射频等离子体处理设备的最小和最大电容点的使用的图表/绘图。
图5是示出根据本公开的实施例的基于网络阻抗的所报告的电容器位置的使用的图表/绘图。
图6A是根据本公开的实施例的用于调谐射频等离子体处理设备中的匹配网络的示例方法的流程图。
图6B是根据本公开的实施例的可用于实施图6A的方法的部件的框图。
图7是根据本公开的一个或更多个示例的具有硬件处理器和可访问的机器可读指令(例如，存储在非瞬态计算机可读介质中的指令)的示例计算设备。
图8是根据本公开的实施例的用于调谐射频等离子体处理设备中的匹配网络的示例方法的流程图。
图9是根据本公开的一个或更多个示例的具有硬件处理器和可访问的机器可读指令(例如，存储在非瞬态计算机可读介质中的指令)的示例计算设备。
图10是根据本公开的一个或更多个示例可用于实施功能和过程的计算机处理设备的示意性表示。
具体实施方式
现在将公开以下所要求保护的主题的解释性示例。为了清楚起见，并不是针对本说明书中的每个示例来描述实际实施方式的所有特征。应当理解的是，在任何这样的实际实施方式的开发中，可以做出许多特定于实施方式的决策来实现开发人员的特定目标，诸如遵守***相关和业务相关的约束，这些约束将因实施方式彼此之间的不同而不同。此外，将意识到的是，对于受益于本公开的本领域普通技术人员，这种开发工作即使复杂且耗时，也将是常规工作。
此外，如本文所用，“一个”一词旨在在专利技术中具有其普通含义，即“一个或更多个”。在本文中，术语“大约”在被应用于某个值时通常指用于产生该值的设备的公差范围内，或者在某些示例中，指±10％，或±5％，或±1％，除非另有明确规定。此外，本文中所用的术语“基本上”是指大多数，或几乎全部，或全部，或例如具有约51％至约100％范围内的量。此外，本文中的示例旨在仅用于说明，并且是针对讨论目的而非限制的目的而呈现的。
本公开的实施例可以提供用于调谐和以其他方式控制射频等离子体处理设备中的匹配网络的***和方法。在操作期间，射频生成器可以被通电以在反应室内形成等离子体。可以在源气体被注入到反应室中并且通过射频生成器在反应室内供电之后产生等离子体。
在某些条件下，供应到反应室的功率可以从反应室反射回来。反射功率的原因可能是***的特性阻抗与由反应室内的等离子体形成的负载的不匹配。为了帮助防止反射功率，匹配网络可以被设置在射频生成器和反应室之间。这种匹配网络可以包括多个可变电容器或其他阻抗元件。可变电容器可以被调谐，使得反应室内的复合负载阻抗与射频生成器的阻抗匹配。
虽然已经使用了控制或以其他方式调谐匹配网络的多种方法，但是这种方法可能不能可靠且有效地导致阻抗匹配。匹配网络可以包括步进电机，该步进电机具有特定数量的步数，这是特定步进电机特有的功能。在操作期间，电容器可以由电机驱动，范围在零到百分之百之间，因此该电机可能发出多次咔嗒声。本公开的实施例可以提供至少部分基于“步长百分比率”来调整电容器位置的方法和/或以其他方式允许至少部分基于“步长百分比率”来调整电容器位置。
本公开的实施例可以提供用于使用步长百分比率来校准匹配网络的***和方法，以最小化或至少解决以上识别的当前经历的问题。例如，解决上述问题可以包括调整匹配网络内的一个或更多个电容器的特性。
转到图1，根据本公开的实施例，示出了射频等离子体处理***100的侧视框图表示。射频等离子体处理***100包括第一射频生成器105和第二射频生成器110、第一阻抗匹配网络115、第二阻抗匹配网络120、鞘层125、等离子体供电设备(诸如喷头130或诸如电极的等效供电元件)和底座135。如本文所使用的，等离子体供电设备可以指引入功率以生成等离子体的任何设备，并且可以包括例如喷头130和/或其他类型的电极以及天线等。
射频等离子体处理***100可以包括一个或更多个第一和第二射频生成器105、110，它们通过一个或更多个阻抗匹配网络115、120向反应室140输送功率。在该示例中，射频功率从第一射频生成器105通过第一阻抗匹配网络115流到喷头130，进入反应室140中的等离子体，流到除喷头130之外的电极(未示出)，或者流到以电磁方式向等离子体提供功率的感应天线(未示出)。之后，功率从等离子体流到地和/或到底座135和/或到第二阻抗匹配网络120。通常，第一阻抗匹配网络115补偿反应室140内负载阻抗的变化，因此通过调整第一阻抗匹配网络115内的无功部件(未单独示出)，例如可变电容器，喷头130和第一阻抗匹配网络115的组合阻抗等于第一射频生成器105的最佳负载阻抗。
在某些示例中，第一射频生成器105能够以大约400KHz和150MHz之间的RF频率提供功率，而连接到底座135的第二射频生成器110能够以低于第一射频生成器105的RF频率的射频频率提供功率。然而，在某些实施方式中，第二射频生成器110能够不以低于第一射频生成器105的RF频率的射频频率提供功率。通常，第一和第二射频生成器105、110的频率使得第一射频生成器105频率不是第二射频生成器110频率的整数倍或整数分数。
阻抗匹配网络115、120被设计为调整其内部无功元件，使得负载阻抗与源阻抗匹配。在等离子体处理设备100的其他示例中，可以使用不同数量的射频功率生成器105/110，以及不同数量的阻抗匹配网络115/120。阻抗匹配网络115/120可以包括多个内部组件，诸如线圈和可变电容器，这将在下文中更详细地讨论。
转到图2，示出了根据本公开的实施例的匹配网络的示意性表示。在该实施例中，示出了具有匹配分支205和分路器分支210的匹配网络200，诸如上文关于图1所描述的匹配网络。匹配分支205接收来自输入215的射频功率。匹配分支205的第一可变电容器220接收来自输入215的射频功率。第一可变电容器220可以包括额定为大约10-2000pF的电容器。
第一可变电容器220连接到第二电容器225，第二电容器225连接到地230。第二电容器225还连接到第三可变电容器235。第三可变电容器235可以包括额定为大约10-2000pF的电容器。第三可变电容器235还连接到电感器240，电感器240还连接到分路器分支210。
分路器分支210接收来自匹配分支205的射频功率，匹配分支205在第四可变电容器245和第五可变电容器250之间分割所接收的射频功率。第四可变电容器245可以被额定为大约10-2000pF，而第五可变电容器250可以被额定为大约10-2000pF。
第五可变电容器250连接到内部线圈255。在第五可变电容器245和内部线圈255之间，可以设置一个或更多个传感器260。传感器260可以用于测量例如第五可变电容器250和地275之间的电压。类似地，第四可变电容器245连接到外部线圈265。在第四可变电容器245和外部线圈265之间，可以设置一个或更多个传感器270。传感器270可以用于测量例如第四可变电容器245和地290之间的电压。
内部线圈255可以进一步连接到地275，外部线圈265可以连接到包括传感器280和第六电容器285的电路。传感器280可以用于测量例如外部线圈265和地290之间的电压。内部线圈255和外部线圈265可以位于匹配网络200电路的外部，如补偿框295所示。
如上所述，图2中所示的电路可用于调谐第一可变电容器220、第三可变电容器235、第四可变电容器245和第五可变电容器250。通过调谐第一可变电容器220、第三可变电容器235、第四可变电容器245和第五可变电容器250，可以调节提供给内部线圈255和外部线圈265的功率。
在实施例中可以在匹配网络200中用作电流分流比匹配网络的电路可以使用可编程逻辑控制器(未示出)来控制，该可编程逻辑控制器可以被设置在匹配网络200中或以其他方式连接到匹配网络200。将参照图3进一步讨论合适的可编程逻辑控制器和相关部件。
在其他实施例中，匹配网络200的电路可以包括更少或额外的部件，并且电路的定向可以不同。例如，可以存在更少或更多数量的可变电容器、电感器、传感器等。此外，在某些实施例中，线圈、天线等的不同定向可以用于向反应室(图2中未示出)提供调谐的射频功率。本文公开的***和方法可以用于电感耦合等离子体(“inductively coupledplasma，ICP”)、电容耦合等离子体(“capacitively coupled plasma，CCP”)、螺旋波源(“heliconwave source，HWS”)或任何其他等离子体处理设备。
转到图3，示出了根据本公开的实施例的射频等离子体处理设备300的示意性表示。在本实施例中，射频等离子体处理设备300包括射频生成器305。射频生成器305被配置为向反应室310提供功率。射频生成器305可以提供在大约400KHz和大约150MHz之间的射频处的功率。在某些实施例中，第二射频生成器(未示出)也可以存在于射频等离子体处理设备300内，并且可以提供与射频生成器305相同、比射频生成器305更低或更高的射频处的功率。
反应室310可以包括允许处理制造操作的各种部件，诸如与半导体行业相关联的部件。反应室310可以包括用于测量反应室310内发生的某些特性的一个或更多个传感器(未示出)。反应室310还可以包括底座(也未示出)，待制造的基板可以在操作期间被放置在该底座上。反应室310还可以包括线圈或以其他方式连接到线圈(未单独示出)(诸如上文讨论的那些线圈)，以及喷头等。
射频等离子体处理设备300还可以包括匹配网络315。匹配网络315可以位于射频生成器305和反应室310之间。匹配网络315可以包括可变电容器(未示出)，以及平衡射频生成器305和反应室310之间的阻抗的其他部件，如上文更详细地讨论的。在操作期间，可以例如通过调节电容器位置来调谐匹配网络，以便提供匹配阻抗。
在操作期间，当从射频生成器305向反应室310内的等离子体(未示出)供应功率时，可能会出现诸如可能从反应室310反射功率的情况。这种反射功率可能导致非期望的情况，这导致低效的处理、对基板的损坏、对射频等离子体处理设备300的部件的损坏等等。为了解决这种情况并提高射频处理设备300的可操作性，调谐模块337包括可编程逻辑控制器335，可编程逻辑控制器335可以向匹配网络315提供命令以调节电容器位置，从而提供匹配阻抗以最小化反射功率。可编程逻辑控制器335可以连接到存储设备340以存储在操作期间获得的这些命令或数据。
在操作期间，可编程逻辑控制器335可以识别匹配网络315内的电容器。该识别可以自动发生或者由操作员控制。在识别电容器的同时，可以测量整个匹配网络的阻抗。测量整个匹配网络315的阻抗可以包括测量匹配网络315内的一个或更多个电容器和/或其他部件的多个阻抗值。然后可以从零步长值驱动电容器，该零步长值表示在其可用范围内的最小电容的点。例如，在某些实施例中，预定义步长值可以是大约两千个步长，而在其他实施例中，预定义步长值可以大于或小于两千个步长。在操作期间，电容器实际上并没有使用所有两千个步长和/或由预定义步长值定义的步长数。然而，通过确定每个步长值处的阻抗，其中步长的数量由操作的具体情况确定并且可以在例如一千到两千或更多之间变化，可以识别匹配网络315内的特定电容器位置的阻抗。
在测量每个步长的阻抗之后，可以将特定电容器位置的阻抗保存在例如表或数据库中，该表或数据库可以在操作期间用于调节匹配网络315的操作。因此，在匹配网络315的操作期间可以参考特定电容器位置的阻抗。因此，当电容器位置在匹配网络315内被调节时，电容器位置可以基于预定义阻抗曲线来调节，如与可编程逻辑控制器335相关联的存储器上存储的表和/或数据库内所阐述的。使用用于匹配网络315的电容器的每个位置的测量阻抗，构建电容器的报告位置的表，从而优化等离子体处理方法的初始调谐条件。
如上所述，在操作期间，电容器并不是在每个步长中都使用，相反，电容器通常在选定的区域内使用。使用本文所提供的实施例，可以识别特定电容器的使用区域，因此，可以识别电容器的步长百分比使用。通过识别使用电容器的区域，可以增加步长百分比使用率，从而增加操作期间电容器位置的可重复性。例如，在某些实施例中，可以识别出在某一时间段的大约90％出现的电容器位置的步长值的范围。在其他实施例中，该时间段可以包括超过50％、超过60％、超过70％、超过80％、超过95％等的电容器位置。通过识别匹配网络315内用于一个或更多个操作的使用范围，可以增加步长百分比使用率，从而增加电容器位置报告的可重复性。因此，在某些实施例中，步长百分比使用率可以被存储在数据库/数据结构中，并用于提高所报告的电容器位置的可重复性。
转到图4和图5，示出了分别根据本公开的实施例的使用最小和最大电容点的图表和使用基于网络阻抗所报告的电容器位置的图表。图4示出了基于五十个样本的最小和最大电容点的电容器位置的可重复性。如图所示，用最小值和最大值的按百分比率使用大约二十个步长导致电容器位置的相对较宽的范围。
图5示出了根据本公开的实施例的使用基于网络阻抗的报告电容器位置。通过优化步长百分比使用率，当确定优化的电容器位置时，少于二十个步长可用于电容器的实际使用。因此，可以更重复地应用特定操作的电容器位置，因为考虑电容器在操作期间的实际使用，而不仅仅是最小值和最大值。
转到图6A，示出了根据本公开的实施例的用于校准射频等离子体处理设备中匹配网络的方法600的流程图。方法600可以包括识别(框605)匹配网络中的电容器。该识别可以包括确定匹配网络中的特定电容器和/或可以包括确定匹配网络中的多于一个的电容器。电容器可以包括可变电容器，诸如上文所讨论的可变电容器。
在操作期间，方法600还可以包括测量(框610)整个匹配网络的阻抗。测量匹配网络的阻抗可以包括测量匹配网络中的特定电容器、多个电容器，和/或测量射频等离子体处理设备的其他方面。该测量可以包括使用射频等离子体处理设备内的一个或更多个传感器来确定匹配网络内的总阻抗。
在操作期间，方法600还可以包括将电容器从零步长值驱动(框615)到预定义步长值。预定义步长值可以根据射频等离子体处理设备的操作约束而变化，包括匹配网络的特定操作方面。在某些实施例中，预定义步长值可以包括至少两千个步长，而在其他实施例中，可能存在多于或少于两千个步长。通过驱动电容器，可以针对特定的步长值来确定电容器位置，从而允许对射频等离子体处理设备的各方面进行分析。
在操作期间，方法600还可以包括测量(框620)零步长值和预定义步长值之间的每个步长处的阻抗。通过测量每个步长处的阻抗，可以确定每个电容器位置的阻抗。该测量还可以包括确定电容器在特定条件下操作的步长值。例如，电容器在操作的大部分时间可能处于特定位置中。对于常用的条件，使用更高的步长百分比率，从而增加报告电容器位置的准确性和可重复性。
在操作期间，方法600还可以包括将每个步长值的所测量阻抗识别(框625)到预定义阻抗曲线。预定义阻抗曲线可以包括基于匹配网络和/或射频等离子体处理设备内的电容器和/或电容器的先前测试和/或诊断的已知值。
在操作期间，方法600还可以包括基于将每个步长值的所测量阻抗识别到预定义阻抗曲线，将电容器位置与特定阻抗匹配(框630)。当匹配网络中特定电容器的电容器位置的范围是已知的时，可以对电容器位置进行调谐，以便增加获得用于特定操作的校正和/或优化的电容器位置的可重复性。因此，针对特定操作在特定位置处优化电容器的步长值百分比使用，从而可以进一步增加匹配网络的可重复性。通过对匹配网络内的电容器使用最常用的操作范围，可以优化步长百分比率，从而在匹配网络的操作期间增加电容器位置的可重复性。
图6B示出了包括可以用于实施方法600的多个部件的框图650。具体地，框图650示出了阻抗分析器655、匹配部件665和分路器675之间的可能关系。
现在转到图7，示出了根据本公开的一个或更多个示例的具有硬件处理器和可访问的机器可读指令600的示例计算设备。图7提供了上文关于图6所讨论的相同方面，因此，为了清楚的目的，本文仅讨论图中的差异。图7提供了示例计算设备725，示例计算设备725具有硬件处理器730和可访问的机器可读指令，该可访问的机器可读指令存储在机器可读介质735上以用于管理如上文关于一个或更多个公开的示例实施方式所讨论的数据。图6示出了计算设备725，计算设备725被配置为执行关于图6详细讨论的框605、610、615、620、625和630中描述的流程。然而，计算设备725还可以被配置为执行本公开中描述的其他方法、技术、功能或过程的流程。
转到图8，示出了根据本公开的实施例的用于校准射频等离子体处理设备中的匹配网络的方法的流程图。在操作期间，方法800可以包括校准射频等离子体处理设备中的匹配网络中的电容器。方法800可以包括记录(805)已知的等离子体处理条件。
在操作期间，方法800还可以包括记录(框810)等离子体处理条件下的电容器值的范围。方法800还可以包括确定(框815)经常用于等离子体处理条件的电容器值的范围。
在操作期间，方法800还可以包括优化最常用的电容器值的范围内的步长百分比率。方法800还可以包括为电容器值开发(框825)预定义阻抗曲线。
在操作期间，方法800还可以包括将电容器校准(框830)到预定义阻抗曲线。方法800还可以包括将电容器校准加载(框835)到匹配网络中。
现在转到图9，示出了根据本公开的一个或更多个示例的具有硬件处理器和可访问的机器可读指令的示例计算设备。图9提供了上文关于图8所讨论的相同结构部件，因此，为了清楚的目的，本文仅讨论图中的差异。图9提供了示例计算设备925，示例计算设备925具有硬件处理器930和可访问的机器可读指令，该可访问的机器可读指令存储在机器可读介质935上以用于管理如上文关于一个或更多个公开的示例实施方式所讨论的数据。图8示出了计算设备925，计算设备925被配置为执行关于图8详细讨论的框805、810、815、820、825、830和835中描述的流程。然而，计算设备925还可以被配置为执行本公开中描述的其他方法、技术、功能或过程的流程。
现在参考图10，示出了根据本公开的一个或更多个示例的用于实施功能和过程的计算机处理设备1000的示意性表示。图10示出了计算机处理设备1000，计算机处理设备1000可以用于实施本公开的***、方法和过程。例如，图10示出的计算机处理设备1000能够表示客户端设备或物理服务器设备，并且包括依据计算设备的抽象级别的虚拟处理器或硬件。在某些情况下(没有抽象)，如图10所示，计算机处理设备1000及其元件均涉及物理硬件。或者，在某些情况下，可以使用模拟器或虚拟机作为抽象级别来实现一个、更多个或所有元件。在任何情况下，无论与物理硬件相距多少抽象级别，处于其最低级别的计算机处理设备1000都可以在物理硬件上实施。在实施方式中，计算机处理设备1000可以允许用户远程访问一个或更多个数据中心。类似地，用户使用的管理工具可以包括在此类计算机处理设备1000上运行的软件解决方案。
图10示出了根据本公开的一个或更多个示例的计算机处理设备1000。计算机处理设备1000可以用于实施本公开的各方面，诸如与调谐模块、匹配网络或射频等离子体处理设备的其他部件相关联的各方面。计算机处理设备1000可以包括设置在一个或更多个印刷电路板(未另外示出)上的一个或更多个中央处理单元(单个“CPU”或多个“CPU”)1005。计算机处理设备1000还可以包括本领域中已知的任何类型的处理设备或可编程逻辑控制器。计算机处理设备1000还可以作为处理器执行控制器的功能，并且是根据上文关于图1-图9描述的方法和***使用的。因此，计算机处理设备1000可以是控制器、处理器，执行控制器和/或处理器的功能，并且可以用于确定匹配网络中的电容器位置。
一个或更多个CPU 1005中的每一个可以是单核处理器(未独立示出)或多核处理器(未独立示出)。多核处理器通常包括设置在同一物理管芯(未示出)上的多个处理器核(未示出)或设置在共同设置在同一机械封装(未示出)内的多个管芯(未示出)上的多个处理核(未示出)。计算机处理设备1000可以包括一个或更多个核逻辑设备，例如，主桥1010和输入/输出(“IO”)桥1015。
CPU 1005可以包括到主桥1010的接口1008、到***存储器1020的接口1018以及到一个或更多个IO设备(例如，图形处理单元(“GFX”)1025)的接口1023。GFX 1025可以包括一个或更多个图形处理器核(未独立示出)和到显示器1030的接口1028。在某些实施例中，CPU1005可以集成GFX 1025的功能并且与显示器1030直接连接(未示出)。主桥1010可以包括到CPU 1005的接口1008、到IO桥1015的接口1013，对于CPU 1005不包括到***存储器1020的接口1018的实施例，主桥1010可以包括到***存储器1020的接口1016，以及对于CPU 1005不包括集成GFX 1025或到GFX 1025的接口1023的实施例，主桥1010可以包括到GFX 1025的接口1021。
本领域的普通技术人员将认识到，CPU 1005和主桥1010可以全部或部分地集成，以减少芯片数量、主板覆盖区、热设计功率和功耗。IO桥1015可以包括到主桥1010的接口1013、到一个或更多个IO扩展设备1035的一个或更多个接口1033、到键盘1040的接口1038、到鼠标1045的接口1043、到一个或更多个本地存储设备1050的接口1048以及到一个或更多个网络接口设备1055的接口1053。
每个本地存储设备1050可以是固态存储设备、固态存储设备阵列、硬盘驱动器、硬盘驱动器阵列或任何其他非瞬态计算机可读介质。每个网络接口设备1055可以提供一个或更多个网络接口，该一个或更多个网络接口包括例如以太网、光纤通道、WiMAX、Wi-Fi、蓝牙、EtherCAT、设备网、Mod总线、RS-232或适合于促进联网通信的任何其他网络协议。除了或者代替一个或更多个本地存储设备1050，计算机处理设备1000可以包括一个或更多个网络连接的存储设备1060。网络连接的存储设备1060可以是固态存储设备、固态存储设备阵列、硬盘驱动器、硬盘驱动器阵列或任何其他非瞬态计算机可读介质。网络连接的存储设备1060可以与计算机处理设备1000并置或不并置，并且可以经由由一个或更多个网络接口设备1055提供的一个或更多个网络接口对计算机处理设备1000进行访问。
本领域的普通技术人员将认识到，计算机处理设备1000可以包括一个或更多个专用集成电路(“ASIC”)，该一个或更多个专用集成电路被配置为以更有效的方式执行特定功能，例如散列(未示出)。一个或更多个ASIC可以与CPU 1005、主桥1010或IO桥1015的接口直接连接。或者，有时被称为挖掘***的专用计算设备(未示出)可以被简化为仅执行所需功能(诸如经由一个或更多个散列ASIC进行散列)所必需的那些部件，以减少芯片数量、主板覆盖区、热设计功率和功耗。因此，本领域的普通技术人员将认识到，根据一个或更多个示例实施例，一个或更多个CPU 1005、主桥1010、IO桥1015或ASIC或各种子集、超集或其功能或特征的组合可以整体或部分地集成，或者以能够基于应用、设计或形式因素而变化的方式分布在各种设备之间。因此，计算机处理设备1000的描述仅仅是示例性的，而不旨在限制构成适于执行计算操作(包括但不限于散列函数)的计算设备的部件的类型、种类或配置。此外，本领域的普通技术人员将认识到，计算设备1000、应用特定的计算设备(未示出)或其组合可以采用独立、台式、服务器或机架安装的形式设置。
本领域的普通技术人员将认识到，根据一个或更多个示例实施例，计算设备1000可以是基于云的服务器、服务器、工作站、台式机、笔记本电脑、上网本、平板电脑、智能手机、移动设备和/或任何其他类型的计算设备。
在某些实施例中，本公开的优点可以提供用于改进与射频等离子体处理设备中的匹配网络相关联的电容器位置的可重复性的计算机可执行指令。
在某些实施例中，本公开的优点可以提供与射频等离子体处理设备中的匹配网络相关联的电容器的调谐的改进的可重复性。
在某些实施例中，本公开的优点可以提供用于存储针对等离子体处理条件的优化的电容器位置的方法，其可以增加电容器轨迹的一致性。
为了解释的目的，上述描述使用了特定的命名法来提供对本公开的全面理解。然而，对于本领域技术人员来说显而易见的是，实践本文所描述的***和方法不需要特定细节。为了说明和描述的目的，呈现了特定示例的上述描述。它们并非旨在穷举本公开或将本公开限制于所描述的精确形式。明显地，鉴于上述教导，许多修改和变体是可能的。示出和描述这些示例是为了最好地解释本公开的原理和实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够最好地利用本公开和具有适合于所设想的特定用途的各种修改的各种示例。旨在通过以下权利要求及其等效物来定义本公开的范围。

Claims (18)

1.一种用于校准射频等离子体处理设备中的匹配网络中的电容器的方法，所述方法包括：
识别所述匹配网络中的电容器；
测量整个所述匹配网络的阻抗；
将所述电容器从零步长值驱动到预定义步长值；
测量所述零步长值和所述预定义步长值之间的每个步长处的阻抗；
将每个步长值的所测量阻抗识别到预定义阻抗曲线；以及
基于将每个步长值的所测量阻抗识别到所述预定义阻抗曲线，将电容器位置与特定阻抗匹配。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预定义步长值大约为两千个步长。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括识别用于等离子体处理条件的电容器值的范围。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述测量包括基于所述匹配网络的阻抗来报告电容器位置。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括优化最频繁使用的电容器值的范围内的步长百分比率。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述优化包括基于时间段的频率识别使用所述电容器的步长值的范围。
7.一种匹配网络，包括：
连接到所述匹配网络的可编程逻辑控制器，所述可编程逻辑控制器：
识别所述匹配网络中的电容器；
测量整个所述匹配网络的阻抗；
将所述电容器从零步长值驱动到预定义步长值；
测量所述零步长值和所述预定义步长值之间的每个步长处的阻抗；
将每个步长值的所测量阻抗识别到预定义阻抗曲线；以及
基于将每个步长值的所测量阻抗识别到所述预定义阻抗曲线，将电容器位置与特定阻抗匹配。
8.根据权利要求7所述的匹配网络，其中，所述可编程逻辑控制器还实施电容器校准，以报告至少一个位置值。
9.根据权利要求7所述的匹配网络，其中，所述可编程逻辑控制器还识别所述电容器在大约90％的时间段内使用的步长值的范围。
10.根据权利要求7所述的匹配网络，其中，所述可编程逻辑控制器还识别所述匹配网络中的电容器，并识别使用所述电容器的步长值的范围。
11.根据权利要求10所述的匹配网络，其中，所述可编程逻辑控制器还将所述电容器的校准与预定义阻抗曲线相匹配。
12.根据权利要求7所述的匹配网络，其中，所述可编程逻辑控制器还基于所述匹配网络的阻抗报告电容器位置。
13.根据权利要求7所述的匹配网络，其中，所述可编程逻辑控制器还记录等离子体处理条件下的电容器值的范围。
14.一种用于校准射频等离子体处理设备中的匹配网络中的电容器的方法，所述方法包括：
记录多个已知的等离子体处理条件；
记录等离子体处理条件下的电容器值的范围；
确定频繁用于所述等离子体处理条件的电容器值的范围；
优化最频繁使用的电容器值的范围内的步长百分比率；
为所述电容器值开发预定义阻抗曲线；
将所述电容器校准到所述预定义阻抗曲线；以及
将电容器校准加载到所述匹配网络中。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述电容器校准包括最频繁使用的电容器位置。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，所记录的电容器值的范围包括作为全电容器范围的子集的电容器范围。
17.根据权利要求14所述的方法，还包括测量所述匹配网络的阻抗。
18.根据权利要求14所述的方法，其中，所述测量包括测量所述电容器大约两千个阻抗步长。
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