CN117311080B - 用于拆分版图图案的方法、设备和介质 - Google Patents

用于拆分版图图案的方法、设备和介质 Download PDF

Info

Publication number
CN117311080B
CN117311080B CN202311599166.5A CN202311599166A CN117311080B CN 117311080 B CN117311080 B CN 117311080B CN 202311599166 A CN202311599166 A CN 202311599166A CN 117311080 B CN117311080 B CN 117311080B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sub
pattern
patterns
segmentation
parameter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202311599166.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN117311080A (zh
Inventor
请求不公布姓名
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advanced Manufacturing EDA Co Ltd
Original Assignee
Advanced Manufacturing EDA Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Manufacturing EDA Co Ltd filed Critical Advanced Manufacturing EDA Co Ltd
Priority to CN202311599166.5A priority Critical patent/CN117311080B/zh
Publication of CN117311080A publication Critical patent/CN117311080A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN117311080B publication Critical patent/CN117311080B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

根据本公开的示例实施例提供了用于拆分版图图案的方法、设备和介质。该方法包括:生成测试图案,其中的版图图形包括通过分段而形成的多个子图形,并且多个子图形针对预定分段参数具有不同的参数值;获取多个子图形在晶圆图案中的几何参数的相应测量结果,其中晶圆图案是在目标光刻工艺下基于测试图案在晶圆上形成的;以及基于多个子图形的几何参数的相应测量结果,确定预定分段参数的参数值范围,以用于在目标光刻工艺下进行版图图形分段。以此方式,分段规则与要使用的光刻工艺是相匹配的,进而有利于提高光学近邻校正的效果。

Description

用于拆分版图图案的方法、设备和介质
技术领域
本公开的实施例主要涉及集成电路领域,并且更具体地,涉及用于拆分版图图案的方法、设备和介质。
背景技术
电路版图(又可以简称为版图)是从设计并模拟优化后的电路所转化成的一系列几何图形,其包含了集成电路尺寸、各层拓扑定义等器件相关的物理信息数据。集成电路制造商根据这些数据来制造掩模。掩模上的版图图案决定着芯片上器件或连接物理层的尺寸。
随着集成电路制造工艺的技术节点的减小,集成电路中的目标图案之间的距离减小,并且掩模上与目标图案相对应的版图图案的密度增加。由于光波会在掩模的版图图案处发生衍射,导致实际形成的图案与版图图案相比产生失真。为此,已经提出光学邻近效应校正(OPC)来调整掩模的版图图案,以便形成期望的目标图案。如何将版图图案拆分成多个图形段(segment)是OPC的一个重要环节。
发明内容
在本公开的第一方面中,提供了一种用于拆分版图图案的方法。该方法包括:生成测试图案,测试图案中的版图图形包括通过分段而形成的多个子图形,并且多个子图形针对预定分段参数具有不同的参数值;获取多个子图形在晶圆图案中的几何参数的相应测量结果,其中晶圆图案是在目标光刻工艺下基于测试图案在晶圆上形成的;以及基于多个子图形的几何参数的相应测量结果,确定预定分段参数的参数值范围,以用于在目标光刻工艺下进行版图图形分段。
在本公开的第二方面中,提供了一种电子设备。该电子设备包括处理器、以及与处理器耦合的存储器。该存储器具有存储于其中的指令,指令在被处理器执行时使电子设备执行根据本公开的第一方面的方法。
在本公开的第三方面中,提供了一种计算机可读存储介质。该计算机可读存储介质上存储有计算机程序。计算机程序在被处理器执行时实现根据本公开的第一方面的方法。
通过下文的描述将会理解,根据本公开的实施例,可以设计包括多个子图形的测试图案,每个子图形用于模拟针对预定分段参数具有不同参数值的图形段。而后,利用这样的测试图案在目标光刻工艺成像,基于所获得的晶圆图案的测量,可以得到预定分段参数的取值范围。该取值范围可以用于针对目标光刻工艺的OPC中的分段处理,也即可以获得目标光刻工艺下的分段规则。以此方式,使得分段规则与要使用的光刻工艺是相匹配的,从而提高OPC效果。其他的益处将在下文结合相应的实施例展开描述。
应当理解,本发明内容部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键特征或重要特征,也不用于限制本公开的范围。本公开的其他特征将通过以下的描述而变得容易理解。
附图说明
结合附图并参考以下详细说明,本公开各实施例的上述和其他特征、优点及方面将变得更加明显。在附图中,相同或相似的附图标注表示相同或相似的元素,其中:
图1A示出了对线图形进行分段的示意图;
图1B示出了对角图形进行分段的示意图;
图2示出了本公开的一些实施例能够在其中实现的示例环境的示意图;
图3示出了根据本公开的一些实施例的分段规则生成的示例架构的示意性框图;
图4示出了根据本公开的一些实施例的示例测试图案的示意图;
图5示出了根据本公开的一些实施例的另一示例测试图案的示意图;
图6示出了根据本公开的一些实施例的用于拆分版图图案的方法的流程图;
图7示出了其中可以实施本公开的一个或多个实施例的电子设备的框图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的实施例。虽然附图中显示了本公开的某些实施例,然而应当理解的是,本公开可以通过各种形式来实现,而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例,相反提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本公开。应当理解的是,本公开的附图及实施例仅用于示例性作用,并非用于限制本公开的保护范围。
在本公开的实施例的描述中,术语“包括”及其类似用语应当理解为开放性包含,即“包括但不限于”。术语“基于”应当理解为“至少部分地基于”。术语“一个实施例”或“该实施例”应当理解为“至少一个实施例”。术语“第一”、“第二”等等可以指代不同的或相同的对象。下文还可能包括其他明确的和隐含的定义。
如本文所使用的,术语“关键尺寸(CD)”是指版图中、掩模上或晶圆上的物理特征尺寸,其是尺寸的一种形式。
如文本所使用的,术语“参数值范围”或“值范围”等可以指代任何数目和/或任何形式的值。例如,参数值范围可以包括单个值、或多个离散值。又如,参数值范围可以包括连续的取值范围。再如,参数值范围可以包括连续的取值范围和一个或多个离散值的组合。
如本文所使用的,术语“图形构型(configuration)”或简称“构型”可以指代版图图形自身的形状和/或版图图形与其他版图图形的相对位置,例如间距。一个构型可以由多个维度的尺寸限定,例如宽度、高度、间距,等等。
如前文所简要提及的,作为OPC的一个环节,需要对版图图案进行分段处理。在分段处理中,可以先识别要分段的版图图形(也简称为图形)的类型。图形的示例类型可以包括但不限于线(line)图形、角(corner)图形、线端(line-end)图形、触点图形等。角图形又可以分为外角图形和内角图形等。应当理解,以上所列举的类型仅是示例,而无意任何限制。
而后可以基于版图图形的类型,对版图图形进行分段。图1A示出了对线图形进行分段以确定多个子图形(也称为图形段)的一个示例。图1A示意性地示出了对版图中的图形110和图形120进行分段。作为示例,可以以如下方式来对较大的图形进行分段。对于线端、间隙端、触点等较短的图形,可以在矩形的四个角处***分段点。也即,线端图形、间隙端图形和触点图形本身将被确定为图形段。对于与相邻图形存在投影的区域(如图1A中的虚线所示),可以在投影范围内,对被投影处***分段点,例如分段点130和135。同时从这样的分段点沿着图形边界分别向左和向右在预定距离处***分段点,例如分段点131和132。对于剩余的线或空隙区域,按照预定的步长等距离地***分段点。
通过上述方式,可以将原本较大的图形划分为若干个小的版图图形,也即子图形。这样的子图形由多个分段点确定。例如,可以将多边形划分为由4个分段点确定的矩形。在图1A的示例中,图形110和图形120被划分为12个子图形,即子图形101-1至101-12,其也统称或单独地称为子图形。
在确定子图形之后,可以对每个子图形***量测标记。量测标记用于标识光刻成像仿真或实际测量中CD的量测位置。对于矩形而言,所***的量测标记垂直于矩形边长,例如量测标记115和量测标记125。
作为示例,对于线或间隙分割成的矩形,量测标记可以位于矩形的中心线。例如,版图图形101-11的量测标记125位于版图图形101-11(其为矩形)的中心线。对于由线端或间隙端图形形成的矩形,量测标记可以与线端边或间隙端边相距一定距离,该距离可以为相邻边长的0.9倍或其他合适的倍数。例如,版图图形101-4的量测标记115不位于版图图形101-4的中心线处,而是更远离版图图形101-4的线端边150。对于由触点图形形成的矩形,量测标记可以位于矩形长边的中心处并处于长边。
以上示例性地描述了线图形的分段示例。在该示例中,分段参数包括所划分的子图形的长度,也即沿着图1A水平方向的尺寸。取决于图形的类型,还可能涉及其他的分段参数。参考图1B描述另一示例。图1B示出了对角图形进行分段所涉及的分段参数的示例,包括外角长度和内角长度。如图1B所示,角图形160包括外角161、外角162、外角163和内角164。相应地,外角长度可以是指紧挨着外角的图形段的长度,内角长度可以是指紧挨着内角的图形段的长度。
应当理解,参考图1A和图1B所描述的图形、子图形、分段点、量测标记的位置仅是示例性的,而无意限制本公开的范围。此外,参考图1A和图1B所描述的分段参数也是示例性的,可以存在各种合适的分段参数。
以上描述了对图形的分段处理示例。在图形被分段之后,可以利用任何合适的光刻仿真模型来对光刻工艺进行仿真,以进行OPC操作。在校正阶段,根据光刻仿真的结果,确定各个量测标记处的仿真结果。根据量测标记处的仿真结果,可以确定对应的图形段是否进行移动、或移动多少距离、或是否向图形段添加衬线(serif),等等。
在传统方案中,分段规则的生成是基于非常有限的光学参数的,例如光的波长、工艺技术节点的要求(例如最小间距值等)。示例性的,在传统方案中,可以规定分段长度的标称值、最小值、外角长度、内角长度等。这些传统方案基本上从版图设计尺寸/构型方面进行考虑,而没有考虑光刻工艺特点,例如正显影光刻胶、负显影光刻胶、光源形状、由于光源形状而引起的禁止间距和旁瓣,等等。
随着半导体技术的发展,所要求的分辨率远小于照明所使用的光的波长。在这种情况下,上述的传统方案导致一些问题的出现。例如,线图形在成像后所形成的边缘可能呈现摆动或波动式轮廓(也称为线边缘粗糙度),校正之后合并图形段的任何操作都可能没有完全优化(或错误优化),以及在进行电子束射击次数减少时可用的准则有限等。此外,那些紧挨着多边形角的图形段(例如,图1B所示的子图形101-4),其量测标记点不位于图形段的中心,而要远离角,由于校正的影响,这些图形段存在校正收敛问题。除此之外,每个分段中的量测点有时会沿着图形段范围移动或移动到图形段范围之外以满足某些标准,例如以满足制造规则检查(MRC)约束。
有鉴于此,传统的分段规则并未成分考虑光刻工艺。这种分段规则限制了OPC的效果。根据本公开的实施例,提供了一种用于分段处理的方案。在该方案中,生成测试图案,其中的版图图形包括通过分段而形成的多个子图形,并且所述多个子图形针对预定分段参数具有不同的参数值。在目标光刻工艺下基于所述测试图案在晶圆上形成的晶圆图案,并且获取所述多个子图形在晶圆图案中的几何参数的相应测量结果。基于所述多个子图形的所述几何参数的相应测量结果,确定所述预定分段参数的参数值范围,以用于在所述目标光刻工艺下进行版图图形分段。
以此方式,使得分段规则与要使用的光刻工艺是相匹配的。这有利于提高OPC效果。例如,通过这样的方式,可以将分段规则与光刻工艺对齐,从而提高OPC的收敛性和结果质量。
下面继续参考附图来描述本公开的示例实施例。
图2示出了本公开的各实施例能够在其中实现的示例环境200的示意图。在示例环境200中,电子设备210生成测试图案230。测试图案230中的版图图形包括通过分段而形成的多个子图形,也即包括多个图形段。这些子图形针对预定分段参数具有不同的参数值。例如,这些子图形所具有的分段长度不同。基于测试图案230,电子设备210可以确定针对预定分段参数的参数值范围240,例如分段长度的取值范围。在一些实施例中,电子设备210还可以针对多个测试图案230来确定多个参数值范围,以生成分段规则。
在示例环境200中,电子设备210可以是任意类型的具有计算能力的设备,包括终端设备或服务端设备。终端设备可以是任意类型的移动终端、固定终端或便携式终端,包括移动手机、台式计算机、膝上型计算机、笔记本计算机、上网本计算机、平板计算机、媒体计算机、多媒体平板、个人通信***(PCS)设备、个人导航设备、个人数字助理(PDA)、音频/视频播放器、数码相机/摄像机、定位设备、电视接收器、无线电广播接收器、电子书设备、游戏设备或者前述各项的任意组合,包括这些设备的配件和外设或者其任意组合。服务端设备例如可以包括计算***/服务器,诸如大型机、边缘计算节点、云环境中的计算设备,等等。
应当理解,仅出于示例性的目的描述环境200的结构和功能,而不暗示对于本公开的范围的任何限制。下面将参考图3至图7来详细描述根据本公开的示例实施例。
如前文所提及的,分段处理可以使用各种合适的分段参数。下文主要以分段长度作为分段参数的示例来描述本公开的示例实施例。但应当理解,这仅是示例性的,本公开的实施例在此方面不受限制。参考分段长度而描述的实施例可以适用于其他的分段参数。
图3示出了根据本公开的一些实施例的分段规则生成的示例架构300的示意性框图。总体上,对至少一个测试图案执行范围确定过程310,以确定针对预定分段参数的参数值范围。在一些实施例中,进而可以基于各个参数值范围来生成用于在目标光刻工艺下进行分段处理的规则集。
如图3所示,至少对测试图案311执行范围确定过程310。在一些实施例中,可以多个测试图案分别执行范围确定过程310。在图3的示例中,对测试图案311执行范围确定过程310,从而得到参数值范围321;对测试图案312执行范围确定过程310,从而得到参数值范围322;测试图案313执行范围确定过程310,从而得到参数值范围323。应当理解,图3所示的测试图案及对应的参数值范围的数目仅是示例性的,而无意任何限制。本公开的实施例适用于任何数目的测试图案。
每个测试图案中的版图图形包括通过分段而形成的多个子图形。子图形也可以称为图形分段。这些子图形针对预定分段参数具有不同的参数值。例如,预定分段参数可以是分段长度,那么这些子图形可以具有不同的分段长度值。当然,预定分段参数也可以是其他合适的参数,本公开的实施例在此方面不受限制。
参考图4描述一个示例,其中示出了针对线图形而生成的测试图案400。测试图案400包括多个版图图形,例如版图图形410。以版图图形410为例,其包括多个子图形,也即子图形411、子图形412、子图形413、子图形414、子图形415。各个子图形可以具有不同的长度,例如沿着图4的竖直方向具有不同的长度。子图形的不同长度可以对应于不同的分段长度。
图4示出了测试图案400的一部分的放大视图450。从视图450可以看出,子图形411对应于分段长度L1+D1,子图形412对应于分段长度L1+D2,子图形413对应于分段长度L1+D3。在该示例中,L1+D3大于L1+D2,而L1+D2大于L1+D1。
参考图5描述另一个示例,其中示出了针对角图形而生成的测试图案500。测试图案500包括多个版图图形,例如版图图形510。以版图图形510为例,其包括多个子图形,也即子图形511、子图形512、子图形513、子图形514。各个子图形可以具有不同的长度,例如沿着图5的竖直方向具有不同的长度。子图形的不同长度可以对应于不同的分段长度。
从图5可以看出,子图形511对应于分段长度L2+D1,子图形512对应于分段长度L2+D2,子图形513对应于分段长度L2+D3,并且子图形514对应于分段长度L2+D4。在该示例中,L2+D4大于L2+D3,L2+D3大于L2+D2,而L2+D2大于L2+D1。
应当理解,图4和图5所示的测试图案仅是示例性的,而无意限制本公开的范围。测试图案中所包括的子图形的数目和尺寸仅是示例性的。
继续参考图3。在一些实施例中,如果存在多个测试图案,这些测试图案可以是针对不同类型版图图形而生成的。例如,测试图案400是针对线图形生成的,而测试图案500是针对角图形生成的。
备选地或附加地,在一些实施例中,这些测试图案可以是针对不同图形构型的。每个图形构型可以由多个维度的尺寸限定,并且多个维度的尺寸包括单个图形的尺寸和相邻图形之间的间距。示例性的,多个维度的尺寸可以包括但不限于图形自身的宽度W、长度L、与相邻图形的间距S。
仍然参考图4和图5的示例。在图4的示例中,测试图案400所针对的图形构型具有长度L1、宽度W1和间距S1。通过固定长度L1、宽度W1和间距S1中的两个并且变化另一个,可以确定其他的图形构型,并且生成对应的测试图案。在图5的示例中,测试图案500所针对的图形构型具有长度L2、宽度W2和间距S2。通过固定长度L2、宽度W2和间距S2中的两个并且变化另一个,可以确定其他的图形构型,并且生成对应的测试图案。
关于测试图案的生成,在一些实施例中,可以沿着第一方向按照预定分段参数的多个参数值,将初始图案中的初始图形的至少一部分划分为多个子图形,每个子图形针对预定分段参数具有多个参数值之一。而后,可以在与第一方向垂直的第二方向上,分别移动多个子图形,以形成测试图案中的版图图形。例如,在图4的示例中,子图形411、子图形412、子图形413、子图形414、子图形415沿着竖直方向具有不同的长度,并且沿着水平方向被移动了一定距离。又如,在图5的示例中,子图形521、子图形522、子图形523、子图形524沿着水平方向具有不同的长度,并且沿着竖直方向被移动了一定距离。
在一些实施例中,这些子图形中的两个相邻子图形在第二方向上是非对齐的,并且彼此偏移预定距离。例如,在图4的示例中,相邻的两个子图形之间在水平方向上具有偏移量J1。又如,在图5的示例中,子图形521、子图形522、子图形523、子图形524中相邻的两个子图形之间在竖直方向上具有偏移量J2。
以上描述了测试图案和图形构型的示例,可以理解的是,在一些实施例中,可以生成针对各种类型图形和各种构型图形的测试图案,以尽可能完善规则集350。
继续描述图3的示例架构300。针对每个测试图案可以执行范围确定过程310。在范围确定过程310中,可以首先获得测试图案所对应的晶圆图案的测量结果。晶圆图案是在目标光刻工艺下基于测试图案在晶圆上形成的。目标光刻工艺可以由任何合适的工艺参数来限定,例如,光源照明模式、焦深、曝光量等。本公开的实施例在此方面不受限制。
示例性的,可以利用具有测试图案的掩模在目标光刻工艺下在晶圆上成像。在成像后,可以获取晶圆图案,例如由光刻胶在晶圆上形成的图案。而后,可以利用扫描隧道电子显微镜(SEM)获取晶圆图案的图像数据(也即,SEM数据)。可以从晶圆图案的图像数据,对晶圆图案的几何参数进行测量。
在本公开的实施例中所使用的几何参数可以包括任何合适的适于评估光刻成像质量的几何参数。在一些实施例中,可以使用关键尺寸。关键尺寸可以从晶圆图案的SEM俯视图中测量得到,并且可以测量关键尺寸在不同位置处的值。备选地或附加地,在一些实施例中,可以使用其他几何参数。这样的几何参数例如可以是任何要印制在晶圆上并且与分辨率限制解决的特征。在下文的描述中,将主要以关键尺寸作为示例,但应当理解其他的几何参数是类似的。
在获得晶圆图案的测量结果之后,可以获取多个子图形在晶圆图案中的几何参数的相应测量结果。例如,如果所关注的几何参数是关键尺寸,可以从晶圆图案的图像数据,测量多个子图形的相应光刻胶线宽。可以基于所测量的相应光刻胶线宽,确定多个子图形的所测量的相应关键尺寸。例如,每个子图形的最小线宽可以作为该子图形的关键尺寸的测量值。又如,每个子图像的平均线宽可以作为该子图形的关键尺寸的测量值。示例性的,对于图4,可以获取子图形411、子图形412、子图形413、子图形414、子图形415的相应关键尺寸。
继续过程300的描述,在获取这些子图形的几何参数的测量结果之后,可以基于相应测量结果来确定预定分段参数的参数值范围,以在目标光刻工艺下进行版图图形分段。例如,在预定分段参数为分段长度的情况下,可以确定在目标光刻工艺下进行分段处理时可使用的分段长度值或分段长度范围。
在一些实施例中,如果所关注的几何参数是关键尺寸,子图形的测量结果可以包括所测量的关键尺寸。在这种实施例中,可以基于多个子图形的所测量的相应关键尺寸,从多个子图形中选择一个或多个子图形。在一些实施例中,可以从多个子图形中选择关键尺寸与目标关键尺寸最接近的子图形。备选地,在一些实施例中,可以基于目标关键尺寸和目标光刻工艺下可接受的关键尺寸变化,确定目标关键尺寸范围。可以从多个子图形中选择关键尺寸在目标关键尺寸范围内的子图形。由此,也即选择那些满足关键尺寸要求的子图形。而后,可以基于所选择的一个或多个子图形针对预定分段参数所具有的相应参数值,确定预定分段参数的参数值范围。
作为示例,参考图4,可以分别确定子图形411、子图形412、子图形413、子图形414、子图形415的关键尺寸,然后选择关键尺寸满足要求的一个或多个子图形。可以基于所选择的子图形的分段长度,确定在目标工艺下的分段长度的取值范围。例如,如果子图形412、子图形413、子图形414的关键尺寸满足要求,那么可以基于“L1+D2”、“L1+D3”、“L1+D4”确定分段长度的范围。
作为另一示例,参考图5,可以分别确定子图形521、子图形522、子图形523、子图形524的关键尺寸,也即考虑关键尺寸沿着水平方向的变化,以用于确定分段规则。例如,可以从子图形521、子图形522、子图形523、子图形524中选择关键尺寸满足要求的子图形,所选择的子图形的分段长度的取值范围可以作为这种构型下的分段长度范围。
以上描述了基于单个测试图案确定分段参数的取值范围的示例。可以理解的是,针对每个测试图案可以执行相同或类似的过程,以获得多个参数值范围。这些参数值范围可以是针对不同图形构型的、针对不同图形类型的或针对不同光刻工艺的。基于这些参数值范围,可以获得用于分段处理的规则集350。规则集350中的规则可以按照所对应的图形构型、所对应的图形类型、所对应的光刻工艺等来划分。例如,规则集350中的每个规则可以用于多个图形构型之一。
这样,在用户需要拆分版图图案以确定多个图形段时,可以根据要被分段的图形的类型、构型和/或光刻工艺,来从规则集350中选择合适的规则。
图6示出了根据本公开的一些实施例的用于拆分版图图案的方法600的流程图。方法600可以由如图2所示的电子设备210执行。应当理解的是,方法600还可以包括未示出的附加框和/或可以省略所示出的某个(或者某些)框,本公开的范围在此方面不受限制。
在框610,电子设备210生成测试图案,测试图案中的版图图形包括通过分段而形成的多个子图形,并且多个子图形针对预定分段参数具有不同的参数值。
在框620,电子设备210获取多个子图形在晶圆图案中的几何参数的相应测量结果,其中晶圆图案是在目标光刻工艺下基于测试图案在晶圆上形成的。
在框630,电子设备210基于多个子图形的几何参数的相应测量结果,确定预定分段参数的参数值范围,以用于在目标光刻工艺下进行版图图形分段。
在一些实施例中,几何参数包括关键尺寸,并且确定预定分段参数的参数值范围包括:基于多个子图形的所测量的相应关键尺寸,从多个子图形中选择一个或多个子图形;以及基于所选择的一个或多个子图形针对预定分段参数所具有的相应参数值,确定预定分段参数的参数值范围。
在一些实施例中,从多个子图形中选择一个或多个子图形包括:从多个子图形中选择关键尺寸与目标关键尺寸最接近的子图形。
在一些实施例中,从多个子图形中选择一个或多个子图形包括:基于目标关键尺寸和目标光刻工艺下可接受的关键尺寸变化,确定目标关键尺寸范围;以及从多个子图形中选择关键尺寸在目标关键尺寸范围内的子图形。
在一些实施例中,获取多个子图形在晶圆图案中的几何参数的相应测量结果包括:从晶圆图案的图像数据,测量多个子图形的相应光刻胶线宽;以及基于所测量的相应光刻胶线宽,确定多个子图形的所测量的相应关键尺寸。
在一些实施例中,生成测试图案包括:沿着第一方向按照预定分段参数的多个参数值,将初始图案中的初始图形的至少一部分划分为多个子图形,每个子图形针对预定分段参数具有多个参数值之一;以及在与第一方向垂直的第二方向上,分别移动多个子图形,以形成测试图案中的版图图形。
在一些实施例中,多个子图形中的两个相邻子图形在第二方向上是非对齐的,并且彼此偏移预定距离。
在一些实施例中,测试图案是针对多个图形构型中的第一图形构型生成的,并且方法还包括:针对多个图形构型中除第一图形构型之外的至少一个其他图形构型执行方法600,以确定至少一个其他参数值范围;以及基于参数值范围和至少一个其他参数值范围,生成用于在目标光刻工艺下进行版图图形分段的规则集,规则集中的每个规则对应于多个图形构型之一。
在一些实施例中,多个图形构型中的每个图形构型由多个维度的尺寸限定,并且多个维度的尺寸包括单个图形的尺寸和相邻图形之间的间距。
在一些实施例中,预定分段参数包括分段的长度。
图7示出了示出了其中可以实施本公开的一个或多个实施例的电子设备700的框图。应当理解,图7所示出的电子设备700仅仅是示例性的,而不应当构成对本文所描述的实施例的功能和范围的任何限制。图7所示出的电子设备700可以用于实现图2的电子设备210。
如图7所示,电子设备700是通用电子设备的形式。电子设备700的组件可以包括但不限于一个或多个处理器或处理单元710、存储器720、存储设备730、一个或多个通信单元740、一个或多个输入设备750以及一个或多个输出设备760。处理单元710可以是实际或虚拟处理器并且能够根据存储器720中存储的程序来执行各种处理。在多处理器***中,多个处理单元并行执行计算机可执行指令,以提高电子设备700的并行处理能力。
电子设备700通常包括多个计算机存储介质。这样的介质可以是电子设备700可访问的任何可以获取的介质,包括但不限于易失性和非易失性介质、可拆卸和不可拆卸介质。存储器720可以是易失性存储器(例如寄存器、高速缓存、随机访问存储器(RAM))、非易失性存储器(例如,只读存储器(ROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、闪存)或它们的某种组合。存储设备730可以是可拆卸或不可拆卸的介质,并且可以包括机器可读介质,诸如闪存驱动、磁盘或者任何其他介质,其可以能够用于存储信息和/或数据(例如用于训练的训练数据)并且可以在电子设备700内被访问。
电子设备700可以进一步包括另外的可拆卸/不可拆卸、易失性/非易失性存储介质。尽管未在图7中示出,可以提供用于从可拆卸、非易失性磁盘(例如“软盘”)进行读取或写入的磁盘驱动和用于从可拆卸、非易失性光盘进行读取或写入的光盘驱动。在这些情况中,每个驱动可以由一个或多个数据介质接口被连接至总线(未示出)。存储器720可以包括计算机程序产品725,其具有一个或多个程序模块,这些程序模块被配置为执行本公开的各种实施例的各种方法或动作。
通信单元740实现通过通信介质与其他电子设备进行通信。附加地,电子设备700的组件的功能可以以单个计算集群或多个计算机器来实现,这些计算机器能够通过通信连接进行通信。因此,电子设备700可以使用与一个或多个其他服务器、网络个人计算机(PC)或者另一个网络节点的逻辑连接来在联网环境中进行操作。
输入设备750可以是一个或多个输入设备,例如鼠标、键盘、追踪球等。输出设备760可以是一个或多个输出设备,例如显示器、扬声器、打印机等。电子设备700还可以根据需要通过通信单元740与一个或多个外部设备(未示出)进行通信,外部设备诸如存储设备、显示设备等,与一个或多个使得用户与电子设备700交互的设备进行通信,或者与使得电子设备700与一个或多个其他电子设备通信的任何设备(例如,网卡、调制解调器等)进行通信。这样的通信可以经由输入/输出(I/O)接口(未示出)来执行。
根据本公开的示例性实现方式,提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机可执行指令,其中计算机可执行指令被处理器执行以实现上文描述的方法。根据本公开的示例性实现方式,还提供了一种计算机程序产品,计算机程序产品被有形地存储在非瞬态计算机可读介质上并且包括计算机可执行指令,而计算机可执行指令被处理器执行以实现上文描述的方法。
这里参照根据本公开实现的方法、装置、设备和计算机程序产品的流程图和/或框图描述了本公开的各个方面。应当理解,流程图和/或框图的每个方框以及流程图和/或框图中各方框的组合,都可以由计算机可读程序指令实现。
这些计算机可读程序指令可以提供给通用计算机、专用计算机或其他可编程数据处理装置的处理单元,从而生产出一种机器,使得这些指令在通过计算机或其他可编程数据处理装置的处理单元执行时,产生了实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作的装置。也可以把这些计算机可读程序指令存储在计算机可读存储介质中,这些指令使得计算机、可编程数据处理装置和/或其他设备以特定方式工作,从而,存储有指令的计算机可读介质则包括一个制造品,其包括实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作的各个方面的指令。
可以把计算机可读程序指令加载到计算机、其他可编程数据处理装置、或其他设备上,使得在计算机、其他可编程数据处理装置或其他设备上执行一系列操作步骤,以产生计算机实现的过程,从而使得在计算机、其他可编程数据处理装置、或其他设备上执行的指令实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作。
附图中的流程图和框图显示了根据本公开的多个实现的***、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上,流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或指令的一部分,模块、程序段或指令的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。在有些作为替换的实现中,方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如,两个连续的方框实际上可以基本并行地执行,它们有时也可以按相反的顺序执行,这依所涉及的功能而定。也要注意的是,框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合,可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的***来实现,或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
以上已经描述了本公开的各实现,上述说明是示例性的,并非穷尽性的,并且也不限于所公开的各实现。在不偏离所说明的各实现的范围和精神的情况下,对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择,旨在最好地解释各实现的原理、实际应用或对市场中的技术的改进,或者使本技术领域的其他普通技术人员能理解本文公开的各个实现方式。

Claims (12)

1.一种用于拆分版图图案的方法,其特征在于,包括:
生成测试图案,所述测试图案中的版图图形包括通过分段而形成的多个子图形,并且所述多个子图形针对预定分段参数具有不同的参数值;
获取所述多个子图形在晶圆图案中的关键尺寸的相应测量结果,其中所述晶圆图案是在目标光刻工艺下基于所述测试图案在晶圆上形成的;以及
基于所述多个子图形的所述关键尺寸的相应测量结果,确定所述预定分段参数的参数值范围,以用于在所述目标光刻工艺下进行版图图形分段,
其中确定所述预定分段参数的参数值范围包括:
基于所述多个子图形的所测量的相应关键尺寸和目标关键尺寸,从所述多个子图形中选择一个或多个子图形;以及
基于所选择的一个或多个子图形针对所述预定分段参数所具有的相应参数值,确定所述预定分段参数的参数值范围。
2.根据权利要求1所述的用于拆分版图图案的方法,其特征在于,从所述多个子图形中选择一个或多个子图形包括:
从所述多个子图形中选择关键尺寸与所述目标关键尺寸最接近的子图形。
3. 根据权利要求1所述的用于拆分版图图案的方法,其特征在于,从所述多个子图形中选择一个或多个子图形包括:
基于所述目标关键尺寸和所述目标光刻工艺下可接受的关键尺寸变化,确定目标关键尺寸范围;以及
从所述多个子图形中选择关键尺寸在所述目标关键尺寸范围内的子图形。
4. 根据权利要求1所述的用于拆分版图图案的方法,其特征在于,获取所述多个子图形在晶圆图案中的关键尺寸的相应测量结果包括:
从所述晶圆图案的图像数据,测量所述多个子图形的相应光刻胶线宽;以及
基于所测量的相应光刻胶线宽,确定所述多个子图形的所测量的相应关键尺寸。
5. 根据权利要求1所述的用于拆分版图图案的方法,其特征在于,生成测试图案包括:
沿着第一方向按照所述预定分段参数的多个参数值,将初始图案中的初始图形的至少一部分划分为所述多个子图形,每个子图形针对所述预定分段参数具有所述多个参数值之一;以及
在与所述第一方向垂直的第二方向上,分别移动所述多个子图形,以形成所述测试图案中的所述版图图形。
6.根据权利要求5所述的用于拆分版图图案的方法,其特征在于,所述多个子图形中的两个相邻子图形在所述第二方向上是非对齐的,并且彼此偏移预定距离。
7. 根据权利要求1所述的用于拆分版图图案的方法,其特征在于,所述测试图案是针对多个图形构型中的第一图形构型生成的,并且所述方法还包括:
针对所述多个图形构型中除所述第一图形构型之外的至少一个其他图形构型执行根据权利要求1所述的方法,以确定至少一个其他参数值范围;以及
基于所述参数值范围和所述至少一个其他参数值范围,生成用于在所述目标光刻工艺下进行版图图形分段的规则集,所述规则集中的每个规则对应于所述多个图形构型之一。
8.根据权利要求7所述的用于拆分版图图案的方法,其特征在于,所述多个图形构型中的每个图形构型由多个维度的尺寸限定,并且所述多个维度的尺寸包括单个图形的尺寸和相邻图形之间的间距。
9.根据权利要求1所述的用于拆分版图图案的方法,其特征在于,所述预定分段参数包括分段的长度。
10.根据权利要求1所述的用于拆分版图图案的方法,其特征在于,所述预定分段参数包括以下之一:
子图形的长度,
子图形的内角长度,或
子图像的外角长度。
11.一种电子设备,其特征在于,包括:
至少一个处理单元;以及
至少一个存储器,所述至少一个存储器被耦合到所述至少一个处理单元并且存储用于由所述至少一个处理单元执行的指令,所述指令在由所述至少一个处理单元执行时使所述电子设备执行根据权利要求1至10中任一项所述的方法。
12.一种计算机可读存储介质,其特征在于,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序可由处理器执行以实现根据权利要求1至10中任一项所述的方法。
CN202311599166.5A 2023-11-24 2023-11-24 用于拆分版图图案的方法、设备和介质 Active CN117311080B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311599166.5A CN117311080B (zh) 2023-11-24 2023-11-24 用于拆分版图图案的方法、设备和介质

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311599166.5A CN117311080B (zh) 2023-11-24 2023-11-24 用于拆分版图图案的方法、设备和介质

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN117311080A CN117311080A (zh) 2023-12-29
CN117311080B true CN117311080B (zh) 2024-02-27

Family

ID=89286887

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311599166.5A Active CN117311080B (zh) 2023-11-24 2023-11-24 用于拆分版图图案的方法、设备和介质

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN117311080B (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070056583A (ko) * 2005-11-30 2007-06-04 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체공정에서의 마스크패턴 및 마스크패턴 형성방법
CN101661219A (zh) * 2008-08-28 2010-03-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种修正掩膜版图形的方法和装置
CN108663897A (zh) * 2017-03-29 2018-10-16 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光学邻近校正方法
CN112415864A (zh) * 2020-11-24 2021-02-26 上海华力集成电路制造有限公司 一种确定opc最小分割长度的方法
CN114326290A (zh) * 2022-01-04 2022-04-12 华虹半导体(无锡)有限公司 光学邻近修正方法
CN115933304A (zh) * 2022-12-29 2023-04-07 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 光学邻近效应修正方法、装置及电子设备、存储介质
WO2023137622A1 (zh) * 2022-01-19 2023-07-27 华为技术有限公司 用于确定晶圆图形尺寸的方法、装置、设备、介质以及程序产品
CN116594256A (zh) * 2023-04-19 2023-08-15 上海华力集成电路制造有限公司 改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070056583A (ko) * 2005-11-30 2007-06-04 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체공정에서의 마스크패턴 및 마스크패턴 형성방법
CN101661219A (zh) * 2008-08-28 2010-03-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种修正掩膜版图形的方法和装置
CN108663897A (zh) * 2017-03-29 2018-10-16 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光学邻近校正方法
CN112415864A (zh) * 2020-11-24 2021-02-26 上海华力集成电路制造有限公司 一种确定opc最小分割长度的方法
CN114326290A (zh) * 2022-01-04 2022-04-12 华虹半导体(无锡)有限公司 光学邻近修正方法
WO2023137622A1 (zh) * 2022-01-19 2023-07-27 华为技术有限公司 用于确定晶圆图形尺寸的方法、装置、设备、介质以及程序产品
CN115933304A (zh) * 2022-12-29 2023-04-07 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 光学邻近效应修正方法、装置及电子设备、存储介质
CN116594256A (zh) * 2023-04-19 2023-08-15 上海华力集成电路制造有限公司 改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN117311080A (zh) 2023-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10223494B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and mask manufacturing method
US8166424B2 (en) Method for constructing OPC model
US20070074143A1 (en) Dense OPC
JP2009294386A (ja) リソグラフィシミュレーション方法
US20080059939A1 (en) Performance in model-based opc engine utilizing efficient polygon pinning method
JP2013125906A (ja) フレアマップ計算方法、フレアマップ算出プログラムおよび半導体装置の製造方法
US7840390B2 (en) Creating method of simulation model, manufacturing method of photo mask, manufacturing method of semiconductor device, and recording medium
JP2022183203A (ja) 傾斜周期構造を有する計測ターゲット及び方法
US7793253B2 (en) Mask-patterns including intentional breaks
US10755016B2 (en) Hot spot and process window monitoring
CN115863203B (zh) 测试图形的获取方法、***、装置、计算机设备和介质
US6536032B1 (en) Method of processing exposure mask-pattern data, simulation using this method, and recording medium
US10796070B2 (en) Layout pattern similarity determination based on binary turning function signatures
KR101705445B1 (ko) 집적 회로 제조 방법
US10656530B2 (en) Application of FreeForm MRC to SRAF optimization based on ILT mask optimization
JP2008129118A (ja) マスクパターン補正プログラムおよびマスクパターン補正システム
JP5224853B2 (ja) パターン予測方法、パターン補正方法、半導体装置の製造方法、及びプログラム
US8127257B2 (en) Designing method of photo-mask and method of manufacturing semiconductor device using the photo-mask
CN115630600B (zh) 用于版图处理的方法、设备和介质
CN117311080B (zh) 用于拆分版图图案的方法、设备和介质
CN115933331B (zh) 光源优化方法、设备和介质
US8617773B2 (en) Method of correcting mask pattern, computer program product, and method of manufacturing semiconductor device
JP2008020734A (ja) 半導体装置の設計パターン作成方法、プログラム、及び半導体装置の製造方法
CN112219271B (zh) 用以识别与光学邻近校正相关的***性缺陷的混合设计布局
JP2004302110A (ja) マスクパターン検証方法、マスクパターン検証用プログラム、及びマスク製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant