CN114326290A - 光学邻近修正方法 - Google Patents
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Abstract
一种光学邻近修正方法，包括：提供初始图形，初始图形具有垂直的第一部和第二部，第一部具有相平行的第一外边和第一内边；根据曝光参量获取最佳分段长度范围；在最佳分段长度范围内根据采样步长获取若干采样长度；对第一外边和第一内边进行分段处理，获取第一边缘段、第二边缘段和若干中间段；采用若干采样长度对第一边缘段、第二边缘段和中间段的进行全排列组合赋值，获取初始图形对应的若干种初始分割图形；获取对应的第一曝光图形；获取每条线段对应的放置边缘误差；根据每种放置边缘误差，获取分割图形。通过对初始版图进行了若干种的分割方案，并通过最终的筛选得到初始版图的最佳分段搭配，克服了经过修正曝光后的图形线端缩头严重的问题。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光学邻近修正方法。
背景技术
光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。
在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像***的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。
为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近修正(OPC：Optical ProximityCorrection)。光学邻近修正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近修正模型，根据光学邻近修正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近修正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。
然而，现有技术中光学邻近修正仍存在诸多问题。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种光学邻近修正方法，能够有效提升最终的光学邻近修正的效果。
为解决上述问题，本发明的技术方案提供一种光学邻近修正方法，包括：提供初始图形，所述初始图形具有相互垂直的第一部和第二部，所述第一部具有相互平行的第一外边和第一内边，以及连接所述第一外边和所述第一内边的第一端部边，所述第二部具有相互平行的第二外边和第二内边，以及连接所述第二外边和所述第二内边的第二端部边，所述第一内边与所述第二内边垂直连接，所述第一外边与所述第二外边垂直连接，所述第一外边具有第一长度尺寸，所述第一内边具有第二长度尺寸，且所述第一长度尺寸大于所述第二长度尺寸；根据曝光参量获取最佳分段长度范围；在所述最佳分段长度范围内根据采样步长获取若干采样长度，不同的所述采样长度间的最小差值为所述采样步长；对所述第一外边和所述第一内边进行分段处理，获取若干第一边缘段、若干第二边缘段以及若干中间段，所述第一外边包括所述第一边缘段、第二边缘段、以及位于所述第一边缘段和所述第二边缘段之间的若干中间段，所述第一内边包括所述第一边缘段、第二边缘段、以及位于所述第一边缘段和所述第二边缘段之间的若干中间段，所述第一外边的所述中间段数量大于所述第一内边的所述中间段数量；采用若干所述采样长度对所述第一边缘段、第二边缘段以及中间段的长度进行全排列组合赋值，获取所述初始图形对应的若干种初始分割图形；对每种所述初始分割图形进行若干次第一光学邻近修正及曝光处理，获取对应的第一曝光图形；根据每种所述初始分割图形及对应的所述第一曝光图形，获取对应所述第一端部边的端部放置边缘误差、所述第一边缘段的第一边缘放置误差、所述第二边缘段的第二放置边缘误差、以及所述中间段的中间放置边缘误差；根据每种对应的所述端部放置边缘误差、第一边缘放置误差、第二放置边缘误差、以及若干中间放置边缘误差，从若干所述初始分割图形获取分割图形。
可选的，所述曝光参量包括：数值孔径NA、曝光波长λ、以及光源参数σ。
可选的，根据曝光参量获取最佳分段长度范围的方法包括：根据所述数值孔径NA、曝光波长λ、以及光源参数σ获取奈奎斯特值Nyquist，其中：
所述最佳分段长度范围为：[1.5Nyquist，3Nyquist]。
可选的，所述采样步长的范围为：4纳米～6纳米。
可选的，根据每种对应的所述端部放置边缘误差、第一边缘放置误差、第二放置边缘误差、以及若干中间放置边缘误差，从若干所述初始分割图形获取分割图形的方法包括：获取每种对应的所述端部放置边缘误差、第一边缘放置误差、第二放置边缘误差、以及若干中间放置边缘误差的配比值；将最小配比值所对应的初始分割图形作为所述分割图形。
可选的，获取每种对应的所述端部放置边缘误差、第一边缘放置误差、第二放置边缘误差、以及若干中间放置边缘误差的配比值的方法包括：根据均方根RMS公式，获取每种对应的所述端部放置边缘误差、第一边缘放置误差、第二放置边缘误差、以及若干中间放置边缘误差的配比值，其中：
其中，EPEi为所述端部放置边缘误差、第一边缘放置误差、第二放置边缘误差或若干中间放置边缘误差，Wi为所述端部放置边缘误差、第一边缘放置误差、第二放置边缘误差或若干中间放置边缘误差所对应的权重。
可选的，在将最小配比值所对应的初始分割图形作为分割图形之后，还包括：将所述光学邻近修正方法更新至光学邻近修正模型库中。
可选的，在将最小配比值所对应的初始分割图形作为分割图形之后，还包括：对所述分割图形进行若干次第二光学邻近修正及曝光处理，获取第二曝光图形。
可选的，所述第一外边的所述中间段的数量为2；所述第一内边的所述中间段的数量为1。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
本发明技术方案的光学邻近修正方法中，通过曝光参数获取最佳分段长度范围，并在所述最佳分段长度范围内根据采样步长获取若干采样长度，不同的所述采样长度间的最小差值为所述采样步。通过对所述第一外边和所述第一内边进行分段处理，获取若干第一边缘段、若干第二边缘段以及若干中间段，所述第一外边包括所述第一边缘段、第二边缘段、以及位于所述第一边缘段和所述第二边缘段之间的若干中间段，所述第一内边包括所述第一边缘段、第二边缘段、以及位于所述第一边缘段和所述第二边缘段之间的若干中间段；以及采用若干所述采样长度对所述第一边缘段、第二边缘段以及中间段的长度进行全排列组合赋值，获取所述初始图形对应的若干种初始分割图形；对每种所述初始分割图形进行若干次第一光学邻近修正及曝光处理，获取对应的第一曝光图形；根据每种所述初始分割图形及对应的所述第一曝光图形，获取对应所述第一端部边的端部放置边缘误差、所述第一边缘段的第一边缘放置误差、所述第二边缘段的第二放置边缘误差、以及所述中间段的中间放置边缘误差；根据每种对应的所述端部放置边缘误差、第一边缘放置误差、第二放置边缘误差、以及若干中间放置边缘误差，从若干所述初始分割图形获取分割图形。在以掩模版制作能力为前提，综合考虑曝光参数以及图形的特性，对所述初始版图进行了若干种的分割方案，并通过最终的筛选得到所述初始版图的最佳分段搭配，有效避免了图形线端处在进行光学邻近修正时向外伸长与MRC产生冲突，且有效减小图形线端处的放置边缘误差，进而克服了经过修正曝光后的图形线端缩头严重的问题。
进一步，在将最小配比值所对应的初始分割图形作为分割图形之后，还包括：将所述光学邻近修正方法更新至光学邻近修正模型库中。通过将所述光学邻近修正方法更新至光学邻近修正模型库中，以便后续进行相同类型图形处理时，能够直接采用本方案的光学邻近修正方法。
附图说明
图1和图2是一种光学邻近修正方法各步骤结构示意图；
图3是本发明实施例的光学邻近修正方法流程图；
图4至图9是本发明实施例中光学邻近修正方法各步骤结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有技术中光学邻近修正仍存在诸多问题。以下将结合附图进行具体说明。
请参考图1，提供初始图形100，所述初始图形100具有相互垂直的第一部100a和第二部100b，所述第一部100a具有相互平行的第一外边L1和第一内边L2，以及连接所述第一外边L1和所述第一内边L2的第一端部边E0，所述第二部100b具有相互平行的第二外边和第二内边，以及连接所述第二外边和所述第二内边的第二端部边(未标示)，所述第一内边L2与所述第二内边垂直连接，所述第一外边L1与所述第二外边垂直连接，所述第一外边具有第一长度尺寸，所述第一内边具有第二长度尺寸，且所述第一长度尺寸大于所述第二长度尺寸。
请参考图2，对所述初始图形100进行若干次光学邻近修正及曝光处理，获取曝光图形101。
由于现有基于模型的光学邻近修正是有软件控制的自动修正方法，通常为了避免过度修正而导致最终尺寸过小，同时过小的尺寸对掩模版的制作来说也是一种挑战，所以在基于模型的光学邻近修正中会设定最小的图形尺寸和最小的图形间距，在光学邻近修正时一旦图形到达临界尺寸，图形边将停止移动以避免违反光学邻近修正设定的最小值，这一做法在基于模型的光学邻近修正中称为掩模版尺寸限制(Mask Rule Constraint MRC)。
随着器件尺寸的减小，版图复杂程度的增加，光学邻近修正模型库在对版图全局进行修正时，对于处理具有直转角且两条相邻边长不一致的特殊图形时，全局光学邻近修正不能进行很好分段，又由于MRC的限制，图形的线端不能向外伸长以减少边缘修正误差(Edge Placement Error EPE)，从而导致EPE过大，进而使得经过修正曝光后的图形线端缩头严重(如图2中A部分所示)。
在此基础上，本发明提供一种光学邻近修正方法，在以掩模版制作能力为前提，综合考虑曝光参数以及图形的特性，对所述初始版图进行了若干种的分割方案，并通过最终的筛选得到所述初始版图的最佳分段搭配，有效避免了图形线端处在进行光学邻近修正时向外伸长与MRC产生冲突，且有效减小图形线端处的放置边缘误差，进而克服了经过修正曝光后的图形线端缩头严重的问题。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细地说明。
图3是本发明实施例的光学邻近修正方法的流程图，包括：
步骤S101，提供初始图形，所述初始图形具有相互垂直的第一部和第二部，所述第一部具有相互平行的第一外边和第一内边，以及连接所述第一外边和所述第一内边的第一端部边，所述第二部具有相互平行的第二外边和第二内边，以及连接所述第二外边和所述第二内边的第二端部边，所述第一内边与所述第二内边垂直连接，所述第一外边与所述第二外边垂直连接，所述第一外边具有第一长度尺寸，所述第一内边具有第二长度尺寸，且所述第一长度尺寸大于所述第二长度尺寸；
步骤S102，根据曝光参量获取最佳分段长度范围；
步骤S103，在所述最佳分段长度范围内根据采样步长获取若干采样长度，不同的所述采样长度间的最小差值为所述采样步长；
步骤S104，对所述第一外边和所述第一内边进行分段处理，获取若干第一边缘段、若干第二边缘段以及若干中间段，所述第一外边包括所述第一边缘段、第二边缘段、以及位于所述第一边缘段和所述第二边缘段之间的若干中间段，所述第一内边包括所述第一边缘段、第二边缘段、以及位于所述第一边缘段和所述第二边缘段之间的若干中间段，所述第一外边的所述中间段数量大于所述第一内边的所述中间段数量；
步骤S105，采用若干所述采样长度对所述第一边缘段、第二边缘段以及中间段的长度进行全排列组合赋值，获取所述初始图形对应的若干种初始分割图形；
步骤S106，对每种所述初始分割图形进行若干次第一光学邻近修正及曝光处理，获取对应的第一曝光图形；
步骤S107，根据每种所述初始分割图形及对应的所述第一曝光图形，获取对应所述第一端部边的端部放置边缘误差、所述第一边缘段的第一边缘放置误差、所述第二边缘段的第二放置边缘误差、以及所述中间段的中间放置边缘误差；
步骤S108，根据每种对应的所述端部放置边缘误差、第一边缘放置误差、第二放置边缘误差、以及若干中间放置边缘误差，从若干所述初始分割图形获取分割图形。
以下结合附图对所述光学邻近修正方法的步骤进行详细说明。
图4至图9是本发明实施例中光学邻近修正方法各步骤结构示意图。
请参考图4，提供初始图形200，所述初始图形200具有相互垂直的第一部200a和第二部200b，所述第一部200a具有相互平行的第一外边L2和第一内L1边，以及连接所述第一外边L2和所述第一内边L1的第一端部边E0，所述第二部200b具有相互平行的第二外边和第二内边，以及连接所述第二外边和所述第二内边的第二端部边(未标示)，所述第一内边L1与所述第二内边垂直连接，所述第一外边L2与所述第二外边垂直连接，所述第一外边L2具有第一长度尺寸，所述第一内边L1具有第二长度尺寸，且所述第一长度尺寸大于所述第二长度尺寸。
需要说明的是，所述第一部200a和所述第二部200b不存在明显区分，无论是水平方向上的图形还是竖直方向上的图形，均可采用后续的光学邻近修正方法进行处理，而且处理效果相同。为了便于说明，在本实施例中，所述第一部200a标示为水平方向上的图形，在其他实施例中，所述第一部还可以为竖直方向上的图形。
在提供初始图形200之后，根据曝光参量获取最佳分段长度范围。
在本实施例中，所述曝光参量指的是在对初始图形200进行了光学邻近修正之后，所进行的曝光处理时所采用的曝光参量。具体的，所述曝光参量包括：数值孔径NA、曝光波长λ、以及光源参数σ。
其中，光学***的数值孔径NA是一个无量纲的数，用以衡量该***能够收集的光的角度范围。在光学的不同领域，数值孔径NA的精确定义略有不同。在光学领域，数值孔径NA描述了透镜收光锥角的大小，而后者决定了透镜收光能力和空间分辨率；在光纤领域，数值孔径NA则描述了光进出光纤时的锥角大小。所述光源参数σ包括：光通量、照度、光强以及亮度等等。
在本实施例中，根据曝光参量获取最佳分段长度范围的方法包括：根据所述数值孔径NA、曝光波长λ、以及光源参数σ获取奈奎斯特值Nyquist，其中：
所述最佳分段长度范围为：[1.5Nyquist，3Nyquist]。
需要说明的是，上述公式中的f(*)函数根据不同类型的处理机台而决定，具体由对应的厂家提供。
在本实施例中，以一个具体实例说明，根据所述数值孔径NA、曝光波长λ、以及光源参数σ获取的奈奎斯特值Nyquist为27纳米，对应的所述最佳分段长度范围为：[40.5,80]。
在获取所述最佳分段长度范围之后，在所述最佳分段长度范围内根据采样步长获取若干采样长度，不同的所述采样长度间的最小差值为所述采样步长。
所述采样步长的范围为：4纳米～6纳米。在本实施例中，所述采样步长采用5纳米。通过5纳米的采样步长可将所述最佳分段长度范围划分为9段不同长度的采样长度，具体为：40纳米、45纳米、50纳米……70纳米、75纳米、80纳米，共9种取值。
需要说明的是，所述最佳分段长度范围为[1.5Nyquist，3Nyquist]中的1.5倍～3倍为多次实验后总结的经验值，虽然40纳米并不属于[40.5,80]的区间范围，但是由于40纳米和40.5纳米的差值较采样步长相比较小，为了获取更多的采用长度，可以采用40纳米的采样长度，而且对后续的结果影响较小。而在80纳米后继续增加1个采样步长，则为85纳米，85纳米和81纳米的差值较采样步长相比较大，因此舍弃85纳米的取值。
请参考图5，对所述第一外边L2和所述第一内边L1进行分段处理，获取若干第一边缘段SLC、若干第二边缘段SLE以及若干中间段SLR，所述第一外边L2包括所述第一边缘段SLC、第二边缘段SLE、以及位于所述第一边缘段SLC和所述第二边缘段SLE之间的若干中间段SLR，所述第一内边L1包括所述第一边缘段SLC、第二边缘段SLE、以及位于所述第一边缘段SLC和所述第二边缘段SLE之间的若干中间段SLR，所述第一外边L2的所述中间段SLR数量大于所述第一内边L1的所述中间段SLR数量。
需要说明的是，所述第一外边L2和所述第一内边L1一共分为三种形式的线段，在后续对各个线段进行赋值时，所述第一外边L2和所述第一内边L1的第一边缘段SLC的赋值保持一致，所述第一外边L2和所述第一内边L1的第二边缘段SLE的赋值保持一致、以及所述第一外边L2和所述第一内边L1的中间段SLR的赋值保持一致。
在本实施例中，所述第一外边L2的所述中间段SLR的数量为2；所述第一内边L1的所述中间段SLR的数量为1。
请继续参考图5，采用若干所述采样长度对所述第一边缘段SLC、第二边缘段SLE以及中间段SLR的长度进行全排列组合赋值，获取所述初始图形200对应的若干种初始分割图形300。
在本实施例中，由于每种形式的线段即所述第一边缘段SLC、中间段SLR和第二边缘段SLE均有9中赋值，因此，在经过全排列组合赋值之后，即可得到9*9*9种所述初始分割图形300。
需要说明的是，以第一内边L1为158纳米为例，虽然一共具有9*9*9种的分段组合，但是这些组合中刚好三种形式的线段长度相加为158纳米的并没有，若所述第一边缘段SLC的赋值为40纳米，所述第二边缘段SLE的赋值为40纳米时，此时留个所述中间段SLR的长度为78纳米，而78纳米并不属于任何一种赋值。以此，在这种情况下，就以所述中间段SLR的长度为78纳米进行处理。其余情况也参照该种处理方式进行分段操作。
请参考图6，对每种所述初始分割图300形进行若干次第一光学邻近修正及曝光处理，获取对应的第一曝光图形400。
在本实施例中，在获取若干种所述初始分割图形300之后，通过基于模型的光学邻近修正控制软件进行常规的光学邻近修正处理，即将已确定好采样长度的线段进行相应的平移，进而得到第一修正图形(未图示)，在得到所述第一修正图形之后，进行曝光处理，获取所述第一曝光图形400。
请参考图7，根据每种所述初始分割图形300及对应的所述第一曝光图形400，获取对应所述第一端部边E0的端部放置边缘误差EPE0、所述第一边缘段SLC的第一边缘放置误差EPE1、所述第二边缘段SLE的第二放置边缘误差EPE2、以及所述中间段SLR的中间放置边缘误差EPE3。
需要说明的是，根据每种所述初始分割图形及对应的所述第一曝光图形，获取对应所述第一端部边E0的端部放置边缘误差EPE0、所述第一边缘段SLC的第一边缘放置误差EPE1、所述第二边缘段SLE的第二放置边缘误差EPE2、以及所述中间段SLR的中间放置边缘误差EPE3指的是：将所述第一曝光图形400也进行分段处理，分段的数量以长度与所对应的所述初始分割图形300中的分段数量和长度进行对应，获取对应两个线段之间的间距，即可获取所述端部放置边缘误差EPE0、第一边缘放置误差EPE1、第二放置边缘误差EPE2、以及若干中间放置边缘误差EPE3。
请参考图8，根据每种对应的所述端部放置边缘误差EPE0、第一边缘放置误差EPE1、第二放置边缘误差EPE2、以及若干中间放置边缘误差EPE3，从若干所述初始分割图形400获取分割图形500。
在本实施例中，通过曝光参数获取最佳分段长度范围，并在所述最佳分段长度范围内根据采样步长获取若干采样长度，不同的所述采样长度间的最小差值为所述采样步。通过对所述第一外边L2和所述第一内边L1进行分段处理，获取若干第一边缘段SLC、若干第二边缘段SLE以及若干中间段SLR，所述第一外边L2包括所述第一边缘段SLC、第二边缘段SLE、以及位于所述第一边缘段SLC和所述第二边缘段SLE之间的若干中间段SLR，所述第一内边L1包括所述第一边缘段SLC、第二边缘段SLE、以及位于所述第一边缘段SLC和所述第二边缘段SLE之间的若干中间段SLR；以及采用若干所述采样长度对所述第一边缘段SLC、第二边缘段SLE以及中间段SLR的长度进行全排列组合赋值，获取所述初始图形200对应的若干种初始分割图形300；对每种所述初始分割图形300进行若干次第一光学邻近修正及曝光处理，获取对应的第一曝光图形400；根据每种所述初始分割图形300及对应的所述第一曝光图形400，获取对应所述第一端部边E0的端部放置边缘误差EPE0、所述第一边缘段SLC的第一边缘放置误差EPE1、所述第二边缘段SLE的第二放置边缘误差EPE2、以及所述中间段SLR的中间放置边缘误差EPE3；根据每种对应的所述端部放置边缘误差EPE0、第一边缘放置误差EPE1、第二放置边缘误差EPE2、以及若干中间放置边缘误差EPE3，从若干所述初始分割图形300获取分割图形500。在以掩模版制作能力为前提，综合考虑曝光参数以及图形的特性，对所述初始版图进行了若干种的分割方案，并通过最终的筛选得到所述初始版图200的最佳分段搭配，有效避免了图形线端处在进行光学邻近修正时向外伸长与MRC产生冲突，且有效减小图形线端处的放置边缘误差，进而克服了经过修正曝光后的图形线端缩头严重的问题。
在本实施例中，根据每种对应的所述端部放置边缘误差EPE0、第一边缘放置误差EPE1、第二放置边缘误差EPE2、以及若干中间放置边缘误差EPE3，从若干所述初始分割图形300获取分割图形500的方法包括：获取每种对应的所述端部放置边缘误差EPE0、第一边缘放置误差EPE1、第二放置边缘误差EPE2、以及若干中间放置边缘误差EPE3的配比值；将最小配比值所对应的初始分割图形300作为所述分割图形500。
在本实施例中，获取每种对应的所述端部放置边缘误差EPE0、第一边缘放置误差EPE1、第二放置边缘误差EPE2、以及若干中间放置边缘误差EPE3的配比值的方法包括：根据均方根RMS公式，获取每种对应的所述端部放置边缘误差EPE0、第一边缘放置误差EPE1、第二放置边缘误差EPE2、以及若干中间放置边缘误差EPE3的配比值，其中：
其中，EPEi为所述端部放置边缘误差EPE0、第一边缘放置误差EPE1、第二放置边缘误差EPE2或若干中间放置边缘误差EPE3，Wi为所述端部放置边缘误差EPE0、第一边缘放置误差EPE1、第二放置边缘误差EPE2或若干中间放置边缘误差EPE3所对应的权重。
需要说明的是，所述端部放置边缘误差EPE0、第一边缘放置误差EPE1、第二放置边缘误差EPE2或若干中间放置边缘误差EPE3所对应的权重Wi也是根据实际操作过程中的经验分配。
在本实施例中，在将最小配比值所对应的初始分割图形300作为分割图形500之后，还包括：将所述光学邻近修正方法更新至光学邻近修正模型库中。
在本实施例中，通过将所述光学邻近修正方法更新至光学邻近修正模型库中，以便后续进行相同类型图形处理时，能够直接采用本方案的光学邻近修正方法。
请参考图9，在将最小配比值所对应的初始分割图,300作为分割图形500之后，还包括：对所述分割图形500进行若干次第二光学邻近修正及曝光处理，获取第二曝光图形600。
在本实施例中，在确定好最优的所述初始分割图形300，并将其作为最终的所述分割图形500之后，通过基于模型的光学邻近修正控制软件进行常规的光学邻近修正处理，即将已确定好采样长度的线段进行相应的平移，进而得到第二修正图形(未图示)，在得到所述第二修正图形之后，进行曝光处理，获取所述第二曝光图形600。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (9)
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：
提供初始图形，所述初始图形具有相互垂直的第一部和第二部，所述第一部具有相互平行的第一外边和第一内边，以及连接所述第一外边和所述第一内边的第一端部边，所述第二部具有相互平行的第二外边和第二内边，以及连接所述第二外边和所述第二内边的第二端部边，所述第一内边与所述第二内边垂直连接，所述第一外边与所述第二外边垂直连接，所述第一外边具有第一长度尺寸，所述第一内边具有第二长度尺寸，且所述第一长度尺寸大于所述第二长度尺寸；
根据曝光参量获取最佳分段长度范围；
在所述最佳分段长度范围内根据采样步长获取若干采样长度，不同的所述采样长度间的最小差值为所述采样步长；
对所述第一外边和所述第一内边进行分段处理，获取若干第一边缘段、若干第二边缘段以及若干中间段，所述第一外边包括所述第一边缘段、第二边缘段、以及位于所述第一边缘段和所述第二边缘段之间的若干中间段，所述第一内边包括所述第一边缘段、第二边缘段、以及位于所述第一边缘段和所述第二边缘段之间的若干中间段，所述第一外边的所述中间段数量大于所述第一内边的所述中间段数量；
采用若干所述采样长度对所述第一边缘段、第二边缘段以及中间段的长度进行全排列组合赋值，获取所述初始图形对应的若干种初始分割图形；
对每种所述初始分割图形进行若干次第一光学邻近修正及曝光处理，获取对应的第一曝光图形；
根据每种所述初始分割图形及对应的所述第一曝光图形，获取对应所述第一端部边的端部放置边缘误差、所述第一边缘段的第一边缘放置误差、所述第二边缘段的第二放置边缘误差、以及所述中间段的中间放置边缘误差；
根据每种对应的所述端部放置边缘误差、第一边缘放置误差、第二放置边缘误差、以及若干中间放置边缘误差，从若干所述初始分割图形获取分割图形。
2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述曝光参量包括：数值孔径NA、曝光波长λ、以及光源参数σ。
3.如权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，根据曝光参量获取最佳分段长度范围的方法包括：根据所述数值孔径NA、曝光波长λ、以及光源参数σ获取奈奎斯特值Nyquist，其中：
所述最佳分段长度范围为：[1.5Nyquist，3Nyquist]。
4.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述采样步长的范围为：4纳米～6纳米。
5.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，根据每种对应的所述端部放置边缘误差、第一边缘放置误差、第二放置边缘误差、以及若干中间放置边缘误差，从若干所述初始分割图形获取分割图形的方法包括：获取每种对应的所述端部放置边缘误差、第一边缘放置误差、第二放置边缘误差、以及若干中间放置边缘误差的配比值；将最小配比值所对应的初始分割图形作为所述分割图形。
6.如权利要求5所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获取每种对应的所述端部放置边缘误差、第一边缘放置误差、第二放置边缘误差、以及若干中间放置边缘误差的配比值的方法包括：根据均方根RMS公式，获取每种对应的所述端部放置边缘误差、第一边缘放置误差、第二放置边缘误差、以及若干中间放置边缘误差的配比值，其中：
其中，EPEi为所述端部放置边缘误差、第一边缘放置误差、第二放置边缘误差或若干中间放置边缘误差，Wi为所述端部放置边缘误差、第一边缘放置误差、第二放置边缘误差或若干中间放置边缘误差所对应的权重。
7.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在将最小配比值所对应的初始分割图形作为分割图形之后，还包括：将所述光学邻近修正方法更新至光学邻近修正模型库中。
8.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在将最小配比值所对应的初始分割图形作为分割图形之后，还包括：对所述分割图形进行若干次第二光学邻近修正及曝光处理，获取第二曝光图形。
9.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一外边的所述中间段的数量为2；所述第一内边的所述中间段的数量为1。
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