CN117092398A - 用于过度电性应力事件的新的电压检测电源钳位电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种电源钳位电路。该电源钳位电路通过电源线和接地线耦接集成电路的内部电路，且包括开关、第一电阻、电容、反相器以及电压检测电路。开关耦接于电源线和接地线之间。第一电阻耦接于电源线和第一节点之间。电容耦接于第一节点和接地线之间。反相器的输入端耦接第一节点，且反相器的输出端耦接开关的控制端。电压检测电路用于检测电源在线的电压。响应于检测到电源在线的电压超过一个阈值，电压检测电路将第一节点电性连接到接地线，以使来自接地线的低电位信号从第一节点输入反相器的输入端，进而导通开关以形成放电路径。

Description

用于过度电性应力事件的新的电压检测电源钳位电路

技术领域

本发明涉及一种应用在集成电路(Integrated Circuit，IC)的电源钳位电路，特别涉及一种可针对过度电性应力(Electrical Over Stress，EOS)形成放电路径的电源钳位电路。

背景技术

IC可设有电源钳位电路来针对静电放电(Electrostatic Discharge，ESD)形成放电路径，以防止ESD浪涌的电流流入IC的内部电路而烧坏IC。然而，在IC的正常操作期间还可能发生EOS(或者称***ESD)，且相较于ESD事件持续时间通常在奈秒等级，EOS事件持续时间则通常在微秒等级。因此，现有的电源钳位电路不易针对EOS形成放电路径，以防止EOS浪涌的电流流入IC的内部电路而烧坏IC。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种可针对EOS形成放电路径的电源钳位电路，以防止EOS浪涌的电流流入IC的内部电路而烧坏IC。

为达上述目的，本发明提供一种电源钳位电路。该电源钳位电路通过电源线和接地线耦接IC的内部电路，且包括开关、第一电阻、电容、反相器以及电压检测电路。开关耦接于电源线和接地线之间。第一电阻耦接于电源线和第一节点之间。电容耦接于第一节点和接地线之间。反相器耦接于第一节点和开关的控制端之间。反相器的输入端耦接第一节点，且反相器的输出端耦接开关的控制端。电压检测电路耦接电源线、第一节点以及接地线，用于检测电源在线的电压。响应于检测到电源在线的电压超过一阈值，电压检测电路将第一节点电性连接到接地线，以使来自接地线的低电位信号从第一节点输入反相器的输入端，进而导通开关以形成放电路径。

为了更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参考以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的腐乳仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1是本发明实施例的电源钳位电路的示意图。

图2是本发明第一实施例的电压检测电路的示意图。

图3是本发明第二实施例的电压检测电路的示意图。

图4是本发明第三实施例的电压检测电路的示意图。

图5是本发明第四实施例的电压检测电路的示意图。

图6是本发明第五实施例的电压检测电路的示意图。

符号说明：

1：电源钳位电路

10：开关

14：反相器

16：电压检测电路

Mn1、Mn2、Mn3_1～Mn3_n、Mn4、Mn5：N通道金氧半场效晶体管

Mp1_1～Mp1_n、Mp2、Mp3：P通道金氧半场效晶体管

R1、R2：电阻

C：电容

PL：电源线

GL：接地线

N1、N2、N3：节点

GND：接地电压

D_1～D_n：二极管

VDD：电源电压

20：IC的内部电路

具体实施方式

以下是通过特定的具体实施例来说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所提供的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的绘制，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所提供的内容并非用以限制本发明的保护范围。

请参阅图1，图1是本发明实施例的电源钳位电路的示意图。电源钳位电路1是通过电源线PL和接地线GL耦接IC的内部电路20。接地线GL耦接接地电压GND，且电源钳位电路1包括开关10、电阻R1、电容C、反相器14以及电压检测电路16。开关10耦接于电源线PL和接地线GL之间。电阻R1耦接于电源线PL和第一节点N1之间。电容C耦接于第一节点N1和接地线GL之间。反相器14耦接于第一节点N1和开关10的控制端之间。反相器14的输入端耦接第一节点N1，且反相器14的输出端耦接开关10的控制端。电压检测电路16耦接电源线PL、第一节点N1以及接地线GL，用于检测电源线PL上的电压。响应于检测到电源线PL上的电压超过一阈值，电压检测电路16将第一节点N1电性连接到接地线GL，以使来自接地线GL的低电位信号从第一节点N1输入反相器14的输入端，进而导通开关10以形成放电路径。

具体地，开关10可为N通道金氧半场效晶体管Mn1，N通道金氧半场效晶体管Mn1的汲极耦接电源线PL，N通道金氧半场效晶体管Mn1的源极耦接接地线GL，且N通道金氧半场效晶体管Mn1的闸极作为控制端耦接反相器14的输出端，但本发明不以此为限制。在其他实施例中，开关10还可为NPN型双极性接面晶体管，NPN型双极性接面晶体管的集极耦接电源线PL，NPN型双极性接面晶体管的射极耦接接地线GL，且NPN型双极性接面晶体管的基极作为控制端耦接反相器14的输出端，但本发明也不以此为限制。本发明不限制开关10的具体实施方式，但为了方便以下说明，本发明所提供的开关10只用N通道金氧半场效晶体管Mn1为例。N通道金氧半场效晶体管Mn1是响应于闸极收到反相器14输出的高电位信号而导通，并响应于闸极收到反相器14输出的低电位信号而截止。

另外，反相器14是响应于高电位信号从第一节点N1输入其输入端而输出低电位信号，并响应于低电位信号从第一节点N1输入其输入端而输出高电位信号。电阻R1和电容C是串联在电源线PL和接地线GL之间以构成RC电路，且该RC电路还和N信道金氧半场效晶体管Mn1以并联方式连接。在其他实施例中，电阻R1还可被置换为P通道金氧半场效晶体管或N通道金氧半场效晶体管，且电容C还可被置换为二极管，但本发明也不以此为限制。需说明的是，响应于电源电压VDD被施加到电源线PL以供应给IC的内部电路20的正常操作期间，电源钳位电路1会使得来自电源线PL的高电位信号从第一节点N1输入反相器14的输入端，进而截止N通道金氧半场效晶体管Mn1。

然而，如果在电源钳位电路1尚未具有电压检测电路16的情况下，当EOS浪涌被施加到电源线PL(即发生EOS)时，该RC电路会根据电阻R1和电容C的RC时间常数来对电容C进行充电。因为EOS事件持续时间通常在微秒等级，且电阻R1和电容C的RC时间常数也通常会将电容C充电完成所需要的时间设在微秒等级，所以当EOS事件发生时，有机会导致电容C充电完成，使第一节点N1处在高电位状态而产生高电位信号输入反相器14的输入端，进而也截止N通道金氧半场效晶体管Mn1以无法形成放电路径。因此，这时候的EOS浪涌的电流会流入IC的内部电路20。

另一方面，当电源线PL上的电压爬升到N信道金氧半场效晶体管Mn1的崩溃电压时，电源钳位电路1只能够通过N通道金氧半场效晶体管Mn1的汲极到基极来形成放电路径，但在N信道金氧半场效晶体管Mn1中常有汲极到基极的导通不均匀情形，进而局限其放电能力，因此不易防止EOS浪涌的电流流入IC的内部电路20。为了解决上述问题，本发明所提供的电源钳位电路1能够通过电压检测电路16，在发生EOS时将第一节点N1电性连接到接地线GL，以使来自接地线GL的低电位信号从第一节点N1输入反相器14的输入端，进而导通N通道金氧半场效晶体管Mn1以形成放电路径。因此，这时候的EOS浪涌的电流可通过N通道金氧半场效晶体管Mn1来流到接地线GL。

应当理解的是，电压检测电路16是响应于检测到电源线PL上的电压超过阈值而判断发生EOS。因此，该阈值是根据IC针对EOS规范的可承受电压所决定。接着，以下是通过图2到图6来说明电压检测电路16的各种具体实施方式。请参阅图2，图2是本发明第一实施例的电压检测电路的示意图。在第一实施例中，电压检测电路16可包括多个二极管D_1～D_n、电阻R2以及N通道金氧半场效晶体管Mn2。该多个二极管D_1～D_n是串联在电源线PL和第二节点N2之间，且n为大于1的整数。

具体地，该多个二极管D_1～D_n中的第一个二极管D_1的阳极耦接电源线PL，该多个二极管D_1～D_n中的第n个二极管D_n的阴极耦接第二节点N2，且该多个二极管D_1～D_n中的第i个二极管D_i的阴极耦接第i+1个二极管D_i+1的阳极。i为1到n-1的整数。另外，电阻R2耦接于第二节点N2和接地线GL之间。N通道金氧半场效晶体管Mn2的汲极耦接第一节点N1，N通道金氧半场效晶体管Mn2的闸极耦接第二节点N2，且N通道金氧半场效晶体管Mn2的源极耦接接地线GL。

由此可见，该多个二极管D1～Dn被用来作为耦接于电源线PL和第二节点N2之间的开关，且该多个二极管D1～Dn的数量(即n)是根据每一个二极管的阈值电压以及供应给IC的电源电压VDD所决定。例如，假设每一个二极管的阈值电压为0.8伏特的话，这代表只有在电源线PL上的电压超过(n*0.8)伏特时，该多个二极管D_1～D_n才能够全部导通，即这时候电流能够通过该多个二极管D_1～D_n流到第二节点N2。因此，如果供应给IC的电源电压VDD为1.8伏特，本实施例可决定该多个二极管D_1～D_n的数量为3，或者如果供应给IC的电源电压VDD为3.3伏特，本实施例可决定该多个二极管D_1～D_n的数量为5。也就是说，在正常操作期间，因为供应给IC的电源电压VDD小于(n*0.8)伏特，所以电流不会通过该多个二极管D_1～D_n流到第二节点N2，使得N通道金氧半场效晶体管Mn2被截止，进而电压检测电路16不会造成额外的漏电与误动作。

相对地，当电源线PL上的电压超过(n*0.8)伏特时，电流会通过该多个二极管D_1～D_n流到第二节点N2，使得N通道金氧半场效晶体管Mn2被导通，进而电压检测电路16将第一节点N1电性连接到接地线GL。也因此，来自接地线GL的低电位信号从第一节点N1输入反相器14的输入端，进而导通N通道金氧半场效晶体管Mn1以形成放电路径。由于二极管D_1～D_n、电阻R2以及N通道金氧半场效晶体管Mn1、Mn2的运作原理已为本领域技术人员所习知，因此有关第一实施例的电压检测电路16的细节就不再多加赘述。

请参阅图3，图3是本发明第二实施例的电压检测电路的示意图。第二实施例的电压检测电路16类似于第一实施例的电压检测电路16，所以两实施例的相同处不再多加赘述。需说明的是，不同于第一实施例使用多个二极管D_1～D_n作为耦接于电源线PL和第二节点N2之间的开关，第二实施例使用多个P通道金氧半场效晶体管Mp1_1～Mp1_n作为耦接于电源线PL和第二节点N2之间的开关。换句话说，第二实施例的电压检测电路16包括多个P通道金氧半场效晶体管Mp1_1～Mp1_n、电阻R2以及N通道金氧半场效晶体管Mn2。该多个P通道金氧半场效晶体管Mp1_1～Mp1_n是串联在电源线PL和第二节点N2之间。

具体地，该多个P通道金氧半场效晶体管Mp1_1～Mp1_n中的第一个P通道金氧半场效晶体管Mp1_1的源极耦接电源线PL，且该多个P通道金氧半场效晶体管Mp1_1～Mp1_n中的第n个P通道金氧半场效晶体管Mp1_n的汲极耦接第二节点N2。另外，该多个P通道金氧半场效晶体管Mp1_1～Mp1_n中的每一个P通道金氧半场效晶体管的闸极和汲极耦接在一起，且该多个P通道金氧半场效晶体管Mp1_1～Mp1_n中的第i个P通道金氧半场效晶体管Mp1_i的汲极耦接该多个P通道金氧半场效晶体管Mp1_1～Mp1_n中的第i+1个P通道金氧半场效晶体管Mp1_i+1的源极。因此，当电源线PL上的电压超过阈值时，该多个P通道金氧半场效晶体管Mp1_1～Mp1_n可被导通，使得电流通过该多个P通道金氧半场效晶体管Mp1_1～Mp1_n流到第二节点N2，进而也导通N通道金氧半场效晶体管Mn2。

请参阅图4，图4是本发明第三实施例的电压检测电路的示意图。第三实施例的电压检测电路16也类似于第二实施例的电压检测电路16，所以两实施例的相同处不再多加赘述。需说明的是，不同于第二实施例使用多个P通道金氧半场效晶体管Mp1_1～Mp1_n作为耦接于电源线PL和第二节点N2之间的开关，第三实施例使用多个N通道金氧半场效晶体管Mn3_1～Mn3_n作为耦接于电源线PL和第二节点N2之间的开关。换句话说，第三实施例的电压检测电路16包括多个N通道金氧半场效晶体管Mn3_1～Mn3_n、电阻R2以及N通道金氧半场效晶体管Mn2。该些n个N通道金氧半场效晶体管Mn3_1～Mn3_n是串联在电源线PL和第二节点N2之间。

具体地，该多个N通道金氧半场效晶体管Mn3_1～Mn3_n中的第一个N通道金氧半场效晶体管Mn3_1的汲极耦接电源线PL，且该多个N通道金氧半场效晶体管Mn3_1～Mn3_n中的第n个N通道金氧半场效晶体管Mn3_n的源极耦接第二节点N2。另外，该多个N通道金氧半场效晶体管Mn3_1～Mn3_n中的每一个N通道金氧半场效晶体管的闸极和汲极耦接在一起，且该多个N通道金氧半场效晶体管Mn3_1～Mn3_n中的第i个N通道金氧半场效晶体管Mn3_i的源极耦接该多个N通道金氧半场效晶体管Mn3_1～Mn3_n中的第i+1个N通道金氧半场效晶体管Mn3_i+1的汲极。因此，当电源线PL上的电压超过阈值时，该多个N通道金氧半场效晶体管Mn3_1～Mn3_n可被导通，使得电流通过该多个N通道金氧半场效晶体管Mn3_1～Mn3_n流到第二节点N2，进而也导通N通道金氧半场效晶体管Mn2。

请参阅图5，图5是本发明第四实施例的电压检测电路的示意图。不同于第一实施例，第四实施例使用P通道金氧半场效晶体管Mp2来取代电阻R2，耦接于第二节点N2和接地线GL之间。换句话说，第四实施例的电压检测电路16包括多个二极管D_1～D_n、P通道金氧半场效晶体管Mp2以及N通道金氧半场效晶体管Mn2。具体地，P通道金氧半场效晶体管Mp2的源极耦接第二节点N2，P通道金氧半场效晶体管Mp2的汲极耦接接地线GL，且P通道金氧半场效晶体管Mp2的闸极和汲极耦接在一起。由于P通道金氧半场效晶体管Mp2取代电阻R2的运作原理已为本领域技术人员所习知，因此有关第四实施例的细节就不再多加赘述。

类似地，请参阅图6，图6是本发明第五实施例的电压检测电路的示意图。不同于第四实施例，第五实施例使用N通道金氧半场效晶体管Mn4来取代电阻R2，耦接于第二节点N2和接地线GL之间。换句话说，第五实施例的电压检测电路16包括多个二极管D_1～D_n以及N通道金氧半场效晶体管Mn2、Mn4。具体地，N通道金氧半场效晶体管Mn4的汲极耦接第二节点N2，N通道金氧半场效晶体管Mn4的源极耦接接地线GL，且N通道金氧半场效晶体管Mn4的闸极耦接电源线PL。由于N通道金氧半场效晶体管Mn4取代电阻R2的运作原理也已为本领域技术人员所习知，因此有关第五实施例的细节就不再多加赘述。

另一方面，反相器14可以为静态互补式金氧半导体(CMOS)反相器，但本发明也不以此为限制。静态CMOS反相器包括P通道金氧半场效晶体管Mp3以及N通道金氧半场效晶体管Mn5。P通道金氧半场效晶体管Mp3的源极耦接电源线PL，P通道金氧半场效晶体管Mp3的闸极耦接第一节点N1，且P通道金氧半场效晶体管Mp3的汲极通过第三节点N3耦接N通道金氧半场效晶体管Mn1的闸极。另外，N通道金氧半场效晶体管Mn5的源极耦接接地线GL，N通道金氧半场效晶体管Mn5的闸极耦接P通道金氧半场效晶体管Mp3的闸极，且N通道金氧半场效晶体管Mn5的汲极耦接第三节点N3。由于静态CMOS反相器的运作原理已为本领域技术人员所习知，因此其细节就不再多加赘述。

另外，除了N通道金氧半场效晶体管或NPN型双极性接面晶体管，开关10还可为P通道金氧半场效晶体管或PNP型双极性接面晶体管。在这种情况下，由于开关10是响应于控制端收到低电位信号而导通，因此本发明所提供的电源钳位电路1可再包括奇数个反相器，耦接于反相器14的输入端和开关10的控制端之间，使得作为开关10的P通道金氧半场效晶体管或PNP型双极性接面晶体管也能够同样在发生EOS时被导通以形成放电路径。该奇数个反相器可和反相器14为相同实施方式，但本发明不以此为限制。

综上所述，本发明的其中有益效果在于，本发明所提供的电源钳位电路能够通过电压检测电路，在发生EOS时将第一节点电性连接到接地线，以使来自接地线的低电位信号从第一节点输入反相器的输入端，进而导通N通道金氧半场效晶体管以形成放电路径。

虽然上文已公开了本发明优选且可行的实施例，然而这些实施例并非用来限定本发明，本技术领域普通技术人员可依据本发明的明示或隐含的内容对本发明的技术特征施以变化，凡此种种变化均属于本发明所寻求的专利保护范为内，换言之，本发明的专利保护范围须视本申请的权利要求书所界定者的为准。

Claims (10)

1.一种电源钳位电路，其特征在于，所述电源钳位电路通过电源线和接地线耦接集成电路的内部电路，且包括：

开关，耦接于所述电源线和所述接地线之间；

第一电阻，耦接于所述电源线和第一节点之间；

电容，耦接于所述第一节点和所述接地线之间；

反相器，耦接于所述第一节点和所述开关的控制端之间，其中所述反相器的输入端耦接所述第一节点，且所述反相器的输出端耦接所述开关的所述控制端；以及

电压检测电路，耦接所述电源线、所述第一节点以及所述接地线，用于检测所述电源在线的电压，其中，响应于检测到所述电源在线的所述电压超过一个阈值，所述电压检测电路将所述第一节点电性连接到所述接地线，以使来自所述接地线的低电位信号从所述第一节点输入所述反相器的所述输入端，进而导通所述开关以形成放电路径。

2.如权利要求1所述的电源钳位电路，其特征在于，所述开关为第一N通道金氧半场效晶体管，所述第一N通道金氧半场效晶体管的汲极耦接所述电源线，所述第一N通道金氧半场效晶体管的源极耦接所述接地线，且所述第一N通道金氧半场效晶体管的闸极作为所述控制端耦接所述反相器的所述输出端。

3.如权利要求2所述的电源钳位电路，其特征在于，所述阈值是根据所述集成电路针对过度电性应力规范的可承受电压所决定。

4.如权利要求3所述的电源钳位电路，其特征在于，所述电压检测电路包括：

第二N通道金氧半场效晶体管，其中所述第二N通道金氧半场效晶体管的汲极耦接所述第一节点，所述第二N通道金氧半场效晶体管的闸极耦接第二节点，且所述第二N通道金氧半场效晶体管的源极耦接所述接地线。

5.如权利要求4所述的电源钳位电路，其特征在于，所述电压检测电路还包括：

第二电阻，耦接于所述第二节点和所述接地线之间；以及

多个二极管，串联在所述电源线和所述第二节点之间。

6.如权利要求5所述的电源钳位电路，其特征在于，所述多个二极管的数量是根据所述多个二极管中的每一个二极管的阈值电压以及供应给所述集成电路的电源电压所决定，所述反相器为静态互补式金属氧化物半导体反相器，且所述反相器包括：

第一P通道金氧半场效晶体管，其中所述第一P通道金氧半场效晶体管的源极耦接所述电源线，所述第一P通道金氧半场效晶体管的闸极耦接所述第一节点，且所述第一P通道金氧半场效晶体管的汲极通过第三节点耦接所述第一N通道金氧半场效晶体管的所述闸极；以及

第三N通道金氧半场效晶体管，其中所述第三N通道金氧半场效晶体管的源极耦接所述接地线，所述第三N通道金氧半场效晶体管的闸极耦接所述第一P通道金氧半场效晶体管的所述闸极，且所述第三N通道金氧半场效晶体管的汲极耦接所述第三节点。

7.如权利要求4所述的电源钳位电路，其特征在于，所述电压检测电路还包括：

第二电阻，耦接于所述第二节点和所述接地线之间；以及

多个第一P通道金氧半场效晶体管，串联在所述电源线和所述第二节点之间；

其中所述反相器为静态互补式金属氧化物半导体反相器，且包括：

第二P通道金氧半场效晶体管，其中所述第二P通道金氧半场效晶体管的源极耦接所述电源线，所述第二P通道金氧半场效晶体管的闸极耦接所述第一节点，且所述第二P通道金氧半场效晶体管的汲极通过第三节点耦接所述第一N通道金氧半场效晶体管的所述闸极；以及

第三N通道金氧半场效晶体管，其中所述第三N通道金氧半场效晶体管的源极耦接所述接地线，所述第三N通道金氧半场效晶体管的闸极耦接所述第二P通道金氧半场效晶体管的所述闸极，且所述第三N通道金氧半场效晶体管的汲极耦接所述第三节点。

8.如权利要求4所述的电源钳位电路，其特征在于，所述电压检测电路还包括：

第二电阻，耦接于所述第二节点和所述接地线之间；以及

多个第三N通道金氧半场效晶体管，串联在所述电源线和所述第二节点之间；

其中所述反相器为静态互补式金属氧化物半导体反相器，且包括：

第一P通道金氧半场效晶体管，其中所述第一P通道金氧半场效晶体管的源极耦接所述电源线，所述第一P通道金氧半场效晶体管的闸极耦接所述第一节点，且所述第一P通道金氧半场效晶体管的汲极通过第三节点耦接所述第一N通道金氧半场效晶体管的所述闸极；以及

第四N通道金氧半场效晶体管，其中所述第四N通道金氧半场效晶体管的源极耦接所述接地线，所述第四N通道金氧半场效晶体管的闸极耦接所述第一P通道金氧半场效晶体管的所述闸极，且所述第四N通道金氧半场效晶体管的汲极耦接所述第三节点。

9.如权利要求4所述的电源钳位电路，其特征在于，所述电压检测电路还包括：

第一P通道金氧半场效晶体管，其中所述第一P通道金氧半场效晶体管的源极耦接所述第二节点，所述第一P通道金氧半场效晶体管的汲极耦接所述接地线，且所述第一P通道金氧半场效晶体管的闸极和所述汲极耦接在一起；以及

多个二极管，串联在所述电源线和所述第二节点之间；

其中所述反相器为静态互补式金属氧化物半导体反相器，且包括：

第二P通道金氧半场效晶体管，其中所述第二P通道金氧半场效晶体管的源极耦接所述电源线，所述第二P通道金氧半场效晶体管的闸极耦接所述第一节点，且所述第二P通道金氧半场效晶体管的汲极通过第三节点耦接所述第一N通道金氧半场效晶体管的所述闸极；以及

第三N通道金氧半场效晶体管，其中所述第三N通道金氧半场效晶体管的源极耦接所述接地线，所述第三N通道金氧半场效晶体管的闸极耦接所述第二P通道金氧半场效晶体管的所述闸极，且所述第三N通道金氧半场效晶体管的汲极耦接所述第三节点。

10.如权利要求4所述的电源钳位电路，其特征在于，所述电压检测电路还包括：

第三N通道金氧半场效晶体管，其中所述第三N通道金氧半场效晶体管的汲极耦接所述第二节点，所述第三N通道金氧半场效晶体管的源极耦接所述接地线，且所述第三N通道金氧半场效晶体管的闸极耦接所述电源线；以及

多个二极管，串联在所述电源线和所述第二节点之间；

其中所述反相器为静态互补式金属氧化物半导体反相器，且包括：

第一P通道金氧半场效晶体管，其中所述第一P通道金氧半场效晶体管的源极耦接所述电源线，所述第一P通道金氧半场效晶体管的闸极耦接所述第一节点，且所述第一P通道金氧半场效晶体管的汲极通过第三节点耦接所述第一N通道金氧半场效晶体管的所述闸极；以及

第四N通道金氧半场效晶体管，其中所述第四N通道金氧半场效晶体管的源极耦接所述接地线，所述第四N通道金氧半场效晶体管的闸极耦接所述第一P通道金氧半场效晶体管的所述闸极，且所述第四N通道金氧半场效晶体管的汲极耦接所述第三节点。