JP6623139B2 - Esd保護回路 - Google Patents
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Description
図1及び図2を用いて、本発明の実施形態1を説明する。図1は、半導体集積回路における本発明の第1の実施形態にかかるESD保護回路の構成を示す図である。図2は、RCトリガー回路の構成例の一例である。
次に本実施形態2に係るESD保護回路200を図8を用いて説明する。本実施形態に係るESD保護回路200は、以下の点で、実施形態1に係るESD保護回路100と相異する。
次に、実施形態3に係るESD保護回路300を図10を用いて説明する。図10は、実施形態3のESD保護回路300の構成を示す。実施形態3に係るESD保護回路300は、実施形態1に係るESD保護回路100と同様にシャントnMOSトランジスタMn、ダイオードD、コンデンサC2、抵抗体R2、及びRCトリガー回路RCT1を備える。本実施形態に係るESD保護回路300は、第2インバータ回路INV2が2段直列にシャントnMOSトランジスタMnのバックゲートと、コンデンサC2と抵抗体R2との接続点n2と、の間に接続される点で、実施形態に係るESD保護回路100と相異する。
100、200、300、2000 ESD保護回路、101 内部回路、
C1、C2 コンデンサ
D ダイオード、
LVDD 第1電源配線、
LVSS 第2電源配線、
Mn シャントnMOSトランジスタ、
MP シャントpMOSトランジスタ、
n1、n2 接続点、
R1、R2 抵抗体、
RCT1、RCT2 トリガー回路、
SC1、SC2 トリガー信号、
TVDD 第1電源端子、
TVSS 第2電源端子、
VBバックゲート電位、
VBS バックゲート・ソース電圧
VD ドレイン電位、
VDD 第1電源電位、
VG ゲート電位、
VGS ゲート・ソース間電圧、
VS ソース電位、
VSS 第2電源電位、
Claims (7)
- 第1電源から第1電位を半導体集積回路の内部回路の一端に供給する第1電源配線と、第2電源から前記第1電位より低い第2電位を前記内部回路の他端に供給する第2電源配線との間に接続されたESD保護回路であって、
前記第1電源配線と前記第2電源配線との間に接続され、前記第1電源配線側にアノードが接続され前記第2電源配線側にカソードが接続されたダイオードと、
ソース及びドレインが前記第1電源配線と前記第2電源配線との間で前記ダイオードと直列に接続されたMOSトランジスタと、
前記第1電源配線に入ったサージに同期して前記MOSトランジスタを導通状態にするトリガー信号を前記MOSトランジスタのゲートに出力するトリガー回路と、
前記第1電源配線と前記第2電源配線との間に接続されたコンデンサと、
前記第1電源配線と前記第2電源配線との間に接続され、接続点で前記コンデンサと直列接続する抵抗体と、を備え、
前記MOSトランジスタの前記ソースと前記ドレインが形成されるウェル領域は前記接続点と接続され、
前記サージに同期して、前記ウェル領域と前記ソースとのpn接合に順方向電圧が印加されるように前記接続点の電位が変化する、ESD保護回路。 - 前記トリガー回路は、
一端が前記第1電源配線に接続された第1抵抗体と、
一端が前記第1抵抗体の他端に接続され他端が前記第2電源配線に接続された第1コンデンサと、
前記第1抵抗体の前記他端に入力端子が接続され、出力端子が前記ゲートに接続された第1インバータ回路と、を有し、
前記MOSトランジスタはnチャネルMOSトランジスタであり、
前記ソースは前記ダイオードの前記アノードに接続され、
前記コンデンサの一端は前記第1電源配線に接続され、
前記コンデンサの他端は前記接続点に接続され、
前記抵抗体の一端は前記接続点に接続され
前記抵抗体の他端は前記第2電源配線に接続された、請求項1記載のESD保護回路。 - 前記トリガー回路は、
一端が前記第1電源配線に接続された第1コンデンサと、
一端が前記第1コンデンサの他端に接続され他端が前記第2電源配線に接続された第1抵抗体と、
前記第1コンデンサの前記他端に入力端子が接続され、出力端子が前記ゲートに接続された第1インバータ回路と、を有し、
前記MOSトランジスタはpチャネルMOSトランジスタであり、
前記ソースは前記ダイオードの前記カソードに接続され、
前記抵抗体の一端は前記第1電源配線に接続され、
前記抵抗体の他端は前記接続点に接続され、
前記コンデンサの一端は前記接続点に接続され
前記コンデンサの他端は前記第2電源配線に接続された、請求項1記載のESD保護回路。 - 前記ダイオードは、pn接合ダイオードである請求項1から3のいずれか1つに記載の
ESD保護回路。 - 前記ダイオードは、MOSトランジスタの寄生ダイオードである請求項1から3のいずれか1つに記載のESD保護回路。
- 前記ダイオードは、ダイオード接続されたバイポーラトランジスタである請求項1から3のいずれか1つに記載のESD保護回路。
- 前記ウェル領域と前記接続点の間に、さらに偶数個の第2のインバータ回路が接続されている請求項1から6のいずれか1つに記載のESD保護回路。
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