CN115411072A - 显示设备 - Google Patents

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region
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李元世
郭源奎
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

一种显示设备包括：基底，包括第一区域和第二区域；以及显示元件层，包括第一显示元件和第二显示元件。所述第一显示元件包括具有第一厚度的第一电极并且位于所述第一区域中，并且所述第二显示元件包括具有第二厚度的第二电极并且位于所述第二区域中，所述第二厚度小于所述第一厚度。所述第二显示元件被提供为多个第二显示元件，并且所述多个第二显示元件中的一个和所述多个第二显示元件中的另一个电连接到彼此。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年5月28日提交的第10-2021-0069539号韩国专利申请的优先权和从其获得的全部权益，上述韩国专利申请的内容通过引用以其全部包含于此。
技术领域
一个或多个实施例涉及一种显示设备。
背景技术
近来，显示设备已被用于各种目的。此外，由于显示设备的厚度和重量已经减小，因此显示设备的应用范围已经增加。
由于显示设备中的显示图像的区域已经增加，因此已经添加了与显示设备相关联或有关系的各种功能。为了添加各种功能，正在进行对具有用于在执行各种功能的同时显示图像的区域的显示设备的研究。
发明内容
用于显示图像和执行各种功能的区域需要保持高的光或声音的透射率(透过率)以便执行这些功能。然而，当在用于显示图像和执行各种功能的区域中保持高透射率时，分辨率可能降低。
一个或多个实施例包括一种能够在保持高分辨率的同时保持高透射率的显示设备。
附加的方面将在以下描述中部分地阐述，并且部分地将根据该描述而明显，或者可以通过对所呈现的实施例的实践而获知。
根据一个或多个实施例，一种显示设备包括：基底，包括第一区域和第二区域；以及显示元件层，包括第一显示元件和第二显示元件，其中，所述第一显示元件包括具有第一厚度的第一电极并且位于所述第一区域中，并且所述第二显示元件包括具有第二厚度的第二电极并且位于所述第二区域中，所述第二厚度小于所述第一厚度。所述第二显示元件被提供为多个第二显示元件，并且所述多个第二显示元件中的一个和所述多个第二显示元件中的另一个电连接到彼此。
所述第一电极可以包括包含铟(In)、锡(Sn)和氧(O)中的至少一者的第一层以及包含银(Ag)的第二层，并且所述第二电极可以包括铟(In)、锡(Sn)和氧(O)中的至少一者。
所述显示元件层还可以包括像素限定膜，所述像素限定膜覆盖所述第一电极的边缘，并且限定在平面图中与所述第一电极重叠的第一电极开口部分和与所述第二区域重叠的第二区域开口部分。
所述像素限定膜可以包括光阻挡材料。
所述第一显示元件还可以包括在所述平面图中与所述第一电极开口部分重叠的第一发射层，并且所述第二显示元件还可以包括位于所述第二电极上且覆盖所述第二电极的侧表面的第二发射层。
所述显示设备还可以包括位于所述基底与所述显示元件层之间的布线，其中，所述布线可以被配置为将所述多个第二显示元件中的所述一个电连接到所述多个第二显示元件中的所述另一个。
所述基底还可以包括与所述第二区域相邻的第三区域，其中，所述显示设备还包括：第一像素电路，电连接到所述第一显示元件且位于所述第一区域中；第二像素电路，电连接到所述第二显示元件且位于所述第三区域中；以及连接布线，从所述第三区域延伸到所述第二区域，并且所述连接布线将所述第二显示元件电连接到所述第二像素电路。
所述显示设备还可以包括位于所述基底与所述显示元件层之间的有机绝缘层，其中，所述连接布线包括位于所述基底与所述有机绝缘层之间的第一连接布线和位于所述有机绝缘层与所述显示元件层之间的第二连接布线中的至少一者。
所述显示元件层还可以包括第三显示元件，所述第三显示元件位于所述第三区域中并且包括具有第三厚度的第三电极，其中，所述第三显示元件可以被提供为多个第三显示元件，并且所述多个第三显示元件中的一个的所述第三电极和所述多个第三显示元件中的另一个的所述第三电极可以彼此一体地被提供。
所述显示设备还可以包括在平面图中与所述第二区域重叠的组件。
根据一个或多个实施例，一种显示设备包括：基底，包括第一区域和第二区域；以及显示元件层，包括第一显示元件、第二显示元件和像素限定膜，其中，所述第一显示元件包括第一电极并且位于所述第一区域中，所述第二显示元件包括第二电极并且位于所述第二区域中，并且所述像素限定膜覆盖所述第一电极的边缘，并且限定在平面图中与所述第一电极重叠的第一电极开口部分和与所述第二区域重叠的第二区域开口部分。
所述第一电极可以具有第一厚度，并且所述第二电极可以具有第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度。
所述第一电极可以包括包含铟(In)、锡(Sn)和氧(O)中的至少一者的第一层和包含银(Ag)的第二层，并且所述第二电极可以包括铟(In)、锡(Sn)和氧(O)中的至少一者。
所述像素限定膜可以包括光阻挡材料。
所述第一显示元件还可以包括在所述平面图中与所述第一电极开口部分重叠的第一发射层，并且所述第二显示元件还可以包括位于所述第二电极上且覆盖所述第二电极的侧表面的第二发射层。
所述显示设备还可以包括位于所述基底与所述显示元件层之间的布线，其中，所述第二显示元件可以被提供为多个第二显示元件，并且所述布线可以被配置为将所述多个第二显示元件中的一个电连接到所述多个第二显示元件中的另一个。
所述基底还可以包括与所述第二区域相邻的第三区域，其中，所述显示设备还可以包括：第一像素电路，电连接到所述第一显示元件且位于所述第一区域中；第二像素电路，电连接到所述第二显示元件且位于所述第三区域中；以及连接布线，从所述第三区域延伸到所述第二区域，并且所述连接布线将所述第二显示元件电连接到所述第二像素电路。
所述显示设备还可以包括位于所述基底与所述显示元件层之间的有机绝缘层，其中，所述连接布线可以包括位于所述基底与所述有机绝缘层之间的第一连接布线和位于所述有机绝缘层与所述显示元件层之间的第二连接布线中的至少一者。
所述显示元件层还可以包括第三显示元件，所述第三显示元件位于所述第三区域中并且包括具有第三厚度的第三电极，其中，所述第三显示元件可以被提供为多个第三显示元件，并且所述多个第三显示元件中的一个的所述第三电极和所述多个第三显示元件中的另一个的所述第三电极彼此一体地被提供。
所述显示设备还可以包括在所述平面图中与所述第二区域重叠的组件。
附图说明
根据以下结合附图进行的描述，特定实施例的以上和其它方面、特征和优点将更加明显，在附图中：
图1是示出根据实施例的显示设备的透视图；
图2A和图2B是根据多种实施例的沿着图1的显示设备的线A-A'截取的截面图；
图3是示出根据实施例的电连接到显示元件的像素电路的等效电路图；
图4是示出根据实施例的显示面板的平面图；
图5是沿着图4的显示面板的线B-B'截取的截面图；
图6A和图6B是根据多种实施例的沿着图4的显示面板的线C-C'截取的截面图；
图7是示出图4的显示面板的部分D的放大图；
图8是沿着图7的显示面板的线E-E'和F-F'截取的截面图；
图9是沿着图7的显示面板的线G-G'截取的截面图；
图10是示出根据实施例的显示面板的第三区域的一部分的平面图；
图11是沿着图10的显示面板的线H-H'截取的截面图；并且
图12A至图12I是示出根据实施例的制造显示设备的方法的截面图。
具体实施方式
现在将详细参考实施例，在附图中示出了实施例的示例，在附图中，同样的附图标记始终指代同样的元件。在这点上，本实施例可以具有不同的形式并且不应被解释为局限于本文中所阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图来描述实施例以说明本描述的方面。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任意组合和所有组合。贯穿本公开，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或其变形。
由于本公开允许各种改变和许多实施例，因此特定实施例将在附图中示出并在详细描述中进行描述。将参考下面参考附图详细描述的实施例来阐明本公开的效果和特征以及实现它们的方法。然而，本公开不限于以下实施例并且可以以各种形式实现。
现在将详细参考实施例，在附图中示出了实施例的示例，并且在附图中，相同的元件由相同的附图标记指代，并且因此其重复描述将被省略。
尽管可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。
如本文中所使用的，单数形式“一个”、“一种”和“所述(该)”也旨在包括复数形式，除非上下文另外明确指出。
还将理解的是，本文中所使用的术语“包括”或“包含”说明存在所陈述的特征或组件，但是不排除存在或添加一个或多个其它特征或组件。
还将理解的是，当层、区或组件被称为“在”另一层、区或组件“上”时，所述层、区或组件可以直接在所述另一层、区或组件上，或者可以间接在所述另一层、区或组件上，且居间层、居间区或居间组件在所述层、区或组件与所述另一层、区或组件之间。
为了便于说明，附图中的组件的尺寸可能被夸大或缩小。例如，由于为了便于说明而任意地示出了附图中的元件的尺寸和厚度，因此本公开不限于此。
当可以不同地实现特定实施例时，具体的工艺顺序可以与所描述的顺序不同。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者可以以与所描述的顺序相反的顺序来执行。
将理解的是，当层、区或组件被称为被“连接”时，所述层、区或组件可以被直接连接，或者可以被间接连接，且居间层、居间区或居间组件在其之间。例如，当层、区或组件被称为被“电连接”时，所述层、区或组件可以被直接电连接，或者可以被间接电连接，且居间层、居间区或居间组件在其之间。
图1是示出根据实施例的显示设备1的透视图。
参考图1，显示设备1可以显示图像。显示设备1可以包括像素PX。多个像素PX中的每一个可以被限定为显示元件发射光的区域。在实施例中，每个像素PX可以包括多个子像素。在实施例中，多个子像素可以包括第一子像素、第二子像素和第三子像素。第一子像素、第二子像素和第三子像素可以发射不同波段的光。
多个像素PX可以被提供在显示设备1中。多个像素PX可以各自发射光并且可以显示图像。在实施例中，像素PX可以包括第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。
显示设备1可以包括第一区域AR1、第二区域AR2、第三区域AR3和第四区域AR4。像素PX可以位于第一区域AR1、第二区域AR2和第三区域AR3中。第一区域AR1、第二区域AR2和第三区域AR3可以是显示区域。像素PX可以不位于第四区域AR4中，并且第四区域AR4可以是非显示区域。
第一区域AR1可以围绕第二区域AR2和第三区域AR3的至少一部分。在另一实施例中，第一区域AR1可以围绕第二区域AR2和第三区域AR3的全部。在另一实施例中，第一区域AR1可以仅围绕第二区域AR2和第三区域AR3的一部分。第一像素PX1可以位于第一区域AR1中。在实施例中，显示设备1的在第一区域AR1中的分辨率可以等于或高于显示设备1的在第二区域AR2中的分辨率。
第二区域AR2和第三区域AR3中的至少一者可以是在平面图中(例如，在xy平面上)与组件重叠并且像素PX所位于的区域。例如，第二区域AR2可以是与组件重叠并且像素PX所位于的区域。可选地，第二区域AR2和第三区域AR3两者都可以是与组件重叠并且像素PX所位于的区域。在实施例中，第二像素PX2可以位于第二区域AR2中。第三像素PX3可以位于第三区域AR3中。因此，第二区域AR2和第三区域AR3可以是显示图像并且组件所位于的区域。
由于第二区域AR2和第三区域AR3中的至少一者可以在平面图中与组件重叠，因此显示设备1应在第二区域AR2和第三区域AR3中具有高的光或声音的透射率(透过率)。例如，显示设备1的在第二区域AR2和第三区域AR3中的至少一者中的透射率可以等于或大于大约百分之10(10％)，并且更优选地，等于或大于25％、等于或大于40％、等于或大于50％、等于或大于85％或者等于或大于90％。在实施例中，显示设备1的在第二区域AR2中的透射率可以等于或高于显示设备1的在第三区域AR3中的透射率。
至少一个第二区域AR2可以被提供在显示设备1中。例如，显示设备1可以包括一个第二区域AR2或多个第二区域AR2。
第三区域AR3可以与第二区域AR2相邻。第三区域AR3可以位于第二区域AR2的一侧上。例如，第二区域AR2和第三区域AR3可以在第一方向(例如，x方向或-x方向)上彼此平行。可选地，第二区域AR2和第三区域AR3可以在第二方向(例如，y方向或-y方向)上彼此平行。在实施例中，第三区域AR3可以位于第二区域AR2的相对两侧上。在实施例中，可以省略第三区域AR3。
尽管在图1中第二区域AR2和第三区域AR3位于显示设备1的上部上，但是在另一实施例中，第二区域AR2和第三区域AR3可以位于显示设备1的下部、右部或左部上。
在实施例中，第二区域AR2和第三区域AR3中的至少一者在平面图中可以具有诸如圆形形状、多边形形状(例如，三角形形状、四边形形状、星形形状或菱形形状)的各种形状中的任意一种。在图1中，第二区域AR2和第三区域AR3中的每一者具有四边形形状。
第四区域AR4可以围绕第一区域AR1的至少一部分。在另一实施例中，第四区域AR4可以围绕第一区域AR1的全部。在实施例中，第四区域AR4可以围绕第一区域AR1、第二区域AR2和第三区域AR3的全部。
图2A和图2B是根据多种实施例的沿着图1的显示设备1的线A-A'截取的截面图。
参考图2A和图2B，显示设备1可以包括显示面板10、面板保护构件PB、组件20和覆盖窗CW。显示面板10可以包括：基底100、包括像素电路PC的像素电路层PCL、包括显示元件DPE的显示元件层DEL、封装层ENL、触摸传感器层TSL和光学功能层OFL。
显示设备1可以包括第一区域AR1、第二区域AR2和第三区域AR3。换言之，第一区域AR1、第二区域AR2和第三区域AR3可以被限定在基底100(例如，基底100上的多层膜)中。例如，第一区域AR1、第二区域AR2和第三区域AR3可以被限定在基底100中。也就是说，基底100可以包括第一区域AR1、第二区域AR2和第三区域AR3。下面将假设基底100包括第一区域AR1、第二区域AR2和第三区域AR3来进行描述。
基底100可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料形成或者包括诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料。基底100可以是刚性基底或者可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性基底。
像素电路层PCL可以位于基底100上。像素电路层PCL可以包括像素电路PC、连接布线CWL和绝缘层。像素电路PC可以包括第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PC3。第一像素电路PC1可以位于第一区域AR1中。第二像素电路PC2和第三像素电路PC3两者可以位于第三区域AR3中。像素电路PC可以不位于第二区域AR2中。因此，显示面板10的在第二区域AR2中的透射率(例如透光率)可以高于显示面板10的在第一区域AR1和第三区域AR3中的透射率。
连接布线CWL可以电连接到像素电路PC。在实施例中，连接布线CWL可以电连接到第二像素电路PC2。连接布线CWL可以从第三区域AR3延伸到第二区域AR2并且可以在平面图中与第二区域AR2和第三区域AR3重叠。在实施例中，连接布线CWL可以包括透明导电氧化物。例如，连接布线CWL可以包括诸如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(“IGO”)和/或氧化铝锌(“AZO”)的导电氧化物。
显示元件层DEL可以包括显示元件DPE并且可以位于像素电路层PCL上。在实施例中，显示元件DPE可以是包括有机发射层的有机发光二极管。可选地，显示元件DPE可以是发光二极管(“LED”)。发光二极管可以具有微米级尺寸或纳米级尺寸。例如，发光二极管可以是微型发光二极管。可选地，发光二极管可以是纳米棒发光二极管。纳米棒发光二极管可以包括氮化镓(GaN)。在实施例中，颜色转换层可以位于纳米棒发光二极管上。颜色转换层可以包括量子点。可选地，显示元件DPE可以是包括量子点发射层的量子点发光二极管。可选地，显示元件DPE可以是包括无机半导体的无机发光二极管。下面将假设显示元件DPE是有机发光二极管来进行详细描述。
显示面板10可以包括多个显示元件DPE。多个显示元件DPE可以位于第一区域AR1、第二区域AR2和第三区域AR3中。在实施例中，显示元件DPE可以发射光以实现像素PX。例如，位于第一区域AR1中的显示元件DPE可以发射光以实现第一像素PX1。位于第二区域AR2中的显示元件DPE可以发射光以实现第二像素PX2。位于第三区域AR3中的显示元件DPE可以发射光以实现第三像素PX3。因此，显示设备1可以在第一区域AR1、第二区域AR2和第三区域AR3中显示图像。
显示元件DPE可以连接到像素电路PC。显示元件DPE可以电连接到像素电路PC。参考图2A，一个像素电路PC可以电连接到一个显示元件DPE。参考图2B，一个像素电路PC可以电连接到多个显示元件DPE。换言之，一个像素电路PC可以电连接到多个显示元件DPE中的一个和多个显示元件DPE中的另一个。例如，一个第二像素电路PC2可以电连接到位于第二区域AR2中的多个显示元件DPE。可选地，一个第三像素电路PC3可以电连接到位于第三区域AR3中的多个显示元件DPE。在这种情况下，多个显示元件DPE可以通过使用少量的像素电路PC来发射光，并且可以减少像素电路PC的总数量。
位于第一区域AR1中的第一像素电路PC1和显示元件DPE可以电连接到彼此。位于第三区域AR3中的第二像素电路PC2和位于第二区域AR2中的显示元件DPE可以电连接到彼此。在实施例中，第二像素电路PC2和位于第二区域AR2中的显示元件DPE可以通过连接布线CWL电连接到彼此。位于第三区域AR3中的第三像素电路PC3和位于第三区域AR3中的显示元件DPE可以电连接到彼此。
封装层ENL可以位于显示元件层DEL上。封装层ENL可以覆盖显示元件DPE。在实施例中，封装层ENL可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。至少一个无机封装层可以包括来自氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化锌(ZnOx，例如ZnO或ZnO2)、氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)之中的至少一种无机材料。至少一个有机封装层可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。在实施例中，至少一个有机封装层可以包括丙烯酸酯。
在实施例中，封装层ENL可以包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以防止或减少有机封装层320和/或显示元件DPE暴露于诸如湿气的外来物质。
在另一实施例中，封装层ENL可以具有这样的结构：基底100和作为透明构件的上基底通过密封构件耦接到彼此以密封基底100与上基底之间的内部空间。在这种情况下，吸湿剂或填充剂可以位于内部空间中。密封构件可以是密封剂，并且在另一实施例中，密封构件可以包括通过激光固化的材料。例如，密封构件可以是玻璃料。具体地，密封构件可以包括作为有机密封剂的氨基甲酸酯树脂、环氧树脂或丙烯酸树脂或者作为无机密封剂的硅树脂。氨基甲酸酯树脂的示例可以包括氨基甲酸酯丙烯酸酯。丙烯酸树脂的示例可以包括丙烯酸丁酯和丙烯酸乙基己酯。密封构件可以包括通过热被固化的材料。
触摸传感器层TSL可以获得根据外部输入(例如触摸事件)的坐标信息。触摸传感器层TSL可以包括触摸电极和连接到触摸电极的触摸布线。触摸传感器层TSL可以通过使用自电容法或互电容法来检测外部输入。
触摸传感器层TSL可以位于封装层ENL上。在实施例中，触摸传感器层TSL可以直接位于封装层ENL上。在这种情况下，诸如光学透明粘合剂的粘合剂层可以不位于触摸传感器层TSL与封装层ENL之间。在另一实施例中，触摸传感器层TSL可以单独地形成在触摸基底上，并且然后可以通过诸如光学透明粘合剂的粘合剂层耦接到封装层ENL。
光学功能层OFL可以包括抗反射层。抗反射层可以降低入射在显示设备1上的光(例如外部光)的反射率。在一些实施例中，光学功能层OFL可以是偏振膜。在一些实施例中，光学功能层OFL可以被提供为包括黑矩阵和滤色器的滤板。
覆盖窗CW可以位于显示面板10上。覆盖窗CW可以保护显示面板10。覆盖窗CW可以包括玻璃、蓝宝石和塑料中的至少一种。覆盖窗CW可以包括例如超薄玻璃(“UTG”)或无色聚酰亚胺(“CPI”)。
面板保护构件PB可以位于基底100下面。面板保护构件PB可以支撑和保护基底100。在实施例中，面板保护构件PB可以限定在平面图中与第二区域AR2重叠的开口PB_OP。在另一实施例中，面板保护构件PB的开口PB_OP可以在平面图中与第二区域AR2和第三区域AR3重叠。在实施例中，面板保护构件PB可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺。
组件20可以位于显示面板10下面。在实施例中，组件20可以定位成与覆盖窗CW相对，且显示面板10在组件20与覆盖窗CW之间。在实施例中，组件20可以与第二区域AR2重叠。在另一实施例中，组件20可以在平面图中与第二区域AR2和第三区域AR3重叠。
作为使用红外光或可见光的相机的组件20可以包括图像拾取装置。可选地，组件20可以是太阳能电池、闪光灯、照度传感器、接近传感器或虹膜传感器。可选地，组件20可以具有用于接收声音的功能。为了减少对组件20的功能的限制，用于驱动位于第二区域AR2中的显示元件DPE的第二像素电路PC2可以不位于第二区域AR2中，而是可以位于第三区域AR3中。因此，显示面板10的在第二区域AR2中的透射率可以高于显示面板10的在第三区域AR3中的透射率。此外，显示面板10的在第二区域AR2中的透射率可以高于显示面板10的在第一区域AR1中的透射率。
图3是示出根据实施例的电连接到显示元件DPE的像素电路PC的等效电路图。
参考图3，像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。
开关薄膜晶体管T2可以电连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以基于从扫描线SL输入的扫描信号或开关电压将从数据线DL输入的数据信号或数据电压传输到驱动薄膜晶体管T1。存储电容器Cst可以电连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从开关薄膜晶体管T2接收的电压与供应到驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1可以电连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压来控制从驱动电压线PL流过显示元件DPE的驱动电流。显示元件DPE可以根据驱动电流发射具有特定亮度的光。显示元件DPE的对电极可以接收公共电压ELVSS。
尽管在图3中像素电路PC包括两个薄膜晶体管T1和T2以及一个存储电容器Cst，但是像素电路PC可以包括三个或更多个薄膜晶体管。
图4是示出根据实施例的显示面板10的平面图。在图4中，与图1的元件相同的元件由相同的附图标记指代，并且因此其重复描述将被省略。
参考图4，显示面板10可以包括基底100、像素电路PC、像素PX和像素限定膜215。在实施例中，基底100可以包括第一区域AR1、第二区域AR2、第三区域AR3和第四区域AR4。第一区域AR1可以围绕第二区域AR2和第三区域AR3的至少一部分。第三区域AR3可以与第二区域AR2相邻。第三区域AR3可以位于第二区域AR2的一侧上。第四区域AR4可以围绕第一区域AR1的至少一部分。第四区域AR4可以围绕第一区域AR1、第二区域AR2和第三区域AR3的至少一部分。
像素电路PC可以包括第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PC3。在实施例中，第一像素电路PC1可以位于第一区域AR1中。第二像素电路PC2和第三像素电路PC3可以位于第三区域AR3中。像素电路PC可以不位于第二区域AR2中。在一些实施例中，第二像素电路PC2可以位于第四区域AR4中。在这种情况下，连接布线CWL可以从第四区域AR4延伸到第二区域AR2，并且可以省略第三区域AR3。
像素PX可以使用诸如有机发光二极管的显示元件来实现。像素PX可以包括第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。第一像素PX1可以位于第一区域AR1中。第一像素PX1可以电连接到第一像素电路PC1。在实施例中，第一像素PX1可以在平面图中与第一像素电路PC1重叠。第二像素PX2可以位于第二区域AR2中。第二像素PX2可以电连接到第二像素电路PC2。第二像素PX2可以通过连接布线CWL电连接到第二像素电路PC2。第三像素PX3可以位于第三区域AR3中。第三像素PX3可以电连接到第三像素电路PC3。在实施例中，第三像素PX3可以在平面图中与第三像素电路PC3重叠。
可以提供多个像素PX，并且多个像素PX可以通过发射光来显示图像。在实施例中，可以提供多个第一像素PX1、多个第二像素PX2和多个第三像素PX3。多个第一像素PX1、多个第二像素PX2和多个第三像素PX3可以显示一个图像，或者可以各自显示独立的图像，即，多个第一像素PX1可以显示独立的图像，多个第二像素PX2可以显示独立的图像并且多个第三像素PX3可以显示独立的图像。
在实施例中，显示面板10的在第二区域AR2和/或第三区域AR3中的分辨率可以等于或低于显示面板的在第一区域AR1中的分辨率。例如，显示面板10的在第二区域AR2和/或第三区域AR3中的分辨率可以是显示面板10的在第一区域AR1中的分辨率的大约1/1、1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9或1/16。
像素限定膜215可以位于基底100上。像素限定膜215可以限定第一像素PX1。换言之，像素限定膜215可以限定第一像素PX1的发射区域。在实施例中，像素限定膜215可以限定第三像素PX3。换言之，像素限定膜215可以限定第三像素PX3的发射区域。
像素限定膜215可以限定与第二区域AR2重叠的第二区域开口部分AROP2。在实施例中，第二区域开口部分AROP2可以在平面图中与第二区域AR2的整体重叠。第二区域开口部分AROP2可以与多个第二像素PX2重叠。因此，显示面板10的在第二区域AR2中的透射率(例如透光率)可以增加。
在实施例中，像素限定膜215可以包括有机绝缘材料。在另一实施例中，像素限定膜215可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)或氧化硅(SiO2)的无机绝缘材料。在另一实施例中，像素限定膜215可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。在一些实施例中，像素限定膜215可以包括光阻挡材料，并且可以是黑色的。光阻挡材料可以包括包含碳黑、碳纳米管或黑色染料的树脂或糊剂(paste)、诸如镍、铝、钼或它们的合金的金属颗粒、金属氧化物颗粒(例如氧化铬)或者金属氮化物颗粒(例如氮化铬)。当像素限定膜215包括光阻挡材料时，可以减少由位于像素限定膜215下面的金属结构对外部光的反射。
第四区域AR4可以是非显示区域，像素PX不位于该非显示区域中。在实施例中，显示面板10还可以包括位于第四区域AR4中的第一扫描驱动电路SDRV1、第二扫描驱动电路SDRV2、焊盘PAD、驱动电压供应线11和公共电压供应线13。
第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2中的任意一者可以通过扫描线SL将扫描信号施加到像素电路PC。在实施例中，第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2可以定位成彼此相对，且第一区域AR1在第一扫描驱动电路SDRV1与第二扫描驱动电路SDRV2之间。在实施例中，多个像素PX中的任意一个可以从第一扫描驱动电路SDRV1接收扫描信号，并且多个像素PX中的另一个可以从第二扫描驱动电路SDRV2接收扫描信号。
焊盘PAD可以位于作为第四区域AR4的侧部的焊盘区域PADA中。焊盘PAD可以被暴露而不被绝缘层覆盖，并且可以连接到显示电路板40。显示驱动器41可以位于显示电路板40上。
显示驱动器41可以产生传输给第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2的信号。显示驱动器41可以产生数据信号，并且产生的数据信号可以通过扇出布线FW和连接到扇出布线FW的数据线DL传输到像素电路PC。
显示驱动器41可以将驱动电压ELVDD(参见图3)供应到驱动电压供应线11，并且可以将公共电压ELVSS(参见图3)供应到公共电压供应线13。驱动电压ELVDD可以通过电连接到驱动电压供应线11的驱动电压线PL被供应到像素电路PC，并且公共电压ELVSS可以被供应到显示元件的电连接到公共电压供应线13的对电极。
图5是沿着图4的显示面板10的线B-B'截取的截面图。
参考图5，显示面板10可以包括基底100、像素电路层PCL和显示元件层DEL。
基底100可以包括玻璃或者诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三醋酸纤维素或醋酸丙酸纤维素的聚合物树脂。在实施例中，基底100可以具有包括基体层和屏障层(未示出)的多层结构，该基体层包括聚合物树脂。包括聚合物树脂的基底100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。
像素电路层PCL可以位于基底100上。像素电路层PCL可以包括第一像素电路PC1、无机绝缘层IIL、第一有机绝缘层OIL1、第一连接电极CM1、第二有机绝缘层OIL2和第三有机绝缘层OIL3。在实施例中，无机绝缘层IIL可以包括缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一无机绝缘层115、第二无机绝缘层117和层间绝缘层119。
第一像素电路PC1可以位于第一区域AR1中。第一像素电路PC1可以包括第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2和存储电容器Cst。第一薄膜晶体管TFT1可以包括第一半导体层Act1、第一栅极电极GE1、第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1。第二薄膜晶体管TFT2可以包括第二半导体层Act2、第二栅极电极GE2、第二漏极电极DE2和第二源极电极SE2。存储电容器Cst可以包括下电极CE1和上电极CE2。
缓冲层111可以位于基底100上。缓冲层111可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)或氧化硅(SiO2)的无机绝缘材料，并且可以具有包括上述无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
第一半导体层Act1可以包括硅半导体。第一半导体层Act1可以包括多晶硅。可选地，第一半导体层Act1可以包括非晶硅。在一些实施例中，第一半导体层Act1可以包括氧化物半导体，或者可以包括有机半导体。第一半导体层Act1可以包括沟道区以及位于沟道区的相对两侧上的漏极区和源极区。第一栅极电极GE1可以在平面图中与沟道区重叠。
第一栅极电极GE1可以与第一半导体层Act1重叠。第一栅极电极GE1可以包括低电阻金属材料。第一栅极电极GE1可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且可以具有包括上述导电材料的单层结构或多层结构。
第一栅极绝缘层112可以位于第一半导体层Act1与第一栅极电极GE1之间。因此，第一半导体层Act1可以与第一栅极电极GE1绝缘。第一栅极绝缘层112可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或氧化锌(ZnOx，例如ZnO或ZnO2)的无机绝缘材料。
第二栅极绝缘层113可以覆盖第一栅极电极GE1。第二栅极绝缘层113可以位于第一栅极电极GE1上。与第一栅极绝缘层112一样，第二栅极绝缘层113可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或氧化锌(ZnOx，例如ZnO或ZnO2)的无机绝缘材料。
上电极CE2可以位于第二栅极绝缘层113上。上电极CE2可以在平面图中与位于上电极CE2下方的第一栅极电极GE1重叠。在这种情况下，上电极CE2和第一栅极电极GE1可以彼此重叠以构成存储电容器Cst，且第二栅极绝缘层113在上电极CE2与第一栅极电极GE1之间。也就是说，第一薄膜晶体管TFT1的第一栅极电极GE1可以用作存储电容器Cst的下电极CE1。
如此，存储电容器Cst和第一薄膜晶体管TFT1可以在平面图中彼此重叠。在一些实施例中，存储电容器Cst可以不与第一薄膜晶体管TFT1重叠。
上电极CE2可以包括诸如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)的材料，并且可以具有包括上述材料的单层结构或多层结构。
第一无机绝缘层115可以覆盖上电极CE2。在实施例中，第一无机绝缘层115可以覆盖第一栅极电极GE1。第一无机绝缘层115可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx，例如ZnO或ZnO2)的无机绝缘材料。第一无机绝缘层115可以具有包括上述无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
第二半导体层Act2可以位于第一无机绝缘层115上。在实施例中，第二半导体层Act2可以包括沟道区以及位于沟道区的相对两侧上的源极区和漏极区。第二半导体层Act2可以包括氧化物半导体。例如，第二半导体层Act2可以由诸如Zn氧化物、In-Zn氧化物或Ga-In-Zn氧化物的Zn氧化物类材料形成或者包括诸如Zn氧化物、In-Zn氧化物或Ga-In-Zn氧化物的Zn氧化物类材料。可选地，第二半导体层Act2可以由其中诸如铟(In)、镓(Ga)或锡(Sn)的金属被包含在氧化锌(ZnO)中的In-Ga-Zn-O(“IGZO”)、In-Sn-Zn-O(“ITZO”)或In-Ga-Sn-Zn-O(“IGTZO”)半导体形成或者包括其中诸如铟(In)、镓(Ga)或锡(Sn)的金属被包含在氧化锌(ZnO)中的In-Ga-Zn-O(“IGZO”)、In-Sn-Zn-O(“ITZO”)或In-Ga-Sn-Zn-O(“IGTZO”)半导体。
第二半导体层Act2的源极区和漏极区可以通过调整氧化物半导体的载流子浓度以使氧化物半导体导电来形成。例如，第二半导体层Act2的源极区和漏极区可以通过由使用氢类气体、氟类气体或它们的组合对氧化物半导体进行等离子体处理来使载流子浓度增加而形成。
第二无机绝缘层117可以覆盖第二半导体层Act2。第二无机绝缘层117可以位于第二半导体层Act2与第二栅极电极GE2之间。在实施例中，第二无机绝缘层117可以全部位于基底100上。在另一实施例中，第二无机绝缘层117可以根据第二栅极电极GE2的形状而被图案化。第二无机绝缘层117可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx，例如ZnO或ZnO2)的无机绝缘材料。第二无机绝缘层117可以具有包括上述无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
第二栅极电极GE2可以位于第二无机绝缘层117上。第二栅极电极GE2可以在平面图中与第二半导体层Act2重叠。第二栅极电极GE2可以与第二半导体层Act2的沟道区重叠。第二栅极电极GE2可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且可以具有包括上述导电材料的单层结构或多层结构。
层间绝缘层119可以覆盖第二栅极电极GE2。层间绝缘层119可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx，例如ZnO或ZnO2)的无机绝缘材料。层间绝缘层119可以具有包括上述无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1可以位于层间绝缘层119上。第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1可以连接到第一半导体层Act1。
第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1可以通过限定在绝缘层中的接触孔连接到第一半导体层Act1。
第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2可以位于层间绝缘层119上。第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2可以电连接到第二半导体层Act2。第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2可以通过限定在绝缘层中的接触孔电连接到第二半导体层Act2。
第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2中的每一者可以包括具有高电导率的材料。第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2中的每一者可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且可以具有包括上述导电材料的单层结构或多层结构。在实施例中，第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2中的每一者可以具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。
包括包含硅半导体的第一半导体层Act1的第一薄膜晶体管TFT1可以具有高可靠性。因此，当第一薄膜晶体管TFT1用作驱动薄膜晶体管时，可以实现具有高质量的显示面板10。
由于氧化物半导体具有高载流子迁移率和小漏电流，因此即使当驱动时间长时，电压降也可以不大。也就是说，由于即使在低频驱动期间由于电压降引起的图像的颜色变化也不大，因此低频驱动是可能的。如此，由于氧化物半导体具有小漏电流，因此当将氧化物半导体应用于除了驱动薄膜晶体管之外的至少一个薄膜晶体管时，可以防止漏电流并且可以降低功耗。例如，第二薄膜晶体管TFT2可以用作开关薄膜晶体管。
下栅极电极BGE可以位于第二半导体层Act2下面。在实施例中，下栅极电极BGE可以位于第二栅极绝缘层113与第一无机绝缘层115之间。在实施例中，下栅极电极BGE可以接收栅极信号。在这种情况下，第二薄膜晶体管TFT2可以具有两个栅极电极分别位于第二半导体层Act2上方和下面的双栅极电极结构。
在实施例中，栅极布线GWL可以位于第二无机绝缘层117与层间绝缘层119之间。在实施例中，栅极布线GWL可以通过限定在第一无机绝缘层115和第二无机绝缘层117中的接触孔电连接到下栅极电极BGE。
在实施例中，下屏蔽层BSL可以位于基底100和与第一区域AR1重叠的第一像素电路PC1之间。在实施例中，下屏蔽层BSL可以在平面图中与第一薄膜晶体管TFT1重叠。恒定的电压可以被施加到下屏蔽层BSL。由于下屏蔽层BSL位于第一薄膜晶体管TFT1下面，因此第一薄膜晶体管TFT1可以几乎不被周围的干扰信号影响，从而有效地改善可靠性。
下屏蔽层BSL可以包括透明导电材料。在实施例中，下屏蔽层BSL可以包括透明导电氧化物(TCO)。例如，下屏蔽层BSL可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。
第一有机绝缘层OIL1可以覆盖第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2。第一有机绝缘层OIL1可以包括有机材料。例如，第一有机绝缘层OIL1可以包括有机绝缘材料，诸如通用聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)或聚苯乙烯(“PS”))、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的共混物。
第一连接电极CM1可以位于第一有机绝缘层OIL1上。在这种情况下，第一连接电极CM1可以通过限定在第一有机绝缘层OIL1中的接触孔连接到第一漏极电极DE1或第一源极电极SE1。
第一连接电极CM1可以包括具有高电导率的材料。第一连接电极CM1可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且可以具有包括上述导电材料的单层结构或多层结构。在实施例中，第一连接电极CM1可以具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。
第二有机绝缘层OIL2和第三有机绝缘层OIL3可以覆盖第一连接电极CM1。第二有机绝缘层OIL2和第三有机绝缘层OIL3中的每一者可以包括有机材料。第二有机绝缘层OIL2和第三有机绝缘层OIL3中的至少一者可以包括有机绝缘材料，诸如通用聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)或聚苯乙烯(“PS”))、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的共混物。
显示元件层DEL可以位于像素电路层PCL上。显示元件层DEL可以包括显示元件。在实施例中，显示元件层DEL可以包括作为位于第一区域AR1中的第一显示元件的第一有机发光二极管OLED1。第一有机发光二极管OLED1可以位于第三有机绝缘层OIL3上。
第一有机发光二极管OLED1可以电连接到第一像素电路PC1。在第一区域AR1中，第一有机发光二极管OLED1可以电连接到第一像素电路PC1以实现第一像素PX1。在实施例中，第一有机发光二极管OLED1可以在平面图中与第一像素电路PC1重叠。第一有机发光二极管OLED1可以包括第一电极211A、第一发射层212A和对电极213。
第一电极211A可以位于第三有机绝缘层OIL3上。第一电极211A可以是像素电极。第一电极211A可以通过提供在第二有机绝缘层OIL2和第三有机绝缘层OIL3中的接触孔电连接到第一连接电极CM1。
第一电极211A可以具有第一厚度t1。第一厚度t1可以是在平面图中第一电极211A的底表面与在第一电极211A的顶表面处的对应位置之间的距离。例如，第一电极211A的底表面可以面向基底100。第一电极211A的与第一电极211A的底表面背对的顶表面可以面向第一发射层212A。
在实施例中，第一电极211A可以包括多个层。在实施例中，第一电极211A可以包括第一层L1和第二层L2。在另一实施例中，第一电极211A可以包括第一层L1、第二层L2和第三层L3。
第一层L1可以包括铟(In)、锡(Sn)和氧(O)中的至少一者。在实施例中，第一层L1可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。
第二层L2可以位于第一层L1上。第二层L2可以覆盖第一层L1。在实施例中，第二层L2可以覆盖第一层L1的顶表面和第一层L1的侧表面。第二层L2可以包括反射膜。在实施例中，第二层L2可以包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物。
第三层L3可以位于第二层L2上。第三层L3可以包括铟(In)、锡(Sn)和氧(O)中的至少一者。在实施例中，第三层L3可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。
像素限定膜215可以限定第一电极开口部分215OP1，并且可以位于第一电极211A上，第一电极211A的中心部分通过第一电极开口部分215OP1暴露。第一电极开口部分215OP1可以限定由第一有机发光二极管OLED1发射的光的发射区域。
像素限定膜215可以包括有机绝缘材料。在另一实施例中，像素限定膜215可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)或氧化硅(SiO2)的无机绝缘材料。在另一实施例中，像素限定膜215可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。在一些实施例中，像素限定膜215可以包括光阻挡材料，并且可以是黑色的。光阻挡材料可以包括包含碳黑、碳纳米管或黑色染料的树脂或糊剂、诸如镍、铝、钼或它们的合金的金属颗粒、金属氧化物颗粒(例如氧化铬)或者金属氮化物颗粒(例如氮化铬)。当像素限定膜215包括光阻挡材料时，可以减少由位于像素限定膜215下面的金属结构对外部光的反射。
第一发射层212A可以位于第一电极211A上。第一发射层212A可以在平面图中与第一电极开口部分215OP1重叠。第一发射层212A可以包括低分子量材料或高分子量材料，并且可以发射红光、绿光、蓝光或白光。第一发射层212A可以包括诸如铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)或三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)的各种有机材料中的任意一种。
在一些实施例中，空穴注入层(“HIL”)和/或空穴传输层(“HTL”)可以位于第一电极211A与第一发射层212A之间。在实施例中，空穴传输层可以包括聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(“PEDOT”)，并且第一发射层212A可以包括诸如聚亚苯基乙烯撑(“PPV”)类材料或聚芴类材料的聚合物材料。
对电极213可以位于第一发射层212A上。对电极213可以由具有低功函数的导电材料提供或者包括具有低功函数的导电材料。例如，对电极213可以包括包含诸如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的合金的材料的(半)透明层。可选地，对电极213还可以在包含上述材料的(半)透明层上包括由ITO、IZO、ZnO或In2O3提供的层。
在一些实施例中，电子传输层(“ETL”)和/或电子注入层(“EIL”)可以位于第一发射层212A与对电极213之间。
图6A和图6B是根据多种实施例的沿着图4的显示面板10的线C-C'截取的截面图。在图6A和图6B中，与图5中的元件相同的元件由相同的附图标记指代，并且因此其重复描述将被省略。
参考图6A和图6B，显示面板10可以包括基底100、像素电路层PCL和显示元件层DEL。显示元件层DEL可以包括作为第二显示元件的第二有机发光二极管OLED2。基底100可以包括第二区域AR2和与第二区域AR2相邻的第三区域AR3。
像素电路层PCL可以位于基底100上。像素电路层PCL可以包括第二像素电路PC2、无机绝缘层IIL、连接布线CWL1和CWL2、第一有机绝缘层OIL1、桥接布线(bridge wiring)BWL、第二连接电极CM2、第二有机绝缘层OIL2和第三有机绝缘层OIL3。在实施例中，无机绝缘层IIL可以包括缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一无机绝缘层115、第二无机绝缘层117和层间绝缘层119。
第二像素电路PC2可以位于第三区域AR3中。换言之，第二像素电路PC2可以不位于第二区域AR2中。第二像素电路PC2可以包括第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2和存储电容器Cst。
在实施例中，无机绝缘层IIL可以限定在平面图中与第二区域AR2重叠的凹槽Gv或孔。凹槽Gv可以具有通过去除无机绝缘层IIL的一部分而获得的形状。例如，缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和第一无机绝缘层115可以连续地位于第二区域AR2和第三区域AR3中。第二无机绝缘层117和层间绝缘层119中的每一者可以限定在平面图中与第二区域AR2重叠的开口。第二无机绝缘层117的开口和层间绝缘层119的开口可以分别通过单独的工艺形成，或者可以通过相同的工艺同时形成。当第二无机绝缘层117的开口和层间绝缘层119的开口分别通过单独的工艺形成时，凹槽Gv可以具有阶梯形状。
第一有机绝缘层OIL1可以填充凹槽Gv。第一有机绝缘层OIL1的透射率(例如透光率)可以高于第二无机绝缘层117和/或层间绝缘层119的透射率。因此，第二区域AR2的透射率(例如透光率)可以增加。
尽管在图6A和图6B中无机绝缘层IIL限定凹槽Gv，但是在另一实施例中，无机绝缘层IIL可以不限定凹槽Gv。在这种情况下，第二无机绝缘层117和层间绝缘层119可以连续地位于第二区域AR2中。在另一实施例中，无机绝缘层IIL可以限定在平面图中与第二区域AR2重叠的孔，并且基底100的顶表面通过该孔暴露。
连接布线可以电连接到第二像素电路PC2。连接布线可以将第二像素电路PC2电连接到作为第二显示元件的第二有机发光二极管OLED2。连接布线可以从第三区域AR3延伸到第二区域AR2。连接布线可以包括透明导电氧化物。
连接布线可以包括第一连接布线CWL1和第二连接布线CWL2中的至少一者。第一连接布线CWL1可以位于基底100与有机绝缘层之间。在实施例中，第一连接布线CWL1可以位于基底100与第一有机绝缘层OIL1之间。第二连接布线CWL2可以位于有机绝缘层与显示元件层DEL之间。在实施例中，第二连接布线CWL2可以位于第一有机绝缘层OIL1与显示元件层DEL之间。
参考图6A，第一连接布线CWL1可以位于第一无机绝缘层115与第一有机绝缘层OIL1之间。在实施例中，第一连接布线CWL1可以通过位于第一有机绝缘层OIL1与第二有机绝缘层OIL2之间的桥接布线BWL电连接到第二像素电路PC2。在实施例中，桥接布线BWL可以通过限定在第一有机绝缘层OIL1中的接触孔电连接到第二像素电路PC2。桥接布线BWL可以通过限定在第一有机绝缘层OIL1中的另一接触孔电连接到第一连接布线CWL1。
第一连接布线CWL1可以电连接到位于第一有机绝缘层OIL1与第二有机绝缘层OIL2之间的第二连接电极CM2。第二连接电极CM2可以通过限定在第一有机绝缘层OIL1中的接触孔电连接到第一连接布线CWL1。
在实施例中，桥接布线BWL和第二连接电极CM2中的至少一者可以包括具有高电导率的材料。桥接布线BWL和第二连接电极CM2中的至少一者可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且可以具有包括上述导电材料的单层结构或多层结构。桥接布线BWL和第二连接电极CM2中的至少一者可以具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。在实施例中，桥接布线BWL和第二连接电极CM2可以包括相同的材料。
第二有机绝缘层OIL2和第三有机绝缘层OIL3可以位于桥接布线BWL和第二连接电极CM2上。第二连接电极CM2可以通过限定在第二有机绝缘层OIL2中的接触孔和限定在第三有机绝缘层OIL3中的接触孔电连接到第二有机发光二极管OLED2。因此，第二有机发光二极管OLED2可以电连接到第二像素电路PC2，并且可以由第二像素电路PC2驱动。
参考图6B，第二连接布线CWL2可以位于第二有机绝缘层OIL2与第三有机绝缘层OIL3之间。在实施例中，第二连接布线CWL2可以通过位于第一有机绝缘层OIL1与第二有机绝缘层OIL2之间的桥接布线BWL电连接到第二像素电路PC2。在实施例中，桥接布线BWL可以通过限定在第一有机绝缘层OIL1中的接触孔电连接到第二像素电路PC2。第二连接布线CWL2可以通过限定在第二有机绝缘层OIL2中的接触孔电连接到桥接布线BWL。
第三有机绝缘层OIL3可以位于第二连接布线CWL2上。第二连接布线CWL2可以通过限定在第三有机绝缘层OIL3中的接触孔电连接到第二有机发光二极管OLED2。因此，第二有机发光二极管OLED2可以电连接到第二像素电路PC2，并且可以由第二像素电路PC2驱动。
返回参考图6A和图6B，显示元件层DEL可以位于像素电路层PCL上。显示元件层DEL可以包括像素限定膜215和显示元件。在实施例中，显示元件层DEL可以包括作为位于第二区域AR2中的第二显示元件的第二有机发光二极管OLED2。第二有机发光二极管OLED2可以位于第三有机绝缘层OIL3上。
像素限定膜215可以限定在平面图中与第二区域AR2重叠的第二区域开口部分AROP2。因此，第二有机发光二极管OLED2可以与像素限定膜215间隔开，并且显示面板10可以在第二区域AR2中保持高透射率(例如透光率)。
第二有机发光二极管OLED2可以电连接到像素电路。在第二区域AR2中，第二有机发光二极管OLED2可以电连接到位于第三区域AR3中的第二像素电路PC2以实现第二像素PX2。第二有机发光二极管OLED2可以包括第二电极211B、第二发射层212B和对电极213。
第二电极211B可以具有第二厚度t2。第二厚度t2可以是在平面图中第二电极211B的底表面与在第二电极211B的顶表面处的对应位置之间的距离。例如，第二电极211B的底表面可以面向基底100。第二电极211B的与第二电极211B的底表面背对的顶表面可以面向第二发射层212B。在实施例中，第二厚度t2可以小于第一厚度t1(参见图5)。
第二电极211B可以包括铟(In)、锡(Sn)和氧(O)中的至少一者。在实施例中，第二电极211B可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。因此，第二电极211B的透射率(例如透光率)可以是高的。此外，由于第二电极211B不包括包含银(Ag)的反射膜，因此第二电极211B的侧表面可以不需要被像素限定膜215覆盖。
第二发射层212B可以位于第二电极211B上。第二发射层212B可以覆盖第二电极211B。在实施例中，第二发射层212B可以覆盖第二电极211B的侧表面。第二发射层212B可以包括低分子量材料或高分子量材料，并且可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
对电极213可以位于第二发射层212B上。在实施例中，第二发射层212B可以将第二电极211B与对电极213分开。因此，第二发射层212B可以防止或减少当对电极213和第二电极211B彼此接触时发生短路。
图7是示出图4的显示面板10的部分D的放大图。
参考图7，显示面板10可以包括基底100、作为显示元件的有机发光二极管、像素限定膜215、连接布线CWL、布线WL和第二连接电极CM2。基底100可以包括第一区域AR1和第二区域AR2。
作为显示元件的有机发光二极管可以位于第一区域AR1和第二区域AR2中。作为第一显示元件的第一有机发光二极管OLED1可以位于第一区域AR1中。在实施例中，第一有机发光二极管OLED1可以包括第一红色有机发光二极管ROLED1、第一绿色有机发光二极管GOLED1和第一蓝色有机发光二极管BOLED1。在实施例中，可以提供多个第一红色有机发光二极管ROLED1、多个第一绿色有机发光二极管GOLED1和多个第一蓝色有机发光二极管BOLED1。
第一红色有机发光二极管ROLED1、第一绿色有机发光二极管GOLED1和第一蓝色有机发光二极管BOLED1可以分别实现第一红色子像素SPX1-1、第一绿色子像素SPX1-2和第一蓝色子像素SPX1-3。本文中所使用的术语“子像素”指作为用于形成图像的最小单元的发射区域。当第一有机发光二极管OLED1用作第一显示元件时，第一显示元件的发射区域可以由限定在像素限定膜215中的第一电极开口部分215OP1限定。在实施例中，像素限定膜215可以覆盖第一电极211A的边缘。
在实施例中，第一红色子像素开口部分OPR1可以限定第一红色有机发光二极管ROLED1的发射区域。第一绿色子像素开口部分OPG1可以限定第一绿色有机发光二极管GOLED1的发射区域。第一蓝色子像素开口部分OPB1可以限定第一蓝色有机发光二极管BOLED1的发射区域。
第一红色子像素SPX1-1、第一绿色子像素SPX1-2和第一蓝色子像素SPX1-3可以以pentile结构布置。在第一行1N中，多个第一绿色子像素SPX1-2可以彼此间隔开一定间隔。在与第一行1N相邻的第二行2N中，多个第一红色子像素SPX1-1和多个第一蓝色子像素SPX1-3可以交替地布置。在与第二行2N相邻的第三行3N中，多个第一绿色子像素SPX1-2可以彼此间隔开一定间隔。在与第三行3N相邻的第四行4N中，多个第一红色子像素SPX1-1和多个第一蓝色子像素SPX1-3可以交替地布置。这种子像素布置可以重复至第N行。在实施例中，第一红色子像素SPX1-1和第一蓝色子像素SPX1-3中的每一者可以大于第一绿色子像素SPX1-2。
位于第一行1N中的多个第一绿色子像素SPX1-2可以与位于第二行2N中的多个第一红色子像素SPX1-1和多个第一蓝色子像素SPX1-3交替地布置。因此，在第一列1M中，多个第一绿色子像素SPX1-2可以彼此间隔开一定间隔。在与第一列1M相邻的第二列2M中，多个第一红色子像素SPX1-1和多个第一蓝色子像素SPX1-3可以交替地布置。在与第二列2M相邻的第三列3M中，多个第一绿色子像素SPX1-2可以彼此间隔开一定间隔。在与第三列3M相邻的第四列4M中，多个第一红色子像素SPX1-1和多个第一蓝色子像素SPX1-3可以交替地布置。这种子像素布置可以重复至第M列。
当这样的子像素布置结构被不同地表述时，第一绿色子像素SPX1-2可以位于虚拟四边形VS的中心处。在实施例中，第一绿色子像素SPX1-2的中心点可以是虚拟四边形VS的中心点。第一红色子像素SPX1-1和第一蓝色子像素SPX1-3可以分别位于虚拟四边形VS的顶点处。在实施例中，多个第一红色子像素SPX1-1可以分别位于来自虚拟四边形VS的顶点之中的在对角线方向上面向彼此的第一顶点和第三顶点处。多个第一蓝色子像素SPX1-3可以分别位于来自虚拟四边形VS的顶点之中的在对角线方向上面向彼此的第二顶点和第四顶点处。虚拟四边形VS可以被不同地修改为例如矩形、菱形或正方形。
这样的子像素布置结构可以被称为pentile矩阵(PENTILETM Matrix)结构或pentile结构，并且可以使用通过共享相邻的子像素来表示颜色的渲染驱动方法，从而用少量的像素显示具有高分辨率的图像。
尽管在图7中第一红色子像素SPX1-1、第一绿色子像素SPX1-2和第一蓝色子像素SPX1-3以pentile矩阵结构布置，但是本公开不限于此。在另一实施例中，第一红色子像素SPX1-1、第一绿色子像素SPX1-2和第一蓝色子像素SPX1-3可以以诸如条纹结构、马赛克布置结构或三角形布置结构的各种结构中的任意一种布置。
作为第二显示元件的第二有机发光二极管OLED2可以位于第二区域AR2中。第二有机发光二极管OLED2可以包括第二电极211B。在施例中，第二有机发光二极管OLED2可以包括第二红色有机发光二极管ROLED2、第二绿色有机发光二极管GOLED2和第二蓝色有机发光二极管BOLED2。在实施例中，可以提供多个第二红色有机发光二极管ROLED2、多个第二绿色有机发光二极管GOLED2和多个第二蓝色有机发光二极管BOLED2。
第二红色有机发光二极管ROLED2、第二绿色有机发光二极管GOLED2和第二蓝色有机发光二极管BOLED2可以分别实现第二红色子像素SPX2-1、第二绿色子像素SPX2-2和第二蓝色子像素SPX2-3。与第一红色子像素SPX1-1、第一绿色子像素SPX1-2和第一蓝色子像素SPX1-3一样，第二红色子像素SPX2-1、第二绿色子像素SPX2-2和第二蓝色子像素SPX2-3可以以pentile结构布置。
当第二有机发光二极管OLED2用作第二显示元件时，第二显示元件的发射区域可以由第二电极211B的区域限定。第二红色有机发光二极管ROLED2可以包括第二红色子像素电极211B1。第二红色子像素电极211B1的区域可以限定第二红色有机发光二极管ROLED2的发射区域。第二绿色有机发光二极管GOLED2可以包括第二绿色子像素电极211B2。第二绿色子像素电极211B2的区域可以限定第二绿色有机发光二极管GOLED2的发射区域。第二蓝色有机发光二极管BOLED2可以包括第二蓝色子像素电极211B3。第二蓝色子像素电极211B3的区域可以限定第二蓝色有机发光二极管BOLED3的发射区域。
第二有机发光二极管OLED2可以电连接到连接布线CWL。第二有机发光二极管OLED2可以通过连接布线CWL电连接到第二像素电路PC2(参见图4)。因此，第二像素电路PC2可以不位于第二区域AR2中，并且在第二区域AR2中可以保持显示面板10的高透射率(例如透光率)。
连接布线CWL可以包括第一连接布线CWL1和第二连接布线CWL2中的至少一者。在实施例中，连接布线CWL可以包括第一连接布线CWL1和第二连接布线CWL2。在实施例中，第一连接布线CWL1可以通过第二连接电极CM2电连接到第二电极211B。
多个第二有机发光二极管OLED2中的任意一个和多个第二有机发光二极管OLED2中的另一个可以电连接到彼此。在实施例中，多个第二有机发光二极管OLED2中的任意一个可以通过布线WL电连接到多个第二有机发光二极管OLED2中的另一个。因此，一个第二像素电路PC2(参见图4)可以驱动多个第二有机发光二极管OLED2，并且显示面板10可以在第二区域AR2中保持高分辨率。
布线WL可以包括透明导电氧化物。例如，布线WL可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。
布线WL可以包括第一布线WL1和第二布线WL2中的至少一者。在实施例中，第一布线WL1和第一连接布线CWL1可以位于同一层上并且可以包括相同的材料。在实施例中，第二电极211B可以通过第二连接电极CM2电连接到第一布线WL1。第二布线WL2和第二连接布线CWL2可以位于同一层上并且可以包括相同的材料。在实施例中，与布线WL一样，连接布线CWL可以将多个第二有机发光二极管OLED2中的任意一个电连接到多个第二有机发光二极管OLED2中的另一个。
第二连接电极CM2可以将第一连接布线CWL1电连接到第二有机发光二极管OLED2。在实施例中，第二连接电极CM2可以将第一布线WL1电连接到第二有机发光二极管OLED2。在实施例中，第二连接电极CM2可以将连接布线CWL电连接到布线WL。在一些实施例中，可以省略第二连接电极CM2。
图8是沿着图7的显示面板10的线E-E'和F-F'截取的截面图。在图8中，与图5、图6A和图6B中所示的元件相同的元件由相同的附图标记指代，并且因此其重复描述将被省略。
参考图8，显示面板10可以包括基底100、像素电路层PCL和显示元件层DEL。基底100可以包括第一区域AR1和第二区域AR2。
像素电路层PCL可以位于基底100上。像素电路层PCL可以包括第一像素电路PC1、无机绝缘层IIL、第一有机绝缘层OIL1、第一连接电极CM1、第二有机绝缘层OIL2和第三有机绝缘层OIL3。
显示元件层DEL可以位于像素电路层PCL上。显示元件层DEL可以包括作为位于第一区域AR1中的第一显示元件的第一有机发光二极管OLED1、作为位于第二区域AR2中的第二显示元件的第二有机发光二极管OLED2以及像素限定膜215。在实施例中，第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2可以位于第三有机绝缘层OIL3上。
第一有机发光二极管OLED1可以电连接到第一像素电路PC1。第一有机发光二极管OLED1可以包括第一电极211A、第一发射层212A和对电极213。第一电极211A可以具有第一厚度t1。
在实施例中，第一电极211A可以包括第一层L1和第二层L2。在另一个实施例中，第一电极211A可以包括第一层L1、第二层L2和第三层L3。第二层L2和第三层L3可以覆盖第一层L1。在实施例中，第二层L2可以覆盖第一层L1的顶表面和第一层L1的侧表面。
第一层L1和第三层L3中的至少一者可以包括铟(In)、锡(Sn)和氧(O)中的至少一者。第二层L2可以包括反射膜。因此，第一有机发光二极管OLED1可以在一个方向上发射光。例如，第一有机发光二极管OLED1可以在远离基底100的方向(例如z方向)上发射光。
第一发射层212A可以位于第一电极211A上。第一发射层212A可以在平面图中与像素限定膜215的第一电极开口部分215OP1重叠。
第二有机发光二极管OLED2可以包括第二电极211B、第二发射层212B和对电极213。第二电极211B可以具有第二厚度t2。在实施例中，第二厚度t2可以小于第一厚度t1。在实施例中，第二厚度t2与第一厚度t1之间的差可以是第二层L2的厚度和第三层L3的厚度之和。第二电极211B可以包括铟(In)、锡(Sn)和氧(O)中的至少一者。因此，第二电极211B的透射率(例如透光率)可以高于第一电极211A的透射率。在实施例中，第二电极211B可以不包括反射膜。因此，第二有机发光二极管OLED2可以从相对两侧发射光。例如，第二有机发光二极管OLED2可以在接近基底100的方向(例如，-z方向)和远离基底100的方向(例如，z方向)上发射光。
第二发射层212B可以位于第二电极211B上。第二发射层212B可以覆盖第二电极211B的顶表面和第二电极211B的侧表面，并且对电极213可以位于第二发射层212B上。因此，第二发射层212B可以防止或减少当对电极213和第二电极211B彼此接触时发生短路。
像素限定膜215可以在平面图中不与第二有机发光二极管OLED2重叠。换言之，像素限定膜215可以限定与第二区域AR2重叠的第二区域开口部分AROP2(参见图6A和图6B)。由于第二电极211B不包括包含银(Ag)的反射膜，因此第二电极211B的侧表面可以不需要被像素限定膜215覆盖。
与在本实施例中不同，当像素限定膜215包括光阻挡材料并且位于第二区域AR2中时，第二区域AR2的透射率(例如透光率)可能降低。在本实施例中，由于像素限定膜215限定第二区域开口部分AROP2(参见图6A和图6B)，因此显示面板10可以在第二区域AR2中保持高透射率(例如透光率)。
图9是沿着图7的显示面板10的线G-G'截取的截面图。在图9中，与图6A、图6B和图7中所示的元件相同的元件由相同的附图标记指代，并且因此其重复描述将被省略。
参考图9，显示面板10可以包括包含第二区域AR2的基底100、像素电路层PCL以及包含作为第二显示元件的第二有机发光二极管OLED2的显示元件层DEL。
像素电路层PCL可以位于基底100上。像素电路层PCL可以包括缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一无机绝缘层115、第一连接布线CWL1、第一有机绝缘层OIL1、第二连接电极CM2、第二有机绝缘层OIL2、第二布线WL2和第三有机绝缘层OIL3。
第一连接布线CWL1可以位于基底100与有机绝缘层之间。在实施例中，第一连接布线CWL1可以位于第一无机绝缘层115与第一有机绝缘层OIL1之间。
第二连接电极CM2可以位于第一有机绝缘层OIL1上。在实施例中，第二连接电极CM2可以位于第一有机绝缘层OIL1与第二有机绝缘层OIL2之间。
布线WL(参见图7)可以位于基底100与显示元件层DEL之间。在实施例中，布线WL可以包括透明导电氧化物。
在实施例中，布线WL(参见图7)可以包括第一布线WL1(参见图7)和第二布线WL2中的至少一者。在实施例中，第一布线WL1和第一连接布线CWL1可以位于同一层上。例如，第一布线WL1可以位于第一无机绝缘层115与第一有机绝缘层OIL1之间。第二布线WL2和第二连接布线CWL2(参见图7)可以位于同一层上。例如，第二布线WL2可以位于第二有机绝缘层OIL2与第三有机绝缘层OIL3之间。在实施例中，第二布线WL2可以通过限定在第二有机绝缘层OIL2中的接触孔电连接到第二连接电极CM2。
显示元件层DEL可以位于像素电路层PCL上。在实施例中，显示元件层DEL可以包括作为位于第二区域AR2中的第二显示元件的第二有机发光二极管OLED2。第二有机发光二极管OLED2可以位于第三有机绝缘层OIL3上。
第二显示元件可以被提供为多个。在实施例中，第二有机发光二极管OLED2可以被提供为多个。第二有机发光二极管OLED2可以包括具有第二厚度t2的第二电极211B、第二发射层212B和对电极213。在实施例中，多个第二有机发光二极管OLED2的第二电极211B可以彼此间隔开。
多个第二显示元件中的任意一个和多个第二显示元件中的另一个可以电连接到彼此。在实施例中，多个第二有机发光二极管OLED2中的任意一个和多个第二有机发光二极管OLED2中的另一个可以电连接到彼此。因此，多个第二有机发光二极管OLED2中的任意一个和多个第二有机发光二极管OLED2中的另一个可以发射相同的光。
布线WL(参见图7)可以将多个第二显示元件中的任意一个电连接到多个第二显示元件中的另一个。在实施例中，布线WL可以将多个第二有机发光二极管OLED2中的任意一个电连接到多个第二有机发光二极管OLED2中的另一个。尽管在图9中第二布线WL2将多个第二有机发光二极管OLED2中的任意一个电连接到的多个第二有机发光二极管OLED2中的另一个，但是在另一实施例中，第一布线WL1(参见图7)可以将多个第二有机发光二极管OLED2中的任意一个电连接到多个第二有机发光二极管OLED2中的另一个。由于布线WL包括透明导电氧化物，因此尽管多个第二有机发光二极管OLED2中的任意一个电连接到多个第二有机发光二极管OLED2中的另一个，但是可以防止或降低显示面板10的在第二区域AR2中的透射率(例如透光率)的减小。
图10是示出根据实施例的显示面板10的第三区域AR3的一部分的平面图。
参考图10，显示面板10可以包括包含第三区域AR3的基底100(参见图4)、作为第三显示元件的第三有机发光二极管OLED3、像素限定膜215、第二像素电路PC2、第三像素电路PC3、第三连接电极CM3和连接布线CWL。
作为第三显示元件的第三有机发光二极管OLED3可以位于第三区域AR3中。第三显示元件可以被提供为多个。在实施例中，第三有机发光二极管OLED3可以被提供为多个。在实施例中，第三有机发光二极管OLED3可以包括第三红色有机发光二极管ROLED3、第三绿色有机发光二极管GOLED3和第三蓝色有机发光二极管BOLED3。在实施例中，可以提供多个第三红色有机发光二极管ROLED3、多个第三绿色有机发光二极管GOLED3和多个第三蓝色有机发光二极管BOLED3。
第三红色有机发光二极管ROLED3、第三绿色有机发光二极管GOLED3和第三蓝色有机发光二极管BOLED3可以分别实现第三红色子像素SPX3-1、第三绿色子像素SPX3-2和第三蓝色子像素SPX3-3。当第三有机发光二极管OLED3被用作第三显示元件时，第三显示元件的发射区域可以由像素限定膜215的第三电极开口部分215OP3限定。在实施例中，第三红色子像素SPX3-1、第三绿色子像素SPX3-2和第三蓝色子像素SPX3-3可以以pentile结构布置。
像素限定膜215可以覆盖第三电极211C的边缘并且可以限定第三电极开口部分215OP3，第三电极开口部分215OP3限定第三有机发光二极管OLED3的发射区域。在实施例中，第三红色有机发光二极管ROLED3可以包括第三红色子像素电极211C1。像素限定膜215可以覆盖第三红色子像素电极211C1的边缘并且可以限定第一开口部分OP3-1，第一开口部分OP3-1限定第三红色有机发光二极管ROLED3的发射区域。第三绿色有机发光二极管GOLED3可以包括第三绿色子像素电极211C2。像素限定膜215可以覆盖第三绿色子像素电极211C2的边缘并且可以限定第二开口部分OP3-2，第二开口部分OP3-2限定第三绿色有机发光二极管GOLED3的发射区域。第三蓝色有机发光二极管BOLED3可以包括第三蓝色子像素电极211C3。像素限定膜215可以覆盖第三蓝色子像素电极211C3的边缘并且可以限定第三开口部分OP3-3，第三开口部分OP3-3限定第三蓝色有机发光二极管BOLED3的发射区域。
多个第三显示元件中的任意一个和多个第三显示元件中的另一个可以电连接到彼此。在实施例中，多个第三有机发光二极管OLED3中的任意一个和多个第三有机发光二极管OLED3中的另一个可以电连接到彼此。因此，一个第三像素电路PC3可以驱动多个第三有机发光二极管OLED3。
多个第三显示元件中的任意一个的第三电极211C和多个第三显示元件中的另一个的第三电极211C可以彼此一体地被提供。在实施例中，多个第三有机发光二极管OLED3中的任意一个的第三电极211C和多个第三有机发光二极管OLED3中的另一个的第三电极211C可以彼此一体地被提供。因此，多个第三有机发光二极管OLED3中的任意一个和多个第三有机发光二极管OLED3中的另一个可以电连接到彼此。
在实施例中，第二像素电路PC2和第三像素电路PC3可以位于第三区域AR3中。
第三连接电极CM3可以电连接到第三像素电路PC3。第三连接电极CM3可以将第三像素电路PC3电连接到作为第三显示元件的第三有机发光二极管OLED3。在一些实施例中，可以省略第三连接电极CM3。
连接布线CWL可以电连接到第二像素电路PC2。连接布线CWL可以将第二像素电路PC2电连接到作为第二显示元件的第二有机发光二极管OLED2(参见图6A和图6B)。连接布线CWL可以包括第一连接布线CWL1和第二连接布线CWL2中的至少一者。在实施例中，连接布线CWL可以包括第一连接布线CWL1和第二连接布线CWL2。
图11是沿着图10的显示面板10的线H-H'截取的截面图。在图11中，与图10中所示的元件相同的元件由相同的附图标记指代，并且因此其重复描述将被省略。
参考图11，显示面板10可以包括包含第三区域AR3的基底100、像素电路层PCL以及包含作为第三显示元件的第三有机发光二极管OLED3的显示元件层DEL。
像素电路层PCL可以位于基底100上。像素电路层PCL可以包括无机绝缘层IIL、第三像素电路PC3、第一有机绝缘层OIL1、第三连接电极CM3、第二有机绝缘层OIL2和第三有机绝缘层OIL3。无机绝缘层IIL可以包括缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一无机绝缘层115、第二无机绝缘层117和层间绝缘层119。
第三像素电路PC3可以位于第三区域AR3中。第三像素电路PC3可以包括第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2和存储电容器Cst。
第三连接电极CM3可以位于第一有机绝缘层OIL1上。第三连接电极CM3可以位于第一有机绝缘层OIL1与第二有机绝缘层OIL2之间。
显示元件层DEL可以位于像素电路层PCL上。在实施例中，显示元件层DEL可以包括作为位于第三区域AR3中的第三显示元件的第三有机发光二极管OLED3以及像素限定膜215。第三有机发光二极管OLED3可以位于第三有机绝缘层OIL3上。
第三有机发光二极管OLED3可以电连接到第三像素电路PC3。在第三区域AR3中，第三区域AR3中的第三有机发光二极管OLED3可以电连接到第三像素电路PC3以实现第三像素PX3。
第三显示元件可以被提供为多个。在实施例中，第三有机发光二极管OLED3可以被提供为多个。第三有机发光二极管OLED3可以包括第三电极211C、第三发射层212C和对电极213。
第三电极211C可以具有第三厚度t3。第三厚度t3可以是第三电极211C的底表面与第三电极211C的顶表面之间的距离。例如，第三电极211C的底表面可以面向基底100。第三电极211C的与第三电极211C的底表面背对的顶表面可以面向第三发射层212C。在实施例中，第三厚度t3可以大于第二厚度t2(参见图8)。
在实施例中，第三电极211C可以包括多个层。在实施例中，第三电极211C可以包括第一层L1和第二层L2。在另一实施例中，第三电极211C可以包括第一层L1、第二层L2和第三层L3。第二层L2和第三层L3可以覆盖第一层L1。在实施例中，第二层L2可以覆盖第一层L1的顶表面和第一层L1的侧表面。第一层L1可以包括铟(In)、锡(Sn)和氧(O)中的至少一者。第二层L2可以包括反射膜。第三层L3可以包括铟(In)、锡(Sn)和氧(O)中的至少一者。
多个第三显示元件中的任意一个和多个第三显示元件中的另一个可以电连接到彼此。在实施例中，多个第三有机发光二极管OLED3中的任意一个与多个第三有机发光二极管OLED3中的另一个可以电连接到彼此。因此，一个第三像素电路PC3可以驱动多个第三有机发光二极管OLED3。
多个第三显示元件中的任意一个的第三电极211C和多个第三显示元件中的另一个的第三电极211C可以彼此一体地被提供。在实施例中，多个第三有机发光二极管OLED3中的任意一个的第三电极211C和多个第三有机发光二极管OLED3中的另一个的第三电极211C可以彼此一体地被提供。因此，多个第三有机发光二极管OLED3中的任意一个和多个第三有机发光二极管OLED3中的另一个可以电连接到彼此。
像素限定膜215可以限定第三电极开口部分215OP3并且可以位于第三电极211C上，第三电极211C的中心部分通过第三电极开口部分215OP3暴露。第三电极开口部分215OP3可以限定由第三有机发光二极管OLED3发射的光的发射区域。
像素限定膜215和第三发射层212C可以将第三电极211C与对电极213分开。因此，像素限定膜215和第三发射层212C可以防止或减少当对电极213和第三电极211C彼此接触时发生短路。
第三发射层212C可以位于第三电极211C上。第三发射层212C可以在平面图中与第三电极开口部分215OP3重叠。第三发射层212C可以包括低分子量材料或高分子量材料，并且与第一发射层212A(参见图5)一样，可以发射红光、绿光、蓝光或白光。对电极213可以位于第三发射层212C上。
图12A至图12I是示出根据实施例的制造显示设备的方法的截面图。在图12A至12I中，与图8中所示的元件相同的元件由相同的附图标记指代，并且因此其重复描述将被省略。
参考图12A，基底100可以包括第一区域AR1和第二区域AR2。像素电路层PCL可以位于基底100上。在实施例中，像素电路层PCL可以包括第一像素电路PC1、无机绝缘层IIL、第一有机绝缘层OIL1、第一连接电极CM1、第二有机绝缘层OIL2和第三有机绝缘层OIL3。第一像素电路PC1可以包括第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2和存储电容器Cst。在实施例中，第一连接电极CM1可以通过限定在第二有机绝缘层OIL2中的接触孔和限定在第三有机绝缘层OIL3中的接触孔暴露。
参考图12B，可以在第一区域AR1中形成第一层L1，并且可以在第二区域AR2中形成第二电极211B。在实施例中，第一层L1和第二电极211B可以彼此间隔开。在实施例中，第一层L1可以通过限定在第二有机绝缘层OIL2中的接触孔和限定在第三有机绝缘层OIL3中的接触孔接触第一连接电极CM1。
在实施例中，包括透明导电氧化物的导电层可以全部形成在第一区域AR1和第二区域AR2中。在实施例中，可以通过使用溅射法来形成导电层。在实施例中，导电层可以包括铟(In)、锡(Sn)和氧(O)中的至少一者。例如，导电层可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。
接下来，可以使导电层图案化以形成第一层L1和第二电极211B。在实施例中，导电层可以被湿式蚀刻并且可以被固化。因此，导电层可以结晶以形成第一层L1和第二电极211B。
参考图12C，可以形成第二层L2和第三层L3。第二层L2和第三层L3可以全部形成在第一区域AR1和第二区域AR2中。在实施例中，第二层L2和第三层L3可以覆盖第一层L1。第二层L2和第三层L3可以覆盖第二电极211B。
在实施例中，第二层L2可以包括反射膜。第二层L2可以包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物。
在实施例中，第三层L3可以包括铟(In)、锡(Sn)和氧(O)中的至少一者。在实施例中，第三层L3可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。
参考图12D，可以形成光致抗蚀剂图案PR。光致抗蚀剂图案PR可以形成在第一区域AR1中。光致抗蚀剂图案PR可以形成在第一层L1上。在实施例中，光致抗蚀剂图案PR可以包括有机绝缘材料。
参考图12E，可以至少部分地去除第二层L2和第三层L3。可以去除不与光致抗蚀剂图案PR重叠的第二层L2和第三层L3。在实施例中，第二层L2和第三层L3可以被湿式蚀刻。因此，可以暴露位于第二区域AR2中的第二电极211B。在实施例中，由于第二电极211B如上所述结晶，因此在第二层L2和第三层L3被湿式蚀刻时第二电极211B可以不被去除。
由于光致抗蚀剂图案PR与位于第一区域AR1中的第一层L1、第二层L2和第三层L3重叠，所以与光致抗蚀剂图案PR重叠的第一层L1、第二层L2和第三层L3可以不被使用湿式蚀刻去除。在对第二层L2和第三层L3进行至少部分地湿式蚀刻的工艺中，光致抗蚀剂图案PR可以保护位于第一区域AR1中的第一层L1，使得第一层L1保持为预设的形状或尺寸。
参考图12F，可以去除光致抗蚀剂图案PR。可以通过使用显影工艺去除光致抗蚀剂图案PR。接下来，在实施例中，第二层L2和第三层L3可以被固化以形成第一电极211A。
第一电极211A可以具有第一厚度t1。第二电极211B可以具有第二厚度t2。在实施例中，第二厚度t2可以小于第一厚度t1。在实施例中，第二厚度t2与第一厚度t1之间的差可以是第二层L2的厚度和第三层L3的厚度之和。第二电极211B的透射率(例如透光率)可以高于第一电极211A的透射率。
参考图12G，可以形成像素限定膜215。在实施例中，像素限定膜215可以全部形成在第一区域AR1和第二区域AR2中。像素限定膜215可以覆盖第一电极211A和第二电极211B。在实施例中，像素限定膜215可以进一步覆盖第一电极211A的边缘。
像素限定膜215可以包括有机绝缘材料。在另一实施例中，像素限定膜215可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)或氧化硅(SiO2)的无机绝缘材料。在另一实施例中，像素限定膜215可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。在一些实施例中，像素限定膜215可以包括光阻挡材料，并且可以是黑色的。光阻挡材料可以包括包含碳黑、碳纳米管或黑色染料的树脂或糊剂、诸如镍、铝、钼或它们的合金的金属颗粒、金属氧化物颗粒(例如氧化铬)或者金属氮化物颗粒(例如氮化铬)。当像素限定膜215包括光阻挡材料时，可以减少由位于像素限定膜215下面的金属结构对外部光的反射。
参考图12H，可以去除像素限定膜215的至少一部分。在实施例中，与第一电极211A重叠的第一电极开口部分215OP1可以形成在第一区域AR1中。第一电极开口部分215OP1可以暴露第一电极211A的至少一部分。此外，像素限定膜215仍可以覆盖第一电极211A的边缘。
可以去除位于第二区域AR2中的像素限定膜215。换言之，可以形成像素限定膜215的与第二区域AR2重叠的第二区域开口部分AROP2(参见图6A和图6B)。因此，可以暴露第二电极211B。在实施例中，可以暴露第二电极211B的顶表面和第二电极211B的侧表面。在这种情况下，所制造的显示设备和/或显示面板在第二区域AR2中的透射率(例如透光率)可以增加。此外，由于第二电极211B不包括包含银(Ag)的反射膜，因此第二电极211B的侧表面可以不需要被像素限定膜215覆盖。
参考图12I，第一发射层212A可以形成在第一区域AR1中。第一发射层212A可以与第一电极开口部分215OP1重叠。在实施例中，第一发射层212A可以形成在第一电极211A上。
第二发射层212B可以形成在第二区域AR2中。第二发射层212B可以形成在第二电极211B上。第二发射层212B可以覆盖第二电极211B。在实施例中，第二发射层212B可以覆盖第二电极211B的顶表面和第二电极211B的侧表面。
对电极213可以形成在第一区域AR1和第二区域AR2中。对电极213可以形成在第一发射层212A和第二发射层212B上。在第一区域AR1中，像素限定膜215和第一发射层212A可以将第一电极211A与对电极213分开。因此，可以防止或减少在制造的显示设备和/或显示面板中发生短路。在第二区域AR2中，第二发射层212B可以覆盖第二电极211B的顶表面和第二电极211B的侧表面。因此，可以防止或减少在制造的显示设备和/或显示面板中发生短路。
第一电极211A、第一发射层212A和对电极213可以构成第一有机发光二极管OLED1。第二电极211B、第二发射层212B和对电极213可以构成第二有机发光二极管OLED2。
如上所述，根据实施例，第二显示元件包括具有比第一显示元件的第一电极的厚度小的厚度的第二电极，从而增加了显示设备的在第二区域中的透射率。此外，多个第二显示元件中的任意一个和多个第二显示元件中的另一个可以电连接到彼此，并且显示设备可以在第二区域中保持高分辨率。
根据实施例，可以提供限定与第二区域重叠的第二区域开口部分的像素限定膜。因此，显示设备可以在第二区域中保持高透射率。
应理解的是，本文中描述的实施例应被视为仅是描述性意义的，并且不是出于限制的目的。对每个实施例中的特征或方面的描述通常应被视为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。虽然已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离如所附权利要求所限定的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上对一个或多个实施例进行各种改变。

Claims (20)

1.一种显示设备，其中，所述显示设备包括：
基底，包括第一区域和第二区域；以及
显示元件层，包括第一显示元件和第二显示元件，其中，所述第一显示元件包括具有第一厚度的第一电极并且位于所述第一区域中，并且所述第二显示元件包括具有第二厚度的第二电极并且位于所述第二区域中，所述第二厚度小于所述第一厚度，
其中，所述第二显示元件被提供为多个第二显示元件，
其中，所述多个第二显示元件中的一个和所述多个第二显示元件中的另一个电连接到彼此。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一电极包括包含铟、锡和氧中的至少一者的第一层以及包含银的第二层，并且
所述第二电极包括铟、锡和氧中的至少一者。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示元件层还包括像素限定膜，所述像素限定膜覆盖所述第一电极的边缘，并且限定在平面图中与所述第一电极重叠的第一电极开口部分和与所述第二区域重叠的第二区域开口部分。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述像素限定膜包括光阻挡材料。
5.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述第一显示元件还包括在所述平面图中与所述第一电极开口部分重叠的第一发射层，并且
所述第二显示元件还包括位于所述第二电极上且覆盖所述第二电极的侧表面的第二发射层。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括位于所述基底与所述显示元件层之间的布线，
其中，所述布线被配置为将所述多个第二显示元件中的所述一个电连接到所述多个第二显示元件中的所述另一个。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述基底还包括与所述第二区域相邻的第三区域，
其中，所述显示设备还包括：
第一像素电路，电连接到所述第一显示元件且位于所述第一区域中；
第二像素电路，电连接到所述第二显示元件且位于所述第三区域中；以及
连接布线，从所述第三区域延伸到所述第二区域，并且所述连接布线将所述第二显示元件电连接到所述第二像素电路。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括位于所述基底与所述显示元件层之间的有机绝缘层，
其中，所述连接布线包括位于所述基底与所述有机绝缘层之间的第一连接布线和位于所述有机绝缘层与所述显示元件层之间的第二连接布线中的至少一者。
9.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述显示元件层还包括第三显示元件，所述第三显示元件位于所述第三区域中并且包括具有第三厚度的第三电极，
其中，所述第三显示元件被提供为多个第三显示元件，
其中，所述多个第三显示元件中的一个的所述第三电极和所述多个第三显示元件中的另一个的所述第三电极彼此一体地被提供。
10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括在平面图中与所述第二区域重叠的组件。
11.一种显示设备，其中，所述显示设备包括：
基底，包括第一区域和第二区域；以及
显示元件层，包括第一显示元件、第二显示元件和像素限定膜，
其中，所述第一显示元件包括第一电极并且位于所述第一区域中，
所述第二显示元件包括第二电极并且位于所述第二区域中，并且
所述像素限定膜覆盖所述第一电极的边缘，并且限定在平面图中与所述第一电极重叠的第一电极开口部分和与所述第二区域重叠的第二区域开口部分。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述第一电极具有第一厚度，并且
所述第二电极具有第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述第一电极包括包含铟、锡和氧中的至少一者的第一层和包含银的第二层，并且
所述第二电极包括铟、锡和氧中的至少一者。
14.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述像素限定膜包括光阻挡材料。
15.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述第一显示元件还包括在所述平面图中与所述第一电极开口部分重叠的第一发射层，并且
所述第二显示元件还包括位于所述第二电极上且覆盖所述第二电极的侧表面的第二发射层。
16.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括位于所述基底与所述显示元件层之间的布线，
其中，所述第二显示元件被提供为多个第二显示元件，
其中，所述布线被配置为将所述多个第二显示元件中的一个电连接到所述多个第二显示元件中的另一个。
17.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述基底还包括与所述第二区域相邻的第三区域，
其中，所述显示设备还包括：
第一像素电路，电连接到所述第一显示元件且位于所述第一区域中；
第二像素电路，电连接到所述第二显示元件且位于所述第三区域中；以及
连接布线，从所述第三区域延伸到所述第二区域，并且所述连接布线将所述第二显示元件电连接到所述第二像素电路。
18.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括位于所述基底与所述显示元件层之间的有机绝缘层，
其中，所述连接布线包括位于所述基底与所述有机绝缘层之间的第一连接布线和位于所述有机绝缘层与所述显示元件层之间的第二连接布线中的至少一者。
19.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述显示元件层还包括第三显示元件，所述第三显示元件位于所述第三区域中并且包括具有第三厚度的第三电极，
其中，所述第三显示元件被提供为多个第三显示元件，
其中，所述多个第三显示元件中的一个的所述第三电极和所述多个第三显示元件中的另一个的所述第三电极彼此一体地被提供。
20.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括在所述平面图中与所述第二区域重叠的组件。
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