CN117016058A - 透明导电性压电层叠膜 - Google Patents

透明导电性压电层叠膜 Download PDF

Info

Publication number
CN117016058A
CN117016058A CN202280022147.3A CN202280022147A CN117016058A CN 117016058 A CN117016058 A CN 117016058A CN 202280022147 A CN202280022147 A CN 202280022147A CN 117016058 A CN117016058 A CN 117016058A
Authority
CN
China
Prior art keywords
transparent conductive
piezoelectric
film
transparent
conductor layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202280022147.3A
Other languages
English (en)
Inventor
今治诚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kureha Corp
Original Assignee
Kureha Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kureha Corp filed Critical Kureha Corp
Publication of CN117016058A publication Critical patent/CN117016058A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/877—Conductive materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/04—Coating
    • C08J7/042—Coating with two or more layers, where at least one layer of a composition contains a polymer binder
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/04—Coating
    • C08J7/044—Forming conductive coatings; Forming coatings having anti-static properties
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00—Measuring force or stress, in general
    • G01L1/16—Measuring force or stress, in general using properties of piezoelectric devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H10N30/857—Macromolecular compositions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

本发明提供一种实现高透明性和低电阻的透明导电性压电层叠膜。本发明涉及一种透明导电性压电层叠膜，其依次层叠有压电膜、第一导电体层、金属层以及第二导电体层，所述金属层包含银或银合金。

Description

透明导电性压电层叠膜
技术领域
本发明涉及一种透明导电性压电层叠膜以及具备该透明导电性压电层叠膜的器件。
背景技术
作为能通过直接接触于图像显示部而输入信息的器件，广泛使用触摸面板。作为该代表性的形式，具有利用在透明电极与手指之间产生的电流容量的变化的电容式触摸面板(专利文献1)。
触摸面板所利用的位置检测传感器中使用透明导电膜，例如，在PET膜上成膜了ITO(氧化铟锡)后通过加热处理(150℃左右)提高ITO的结晶性，由此实现低电阻和高透过率。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平5-324203号公报
发明内容
发明要解决的问题
最近，对同时感测由手指等接触操作面时的位置和按压的技术关注越发提高，提出了通过将由压电传感器构成的按压检测传感器组合来实现。
然而，用于压电传感器的透明导电压电膜当如PET膜那样进行高温下的加热处理时，电阻会变差或会损害膜的色调，因此难以用于触摸面板。
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供一种实现高透明性和低电阻的透明导电性压电层叠膜。
技术方案
本发明人等发现，当是如下透明导电性压电层叠膜时，能解决上述问题，从而完成了本发明，所述透明导电性压电层叠膜层叠有压电膜、第一导电体层、包含银或银合金的金属层以及第二导电体层。具体而言，本发明涉及以下内容。
本发明涉及一种透明导电性压电层叠膜，其依次层叠有压电膜、第一导电体层、金属层以及第二导电体层，上述金属层包含银或银合金。
就上述透明导电性压电层叠膜而言，优选的是，在X射线衍射测定中，在35°±2°的范围内具有衍射峰。
就上述透明导电性压电层叠膜而言，优选的是，从上述第二导电体层侧测定出的表面电阻为30Ω/sq以下。
优选的是，上述压电膜包含氟系树脂。
优选的是，上述金属层的厚度为1nm～12nm。
就上述透明导电性压电层叠膜而言，优选的是，总透光率为85％以上。
就上述透明导电性压电层叠膜而言，优选的是，L*a*b*表色系中的b*为-3～3。
就上述透明导电性压电层叠膜而言，优选的是，在压电膜的上述第一导电体层侧的压电膜的面进一步具备透明涂层。
优选的是，上述透明涂层含有微粒。
本发明还涉及一种器件，其具备上述透明导电性压电层叠膜。
有益效果
根据本发明，能提供一种实现高透明性和低电阻的透明导电性压电层叠膜。
附图说明
图1是示意性地表示本发明的透明导电性压电层叠膜的一个实施方式的剖视图。
图2是示意性地表示本发明的透明导电性压电层叠膜的另一实施方式的剖视图。
图3是实施例1的X射线衍射测定的结果。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式(以下，称为“本实施方式”)详细地进行说明，但本发明不限定于此，可以在不脱离其主旨的范围内进行各种变形。
《透明导电性压电层叠膜》
本发明的透明导电性压电层叠膜依次层叠有压电膜、第一导电体层、金属层以及第二导电体层，所述金属层包含银或银合金。
需要说明的是，在本说明书中，“层叠”是指只要各层按顺序层叠即可，也可以在各层之间层叠其他层。
<透明导电性压电层叠膜的特性>
透明导电性压电层叠膜优选在X射线衍射测定中，在35°±2°的范围内具有衍射峰。通过这样的特征，不需要提高导电性的高温加热处理，容易防止压电膜的性能降低，容易提供实现高透明性和低电阻的透明导电性压电层叠膜。
需要说明的是，在本说明书中，上述X射线衍射测定的方法通过面内(in-plane)法进行。此外，在本说明书中，“在35°±2°的范围内具有衍射峰”是指，在将连结31°的衍射角(2θ)下的衍射强度(I31)与39°的衍射角(2θ)下的衍射强度(I39)的直线设定为基线的情况下，在35°±2°的范围内观察到基线的衍射强度(定义为I31与I39的平均值)的2倍以上(优选为3倍以上)的衍射强度的峰状部分。
作为用于得到上述特征的方法，没有特别限定，例如可列举出：形成包含银合金的金属层等。
透明导电性压电层叠膜的从第二导电体层侧测定出的表面电阻优选为30Ω/sq以下，更优选为20Ω/sq以下。表面电阻的下限没有特别限定，例如为1Ω/sq。
需要说明的是，在本说明书中，上述表面电阻依据JIS K 7194进行测定。
透明导电性压电层叠膜的总透光率优选为80％以上，更优选为85％。总透光率的上限没有特别限定，例如为95％。
需要说明的是，在本说明书中，上述总透光率依据JIS K 7361-1进行测定。
透明导电性压电层叠膜的雾度值优选为1.8％以下，更优选为1.0％以下，进一步优选为0.7％以下。雾度值的下限没有特别限定。
需要说明的是，在本说明书中，上述雾度值依据JIS K 7136进行测定。
透明导电性压电层叠膜的L*优选为80以上，更优选为90以上。L*的上限没有特别限定。
透明导电性压电层叠膜的a*优选为-3～3，更优选为-2～2。
透明导电性压电层叠膜的b*优选为-3～3，更优选为-2～2。
需要说明的是，在本说明书中，L*a*b*表色系中的上述L*、a*以及b*依据JIS Z8722进行测定。
透明导电性压电层叠膜的厚度优选为10μm～200μm，更优选为20μm～100μm。若透明导电性压电层叠膜的厚度为10μm以上，则存在机械强度变得充分的倾向。此外，若透明导电性压电层叠膜的厚度为200μm以下，则存在透明性充分，因此容易用于光学用途的倾向。
接着，参照附图对透明导电性层叠膜的各层进行说明。
图1是示意性地表示透明导电性压电层叠膜的一个实施方式的剖视图。透明导电性压电层叠膜1依次层叠有压电膜11、第一导电体层31、金属层41以及第二导电体层32。即，金属层41配置于一对导电体层之间。一对导电体层中，将配置于压电膜11侧的层称为第一导电体层31，将比该第一导电体层31远离压电膜11而配置的层称为第二导电体层32。
图2是示意性地表示本发明的透明导电性压电层叠膜的另一实施方式的剖视图。透明导电性压电层叠膜2以夹着压电膜11的方式具备一对透明涂层(第一透明涂层21和第二透明涂层22)，在此方面与透明导电性压电层叠膜1不同。其他构成与透明导电性压电层叠膜1相同。
<压电膜>
压电膜11是具有压电性(将施加的力转换为电压的性质或将施加的电压转换为力的性质)的膜(薄膜)。
作为压电膜11，例如可列举出：氟系树脂；二氰亚乙烯系聚合物；尼龙9、尼龙11等奇数尼龙；聚乳酸等螺旋手性高分子；聚羟基丁酸酯等聚羟基羧酸酯；纤维素系衍生物；聚脲；等。
作为氟系树脂，可列举出：聚偏氟乙烯(PVDF)、偏氟乙烯系共聚物(例如，偏氟乙烯/三氟乙烯共聚物、偏氟乙烯/三氟乙烯/三氟氯乙烯共聚物、六氟丙烯/偏氟乙烯共聚物、全氟乙烯基醚/偏氟乙烯共聚物、四氟乙烯/偏氟乙烯共聚物、六氟环氧丙烷/偏氟乙烯共聚物、六氟环氧丙烷/四氟乙烯/偏氟乙烯共聚物、六氟丙烯/四氟乙烯/偏氟乙烯共聚物)；四氟乙烯系聚合物；三氟氯乙烯系聚合物；等。它们可以单独使用一种或组合使用两种以上。
其中，从所得到的压电性高、耐候性、耐热性等观点考虑，优选氟系树脂，更优选聚偏氟乙烯和/或偏氟乙烯系共聚物。
压电膜11可以进一步含有通常使用的添加剂(填料、表面活性剂等)。
压电膜11的厚度优选为10μm～200μm，更优选为20μm～100μm。若压电膜11的厚度为上述数值范围内、10μm以上，则存在机械强度变得充分的倾向。此外，若压电膜11的厚度为200μm以下，则存在透明性充分，因此容易用于光学用途的倾向。
<导电体层>
导电体层(第一导电体层31和第二导电体层32)是显示导电性的透明的层。若将金属层制成薄膜以显示可见光的透过性，则对氧、水蒸气、热等的稳定性降低，但通过用透明度高且不损害导电性的导电体层夹着金属层，耐环境性得到改善。
作为构成导电体层的材料，例如可列举出：氧化铟锡(ITO)、氧化铟、氧化锡、氧化锌、氧化锌铟、氧化铝、氧化镓等金属氧化物；聚噻吩系、聚苯胺系的导电性有机高分子；等。它们可以单独使用一种或组合使用两种以上。
其中，从提高银薄膜的可见光区域的光的透过率的观点考虑，优选介电常数大的金属氧化物，更优选氧化铟锡。
导电体层也可以在不损害其功能的范围内含有微量成分、不可避免的成分。
导电体层的厚度优选为10nm～55nm，更优选为20nm～45nm。若导电体层的厚度为上述数值范围内，则可见光的透过率容易变高。
导电体层中，设于压电膜11侧的第一导电体层31和远离压电膜11设置的第二导电体层32在厚度、结构以及组成方面可以相同也可以不同。
在第二导电体层32之上也可以设置布线电极等。将后述的金属层41导通的电流通过第二导电体层32，被引导至设于第二导电体层32之上的布线电极等。
<金属层>
金属层41是包含金属作为主要成分的层，包含银(Ag)或银合金(Ag合金)。金属层41具有高导电性，由此不需要提高上述的导电体层的结晶性的高温加热处理，因此能防止压电膜的性能降低，并且充分降低透明导电性压电层叠膜的表面电阻值。此外，包含银(Ag)或银合金(Ag合金)作为金属层，因此例如与金属层为Au、Cu或Al的情况相比，能提高透过率。
作为构成Ag合金的金属元素，可列举出选自Au、Pd、Nd、Bi、Cu、Sb、Bi、In、Sn、Ge、Nb、Ti、Ru、Al、Ga以及Gd中的至少一种。作为优选的Ag合金，可列举出：Ag-Pd、Ag-Cu、Ag-Ge、Ag-Bi、Ag-Nd、Ag-In以及Ag-Nb。这样的Ag合金也可以含有其他金属元素等添加物。因此，金属层41也可以含有三种以上金属元素。金属层41中的添加物的含量例如为2.5质量％以下。若该含量大于2.5质量％，则存在总透光率降低的倾向或电阻值变高的倾向。
从可见光的透过性的观点考虑，金属层41的厚度优选为20nm以下，更优选为1nm～12nm。
<透明涂层>
透明导电性压电层叠膜2在压电膜11的第一导电体层31侧的压电膜11的面具备第一透明涂层21，以及在与压电膜11的第一导电体层31侧相反侧的压电膜11的面具备第二透明涂层22作为一对透明涂层。即，透明导电性压电层叠膜2具有第二透明涂层22、压电膜11、第一透明涂层21、第一导电体层31、金属层41以及第二导电体层32依次层叠而成的层叠结构。第一透明涂层21与第二透明涂层22的厚度、结构以及组成可以相同也可以不同。此外，不需要一定具备第一透明涂层21和第二透明涂层22这两者，也可以仅具备其中的任一者。
作为透明涂层，例如可列举出：硬涂层、光学调整层、底涂层。透明涂层可以是它们的单独层，也可以组合的多个层。
通过设置透明涂层，能进一步抑制在透明导电性压电层叠膜2产生的损伤，并且进一步提高透明导电性压电层叠膜2的透过性。
透明涂层例如含有使树脂组合物固化而得到的树脂固化物。树脂组合物优选包含选自热固性树脂组合物、紫外线固化性树脂组合物以及电子束固化性树脂组合物中的至少一种。树脂组合物也可以包含选自(甲基)丙烯酸酯树脂、氨基甲酸酯树脂、环氧系树脂、苯氧系树脂、以及三聚氰胺系树脂中的至少一种。
树脂组合物例如是包含具有(甲基)丙烯酰基、乙烯基等能量射线反应性基团的固化性化合物的组合物。需要说明的是，(甲基)丙烯酰基的表述是指包括丙烯酰基和甲基丙烯酰基中的至少一者。固化性化合物优选包含在一个分子内包含两个以上，优选包含三个以上能量射线反应性基团的多官能单体或低聚物。
若使用利用能量射线而固化的树脂组合物，则可以通过照射紫外线等能量射线来使树脂组合物固化。因此，从制造工序上的观点考虑，也优选使用这样的树脂组合物。
固化性化合物优选含有丙烯酸系单体。作为丙烯酸系单体，可列举出：氨基甲酸酯改性丙烯酸酯和环氧改性丙烯酸酯等。
从提高涂膜的强度、调整折射率、提高透明导电性压电层叠膜的透过性等观点考虑，树脂组合物优选包含微粒(有机微粒和/或无机微粒)。特别是，从透明涂层与第一导电体层的密合性的观点考虑，更优选包含无机微粒。作为有机微粒，例如可列举出：有机硅微粒、交联丙烯酸微粒以及交联聚苯乙烯微粒等。作为无机微粒，例如，可列举出：合成二氧化硅粒子、滑石粒子、硅藻土粒子、碳酸钙粒子、长石粒子、石英粒子、氧化铝微粒、氧化锆微粒、氧化钛微粒以及氧化铁微粒等。
微粒的平均粒径小于透明涂层的厚度，从确保充分的透明性的观点考虑，可以为100nm以下。另一方面，从胶体溶液的制造上的观点考虑，微粒的平均粒径可以为5nm以上，也可以为10nm以上。在使用有机微粒和/或无机微粒的情况下，有机微粒和无机微粒的合计量相对于固化性化合物100质量份例如可以为5质量份～500质量份，也可以为20质量份～200质量份。
需要说明的是，在本说明书中，平均粒径是指通过电子显微镜法(SEM)法测定出的体积基准的累积平均粒径(D50)。
若透明涂层过薄，则有时透明涂层无法充分覆盖压电膜的表面的微细的凹凸形状，无法充分得到降低压电膜的雾度的效果。此外，若透明涂层过厚，则有时透明导电性压电层叠膜的压电性不充分。因此，从降低压电膜的雾度的观点考虑，第一透明涂层21和第二透明涂层22的厚度分别优选为0.20μm以上，更优选为0.35μm以上，进一步优选为0.50μm以上。此外，从得到能充分体现压电膜的压电特性的透明导电性压电层叠膜的观点考虑，透明涂层的厚度优选为3.5μm以下，更优选为2.5μm以下，进一步优选为1.5μm以下。通过透明涂层的厚度在上述范围内，能在透明导电性压电层叠膜中，兼顾与用途对应的充分的压电性和透明性。
以上，对本发明的优选的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式。例如，上述透明导电性压电层叠膜2具有一对透明涂层，但也可以仅具备第一透明涂层21和第二透明涂层22中的任一者。此外，在透明导电性压电层叠膜1、2上，也可以在不大幅损害其功能的范围内，在上述的层以外的任意的位置设置任意的层。
<透明导电性压电层叠膜的用途>
本发明的透明导电性压电层叠膜优选用于电容方式、电阻膜方式等的触摸面板等器件。
上述器件在上述透明导电性压电层叠膜之下进一步具备LCD等通常的显示面板单元。
上述器件优选用于便携式电话、智能手机、移动信息终端、平板PC、笔记本型电脑、销售设备、ATM、FA(Factory Automation：工厂自动化)设备、OA(Office Automation：办公自动化)设备、医疗设备、汽车导航***等的显示装置。
《透明导电性压电层叠膜的制造方法》
本发明的透明导电性压电层叠膜例如可以通过如下方法等制造：在压电膜的至少一个面根据需要形成透明涂层，依次形成第一导电体层、金属层以及第二导电体层。
第一透明涂层可以通过如下方式制作：将树脂组合物的溶液或分散液涂布于压电膜的一个面上并干燥，使树脂组合物固化。此时的涂布可以通过公知的方法进行。作为涂布方法，例如可列举出：挤压喷嘴法(extrusion nozzle method)、刮板法、刮刀法、棒涂法、吻涂法(kiss-coating method)、反向吻式涂布法(kiss reverse method)、凹版辊涂法、浸涂法、反向辊涂法、直接辊涂法、帘式法和挤出法等。第二透明涂层也可以与第一透明涂层同样地在压电膜的另一个面上制作。
<导电体层和金属层的形成方法>
第一导电体层、第二导电体层以及金属层可以通过真空蒸镀法、溅射法、离子电镀法或CVD法等真空成膜法而形成。这些中，从能使成膜室小型化的方面和成膜速度快的方面考虑，优选溅射法。作为靶，可以使用氧化物靶等。
在溅射法中，作为溅射气体，例如可列举出Ar等惰性气体。此外，根据需要，可以并用氧气等反应性气体。在并用反应性气体的情况下，反应性气体的流量比没有特别限定，相对于溅射气体和反应性气体的合计流量比，例如为0.1流量％以上且5流量％以下。
从抑制溅射速率降低、放电稳定性等观点考虑，溅射时的气压例如为1Pa以下，优选为0.7Pa以下。
在溅射法中使用的电源例如可以为DC电源、AC电源、MF电源以及RF电源中的任意种，此外，也可以为它们的组合。
溅射时的温度没有特别限定，但从基材的耐热性的观点考虑，优选为120℃以下，进一步优选为100℃以下。
实施例
以下示出实施例和比较例对本发明进一步进行说明，但本发明并不限定于本实施例。本发明的透明导电性压电层叠膜中的特性通过以下的方法测定，将结果示于表1。
〔表面电阻〕
使用Loresta GP((株)三菱化学分析技术制)，依据JIS K 7194测定出各透明导电性压电层叠膜的表面电阻。需要说明的是，在实施例1和实施例2中从第二导电体层侧测定，在比较例1中从导电体层侧测定。
〔总透光率〕
依据JIS K 7361-1，使用雾度计(“NDH7000SPII”，日本电色工业株式会社制)，测定出各透明导电性压电层叠膜的总透光率。
〔雾度值〕
依据JIS K 7136，使用雾度计(“NDH7000SPII”，日本电色工业株式会社制)，测定出各透明导电性压电层叠膜的雾度值。
〔测色〕
使用分光色彩计(“SE7700”，日本电色工业株式会社制)，通过依据JIS Z 8722的方法对各透明导电性压电层叠膜进行了测定。
〔密合性〕
使用交叉切割法对各透明导电性压电层叠膜的密合性进行了评价。在各透明导电性压电层叠膜的导电体层中，用切割机划出纵横各11条1mm间隔的线，制作出100个网格后，贴附胶带(NICHIBAN株式会社制的Cellotape(注册商标)，粘合力4.01N/10mm)并剥离，由此，基于ASTM D3359，按以下的评价基准对从压电膜剥离的导电体层的比例进行了评价。
0B：65％以上的剥离。
1B：35％以上且小于65％的剥离。
2B：15％以上且小于35％的剥离。
3B：5％以上且小于15％的剥离。
4B：小于5％的剥离。
5B：无剥离。
〔X射线衍射测定(XRD)〕
使用X射线衍射装置，以扫描速度1°/分钟扫描衍射角(2θ)＝15.0°～70.0°的范围，用面内法进行了测定。将测定条件的详情示于以下。将实施例1的测定结果示于图3。在35°±2°的范围内具有衍射峰的情况以〇表示，不具有的情况以×表示。
<测定条件>
装置：株式会社Rigaku制SmartLab。
X射线源：Cu-Kα40kV、30mA。
检测器：SC-70。
步长：0.04°。
扫描范围：15.0°～70.0°。
狭缝：入射狭缝＝0.2mm。
长度控制狭缝＝10mm。
受光狭缝＝20mm。
〔实施例1〕
使由比浓对数粘度为1.10dl/g的聚偏氟乙烯((株)KUREHA制)成型的树脂膜(宽度350mm、长度200m、厚度120μm)以拉伸倍率成为4.2倍的方式进行单轴拉伸。拉伸后，使膜通过极化辊进行极化处理，得到了压电膜。此时，直流电压一边从0kV增加至12.0kV一边施加，由此进行了极化处理。进一步在130℃下对极化处理后的膜进行1分钟热处理，由此得到了厚度为40μm的透明压电膜。
用刮棒涂布机将由丙烯酸树脂形成的含有非晶质二氧化硅(平均粒径80nm)的紫外线固化性树脂组合物涂布于透明压电膜的单面(第一主面)，在80℃下干燥2分钟。在氮气气氛下，对干燥后的涂膜照射400mJ/cm2的累积光量的UV。进而，在另一个面也进行同样的操作，得到了两面具有厚度为1.0μm的第一透明涂层和第二透明涂层的膜。
在第一透明涂层上，通过将含有90质量％的氧化铟、10质量％的氧化锡的烧结体材料用作靶的反应性溅射法，形成了厚度40nm的第一导电体层。
在第一导电体层上，通过使用Ag合金(Ag-Pd-Cu-Ge系)靶的反应性溅射法，形成了厚度8nm的金属层。
在金属层上，通过将含有90质量％的氧化铟、10质量％的氧化锡的烧结体材料用作靶的反应性溅射法，形成了厚度40nm的第二导电体层。
得到了如图2所示的透明导电性压电层叠膜(第二透明涂层/压电膜/第一透明涂层/第一导电体层/金属层/第二导电体层)。
〔实施例2〕
在透明涂层的形成中，使用由不含有非晶质二氧化硅的丙烯酸树脂形成的紫外线固化性树脂组合物来代替由丙烯酸树脂形成的含有非晶质二氧化硅的紫外线固化性树脂组合物，除此以外，与实施例1同样地得到了透明导电性压电层叠膜(第二透明涂层/压电膜/第一透明涂层/第一导电体层/金属层/第二导电体层)。
〔比较例1〕
与实施例1同样地得到了厚度为40μm的透明压电膜。
接着，在透明压电膜上，通过将含有90质量％的氧化铟、10质量％的氧化锡的烧结体材料用作靶的反应性溅射法，形成厚度40nm的导电体层，由此得到了透明导电性压电层叠膜(压电膜/导电体层)。
〔比较例2〕
与实施例1同样地得到了厚度为40μm的透明压电膜。
用刮棒涂布机将由丙烯酸树脂形成的含有非晶质二氧化硅(平均粒径80nm)的紫外线固化性树脂组合物涂布于透明压电膜的单面(第一主面)，在80℃下干燥2分钟。在氮气气氛下，对干燥后的涂膜照射400mJ/cm2的累积光量的UV，由此得到了具有厚度为1.0μm的透明涂层的压电膜。
接着，在透明涂层上，通过将含有90质量％的氧化铟、10质量％的氧化锡的烧结体材料用作靶的反应性溅射法，形成厚度40nm的导电体层，由此得到了透明导电性压电层叠膜(压电膜/透明涂层/导电体层)。
[表1]
如表1所示，在实施例中，表面电阻低，总透光率高，雾度值低，亮度高。因此，通过本发明确认到，能得到实现高透明性和低电阻的透明导电性压电层叠膜。
需要说明的是，在使用Cu或Al来代替Ag合金作为金属层，除此以外，与实施例1同样地得到的比较例的情况下，550nm下的透过率分别为72％、39％(实施例1：87％)。
此外，在将金属层的厚度设为5nm或10nm，除此以外，与实施例1同样地得到的参考例的情况下，550nm下的透过率分别为86％、85％(实施例1：87％)。
附图标记说明
1、2：透明导电性压电层叠膜；
11：压电膜；
21：第一透明涂层；
22：第二透明涂层；
31：第一导电体层；
32：第二导电体层；
41：金属层。

Claims (10)

1.一种透明导电性压电层叠膜，所述透明导电性压电层叠膜依次层叠有压电膜、第一导电体层、金属层以及第二导电体层，
所述金属层包含银或银合金。
2.根据权利要求1所述的透明导电性压电层叠膜，其中，
在X射线衍射测定中，在35°±2°的范围内具有衍射峰。
3.根据权利要求1所述的透明导电性压电层叠膜，其中，
从所述第二导电体层侧测定出的表面电阻为30Ω/sq以下。
4.根据权利要求1所述的透明导电性压电层叠膜，其中，
所述压电膜含有氟系树脂。
5.根据权利要求1所述的透明导电性压电层叠膜，其中，
所述金属层的厚度为1nm～12nm。
6.根据权利要求1所述的透明导电性压电层叠膜，其中，
总透光率为85％以上。
7.根据权利要求1所述的透明导电性压电层叠膜，其中，
L*a*b*表色系中的b*为-3～3。
8.根据权利要求1所述的透明导电性压电层叠膜，其中，
在所述压电膜的所述第一导电体层侧的所述压电膜的面进一步具备透明涂层。
9.根据权利要求8所述的透明导电性压电层叠膜，其中，
所述透明涂层包含微粒。
10.一种器件，所述器件具备根据权利要求1至9中任一项所述的透明导电性压电层叠膜。
CN202280022147.3A 2021-04-20 2022-03-22 透明导电性压电层叠膜 Pending CN117016058A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021071061 2021-04-20
JP2021-071061 2021-04-20
PCT/JP2022/013198 WO2022224671A1 (ja) 2021-04-20 2022-03-22 透明導電性圧電積層フィルム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117016058A true CN117016058A (zh) 2023-11-07

Family

ID=83722898

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202280022147.3A Pending CN117016058A (zh) 2021-04-20 2022-03-22 透明导电性压电层叠膜

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP4328986A1 (zh)
JP (1) JPWO2022224671A1 (zh)
KR (1) KR20230157437A (zh)
CN (1) CN117016058A (zh)
WO (1) WO2022224671A1 (zh)

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05324203A (ja) 1992-05-22 1993-12-07 Fujitsu Ltd 静電容量型タッチパネル
CN101458602B (zh) 2007-12-12 2011-12-21 清华大学 触摸屏及显示装置
CN106104825B (zh) * 2014-02-26 2019-04-30 大金工业株式会社 双压电晶片型压电膜
WO2015194320A1 (ja) * 2014-06-17 2015-12-23 コニカミノルタ株式会社 透明導電体及びタッチパネル
TWI733819B (zh) * 2016-05-30 2021-07-21 日商日東電工股份有限公司 附透明電極之壓電膜及壓力感測器
JP6836441B2 (ja) * 2017-03-27 2021-03-03 日東電工株式会社 パターン積層体の製造方法
JP2019203194A (ja) * 2018-05-17 2019-11-28 三菱マテリアル株式会社 積層膜、及び、Ａｇ合金スパッタリングターゲット

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230157437A (ko) 2023-11-16
EP4328986A1 (en) 2024-02-28
WO2022224671A1 (ja) 2022-10-27
JPWO2022224671A1 (zh) 2022-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109219895A (zh) 带有透明电极的压电薄膜和压力传感器
CN107112074B (zh) 透明导电性薄膜
CN109313964B (zh) 透明导电体
WO2022091829A1 (ja) 透明導電圧電フィルムおよびタッチパネル
KR101843364B1 (ko) 발수성을 가지는 투명 전극 및 이를 포함하는 면상 발열 히터
CN110088714B (zh) 带载体薄膜的透明导电性薄膜及使用其的触摸面板
CN114467150A (zh) 透明导电性薄膜及其制造方法
JP6709171B2 (ja) 透明導電膜及び透明導電膜の製造方法
CN117016058A (zh) 透明导电性压电层叠膜
JP2018022634A (ja) 透明導電体
JP4917906B2 (ja) 透明導電フィルムおよびその製造方法
CN117044432A (zh) 透明导电性压电层叠膜
WO2022091828A1 (ja) 圧電フィルム、タッチパネル、および圧電フィルムの製造方法
KR20180088777A (ko) 탄화불소 박막의 제조방법 및 이의 제조장치
CN111326277B (zh) 导电性薄膜
TWI835114B (zh) 透明導電性壓電積層膜
KR20170026985A (ko) 탄화불소 박막의 제조방법 및 이의 제조장치
CN116941347A (zh) 导电性压电层叠膜及制造方法
KR102043305B1 (ko) 발수 발유 코팅막 및 이의 제조방법
CN118044357A (zh) 透明导电压电膜、触摸面板以及透明导电压电膜的制造方法
CN117999869A (zh) 透明导电压电膜、器件以及透明导电压电膜的制造方法
KR20200102932A (ko) 광 투과성 도전 필름
KR20180105624A (ko) 발수 발유 코팅막 및 이의 제조방법
KR20200102930A (ko) 광 투과성 도전 필름
KR20200102931A (ko) 광 투과성 도전 필름

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination