JP2019203194A - 積層膜、及び、Ａｇ合金スパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
【課題】例えば１０ｎｍ以下の薄い膜厚のＡｇ合金膜を有し、電気特性及び光学特性に優れ、透明導電配線膜あるいは透明電極に特に適した積層膜、及び、この積層膜を構成するＡｇ合金膜を成膜する際に用いられるＡｇ合金スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】Ａｇ合金膜１１と、このＡｇ合金膜１１の一方の面又は両面に積層された透明導電酸化物膜１２と、を備えた積層膜１０であって、Ａｇ合金膜１１は、Ｇｅを５．０原子％以上１３．０原子％以下の範囲内で含み、残部がＡｇ及び不可避不純物とされた組成とされ、Ａｇ合金膜１１の膜厚が３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内とされている。【選択図】図１
Description
本発明は、例えば、ディスプレイあるいはタッチパネル等の透明導電配線膜あるいは透明電極として利用可能な積層膜、及び、この積層膜を構成するＡｇ合金膜を成膜する際に用いられるＡｇ合金スパッタリングターゲットに関するものである。
例えば、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ、タッチパネル等においては、配線として、例えば特許文献１−３に示すように、透明導電酸化物膜とＡｇ又はＡｇ合金からなるＡｇ膜との積層構造とされた積層膜が適用されている。この積層膜には、可視光域の光の透過率が高く、かつ、電気抵抗の低いものが要求される。
また、ガラス基板等にＡｇ又はＡｇ合金からなるＡｇ膜を成膜する場合には、例えば特許文献４に開示されているように、Ａｇ又はＡｇ合金からなるスパッタリングターゲットを用いたスパッタ法が広く利用されている。
また、ガラス基板等にＡｇ又はＡｇ合金からなるＡｇ膜を成膜する場合には、例えば特許文献４に開示されているように、Ａｇ又はＡｇ合金からなるスパッタリングターゲットを用いたスパッタ法が広く利用されている。
ところで、最近では、ディスプレイあるいはタッチパネル等においては、配線及び電極の微細化がさらに進められており、さらに、大画面化によって配線及び電極の長さが長くなってきており、透明導電配線膜あるいは透明電極として、従来にも増して電気抵抗が低く、かつ、可視光域の透過率に優れた積層膜が求められている。すなわち、この積層膜には、優れた電気特性及び光学特性が求められている。
ここで、透明導電酸化物膜とＡｇ又はＡｇ合金からなるＡｇ膜との積層構造とされた積層膜において、さらなる透過率の向上を図るためには、Ａｇ又はＡｇ合金からなるＡｇ膜の膜厚を薄くする必要がある。
ここで、透明導電酸化物膜とＡｇ又はＡｇ合金からなるＡｇ膜との積層構造とされた積層膜において、さらなる透過率の向上を図るためには、Ａｇ又はＡｇ合金からなるＡｇ膜の膜厚を薄くする必要がある。
しかしながら、単にＡｇ膜を薄くした場合には、Ａｇが凝集しやすいため、Ａｇ膜が不連続膜となってしまい、電気抵抗が増加してしまうといった問題があった。また、Ａｇの凝集によって、かえって透過率が大幅に低下してしまうといった問題があった。
特に、膜厚を１０ｎｍ以下とすると、Ａｇが凝集してＡｇ膜が不連続膜となりやすく、電気特性及び光学特性に優れた積層膜を得ることができなかった。
さらに、量産の際には、成膜装置中に残留ガス（水蒸気等）が含まれる状態で成膜することがある。水蒸気を含んだ雰囲気でＡｇ膜を成膜した場合には、水蒸気によってＡｇ膜の表面においてＡｇの凝集が促進されてしまい、Ａｇ膜を安定して成膜することができないおそれがあった。
特に、膜厚を１０ｎｍ以下とすると、Ａｇが凝集してＡｇ膜が不連続膜となりやすく、電気特性及び光学特性に優れた積層膜を得ることができなかった。
さらに、量産の際には、成膜装置中に残留ガス（水蒸気等）が含まれる状態で成膜することがある。水蒸気を含んだ雰囲気でＡｇ膜を成膜した場合には、水蒸気によってＡｇ膜の表面においてＡｇの凝集が促進されてしまい、Ａｇ膜を安定して成膜することができないおそれがあった。
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、例えば１０ｎｍ以下の薄い膜厚のＡｇ合金膜を有し、電気特性及び光学特性に優れ、透明導電配線膜あるいは透明電極に特に適した積層膜、及び、この積層膜を構成するＡｇ合金膜を成膜する際に用いられるＡｇ合金スパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の積層膜は、Ａｇ合金膜と、このＡｇ合金膜の一方の面又は両面に積層された透明導電酸化物膜と、を備えた積層膜であって、前記Ａｇ合金膜は、Ｇｅを５．０原子％以上１３．０原子％以下の範囲内で含み、残部がＡｇ及び不可避不純物とされた組成とされ、前記Ａｇ合金膜の膜厚が３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内とされていることを特徴としている。
本発明の積層膜によれば、前記Ａｇ合金膜は、Ｇｅを５．０原子％以上１３．０原子％以下の範囲内で含み、残部がＡｇ及び不可避不純物とされた組成とされているので、Ａｇの拡散がＧｅによって抑制され、Ａｇ合金膜の膜厚を３ｎｍ以上１０ｎｍ以下と薄く形成した場合であっても、Ａｇの凝集を抑制することができ、Ａｇ合金膜が不連続膜となることを抑制できる。また、水蒸気を含む雰囲気で成膜した場合であっても、Ａｇ膜の表面におけるＡｇの凝集を抑制でき、排気能力に乏しいような量産製造装置で成膜した場合であってもＡｇ合金膜が不連続膜となることを抑制できる。
また、Ａｇ合金膜の膜厚が３ｎｍ以上とされているので、電気特性を確保することができる。さらに、Ａｇ合金膜の膜厚が１０ｎｍ以下とされているので、光学特性を確保することができる。
よって、電気特性及び光学特性に優れ、透明導電配線膜あるいは透明電極に特に適した積層膜を提供することができる。
また、Ａｇ合金膜の膜厚が３ｎｍ以上とされているので、電気特性を確保することができる。さらに、Ａｇ合金膜の膜厚が１０ｎｍ以下とされているので、光学特性を確保することができる。
よって、電気特性及び光学特性に優れ、透明導電配線膜あるいは透明電極に特に適した積層膜を提供することができる。
ここで、本発明の積層膜においては、前記Ａｇ合金膜は、さらに、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素を含有しており、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）が、０．０５以上０．５０以下の範囲内とされていてもよい。
この場合、Ｇｅと同様にＡｇ原子の拡散移動を抑制する効果を有する元素であるＩｎ，Ｚｎ，Ｓｎを含有しており、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎの合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）とＧｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）が０．０５以上とされているので、Ａｇ合金膜の膜厚を３ｎｍ以上１０ｎｍ以下と薄く形成した場合であっても、Ａｇの凝集をさらに抑制することができ、Ａｇ合金膜が不連続膜となることを抑制できる。
また、前記Ａｇ合金膜における原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）が０．５０以下に制限されているので、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎに起因する耐環境性及び水蒸気耐性の劣化を抑制できる。
また、前記Ａｇ合金膜における原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）が０．５０以下に制限されているので、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎに起因する耐環境性及び水蒸気耐性の劣化を抑制できる。
また、本発明の積層膜においては、前記Ａｇ合金膜は、さらに、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素を含有しており、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が、０．０１以上、かつ、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が、０．５０以下の範囲内とされていてもよい。
この場合、Ａｇ合金膜において、耐環境性を向上させる効果を有する元素であるＰｄ，Ａｕ，Ｐｔを含有しており、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が、０．０１以上とされているので、Ａｇ合金膜の耐環境性を十分に向上させることが可能となる。
また、Ａｇ合金膜において、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が０．５０以下に制限されているので、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔに起因する水蒸気耐性の劣化を抑制できる。
また、Ａｇ合金膜において、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が０．５０以下に制限されているので、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔに起因する水蒸気耐性の劣化を抑制できる。
また、本発明の積層膜においては、前記積層膜のシート抵抗が４０Ω／□以下とされるとともに、面内の複数の箇所で測定された前記シート抵抗の平均値μＲと標準偏差σＲとによって定義されるシート抵抗の分布ＤＲ＝（σＲ／μＲ）×１００が、２０％以下とされていることが好ましい。
この場合、前記積層膜のシート抵抗が４０Ω／□以下とされているので、電気特性に十分に優れている。また、上述のシート抵抗の分布ＤＲが２０％以下とされているので、積層膜の面内においてシート抵抗等の特性が安定している。すなわち、Ａｇ合金膜の膜厚を３ｎｍ以上１０ｎｍ以下と薄く形成した場合であっても、比較的均一な膜厚のＡｇ合金膜が形成されていることになる。
この場合、前記積層膜のシート抵抗が４０Ω／□以下とされているので、電気特性に十分に優れている。また、上述のシート抵抗の分布ＤＲが２０％以下とされているので、積層膜の面内においてシート抵抗等の特性が安定している。すなわち、Ａｇ合金膜の膜厚を３ｎｍ以上１０ｎｍ以下と薄く形成した場合であっても、比較的均一な膜厚のＡｇ合金膜が形成されていることになる。
また、本発明の積層膜においては、前記透明導電酸化物膜は、Ｉｎ酸化物、Ｓｎ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｎｂ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ａｌ酸化物、Ｇａ酸化物から選択されるいずれか一種又は二種以上を含む構成としてもよい。
この場合、Ａｇ合金膜に積層される前記透明導電酸化物膜が、Ｉｎ酸化物、Ｓｎ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｎｂ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ａｌ酸化物、Ｇａ酸化物から選択されるいずれか一種又は二種以上を含んでいるので、前記透明導電酸化物膜における電気特性及び光学特性に優れており、積層膜全体としての光学特性及び電気特性を向上させることが可能となる。
この場合、Ａｇ合金膜に積層される前記透明導電酸化物膜が、Ｉｎ酸化物、Ｓｎ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｎｂ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ａｌ酸化物、Ｇａ酸化物から選択されるいずれか一種又は二種以上を含んでいるので、前記透明導電酸化物膜における電気特性及び光学特性に優れており、積層膜全体としての光学特性及び電気特性を向上させることが可能となる。
また、本発明の積層膜においては、前記透明導電酸化物膜は、波長５５０ｎｍにおける屈折率が１．９以上２．４以下の範囲内とされるとともに、膜厚が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内とされていてもよい。
この場合、Ａｇ合金膜に積層される前記透明導電酸化物膜が、波長５５０ｎｍにおける屈折率が１．９以上２．４以下の範囲内、膜厚が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内とされているので、前記透明導電酸化物膜における可視光の透過率を向上させることができ、積層膜全体でも可視光の透過率を十分に向上させることが可能となる。
この場合、Ａｇ合金膜に積層される前記透明導電酸化物膜が、波長５５０ｎｍにおける屈折率が１．９以上２．４以下の範囲内、膜厚が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内とされているので、前記透明導電酸化物膜における可視光の透過率を向上させることができ、積層膜全体でも可視光の透過率を十分に向上させることが可能となる。
本発明のＡｇ合金スパッタリングターゲットは、Ｇｅを５．０原子％以上１３．０原子％以下の範囲内で含み、残部がＡｇ及び不可避不純物とされた組成とされ、さらに、結晶粒径の平均値が２００μｍ以下であり、スパッタ面の複数の箇所で測定された結晶粒径の平均値μＧＳと結晶粒径の標準偏差σＧＳとによって定義される結晶粒径の分布ＤＧＳ＝（σＧＳ／μＧＳ）×１００が、２５％以下とされていることを特徴としている。
この構成のＡｇ合金スパッタリングターゲットによれば、Ｇｅを５．０原子％以上１３．０原子％以下の範囲内で含み、残部がＡｇ及び不可避不純物とされた組成とされているので、成膜したＡｇ合金膜において、Ａｇの拡散がＧｅによって抑制され、Ａｇ合金膜の膜厚を３ｎｍ以上１０ｎｍ以下と薄く形成した場合であっても、Ａｇの凝集を抑制することができ、比較的均一な膜厚のＡｇ合金膜を形成することが可能となる。
また、結晶粒径の平均値が２００μｍ以下であり、スパッタ面の複数の箇所で測定された結晶粒径の平均値μＧＳと結晶粒径の標準偏差σＧＳとによって定義される結晶粒径の分布ＤＧＳ＝（σＧＳ／μＧＳ）×１００が、２５％以下とされているので、スパッタ面全体でスパッタレートが比較的一定となり、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の膜厚のＡｇ合金膜を安定して成膜することができる。
また、結晶粒径の平均値が２００μｍ以下であり、スパッタ面の複数の箇所で測定された結晶粒径の平均値μＧＳと結晶粒径の標準偏差σＧＳとによって定義される結晶粒径の分布ＤＧＳ＝（σＧＳ／μＧＳ）×１００が、２５％以下とされているので、スパッタ面全体でスパッタレートが比較的一定となり、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の膜厚のＡｇ合金膜を安定して成膜することができる。
ここで、本発明のＡｇ合金スパッタリングターゲットにおいては、さらに、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素を含有しており、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）が、０．０５以上０．５０以下の範囲内とされている構成としてもよい。
この場合、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）が０．０５以上とされているので、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の薄いＡｇ合金膜であっても、Ａｇの凝集を抑制でき、安定してＡｇ合金膜を成膜することができる。
また、原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）が０．５０以下に制限されているので、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎに起因する耐環境性及び水蒸気耐性の劣化を抑制でき、水蒸気を含む雰囲気で成膜した場合であっても、Ａｇの凝集を抑制することができる。
この場合、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）が０．０５以上とされているので、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の薄いＡｇ合金膜であっても、Ａｇの凝集を抑制でき、安定してＡｇ合金膜を成膜することができる。
また、原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）が０．５０以下に制限されているので、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎに起因する耐環境性及び水蒸気耐性の劣化を抑制でき、水蒸気を含む雰囲気で成膜した場合であっても、Ａｇの凝集を抑制することができる。
さらに、本発明のＡｇ合金スパッタリングターゲットにおいては、さらに、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素を含有しており、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が、０．０１以上、かつ、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が、０．５０以下の範囲内とされている構成としてもよい。
この場合、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が、０．０１以上とされているので、耐環境性に優れたＡｇ合金膜を成膜することができる。
また、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が０．５０以下に制限されているので、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔに起因する水蒸気耐性の劣化を抑制でき、水蒸気を含む雰囲気で成膜した場合であっても、Ａｇの凝集を抑制することができる。
また、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が０．５０以下に制限されているので、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔに起因する水蒸気耐性の劣化を抑制でき、水蒸気を含む雰囲気で成膜した場合であっても、Ａｇの凝集を抑制することができる。
本発明によれば、例えば１０ｎｍ以下の薄い膜厚のＡｇ合金膜を有し、電気特性及び光学特性に優れ、透明導電配線膜あるいは透明電極に特に適した積層膜、及び、この積層膜を構成するＡｇ合金膜を成膜する際に用いられるＡｇ合金スパッタリングターゲットを提供することが可能となる。
以下に、本発明の一実施形態である積層膜、及び、Ａｇ合金スパッタリングターゲットについて説明する。
本実施形態である積層膜１０は、各種ディスプレイ及びタッチパネルの透明導電配線膜あるいは透明電極として使用されるものである。
本実施形態である積層膜１０は、各種ディスプレイ及びタッチパネルの透明導電配線膜あるいは透明電極として使用されるものである。
＜積層膜＞
本実施形態である積層膜１０は、図１に示すように、ガラス等からなる基板１の一面に成膜されたＡｇ合金膜１１と、このＡｇ合金膜１１の両面にそれぞれ形成された透明導電酸化物膜１２と、を備えている。
本実施形態である積層膜１０は、図１に示すように、ガラス等からなる基板１の一面に成膜されたＡｇ合金膜１１と、このＡｇ合金膜１１の両面にそれぞれ形成された透明導電酸化物膜１２と、を備えている。
Ａｇ合金膜１１は、Ｇｅを５．０原子％以上１３．０原子％以下の範囲内で含み、残部がＡｇ及び不可避不純物とされた組成とされている。
なお、Ａｇ合金膜１１は、さらに、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素を含有しており、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）が、０．０５以上０．５０以下の範囲内とされていてもよい。
また、Ａｇ合金膜１１は、さらに、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素を含有しており、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が、０．０１以上、かつ、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が、０．５０以下の範囲内とされていてもよい。
そして、このＡｇ合金膜１１の膜厚は、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内とされている。
なお、Ａｇ合金膜１１は、さらに、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素を含有しており、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）が、０．０５以上０．５０以下の範囲内とされていてもよい。
また、Ａｇ合金膜１１は、さらに、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素を含有しており、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が、０．０１以上、かつ、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が、０．５０以下の範囲内とされていてもよい。
そして、このＡｇ合金膜１１の膜厚は、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内とされている。
透明導電酸化物膜１２は、例えば、Ｉｎ酸化物、Ｓｎ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｎｂ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ａｌ酸化物、Ｇａ酸化物から選択されるいずれか一種又は二種以上を含む透明導電酸化物で構成されている。具体的には、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯ）、Ａｌ−Ｚｎ酸化物（ＡＺＯ）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物（ＩＺＯ）、Ｚｎ−Ｓｎ酸化物（ＺＴＯ）、Ｚｎ−Ｓｎ−Ａｌ酸化物（ＡＺＴＯ）、Ｇａ−Ｚｎ酸化物（ＧＺＯ）、Ｚｎ−Ｙ酸化物（ＺＹＯ）、Ｇａ−Ｚｎ−Ｙ酸化物（ＧＺＹＯ）等が挙げられる。
また、この透明導電酸化物膜１２の膜厚は 例えば５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内とされていることが好ましい。さらに、透明導電酸化物膜１２は、波長５５０ｎｍにおける屈折率が１．９以上２．４以下の範囲内とされていることが好ましい。
また、この透明導電酸化物膜１２の膜厚は 例えば５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内とされていることが好ましい。さらに、透明導電酸化物膜１２は、波長５５０ｎｍにおける屈折率が１．９以上２．４以下の範囲内とされていることが好ましい。
そして、本実施形態である積層膜１０においては、シート抵抗が４０Ω／□以下とされている。
また、積層膜１０の面内の複数の箇所で測定されたシート抵抗の平均値μＲと標準偏差σＲとによって定義されるシート抵抗の分布ＤＲ＝（σＲ／μＲ）×１００が、２０％以下とされている。
さらに、本実施形態である積層膜１０においては、波長３８０ｎｍから７８０ｎｍにおける平均透過率が８５％以上とされている。
また、積層膜１０の面内の複数の箇所で測定されたシート抵抗の平均値μＲと標準偏差σＲとによって定義されるシート抵抗の分布ＤＲ＝（σＲ／μＲ）×１００が、２０％以下とされている。
さらに、本実施形態である積層膜１０においては、波長３８０ｎｍから７８０ｎｍにおける平均透過率が８５％以上とされている。
ここで、本実施形態である積層膜１０において、Ａｇ合金膜１１の成分組成、積層膜１０のシート抵抗及び平均透過率、透明導電酸化物膜１２の屈折率及び膜厚を、上述のように規定した理由について説明する。
（Ｇｅ）
Ｇｅは、例えば図２に示すように、Ａｇ合金膜１１の表面（界面）に偏析することになる。これにより、Ａｇ原子の拡散移動を抑制し、Ａｇ合金膜１１におけるＡｇの凝集を抑制する作用効果を有している。また、Ｇｅは、特にＡｇ合金膜１１の表面におけるＡｇ元素の拡散を抑制することから、水蒸気存在下において成膜した場合であっても、Ａｇの凝集が抑制されることになる。なお、図２は、Ａｇ合金膜１１のＧｅを球面収差補正走査透過型電子顕微鏡（Ｃｓ−ＳＴＥＭ）により、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＳ）を実施した結果を示すものであり、（ａ）がＡｇの分布を示し、（ｂ）がＧｅの分布を示す。この図２から、ＧｅがＡｇ合金膜１１の表面（界面）に偏析していることが確認される。
Ｇｅは、例えば図２に示すように、Ａｇ合金膜１１の表面（界面）に偏析することになる。これにより、Ａｇ原子の拡散移動を抑制し、Ａｇ合金膜１１におけるＡｇの凝集を抑制する作用効果を有している。また、Ｇｅは、特にＡｇ合金膜１１の表面におけるＡｇ元素の拡散を抑制することから、水蒸気存在下において成膜した場合であっても、Ａｇの凝集が抑制されることになる。なお、図２は、Ａｇ合金膜１１のＧｅを球面収差補正走査透過型電子顕微鏡（Ｃｓ−ＳＴＥＭ）により、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＳ）を実施した結果を示すものであり、（ａ）がＡｇの分布を示し、（ｂ）がＧｅの分布を示す。この図２から、ＧｅがＡｇ合金膜１１の表面（界面）に偏析していることが確認される。
ここで、Ｇｅの含有量が５．０原子％未満の場合には、上述の作用効果を奏することができないおそれがある。一方、Ｇｅの含有量が１３．０原子％を超える場合には、ＧｅのＡｇに対する固溶限を上回るため、成膜する際に用いられるＡｇ合金スパッタリングターゲットの作製が困難となる。
以上のことから、本実施形態においては、Ａｇ合金膜１１におけるＧｅの含有量を５．０原子％以上１３．０原子％以下の範囲内に設定している。
以上のことから、本実施形態においては、Ａｇ合金膜１１におけるＧｅの含有量を５．０原子％以上１３．０原子％以下の範囲内に設定している。
なお、Ａｇ原子の拡散移動を抑制してＡｇ合金膜１１におけるＡｇの凝集をさらに抑制するためには、Ａｇ合金膜１１におけるＧｅの含有量の下限を７．０原子％以上とすることが好ましく、９．０原子％以上とすることがさらに好ましい。
一方、成膜する際に用いられるＡｇ合金スパッタリングターゲットをさらに安定して作製するためには、Ａｇ合金膜１１におけるＧｅの含有量の上限を１２．０原子％以下とすることが好ましく、１１．０原子％以下とすることがさらに好ましい。
一方、成膜する際に用いられるＡｇ合金スパッタリングターゲットをさらに安定して作製するためには、Ａｇ合金膜１１におけるＧｅの含有量の上限を１２．０原子％以下とすることが好ましく、１１．０原子％以下とすることがさらに好ましい。
（Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素）
上述のＩｎ，Ｚｎ，Ｓｎといった元素は、Ｇｅと同様に、Ａｇ合金膜１１におけるＡｇの凝集を抑制する作用効果を有している。このため、これらＩｎ，Ｚｎ，Ｓｎを適宜添加してもよい。
ここで、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）を０．０５以上とすることにより、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎの添加による上述の作用効果を十分に奏功せしめることが可能となる。一方、原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）を０．５０以下とすることにより、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎに起因する水蒸気耐性及び耐環境性の劣化を抑制することが可能となる。
以上のことから、本実施形態においては、Ａｇ合金膜１１において、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素を含有する場合には、原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）を０．０５以上０．５０以下の範囲内に設定している。
上述のＩｎ，Ｚｎ，Ｓｎといった元素は、Ｇｅと同様に、Ａｇ合金膜１１におけるＡｇの凝集を抑制する作用効果を有している。このため、これらＩｎ，Ｚｎ，Ｓｎを適宜添加してもよい。
ここで、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）を０．０５以上とすることにより、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎの添加による上述の作用効果を十分に奏功せしめることが可能となる。一方、原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）を０．５０以下とすることにより、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎに起因する水蒸気耐性及び耐環境性の劣化を抑制することが可能となる。
以上のことから、本実施形態においては、Ａｇ合金膜１１において、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素を含有する場合には、原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）を０．０５以上０．５０以下の範囲内に設定している。
なお、Ｉｎ，Ｚｎ，ＳｎによってＡｇ凝集をさらに抑制するためには、原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）の下限を０．１０以上とすることが好ましく、０．１５以上とすることがさらに好ましい。
一方、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎに起因する水蒸気耐性及び耐環境性の劣化をさらに抑制するためには、原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）の上限を０．４０以下とすることが好ましく、０．３０以下とすることがさらに好ましい。
また、上述のＩｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素は、不純物として含有される場合には、原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）が０．０５未満であってもよい。
一方、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎに起因する水蒸気耐性及び耐環境性の劣化をさらに抑制するためには、原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）の上限を０．４０以下とすることが好ましく、０．３０以下とすることがさらに好ましい。
また、上述のＩｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素は、不純物として含有される場合には、原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）が０．０５未満であってもよい。
（Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素）
上述のＰｄ，Ａｕ，Ｐｔといった元素は、Ａｇ合金膜１１の耐環境性（熱湿環境への耐性）を向上させる作用効果を有する。このため、Ａｇ合金膜１１の耐環境性が求められる場合には、適宜、添加することが好ましい。
ここで、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）を０．０１以上とすることにより、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔの添加による上述の作用効果を十分に奏功せしめることが可能となる。一方、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）を０．５０以下とすることにより、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔに起因する水蒸気耐性の劣化を抑制することが可能となる。
以上のことから、本実施形態においては、Ａｇ合金膜１１において、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素を含有する場合には、原子比（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）を０．０１以上、かつ、原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）を０．５０以下に設定している。
上述のＰｄ，Ａｕ，Ｐｔといった元素は、Ａｇ合金膜１１の耐環境性（熱湿環境への耐性）を向上させる作用効果を有する。このため、Ａｇ合金膜１１の耐環境性が求められる場合には、適宜、添加することが好ましい。
ここで、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）を０．０１以上とすることにより、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔの添加による上述の作用効果を十分に奏功せしめることが可能となる。一方、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）を０．５０以下とすることにより、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔに起因する水蒸気耐性の劣化を抑制することが可能となる。
以上のことから、本実施形態においては、Ａｇ合金膜１１において、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素を含有する場合には、原子比（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）を０．０１以上、かつ、原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）を０．５０以下に設定している。
なお、Ａｇ合金膜１１の耐環境性（熱湿環境への耐性）をさらに向上させるためには、原子比（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）の下限を０．０２以上とすることが好ましく、０．０５以上とすることがさらに好ましい。
一方、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔに起因する水蒸気耐性の劣化をさらに抑制するためには、原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）の上限を０．４０以下とすることが好ましく、０．３０以下とすることがさらに好ましい。
また、上述のＰｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素は、不純物として含有される場合には、原子比（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が０．０１未満であってもよい。
なお、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎを意図的に添加せずに不純物レベルで含有する場合であっても、上述のように原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）を規定すればよい。
一方、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔに起因する水蒸気耐性の劣化をさらに抑制するためには、原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）の上限を０．４０以下とすることが好ましく、０．３０以下とすることがさらに好ましい。
また、上述のＰｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素は、不純物として含有される場合には、原子比（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が０．０１未満であってもよい。
なお、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎを意図的に添加せずに不純物レベルで含有する場合であっても、上述のように原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）を規定すればよい。
（Ａｇ合金膜１１の膜厚）
積層膜１０においては、Ａｇ合金膜１１の膜厚を薄くすることにより、透過率を向上させることが可能となる。
ここで、Ａｇ合金膜１１の膜厚が３ｎｍ未満の場合には、Ａｇ合金膜１１が島状なって不連続となり、電気抵抗が大幅に上昇する。また、均一な膜が形成されないため、透過率も大幅に低下することになる。一方、Ａｇ合金膜１１の膜厚が１０ｎｍを超えると、透過率が不十分となるおそれがある。
以上のことから、本実施形態においては、Ａｇ合金膜１１の膜厚を３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内に設定している。
なお、Ａｇ合金膜１１の厚さの下限は４ｎｍ以上であることが好ましく、５ｎｍ以上であることがより好ましい。一方、Ａｇ合金膜１１の厚さの上限は８ｎｍ以下であることが好ましく、７ｎｍ以下であることがより好ましい。
積層膜１０においては、Ａｇ合金膜１１の膜厚を薄くすることにより、透過率を向上させることが可能となる。
ここで、Ａｇ合金膜１１の膜厚が３ｎｍ未満の場合には、Ａｇ合金膜１１が島状なって不連続となり、電気抵抗が大幅に上昇する。また、均一な膜が形成されないため、透過率も大幅に低下することになる。一方、Ａｇ合金膜１１の膜厚が１０ｎｍを超えると、透過率が不十分となるおそれがある。
以上のことから、本実施形態においては、Ａｇ合金膜１１の膜厚を３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内に設定している。
なお、Ａｇ合金膜１１の厚さの下限は４ｎｍ以上であることが好ましく、５ｎｍ以上であることがより好ましい。一方、Ａｇ合金膜１１の厚さの上限は８ｎｍ以下であることが好ましく、７ｎｍ以下であることがより好ましい。
（シート抵抗）
本実施形態においては、積層膜１０のシート抵抗が４０Ω／□以下とされているので、電気特性に優れており、透明導電配線膜、透明電極として特に適している。
そして、面内の複数の箇所で測定されたシート抵抗の平均値μＲと標準偏差σＲとによって定義されるシート抵抗の分布ＤＲ＝（σＲ／μＲ）×１００が、２０％以下とされている。なお、本実施形態においては、図３に示すように、積層膜１０の面内において、対角線が交差する交点（１）と、各対角線上の角部（２）、（３）、（４）、（５）の５点でそれぞれシート抵抗の測定を行い、シート抵抗の平均値μＲと標準偏差σＲと分布ＤＲとを算出した。なお、角部（２）、（３）、（４）、（５）は、角部から内側に向かって対角線全長の１０％以内の範囲内とした。
このようにして算出されたシート抵抗の分布ＤＲが２０％以下とされているので、Ａｇ合金膜１１が不連続膜とならず、比較的に均一な膜厚で形成されていることになる。
なお、積層膜１０のシート抵抗は３０Ω／□以下であることが好ましく、２５Ω／□以下であることがさらに好ましい。
また、シート抵抗の分布ＤＲは２０％以下であることが好ましく、１５％以下であることがさらに好ましい。
本実施形態においては、積層膜１０のシート抵抗が４０Ω／□以下とされているので、電気特性に優れており、透明導電配線膜、透明電極として特に適している。
そして、面内の複数の箇所で測定されたシート抵抗の平均値μＲと標準偏差σＲとによって定義されるシート抵抗の分布ＤＲ＝（σＲ／μＲ）×１００が、２０％以下とされている。なお、本実施形態においては、図３に示すように、積層膜１０の面内において、対角線が交差する交点（１）と、各対角線上の角部（２）、（３）、（４）、（５）の５点でそれぞれシート抵抗の測定を行い、シート抵抗の平均値μＲと標準偏差σＲと分布ＤＲとを算出した。なお、角部（２）、（３）、（４）、（５）は、角部から内側に向かって対角線全長の１０％以内の範囲内とした。
このようにして算出されたシート抵抗の分布ＤＲが２０％以下とされているので、Ａｇ合金膜１１が不連続膜とならず、比較的に均一な膜厚で形成されていることになる。
なお、積層膜１０のシート抵抗は３０Ω／□以下であることが好ましく、２５Ω／□以下であることがさらに好ましい。
また、シート抵抗の分布ＤＲは２０％以下であることが好ましく、１５％以下であることがさらに好ましい。
（平均透過率）
本実施形態においては、積層膜１０の波長３８０ｎｍから７８０ｎｍにおける平均透過率が８５％以上とされているので、光学特性に優れており、透明導電配線膜、透明電極として特に適している。
なお、積層膜１０の波長３８０ｎｍから７８０ｎｍにおける平均透過率は８８％以上であることが好ましく、９０％以上であることがさらに好ましい。
本実施形態においては、積層膜１０の波長３８０ｎｍから７８０ｎｍにおける平均透過率が８５％以上とされているので、光学特性に優れており、透明導電配線膜、透明電極として特に適している。
なお、積層膜１０の波長３８０ｎｍから７８０ｎｍにおける平均透過率は８８％以上であることが好ましく、９０％以上であることがさらに好ましい。
（透明導電酸化物膜１２の屈折率及び膜厚）
本実施形態において、透明導電酸化物膜１２の波長５５０ｎｍにおける屈折率が１．９以上２．４以下の範囲内、かつ、透明導電酸化物膜１２の膜厚が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内とされている場合には、透明導電酸化物膜１２における可視光の透過率を向上させることが可能となる。これにより、積層膜１０全体としての光学特性を向上させることが可能となる。
なお、透明導電酸化物膜１２の波長５５０ｎｍにおける屈折率の下限は２．０以上であることが好ましく、上限は２．２以下であることが好ましい。さらに、透明導電酸化物膜１２の膜厚の下限は１０ｎｍ以上であることが好ましく、上限は４０ｎｍ以下であることが好ましい。
本実施形態において、透明導電酸化物膜１２の波長５５０ｎｍにおける屈折率が１．９以上２．４以下の範囲内、かつ、透明導電酸化物膜１２の膜厚が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内とされている場合には、透明導電酸化物膜１２における可視光の透過率を向上させることが可能となる。これにより、積層膜１０全体としての光学特性を向上させることが可能となる。
なお、透明導電酸化物膜１２の波長５５０ｎｍにおける屈折率の下限は２．０以上であることが好ましく、上限は２．２以下であることが好ましい。さらに、透明導電酸化物膜１２の膜厚の下限は１０ｎｍ以上であることが好ましく、上限は４０ｎｍ以下であることが好ましい。
＜Ａｇ合金スパッタリングターゲット＞
次に、本実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲット２０について説明する。このＡｇ合金スパッタリングターゲット２０は、上述した本実施形態である積層膜１０を構成するＡｇ合金膜１１を成膜するために用いられるものである。
なお、本実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲット２０において、比較的大型の基板１に対して成膜を行う場合には、スパッタ面の面積が０．２５ｍ２以上であることが好ましい。
なお、本実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲット２０において、比較的大型の基板１に対して成膜を行う場合には、スパッタ面の面積が０．２５ｍ２以上であることが好ましい。
本実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲット２０は、Ｇｅを５．０原子％以上１３．０原子％以下の範囲内で含み、残部がＡｇ及び不可避不純物とされた組成とされている。
なお、Ａｇ合金スパッタリングターゲット２０は、さらに、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素を含有しており、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）が、０．０５以上０．５０以下の範囲内とされていてもよい。
また、Ａｇ合金スパッタリングターゲット２０は、さらに、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素を含有しており、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が、０．０１以上、かつ、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が、０．５０以下の範囲内とされていてもよい。
なお、Ａｇ合金スパッタリングターゲット２０は、さらに、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素を含有しており、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）が、０．０５以上０．５０以下の範囲内とされていてもよい。
また、Ａｇ合金スパッタリングターゲット２０は、さらに、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素を含有しており、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が、０．０１以上、かつ、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が、０．５０以下の範囲内とされていてもよい。
そして、Ａｇ合金スパッタリングターゲット２０は、結晶粒径の平均値が２００μｍ以下であり、スパッタ面の複数の箇所で測定された結晶粒径の平均値μＧＳと結晶粒径の標準偏差σＧＳとによって定義される結晶粒径の分布ＤＧＳ＝（σＧＳ／μＧＳ）×１００が、２５％以下とされている。
ここで、本実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲット２０において、成分組成、結晶粒径を、上述のように規定した理由について説明する。
（成分組成）
本実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲット２０においては、上述のＡｇ合金膜１１を成膜するものであるから、上述した本実施形態であるＡｇ合金膜１１の成分組成に応じて設定される。
よって、本実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲット２０は、Ｇｅの含有量が５．０原子％以上１３．０原子％以下の範囲とされる。
なお、Ａｇ合金スパッタリングターゲット２０におけるＧｅの含有量の下限は７．０原子％以上とすることが好ましく、９．０原子％以上とすることがさらに好ましい。一方、Ａｇ合金スパッタリングターゲット２０にＧｅの含有量の上限は１２．０原子％以下とすることが好ましく、１１．０原子％以下とすることがさらに好ましい。
本実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲット２０においては、上述のＡｇ合金膜１１を成膜するものであるから、上述した本実施形態であるＡｇ合金膜１１の成分組成に応じて設定される。
よって、本実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲット２０は、Ｇｅの含有量が５．０原子％以上１３．０原子％以下の範囲とされる。
なお、Ａｇ合金スパッタリングターゲット２０におけるＧｅの含有量の下限は７．０原子％以上とすることが好ましく、９．０原子％以上とすることがさらに好ましい。一方、Ａｇ合金スパッタリングターゲット２０にＧｅの含有量の上限は１２．０原子％以下とすることが好ましく、１１．０原子％以下とすることがさらに好ましい。
また、Ｇｅと同様にＡｇの拡散を抑制する効果を有するＩｎ，Ｚｎ，Ｓｎを含有する場合には、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）とＧｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）を０．０５以上０．５０以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）の下限は０．１０以上とすることが好ましく、０．１５以上とすることがさらに好ましい。一方、原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）の上限は０．４０以下とすることが好ましく、０．３０以下とすることがさらに好ましい。
なお、原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）の下限は０．１０以上とすることが好ましく、０．１５以上とすることがさらに好ましい。一方、原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）の上限は０．４０以下とすることが好ましく、０．３０以下とすることがさらに好ましい。
さらに、成膜したＡｇ合金膜１１の耐環境性を向上させるために、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔを含有する場合には、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）を０．０１以上、かつ、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）を０．５０以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、原子比（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）の下限は０．０２以上とすることが好ましく、０．０５以上とすることがさらに好ましい。一方、原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）の上限は、０．４０以下とすることが好ましく、０．３０以下とすることがさらに好ましい。
なお、原子比（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）の下限は０．０２以上とすることが好ましく、０．０５以上とすることがさらに好ましい。一方、原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）の上限は、０．４０以下とすることが好ましく、０．３０以下とすることがさらに好ましい。
（結晶粒径）
本実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲット２０においては、結晶粒径の平均値を２００μｍ以下とすることにより、スパッタが進行した場合であってもスパッタ面の表面粗さが粗くなることを抑制できる。これにより、スパッタ時の異常放電の発生を抑え、安定してスパッタ成膜を行うことが可能となる。
そして、スパッタ面の複数の箇所で測定された結晶粒径の平均値μＧＳと結晶粒径の標準偏差σＧＳとによって定義される結晶粒径の分布ＤＧＳ＝（σＧＳ／μＧＳ）×１００を、２５％以下とすることにより、スパッタ面全体でスパッタレートが比較的一定となり、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の膜厚のＡｇ合金膜１１を安定して成膜することができる。
なお、Ａｇ合金スパッタリングターゲット２０の結晶粒径の平均値は１８０μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがさらに好ましい。
また、結晶粒径の分布ＤＧＳは２０％以下であることが好ましく、１５％以下であることがさらに好ましい。
本実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲット２０においては、結晶粒径の平均値を２００μｍ以下とすることにより、スパッタが進行した場合であってもスパッタ面の表面粗さが粗くなることを抑制できる。これにより、スパッタ時の異常放電の発生を抑え、安定してスパッタ成膜を行うことが可能となる。
そして、スパッタ面の複数の箇所で測定された結晶粒径の平均値μＧＳと結晶粒径の標準偏差σＧＳとによって定義される結晶粒径の分布ＤＧＳ＝（σＧＳ／μＧＳ）×１００を、２５％以下とすることにより、スパッタ面全体でスパッタレートが比較的一定となり、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の膜厚のＡｇ合金膜１１を安定して成膜することができる。
なお、Ａｇ合金スパッタリングターゲット２０の結晶粒径の平均値は１８０μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがさらに好ましい。
また、結晶粒径の分布ＤＧＳは２０％以下であることが好ましく、１５％以下であることがさらに好ましい。
なお、本実施形態においては、図４に示すように、Ａｇ合金スパッタリングターゲット２０のスパッタ面において、対角線が交差する交点（１）と、各対角線上の角部（２）、（３）、（４）、（５）の５点で結晶粒径の測定を行い、結晶粒径の平均値μＧＳと標準偏差σＧＳと分布ＤＧＳとを算出した。なお、角部（２）、（３）、（４）、（５）は、角部から内側に向かって対角線全長の１０％以内の範囲内とした。
このように、スパッタ面において結晶粒径の分布ＤＧＳが２５％以下に抑えられているので、膜厚が均一なＡｇ合金膜１１を成膜することが可能となる。
このように、スパッタ面において結晶粒径の分布ＤＧＳが２５％以下に抑えられているので、膜厚が均一なＡｇ合金膜１１を成膜することが可能となる。
＜Ａｇ合金スパッタリングターゲットの製造方法＞
次に、本実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲット２０の製造方法について説明する。
次に、本実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲット２０の製造方法について説明する。
まず、純度９９．９ｍａｓｓ％以上のＡｇ原料と、純度９９．９ｍａｓｓ％以上のＧｅ原料と、さらに必要に応じて、純度９９．９ｍａｓｓ％以上のＩｎ原料、Ｚｎ原料、Ｓｎ原料、Ｐｄ原料、Ａｕ原料、Ｐｔ原料を用意する。
次に、溶解炉を用いて、Ａｇ原料を、高真空下又は不活性ガス雰囲気下で溶解し、得られたＡｇ溶湯に所定量のＧｅ原料、必要に応じて、Ｉｎ原料、Ｚｎ原料、Ｓｎ原料、Ｐｄ原料、Ａｕ原料、Ｐｔ原料を添加する。その後、高真空下又は不活性ガス雰囲気下で溶解し、所定の組成のＡｇ合金インゴットを作成する。
ここで、Ａｇ原料の溶解は、溶解炉内部を一度高真空にした後、Ａｒで置換した雰囲気下で行い、溶解後、Ａｒ雰囲気下で副原料を投入することが好ましい。
なお、原料として、Ｇｅ、（Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ）を含有する母合金を用いてもよい。
次に、溶解炉を用いて、Ａｇ原料を、高真空下又は不活性ガス雰囲気下で溶解し、得られたＡｇ溶湯に所定量のＧｅ原料、必要に応じて、Ｉｎ原料、Ｚｎ原料、Ｓｎ原料、Ｐｄ原料、Ａｕ原料、Ｐｔ原料を添加する。その後、高真空下又は不活性ガス雰囲気下で溶解し、所定の組成のＡｇ合金インゴットを作成する。
ここで、Ａｇ原料の溶解は、溶解炉内部を一度高真空にした後、Ａｒで置換した雰囲気下で行い、溶解後、Ａｒ雰囲気下で副原料を投入することが好ましい。
なお、原料として、Ｇｅ、（Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ）を含有する母合金を用いてもよい。
続いて、得られたインゴットを鍛造・圧延する。圧延は、熱間圧延もしくは冷間圧延で実施する。
熱間圧延を用いる場合、圧延開始前の均質化熱処理工程として、６００℃以上７００℃以下の温度で１時間以上１０時間以下保持する条件の熱処理を行うことが好ましい。６００℃未満だと均質化が不十分となるおそれがあり、７００℃を超えるとインゴット中に液相が出現し、ターゲットが軟化・溶解するおそれがある。また、熱処理時間は、１時間以未満だと均質化が不十分となるおそれがあり、１０時間を超えるとＡｇ中の副原料が内部酸化するおそれがある。
熱間圧延を用いる場合、圧延開始前の均質化熱処理工程として、６００℃以上７００℃以下の温度で１時間以上１０時間以下保持する条件の熱処理を行うことが好ましい。６００℃未満だと均質化が不十分となるおそれがあり、７００℃を超えるとインゴット中に液相が出現し、ターゲットが軟化・溶解するおそれがある。また、熱処理時間は、１時間以未満だと均質化が不十分となるおそれがあり、１０時間を超えるとＡｇ中の副原料が内部酸化するおそれがある。
均質化熱処理工程の後に熱間圧延を行うが、圧延終了時温度は４００℃以上７００℃以下であることが好ましく、場合に応じて中間焼鈍を入れることが好ましい。
圧延の際には、累計圧下率は７０％以上であることが好ましく、また少なくとも圧延の最後１パスの圧下率は２０％以上であることが好ましい。圧下率が２０％未満だと結晶粒径の微細化が十分でなく、また内部の結晶粒径も均一化が不十分となる。なお、圧延機の能力の関係で、実質的に１パス辺り５０％以上の圧下率は現実的ではない。
圧延の際には、累計圧下率は７０％以上であることが好ましく、また少なくとも圧延の最後１パスの圧下率は２０％以上であることが好ましい。圧下率が２０％未満だと結晶粒径の微細化が十分でなく、また内部の結晶粒径も均一化が不十分となる。なお、圧延機の能力の関係で、実質的に１パス辺り５０％以上の圧下率は現実的ではない。
圧延の後、ターゲット材の結晶組織の均一化及び加工硬化除去のため、熱処理を実施する。熱処理温度は６００℃以上７００℃以下の範囲で１時間以上５時間以下保持の条件で実施するのが好ましい。６００℃未満だと加工硬化除去の効果が十分でなく、７００℃を超えると結晶粒が粗大化、あるいは、液相が出現してターゲットが溶解・軟化するおそれがある。また、熱処理時間が１時間未満だと均一化が不十分となる。熱処理後は空冷又は水冷で急冷する。
上述の工程によって、本実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲット２０が製造される。
＜積層膜の製造方法＞
次に、本実施形態である積層膜１０の製造方法について説明する。
まず、ガラス等からなる基板１の表面に、透明導電酸化物膜１２を形成する。本実施形態では、上述した透明導電酸化物からなるスパッタリングターゲットを用いて成膜する。なお、スパッタリングターゲットの導電性等を考慮して、ＤＣ（直流）スパッタ、ＲＦ（高周波）スパッタ、ＭＦ（中周波）スパッタ、ＡＣ（交流）スパッタ等を適宜選択して使用することが好ましい。
次に、本実施形態である積層膜１０の製造方法について説明する。
まず、ガラス等からなる基板１の表面に、透明導電酸化物膜１２を形成する。本実施形態では、上述した透明導電酸化物からなるスパッタリングターゲットを用いて成膜する。なお、スパッタリングターゲットの導電性等を考慮して、ＤＣ（直流）スパッタ、ＲＦ（高周波）スパッタ、ＭＦ（中周波）スパッタ、ＡＣ（交流）スパッタ等を適宜選択して使用することが好ましい。
そして、成膜された透明導電酸化物膜１２の上に、上述した本実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲット２０を用いて、Ａｇ合金膜１１を成膜する。このとき、Ａｇ合金膜１１の膜厚が３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内となるように、スパッタ条件を適宜調整する。
なお、スパッタリング時には、一定時間成膜した際の膜厚を段差測定計（ＤＥＫＴＡＫ−ＸＴ）で測定することでスパッタリングレートを測定し、その値から成膜時間を調整して、狙い膜厚となるように成膜する。
また、Ａｇ合金膜１１の膜厚が１０ｎｍ以下と非常に薄いため、スパッタリングレートはできるだけ遅くすることが膜厚制御の観点から好ましく、そのためスパッタ電力はできるだけ低めに設定することが好ましい。
また、Ａｇ合金膜１１の膜厚が１０ｎｍ以下と非常に薄いため、スパッタリングレートはできるだけ遅くすることが膜厚制御の観点から好ましく、そのためスパッタ電力はできるだけ低めに設定することが好ましい。
上述のようにして成膜されたＡｇ合金膜１１の上に、上述した透明導電酸化物からなるスパッタリングターゲットを用いて、透明導電酸化物膜１２を成膜する。
このようにして、本実施形態である積層膜１０が成膜される。
このようにして、本実施形態である積層膜１０が成膜される。
以上のような構成とされた本実施形態である積層膜１０においては、Ｇｅを５．０原子％以上１３．０原子％以下の範囲内で含むＡｇ合金膜１１を有し、このＡｇ合金膜１１の膜厚を３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内としているので、ＧｅによってＡｇの拡散が抑制され、Ａｇ合金膜１１が島状となることがなく、比較的均一な膜厚となる。また、水蒸気を含む雰囲気で成膜した場合であっても、Ａｇの凝集を抑制でき、量産した場合であっても、Ａｇ合金膜１１が不連続膜となることを抑制できる。これにより、シート抵抗及び透過率が向上することになる。
具体的には、積層膜１０のシート抵抗が４０Ω／□以下とされるとともに、前記積層膜の波長３８０ｎｍから７８０ｎｍにおける平均透過率が８５％以上とされており、電気特性及び光学特性に優れている。
具体的には、積層膜１０のシート抵抗が４０Ω／□以下とされるとともに、前記積層膜の波長３８０ｎｍから７８０ｎｍにおける平均透過率が８５％以上とされており、電気特性及び光学特性に優れている。
また、本実施形態である積層膜１０においては、面内の複数の箇所で測定されたシート抵抗の平均値μＲと標準偏差σＲとによって定義されるシート抵抗の分布ＤＲ＝（σＲ／μＲ）×１００が、２０％以下とされているので、積層膜１０の面内で特性が安定しており、膜厚が３ｎｍ以上１０ｎｍ以下であっても比較的均一な膜厚のＡｇ合金膜１１が形成されていることになる。
また、本実施形態である積層膜１０において、Ａｇ合金膜１１が、さらに、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素を含有しており、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）が、０．０５以上０．５０以下の範囲内とされている場合には、Ｉｎ，Ｚｎ，ＳｎによってＡｇの凝集をさらに抑制することができ、Ａｇ合金膜が不連続膜となることを抑制できる。また、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎに起因する耐環境性及び水蒸気耐性の劣化を抑制できる。
さらに、本実施形態である積層膜１０において、Ａｇ合金膜１１が、さらに、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素を含有しており、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が、０．０１以上、かつ、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が、０．５０以下の範囲内とされている場合には、積層膜１０の電気特性及び光学特性を確保したまま、積層膜１０の耐環境性をより向上させることが可能となる。
また、本実施形態である積層膜１０においては、透明導電酸化物膜１２が、Ｉｎ酸化物、Ｓｎ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｎｂ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ａｌ酸化物、Ｇａ酸化物から選択されるいずれか一種又は二種以上を含む構成とされているので、透明導電酸化物膜１２における電気特性及び光学特性に優れており、積層膜１０全体としての光学特性及び電気特性を向上させることができる。
さらに、本実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲット２０においては、Ｇｅを５．０原子％以上１３．０原子％以下の範囲内で含み、残部がＡｇ及び不可避不純物とされた組成とされているので、Ａｇ合金膜１１を成膜する際において、Ａｇの拡散がこれらの元素によって抑制され、Ａｇ合金膜１１の膜厚を３ｎｍ以上１０ｎｍ以下と薄く形成した場合であっても、Ａｇの凝集を抑制することができ、比較的均一な膜厚のＡｇ合金膜１１を形成することが可能となる。
また、本実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲット２０においては、結晶粒径の平均値が２００μｍ以下であり、スパッタ面の複数の箇所で測定された結晶粒径の平均値μＧＳと結晶粒径の標準偏差σＧＳとによって定義される結晶粒径の分布ＤＧＳ＝（σＧＳ／μＧＳ）×１００が、２５％以下とされているので、スパッタ面全体でスパッタレートが比較的一定となり、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の膜厚のＡｇ合金膜１１を安定して成膜することができる。
また、本実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲット２０が、さらに、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素を含有しており、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）が、０．０５以上０．５０以下の範囲内とされている場合には、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の薄いＡｇ合金膜１１であっても、Ａｇの凝集を抑制でき、安定してＡｇ合金膜１１を成膜することができる。また、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎに起因する耐環境性及び水蒸気耐性の劣化を抑制でき、水蒸気を含む雰囲気で成膜した場合であっても、Ａｇの凝集を抑制することができる。
また、本実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲット２０が、さらに、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素を含有しており、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が、０．０１以上、かつ、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が、０．５０以下の範囲内とされている場合には、成膜したＡｇ合金膜１１の電気特性及び光学特性を確保したまま、Ａｇ合金膜１１の耐環境性をより向上させることが可能となる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、本実施形態では、ガラス基板に積層膜を成膜するものとして説明したが、これに限定されることはなく、樹脂基板や樹脂フィルム等に本実施形態である積層膜を成膜してもよい。
例えば、本実施形態では、ガラス基板に積層膜を成膜するものとして説明したが、これに限定されることはなく、樹脂基板や樹脂フィルム等に本実施形態である積層膜を成膜してもよい。
また、本実施形態では、図１に示すように、Ａｇ合金膜１１を１層形成し、このＡｇ合金膜１１の両面に透明導電酸化物膜１２を形成した３層構造の積層膜として説明したが、これに限定されることはなく、例えば、図５に示すように、Ａｇ合金膜１１を２層形成し、このＡｇ合金膜１１の両面に透明導電酸化物膜１２が積層された５層構造の積層膜１１０としてもよいし、Ａｇ合金膜を３層以上形成し、それぞれのＡｇ合金膜の両面に透明誘電体膜を形成した積層膜であってもよい。
さらに、図６に示すように、基板１の上にＡｇ合金膜１１を成膜し、このＡｇ合金膜１１の上に透明導電酸化物膜１２を成膜した積層膜２１０であってもよい。
また、図７に示すように、基板１の上に透明導電酸化物膜１２を成膜し、この透明導電酸化物膜１２の上にＡｇ合金膜１１を成膜した積層膜３１０であってもよい。
すなわち、Ａｇ合金膜１１の一面側にのみ透明導電酸化物膜１２を成膜した積層膜であってもよい。
また、図７に示すように、基板１の上に透明導電酸化物膜１２を成膜し、この透明導電酸化物膜１２の上にＡｇ合金膜１１を成膜した積層膜３１０であってもよい。
すなわち、Ａｇ合金膜１１の一面側にのみ透明導電酸化物膜１２を成膜した積層膜であってもよい。
さらに、本実施形態では、透明導電酸化物膜１２を、酸化物からなるスパッタリングターゲットを用いて成膜したものとして説明したが、これに限定されることはなく、上述の金属（Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｇａ）からなるスパッタリングターゲットを用いて、酸素雰囲気で反応スパッタを行うことによって成膜してもよい。
また、本実施形態では、スパッタ面が矩形状をなすものとして説明したが、これに限定されることはなく、スパッタ面が円形をしていてもよいし、円筒面となる円筒型スパッタリングターゲットであってもよい。
なお、スパッタ面が円形状をなすスパッタリングターゲットにおいては、図８に示すように、円の中心（１）、及び、円の中心を通過するとともに互いに直交する２本の直線上の外周部分（２）、（３）、（４）、（５）の５点で、結晶粒径を測定することが好ましい。なお、外周部分（２）、（３）、（４）、（５）は、外周縁から内側に向かって直径の１０％以内の範囲内とした。
また、スパッタ面が円筒面となる円筒型スパッタリングターゲットにおいては、図９に示すように、軸線Ｏ方向に半分の地点から外周方向に９０°間隔の（１）、（２）、（３）、（４）の４点で、結晶粒径を測定することが好ましい。
なお、スパッタ面が円形状をなすスパッタリングターゲットにおいては、図８に示すように、円の中心（１）、及び、円の中心を通過するとともに互いに直交する２本の直線上の外周部分（２）、（３）、（４）、（５）の５点で、結晶粒径を測定することが好ましい。なお、外周部分（２）、（３）、（４）、（５）は、外周縁から内側に向かって直径の１０％以内の範囲内とした。
また、スパッタ面が円筒面となる円筒型スパッタリングターゲットにおいては、図９に示すように、軸線Ｏ方向に半分の地点から外周方向に９０°間隔の（１）、（２）、（３）、（４）の４点で、結晶粒径を測定することが好ましい。
以下に、本発明の有効性を確認するために行った確認実験の結果について説明する。
純度９９．９ｍａｓｓ％以上のＡｇ原料を準備し、このＡｇ原料を真空雰囲気下で溶解し、Ａｒガスに置換した後、純度９９．９ｍａｓｓ％以上のＧｅ、及び、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔを含む副原料を添加し、所定の組成のＡｇ合金溶湯を溶製した。そして、このＡｇ合金溶湯を、鋳造してＡｇ合金インゴットを製造した。
（成分組成）
得られたＡｇ合金インゴットから分析用サンプルを採取して、ＩＣＰ発光分光分析法によって成分組成を測定した。この測定結果をＡｇ合金スパッタリングターゲットの成分組成として表１に示す。
得られたＡｇ合金インゴットから分析用サンプルを採取して、ＩＣＰ発光分光分析法によって成分組成を測定した。この測定結果をＡｇ合金スパッタリングターゲットの成分組成として表１に示す。
得られたＡｇ合金インゴットに対して、６５０℃×２時間の条件で均質化処理を行った。この均質化処理を行った後、熱間圧延を実施した。圧延終了温度を５００℃とし、累計圧下率を８０％とした。また、圧延の最終パスの圧下率を２０％とした。
熱間圧延後に、６５０℃×１時間の条件で熱処理を行った。熱処理後は水冷にて急冷した。
熱間圧延後に、６５０℃×１時間の条件で熱処理を行った。熱処理後は水冷にて急冷した。
なお、比較例６においては、圧延の累計圧下率を８０％とし、圧延後の熱処理条件を８００℃×１時間とした。
また、比較例７においては、圧延の累計圧下率を４０％、圧延後の熱処理条件を６５０℃×１時間とした。
以上により、長さ２０００ｍｍ、幅２００ｍｍ、厚さ８ｍｍの板材を得た。
また、比較例７においては、圧延の累計圧下率を４０％、圧延後の熱処理条件を６５０℃×１時間とした。
以上により、長さ２０００ｍｍ、幅２００ｍｍ、厚さ８ｍｍの板材を得た。
（結晶粒径）
得られた板材において、スパッタ面おける結晶粒径の平均値及び分布を以下のように測定した。
図４に示す位置より測定試料を採取し、各測定試料のスパッタ面を観察面として研磨した後、エッチング処理を行った。
次に、エッチング液として過酸化水素水とアンモニア水との混合液を用いて、このエッチング液に室温で１〜２秒浸漬することによって、観察面のエッチングを行った。
得られた板材において、スパッタ面おける結晶粒径の平均値及び分布を以下のように測定した。
図４に示す位置より測定試料を採取し、各測定試料のスパッタ面を観察面として研磨した後、エッチング処理を行った。
次に、エッチング液として過酸化水素水とアンモニア水との混合液を用いて、このエッチング液に室温で１〜２秒浸漬することによって、観察面のエッチングを行った。
エッチング後の観察面を光学顕微鏡で観察し、組織写真を得た。この組織写真を用いて、国際規格ＡＳＴＭ Ｅ−１１２に基づく切断法により、粒径測定を行い、ＡＳＴＭ粒度番号Ｇを算出し、ＡＳＴＭ粒度番号Ｇに対応した平均粒径を求めた。このとき、双晶は測定から除外した。１つの測定試料につき３視野で測定し、その平均値を当該測定試料の結晶粒径とした。なお、結晶粒径の大きさに応じて、観察倍率を適宜選択して観察を実施した。
各５箇所の測定試料から得られた結晶粒径の５点平均から板材全体としての結晶粒径の平均値μＧＳ、及び、標準偏差σＧＳを算出した。そして、これら結晶粒径の平均値μＧＳ、及び、標準偏差σＧＳを用いて、分布ＤＧＳ＝（σＧＳ／μＧＳ）×１００（％）を算出した。この測定結果をＡｇ合金スパッタリングターゲットの結晶粒径として表１に示す。
次に、上述の板材を切断して機械加工することにより、所定寸法（１２６ｍｍ×１７８ｍｍ×厚さ６ｍｍ）のＡｇ合金スパッタリングターゲットを製作した。
上述のＡｇ合金スパッタリングターゲットを用いて、以下のようにして、積層膜を成膜した。
まず、基板として、１０ｃｍ×３０ｃｍのガラス基板（コーニング社製ＥＡＧＬＥＸＧ）を準備した。
まず、基板として、１０ｃｍ×３０ｃｍのガラス基板（コーニング社製ＥＡＧＬＥＸＧ）を準備した。
また、透明導電酸化物膜を成膜するスパッタリングターゲットとして、以下の組成のスパッタリングターゲットを準備した。
ＩＴＯ：Ｉｎ２Ｏ３−１０ｍａｓｓ％ＳｎＯ２
ＩＺＯ：Ｉｎ２Ｏ３−１０ｍａｓｓ％ＺｎＯ
ＴｉＯｘ：ＴｉＯ２
ＮｂＯｘ：Ｎｂ２Ｏ５
ＩＴＯ：Ｉｎ２Ｏ３−１０ｍａｓｓ％ＳｎＯ２
ＩＺＯ：Ｉｎ２Ｏ３−１０ｍａｓｓ％ＺｎＯ
ＴｉＯｘ：ＴｉＯ２
ＮｂＯｘ：Ｎｂ２Ｏ５
ここで、上述のスパッタリングターゲットによって成膜された透明導電酸化物膜の波長５５０ｎｍにおける屈折率は以下のとおりである。
ＩＴＯ膜：２．１
ＩＺＯ膜：２．０
ＴｉＯｘ膜：２．４
ＮｂＯｘ膜：２．４
ＩＴＯ膜：２．１
ＩＺＯ膜：２．０
ＴｉＯｘ膜：２．４
ＮｂＯｘ膜：２．４
上述のスパッタリングターゲット及びＡｇ合金スパッタリングターゲットを、無酸素銅製のバッキングプレートにはんだ付けし、これをスパッタ装置に装着した。本実施形態では、マグネトロンＤＣスパッタ装置を用いた。また、本実施形態では、基板搬送式のスパッタ装置を用いた。
そして、以下の条件でスパッタを行い、基板の上に、透明導電酸化物膜及びＡｇ合金膜を成膜し、表２に示す層構成の積層膜を得た。なお、成膜後には、赤外線イメージ炉を用いて大気中で２３０℃×１５分の熱処理を実施した。
成膜開始真空度：１．０×１０−４Ｐａ以下
スパッタガス：高純度アルゴン
チャンバー内スパッタガス圧力：０．４Ｐａ
直流電力：１００Ｗ
成膜開始真空度：１．０×１０−４Ｐａ以下
スパッタガス：高純度アルゴン
チャンバー内スパッタガス圧力：０．４Ｐａ
直流電力：１００Ｗ
（Ａｇ合金膜の組成）
なお、積層膜とは別に、基板上にＡｇ合金膜を厚さ１０００ｎｍで成膜し、これをＩＣＰ発光分光分析法によって成分組成を測定した。これにより、Ａｇ合金膜の成分組成が、Ａｇ合金スパッタリングターゲットの成分組成と同等であることを確認した。
なお、積層膜とは別に、基板上にＡｇ合金膜を厚さ１０００ｎｍで成膜し、これをＩＣＰ発光分光分析法によって成分組成を測定した。これにより、Ａｇ合金膜の成分組成が、Ａｇ合金スパッタリングターゲットの成分組成と同等であることを確認した。
（膜厚測定）
スパッタリングによって成膜する場合、一定時間成膜した際の膜厚を段差測定計（ＤＥＫＴＡＫ−ＸＴ）によって測定することでスパッタリングレートを測定し、その値を元に成膜時間を調整して、目標厚さとなるように成膜する。なお、Ａｇ合金膜の膜厚が１０ｎｍ以下と非常に薄いことから、膜厚制御のためにはスパッタリングレートはできるだけ遅くすることが好ましい。
実際の積層膜については、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって積層膜の断面を観察することで確認し、狙い値通りの膜厚が成膜されていることを確認した。ＴＥＭ観察のための試料作製には、例えば、クロスセクションポリッシャー（ＣＰ）や、集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いることができる。
スパッタリングによって成膜する場合、一定時間成膜した際の膜厚を段差測定計（ＤＥＫＴＡＫ−ＸＴ）によって測定することでスパッタリングレートを測定し、その値を元に成膜時間を調整して、目標厚さとなるように成膜する。なお、Ａｇ合金膜の膜厚が１０ｎｍ以下と非常に薄いことから、膜厚制御のためにはスパッタリングレートはできるだけ遅くすることが好ましい。
実際の積層膜については、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって積層膜の断面を観察することで確認し、狙い値通りの膜厚が成膜されていることを確認した。ＴＥＭ観察のための試料作製には、例えば、クロスセクションポリッシャー（ＣＰ）や、集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いることができる。
そして、上述のようにして得られた積層膜について、以下のようにして、シート抵抗、透過率、耐環境性、水蒸気耐性について評価した。評価結果を表３に示す。
（シート抵抗）
積層膜のシート抵抗を、三菱化学製抵抗測定器ロレスタＧＰによる四探針法により測定した。
また、１０ｃｍ×３０ｃｍのガラス基板の図３に示す各点より基板片を採取し、シート抵抗を評価し、シート抵抗の５点測定における平均値μＲとシート抵抗の５点測定における標準偏差σＲとを測定し、シート抵抗の分布ＤＲ＝（σＲ／μＲ）×１００（％）を算出した。評価結果を表３に示す。
積層膜のシート抵抗を、三菱化学製抵抗測定器ロレスタＧＰによる四探針法により測定した。
また、１０ｃｍ×３０ｃｍのガラス基板の図３に示す各点より基板片を採取し、シート抵抗を評価し、シート抵抗の５点測定における平均値μＲとシート抵抗の５点測定における標準偏差σＲとを測定し、シート抵抗の分布ＤＲ＝（σＲ／μＲ）×１００（％）を算出した。評価結果を表３に示す。
（透過率）
積層膜の透過率を分光光度計（株式会社日立ハイテクノロジーズ製Ｕ−４１００）を用いて測定した。表３には、波長３８０ｎｍから７８０ｎｍにおける透過率の平均値を記載した。
なお、測定に際し、測定ベースラインをガラス基板で測定しているため、表中記載の値は基板の透過率を１００とした際の相対的透過率とした。
積層膜の透過率を分光光度計（株式会社日立ハイテクノロジーズ製Ｕ−４１００）を用いて測定した。表３には、波長３８０ｎｍから７８０ｎｍにおける透過率の平均値を記載した。
なお、測定に際し、測定ベースラインをガラス基板で測定しているため、表中記載の値は基板の透過率を１００とした際の相対的透過率とした。
（耐環境性）
積層膜に対し、恒温恒湿試験として、温度８５℃、湿度８５％の環境下に２５０時間保持し、試験後の膜のシート抵抗を測定し、試験前後の変化率を評価した。
（変化率）＝（試験後シート抵抗−試験前シート抵抗）／（試験前シート抵抗）×１００（％）
積層膜に対し、恒温恒湿試験として、温度８５℃、湿度８５％の環境下に２５０時間保持し、試験後の膜のシート抵抗を測定し、試験前後の変化率を評価した。
（変化率）＝（試験後シート抵抗−試験前シート抵抗）／（試験前シート抵抗）×１００（％）
（水蒸気耐性）
積層膜を成膜する際に、Ａｒガスに水蒸気（Ｈ２Ｏ）を分圧比が４％となるように導入した。そして、成膜された積層膜について、上述のように、シート抵抗及び透過率を測定した。測定結果を表３に示す。
積層膜を成膜する際に、Ａｒガスに水蒸気（Ｈ２Ｏ）を分圧比が４％となるように導入した。そして、成膜された積層膜について、上述のように、シート抵抗及び透過率を測定した。測定結果を表３に示す。
比較例１０１においては、Ｇｅの含有量が３．０原子％と本発明の範囲よりも低い比較例１のＡｇ合金スパッタリングターゲットを用いてＡｇ合金膜を成膜しており、耐環境性が不十分であり、かつ、水蒸気耐性も不十分であった。
比較例１０２においては、原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）が１．１４と本発明の範囲よりも大きい比較例３のＡｇ合金スパッタリングターゲットを用いてＡｇ合金膜を成膜しており、耐環境性が不十分であり、かつ、水蒸気耐性も不十分であった。
比較例１０３，１０４においては、原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）がそれぞれ１．１４、０．７１と本発明の範囲よりも大きい比較例４、比較例５のＡｇ合金スパッタリングターゲットを用いてＡｇ合金膜を成膜しており、水蒸気耐性が不十分であった。
比較例１０２においては、原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）が１．１４と本発明の範囲よりも大きい比較例３のＡｇ合金スパッタリングターゲットを用いてＡｇ合金膜を成膜しており、耐環境性が不十分であり、かつ、水蒸気耐性も不十分であった。
比較例１０３，１０４においては、原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）がそれぞれ１．１４、０．７１と本発明の範囲よりも大きい比較例４、比較例５のＡｇ合金スパッタリングターゲットを用いてＡｇ合金膜を成膜しており、水蒸気耐性が不十分であった。
比較例１０５においては、平均結晶粒径μＧＳが２８９μｍと本発明の範囲よりも大きい比較例６のＡｇ合金スパッタリングターゲットを用いてＡｇ合金膜を成膜しており、シート抵抗の分布ＤＲが大きく、面内での特性が均一なＡｇ合金膜を成膜することができなかった。
比較例１０６においては、平均結晶粒径μＧＳが２４１μｍ、分布ＤＧＳが４０％と本発明の範囲よりも大きい比較例７のＡｇ合金スパッタリングターゲットを用いてＡｇ合金膜を成膜しており、シート抵抗の分布ＤＲが大きく、面内での特性が均一なＡｇ合金膜を成膜することができなかった。
比較例１０６においては、平均結晶粒径μＧＳが２４１μｍ、分布ＤＧＳが４０％と本発明の範囲よりも大きい比較例７のＡｇ合金スパッタリングターゲットを用いてＡｇ合金膜を成膜しており、シート抵抗の分布ＤＲが大きく、面内での特性が均一なＡｇ合金膜を成膜することができなかった。
比較例１０７においては、Ｇｅの含有量が１５．０原子％と本発明の範囲よりも多い比較例２のＡｇ合金スパッタリングターゲットを用いて膜厚２ｎｍのＡｇ合金膜を成膜しており、シート抵抗が高く、電気特性が不十分であった。
比較例１０８においては、Ｇｅの含有量が１５．０原子％と本発明の範囲よりも多い比較例２のＡｇ合金スパッタリングターゲットを用いて膜厚１０ｎｍのＡｇ合金膜を成膜しており、透過率が低く、光学特性が不十分であった。
比較例１０８においては、Ｇｅの含有量が１５．０原子％と本発明の範囲よりも多い比較例２のＡｇ合金スパッタリングターゲットを用いて膜厚１０ｎｍのＡｇ合金膜を成膜しており、透過率が低く、光学特性が不十分であった。
これに対して、本発明例１〜１８のＡｇ合金スパッタリングターゲットを用いて、膜厚３ｎｍ以上１０ｎｍ以下のＡｇ合金膜を成膜した本発明例１０１〜１２７の積層膜においては、積層膜のシート抵抗が３２Ω／□以下とされるとともに、積層膜の透過率が８６．５％以上とされており、電気特性及び光学特性に優れていることが確認された。また、恒温恒湿試験後のシート抵抗の変化率も比較的小さく、耐環境性にも優れていることが確認された。
さらに、成膜時に水蒸気を導入した場合であっても、シート抵抗及び透過率に優れており、水蒸気耐性に優れていることが確認された。
また、面内の複数の箇所で測定されたシート抵抗の分布が２０％以下とされており、均一な膜厚のＡｇ合金膜が成膜されていることが確認された。
なお、本発明例１２１においては、基板の上に透明導電酸化物膜を形成し、この透明導電酸化物膜の一方の面にＡｇ合金膜を成膜した２層構造の積層膜とし、本発明例１２２においては、Ａｇ合金膜の一方の面に透明導電酸化物膜を成膜したが、それぞれ同様の効果が確認された。
さらに、成膜時に水蒸気を導入した場合であっても、シート抵抗及び透過率に優れており、水蒸気耐性に優れていることが確認された。
また、面内の複数の箇所で測定されたシート抵抗の分布が２０％以下とされており、均一な膜厚のＡｇ合金膜が成膜されていることが確認された。
なお、本発明例１２１においては、基板の上に透明導電酸化物膜を形成し、この透明導電酸化物膜の一方の面にＡｇ合金膜を成膜した２層構造の積層膜とし、本発明例１２２においては、Ａｇ合金膜の一方の面に透明導電酸化物膜を成膜したが、それぞれ同様の効果が確認された。
以上のことから、本発明例によれば、例えば、Ａｇ合金膜の膜厚を１０ｎｍ以下として、電気特性及び光学特性に優れ、透明導電配線膜あるいは透明電極に特に適した積層膜、及び、この積層膜を構成するＡｇ合金膜を成膜する際に用いられるＡｇ合金スパッタリングターゲットを提供できることが確認された。
１０，１１０，２１０，３１０ 積層膜
１１ Ａｇ合金膜
１２ 透明導電酸化物膜
２０ Ａｇ合金スパッタリングターゲット
１１ Ａｇ合金膜
１２ 透明導電酸化物膜
２０ Ａｇ合金スパッタリングターゲット
Claims (9)
- Ａｇ合金膜と、このＡｇ合金膜の一方の面又は両面に積層された透明導電酸化物膜と、を備えた積層膜であって、
前記Ａｇ合金膜は、Ｇｅを５．０原子％以上１３．０原子％以下の範囲内で含み、残部がＡｇ及び不可避不純物とされた組成とされ、
前記Ａｇ合金膜の膜厚が３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内とされていることを特徴とする積層膜。 - 前記Ａｇ合金膜は、さらに、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素を含有しており、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）が、０．０５以上０．５０以下の範囲内とされていることを特徴する請求項１に記載の積層膜。
- 前記Ａｇ合金膜は、さらに、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素を含有しており、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が、０．０１以上、かつ、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が、０．５０以下の範囲内とされていることを特徴する請求項１又は請求項２に記載の積層膜。
- 前記積層膜のシート抵抗が４０Ω／□以下とされるとともに、面内の複数の箇所で測定された前記シート抵抗の平均値μＲと標準偏差σＲとによって定義されるシート抵抗の分布ＤＲ＝（σＲ／μＲ）×１００が、２０％以下とされていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の積層膜。
- 前記透明導電酸化物膜は、Ｉｎ酸化物、Ｓｎ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｎｂ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ａｌ酸化物、Ｇａ酸化物から選択されるいずれか一種又は二種以上を含むことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の積層膜。
- 前記透明導電酸化物膜は、波長５５０ｎｍにおける屈折率が１．９以上２．４以下の範囲内とされるとともに、膜厚が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内とされていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の積層膜。
- Ｇｅを５．０原子％以上１３．０原子％以下の範囲内で含み、残部がＡｇ及び不可避不純物とされた組成とされ、
さらに、結晶粒径の平均値が２００μｍ以下であり、
スパッタ面の複数の箇所で測定された結晶粒径の平均値μＧＳと結晶粒径の標準偏差σＧＳとによって定義される結晶粒径の分布ＤＧＳ＝（σＧＳ／μＧＳ）×１００が、２５％以下とされていることを特徴とするＡｇ合金スパッタリングターゲット。 - さらに、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素を含有しており、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）／（Ｇｅ）が、０．０５以上０．５０以下の範囲内とされていることを特徴する請求項７に記載のＡｇ合金スパッタリングターゲット。
- さらに、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の元素を含有しており、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が、０．０１以上、かつ、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択されるいずれか一種又は二種以上の合計含有量（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）と、Ｇｅの含有量（Ｇｅ）との原子比（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｐｄ＋Ａｕ＋Ｐｔ）／（Ｇｅ）が、０．５０以下の範囲内とされていることを特徴する請求項７又は請求項８に記載のＡｇ合金スパッタリングターゲット。
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