JP6836441B2 - パターン積層体の製造方法 - Google Patents
パターン積層体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6836441B2 JP6836441B2 JP2017061612A JP2017061612A JP6836441B2 JP 6836441 B2 JP6836441 B2 JP 6836441B2 JP 2017061612 A JP2017061612 A JP 2017061612A JP 2017061612 A JP2017061612 A JP 2017061612A JP 6836441 B2 JP6836441 B2 JP 6836441B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive layer
- pattern
- piezoelectric
- piezoelectric layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 53
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 17
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 description 28
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 6
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 125000002573 ethenylidene group Chemical group [*]=C=C([H])[H] 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoroethene Chemical group FC=C(F)F MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- BZPCMSSQHRAJCC-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,3,4,4,5,5,5-nonafluoro-1-(1,2,3,3,4,4,5,5,5-nonafluoropent-1-enoxy)pent-1-ene Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)=C(F)OC(F)=C(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F BZPCMSSQHRAJCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXDMBDOSKSPLDU-UHFFFAOYSA-N 8-chloro-2,3,3,4,5,5,6,6,7,7,8,9,9,10,11,11-hexadecafluoro-2,4-bis(trifluoromethyl)-oxacycloundecane Chemical compound FC1C(F)(F)OC(C(C(C(C(C(C(C1(F)F)(F)Cl)(F)F)(F)F)(F)F)(C(F)(F)F)F)(F)F)(C(F)(F)F)F UXDMBDOSKSPLDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N antimony tin Chemical compound [Sn].[Sb] GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000747 poly(lactic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000004626 polylactic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000131 polyvinylidene Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Description
図1A〜図1Cは、本発明のパターン積層体の製造方法の一実施形態を示す。パターン積層体10の製造方法は、用意工程、および、パターニング工程を備える。
用意工程では、第1積層体(非パターン積層体)1を用意する。
基材フィルム2は、フィルム形状を有しており、面方向(前後方向および左右方向)に連続した一枚のフィルムから構成されている。
圧電層3は、基材フィルム2の上側に、基材フィルム2の上面と接触するように、配置されている。より具体的には、圧電層3は、基材フィルム2と第1透明導電層4との間に、基材フィルム2の上面および第1透明導電層4の下面と接触するように、配置されている。
第1透明導電層4は、第1積層体1の最上層であって、具体的には、第1透明導電層4は、圧電層3の上側に、圧電層3の上面と接触するように、配置されている。
第2透明導電層5は、第1積層体1の最下層であって、具体的には、第2透明導電層5は、基材フィルム2の下側に、基材フィルム2の下面と接触するように、配置されている。
まず、基材フィルム2を用意し、基材フィルム2の上面全面に圧電層3を形成する。
パターニング工程は、圧電層3および第1透明導電層4をパターニングする第1パターニング工程、および、第2透明導電層5をパターニングする第2パターニング工程を備える。
第1パターニング工程では、圧電層3および第1透明導電層4を同時にパターニングして、パターン圧電層6およびパターン第1透明導電層7を得る。すなわち、導電層パターニング工程および圧電層パターニング工程を同時に実施する。
第2パターニング工程では、第2透明導電層5をパターニングして、パターン第2透明導電層8を得る。
パターン積層体10は、図3および図1C(図3のA−A断面図)に示すように、パターン第2透明導電層8と、基材フィルム2と、パターン圧電層6と、パターン第1透明導電層7とを順に備える。
基材フィルム2は、パターン積層体10の機械強度を確保する基材である。基材フィルム2は、パターン圧電層6、パターン第1透明導電層7およびパターン第2透明導電層8を支持している。
パターン圧電層6は、パターン積層体10に圧力が印加された際に、電圧を生じさせるための層である。
パターン第1透明導電層7は、電圧が生じたパターン圧電層6から電流を取り出すための層である。
パターン第2透明導電層8は、パターン第1透明導電層7と対をなし、電圧が生じたパターン圧電層6から電流を取り出すための層である。
そして、このパターン積層体10の製造方法によれば、圧電層3と、圧電層3の上側に配置される第1透明導電層4と、圧電層3の下側に配置される基材フィルム2と、基材フィルム2の下側に配置される第2透明導電層5とを備える第1積層体1を用意する用意工程、第1透明導電層4および圧電層3を同時にパターニングする第1パターニング工程、および、第2透明導電層5をパターニングする第2パターニング工程を備える。また、第1パターニング工程において、パルスレーザーを第1透明導電層4および圧電層3に照射することによりエッチングする工程であり、パルスレーザーのピークパワーが、5.0MW以上であり、パルスレーザーのラインエネルギーが、0.5mJ/mm以上、5.0mJ/mm未満である。
次に、一実施形態の変形例を示す。なお、以降の各図において、上記と同様の部材には同一の符号を付し、その説明を省略する。
PETフィルム(厚み23μm)の上面に、フッ化ビニリデン系樹脂(ポリフッ化ビニリデン)からなる圧電層(厚み5μm)およびインジウム−スズ複合酸化物(ITO)からなる第1透明導電層(厚み30nm)を順に積層した。また、PETフィルムの下面に、PETフィルムの下面に、ITOからなる第2透明導電層(厚み30nm)を積層した。その後、積層体を加熱して、第1および第2透明導電層のITOを結晶化した。これにより、第1積層体(非パターン積層体)を得た。
パルスレーザーの条件などを表1に示す条件に設定した以外は、実施例1と同様にして、非パターン積層体の上面をエッチングした。その結果を表1に示す。
パルスレーザーの条件などを表1に示す条件に設定した以外は、実施例1と同様にして、非パターン積層体の上面をエッチングした。なお、比較例6では、パルスレーザーの代わりに、半導体レーザーを使用した。その結果を表1に示す。
2 基材フィルム
3 圧電層
4 第1透明導電層
5 第2透明導電層
6 パターン圧電層
7 パターン第1透明導電層
8 パターン第2透明導電層
10 パターン積層体
Claims (5)
- フッ化ビニリデン系樹脂を主成分として含有する圧電層と、前記圧電層の厚み方向一方側に配置される透明導電層とを備える積層体を用意する工程、
前記透明導電層をパターニングする導電層パターニング工程、および、
前記圧電層をパターニングする圧電層パターニング工程
を備え、
前記圧電層パターニング工程が、レーザーを前記圧電層に照射することによりエッチングする工程であり、
前記レーザーが、パルスレーザーであり、
前記レーザーのピークパワーが、5.0MW以上、80MW以下であり、
前記レーザーのラインエネルギーが、0.5mJ/mm以上、5.0mJ/mm未満であることを特徴とする、パターン積層体の製造方法。 - 前記パルスレーザーが、ピコ秒パルスレーザーまたはフェムト秒パルスレーザーであることを特徴とする、請求項1に記載のパターン積層体の製造方法。
- 前記導電層パターニング工程および前記圧電層パターニング工程を同時に実施することを特徴とする、請求項1または2に記載のパターン積層体の製造方法。
- 前記積層体が、前記圧電層の厚み方向他方側に配置される基材フィルムをさらに備えることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載のパターン積層体の製造方法。
- 前記積層体が、前記基材フィルムの厚み方向他方側に配置される第2透明導電層をさらに備えることを特徴とする、請求項4に記載のパターン積層体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017061612A JP6836441B2 (ja) | 2017-03-27 | 2017-03-27 | パターン積層体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017061612A JP6836441B2 (ja) | 2017-03-27 | 2017-03-27 | パターン積層体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018164051A JP2018164051A (ja) | 2018-10-18 |
JP6836441B2 true JP6836441B2 (ja) | 2021-03-03 |
Family
ID=63860307
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017061612A Active JP6836441B2 (ja) | 2017-03-27 | 2017-03-27 | パターン積層体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6836441B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022224671A1 (ja) * | 2021-04-20 | 2022-10-27 | 株式会社クレハ | 透明導電性圧電積層フィルム |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004306127A (ja) * | 2003-04-10 | 2004-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜パターニング加工方法 |
US7332263B2 (en) * | 2004-04-22 | 2008-02-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method for patterning an organic light emitting diode device |
JP2007079161A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Toyota Motor Corp | 超短パルスレーザー加工用光学系、材料微細加工方法、及び微細加工装置 |
KR100934957B1 (ko) * | 2008-02-22 | 2010-01-06 | 한국과학기술연구원 | 압전 폴리머 기판을 이용한 하이브리드 전기소자와 그제조방법 |
JP5686443B2 (ja) * | 2013-01-10 | 2015-03-18 | 日本写真印刷株式会社 | 接着層付きフィルム状感圧センサとこれを用いたタッチパッド、タッチ入力機能付き保護パネル及び電子機器 |
KR101765431B1 (ko) * | 2014-07-02 | 2017-08-07 | 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 | 고분자 압전 재료, 적층체, 고분자 압전 재료의 제조 방법 및 적층체의 제조 방법 |
-
2017
- 2017-03-27 JP JP2017061612A patent/JP6836441B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018164051A (ja) | 2018-10-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI505159B (zh) | 電容式觸控面板 | |
US8382943B2 (en) | Method and apparatus for the selective separation of two layers of material using an ultrashort pulse source of electromagnetic radiation | |
JPH10242489A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
KR20150134340A (ko) | 비침습적 레이저 패터닝 | |
CN105855711B (zh) | 透明导电板的激光蚀刻方法及其所制成的透明导电板 | |
JP6836441B2 (ja) | パターン積層体の製造方法 | |
KR20020026163A (ko) | 애블레이션 보강층 | |
KR100395598B1 (ko) | 레이저를 이용한 터치스크린의 투명전극 식각 방법 | |
JP2011088799A (ja) | 半導体装置の製造方法およびレーザー加工装置 | |
TWI656937B (zh) | 用於為沈積於一透明基板之各自相對第一表面及第二表面上之第一透明導電層及第二透明導電層雷射劃線之方法 | |
WO2010070940A1 (ja) | レーザ加工装置、レーザ加工方法、および光起電力装置の製造方法 | |
JP2010172959A (ja) | 膜除去装置、および半導体装置の製造方法 | |
JP2013232291A (ja) | 透明配線シートおよびその製造方法ならびにタッチパネル用入力部材 | |
JP2010021361A (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
JP2002160079A (ja) | 薄膜アブレーション加工方法及び装置 | |
JP2014026584A (ja) | 透明配線シートおよびその製造方法ならびにタッチパネル用入力部材 | |
KR101368903B1 (ko) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 | |
CN115485097A (zh) | 复合材料的截断方法 | |
US20120125902A1 (en) | Absorbing method and apparatus for rear side laser process | |
JP2009239281A (ja) | 光起電モジュールの酸化亜鉛製の前側電極層をパターン加工するための方法 | |
JP2013097996A (ja) | 透明配線板及びこれを用いた入力装置 | |
JP5237982B2 (ja) | 有機el用蒸着マスククリーニング装置、有機elディスプレイの製造装置および有機el用蒸着マスククリーニング方法 | |
JP4764989B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2004298885A (ja) | レーザー加工用治具及びレーザー加工方法 | |
JP2012169061A (ja) | 導電パターン形成基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201030 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201224 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210126 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210205 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6836441 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |