CN116959783A - 一种导电膜和触控电极及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本说明书实施例提供一种导电膜和触控电极及其制备方法。该导电膜包括基膜和导电层，导电层覆盖于基膜上，导电层包括第一导电区域和第二导电区域，其中，第一导电区域包括导电网格结构；导电网格结构包括多个镂空格和导电网格线；第二导电区域环绕第一导电区域设置，第二导电区域与导电网格线相连通；第一导电区域的面电阻大于第二导电区域的面电阻。
Description
技术领域
本说明书涉及触控技术领域，特别涉及一种导电膜和触控电极及其制备方法。
背景技术
随着科学技术的发展，触控交互已成为人机交互的重要方式之一，广泛应用于智慧家居、智能家电、医疗保健、自助商超、商业广告、智慧物流、智能结算、工业控制、车载显示等领域。触控电极需要在导电膜的基础上进行加工，现有的导电膜在用于后续加工触控电极的触控图形和引线时，会导致触控电极的制备较繁琐。
发明内容
本说明书实施例之一提供一种导电膜。该导电膜包括：基膜和导电层，所述导电层覆盖于所述基膜上，所述导电层包括第一导电区域和第二导电区域，其中，所述第一导电区域包括导电网格结构；所述导电网格结构包括多个镂空格和导电网格线；所述第二导电区域环绕所述第一导电区域设置，所述第二导电区域与所述导电网格线相连通；所述第一导电区域的面电阻大于所述第二导电区域的面电阻。
在一些实施例中，所述导电层上具有至少两个所述第一导电区域，且相邻两个所述第一导电区域之间具有所述第二导电区域。
在一些实施例中，所述至少两个第一导电区域阵列排布；所述第一导电区域的形状为圆形或多边形。
在一些实施例中，相邻的两个所述第一导电区域之间的最小间距为200mm-350mm。
在一些实施例中，所述导电层包括导电纳米层，所述导电纳米层包括纳米金属层或纳米金属线层中的至少一种，其中，所述纳米金属层包括纳米金、纳米银、纳米铜、纳米铂、纳米钯、纳米铝、纳米锡、纳米铅或纳米钛中的至少一种；所述纳米金属线层包括纳米银线、纳米金线、纳米铜线、纳米铂线、纳米铝线、纳米钛线或纳米锡线中的至少一种。
在一些实施例中，所述第一导电区域的面电阻与所述第二导电区域的面电阻的比值不小于5；所述第一导电区域的面电阻为5Ω/□-150Ω/□，所述第二导电区域的面电阻为0.1Ω/□-10Ω/□。
在一些实施例中，所述第一导电区域的可见光透光率大于所述第二导电区域的可见光透光率；所述第一导电区域的可见光透光率为80％-92％，所述第二导电区域的可见光透光率为20％-85％。
在一些实施例中，所述导电网格结构由所述导电层经黄光蚀刻形成。
本说明书实施例之一提供一种导电膜的制备方法。该方法包括：在基膜上制备导电层；以及蚀刻所述导电层，制得所述导电膜，其中，所述导电层上包括经过蚀刻形成导电网格结构的第一导电区域，以及未经蚀刻的第二导电区域；所述导电网格结构包括多个镂空格和导电网格线；所述第二导电区域环绕所述第一导电区域，所述第二导电区域与所述导电网格线相连通；所述第一导电区域的面电阻大于所述第二导电区域的面电阻。
在一些实施例中，蚀刻所述导电层包括：通过黄光蚀刻在所述导电层上形成包括所述导电网格结构的所述第一导电区域。
本说明书实施例之一提供一种触控电极。该触控电极包括前述的导电膜，触控电极包括触控图形和引线，其中，所述触控图形形成于所述第一导电区域；所述引线形成于所述第二导电区域。
本说明书实施例之一提供一种触控电极的制备方法，使用前述的导电膜，该方法包括：在所述第一导电区域通过激光蚀刻制备所述触控电极的触控图形；以及在所述第二导电区域通过激光蚀刻制备所述触控电极的引线。
附图说明
本说明书将以示例性实施例的方式进一步说明，这些示例性实施例将通过附图进行详细描述。这些实施例并非限制性的，在这些实施例中，相同的编号表示相同的结构，其中：
图1是根据本说明书一些实施例所示的示例性导电膜的俯视图。
图2是图1中区域A的局部放大图。
图3是图1中第一导电区域的B-B剖视图。
图4是图1中第二导电区域的C-C剖视图。
图中，100为导电膜，110为基膜，120为导电层，121为第一导电区域，1211为镂空格，1212为导电网格线，122为第二导电区域，123为导电纳米层，124为导电保护层。
具体实施方式
为了更清楚地说明本说明书实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本说明书的一些示例或实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图将本说明书应用于其它类似情景。除非从语言环境中显而易见或另做说明，图中相同标号代表相同结构或操作。
如本说明书和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其它的步骤或元素。
本说明书实施例之一提供一种导电膜。该导电膜包括基膜和导电层，导电层覆盖于基膜上。导电层包括第一导电区域和第二导电区域，其中，第一导电区域包括导电网格结构；第二导电区域环绕第一导电区域设置。第一导电区域可以用于制备触控电极的触控图形，触控图形区域用于感应外界的触控信号，对导电性要求不高，但其作为可视区域，对光学透过性和外观有较高的要求；第二导电区域可以用于制备触控电极的引线，引线用于信号的传输，要求较高的导电性，而对光学性能和外观无要求。通过在导电层上设计第一导电区域和第二导电区域可以方便触控电极的制备。
图1是根据本说明书一些实施例所示的示例性导电膜的俯视图，图2是图1中区域A的局部放大图，图3是图1中第一导电区域的B-B剖视图，图4是图1中第二导电区域的C-C剖视图。
如图1所示，导电膜100可以包括基膜110(图1中未示出，如图3和图4中示出)和导电层120。导电层120覆盖于基膜110上。导电层120包括第一导电区域121和第二导电区域122。其中，第一导电区域121由导电层120经黄光蚀刻成导电网格结构形成，导电网格结构可以包括多个镂空格1211和导电网格线1212(如图2所示)第二导电区域122环绕第一导电区域121设置。第二导电区域122与导电网格线1212相连通，以实现信号(例如，电信号)的传输。第一导电区域121的面电阻大于第二导电区域122的面电阻。
第一导电区域121用于在触控电极上形成触控图形，第二导电区域122用于在触控电极上形成引线，第二导电区域122的面电阻较第一导电区域121的面电阻更小，可以保证第二导电区域122的导电性能比第一导电区域121好，以实现信号的传输。而第一导电区域121则由于导电层120被黄光蚀刻呈导电网格结构而导致面电阻较大，但是这意味着第一导电区域121的透光率增大，形成触控图形时可以使得触控电极获得较优的光学透光性和外观。需要说明的是，第一导电区域121是导电层120上经过黄光蚀刻的区域，而第二导电区域122是导电层120上没有经过黄光蚀刻的区域。
导电层120覆盖于基膜110上可以理解为导电层120覆盖在基膜110的一侧表面上。例如，导电层120可以覆盖在基膜110的上方。在本说明书中，上方可以是指当导电膜100用于触控电极时朝向触控电极外侧的一方。
在一些实施例中，基膜110的材质可以包括聚酯、环烯烃聚合物(Cyclo OlefinPlymer，COP)、无色聚酰亚胺(Colorless Polyimide，CPI)、聚丙烯(Polypropylene，PP)、聚乙烯(Polyethylene，PE)、三醋酸纤维素(Tri-cellulose Acetate，TCA)、聚(对苯二甲酸乙二醇酯-1,4-环己二烯二亚甲基对苯二甲酸酯)(Poly(ethylene terephthalateco-1,4-cylclohexylenedimethylene terephthalate)，PETG)、热塑性聚氨酯(ThermoplasticUrethane，TPU)、聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol，PVA)、聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)中的一种或多种的组合。
在一些实施例中，聚酯可以包括但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethyleneterephthalate，PET)。
在一些实施例中，基膜110可以包括经处理后的基膜。在一些实施例中，处理可以包括增透处理、减反处理、加硬处理或防眩处理中的至少一种。在一些实施例中，增透处理、减反处理、加硬处理或防眩处理中的至少一种可以通过涂布实现。
在一些实施例中，增透处理可以增加基膜的透光性。
在一些实施例中，减反处理可以减少基膜对光的反射，以进一步增加基膜的透光性。
在一些实施例中，加硬处理可以增加基膜的硬度。例如，加硬处理可以使基膜的表面硬度达3H以上。
在一些实施例中，防眩处理可以使膜材表面变为哑光的漫反射表面，从而减少外界光线对人眼的干扰。
在一些实施例中，基膜的厚度可以为13μm-300μm。在一些实施例中，基膜的厚度可以为30μm-280μm。在一些实施例中，基膜的厚度可以为50μm-250μm。在一些实施例中，基膜的厚度可以为70μm-230μm。在一些实施例中，基膜的厚度可以为90μm-200μm。在一些实施例中，基膜的厚度可以为110μm-180μm。在一些实施例中，基膜的厚度可以为130μm-150μm。在一些实施例中，基膜的厚度可以为20μm、40μm、60μm、80μm、100μm、120μm、140μm、160μm、180μm、200μm、220μm、240μm、260μm、280μm或300μm等。
关于第一导电区域121、导电层120及导电网格结构的相关描述可以参见下文以及本说明书其他部分(例如，图2-图4及其相关描述)。在一些实施例中，如图1所示，导电层120上可以具有至少两个第一导电区域121。例如，第一导电区域121的数量可以为2个、3个、4个、6个或9个等。在一些实施例中，第一导电区域121的形状可以为圆形或多边形(例如，三角形、正方形、矩形、菱形、六边形、八边形)等规则图形。在一些实施例中，至少两个第一导电区域121的形状可以相同或不同。在一些实施例中，至少两个第一导电区域121可以阵列排布，以提高导电膜100的利用率。在一些实施例中，阵列排布可以包括但不限于矩形阵列(简称“矩阵”)排布、圆形阵列排布等。在一些实施例中，矩阵可以表示为m(行)*n(列)，其中，m与n均为大于等于1的整数。例如，4个第一导电区域121可以排列成1*4矩阵或2*2矩阵。又例如，8个第一导电区域121可以排列成1*8矩阵，或2*4矩阵，或4*2矩阵，或8*1矩阵。又例如，如图1所示，9个第一导电区域121可以排列成3*3矩阵。在一些实施例中，至少两个第一导电区域121也可以无规则排布。
在一些实施例中，第一导电区域121的尺寸可以为1英寸-21.5英寸。在一些实施例中，第一导电区域121的尺寸可以为2英寸-21英寸。在一些实施例中，第一导电区域121的尺寸可以为3英寸-20英寸。在一些实施例中，第一导电区域121的尺寸可以为4英寸-19英寸。在一些实施例中，第一导电区域121的尺寸可以为5英寸-18英寸。在一些实施例中，第一导电区域121的尺寸可以为6英寸-17英寸。在一些实施例中，第一导电区域121的尺寸可以为7英寸-16英寸。在一些实施例中，第一导电区域121的尺寸可以为8英寸-15英寸。在一些实施例中，第一导电区域121的尺寸可以为9英寸-14英寸。在一些实施例中，第一导电区域121的尺寸可以为10英寸-13英寸。在一些实施例中，第一导电区域121的尺寸可以为11英寸-12英寸。在一些实施例中，第一导电区域121的尺寸可以为1英寸、3.5英寸、5英寸、5.5英寸、8.9英寸、10.1英寸、13.4英寸、14英寸、15.6英寸、17英寸或21.5英寸等。
在一些实施例中，至少两个第一导电区域121的性能可以相同或不同。在一些实施例中，性能可以包括但不限于尺寸、面电阻、可见光透光率、雾度。
在一些实施例中，第一导电区域121可以由导电层120经黄光蚀刻成导电网格结构形成。在一些实施例中，黄光蚀刻可以包括但不限于氧化腐蚀、酸腐蚀中的至少一种。例如，黄光蚀刻可以包括氧化腐蚀与酸腐蚀。在一些实施例中，蚀刻液可以包括但不限于盐酸-硝酸体系、氯化铁体系、硝酸铁体系、硝酸铁-硝酸体系和磷酸-硝酸-醋酸体系。
导电层120上未经黄光蚀刻的区域为第二导电区域122。在一些实施例中，如图1所示，第二导电区域122可以环绕第一导电区域121设置，这样可以方便在第一导电区域121上制备触控电极的触控图形，以及在第二导电区域122上制备触控电极的引线，以形成触控电极。在一些实施例中，相邻两个第一导电区域121之间可以设有第二导电区域122，以方便将导电膜100上的每个第一导电区域121及环绕每个第一导电区域121设置的第二导电区域122制备为一个触控电极。
在一些实施例中，任意两个第一导电区域121不相交，且相邻的两个第一导电区域121之间具有间距。在一些实施例中，相邻的两个第一导电区域121之间的最小间距(如图1中d所示)可以理解为相邻的两个第一导电区域121之间最小的间隔距离。相邻的两个第一导电区域121之间的间距会影响导电膜100的利用率和后续触控电极的制作。例如，相邻的两个第一导电区域121之间的间距太小，会导致触控电极的引线制作困难，或甚至无法在该间距内制作两条引线，导致无法制备两个触控电极，进一步导致导电膜100的利用率较低。又例如，相邻的两个第一导电区域121之间的间距太大，会产生浪费，也会导致导电膜100的利用率较低。
在一些实施例中，为了提高导电膜100的利用率且方便后续制备触控电极(或引线)，相邻的两个第一导电区域121之间的最小间距为200mm-350mm。在一些实施例中，相邻的两个第一导电区域121之间的最小间距可以为220mm-330mm。在一些实施例中，相邻的两个第一导电区域121之间的最小间距可以为240mm-310mm。在一些实施例中，相邻的两个第一导电区域121之间的最小间距可以为260mm-290mm。在一些实施例中，相邻的两个第一导电区域121之间的最小间距可以为200mm-330mm。在一些实施例中，相邻的两个第一导电区域121之间的最小间距可以为200mm-300mm。在一些实施例中，相邻的两个第一导电区域121之间的最小间距可以为200mm-250mm。
在一些实施例中，第一导电区域121的面电阻与第二导电区域122的面电阻的比值可以不小于5。在一些实施例中，第一导电区域121的面电阻与第二导电区域122的面电阻的比值可以不小于10。在一些实施例中，第一导电区域121的面电阻与第二导电区域122的面电阻的比值可以不小于15。在一些实施例中，第一导电区域121的面电阻与第二导电区域122的面电阻的比值可以不小于20。在一些实施例中，第一导电区域121的面电阻与第二导电区域122的面电阻的比值可以不小于25。在一些实施例中，第一导电区域121的面电阻与第二导电区域122的面电阻的比值可以不小于30。在一些实施例中，第一导电区域121的面电阻与第二导电区域122的面电阻的比值可以不小于35。在一些实施例中，第一导电区域121的面电阻与第二导电区域122的面电阻的比值可以不小于40。在一些实施例中，第一导电区域121的面电阻与第二导电区域122的面电阻的比值可以不小于45。在一些实施例中，第一导电区域121的面电阻与第二导电区域122的面电阻的比值可以不小于50。
在一些实施例中，第一导电区域121的面电阻可以为5Ω/□-150Ω/□。在一些实施例中，第一导电区域121的面电阻可以为10Ω/□-140Ω/□。在一些实施例中，第一导电区域121的面电阻可以为15Ω/□-130Ω/□。在一些实施例中，第一导电区域121的面电阻可以为20Ω/□-120Ω/□。在一些实施例中，第一导电区域121的面电阻可以为25Ω/□-110Ω/□。在一些实施例中，第一导电区域121的面电阻可以为30Ω/□-100Ω/□。在一些实施例中，第一导电区域121的面电阻可以为35Ω/□-90Ω/□。在一些实施例中，第一导电区域121的面电阻可以为40Ω/□-80Ω/□。在一些实施例中，第一导电区域121的面电阻可以为45Ω/□-70Ω/□。在一些实施例中，第一导电区域121的面电阻可以为50Ω/□-60Ω/□。在一些实施例中，第一导电区域121的面电阻可以为5Ω/□、20Ω/□、50Ω/□、80Ω/□、100Ω/□、120Ω/□或150Ω/□等。
在一些实施例中，第二导电区域122的面电阻可以为0.1Ω/□-10Ω/□。在一些实施例中，第二导电区域122的面电阻可以为0.5Ω/□-9Ω/□。在一些实施例中，第二导电区域122的面电阻可以为1Ω/□-8Ω/□。在一些实施例中，第二导电区域122的面电阻可以为1.5Ω/□-7Ω/□。在一些实施例中，第二导电区域122的面电阻可以为2Ω/□-6Ω/□。在一些实施例中，第二导电区域122的面电阻可以为2.5Ω/□-5Ω/□。在一些实施例中，第二导电区域122的面电阻可以为3Ω/□-4Ω/□。在一些实施例中，第二导电区域122的面电阻可以为0.1Ω/□、1Ω/□、2Ω/□、5Ω/□、8Ω/□或10Ω/□等。
通过设置第一导电区域121的面电阻与第二导电区域122的面电阻的比值不小于5，使得第二导电区域122的导电性能明显优于第一导电区域121的导电性能，第二导电区域122可以在后续工艺中用于形成引线。而设置第一导电区域121的面电阻可以为5Ω/□-150Ω/□，第二导电区域122的面电阻可以为0.1Ω/□-10Ω/□，对于触控电极来说，在满足触控图形信号传输的条件下，触控图形区域的透光率越高越好、雾度越低越好，而触控电极引线区域对光学性能没有要求，但导电性越高越好。所以第一导电区域121在保证触控图形信号传输的前提下，可以尽可能的设计镂空网格来提高第一导电区域121的光学性能。
在一些实施例中，第一导电区域121的可见光透光率大于第二导电区域122的可见光透光率。黄光蚀刻可以增大第一导电区域121的可见光透光率，通过将第一导电区域121的可见光透光率设置得更大，可以保证第一导电区域121后续形成触控图形的功能。而未经黄光蚀刻的第二导电区域122的可见光透光率较小，但是这意味着导电层120的导电性能没有被影响，可以保证第二导电区域122具有良好的导电性能。
在一些实施例中，第一导电区域121的可见光透光率可以为80％-92％。在一些实施例中，第一导电区域121的可见光透光率可以为80％-90％。在一些实施例中，第一导电区域121的可见光透光率可以为83％-88％。在一些实施例中，第一导电区域121的可见光透光率可以为84％-86％。在一些实施例中，第一导电区域121的可见光透光率可以为、80％、85％、90％或92％。
在一些实施例中，第二导电区域122的可见光透光率可以为20％-85％。在一些实施例中，第二导电区域122的可见光透光率可以为30％-80％。在一些实施例中，第二导电区域122的可见光透光率可以为40％-75％。在一些实施例中，第二导电区域122的可见光透光率可以为50％-70％。在一些实施例中，第二导电区域122的可见光透光率可以为60％-65％。在一些实施例中，第二导电区域122的可见光透光率可以为20％、30％、40％、50％、60％、70％或80％。
通过设置第一导电区域121的可见光透光率可以为80％-92％，第二导电区域122的可见光透光率可以为20％-85％，第一导电区域121的可见光透光率设置可以保证触控电极区域对透光率的基本需求，而用于导电的第二导电区域122也能够透过可见光，使得第二导电区域122镂空得到第一导电区域121内部的导电网格线1212也可以透过可见光，因而避免了传统实心(不透光)导电网格线在后期具体应用中出现莫尔纹或散点的外观问题，同时增加了第一导电区域121的透光率，光学性能得到提升。
如图2和图3所示，镂空格1211为通过黄光蚀刻将导电层120蚀刻后形成。未经黄光蚀刻的导电层120为导电网格线1212。
多个镂空格1211的面积总和与第一导电区域121的面积之比S会影响第一导电区域121的导电性和光学性能。例如，多个镂空格1211的面积总和与第一导电区域121的面积之比S太小，会导致第一导电区域121的光学性能较差(例如，透光率较低、雾度较高)。又例如，多个镂空格1211的面积总和与第一导电区域121的面积之比S太大，会导致第一导电区域121的导电性较差。因此，在一些实施例中，为了提高第一导电区域121的光学性能和导电性，多个镂空格1211的面积总和与第一导电区域121的面积之比S需满足预设要求。
在一些实施例中，多个镂空格1211的面积总和与第一导电区域121的面积之比S可以大于等于60％且小于等于97％。
导电网格线1212可以用于构建触控图形电极的超精细感应电路通道。在一些实施例中，导电网格线1212是多条相互搭接的纳米金属线构成的导电通道。在一些实施例中，导电网格线1212可以呈直线形、曲线型、波浪线形等。在一些实施例中，通过导电网格线1212形成的网格的形状(也可以理解为镂空格1211的形状)可以为多边形。例如，三角形、菱形(如图2所示)、正方形、矩形等。在另一些实施例中，通过导电网格线1212形成的网格的形状(也可以理解为镂空格1211的形状)可以为椭圆形、圆形或不规则形状。在一些实施例中，通过导电网格线1212形成的网格(也可以理解为镂空格1211)可以是阵列排布的。在一些实施例中，导电网格线1212可以形成一种或多种形状的网格。例如，圆形与多边形的任意组合。
在一些实施例中，导电网格线1212的宽度(如图3中w所示)可以为3μm-30μm。在一些实施例中，导电网格线1212的宽度可以为5μm-28μm。在一些实施例中，导电网格线1212的宽度可以为8μm-27μm。在一些实施例中，导电网格线1212的宽度可以为10μm-25μm。在一些实施例中，导电网格线1212的宽度可以为12μm-23μm。在一些实施例中，导电网格线1212的宽度可以为15μm-20μm。在一些实施例中，导电网格线1212的宽度可以为3μm、5μm、10μm、15μm、20μm、25μm或30μm。由于导电网格线1212处也能够透过可见光(例如，透光率大于50％)，导电网格线1212的宽度为3μm-30μm范围内时，既可以构建触控图形电极的超精细感应电路通道，又可以降低黄光蚀刻的难度，提升黄光蚀刻的效率。
可以理解地，第二导电区域122的结构与第一导电区域121中未经黄光蚀刻的导电层(即导电网格线1212)的结构相同。图4也可以理解为图3中导电网格线的D-D剖视图。
在一些实施例中，未经黄光蚀刻的导电层(例如，如图2和图3中所示的导电网格线1212或如图4中所示的导电层)可以包括导电纳米层123和导电保护层124。镂空格1211可以理解为通过黄光蚀刻将导电纳米层123和导电保护层124蚀刻后形成。
在一些实施例中，如图3和图4所示，导电纳米层123可以位于导电保护层124下方。在一些实施例中，导电纳米层123与导电保护层124可以混合(也可以理解为不分层)形成未经黄光蚀刻的导电层120。
在一些实施例中，导电纳米层123可以包括纳米金属层或纳米金属线层中的至少一种。在一些实施例中，导电纳米层123包括纳米金属层和纳米金属线层时，纳米金属层可以位于纳米金属线层的上方或下方。在一些实施例中，纳米导电层123的厚度可以为100nm-500nm。在一些实施例中，纳米导电层123的厚度可以为150nm-450nm。在一些实施例中，纳米导电层123的厚度可以为200nm-400nm。在一些实施例中，纳米导电层123的厚度可以为250nm-350nm。
在一些实施例中，纳米金属层可以包括纳米金、纳米银、纳米铜、纳米铂、纳米钯、纳米铝、纳米锡、纳米铅或纳米钛中的至少一种。在一些实施例中，纳米金属层可以包括通过磁控溅射纳米金属(例如，纳米金、纳米银、纳米铜、纳米铂、纳米钯、纳米铝、纳米锡、纳米铅或纳米钛中的至少一种)制得的膜层结构。纳米金属或其合金对特定波段的光具有吸收作用，因此，纳米金属层不仅可以调节导电纳米层121的色度，还可以增加制得的导电膜100的导电性。在一些实施例中，纳米金属层的厚度可以为3nm-10nm。在一些实施例中，纳米金属层的厚度可以为4nm-9nm。在一些实施例中，纳米金属层的厚度可以为5nm-8nm。在一些实施例中，纳米金属层的厚度可以为6nm-7nm。
在一些实施例中，纳米金属线层可以包括纳米银线、纳米金线、纳米铜线、纳米铂线、纳米铝线、纳米钛线或纳米锡线中的至少一种。在一些实施例中，纳米金属线层可以包括通过涂布纳米金属线墨水制得的膜层结构。在一些实施例中，纳米金属线墨水中所含的纳米金属线可以包括纳米银线、纳米金线、纳米铜线、纳米铂线、纳米铝线、纳米钛线或纳米锡线中的至少一种。
导电保护层124可以保护导电纳米层123，以避免其被腐蚀。在一些实施例中，导电保护层124可以包括高分子层、金属氧化物层或石墨烯层中的至少一种。
在一些实施例中，高分子层可以包括通过涂布含有高分子的保护液后，经干燥固化得到的膜层结构。在一些实施例中，含有高分子的保护液可以包括但不限于脂肪族聚氨酯丙烯酸酯、芳香族聚氨酯丙烯酸酯、聚氨酯甲基丙烯酸酯、邻苯二甲酸二烯丙酯、环氧丙烯酸酯和环氧甲基丙烯酸酯的一种或几种。在一些实施例中，导电纳米层123与导电保护层124分层排布(例如，导电纳米层123位于导电保护层124下方)时，高分子层的厚度可以为0.5nm-10nm。在一些实施例中，高分子层的厚度可以为1nm-9nm。在一些实施例中，高分子层的厚度可以为2nm-8nm。在一些实施例中，高分子层的厚度可以为3nm-7nm。在一些实施例中，高分子层的厚度可以为4nm-6nm。在一些实施例中，高分子层的厚度可以为4.5nm-5nm。在一些实施例中，高分子层的厚度可以为0.5nm、1nm、3nm、5nm、7nm、9nm或10nm。
在一些实施例中，金属氧化物层可以包括通过磁控溅射金属氧化物得到的膜层结构。在一些实施例中，金属氧化物可以包括但不限于氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)。在一些实施例中，导电纳米层123与导电保护层124分层排布(例如，导电纳米层123位于导电保护层124下方)时，金属氧化物层的厚度可以为10nm-50nm。在一些实施例中，金属氧化物层的厚度可以为15nm-45nm。在一些实施例中，金属氧化物层的厚度可以为20nm-40nm。在一些实施例中，金属氧化物层的厚度可以为25nm-35nm。在一些实施例中，金属氧化物层的厚度可以为28nm-30nm。在一些实施例中，金属氧化物层的厚度可以为10nm、20nm、30nm、40nm或50nm。
本说明书实施例中，针对不同的导电保护层124(例如，高分子层或金属氧化物层)，可以设置不同的导电保护层124的厚度，不仅可以提高制得的导电膜100的耐候性，还可以降低黄光蚀刻的难度，提高黄光蚀刻的效率。
通过使用黄光蚀刻来蚀导电层120，黄光蚀刻能够将导电纳米层和导电保护层124更有效地蚀刻掉，这样可以使得导电膜的第一导电区域具有优异的光学性能(例如，较高的透光率、较低的雾度)。
应当注意的是，上述有关导电膜的描述仅仅是为了示例和说明，而不限定本申请的适用范围。对于本领域技术人员来说，在本申请的指导下可以对导电膜进行各种修正和改变。然而，这些修正和改变仍在本申请的范围之内。
本说明书实施例之一提供一种导电膜的制备方法。该方法可以包括以下步骤：
步骤S1，在基膜上制备导电层。
在一些实施例中，导电层可以包括导电纳米层。导电纳米层可以包括纳米金属层或纳米金属线层中的至少一种。
在一些实施例中，可以通过磁控溅射纳米金属，以形成纳米金属层。在一些实施例中，可以通过涂布纳米金属线墨水以形成纳米金属线层。例如，可以采用卷对卷涂布的方式将纳米金属线墨水涂布在基膜(例如，PET基膜，CPI基膜)上，以制得纳米金属线层。纳米金属线墨水的固含量可以理解为纳米金属线墨水中纳米金属线的质量分数。在一些实施例中，纳米金属线墨水的固含量可以为0.08％～1.0％。在一些实施例中，纳米金属线的直径可以为10nm～50nm。在一些实施例中，纳米金属线的长度可以为10μm～40μm。
在一些实施例中，导电层还可以包括导电保护层。在一些实施例中，导电保护层可以包括高分子层、金属氧化物层或石墨烯层中的至少一种。在一些实施例中，制备导电保护层可以包括在导电纳米层上涂布含有高分子的保护液，经干燥后得到高分子层。在一些实施例中，制备导电保护层可以包括在导电纳米层上通过磁控溅射金属氧化物，形成金属氧化物层。在一些实施例中，制备导电保护层可以包括在导电纳米层上通过涂布氧化石墨烯溶液，经干燥和还原得到石墨烯层。
在一些实施例中，导电纳米层和导电保护层不分层时，在基膜上制备导电层可以包括将纳米金属线墨水和保护液混合后，涂布在基膜上。
在一些实施例中，导电纳米层和导电保护层分层时，在基膜上制备导电层可以包括在基膜上制备纳米金属线层以及在纳米金属线层上制备导电保护层。
步骤S2，黄光蚀刻导电层，制得导电膜，其中，导电层上包括经过黄光蚀刻形成导电网格结构的第一导电区域，以及未经黄光蚀刻的第二导电区域，第二导电区域环绕第一导电区域。
在一些实施例中，在步骤S2中，可以在黄光环境下，在基膜与未经黄光蚀刻的导电层上方涂布光刻胶(例如，通过卷对卷装置)，并使得光刻胶干燥而得到膜材。在一些实施例中，干燥后光刻胶厚度为1.2μm-1.8μm。在一些实施例中，还可以在导电层上压预设厚度(例如，10μm～30μm)的负性感光干膜材。膜材在存储、转移或运输过程中注意避光。在一些实施例中，将涂布有光刻胶的膜材通过曝光转移菲林上的图案，可以包括连续曝光或片材式曝光。其中，菲林上的图案可以为多边形网格图像(例如，正方形网格图案、菱形网格图案等)。菲林上的图案与导电网格结构所形成的图案相匹配。
在一些实施例中，可以在DES(DES是显影(developing)、蚀刻(etching)、退膜(stripping)的缩写)线上将已曝光好的膜材用显影液显影，得到网格图案，再将显影后的膜材转移至烘箱烘干。在一些实施例中，显影液可以为0.8wt％-0.9wt％的KOH显影液，或0.7～1.2wt％的碳酸钠溶液。在一些实施例中，烘箱的烘烤温度可以为80℃～120℃。在一些实施例中，烘箱的烘烤时间可以为60s～300s。
在一些实施例中，可以在DES线上进行蚀刻处理和退膜处理，得到导电膜。其中，蚀刻液可以为盐酸-硝酸体系、氯化铁体系、硝酸铁体系、硝酸铁-硝酸体系和磷酸-硝酸-醋酸体系等，退膜液为NaOH水溶液等。
在一些实施例中，通过上述方法制造的第一导电区域的可见光透光率可以为80％-92％，雾度为0.8％～4.0％，面电阻为5Ω-150Ω。
关于基膜、导电层、导电纳米层、纳米金属线层、纳米金属层、导电保护层、高分子层、金属氧化物层、第一导电区域、第二导电区域以及导电膜的相关描述可以参见本说明书其他部分(例如，图1-图4及其相关描述)，在此不再赘述。
按照上述黄光蚀刻的方式制备导电膜，可以使得导电膜的第一导电区域具有较优异的光学性能。例如，第一导电区域的可见光透光率可以达80％-92％，导电膜的雾度可以达到4.0％以下。相比于激光蚀刻而言，本说明书实施例通过黄光蚀刻制备具有上述特定结构的导电膜(例如，第一导电区域)可以提高导电膜的生产效率，且适用于大规模批量生产。
应当注意的是，上述有关导电膜的制备方法的描述仅仅是为了示例和说明，而不限定本申请的适用范围。对于本领域技术人员来说，在本申请的指导下可以对导电膜的制备方法进行各种修正和改变。然而，这些修正和改变仍在本申请的范围之内。
本说明书实施例之一还提供一种触控电极。该触控电极包括前述的导电膜。在一些实施例中，触控电极可以包括触控图形和引线。触控图形可以形成于前述导电膜的第一导电区域，引线可以形成于导电膜的第二导电区域。由于导电膜的第一导电区域具有较优异的光学性能，相应地，该触控电极也具有较优异的光学性能。
本说明书实施例之一还提供一种使用前述的导电膜制备触控电极的方法。该方法可以包括：在第一导电区域通过激光蚀刻制备触控电极的触控图形；以及在第二导电区域通过激光蚀刻制备触控电极的引线。本说明书实施例采用激光蚀刻可以一次完成触控电极的触控图形和引线的制备，无需进行丝印银浆等传统操作，可以简化触控电极的生产工艺，提高触控电极的制备效率。
在一些实施例中，触控电极的可见光透光率可以80％-92％。
在一些实施例中，触控电极的雾度可以为0.8％～4.0％。
应当注意的是，上述有关触控电极及其制备方法的描述仅仅是为了示例和说明，而不限定本申请的适用范围。对于本领域技术人员来说，在本申请的指导下可以对触控电极及其制备方法进行各种修正和改变。然而，这些修正和改变仍在本申请的范围之内。
表1为根据前述制备方法制备的导电膜的相关实验数据。需要说明的是，表1未列出全部的相关参数。
表1实施例1-实施例5以及对比例比对表
表1实施例1-实施例5以及对比例比对表(续)
由表1可知，按照上述实施例中的导电膜制备方法(黄光蚀刻)制备的导电膜的第一导电区域的透光率可以达到88％以上，第一导电区域的雾度可以达到3.2％以下。需要说明的是，上表中的各项参数仅为单项实验数据的参数记录，并不意味着一定需要采用上述所有参数，才能够达到提升导电膜的第一导电区域的透光率和雾度的效果。例如，当基膜与未经黄光蚀刻的导电层面电阻不同于上表中实施例1-3中所记录的参数时，按照上文所述的导电膜的制备方法所制备的导电膜的第一导电区域的透光率也能够达到85％以上，雾度也能够低于3.2％。
本申请实施例可能带来的有益效果包括但不限于：(1)导电膜的第一导电区域可以用于制备触控电极的触控图形，第二导电区域可以用于制备触控电极的引线，可以方便触控电极的制备，同时采用激光蚀刻可以一次完成触控电极的触控图形和引线的制备，无需进行丝印银浆等传统操作，可以简化触控电极的生产工艺，提高触控电极的制备效率。(2)导电膜的第一导电区域具有优异的光学性能，其中，可见光透光率可以为80％-92％，雾度0.8％～4.0％；(3)相比于激光蚀刻而言，本说明书实施例通过黄光蚀刻制备具有特定结构的导电膜(例如，第一导电区域)，可以提高导电膜的生产效率，且适用于大规模批量生产；(4)采用前述导电膜制得的触控电极具有优异的光学性能，其中，透光率80％-92％，雾度0.8％～4.0％；需要说明的是，不同实施例可能产生的有益效果不同，在不同的实施例里，可能产生的有益效果可以是以上任意一种或几种的组合，也可以是其他任何可能获得的有益效果。
上文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述详细披露仅仅作为示例，而并不构成对本说明书的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会对本说明书进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本说明书中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本说明书示范实施例的精神和范围。
同时，本说明书使用了特定词语来描述本说明书的实施例。如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”意指与本说明书至少一个实施例相关的某一特征、结构或特点。因此，应强调并注意的是，本说明书中在不同位置两次或多次提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一个替代性实施例”并不一定是指同一实施例。此外，本说明书的一个或多个实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。
同理，应当注意的是，为了简化本说明书披露的表述，从而帮助对一个或多个发明实施例的理解，前文对本说明书实施例的描述中，有时会将多种特征归并至一个实施例、附图或对其的描述中。但是，这种披露方法并不意味着本说明书对象所需要的特征比权利要求中提及的特征多。实际上，实施例的特征要少于上述披露的单个实施例的全部特征。
最后，应当理解的是，本说明书中所述实施例仅用以说明本说明书实施例的原则。其他的变形也可能属于本说明书的范围。因此，作为示例而非限制，本说明书实施例的替代配置可视为与本说明书的教导一致。相应地，本说明书的实施例不仅限于本说明书明确介绍和描述的实施例。
Claims (12)
1.一种导电膜，其特征在于，所述导电膜包括基膜和导电层，所述导电层覆盖于所述基膜上，
所述导电层包括第一导电区域和第二导电区域，其中，
所述第一导电区域包括导电网格结构；所述导电网格结构包括多个镂空格和导电网格线；
所述第二导电区域环绕所述第一导电区域设置，所述第二导电区域与所述导电网格线相连通；所述第一导电区域的面电阻大于所述第二导电区域的面电阻。
2.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述导电层上具有至少两个所述第一导电区域，且相邻两个所述第一导电区域之间具有所述第二导电区域。
3.根据权利要求2所述的导电膜，其特征在于，
所述至少两个第一导电区域阵列排布；
所述第一导电区域的形状为圆形或多边形。
4.根据权利要求2所述的导电膜，其特征在于，相邻的两个所述第一导电区域之间的最小间距为200mm-350mm。
5.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述导电层包括导电纳米层，所述导电纳米层包括纳米金属层或纳米金属线层中的至少一种，其中，
所述纳米金属层包括纳米金、纳米银、纳米铜、纳米铂、纳米钯、纳米铝、纳米锡、纳米铅或纳米钛中的至少一种；
所述纳米金属线层包括纳米银线、纳米金线、纳米铜线、纳米铂线、纳米铝线、纳米钛线或纳米锡线中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，
所述第一导电区域的面电阻与所述第二导电区域的面电阻的比值不小于5；
所述第一导电区域的面电阻为5Ω/□-150Ω/□，所述第二导电区域的面电阻为0.1Ω/□-10Ω/□。
7.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，
所述第一导电区域的可见光透光率大于所述第二导电区域的可见光透光率；
所述第一导电区域的可见光透光率为80％-92％，所述第二导电区域的可见光透光率为20％-85％。
8.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，
所述导电网格结构由所述导电层经黄光蚀刻形成。
9.一种导电膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在基膜上制备导电层；以及
蚀刻所述导电层，制得所述导电膜，其中，
所述导电层上包括经过蚀刻形成导电网格结构的第一导电区域，以及未经蚀刻的第二导电区域；
所述导电网格结构包括多个镂空格和导电网格线；所述第二导电区域环绕所述第一导电区域，所述第二导电区域与所述导电网格线相连通；所述第一导电区域的面电阻大于所述第二导电区域的面电阻。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，蚀刻所述导电层包括：
通过黄光蚀刻在所述导电层上形成包括所述导电网格结构的所述第一导电区域。
11.一种触控电极，其特征在于，包括如权利要求1-8中任一项所述的导电膜，所述触控电极包括触控图形和引线，其中，
所述触控图形形成于所述第一导电区域；
所述引线形成于所述第二导电区域。
12.一种触控电极的制备方法，其特征在于，使用如权利要求1-8中任一项所述的导电膜，所述方法包括：
在所述第一导电区域通过激光蚀刻制备所述触控电极的触控图形；以及
在所述第二导电区域通过激光蚀刻制备所述触控电极的引线。
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