TWI599925B - 導電膜 - Google Patents

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TWI599925B TW103106160A TW103106160A TWI599925B TW I599925 B TWI599925 B TW I599925B TW 103106160 A TW103106160 A TW 103106160A TW 103106160 A TW103106160 A TW 103106160A TW I599925 B TWI599925 B TW I599925B
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Description

導電膜
本發明是有關於一種導電膜，是有關於一種例如適合用於觸控面板的導電膜。
最近，觸控面板受到關注。觸控面板主要應用於個人數位助理(Personal Digital Assistant，PDA)或行動電話等小尺寸裝置，但考慮由於應用於個人電腦用顯示器等而進行大尺寸化。
如上所述的將來動向中，現有的電極由於使用氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)，故而電阻大。因此，隨著應用尺寸變大，存在電極間的電流的信號波形變鈍，響應速度(自接觸指尖起至檢測出其位置為止的時間)變慢的問題。
因此，已知藉由將由金屬製的細線(金屬細線)所構成的格子並排多個來構成電極，而使表面電阻下降。另外，為了抑制在將格子有規則地並排的情況下所產生的細紋現象，而提出有由隨機的圖案來形成金屬細線的導電膜(例如參照日本專利特表2011-513846號公報、日本專利特開2012-181815號公報、日本專利特開2012-119163號公報)。
日本專利特表2011-513846號公報中記載的導電膜包括：與多個端子分別連接的網目板(mesh bar)、以及配置於網目板間的線區域(電性絕緣的區域)，尤其，網目板包含隨機形狀的多個單元。
日本專利特開2012-181815號公報中記載的導電膜將透明電極圖案部及透明絕緣圖案部交替地鋪滿於基材表面。藉此，減小形成有透明電極圖案部的區域、與未形成透明電極圖案部的區域(即形成有透明絕緣圖案部的區域)的光學特性之差，抑制透明電極圖案部的視認。進而，透明絕緣圖案部中，藉由分開且隨機地形成多個島部，來抑制細紋的產生。
日本專利特開2012-119163號公報中記載的導電膜是於基體上形成有網目狀線材的導電膜。於該導電膜上重疊具有與網目狀不同的式樣的結構圖案。進行該狀態下的俯視時的功率譜(power spectrum)與人類標準視覺響應特性的卷積積分(convolution integral)。具有相當於線材的平均線寬的空間頻率的1/4倍頻率以上、且1/2倍頻率以下的空間頻帶中的各積分值大於零空間頻率下的積分值的特性。其結果為，例如如觸控面板用途般，即便是採用積層多個導電膜的構成的情況，亦可防止雜訊(noise)干擾(細紋)的產生。
日本專利特表2011-513846號公報中記載的導電膜的構成與端子連接的網目板的單元的尺寸大為不同。最大尺寸的單元 具有最小單元的例如五倍的尺寸。因此，在網目板的寬度方向上僅有1個單元或2個單元，存在網目板的電阻提高的顧慮。於該情況下，例如網目板的時間常數變大，其結果為存在偵測信號的偵測精度劣化的問題。進而，尺寸大的單元與尺寸小的單元的配置的不均有偏差。因此，例如於應用於靜電電容方式的觸控面板的情況下，用作電極的區域間的電阻及靜電電容的不均變大。其結果為，驅動觸控面板的積體電路(Integrated Circuit，IC)中需要用於消除電阻或靜電電容的不均的電路或演算處理，亦存在對IC的負荷變大的問題。
日本專利特開2012-181815號公報中記載的導電膜如公報的圖28所示，在區域B間連接的區域A的導電部被覆率成為100%，區域B的導電部被覆率成為79%。因此，於作為整體來看的情況下，在鄰接的區域A與區域B中透過率產生差異，存在被視認為例如斑點式樣的顧慮。
日本專利特開2012-119163號公報中記載的導電膜如公報的圖21所示，構成在第1基本格子間連接的第1連接部的隨機形狀的區域在第1連接部的寬度方向上僅有1個或2個。因此，存在第1連接部的電阻提高的顧慮。其結果為，與上述日本專利特表2011-513846號公報的情況相同，存在例如導電膜的時間常數變大，偵測信號的偵測精度劣化的問題。
本發明是考慮到上述課題而形成，目的在於提供發揮以下效果的導電性膜。
(a)即便構成各電極的單元的尺寸並不一樣，各電極的電阻及靜電電容的不均亦小，透明導電層的表面電阻亦可抑制為低值。
(b)不僅可抑制細紋，而且電極的寬度窄的部分與寬的部分的透過率基本上無差異，可抑制由透過率的差異引起的條紋式樣的產生，可提高視認性(金屬細線不顯眼)。
(c)可減少與導電膜連接的驅動IC的負荷。
[1]本發明的導電膜的特徵在於：包括向一方向延伸的具有多個電極的透明導電層，電極的電極寬度根據位置而不固定，且包含由金屬細線形成的多個多角形的單元，各單元的尺寸並不一樣，單元的平均尺寸為電極的最窄寬度的1/30以上且小於1/3，電極整體中，單元的平均尺寸均勻。
若單元的平均尺寸變得過小，則開口率及透過率下降，隨之，導致透明性的劣化、視認性的劣化，至少存在透明導電層容易被人眼所識別的問題。相反，若單元的平均尺寸變得過大，開口率及透過率提高，各電極的電阻提高，存在觸摸位置的偵測精度劣化的問題。
另外，電極整體中，藉由上述單元的平均尺寸均勻，在電極內透過率不再產生偏差，難以被視認為斑點式樣(不均)。即，視認性提高。而且表示，在多個電極間，單元的尺寸不一樣的多個單元無偏差地排列，電性偏差亦被抑制為最小限度。因此，於將導電膜應用於例如靜電電容方式的觸控面板的情況下，在多個電極間，電阻及靜電電容的不均變小。藉此，在與導電膜連接的驅 動IC中，不再需要組入用於消除電阻或靜電電容的不均的電路或演算處理，可減少對驅動IC的負荷。
[2]本發明中，單元的平均尺寸較佳為電極的最窄寬度的1/10以上且小於1/3。
[3]本發明中，單元的平均尺寸尤佳為電極的最窄寬度的1/5以上且小於1/3。
[4]本發明中，電極的最窄寬度(最小電極寬度)較佳為0.5mm~2.0mm。若最小電極寬度變得過小，則存在透明導電層的電阻變高的顧慮。於該情況下，例如透明導電層的時間常數變大，其結果為，存在手指接近或接觸的位置(記作觸摸位置)的偵測精度劣化的問題。相反，若最小電極寬度變得過大，則於應用於例如靜電電容方式的觸控面板的情況下，由人的手指接近或接觸所引起的靜電電容的變化相對變小，存在檢測精度劣化的問題。最小電極寬度尤佳為0.8mm~1.8mm，更佳為0.8mm~1.2mm。
[5]本發明中，構成單元的一邊的隨機率較佳為2%以上、20%以下。若隨機率小於2%，則各單元的尺寸基本上變得一樣，由多個單元的排列所引起的細紋的抑制效果降低。相反，若隨機率大於20%，則尺寸不同的單元的排列容易產生偏差，由於透過率的偏差而視認性的惡化變得顯著。
[6]本發明中，構成單元的一邊的隨機率尤佳為4%以上、10%以下。
[7]本發明中，構成電極中寬度最窄的部分的多個單元的平均尺寸、與構成電極中除寬度最窄的部分之外的部分的多個單元的平均尺寸之比較佳為0.9~1.1。若脫離該範圍，則在電極內透過率產生差異，存在被視認為斑點式樣(不均)的顧慮。
[8]本發明中，任意選擇的多個電極的各電阻值中，將最大值設為Rmax，將最小值設為Rmin，將各電阻值的平均值設為Rave，且將電阻不均由下述式表示時，電阻不均較佳為小於10%。
電阻不均(%)={(Rmax-Rmin)/Rave}×100
若電阻不均為10%以上，則驅動觸控面板的IC(積體電路)中需要用於消除電阻的不均的電路或演算處理，存在對IC的負荷變大的問題。
[9]本發明中，任意選擇的多個電極的各電阻值中，將最大值設為Rmax，將最小值設為Rmin，將各電阻值的平均值設為Rave，且將電阻不均由下述式來表示時，電阻不均尤佳為5%以下。
電阻不均(%)={(Rmax-Rmin)/Rave}×100
[10][8]或[9]中，任意選擇的多個電極可為在一方向上 連續並排的3個電極。於該情況下，可對源自相同透明導電層的偵測信號的水準是根據觸摸位置而線形地變化，還是非線形地變化進行評價。若電阻不均為上述較佳範圍，則偵測信號的水準根據觸摸位置而線形地變化，可提高驅動IC中的偵測精度。
[11]本發明中，構成透明導電層的多個單元中，和與配線的連接部連接的單元的尺寸較佳為相同。
[12]本發明中，構成單元的一邊的長度可為100μm以上、800μm以下。藉此，容易將單元的平均尺寸設為電極的最窄寬度的1/30以上且小於1/3。
[13]本發明中，金屬細線的線寬可為0.1μm以上、15μm以下。於線寬小於上述下限值的情況下，導電性變得不充分，因此於用於觸控面板的情況下，檢測感度變得不充分。另一方面，若超過上述上限值，則由金屬細線引起的細紋變得顯著，用於觸控面板時視認性變差。
藉由本發明的導電膜來發揮以下的效果。
(1)即便構成各電極的單元的尺寸不一樣，各電極的電阻及靜電電容的不均亦小，透明導電層的表面電阻亦可抑制為低值。
(2)不僅可抑制細紋，而且可減輕電極的寬度窄的部分與寬度寬的部分的透過率之差，抑制由透過率的差異所引起的條紋式樣的產生，可提高視認性(金屬細線不顯眼)。
(3)可減少與導電膜連接的驅動IC的負荷。
上述目的、特徵及優點是根據參照隨附的圖式來說明的 以下實施形態的說明而容易了解。
10‧‧‧導電膜
10A‧‧‧第1導電膜
10B‧‧‧第2導電膜
12‧‧‧透明基體
12A‧‧‧第1透明基體
12B‧‧‧第2透明基體
14‧‧‧導電部
14A‧‧‧第1導電部
14B‧‧‧第2導電部
16‧‧‧金屬細線
18‧‧‧透明導電層
18A‧‧‧第1透明導電層
18B‧‧‧第2透明導電層
20‧‧‧襯墊
20A‧‧‧第1襯墊
20B‧‧‧第2襯墊
22‧‧‧端子配線圖案(配線)
22A‧‧‧第1端子配線圖案
22B‧‧‧第2端子配線圖案
24‧‧‧透明虛設層
24A‧‧‧第1透明虛設層
24B‧‧‧第2透明虛設層
26‧‧‧電極
26a‧‧‧寬度最窄的部分
26b‧‧‧寬度最寬的部分
26c‧‧‧寬度緩緩變窄的部分
28‧‧‧單元
30‧‧‧光透過部分
50‧‧‧積層導電膜
100‧‧‧觸控面板
102‧‧‧感測器本體
104‧‧‧保護層
108‧‧‧顯示裝置
110‧‧‧顯示面板
110a‧‧‧顯示畫面
112‧‧‧感測器部
114‧‧‧端子配線部
116a‧‧‧第1端子
116b‧‧‧第2端子
118a‧‧‧第1對準標記
118b‧‧‧第2對準標記
La、Lb、Ld‧‧‧長度
Ls‧‧‧單元尺寸
Lmax‧‧‧電極寬度
Lmin‧‧‧最小電極寬度
圖1是表示本實施形態的導電膜的一例的平面圖。
圖2是將導電膜的一例省略一部分來表示的剖面圖。
圖3A是表示透明導電層的圖案例的平面圖。
圖3B是表示單元的一例的平面圖。
圖4A是表示在其中一個電極上排列有小單元尺寸的單元的例子的說明圖。
圖4B是表示在另一個電極上排列有大單元尺寸的單元的例子的說明圖。
圖5A~圖5C是表示關於透明導電層的圖案例的變形例的平面圖。
圖6A~圖6C是表示單元尺寸不一樣的單元的形狀的變形例的平面圖。
圖7是表示具有由導電膜形成的積層導電膜的觸控面板的構成的分解立體圖。
圖8是將積層導電膜省略一部分來表示的分解立體圖。
圖9A是將積層導電膜的一例省略一部分來表示的剖面圖。
圖9B是將積層導電膜的其他例省略一部分來表示的剖面圖。
圖10A是表示實施例1的導電膜的透明導電層的圖案例的平面圖。
圖10B是表示實施例5的導電膜的透明導電層的圖案例的平面圖。
圖11A是表示比較例1的導電膜的透明導電層的圖案例的平面圖。
圖11B是表示比較例2的導電膜的透明導電層的圖案例的平面圖。
圖12A是表示比較例3的導電膜的透明導電層的圖案例，特別是電極的一部分的圖案例的平面圖。
圖12B是表示比較例4的導電膜的透明導電層的圖案例的平面圖。
以下，參照圖1~圖12B來對使用本發明的導電膜的顯示裝置以及導電膜的實施形態例進行說明。此外，本說明書中表示數值範圍的「~」是作為包含其前後所記載的數值作為下限值及上限值的含義來使用。
如圖1所示，本實施形態的導電膜包括導電部14，其形成於透明基體12(參照圖2)的表面上。該導電部14包括由金屬細線16形成的2個以上的透明導電層18、以及在各透明導電層18的端部經由襯墊(pad)20(連接部)而電性連接的端子配線圖案22。此外，各透明導電層18上雖分別圖示有輪廓線(實線)，但實際上不存在。於透明導電層18間，雖未詳細圖示，但與透明導電層18電性絕緣的透明虛設層24(以雙點劃線表示)同樣地形 成於透明基體12的表面上。透明虛設層24是以與透明導電層18同樣的方式由金屬細線16構成，是為了難以視認到透明導電層18而用於偽裝(camouflage)的層。並不用作電極。當然，亦可不形成透明虛設層24。
例如如圖3A所示，各透明導電層18具有在一方向(y方向)上延伸且多個電極26排列在一方向上的形狀。各電極26的電極寬度根據位置而不固定，且包括由金屬細線16形成的多個多角形的單元28(參照圖1及圖3B)。此外，圖1中，將單元28的表示省略一部分來表示。另外，圖1中，各透明導電層18上雖分別圖示有輪廓線(實線)，但實際上不存在。另外，省略透明虛設層24的圖示。
而且，於將導電膜10用作觸控面板用導電膜的情況下，透明導電層18的金屬細線16的線寬較佳為0.1μm以上、15μm以下。更佳為1μm以上、9μm以下，尤佳為2μm以上、7μm以下。透明導電層18的表面電阻較佳為在0.1歐姆/平方~100歐姆/平方的範圍內。下限值較佳為1歐姆/平方以上、3歐姆/平方以上、5歐姆/平方以上、10歐姆/平方以上。上限值較佳為70歐姆/平方以下、50歐姆/平方以下。
如圖3B所示，各單元28的尺寸(單元尺寸Ls)並不一樣，單元28的平均單元尺寸Lsave(Lsave未圖示)為電極26的最窄寬度Lmin的1/30以上且小於1/3。另外，電極26整體中，單元28的平均單元尺寸Lsave變得均勻。具體而言，各透明導電 層18在y方向上帶狀地延伸，成為寬度最窄的部分26a以固定間隔出現的形狀。電極26表示自其中一個寬度最寬的部分26b的中央部分起，夾隔著寬度最窄的部分26a而至另一個寬度最寬的部分26b的中央部分為止的區域。即，透明導電層18成為多個電極26在y方向上連接(串列連接)的形態。另外，各透明導電層18具有自寬度最寬的部分26b至寬度最窄的部分26a為止，寬度緩緩變窄的部分26c。此外，以下的說明中，將電極26中，寬度最寬的部分26b的寬度記作最大電極寬度Lmax，將寬度最窄的部分26a的寬度記作最小電極寬度Lmin。
作為最大電極寬度Lmax，於將導電膜10用作觸控面板用導電膜的情況下，可選擇人的手指的大小，特別是與觸控面板接近或接觸的部分的寬度(通常為3mm~7mm)。最小電極寬度Lmin可選擇0.5mm~6.0mm，較佳為0.8mm~3.0mm，尤佳為0.8mm~1.2mm。若最小電極寬度Lmin變得過小，則存在透明導電層18的電阻變高的顧慮。於該情況下，例如透明導電層18的時間常數變大，其結果為，手指接近或接觸的位置(記作觸摸位置)的偵測精度劣化。相反，若最小電極寬度Lmin變得過大，則於應用於例如靜電電容方式的觸控面板的情況下，由於人的手指接近或接觸而引起的靜電電容的變化相對變小，檢測精度劣化。
各單元28是由多角形構成。多角形可列舉三角形、四角形(正方形、長方形、平行四邊形、菱形等)、五角形、六角形等。另外，構成多角形的邊的一部分亦可包含曲線。另外，當將 沿著與y方向正交的方向(表示最小電極寬度Lmin的方向：x方向)的長度設為單元尺寸Ls時，平均單元尺寸Lsave較佳為最小電極寬度Lmin的1/30以上且小於1/3。尤佳為1/10以上且小於1/3，更佳為1/5以上且小於1/3。若平均單元尺寸Lsave變得過小，則開口率以及透過率下降，隨之，透明性劣化。相反，若單元28的平均單元尺寸Lsave變得過大，則開口率及透過率提高，但各電極26的電阻提高，觸摸位置的偵測精度劣化。另外，構成寬度最窄的部分26a的單元的個數根據位置而大幅度變化，因此各透明導電層18的電阻大幅度變化。因此，在驅動觸控面板的IC(驅動IC)中需要用於消除電阻或靜電電容的不均的電路或演算處理，對驅動IC的負荷變大。
構成單元28的一邊的長度Ld雖亦取決於相對於最小電極寬度Lmin的平均單元尺寸Lsave，但較佳為100μm以上、800μm以下。尤佳為100μm以上、400μm以下，更佳為150μm以上、300μm以下，最佳為210μm以上、250μm以下。藉此，容易將平均單元尺寸Lsave設為最小電極寬度Lmin的1/30以上且小於1/3。
另外，構成單元尺寸Ls不一樣的單元28的一邊的隨機率較佳為2%以上、20%以下，更佳為4%以上、10%以下。尤佳為6%以上、8%以下。此處，所謂隨機率，是指取出連續的30個單元，將各單元28的一邊的長度Ld中的最大值設為Ldmax，將最小值設為Ldmin，且將平均值設為Ldave時，由下述(1)式及(2) 式求出的值中的大值。
(Ldmax-Ldave)/Ldave×100......(1)
(Ldave-Ldmin)/Ldave×100......(2)
而且，若隨機率小於2%，則各單元28的單元尺寸Ls基本上成為一樣，由多個單元28的排列所引起的細紋的抑制效果降低。相反，若隨機率變得大於20%，則由於單元尺寸的偏差而產生不均，視認性惡化。例如圖4A及圖4B中，如寬度最窄的部分26a的圖案所示，於其中一個電極26(參照圖4A)中排列有小單元尺寸的單元28，於另一個電極26(參照圖4B)中排列有大單元尺寸的單元28等。
另外，本實施形態中，構成電極26整體的多個單元28的平均單元尺寸Lsave為均勻。具體而言是表示，例如如圖3A所示，電極26中，構成自寬度最寬的部分26b至寬度緩緩變窄的部分26c為止的區域的多個單元28的平均單元尺寸Lsave、與構成寬度最窄的部分26a的多個單元28的平均單元尺寸Lsave之比為0.9~1.1。若脫離該範圍，則在電極26內透過率產生差異，存在被視認為斑點式樣(不均)的顧慮。
進而，本實施形態中，單元尺寸Ls不一樣的多個單元28的分散性(隨機性)變得良好。具體而言，例如圖10A所示，任意選擇的3個電極(電極1~電極3)的各電阻(電阻1~電阻 3)的電阻不均較佳為小於10%，尤佳為5%以下。
此處，電阻不均可在任意選擇的多個電極的各電阻值中，將最大值設為Rmax，將最小值設為Rmin，且將各電阻值的平均值設為Rave時，由下述式來求出。
電阻不均(%)={(Rmax-Rmin)/Rave}×100
圖10A中表示關於相同的透明導電層18，選擇在一方向上連續並排的3個電極的情況。藉此，可對源自相同透明導電層18的偵測信號的水準是根據觸摸位置而線形地變化，還是非線形地變化進行評價。若電阻不均為上述較佳範圍，則根據觸摸位置，偵測信號的水準線形地變化，可提高驅動IC中的偵測精度。此外，亦可分別自其他的透明導電層18選擇電極26。
進而，本實施形態中，構成透明導電層18的多個單元28中，與襯墊20(連接部)連接的單元28的單元尺寸Ls變得相同。
上述例子中，將透明導電層18的輪廓形狀設為自寬度最寬的部分26b起至寬度最窄的部分26a為止具有寬度緩緩變窄的部分26c的形狀。作為其他例子，可為如圖5A所示，自寬度最寬的部分26b至寬度最窄的部分26a為止，寬度以階梯狀來變化的形狀。或亦可如圖5B所示，將寬度最寬的部分26b的長度Lb(沿著透明導電層18的延在方向的長度)與寬度最窄的部分26a 的長度La設為相同。或亦可如圖5C所示，於寬度最寬的部分26b的中央設置多角形狀(例如菱形狀)的光透過部分30。
另外，單元尺寸Ls不一樣的單元28的形狀除了上述正方形以外，亦可為如圖6A所示，各邊隨機變化的六角形。亦可為如圖6B所示，彎曲部的形狀以及長度隨機變化的彎曲形狀。如圖6C所示，還可為尺寸不同的四角形及五角形隨機配置的形狀。
繼而，參照圖7~圖9B來對使用上述導電膜10的觸控面板100進行說明。
觸控面板100包括感測器本體102及未圖示的控制電路(包括驅動IC等)。如圖7、圖8及圖9A所示，感測器本體102包括：積層導電膜50，其是將由上述導電膜10形成的第1導電膜10A與第2導電膜10B積層而構成；以及保護層104，其積層於上述積層導電膜50上。此外，圖9A中省略保護層104的記述。積層導電膜50及保護層104配置於例如液晶顯示器等的顯示裝置108中的顯示面板110上。自上表面察看時，感測器本體102包括：感測器部112，其配置於與顯示面板110的顯示畫面110a對應的區域；以及端子配線部114(所謂邊緣)，其配置於與顯示面板110的外周部分對應的區域。
如圖7、圖8及圖9A所示，應用於觸控面板100上的第1導電膜10A包括第1導電部14A，其形成於第1透明基體12A的一個主面上。該第1導電部14A具有與上述導電膜10的導電部14大致相同的構成，因此省略其重複說明，多個第1透明導電層 18A分別在y方向上延在而形成。此外，各第1透明導電層18A上雖分別圖示有輪廓線(實線)，但實際上不存在。另外，於第1透明導電層18A間，雖未詳細圖示，但與第1透明導電層18A電性絕緣的第1透明虛設層24A(以雙點劃線表示)同樣形成於第1透明基體12A的表面上。當然，亦可不形成第1透明虛設層24A。
如圖8所示，第1導電膜10A在與感測器部112對應的部分，排列有上述多個第1透明導電層18A。於端子配線部114，排列有由自各第1襯墊20A導出的金屬細線形成的多個第1端子配線圖案22A。
圖7的例子中，自上表面查看，第1導電膜10A的外形具有長方形狀，感測器部112的外形亦具有長方形狀。端子配線部114中，於第1導電膜10A的其中一個長邊側的周緣部，在其長度方向中央部分，多個第1端子116a排列形成於上述其中一個長邊的長度方向上。另外，沿著感測器部112的其中一個長邊(與第1導電膜10A的其中一個長邊最近的長邊：x方向)，以直線狀排列有多個第1襯墊20A。自各第1襯墊20A導出的第1端子配線圖案22A朝向第1導電膜10A的其中一個長邊中的大致中央部而引伸，分別與對應的第1端子116a電性連接。因此，和與感測器部112中的其中一個長邊的兩側對應的各第1襯墊20A連接的第1端子配線圖案22A以大致相同的長度來引伸。當然，亦可將第1端子116a形成於第1導電膜10A的角隅部或其附近。但是，多個第1端子配線圖案22A中，於最長的第1端子配線圖案22A 與最短的第1端子配線圖案22A之間產生長度上的大差異。其結果為，存在向與最長的第1端子配線圖案22A及其附近的多個第1端子配線圖案22A對應的第1導電膜10A的信號傳遞變慢的問題。因此，如本實施形態所示，藉由在第1導電膜10A的其中一個長邊的長度方向中央部分形成第1端子116a，可抑制局部的信號傳遞的延遲。這與響應速度的高速化相關。
另一方面，如圖7、圖8及圖9A所示，第2導電膜10B包括第2導電部14B，其形成於第2透明基體12B的一個主面上。關於該第2導電部14B，亦由於具有與上述導電膜10的導電部14大致相同的構成，故而省略其重複說明。第2導電部14B的多個第2透明導電層18B分別在x方向延在而形成。此外，圖8中，將單元28的顯示省略一部分來表示。另外，各第2透明導電層18B上雖分別圖示有輪廓線(實線)，但實際上不存在。在第2透明導電層18B間，雖未詳細圖示，但與第2透明導電層18B電性絕緣的第2透明虛設層24B(以雙點劃線表示)同樣形成於第2透明基體12B的表面上。當然，亦可不形成第2透明虛設層24B。
每隔1個放置(例如奇數編號)的各第2透明導電層18B的其中一個端部、以及偶數編號的各第2透明導電層18B的另一個端部分別經由第2襯墊20B而與由金屬細線形成的第2端子配線圖案22B電性連接。而且，在與感測器部112對應的部分排列有多個第2透明導電層18B，且在端子配線部114排列有自各第2襯墊20B導出的多個第2端子配線圖案22B。
如圖7所示，端子配線部114中，於第2導電膜10B的其中一個長邊側的周緣部，在其長度方向中央部分，多個第2端子116b排列形成於上述其中一個長邊的長度方向上。另外，沿著感測器部112的其中一個短邊(與第2導電膜10B的其中一個短邊最近的短邊：y方向)，以直線狀排列有多個第2襯墊20B(例如奇數編號的第2襯墊20B)。沿著感測器部112的另一個短邊(與第2導電膜10B的另一個短邊最近的短邊：y方向)，以直線狀排列有多個第2襯墊20B(例如偶數編號的第2襯墊20B)。
多個第2透明導電層18B中，例如奇數編號的第2透明導電層18B分別與對應的奇數編號的第2襯墊20B連接。偶數編號的第2透明導電層18B分別與對應的偶數編號的第2襯墊20B連接。自奇數編號以及偶數編號的第2襯墊20B分別導出的第2端子配線圖案22B朝向第2導電膜10B的其中一個長邊中的大致中央部引伸，分別與對應的第2端子116b電性連接。因此，例如第1個與第2個第2端子配線圖案22B以大致相同的長度引伸。以下同樣，第2n-1個與第2n個第2端子配線圖案22B分別以大致相同的長度引伸(n=1、2、3...)。
當然，亦可將第2端子116b形成於第2導電膜10B的角隅部或其附近。但是，如上所述，存在向與最長的第2端子配線圖案22B及其附近的多個第2端子配線圖案22B對應的第2導電膜10B的信號傳遞變慢的問題。因此，如本實施形態所示，藉由在第2導電膜10B的其中一個長邊的長度方向中央部分形成第 2端子116b，可抑制局部的信號傳遞的延遲。這與響應速度的高速化相關。
此外，亦可將第1端子配線圖案22A的導出形態設為與上述第2端子配線圖案22B相同，且將第2端子配線圖案22B的導出形態設為與上述第1端子配線圖案22A相同。
而且，於將第1導電膜10A與第2導電膜10B重疊而製成積層導電膜50的情況下，例如以第1透明導電層18A的延在方向成為y方向的方式將第1導電膜10A定位。以第2透明導電層18B的延在方向成為x方向的方式將第2導電膜10B定位。然後，只要使第1透明導電層18A的寬度最窄的部分26a、與第2透明導電層18B的寬度最窄的部分26a對向而積層即可。
此外，第2導電膜10B的第2透明導電層18B的形狀可如上所述，設為與第1透明導電層18A相同的形狀，但亦可設為電極寬度固定的帶狀圖案。於該情況下，電極寬度可與第1透明導電層18A的最小電極寬度Lmin一致，亦可與最大電極寬度Lmax一致。
於將該積層導電膜50用作觸控面板的情況下，於第1導電膜10A上形成保護層104。將自第1導電膜10A導出的多個第1端子配線圖案22A、以及自第2透明導電層18B導出的多個第2端子配線圖案22B與例如控制掃描的驅動IC連接。
觸摸位置的檢測方式較佳為可採用自電容(self-capacitance)方式或互電容(mutual capacitance)方式。即， 若為自電容方式，則對第1導電膜10A依次供給用於觸摸位置檢測的電壓信號，且對第2導電膜10B依次供給用於觸摸位置檢測的電壓信號。藉由使指尖與保護層104的上表面接觸或接近，與觸摸位置對向的第1透明導電層18A以及第2透明導電層18B與地面(ground，GND)間的電容增加。藉此，源自該第1透明導電層18A以及第2透明導電層18B的傳遞信號的波形成為與源自其他透明導電層的傳遞信號的波形不同的波形。因此，驅動IC中，基於由第1透明導電層18A以及第2透明導電層18B供給的傳遞信號來演算觸摸位置。
另一方面，於互電容方式的情況下，例如對第1透明導電層18A依次供給用於觸摸位置檢測的電壓信號，且對第2透明導電層18B依次進行感測(sensing)(傳遞信號的檢測)。藉由使指尖與保護層104的上表面接觸或接近，對於和觸摸位置對向的第1透明導電層18A與第2透明導電層18B間的寄生電容(parasitic capacitance)，並列地施加手指的雜散電容(stray capacitance)。藉此，源自該第2透明導電層18B的傳遞信號的波形成為與源自其他第2透明導電層18B的傳遞信號的波形不同的波形。因此，驅動IC中，基於供給電壓信號的第1透明導電層18A的順序、以及所供給的源自第2透明導電層18B的傳遞信號來演算觸摸位置。
藉由採用如上所述的自電容方式或者互電容方式的觸摸位置的檢測方法，即便在保護層104的上表面同時接觸或接近2 個指尖，亦可檢測出各觸摸位置。此外，與投影型靜電電容方式的檢測電路有關的先前技術文獻有：美國專利第4,582,955號說明書、美國專利第4,686,332號說明書、美國專利第4,733,222號說明書、美國專利第5,374,787號說明書、美國專利第5,543,588號說明書、美國專利第7,030,860號說明書、美國專利申請公開2004/0155871號說明書等。
上述積層導電膜50中，如圖8及圖9A所示，於第1透明基體12A的一個主面形成第1導電部14A，且於第2透明基體12B的一個主面形成第2導電部14B。作為其他例子，亦可如圖9B所示，於透明基體12的一個主面形成第1導電部14A，且於透明基體12的另一主面形成第2導電部14B。於該情況下成為如下形態：第2透明基體12B不存在，於第2導電部14B上積層有透明基體12，且於透明基體12上積層有第1導電部14A。另外，在第1導電膜10A與第2導電膜10B之間亦可存在其他層，若第1導電部14A與第2導電部14B為絕緣狀態，則該第1導電部14A與第2導電部14B亦可對向配置。
較佳為如圖7所示，於第1導電膜10A與第2導電膜10B的例如各角隅部，形成在第1導電膜10A與第2導電膜10B貼合時所使用的定位用第1對準標記118a以及第2對準標記118b。於將第1導電膜10A與第2導電膜10B貼合而製成積層導電膜50的情況下，該第1對準標記118a以及第2對準標記118b成為新的複合對準標記。該複合對準標記亦發揮將該積層導電膜 50設置於顯示面板110上時所使用的定位用對準標記的功能。
上述例子中，已示出將第1導電膜10A以及第2導電膜10B應用於投影型靜電電容方式的觸控面板100的例子，但除此以外，亦可應用於表面型靜電電容方式的觸控面板、或電阻膜式的觸控面板。
此外，上述本實施形態的導電膜10除了用作顯示裝置108的觸控面板用導電膜以外，亦可用作顯示裝置108的電磁屏蔽膜、或設置於顯示裝置108的顯示面板110上的光學膜。顯示裝置108可列舉液晶顯示器、電漿顯示器、有機電激發光(electroluminescence，EL)、無機EL等。
繼而，對導電膜10的製造方法進行說明。作為製造導電膜10的第1方法，例如將在透明基體12上具有含有感光性鹵化銀鹽的乳劑層的感光材料進行曝光，實施顯影處理。藉此，於曝光部及未曝光部分別形成金屬銀部及光透過性部來形成導電部14。此外，亦可進而對金屬銀部實施物理顯影及/或鍍敷處理，而使金屬銀部擔載導電性金屬。
第2方法是於透明基體12上，使用鍍敷前處理材料來形成感光性被鍍敷層，然後，在進行曝光、顯影處理後實施鍍敷處理。藉此，於曝光部及未曝光部分別形成金屬部及光透過性部來形成導電部14。亦可進而對金屬部實施物理顯影及/或鍍敷處理，而使金屬部擔載導電性金屬。
使用鍍敷前處理材料的方法(第2方法)的尤佳形態可 列舉如下的2種形態。此外，下述更具體的內容揭示於日本專利特開2003-213437號公報、日本專利特開2006-64923號公報、日本專利特開2006-58797號公報、日本專利特開2006-135271號公報等中。
(a)於透明基體12上塗佈包含與鍍敷觸媒或其前驅體相互作用的官能基的被鍍敷層。然後，在進行曝光．顯影後進行鍍敷處理，而使金屬部形成於被鍍敷材料上。
(b)於透明基體12上依次積層包含聚合物及金屬氧化物的基底層、以及包含與鍍敷觸媒或其前驅體相互作用的官能基的被鍍敷層。然後，在進行曝光．顯影後進行鍍敷處理，而使金屬部形成於被鍍敷材料上。
第3方法是將形成於透明基體12上的金屬箔上的光阻膜進行曝光、顯影處理而形成抗蝕劑圖案。將自抗蝕劑圖案中露出的銅箔進行蝕刻，形成導電部14。
第4方法是於透明基體12上印刷包含金屬微粒子的膏。然後，對膏進行金屬鍍敷，藉此形成網目圖案。
第5方法是於透明基體12上，藉由網版印刷版或者凹版印刷版而印刷形成網目圖案。
第6方法是於透明基體12上，藉由噴墨而形成導電部14。
繼而，本實施形態的導電膜10中，以作為特佳態樣的使用鹵化銀寫真感光材料的方法為中心來進行說明。
本實施形態的導電膜10的製造方法根據感光材料及顯影處理的形態，包含以下3種形態。
(1)將不含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料進行化學顯影或熱顯影，使金屬銀部形成於該感光材料上。
(2)將在鹵化銀乳劑層中包含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料進行溶解物理顯影，使金屬銀部形成於該感光材料上。
(3)將不含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料、與具有包含物理顯影核的非感光性層的顯像片重疊來進行擴散轉印顯影，使金屬銀部形成於非感光性顯像片上。
上述(1)的態樣為一體型黑白顯影類型，於感光材料上形成光透過性導電膜等透光性導電性膜。所得的顯影銀為化學顯影銀或者熱顯影銀，就作為高比表面積(specific surface)的長絲(filament)的方面而言，在後續的鍍敷或物理顯影過程中活性高。
上述(2)的態樣藉由在曝光部，將物理顯影核近緣的鹵化銀粒子溶解並沈積於顯影核上，而於感光材料上形成光透過性導電性膜等透光性導電性膜。其亦為一體型黑白顯影類型。由於在物理顯影核上的析出，故而顯影作用為高活性，但顯影銀為比表面積小的球形。
上述(3)的態樣藉由在未曝光部，將鹵化銀粒子溶解擴散而沈積於顯像片上的顯影核上，從而於顯像片上形成光透過性導電性膜等透光性導電性膜。上述(3)的態樣為所謂的分隔 (separate)類型，是將顯像片自感光材料上剝離來使用的態樣。
任一態樣均可選擇負型顯影處理以及反轉顯影處理的任一種顯影。於擴散轉印方式的情況下，可藉由使用直接正型(autopositive)感光材料作為感光材料來進行負型顯影處理。
此處所謂的化學顯影、熱顯影、溶解物理顯影、擴散轉印顯影是指如業界通常使用的用語所述的含義。即，在寫真化學(Shashin Kagaku Co.Ltd.)的一般教科書，例如菊地真一著的「寫真化學」(共立出版公司，1955年發行)、C.E.K.Mees編的「攝影過程理論第四版(The Theory of Photographic Processes,4th ed.)」(麥克米倫(Mcmillan)公司，1977年刊行)中進行解說。本申請案雖為液處理的發明，但亦可以應用熱顯影方式作為其他顯影方式的技術作為參考。例如，可應用日本專利特開2004-184693號、日本專利特開2004-334077號、日本專利特開2005-010752號的各公報、日本專利特願2004-244080號、日本專利特願2004-085655號的各說明書中記載的技術。
此處，以下對本實施形態的導電膜10的各層的構成進行詳細說明。
[透明基體12]
透明基體12可列舉塑膠膜、塑膠板、玻璃板等。上述塑膠膜及塑膠板的原料例如可使用：聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，PEN)等聚酯類；三乙醯纖維素 (triacetyl cellulose，TAC)、聚碳酸酯、環狀烯烴(cyclic olefin polymer，COP)等。透明基體12較佳為熔點約為290℃以下的塑膠膜、或者塑膠板。尤其就光透過性或加工性等觀點而言，較佳為PET。
[銀鹽乳劑層]
成為導電膜10的金屬細線16的銀鹽乳劑層除了含有銀鹽及黏合劑以外，還含有溶劑或染料等添加劑。
本實施形態中使用的銀鹽可列舉鹵化銀等無機銀鹽以及乙酸銀等有機銀鹽。本實施形態中，較佳為使用作為光感測器的特性優異的鹵化銀。
銀鹽乳劑層的塗佈銀量(銀鹽的塗佈量)換算為銀，較佳為1g/m2~30g/m2，更佳為1g/m2~25g/m2，尤佳為5g/m2~20g/m2。藉由將該塗佈銀量設為上述範圍，於製成導電膜10的情況下可獲得所需的表面電阻。
本實施形態中使用的黏合劑例如可列舉：明膠(gelatine)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，PVA)、聚乙烯吡咯啶酮(polyvinyl pyrrolidone，PVP)、澱粉等多糖類、纖維素及其衍生物、聚環氧乙烷、聚乙烯基胺、幾丁聚糖(chitosan)、聚離胺酸(polylysine)、聚丙烯酸、聚海藻酸(polyalginic acid)、聚玻尿酸(polyhyaluronic acid)、羧基纖維素等。該些黏合劑藉由官能基的離子性而具有中性、陰離子性、陽離子性的性質。
本實施形態的銀鹽乳劑層中所含的黏合劑的含量並無 特別限定，可在能夠發揮分散性及密接性的範圍內適當決定。銀鹽乳劑層中的黏合劑的含量以銀/黏合劑體積比計，較佳為1/4以上，更佳為1/2以上。銀/黏合劑體積比較佳為100/1以下，更佳為50/1以下。另外，銀/黏合劑體積比尤佳為1/1~4/1。最佳為1/1~3/1。藉由將銀鹽乳劑層中的銀/黏合劑體積比設為該範圍，於調整塗佈銀量的情況下亦可抑制電阻值的不均。其結果為，可獲得具有均勻的表面電阻的導電膜10。此外，銀/黏合劑體積比可藉由將原料的鹵化銀量/黏合劑量(重量比)轉變為銀量/黏合劑量(重量比)，進而，將銀量/黏合劑量(重量比)轉變為銀量/黏合劑量(體積比)而求出。
<溶劑>
用於形成銀鹽乳劑層的溶劑並無特別限定，例如可列舉：水、有機溶劑(例如：甲醇等醇類、丙酮等酮類、甲醯胺等醯胺類、二甲基亞碸等亞碸類、乙酸乙酯等酯類、醚類等)、離子性液體、以及該些溶劑的混合溶劑。
<其他添加劑>
本實施形態中使用的各種添加劑並無特別限制，較佳為可使用公知的添加劑。
[其他的層構成]
亦可於銀鹽乳劑層上設置未圖示的保護層。另外，亦可於較銀鹽乳劑層更下方設置例如底塗層。
繼而，對導電膜10的製作方法的各步驟進行說明。
[曝光]
本實施形態中，雖包括藉由印刷方式來形成導電部14的情況，但除了印刷方式以外，還藉由曝光及顯影等來形成導電部14。即，對具有設置於透明基體12上的含銀鹽層的感光材料或者塗佈有光微影(photolithography)用光聚合物(photopolymer)的感光材料進行曝光。可使用電磁波來進行曝光。電磁波例如可列舉可見光線、紫外線等光，X射線等放射線等。進而，曝光時可利用具有波長分佈的光源，亦可使用特定波長的光源。
[顯影處理]
本實施形態中，將乳劑層進行曝光後，進而進行顯影處理。顯影處理可使用銀鹽照相膠片(photographic film)或感光紙(photographic paper)、印刷製版用膜、光罩用乳膠遮罩(emulsion mask)等中使用的通常的顯影處理的技術。本發明中的顯影處理可包含出於將未曝光部分的銀鹽去除而使其穩定化的目的來進行定影處理。本發明中的定影處理可使用銀鹽照相膠片或感光紙、印刷製版用膜、光罩用乳膠遮罩等中使用的定影處理的技術。
實施了顯影、定影處理的感光材料較佳為實施水洗處理或穩定化處理。
相對於曝光前的曝光部中所含的銀的質量，顯影處理後的曝光部中所含的金屬銀部的質量較佳為50質量%以上的含有率，尤佳為80質量%以上。若相對於曝光前的曝光部中所含的銀的質量，曝光部中所含的銀的質量為50質量%以上，則可獲得高 導電性，因此較佳。
經過以上的步驟而獲得導電膜10。對於顯影處理後的導電膜10，亦可進而進行壓延處理(calender process)。藉由壓延處理，可將各透明導電層的表面電阻調整為所需的表面電阻(0.1歐姆/平方~100歐姆/平方的範圍)。
[物理顯影及鍍敷處理]
本實施形態中，出於提高藉由上述曝光及顯影處理而形成的金屬銀部的導電性的目的，亦可進行用於使上述金屬銀部擔載導電性金屬粒子的物理顯影及/或鍍敷處理。本發明中，可僅藉由物理顯影或鍍敷處理的任一種處理而使導電性金屬粒子擔載於金屬銀部上，亦可將物理顯影與鍍敷處理加以組合而使導電性金屬粒子擔載於金屬銀部上。此外，包括對金屬銀部實施了物理顯影及/或鍍敷處理而得者在內，稱為「導電性金屬部」。
本實施形態中的所謂「物理顯影」，是指於金屬或金屬化合物的核上，利用還原劑將銀離子等金屬離子進行還原而使金屬粒子析出。該物理現象被用於瞬時黑白膠片(instant black and white film)、瞬時幻燈膠片(instant slide film)或印刷版製造等，本發明中可使用該技術。另外，物理顯影可與曝光後的顯影處理同時進行，亦可在顯影處理後另外進行。
本實施形態中，鍍敷處理可使用無電電鍍(化學還原鍍敷或置換鍍敷)、電鍍、或者無電電鍍與電鍍這兩者。本實施形態中的無電電鍍可使用公知的無電電鍍技術，例如可使用印刷配線 板等中使用的無電電鍍技術，無電電鍍較佳為無電鍍銅(electroless copper plating)。
[氧化處理]
本實施形態中，較佳為對顯影處理後的金屬銀部、以及藉由物理顯影及/或鍍敷處理而形成的導電性金屬部實施氧化處理。藉由進行氧化處理，例如於在光透過性部沈積有少量金屬的情況下，可將該金屬去除而將光透過性部的透過性設為大致100%。
[導電性金屬部]
本實施形態的導電性金屬部的線寬(金屬細線16的線寬)可自30μm以下選擇。於使用導電膜10作為觸控面板的情況下，金屬細線16的線寬較佳為0.1μm以上、15μm以下。更佳為1μm以上、9μm以下，尤佳為2μm以上、7μm以下。於線寬小於上述下限值的情況下，導電性變得不充分，因此於用於觸控面板的情況下，檢測感度變得不充分。另一方面，若超過上述上限值，則由導電性金屬部引起的細紋變得顯著，或當用於觸控面板時視認性變差。此外，藉由在上述範圍內，導電性金屬部的細紋得到改善，視認性變得特別良好。單元的一邊的長度較佳為100μm以上、800μm以下。尤佳為100μm以上、400μm以下，更佳為150μm以上、300μm以下，最佳為210μm以上、250μm以下。另外，出於接地等目的，導電性金屬部可具有線寬比200μm寬的部分。
就可見光透過率的方面而言，本實施形態中的導電性金屬部的開口率較佳為80%以上。尤佳為85%以上，最佳為90%以上。所謂開口率，是指除金屬細線之外的透光性部分在整體中所佔的比例。
[光透過性部]
本實施形態中的所謂「光透過性部」，是指導電膜10中導電性金屬部以外的具有透光性的部分。關於曝光方法，較佳為隔著玻璃遮罩的方法或利用雷射描畫的圖案曝光方式。
[導電膜10]
本實施形態的導電膜10中的透明基體12的厚度較佳為5μm~350μm，尤佳為30μm~150μm。若為5μm~350μm的範圍，則獲得所需的可見光的透過率，且操作亦容易。
設置於透明基體12上的金屬銀部的厚度可根據塗佈於透明基體12上的含銀鹽層用塗料的塗佈厚度來適當決定。金屬銀部的厚度可自0.001mm~0.2mm中選擇，較佳為30μm以下，更佳為20μm以下。尤佳為0.01μm~9μm，最佳為0.05μm~5μm。另外，金屬銀部較佳為圖案狀。金屬銀部可為1層，亦可為2層以上的多層構成。於金屬銀部為圖案狀，且為2層以上的多層構成的情況下，為了可對不同的波長感光，可賦予不同的感色性。藉此，若改變曝光波長來曝光，則可於各層中形成不同的圖案。
作為觸控面板100的用途，導電性金屬部的厚度越薄，顯示面板110的視角越廣，因此較佳，就視認性提高的方面而言 亦要求薄膜化。就此種觀點而言，包含擔載於導電性金屬部的導電性金屬的層的厚度較佳為小於9μm。更佳為0.1μm以上且小於5μm，尤佳為0.1μm以上且小於3μm。
本實施形態中，可藉由控制上述含銀鹽層的塗佈厚度來形成所需厚度的金屬銀部，進而可藉由物理顯影及/或鍍敷處理來自由地控制包含導電性金屬粒子的層的厚度。因此，即便是具有小於5μm、較佳為小於3μm的厚度的導電膜，亦可容易地形成。
此外，本實施形態的導電膜10的製造方法中，未必需要進行鍍敷等步驟。其原因在於，本實施形態的導電膜10的製造方法中，可藉由調整銀鹽乳劑層的塗佈銀量、銀/黏合劑體積比而獲得所需的表面電阻。此外，亦可視需要來進行壓延處理等。
(顯影處理後的硬膜處理)
較佳為在對銀鹽乳劑層進行顯影處理後，浸漬於硬膜劑中來進行硬膜處理。硬膜劑例如可列舉：戊二醛(glutaraldehyde)、己二醛(adipaldehyde)、2,3-二羥基-1,4-二噁烷等二醛類以及硼酸等日本專利特開平2-141279號公報中記載的硬膜劑。
本實施形態的導電膜10上，亦可賦予抗反射層或硬塗層等功能層。
[壓延處理]
亦可對顯影處理完畢的金屬銀部實施壓延處理而平滑化。藉此，金屬銀部的導電性顯著增大。壓延處理可利用壓延輥來進行。壓延輥通常包含一對輥。
作為壓延處理中使用的輥，使用環氧、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺等塑膠輥或者金屬輥。尤其於在兩面具有乳劑層的情況下，較佳為利用金屬輥彼此來進行處理。於在單面具有乳劑層的情況下，就防止皺褶的方面而言，亦可設為金屬輥與塑膠輥的組合。線壓力的上限值為1960N/cm(200kgf/cm，若換算為面壓，則為699.4kgf/cm2)以上，尤佳為2940N/cm(300kgf/cm，若換算為面壓，則為935.8kgf/cm2)以上。線壓力的上限值為6880N/cm(700kgf/cm)以下。
由壓延輥所代表的平滑化處理的應用溫度較佳為10℃(無溫度調整)~100℃。更佳的溫度根據金屬網目圖案或金屬配線圖案的掃描密度或形狀、黏合劑種類而不同，但大致在10℃(無溫度調整)~50℃的範圍內。
此外，本發明可與下述表1及表2中記載的公開公報以及國際公開小冊子的技術適當組合來使用。「日本專利特開」、「號公報」、「號小冊子」等表述省略。
[表1]
[實施例]
以下，列舉本發明的實施例來對本發明進一步進行具體說明。此外，以下的實施例中所示的材料、使用量、比例、處理內容、處理程序等只要不脫離本發明的主旨，則可適當變更。因此，本發明的範圍並不藉由以下所示的具體例來作限定性解釋。
該實施例中，對於實施例1~實施例8及比較例1~比較例4的導電膜，評價細紋的改良效果、視認性、隨機性及開口率。將評價結果示於後述的表3中。
<實施例1~實施例8、比較例1~比較例4>
(鹵化銀感光材料)
製備相對於水介質中的Ag 150g而包含明膠10.0g，且含有球相當直徑平均為0.1μm的碘溴氯化銀粒子(I=0.2莫耳%、Br=40莫耳%)的乳劑。
另外，於該乳劑中，以濃度成為10-7(莫耳/莫耳銀)的方式添加K3Rh2Br9以及K2IrCl6，在溴化銀粒子中摻雜銠(Rh)離子及銥(Ir)離子。於該乳劑中添加Na2PdCl4，進而使用氯金酸及硫代硫酸鈉來進行金硫增感。然後，與明膠硬膜劑一起，以銀的塗佈量成為10g/m2的方式塗佈於透明基體(此處，均為聚對苯二甲酸乙二酯(PET))上，獲得鹵化銀感光材料。此時，Ag/明膠體積比設為2/1。
(曝光)
以對實施例1~實施例8、比較例1~比較例4分別決定的曝光圖案，對鹵化銀感光材料進行曝光。作為曝光，隔著上述圖案的光罩，使用將高壓水銀燈作為光源的平行光來進行曝光。
(顯影處理)
．顯影液1L配方
．定影液1L配方
使用上述處理劑，利用富士軟片(Fujifilm)公司製造的自動顯影機FG-710PTS，以如下處理條件對曝光完畢的感材進行處理：於35℃下進行30秒顯影，於34℃下進行23秒定影，以流水(5升/分鐘)進行20秒水洗。
(實施例1：圖10A)
如圖10A所示，1個單元28的形狀為正方形，構成單元28的金屬細線16的線寬為5μm，1個單元28的電阻率為4.16×10-7歐姆/平方，平均單元尺寸Lsave為212.1μm。單元28的一邊的長度Ld平均為150μm，隨機率為8%，以連續一樣的分佈來選擇138μm~162μm。透明導電層18的最大電極寬度Lmax為1.6mm，最小電極寬度Lmin為1.0mm。因此，平均單元尺寸Lsave為最小電極寬度Lmin的1/4.71。此外，於透明導電層18上 雖圖示有輪廓線(實線)，但實際上不存在。以下相同。
以如下方式求出平均單元尺寸。即，如圖10A所示，取得在一方向上連續並排的3個電極(電極1~電極3)的掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope，SEM)影像。根據SEM影像，藉由影像處理來求出3個電極的全部單元尺寸，從而算出其合計值，將該合計值除以單元的個數來求出平均單元尺寸。以如下方式求出最小電極寬度。即，根據上述3個電極的SEM影像，藉由影像處理來求出全部最小電極寬度而算出其合計值。將該合計值除以電極的數量(於該情況下為3個)來求出最小電極寬度。該算出方法在以下所示的實施例2~實施例8、比較例1~比較例4中亦相同。
以下的說明中，將自寬度最寬的部分26b至寬度緩緩變窄的部分26c為止的區域記作「特定區域」。
構成上述特定區域的多個單元28的平均單元尺寸Lsave、與構成寬度最窄的部分26a的多個單元28的平均單元尺寸Lsave之比(表3中表述為「平均單元尺寸之比」)為0.9~1.1的範圍。
該情況下，根據在一方向上連續並排的3個電極(電極1~電極3)的SEM影像，藉由影像處理及平均值計算來求出構成上述特定區域的多個單元28的平均單元尺寸Lsave、與構成寬度最窄的部分26a的多個單元28的平均單元尺寸Lsave，求出上述平均單元尺寸之比。
(實施例2)
在平均單元尺寸Lsave為200.0μm，且為最小電極寬度Lmin的1/5的方面與實施例1不同。單元28的一邊的長度Ld的標準長度為141μm，隨機率為8%，以連續一樣的分佈來選擇130μm~152μm。
(實施例3)
在平均單元尺寸Lsave為100.0μm，且為最小電極寬度Lmin的1/10的方面與實施例1不同。單元28的一邊的長度Ld的標準長度為71μm，隨機率為8%，以連續一樣的分佈來選擇65μm~77μm。
(實施例4)
在隨機率為10%的方面與實施例1不同。因此，單元28的一邊的長度Ld是以連續一樣的分佈來選擇135μm~165μm。
(實施例5)
如圖10B(縮尺與圖10A不同)所示，在隨機率為20%的方面與實施例1不同。因此，單元28的一邊的長度Ld是以連續一樣的分佈來選擇120μm~180μm。
(實施例6)
在隨機率為2%的方面與實施例1不同。因此，單元28的一邊的長度Ld是以連續一樣的分佈來選擇147μm~153μm。
(實施例7)
在隨機率為25%的方面與實施例1不同。因此，單元28 的一邊的長度Ld是以連續一樣的分佈來選擇113μm~187μm。
(實施例8)
在隨機率為1%的方面與實施例1不同。因此，單元28的一邊的長度Ld是以連續一樣的分佈來選擇149μm~151μm。
(比較例1)
如圖11A所示，在隨機率為0%，且單元尺寸Ls一樣的方面與實施例1不同。
(比較例2)
與實施例1不同的方面如以下所述。如圖11B(縮尺與圖11A不同)所示，構成上述特定區域的多個單元28的平均單元尺寸Lsave為212.1μm。構成寬度最窄的部分26a的多個單元28的平均單元尺寸Lsave為282.8μm。表3中表述為「212.1(282.8)」。該些Lsave之比(平均單元尺寸之比)為1.33。平均單元尺寸Lsave(於該情況下為寬度最窄的部分26a的平均單元尺寸)為最小電極寬度Lmin的1/3.54。
(比較例3)
如圖12A中表示電極26的一部分，在平均單元尺寸Lsave為28.3μm，且為最小電極寬度Lmin的1/35.3的方面與實施例1不同。
(比較例4)
如圖12B所示，平均單元尺寸Lsave為353.5μm，且為最小電極寬度Lmin的1/2.8的方面與實施例1不同。
[評價]
(開口率的算出)
為了確認透明性的優劣，對於實施例1~實施例8以及比較例1~比較例4，使用分光光度計來分別測定導電膜10的透過率，進而藉由比例計算來算出開口率。
(視認性的評價)
對於實施例1~實施例8以及比較例1~比較例4，將導電膜10貼附於顯示裝置108的顯示面板110上後，驅動顯示裝置108而使其顯示白色。此時，以肉眼來確認是否無粗線或黑色斑點，另外，斑點式樣等是否顯眼。以「A」、「B」、「C」的順序來表示視認性優異，於該情況下「A」表示視認性最優異。
(細紋的評價)
對於實施例1~實施例8以及比較例1~比較例4，將導電膜10貼附於顯示裝置108的顯示面板110上後，將顯示裝置108設置於旋轉盤上，驅動顯示裝置108而使其顯示白色。於該狀態下，使旋轉盤在偏角-20°~+20°之間旋轉，進行細紋的目視觀察．評價。
自顯示裝置108的顯示畫面，以觀察距離0.5m進行細紋的評價，將細紋未顯在化的情況評價為α，將細紋為無問題的水準且僅看到些許的情況評價為β，將細紋顯在化的情況評價為γ。並且，作為綜合評點，將成為α的角度範圍為10°以上的情況評價為A，將成為α的角度範圍小於10°的情況評價為B，將成為α的 角度範圍不存在，而成為γ的角度範圍小於30°的情況評價為C，將成為α的角度範圍不存在，而成為γ的角度範圍為30°以上的情況評價為D。
(隨機性的評價)
如圖10A~圖11B、圖12B等所示，於在一方向上連續並排的3個電極(電極1~電極3)的端部中央分別放置直徑為0.2mm的導體(導體a~導體d)。然後，測定導體a及導體b間的電阻1、導體b及導體c間的電阻2、導體c及導體d間的電阻3。而且，3個電極的各電阻值中，將最大值設為Rmax，將最小值設為Rmin，且將各電阻值的平均值設為Rave，由下述式來求出電阻不均。
電阻不均(%)={(Rmax-Rmin)/Rave}×100
將該電阻不均作為隨機性的評價。電阻不均越低，表示隨機性越良好。
[表3]
根據表3，實施例1~實施例4及實施例6的細紋改良效果均為B評價(良好)，視認性亦良好。另外，電阻不均亦為5.0%以下，為良好，開口率亦為90%以上。實施例5的細紋改良效果為A評價，最良好。但，由於隨機率為20%，故而與其他的實施例相比，網目狀的斑稍微顯眼。這對電阻不均亦會帶來影響，較其他實施例而言不均稍大。當然，在實用上是無問題的水準。實施例7與其他實施例(實施例1~實施例4及實施例6)相比，網目狀的般稍微顯眼，但細紋改良效果為B評價(良好)，電阻不均亦為6.0%，為良好，開口率亦為90%以上。實施例8與其他實施例(實施例1~實施例4及實施例6)相比，細紋改良效果為C評價，但視認性為良好，電阻不均亦為0.5%，為良好，開口率亦為90%以上。
比較例1由於隨機率為0%，故而細紋改良效果最低。比較例2由於上述平均單元尺寸之比為1.33，故而寬度緩緩變窄的部分與寬度最窄的部分的邊界顯眼，並且亦視認到斑點式樣。此外，開口率的94.7%(96.0%)中，94.7%表示上述特定區域的開口率，96.0%表示寬度最窄的部分26a的開口率。比較例3雖然細紋改良效果以及電阻不均良好，但開口率低至60.0%，視認性亦差，尤其可知在透明性的方面並非實用水準。比較例4雖然細紋改良效果、視認性以及開口率均為良好，但電阻不均大至32.2%，可知在觸摸位置的檢測精度的方面存在問題。
根據上述，可知以下情況。平均單元尺寸Lsave較佳為最小電極寬度Lmin的1/30以上且小於1/3，尤佳為1/10以上且小於1/3，更佳為1/5以上且小於1/3。構成單元28的一邊的隨機率較佳為2%以上、20%以下，更佳為4%以上、10%以下，尤佳為6%以上、8%以下。電極26中，構成上述特定區域的多個單元28的平均單元尺寸Lsave、與構成寬度最窄的部分26a的多個單元28的平均單元尺寸Lsave之比為0.9~1.1。
使用上述實施例1~實施例6的導電膜來分別製作投影型靜電電容方式的觸控面板。以手指觸摸來操作，結果可知響應速度快，檢測感度優異。另外，觸摸2點以上來操作，結果同樣獲得良好的結果，可確認亦能夠應對多點觸控(multi-touch)。
本發明的導電膜並不限定於上述實施形態，當然可在不脫離本發明的要旨的情況下，採取多種構成。
16‧‧‧金屬細線
18‧‧‧透明導電層
20‧‧‧襯墊
26‧‧‧電極
26a‧‧‧寬度最窄的部分
26b‧‧‧寬度最寬的部分
26c‧‧‧寬度緩緩變窄的部分
28‧‧‧單元
Ld‧‧‧長度
Lmax‧‧‧電極寬度
Lmin‧‧‧最小電極寬度
Ls‧‧‧單元尺寸

Claims (13)

  1. 一種導電膜，其特徵在於：包括向一方向延伸的具有多個電極(26)的透明導電層(18)，上述電極(26)的電極寬度根據位置而不固定，且包括由金屬細線(16)形成的多個多角形的單元(28)，各上述單元(28)的尺寸並不一樣，上述單元(28)的平均尺寸為上述電極(26)的最窄寬度的1/30以上且小於1/3，且上述電極(26)整體中，上述單元(28)的平均尺寸均勻。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的導電膜，其中上述單元(28)的平均尺寸為上述電極(26)的最窄寬度的1/10以上且小於1/3。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的導電膜，其中上述單元(28)的平均尺寸為上述電極(26)的最窄寬度的1/5以上且小於1/3。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的導電膜，其中上述電極(26)的最窄寬度為0.5mm~2.0mm。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的導電膜，其中構成上述單元(28)的一邊的隨機率為2%以上、20%以下。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的導電膜，其中構成上述單元(28)的一邊的隨機率為4%以上、10%以下。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的導電膜，其中上述電極(26)中構成上述寬度最窄的部分(26a)的多個上述單元(28)的平均尺寸、與上述電極(26)中構成除上述寬度最窄的部分(26a)之 外的部分的多個上述單元(28)的平均尺寸之比為0.9~1.1。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的導電膜，其中將任意選擇的多個上述電極(26)的各電阻值中的最大值設為Rmax，將最小值設為Rmin，且將各電阻值的平均值設為Rave時，{(Rmax-Rmin)/Rave}×100所表示的電阻不均小於10%。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的導電膜，其中將任意選擇的多個上述電極(26)的各電阻值中的最大值設為Rmax，將最小值設為Rmin，且將各電阻值的平均值設為Rave時，{(Rmax-Rmin)/Rave}×100所表示的電阻不均為5%以下。
  10. 如申請專利範圍第8項或第9項所述的導電膜，其中任意選擇的多個上述電極(26)是在一方向上連續並排的3個電極。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的導電膜，其中構成上述透明導電層(18)的多個上述單元(28)中，和與配線(22)的連接部(20)連接的單元(28)的尺寸相同。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的導電膜，其中構成上述單元(28)的一邊的長度為100μm以上、800μm以下。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的導電膜，其中上述金屬細線(16)的線寬為0.1μm以上、15μm以下。
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