CN107850959B - 导电结构、其制造方法、包括其的触摸面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种导电结构，该导电结构包括：金属层，设置在基板上并且包含铜；防变色层，设置在所述金属层上并且包含铜和镍；以及光反射减小层，设置在所述防变色层上并且包含氧化铜、氮化铜、氮氧化铜、氧化铝、氮化铝和氮氧化铝中的至少一种，其中，所述防变色层的镍含量为50at％至80at％。本发明能够保持优异的导电性并有效地防止金属层的眩光。

Description

导电结构、其制造方法、包括其的触摸面板及显示装置

技术领域

本申请要求2015年7月14日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0099917的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。

本说明书涉及导电结构体、该导电结构体的制造方法、包括该导电结构体的触摸面板以及包括该导电结构体的显示装置。

背景技术

通常，根据信号的检测方法，触摸面板可以如下进行分类。即，触摸面板包括：通过电流或电压值的变化在施加直流(DC)电压的同时感测被压力按压的位置的电阻型；施加交流(AC)电压的同时使用电容耦合的电容型；以及施加磁场的同时通过电压的变化感测所选择的位置的电磁型等。

近年来，随着对大面积触摸屏面板的需求的增加，需要可以实现可见性方面优异同时减小电极的电阻的大型触摸屏面板的技术发展。

发明内容

技术问题

本说明书要解决的目的是提供一种可应用于显示装置的具有优异的可见性的导电层压体。

技术方案

本说明书的一个实施例提供一种导电结构体，包括：基板；金属层，包含设置在所述基板上的铜；防变色层，设置在所述金属层上并包含铜和镍；以及光反射减小层，设置在所述防变色层上并包含氧化铜、氮化铜、氮氧化铜、氧化铝、氮化铝和氮氧化铝中的至少一种，其中，所述防变色层的镍含量在50at％至80at％的范围内。

本说明书的一个实施例提供一种导电结构体的制造方法，包括：制备基板；在所述基板上形成包含铜的金属层；在所述金属层上形成包含铜和镍的防变色层；以及在所述防变色层上形成光反射减小层。

本说明书的一个实施例提供一种包括所述导电结构体的触摸面板。

本说明书的一个实施例提供一种包括所述导电结构体的显示装置。

有益效果

根据本说明书的实施例的导电结构体在保持优异的导电性以及有效地防止金属层的眩光效应方面具有优势。

根据本说明书的实施例的导电结构体在优异的可见性和优异的热稳定性方面具有优势。

根据本说明书的实施例的导电结构体能够在应用于诸如显示装置的电子元件时根据工艺环境使导电结构体的光反射率的增加最小化。

根据本说明书的实施例的导电结构体在显著降低工艺成本方面具有优势，因为导电结构体能够通过一次蚀刻工艺来制造。

附图说明

图1示出了根据本说明书的实施例的导电结构体的层叠结构。

图2示出了根据本说明书的实施例的导电结构体被图案化时的层叠结构。

图3示出了根据比较例1的导电结构体的热处理之前和之后的光反射率。

图4示出了根据实施例1的导电结构体的热处理之前和之后的光反射率。图5示出了根据实施例2的导电结构体的批量蚀刻(Batch-etching)特性比较。

<附图标记的说明>

100：基板

200：金属层

210：金属图案层

300：防变色层

310：防变色图案层

400：光反射减小层

410：光反射减小图案层

a：图案层的线宽

b：图案层的相邻的导电线之间的线间隔

具体实施方式

在本说明书中，当描述一个部件位于另一部件上时，部件可以“接触”另一部件或者在两个部件之间可以插设第三部件。

在本说明书中，除非明确地描述为相反，否则词语“包括”以及诸如“包括”或“包含”的变型将被理解为意味着包含所述的要素，但不排除任何其他的要素。

在下文中，将更详细地描述本说明书。

在本说明书中，作为统称为TV或计算机监视器的术语的显示装置包括形成图像的显示元件和支撑显示元件的外壳。

作为显示元件，可以举例出等离子体显示面板(PDP)、液晶显示器(LCD)、电泳显示器、阴极射线管(CRT)、OLED显示器等。在显示元件中，可以设置用于实现图像的RGB像素图案和附加的光学滤波器。

另一方面，关于显示装置，随着智能手机、平板电脑、IPTVs等的散布的加快，对于人手成为直接输入装置而不具有例如键盘或遥控器的单独的输入装置的触摸功能的需求逐渐增加。此外，需要能够手写以及特定点识别的多点触摸功能。

目前，大多数商业化的触摸屏面板(TSP)都基于透明导电ITO薄膜，但是在应用大面积的触摸屏面板时，存在以下问题：由于ITO透明电极本身的相对较高的薄层电阻(最小150Ω/sq，由日东电工株式会社(Nitto Denko Corporation)制造的ELECRYSTA产品)导致的RC延迟，触摸识别速度下降；以及需要引入用于克服该问题的附加的补偿芯片。

本发明人研究了用金属微细图案替换透明ITO薄膜的技术。结果，本发明人发现，在使用具有高电导率的金属薄膜作为触摸屏面板的电极用途的情况下，当具有特定形状的微细电极图案被实现时，在可见性方面，由于高反射率，可能发生如下问题：图案被人眼很好地看到以及由于对于外部光的高反射率、雾度值等导致的眩目。此外，在制造过程中，本发明人发现在很多情况下目标值昂贵或者工艺复杂。

此外，在使用金属细线作为透明电极的情况下，最大的问题可能是反射色(reflective color)。由于金属的独特的光泽，可能发生由外部光源引起的眩目等的可视性问题，因此需要在金属表面上形成能够减少反射的附加层。

另外，由于以预定线宽和间距制备的金属细线具有光传输到大部分的区域同时具有低电阻的特性，因此金属细线已经作为下一代透明电极和触摸传感器被积极地研究。

特别是，其中，Cu金属细线被认为是用于以低成本和高导电率实现金属细线的适合的材料。上述的金属特定的可见性问题可以通过在金属上沉积(deposite)氧化膜来减小。然而，在Cu金属上沉积CuO_x的结构中，当在沉积之后进行高温后处理时，由于Cu的高扩散性质，Cu/CuO_x界面变得不稳定，从而引起反射色的问题。

因此，本说明书的目的在于实现包括金属层和光反射减小层的导电结构体的适合的颜色的同时使高温下的稳定性最大化。

本说明书的一个实施例提供一种导电结构体，包括：基板；设置在所述基板上的包括铜的金属层；设置在所述金属层上并包括铜和镍的防变色层；以及设置在所述防变色层上并且包括氧化铜、氮化铜、氮氧化铜、氧化铝、氮化铝和氮氧化铝中的至少一种的光反射减小层，所述防变色层的镍含量在50at％至80at％的范围内。

图1示出了根据本说明书的实施例的导电结构体的层叠结构。具体而言，根据图1，导电结构体包括依次设置在基板100上的金属层200、防变色层300和光反射减小层400。然而，导电结构体不限于图1的结构，可以进一步设置附加层。

反射减少层是指能够通过光吸收减少入射到金属层自身的光的量以及从金属层反射的光的量的层。

在本说明书的实施例中，防变色层用于防止光反射减小层的性能随着金属层的铜扩散到光反射减小层而变差。

相关技术中的导电结构体可以包括层叠有包括铜的金属层和包括氧化铜的光反射减小层的结构。但是，在包含Cu和CuO的层叠结构的导电结构体在大气压下在150℃下被热处理时，发生导电结构体的光反射率增加并且光反射减小能力降低的问题。这种问题在Cu和CuO的界面处发生，特别是，确认出由于CuO变为Cu₂O的现象而发生这种问题。即，具有随着在热处理工序过程中金属层的Cu扩散到光反射减小层而使光反射减小层的性能变差的问题。Cu/CuO界面上的这种变化导致导电结构体的光反射率的增加和光反射减小层的颜色的改变，因此，这种改变可能是将来制造和评价细线产品过程中的一个问题。

150℃下Cu和CuO之间的扩散系数1.3×10^-20m²/s具有比Cu和Cu之间的扩散系数6.85×10^-31m²/s大的值。因此，由此可知，Cu在150℃温度下扩散到CuO界面，Cu/CuO界面被改变。

根据本说明书的实施例的导电结构体包括在包含铜的金属层和光反射减小层之间的防变色层，以防止金属层的铜扩散到光反射减小层。因此，具有可以通过防止金属层的Cu扩散到光反射减小层使高温下的稳定性最大化的特性。

根据本说明书的实施例，防变色层的镍含量可以为57at％或更大。

当防变色层的镍含量小于50at％时，热处理后的光反射减小层的表面上的光反射率可能显著增加。

另外，当防变色层的镍含量等于或大于50at％时，可以有效地抑制热处理后的光反射减小层的表面上的光反射率的增加。更具体地，当防变色层的镍含量等于或大于57at％时，可以将热处理后的光反射减小层的表面上的光反射率的增加抑制到最小。

另外，当防变色层的镍含量在50at％至80at％的范围内时，显示出优异的蚀刻性，因此，能够与金属层和光反射减小层一起共同蚀刻。当防变色层的镍含量超出该范围时，蚀刻性降低，因此，具有如下问题：当与金属层和光反射减小层一起进行共同蚀刻时，难以形成具有微细线宽的导电线。

根据本说明书的实施例，防变色层的厚度可以在10nm至30nm的范围内。具体而言，根据本说明书的实施例，防变色层的厚度可以在10nm至20nm的范围内。

当防变色层的厚度小于10nm时，在热处理过程中Cu从金属层向光反射减小层的扩散不能被有效地阻挡，因此，光反射减小层的性能可能显著变差。

根据本说明书的实施例，380nm至780nm的范围内的波长在150℃下热处理24小时后的光反射减小层的表面上的平均反射率与380nm至780nm的范围内的波长在热处理前的光反射减小层的表面上的平均反射率之差可以为12％或更小。

根据本说明书的实施例，380nm至780nm的范围内的波长在150℃下热处理24小时后的光反射减小层的表面上的平均反射率与380nm至780nm的范围内的波长在热处理前的光反射减小层的表面上的平均反射率之差可以为10％或更小。

热处理可以采用通常的箱式炉，在这种情况下，相对湿度可以约为20％。

根据本说明书的实施例，光反射减小层可以包括氧化铜，光反射减小层的氧含量可以在30at％至50at％的范围内。根据本说明书的实施例，光反射减小层可以包括氧化铜，光反射减小层的氧含量可以在33at％至50at％的范围内。

根据本说明书的实施例，光反射减小层的厚度可以在10nm至100nm的范围内。具体而言，根据本说明书的实施例，光反射减小层的厚度可以在20nm至60nm的范围内。具体而言，根据本说明书的实施例，光反射减小层的厚度可以在30nm至40nm的范围内。

当光反射减小层的厚度在该范围内时，在工艺控制和生产速度方面可能比较有利。此外，当光反射减小层的厚度在该范围内时，导电结构体在具有380nm至780nm的波长的光中的全反射(total reflection)可以为20％或更小，具体地为15％或更小，更具体地为10％或更小，因此，光反射减小效果优异。另外，当光反射减小层的厚度在该范围内时，防止金属层侵蚀的效果优异，并且容易以均匀的线宽和均匀的厚度来图案化光反射减小层。

当光反射减小层的厚度大于100nm时，可能发生难以图案化光反射减小层的问题。

根据本说明书的实施例的导电结构体在可见光区域中的平均消光系数k可以在0.2至1.5的范围内，具体地在0.4至1.0的范围内。当平均消光系数k为0.2或更大时，可以有效地控制金属层的光反射。

平均消光系数k也可以称作吸收系数，作为用于确定导电结构体吸收特定波长的光的强度的标度的平均消光系数k是用于确定导电结构体的透射率的要素。

消光系数可以通过使用本领域已知的椭圆偏光计测量设备等来测量。

根据本说明书的实施例，光反射减小层在可见光区域中的平均折射率可以是2至3。具体地，可见光区域可以指380nm至780nm的区域的波长区域。

根据本说明书的实施例，导电结构体在具有380nm至780nm的波长的光中的平均反射率可以为20％或更小。具体而言，导电结构体在具有380nm至780nm的波长的光中的平均反射率可以为15％或更小，或者10％或更小。

根据本说明书的实施例，导电结构体的平均反射率可以指光反射减小层的表面上的反射率。

此外，根据本说明书的实施例，导电结构体在具有380nm至780nm的波长的光中的全反射可以为20％或更小。具体而言，导电结构体在具有380nm至780nm的波长的光中的全反射可以为15％或更小，或者10％或更小。

根据本说明书的实施例，全反射是指：在用全黑对与要测量的表面相反的表面进行处理之后，以90度入射到要测量的表面的在300nm至800nm(具体地，380nm至780nm)的范围内的波长区域的光的反射。在本说明书中，全反射是基于当入射光设定为100％时被光入射的目标图案层或导电结构体反射的反射光中300nm至800nm(具体地，380nm至780nm)的波长范围内的区域的光所测量出的值。

根据本说明书的实施例，金属层可以是金属图案层，光反射减小层可以是光反射减小图案层。在这种情况下，当在光反射减小层的第二表面侧上测量导电结构体的全反射时，导电结构体的全反射Rt可以通过下面给出的式1来计算。

[式1]

全反射Rt＝基板的反射率+闭合率×光反射减小层的反射率

此外，当两个导电结构体类型被层叠为导电结构体的构造时，导电结构体的全反射Rt可以通过下面给出的式2来计算。

[式2]

全反射Rt＝基板的反射率+闭合率×光反射减小层的反射率×2

在上面给出的式1和2中，基板的全反射可以是触摸钢化玻璃的反射率，并且，当表面是膜时，全反射可以是膜的反射率。

此外，闭合率可以表示为基于导电结构体的平面被导电图案覆盖的面积占据的面积比，即，(1-开口率)。

根据本说明书的实施例，基于CIE(国际照明委员会)L×a×b×色坐标，导电结构体的亮度值L*可以为50或更小，更具体地，40或更小。具有亮度值越小则反射率越低的有利效果。

根据本说明书的实施例，金属层可以是包括多个开口以及分隔多个开口的导电线的金属图案层。

根据本说明书的实施例，防变色层可以是设置在金属图案层上的防变色图案层。

根据本说明书的实施例，光反射减小层可以是设置在防变色图案层上的光反射减小图案层。

根据本说明书的实施例，金属图案层、防变色图案层以及光反射减小图案层可以形成规则图案或不规则图案。具体地，可以在通过图案化工艺在基板上形成图案的同时设置金属图案层、防变色图案层和光反射减小图案层。

具体而言，图案可以具有包括三角形、四边形等的多边形、圆形、椭圆形或无定形形状。三角形可以是等边三角形或直角三角形，四边形可以是正方形、矩形或梯形。

作为规则图案，可以使用本领域中的图案形状，例如网格图案等。不规则图案不特别限制，但是不规则图案可以是构成沃罗诺伊(Voronoi)图的图形的边界形状。根据本说明书的实施例，当图案形状被设定为不规则图案时，由具有方向性的照明产生的反射光的衍射图案可以通过不规则图案去除，并且由光散射产生的影响可以通过光反射减小图案层最小化，由此将可见性问题最小化。

图2示出了根据本说明书的实施例将导电结构体图案化时的层叠结构。具体而言，根据图2，导电结构体包括依次设置在基板100上的金属图案层210、防变色图案层310以及光反射减小图案层410。然而，导电结构体不限于图2的结构，可以进一步设置附加层。

在图2中，a表示图案层的线宽，b表示图案层的相邻的导电线之间的线间隔。

根据本说明书的实施例，金属图案层的线宽度可以在0.1μm至100μm的范围内。具体而言，根据本说明书的实施例，金属图案层的线宽可以在0.1μm至50μm的范围内并且可以在0.1μm至30μm的范围内或者在0.1μm至10μm的范围内，但金属图案层的线宽不限于此。金属图案层的线宽可以根据导电结构体的最终用途来设计。

当线宽小于0.1μm时，可能难以实现图案，当线宽大于100μm时，可见性可能变差。

光反射减小图案层可以具有形状与金属图案层的形状相同的图案。然而，光反射减小图案层的图案尺寸不需要与金属图案层的图案尺寸完全相同，并且光反射减小图案层中的图案的线宽小于或大于金属图案层中的图案的线宽的情况也包含在本说明书的范围内。具体地，光反射减小图案层中的图案的线宽可以在金属图案层中的图案的线宽的80％至120％的范围内。另外，光反射减小图案层中的具有图案的区域可以在金属图案层中的具有图案的区域的80％至120％的范围内。更具体地，光反射减小图案层的图案形状可以是线宽等于或大于金属图案层的图案的线宽的图案形状。

当光反射减小图案层具有线宽大于金属图案层的线宽的图案形状时，光反射减小图案层可以很大程度地产生从用户观察时覆盖金属图案层的效果，因此具有可以有效地遮挡金属图案层本身的光泽或反射所产生的影响的优点。然而，即使光反射减小图案层中的图案的线宽与金属图案层中的图案的线宽相同，本说明书也可以实现期望的效果。

根据本说明书的实施例，金属图案层的相邻的导电线的线间隔可以在0.1μm至100μm的范围内。根据本说明书的实施例，线间隔可以为0.1μm或更大，更具体地10μm或更大，进一步更具体地20μm或更大。此外，根据本说明书的实施例，线间隔可以是100μm或更小，更具体地30μm或更小。

根据本说明书的实施例，由于金属图案层、光反射减小图案层可以由具有微细线宽的图案来实现，所以当金属图案层和光反射减小图案层用作显示元件的触摸面板的电极时，具有可视性优异的优点。

在根据本说明书的实施例的导电结构体中，基板可以使用透明基板，但是不特别限制，例如，基板可以使用玻璃、塑料基板、塑料膜等。

根据本说明书的实施例，可以在基板和金属层之间进一步设置透明导电层。具体而言，根据本说明书的实施例，透明导电层可以设置为与基板的一个表面接触。另外，根据本说明书的实施例，金属层可以设置在透明导电层上。

根据本说明书的实施例，可以使用透明导电氧化物层作为透明导电层。透明导电氧化物可以使用铟氧化物、锌氧化物、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、非晶质透明导电聚合物等，并使用其中的一种或者其中的两种或更多种的全部，但不限于此。根据本说明书的实施例，透明导电层可以是铟锡氧化物层。

根据本说明书的实施例，透明导电层可以是透明电极层。

本说明书的“透明”是指可见光线的透射率为70％或更大，或者80％或更大。

根据本说明书的实施例，透明导电层的厚度可以为15nm以上且20nm以下，但是不限于此。透明导电层可以通过沉积工艺或印刷工艺使用上述的用于透明导电层的材料来形成。

根据本说明书的实施例，基板不特别限制，可以使用本领域已知的材料。根据本说明书的实施例，透明基板可以采用所有的透明基板，例如可以是玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)或聚酰胺(PA)。

根据本说明书的实施例，导电结构体的薄层电阻可以为0.1Ω/sq(Ω/square)以上且100Ω/sq以下，具体地1Ω/sq以上且50Ω/sq以下，更具体地1Ω/sq以上且20Ω/sq以下。

当导电结构体的薄层电阻为1Ω/sq以上且100Ω/sq以下时，具有导电结构体可以取代ITO透明电极的效果，具体地，当导电结构体的薄层电阻为1Ω/sq以上且50Ω/sq以下或1Ω/sq以上且20Ω/sq以下时，与使用相关技术中的ITO透明电极时相比，薄层电阻显著较低。因此，具有当施加信号时RC延迟变得更短的优点，因此，可以显著地提高触摸识别速度，基于这种提高，容易应用具有10英寸或更大的大面积的触摸屏。

本说明书的实施例提供了一种导电结构体的制造方法，包括：制备基板；在所述基板上形成包含铜的金属层；在所述金属层上形成包含铜和镍的防变色层；以及在所述防变色层上形成光反射减小层。

根据本说明书的实施例的制造方法还可以包括将金属层、防变色层以及光反射减小层中的至少一个图案化。

根据本说明书的实施例，金属图案层、防变色图案层以及光反射减小图案层的形成可以采用本领域已知的方法。例如，金属图案层、防变色图案层和光反射减小图案层可以通过例如沉积、溅射、湿式涂布、蒸镀、电镀或无电镀以及金属膜的层叠的方法形成，具体地，可以通过溅射法形成。

根据本说明书的实施例，防变色层和/或光反射减小层的形成可以采用物理沉积方法。具体而言，防变色层和/或光反射减小层的形成可以采用溅射法、电子束沉积法或蒸镀沉积法。例如，当形成防变色层和/或光反射减小层时，可以使用惰性气体(例如，诸如Ar的气体)作为溅射气体。另外，当使用反应性溅射法时，可以通过控制O₂等反应气体的分压来执行工艺。

根据本说明书的实施方式，光反射减小层的形成可以在氧分压为30％或更大的气氛下采用溅射法。具体而言，根据本说明书的实施方式，可以在氧分压为50％或更大的气氛下执行溅射法。

根据本说明书的实施例的制造方法还可以包括将金属层、防变色层和光反射减小层中的至少一个图案化。

将金属层、防变色层和/或光反射减小层图案化的方法可以采用本领域已知的方法并且不特别地限制。例如，为了将金属层图案化，可以使用光刻胶法。详细而言，该方法可以使用如下方法：通过选择性曝光和显影而在金属层上形成光致抗蚀剂图案或通过印刷方法形成抗蚀剂图案，并且通过使用抗蚀剂图案作为掩模选择性地蚀刻未涂覆抗蚀剂图案的金属层。根据本说明书的实施例的制造方法还可以包括将金属层、防变色层和光反射减小层中的至少一个图案化。

根据本说明书的实施例的制造方法可以还包括将金属层、防变色层以及光反射减小层同时图案化。

根据本说明书的实施例，在同时图案化的情况下，可以通过使用蚀刻剂来批量蚀刻金属层、防变色层以及光反射减小层。

在根据本说明书的实施例的制造方法中，当光反射减小层包括铜时，由于可以通过使用相同的蚀刻剂蚀刻金属层、防变色层以及光反射减小层，所以还具有可以批量蚀刻金属层、防变色层和光反射减小层的优点。具体地，蚀刻剂可以是Cu蚀刻剂，并且可以使用本领域中通常使用的Cu蚀刻剂而没有限制。

本说明书的实施例提供了一种包括导电结构体的触摸面板。该触摸面板可以是触摸屏面板。例如，在电容式触摸屏面板中，根据本说明书的实施例的导电结构体可以用作触敏电极基板。

另外，本说明书的实施例提供了一种包括该触摸面板的显示装置。

根据本说明书的实施例的触摸屏面板还可以包括除了上述导电结构体之外的附加结构体。在这种情况下，两个结构体可以沿相同的方向设置，或者可以沿彼此相反的方向设置。触摸屏面板中可以包括的两个或更多个结构体不需要具有相同的结构，并且任何一个结构体，优选地，仅最接近用户的结构体可以只包括上述的导电结构体，附加结构体可以不包括光反射减小层。另外，两个或更多个结构体中的层的叠层结构可以彼此不同。当包括两个或更多个结构体时，可以在其之间设置绝缘层。在这种情况下，绝缘层可以另外具有作为粘合层的功能。

根据本说明书的实施例的触摸屏面板可以包括：下基板；上基板；以及设置在下基板的与上基板接触的表面以及上基板的与下基板接触的表面中的任一表面或两个表面上的电极层。电极层可以分别执行用于检测X轴位置和Y轴位置的功能。

在这种情况下，设置在下基板以及下基板的与上基板接触的表面上的电极层、以及设置在上基板以及上基板的与下基板接触的表面上的电极层中的一个或两个可以是根据本说明书的上述实施例的导电结构体。在仅有一个电极层是根据本说明书的实施例的导电结构体的情况下，另一个电极层可以具有本领域已知的导电图案。

在电极层设置在上基板和下基板的一侧表面上以形成两层的电极层的情况下，可以在下基板和上基板之间设置绝缘层或隔离物，使得电极层之间的距离被均匀地保持并且电极层不相互连接。绝缘层可以包括粘合剂，或者UV或热固性树脂。触摸屏面板还可以包括接地部，该接地部连接到上述导电结构体中的金属层的图案。例如，接地部可以形成在基板的具有金属层的图案的表面的边缘。此外，可以在包括导电结构体的层压体的至少一个表面上设置抗反射膜、偏振膜以及防***中的至少一种。根据设计规格，除了上述功能膜之外，还可以包括不同类型的功能膜。触摸屏面板可以应用于例如OLED显示面板、液晶显示器(LCD)、阴极射线管(CRT)和PDP的显示装置。

在根据本说明书的实施例的触摸屏面板中，可以在基板的两个表面上分别设置导电图案层和暗化图案层(darkening pattern layer)。

根据本说明书的实施例的触摸屏面板可以在导电结构体上另外包括电极部或焊盘部。在这种情况下，有效屏幕部、电极部以及焊盘部可以由相同的导电体构成。

在根据本说明书的实施例的触摸屏面板中，光反射减小图案层可以设置在用户查看的一侧。

本说明书的实施例提供一种包括导电结构体的显示装置。在该显示装置中，根据本说明书的实施例的导电结构体可以用于滤色基板、薄膜晶体管基板等。

本说明书的实施例提供一种包括导电结构体的太阳能电池。例如，太阳能电池可以包括阳极电极、阴极电极、光敏层、空穴传输层和/或电子传输层，并且根据本说明书的实施例的导电结构体可以用作阳极电极和/或阴极电极。

导电结构体可以替代显示装置或太阳能电池中的传统的ITO，并且可以用作灵活用途。另外，导电结构体可以与CNT、导电聚合物、石墨烯等一起用作下一代透明电极。

以下，为了具体说明，参照实施例对本说明书进行详细说明。然而，根据本说明书的实施例可以以各种不同的形式变更，并且不应解释为本说明书的范围限于下面详细描述的实施例。为了向本领域技术人员更全面地说明本说明书，将提供本说明书的实施例。

[实施例]

[比较例1]

在制备聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板之后，在2mTorr的氩气氛下，使用Cu作为源材料(source material)在PET基板上形成厚度为100nm的金属层。通过在金属层上形成氧化铜的光反射减小层而不形成防变色层来制造导电结构体。

测量在150℃下对根据对比例1制造的导电结构体进行热处理24小时之后在可见光区域中的光反射率的变化，并在图3中示出。

实验例1-1至1-4用于了解导电结构体的热处理之前和之后的光学特性，并省略了图案化工艺。

[实验例1-1]热处理之前和之后的光学特性结果

在制备聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板之后，在2mTorr的氩气氛下，使用Cu作为源材料在PET基板上形成厚度为100nm的金属层。另外，通过在氧气为50％的气氛下使用溅射法在金属层上形成Ni含量为26at％的Cu-Ni防变色层，然后在防变色层上形成氧化铜的光反射减小层，来制造导电结构体。

对通过将防变色层分别控制到1nm、5nm、10nm和20nm而制造导电结构体，从而在150℃的温度下对导电结构体进行热处理各30分钟和24小时之后，在380nm至780nm的波长下的平均光反射率的增加程度进行了测量。其结果如下表1所示。

[表1]

在热处理24小时后的根据比较例2至5的导电结构体中，甚至下金属层被氧化并变为半透明状态，因此，难以测量平均反射率。

[实验例1-2]热处理之前和之后的光学特性结果

在制备聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板之后，在2mTorr的氩气氛下，使用Cu作为源材料在PET基板上形成厚度为100nm的金属层。此外，通过在具有50％的氧气的气氛下，使用溅射法在金属层上形成Ni含量为40at％的Cu-Ni防变色层，之后在防变色层上形成氧化铜的光反射减小层，由此制造导电结构体。

对通过将防变色层分别控制到1nm、5nm、10nm和20nm而制造导电结构体，从而在150℃的温度下对导电结构体进行热处理各30分钟和24小时之后，在380nm至780nm的波长下的平均光反射率的增加程度进行了测量。其结果如下表2所示。

[表2]

在热处理24小时后的根据比较例6至8的导电结构体中，甚至下金属层被氧化并变为半透明状态，因此，难以测量平均反射率。另外，在根据比较例9的导电结构体的情况下，热处理24小时之前和之后的平均光反射率之差超过12％，因此不能有效地防止光反射减小层的变色。

[实验例1-3]热处理之前和之后的光学特性结果

在制备聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板之后，在2mTorr的氩气氛下，使用Cu作为源材料在PET基板上形成厚度为100nm的金属层。此外，通过在具有50％的氧气的气氛下，使用溅射法在金属层上形成Ni含量为50at％的Cu-Ni防变色层，之后在防变色层上形成氧化铜的光反射减小层，由此制造导电结构体。

对通过将防变色层分别控制到10nm和20nm而制造导电结构体，从而在150℃的温度下对导电结构体进行热处理各30分钟和24小时之后，在380nm至780nm的波长下的平均光反射率的增加程度进行了测量。其结果如下表3所示。

[表3]

	实施例1	实施例2
			防变色层的厚度	10nm	20nm
热处理前的平均光反射率(％)	14.26	12.58
			热处理30分钟后的平均光反射率(％)	16.78	14.69
热处理24小时后的平均光反射率(％)	25.92	22.98
			热处理30分钟之前和之后的平均光反射率之差	2.52	2.11
热处理24小时之前和之后的平均光反射率之差	11.66	10.40

在根据实施例1和2的导电结构体的情况下，示出了热处理24小时之前和之后的平均光反射率之差在12％以内，因此有效地防止了光反射减小层的变色。

作为参考，图4示出了根据实施例1的导电结构体的热处理之前和之后的光反射率。

[实验例1-4]热处理之前和之后的光学特性结果

在制备聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板之后，在2mTorr的氩气氛下，使用Cu作为源材料在PET基板上形成厚度为100nm的金属层。此外，通过在具有50％的氧气的气氛下，使用溅射法在金属层上形成Ni含量为57at％的Cu-Ni防变色层，之后在防变色层上形成氧化铜的光反射减小层，由此制造导电结构体。

对通过将防变色层分别控制到5nm、10nm和20nm而制造导电结构体，从而在150℃的温度下对导电结构体进行热处理各30分钟和24小时之后，在380nm至780nm的波长下的平均光反射率的增加程度进行了测量。其结果如下表4所示。

[表4]

在根据实施例3至5的导电结构体的情况下，示出了热处理24小时之前和之后的平均光反射率之差在10％以内，因此有效地防止了光反射减小层的变色。

从上述实施例和比较例可以看出，当防变色层的Ni含量为50at％以上，具体地57at％以上时，可以有效地抑制热处理后的平均光反射率的增加。另外，可以看出，当防变色层的Ni含量为50at％以上并且防变色层的厚度为10nm以上时，可以有效地抑制热处理后的平均光反射率的增加。

[实验例2]-批量蚀刻特性比较

在制备聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板之后，在2mTorr的氩气氛下，使用Cu作为源材料在PET基板上形成厚度为100nm的金属层。此外，通过在具有50％的氧气的气氛下，使用溅射法在金属层上形成厚度为10nm的Cu-Ni防变色层，之后在防变色层上形成氧化铜的光反射减小层，由此制造导电结构体。

通过将防变色层的Ni含量分别控制在40at％、50at％、57at％、72at％和82at％，之后用硫酸基蚀刻剂对导电结构体进行批量蚀刻来制造导电结构体。其结果如图5所示。

根据实验例2，可以看出，当防变色层的Ni含量小于50at％时，没能进行批量蚀刻，因此，没有形成微图案。类似地，可以看出，当防变色层的Ni含量大于80at％时，没能进行批量蚀刻，因此，没有形成微图案。

Claims (16)

1.一种导电结构体，包括：

基板；

包含铜的金属层，所述金属层设置在所述基板上；

防变色层，设置在所述金属层上并且包含铜和镍；以及

光反射减小层，设置在所述防变色层上并且包含氧化铜、氮化铜、氮氧化铜、氧化铝、氮化铝和氮氧化铝中的至少一种，

其中，所述防变色层的镍含量在50at％至80at％的范围内，

其中，380nm至780nm的范围内的波长在150℃下热处理24小时后的所述光反射减小层的表面上的平均反射率与380nm至780nm的范围内的波长在热处理前的所述光反射减小层的表面上的平均反射率之差为12％或更小。

2.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述防变色层的镍含量为57at％至80at％。

3.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述防变色层的厚度在10nm至30nm的范围内。

4.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述光反射减小层包含氧化铜，所述光反射减小层的氧含量在30at％至50at％的范围内。

5.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述光反射减小层的厚度在10nm至100nm的范围内。

6.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述金属层是包括多个开口以及分隔所述多个开口的导电线的金属图案层。

7.根据权利要求6所述的导电结构体，其中，所述金属图案层的线宽在0.1μm至100μm的范围内。

8.根据权利要求6所述的导电结构体，其中，所述金属图案层的相邻的导电线之间的线间隔在0.1μm至100μm的范围内。

9.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，在所述基板和所述金属层之间还设置有透明导电层。

10.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体的表面电阻在0.1Ω/sq至100Ω/sq的范围内。

11.一种导电结构体，包括：

基板；

包含铜的金属层，所述金属层设置在所述基板上；

防变色层，设置在所述金属层上并且包含铜和镍；以及

光反射减小层，设置在所述防变色层上并且包含氧化铜、氮化铜、氮氧化铜、氧化铝、氮化铝和氮氧化铝中的至少一种，

其中，所述防变色层的镍含量在50at％至80at％的范围内，

其中，380nm至780nm的范围内的波长在150℃下热处理24小时后的所述光反射减小层的表面上的平均反射率与380nm至780nm的范围内的波长在热处理前的所述光反射减小层的表面上的平均反射率之差为10％或更小。

12.一种根据权利要求1至11中任一项所述的导电结构体的制造方法，所述制造方法包括：

制备基板；

在所述基板上形成包含铜的金属层；

在所述金属层上形成包含铜和镍的防变色层；以及

在所述防变色层上形成光反射减小层。

13.根据权利要求12所述的制造方法，还包括：

将所述金属层、所述防变色层以及所述光反射减小层同时图案化。

14.根据权利要求13所述的制造方法，其中，在同时图案化中，通过使用蚀刻剂来批量蚀刻所述金属层、所述防变色层以及所述光反射减小层。

15.一种触摸面板，包括根据权利要求1至11中任一项所述的导电结构体。

16.一种显示装置，包括根据权利要求1至11中任一项所述的导电结构体。

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