CN116851478A - 高纯无氧铜旋转靶材制备方法及其制备装置、靶材和应用 - Google Patents

高纯无氧铜旋转靶材制备方法及其制备装置、靶材和应用 Download PDF

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Abstract

本发明涉及高纯无氧铜技术领域,具体涉及一种高纯无氧铜旋转靶材制备方法及其制备装置、靶材和应用,包括以下步骤:将高纯无氧铜料放入挤压模具中,所述高纯无氧铜料在所述挤压模具中进行多转角挤压,然后进入形状模具,最后进行冷却;所述高纯无氧铜料在挤压模具的作用下处于半熔状态,并且在半熔状态进入形状模具。通过冷加工方式,实现不改变材料成分,从而避免产品因高温氧化导致产品品质降低。

Description

高纯无氧铜旋转靶材制备方法及其制备装置、靶材和应用
技术领域
本发明涉及高纯无氧铜技术领域,具体涉及一种高纯无氧铜旋转靶材制备方法及其制备装置、靶材和应用。
背景技术
高纯铜无氧溅射靶材是制备表面电子薄膜的关键材料,目前高纯铜靶材的制造主要采用热加工(熔铸)法,先将高纯铜原料熔炼成熔液,将内衬管竖直置于模具中心,再将熔液浇注于模具中,冷却形成铸锭,后经机械加工制成靶材。这种制造方法的优点是获得的靶材杂质含量低,密度高,可大型化生产;缺点是晶粒粗大、晶粒取向不一致,不能有效控制氧含量。
目前靶材加工方式一般采用热加工形式,在制作过程中不可避免氧化,导致产品氧含量增加,对溅射效果产生不良影响,甚至是破坏性影响,热加工导致产品晶粒增大,不能有效保障溅射质量。目前高纯靶材氧含量一般在10~20ppm,晶粒大小通常在100μm以上。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高纯无氧铜旋转靶材制备方法及其制备装置、靶材和应用,解决现有技术中靶材热加工形式带来的技术问题。
本发明公开了一种高纯无氧铜旋转靶材制备方法,包括以下步骤:
将高纯无氧铜料放入挤压模具中,所述高纯无氧铜料在所述挤压模具中进行多转角挤压,然后进入形状模具,最后进行冷却;
所述高纯无氧铜料在挤压模具的作用下处于半熔状态,并且在半熔状态进入形状模具。
工作原理:高纯无氧铜料经过模具腔体转角处时将材料粗大晶粒折碎,从而细化晶粒,同时高纯无氧铜料与模具腔体产生摩擦,利用摩擦产生的热使高纯无氧铜料处于半熔状态,细化后的晶粒在高纯无氧铜料的半熔状态下进行晶粒重组,重组后的晶粒取向一致,再通过形状模具得到需要的形状。通过冷加工方式,实现不改变材料成分,从而避免产品因高温氧化导致产品品质降低。
进一步的,所述高纯无氧铜料为铜杆、铜锭或铜板。
高纯铜是指纯度99.99%以上的铜,无氧指氧元素在材料或产品中含量不超过30ppm。
进一步的,所述挤压模具至少具有两个转角。
进一步的,所述转角角度为80-100°。
角度太小导致阻力增大,材料不易通过;角度太大,又不能起到折断(折碎)晶粒,通过设置转角角度保证晶粒细化的进行。
进一步的,所述高纯无氧铜料通过传动机构进行传动。
进一步的,所述高纯无氧铜料在所述挤压模具中停留3~12min。
进一步的,所述传动机构转速为2.5~6.0转/min。
进一步的,所述挤压模具内压力为12~30MPa。
进一步的,所述高纯无氧铜料为半熔状态时温度为600℃~900℃。
进一步的,所述形状模具为板状或管状。
进一步的,对从所述形状模具出来的高纯无氧铜料施加一个与其运动方向相反的水平阻力。
通过对从所述形状模具出来的高纯无氧铜料施加一个与其运动方向相反的水平阻力,以确保靶材的致密性。
进一步的,所述水平阻力的大小为20-24MPa。
进一步的,所述水平阻力通过阻挡装置进行施加。
进一步的,所述冷却通过冷却装置实现。
进一步的,所述冷却后的高纯无氧铜料根据需要进行锯切得到需要的管胚。
进一步的,将所述管胚真空处理。
通过真空处理管胚能够增加其硬度,使其达到靶材所需硬度。
进一步的,对真空处理后的管胚进行调直处理。
通过进行调直处理,以便后续机加工。
进一步的,将调直处理后的管胚放入机床进行处理。
一种高纯无氧铜旋转靶材制备装置,包括挤压模具,所述挤压模具有多个转角。
进一步的,所述挤压模具一侧连接有传动机构,所述挤压模具另一侧连接有形状模具,所述形状模具出口连接有冷却装置一侧,所述冷却装置另一侧设置有阻挡装置。
一种高纯无氧铜旋转靶材,使用上述方法制得。
一种高纯无氧铜旋转靶材的应用,用于电子、电力、航空航天或新能源领域。
与现有技术相比,本发明具有的有益效果是:
1.高纯无氧铜料经过模具腔体转角处时将材料粗大晶粒折碎,从而细化晶粒,同时高纯无氧铜料与模具腔体产生摩擦,利用摩擦产生的热使高纯无氧铜料处于半熔状态,细化后的晶粒在高纯无氧铜料的半熔状态下进行晶粒重组,重组后的晶粒取向一致;
2.通过冷加工方式,实现不改变材料成分,从而避免产品因高温氧化导致产品品质降低,加工过程为机械加工,无废水废气排放,不会对环境造成影响;
3.通过本技术生产的靶材,晶粒尺寸控制在20μm左右,氧含量控制在5ppm以内,微观检测,晶粒排列紧密、取向一致。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅表示出了本发明的部分实施例,因此不应看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它相关的附图。
图1为本发明高纯无氧铜旋转靶材制备装置结构示意图。
上述附图中,各个标记所表示的含义为:1-挤压模具,2-形状模具,3-传动机构,4-冷却装置,5-阻挡装置。
具体实施方式
为使本发明实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚,下面对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施方式是本发明一部分实施方式,而不是全部的实施方式。
实施例中,纯度检测方法为:GDMS(辉光放电质谱法);
氧含量检测方法为:EGA(气体元素分析法);
晶粒大小和晶粒排列检测标准未:YS/T347-2020铜及铜合金平均晶粒度测定方法。
一种高纯无氧铜旋转靶材制备装置,如图1所示,包括挤压模具1,所述挤压模具1有多个转角,所述挤压模具1一侧连接有传动机构3,所述挤压模具1另一侧连接有形状模具2,所述形状模具2出口连接有冷却装置4一侧,所述冷却装置4另一侧设置有阻挡装置5。
实施例1
本实施例中所采用上述装置的一种高纯无氧铜旋转靶材制备方法,包括以下步骤:
通过传动机构进行传动将高纯无氧铜料放入挤压模具中,所述高纯无氧铜料为铜杆,所述高纯无氧铜料为铜杆,产品管靶横截面积设定为5000平方毫米,传动机构转速为3转/min,所述高纯无氧铜料在所述挤压模具中进行多转角挤压,所述高纯无氧铜料在所述挤压模具中停留时间约8.0min,所述挤压模具具有两个转角,所述转角角度为90°,挤压模具内压力为12~30MPa,高纯无氧铜料为半熔状态时温度为600℃~900℃,所述高纯无氧铜料在挤压模具的作用下处于半熔状态,并且在半熔状态进入管状模具,管状模具出口处设置阻挡装置,该装置作用在于给挤压出来的管胚一个反向的水平阻力,所述水平阻力的大小为22MPa,以确保管靶的致密性,最后进行冷却,冷却后的高纯无氧铜料根据需要进行锯切得到需要的管胚,将所述管胚真空处理的,对真空处理后的管胚进行调直处理,将调直处理后的管胚放入机床进行处理完成管靶加工过程。
对完成管靶加工过程的管靶进行检测,纯度:Cu=99.9981%,氧含量为2.2ppm,晶粒大小为33μm左右,微观检测,晶粒排列紧密、取向一致。
实施例2
在本实施方式作为本发明的一较佳实施例,所述传动机构转速为2.5转/min,所述高纯无氧铜料在所述挤压模具中停留时间约9.0min,挤压模具内压力为22~25MPa,高纯无氧铜料为半熔状态时温度为650℃~700℃,其他条件均与实施例1相同。
对完成管靶加工过程的管靶进行检测,纯度:Cu=99.9965%,氧含量为2.2ppm,晶粒大小为32μm左右,微观检测,晶粒排列紧密、取向一致。
实施例3
在本实施方式作为本发明的一较佳实施例,所述传动机构转速为2.5转/min,所述高纯无氧铜料在所述挤压模具中停留时间约9.0min,挤压模具内压力为24~26MPa,高纯无氧铜料为半熔状态时温度为680℃~720℃,其他条件均与实施例1相同。
对完成管靶加工过程的管靶进行检测,纯度:Cu=99.9977%,氧含量为2.3ppm,晶粒大小为28μm左右,微观检测,晶粒排列紧密、取向一致。
实施例4
在本实施方式作为本发明的一较佳实施例,所述传动机构转速为3.0转/min,所述高纯无氧铜料在所述挤压模具中停留时间约8.0min,挤压模具内压力为24~25MPa,高纯无氧铜料为半熔状态时温度为650℃~700℃,其他条件均与实施例1相同。
对完成管靶加工过程的管靶进行检测,纯度:Cu=99.9968%,氧含量为2.0ppm,晶粒大小为32μm左右,微观检测,晶粒排列紧密、取向一致。
实施例5
在本实施方式作为本发明的一较佳实施例,所述传动机构转速为3.0转/min,所述高纯无氧铜料在所述挤压模具中停留时间约8.0min,挤压模具内压力为24~26MPa,高纯无氧铜料为半熔状态时温度为680℃~720℃,其他条件均与实施例1相同。
对完成管靶加工过程的管靶进行检测,纯度:Cu=99.9979%,氧含量为2.2ppm,晶粒大小为32μm左右,微观检测,晶粒排列紧密、取向一致。
实施例6
在本实施方式作为本发明的一较佳实施例,区别仅在于,所述传动机构转速为4.0转/min,所述高纯无氧铜料在所述挤压模具中停留时间约6.0min,挤压模具内压力为24~26MPa,其他条件均与实施例1相同。
对完成管靶加工过程的管靶进行检测,纯度:Cu=99.9972%,氧含量为2.2ppm,晶粒大小为32μm左右,微观检测,晶粒排列紧密、取向一致。
对比例1
在本实施方式作为本发明的对比例,在实施例1的基础上改变仅为:所述传动机构转速为2.0转/min,所述高纯无氧铜料在所述挤压模具中停留时间约11.0min。
对完成管靶加工过程的管靶进行检测,纯度:Cu=99.9990%,氧含量为3.2ppm,晶粒大小为40μm以上,微观检测,晶粒大小均匀,排列不够紧密、取向一致。
对比例2
在本实施方式作为本发明的对比例,在实施例1的基础上改变仅为:所述传动机构转速为5.0转/min,所述高纯无氧铜料在所述挤压模具中停留时间约5.0min。
对完成管靶加工过程的管靶进行检测,纯度:Cu=99.9976%,氧含量为2.8ppm,晶粒大小为60μm以上,微观检测,晶粒大小均匀,排列不够紧密、取向基本一致。
对比例3
在本实施方式作为本发明的对比例,在实施例1的基础上改变仅为:所述传动机构转速为6.0转/min,所述高纯无氧铜料在所述挤压模具中停留时间约4.0min。
对完成管靶加工过程的管靶进行检测,纯度:Cu=99.9975%,氧含量为3.2ppm,晶粒大小为80μm以上,微观检测,晶粒大小不均匀,晶粒排列不够紧密、取向不一致。
对比例4
在本实施方式作为本发明的对比例,在实施例1的基础上改变仅为:所述传动机构转速为8.0转/min,所述高纯无氧铜料在所述挤压模具中停留时间约3.0min。
对完成管靶加工过程的管靶进行检测,纯度:Cu=99.9973%,氧含量为4.8ppm,晶粒大小为120μm以上,微观检测,晶粒大小不一,偶尔有分层状况,晶粒排列不紧密、取向不一致。
对比例5
在本实施方式作为本发明的对比例,在实施例1的基础上改变仅为:转角个数减至1个。
对产品进行微观检测,发现晶粒大小不一致,细晶中夹杂粗大的晶粒。
对比例6
在本实施方式作为本发明的对比例,在实施例1的基础上改变仅为:转角个数增加至4个,传动机构受阻力增大,出现进料不足状况。
对比例7
在本实施方式作为本发明的对比例,在实施例1的基础上改变仅为:将转角角度调至70度,传动机构受阻力增大,出现进料不足状况。
对比例8
在本实施方式作为本发明的对比例,在实施例1的基础上改变仅为:将转角角度调至110度。
对产品进行微观检测,发现晶粒变大,晶粒大小普遍在80~100μm。
以上即为本实施例列举的实施方式,但本实施例不局限于上述可选的实施方式,本领域技术人员可根据上述方式相互任意组合得到其他多种实施方式,任何人在本实施例的启示下都可得出其他各种形式的实施方式。上述具体实施方式不应理解成对本实施例的保护范围的限制,本实施例的保护范围应当以权利要求书中界定的为准,并且说明书可以用于解释权利要求书。

Claims (10)

1.一种高纯无氧铜旋转靶材制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
将高纯无氧铜料放入挤压模具中,所述高纯无氧铜料在所述挤压模具中进行多转角挤压,然后进入形状模具,最后进行冷却;
所述高纯无氧铜料在挤压模具的作用下处于半熔状态,并且在半熔状态进入形状模具。
2.根据权利要求1所述的一种高纯无氧铜旋转靶材制备方法,其特征在于:所述挤压模具至少具有两个转角。
3.根据权利要求1所述的一种高纯无氧铜旋转靶材制备方法,其特征在于:所述转角角度为80-100°。
4.根据权利要求1所述的一种高纯无氧铜旋转靶材制备方法,其特征在于:所述高纯无氧铜料通过传动机构进行传动。
5.根据权利要求1所述的一种高纯无氧铜旋转靶材制备方法,其特征在于:所述高纯无氧铜料为半熔状态时温度为600℃~900℃。
6.根据权利要求1所述的一种高纯无氧铜旋转靶材制备方法,其特征在于:所述形状模具为板状或管状。
7.一种高纯无氧铜旋转靶材制备装置,其特征在于:根据权利要求1-6任一项所述的一种高纯无氧铜旋转靶材制备方法中使用的制备装置,包括挤压模具(1),所述挤压模具(1)有多个转角。
8.根据权利要求7所述的一种高纯无氧铜旋转靶材制备装置,其特征在于:所述挤压模具(1)一侧连接有传动机构(3),所述挤压模具(1)另一侧连接有形状模具(2),所述形状模具(2)出口连接有冷却装置(4)一侧,所述冷却装置(4)另一侧设置有阻挡装置(5)。
9.一种高纯无氧铜旋转靶材,其特征在于:根据权利要求1-6任一项所述的一种高纯无氧铜旋转靶材制备方法或权利要求7-8任一项所述的一种高纯无氧铜旋转靶材制备装置制得。
10.根据权利要求9所述的一种高纯无氧铜旋转靶材的应用,其特征在于:用于电子、电力、航空航天或新能源领域。
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