CN116836107A - 一种咔唑并八元环大共轭结构oled材料及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种咔唑并八元环大共轭结构OLED材料及制备方法,以2,3‑二氯硝基苯为原料,与2‑甲酸甲酯‑苯基硼酸频哪醇酯进行偶联反应制备得M‑A,接着在碱性条件下水解,制备得羧酸M‑B,再与2‑联苯碘鎓盐反应合环制备得硝基八元环M‑C,再进行硝基关环制备得目标产物咔唑并八元芳环的结构M,本发明制备方法各单步反应无异构,无多取代,产品种类单一,易于分离纯化。

Description

一种咔唑并八元环大共轭结构OLED材料及制备方法
技术领域
本发明属于有机化学合成技术领域,具体涉及一种咔唑并八元环大共轭结构OLED材料及制备方法。
背景技术
多元含氮杂环骨架存在于许多活性天然产物中,是一类重要的有机化合物,中环(8~12元环)杂环类化合物的合成一直以来都是有机合成中的难点之一。目前的研究表明,不少含有N、O等杂原子的8~12元环天然化合物,都具有非常好的生物活性与潜在的药用价值,尤其是其中的中环含氮化合物,更受药物化学家的关注,因此发展新的构建中环杂环化合物的方法是十分有意义的。
以八元环为母核可以衍生制备一系列化合物,八元环可以提高分子的平面性,降低了载流子的传输壁垒,与芳基或者杂芳基的配合,有利于提高使用该化合物的OLED器件的发光效率、降低驱动电压。
现有的合成八元环的主要专利为:专利CN 111140794 A和专利CN 112979548A,合成方法如下:
两者方法类似,主要是咔唑的4,5位引入离去基团,再进行偶联反应合环制备得目标八元环结构。
CN 114773353 A报道的合成八元环的方法如下:
此报道仍然要引入多卤素的咔唑,制备困难,且合环过程中易发生自身产物偶联和掉卤素的副反应。
现有合成方法主要缺点为:
1.咔唑的4,5位引入离去基团,中间体合成难度较大,成本高。
2.合环过程由于位阻较大,合环困难,产率低,会有掉卤素的现象。
3.此合环技术目前在制备过程中还存在很多弊端,比如在苯环引入其他的卤素就很难再实现关环成功。
因此研发一种新型的合成八元环的方法很有市场前景。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的不足,提供了一种咔唑并八元环大共轭结构OLED材料及制备方法。
为了解决技术问题,本发明的技术方案是:一种咔唑并八元环大共轭结构OLED材料的制备方法,包括以下步骤:
步骤1:以2,3-二氯硝基苯为原料,与2-甲酸甲酯-苯基硼酸频哪醇酯进行偶联反应制备得M-A,所述2,3-二氯硝基苯与2-甲酸甲酯-苯基硼酸频哪醇酯的摩尔比为1:1~1.2;
步骤2:M-A在碱性条件下水解,制备得M-B;
步骤3:M-B再与2-联苯碘鎓盐反应合环制备得M-C,M-B与2-联苯碘鎓盐的摩尔比为1:1~1.5;
步骤4:M-C用1,2,4-三氯苯进行硝基关环制备得目标产物咔唑并八元环大共轭结构M。
优选的,所述步骤1具体为:在N2保护下,将2,3-二氯硝基苯、2-甲酸甲酯-苯基硼酸频哪醇酯、碳酸钾、四(三苯基膦)钯、二氧六环和水加入到反应瓶中,加热回流反应6~8h,TLC监控反应完全,得到M-A溶液,所述2,3-二氯硝基苯与碳酸钾和四(三苯基膦)钯的摩尔比为1:1.2~1.6:0.01~0.02,2,3-二氯硝基苯与二氧六环和水的用量比为0.01mol:21~25ml:4~8ml。
优选的,所述M-A溶液的后处理为:加入乙酸乙酯和水进行萃取,水洗至中性,有机相浓缩后得到中间体,用正己烷重结晶得M-A,所述2,3-二氯硝基苯与乙酸乙酯和水的用量比为0.01mol:15~20ml:10~15ml。
优选的,所述步骤2具体为:在反应瓶中加入M-A、氢氧化钠、乙醇和水,加热至回流反应,TLC监控反应完全,得到M-B溶液,所述M-A与氢氧化钠的摩尔比为1:2.5~3.5,M-A与乙醇和水的用量比为0.01mol:20~25ml:5~10ml。
优选的,所述M-B溶液的后处理为:浓缩掉70%的乙醇,用盐酸酸化至PH为3~4,过滤,滤饼水洗至中性,干燥得M-B。
优选的,所述步骤3具体为:向反应瓶中加入M-B、联苯-2碘鎓盐、醋酸钯、碳酸钾和NMP,加热至130~140℃,搅拌反应16~18小时,TLC监控反应完全,得到M-C溶液,所述M-B与醋酸钯和碳酸钾的摩尔比为1:0.02~0.03:2~3,M-B与NMP的用量比为0.01mol:62~70ml。
优选的,所述M-C溶液的后处理为:降温至室温,用乙酸乙酯提取,氯化钠水溶液水洗,无水硫酸镁干燥有机相,滤去干燥剂,除去溶剂,粗品用正庚烷/二氯乙烷过硅胶柱得M-C。
优选的,所述步骤4具体为:在N2保护下,向反应瓶中加入M-C、1,2,4-三氯苯和三苯基膦,加热升温至200℃反应,TLC监控反应完全,得到M溶液,所述M-C与三苯基膦的摩尔比为1:3~4,M-C与1,2,4-三氯苯的用量比为0.01mol:11~15ml。
优选的,所述M溶液的后处理为:减压浓缩除去溶剂,加入甲苯60℃提取,滤去不溶物,滤液过硅胶柱,甲苯淋洗柱床,过柱液浓缩干得粗品,再用乙醇回流煮洗,降温至室温过滤后,干燥得目标产物咔唑并八元环大共轭结构M。
优选的,一种咔唑并八元环大共轭结构OLED材料,所述咔唑并八元环大共轭结构OLED材料由上述的一种咔唑并八元环大共轭结构OLED材料的制备方法制成,所述咔唑并八元环大共轭结构M的结构式为咔唑并八元环大共轭结构M用于制备OLED器件。
与现有技术相比,本发明的优点在于:
(1)本发明公开了一种咔唑并八元环大共轭结构OLED材料的制备方法,以2,3-二氯硝基苯为原料,与2-甲酸甲酯-苯基硼酸频哪醇酯进行偶联反应制备得M-A,接着在碱性条件下水解,制备得羧酸M-B,再与2-联苯碘鎓盐反应合环制备得硝基八元环M-C,再进行硝基关环制备得目标产物咔唑并八元芳环的结构M,本发明制备方法各单步反应无异构,无多取代,产品种类单一,易于分离纯化;
(2)本发明制备方法的路线设计简短,中间体合成比较容易,成本低,中间体M-B与2-联苯碘鎓盐反应合环制备得硝基八元环M-C,再进行硝基关环制备得目标产物,该合环过程阻较小,合环简单,产率高,不会有掉卤素的现象;
(3)本发明以简单易得的原料制备咔唑并八元环大共轭结构,以此结构为母核可以衍生制备一系列化合物,八元环共轭的增大使化合物的分子刚性变强,结构更加稳定。
附图说明
图1、本发明一种咔唑并八元环大共轭结构M的核磁谱图。
具体实施方式
以下结合具体实施例对本发明进行说明,所用的原材料、溶剂和催化剂均为常规市售产品,以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
本发明公开了一种咔唑并八元环大共轭结构OLED材料的制备方法,包括以下步骤:
步骤1:以2,3-二氯硝基苯为原料,与2-甲酸甲酯-苯基硼酸频哪醇酯进行偶联反应制备得M-A,所述2,3-二氯硝基苯与2-甲酸甲酯-苯基硼酸频哪醇酯的摩尔比为1:1~1.2;
步骤2:M-A在碱性条件下水解,制备得M-B;
步骤3:M-B再与2-联苯碘鎓盐反应合环制备得M-C,M-B与2-联苯碘鎓盐的摩尔比为1:1~1.5;
步骤4:M-C用1,2,4-三氯苯进行硝基关环制备得目标产物咔唑并八元环大共轭结构M。
优选的,所述步骤1具体为:在N2保护下,将2,3-二氯硝基苯、2-甲酸甲酯-苯基硼酸频哪醇酯、碳酸钾、四(三苯基膦)钯、二氧六环和水加入到反应瓶中,加热回流反应6~8h,TLC监控反应完全,得到M-A溶液,所述2,3-二氯硝基苯与碳酸钾和四(三苯基膦)钯的摩尔比为1:1.2~1.6:0.01~0.02,2,3-二氯硝基苯与二氧六环和水的用量比为0.01mol:21~25ml:4~8ml。
优选的,所述M-A溶液的后处理为:加入乙酸乙酯和水进行萃取,水洗至中性,有机相浓缩后得到中间体,用正己烷重结晶得M-A,所述2,3-二氯硝基苯与乙酸乙酯和水的用量比为0.01mol:15~20ml:10~15ml。
优选的,所述步骤2具体为:在反应瓶中加入M-A、氢氧化钠、乙醇和水,加热至回流反应,TLC监控反应完全,得到M-B溶液。所述M-A与氢氧化钠的摩尔比为1:2.5~3.5,M-A与乙醇和水的用量比为0.01mol:20~25ml:5~10ml。
优选的,所述M-B溶液的后处理为:浓缩掉70%的乙醇,用盐酸酸化至PH为3~4,过滤,滤饼水洗至中性,干燥得M-B。
优选的,所述步骤3具体为:向反应瓶中加入M-B、联苯-2碘鎓盐、醋酸钯、碳酸钾和NMP,加热至130~140℃,搅拌反应16~18小时,TLC监控反应完全,得到M-C溶液,所述M-B与醋酸钯和碳酸钾的摩尔比为1:0.02~0.03:2~3,M-B与NMP的用量比为0.01mol:62~70ml。
优选的,所述M-C溶液的后处理为:降温至室温,用乙酸乙酯提取,氯化钠水溶液水洗,无水硫酸镁干燥有机相,滤去干燥剂,除去溶剂,粗品用正庚烷/二氯乙烷过硅胶柱得M-C。
优选的,所述步骤4具体为:在N2保护下,向反应瓶中加入M-C、1,2,4-三氯苯和三苯基膦,加热升温至200℃反应,TLC监控反应完全,得到M溶液,所述M-C与三苯基膦的摩尔比为1:3~4,M-C与1,2,4-三氯苯的用量比为0.01mol:11~15ml。
优选的,所述M溶液的后处理为:减压浓缩除去溶剂,加入甲苯60℃提取,滤去不溶物,滤液过硅胶柱,甲苯淋洗柱床,过柱液浓缩干得粗品,再用乙醇回流煮洗,降温至室温过滤后,干燥得目标产物咔唑并八元环大共轭结构M。
优选的,一种咔唑并八元环大共轭结构OLED材料,所述咔唑并八元环大共轭结构OLED材料由上述的一种咔唑并八元环大共轭结构OLED材料的制备方法制成,所述咔唑并八元环大共轭结构M的结构式为咔唑并八元环大共轭结构M用于制备OLED器件。
实施例1
步骤1
在N2保护下,将2,3-二氯硝基苯8.8g(0.046mol)、2-甲酸甲酯-苯基硼酸频哪醇酯12.1g(0.046mol)、碳酸钾9.5g(0.068mol)、四(三苯基膦)钯0.53g(0.00046mol)、二氧六环100ml和水20ml,加入到反应瓶中,加热回流反应6h,TLC监控反应完全,加入乙酸乙酯和水进行萃取,水洗至中性,有机相浓缩后得到中间体,用正己烷重结晶得M-A9.9g,HPLC纯度94.5%,收率73.8%。
步骤2
在反应瓶中加入上述制备的9.9g(0.034mol)M-A、乙醇70ml、氢氧化钠4g(0.1mol)和水20ml,加热至回流反应,TLC监控反应完全,浓缩掉50ml的乙醇,用盐酸酸化至PH为3-4之间,过滤,滤饼水洗至中性,干燥得M-B 8.7g,HPLC纯度96.9%,收率92.2%。
步骤3
向反应瓶中加入上述M-B 8.7g(0.031mol)、联苯-2碘鎓盐14.6g(0.04mol)、醋酸钯0.17g(0.000775mol)、碳酸钾9.4g(0.068mol)和NMP200ml,加热至130℃,搅拌反应17小时,TLC监控反应完全,降温至室温,用乙酸乙酯提取,氯化钠水溶液水洗,无水硫酸镁干燥有机相,滤去干燥剂,除去溶剂,粗品用正庚烷/二氯乙烷过硅胶柱得7.5gM-C,HPLC纯度98.4%,收率67.7%。
步骤4
在N2保护下,向反应瓶中加入M-C7.5g(0.021mol)、1,2,4-三氯苯23ml和三苯基膦16.8g(0.064Mol),加热升温至200℃反应,TLC监控反应完全,减压浓缩除去溶剂,加入甲苯60℃提取,滤去不溶物,滤液过硅胶柱,甲苯淋洗柱床,过柱液浓缩干得粗品,再用乙醇回流煮洗,降温至室温过滤后,干燥得5.3gM,HPLC纯度99.1%,收率79.5%。
如图1所示,为产物咔唑并八元环大共轭结构M的核磁谱图,1H NMR(500MHz,Chloroform)δ8.42(s,4H),8.10(s,4H),7.66(s,1H),7.40(s,2H),7.18(s,2H),7.08(s,2H).
实施例2
在N2保护下,将2,3-二氯硝基苯8.8g(0.046mol)、2-甲酸甲酯-苯基硼酸频哪醇酯14.4g(0.055mol)、碳酸钾10.3g(0.074mol)、四(三苯基膦)钯1.05g(0.00092mol)、二氧六环115ml和水36ml,加入到反应瓶中,加热回流反应7h,TLC监控反应完全,加入乙酸乙酯和水进行萃取,水洗至中性,有机相浓缩后得到中间体,用正己烷重结晶得M-A 10.5g,HPLC纯度93.8%,收率78.3%。
步骤2
在反应瓶中加入上述制备的10.5g(0.036mol)M-A、乙醇90ml、氢氧化钠5.1g(0.13mol)和水35ml,加热至回流反应,TLC监控反应完全,减压浓缩掉80ml的乙醇,用盐酸酸化至PH为3-4之间,过滤,滤饼水洗至中性,干燥得M-B 8.6g,HPLC纯度95.8%,收率86.5%。
步骤3
向反应瓶中加入上述M-B 8.6g(0.03mol)、联苯-2碘鎓盐19.2g(0.045mol)、醋酸钯0.2g(0.0009mol)、碳酸钾12.4g(0.09mol)和NMP210ml,加热至130℃,搅拌反应17小时,TLC监控反应完全,降温至室温,用乙酸乙酯提取,氯化钠水溶液水洗,无水硫酸镁干燥有机相,滤去干燥剂,除去溶剂,粗品用正庚烷/二氯乙烷过硅胶柱得6.8gM-C,HPLC纯度97.9%,收率65.1%。
步骤4
在N2保护下,向反应瓶中加入M-C6.8g(0.019mol)、1,2,4-三氯苯28ml和三苯基膦20.0g(0.076Mol),加热升温至200℃反应,TLC监控反应完全,减压浓缩除去溶剂,加入甲苯60℃提取,滤去不溶物,滤液过硅胶柱,甲苯淋洗柱床,过柱液浓缩干得粗品,再用乙醇回流煮洗,降温至室温过滤后,干燥得4.5gM,HPLC纯度99.0%,收率74.5%。
实施例3
在N2保护下,将2,3-二氯硝基苯13.1g(0.068mol)、2-甲酸甲酯-苯基硼酸频哪醇酯20.4g(0.078mol)、碳酸钾13.1g(0.095mol)、四(三苯基膦)钯1.15g(0.001mol)、二氧六环150ml和水35ml,加入到反应瓶中,加热回流反应8h,TLC监控反应完全,加入乙酸乙酯和水进行萃取,水洗至中性,有机相浓缩后得到中间体,用正己烷重结晶得M-A16.5g,HPLC纯度92.1%,收率82%。
步骤2
在反应瓶中加入上述制备的16.5g(0.057mol)M-A、乙醇130ml、氢氧化钠6.8g(0.171mol)和水40ml,加热至回流反应,TLC监控反应完全,浓缩掉110ml的乙醇,用盐酸酸化至PH为3-4之间,过滤,滤饼水洗至中性,干燥得M-B 13.9g,HPLC纯度96.5%,收率88%。
步骤3
向反应瓶中加入上述M-B 13.9g(0.05mol)、联苯-2碘鎓盐27.8g(0.065mol)、醋酸钯0.29g(0.0013mol)、碳酸钾17.9g(0.13mol)和NMP 325ml,加热至130℃,搅拌反应17小时,TLC监控反应完全,降温至室温,用乙酸乙酯提取,氯化钠水溶液水洗,无水硫酸镁干燥有机相,滤去干燥剂,除去溶剂,粗品用正庚烷/二氯乙烷过硅胶柱得11.2gM-C,HPLC纯度98.3%,收率63%。
步骤4
N2保护下,向反应瓶中加入M-C11.2g(0.032mol)、1,2,4-三氯苯45ml和三苯基膦28.8g(0.11Mol),加热升温至200℃反应,TLC监控反应完全,减压浓缩除去溶剂,加入甲苯60℃提取,滤去不溶物,滤液过硅胶柱,甲苯淋洗柱床,过柱液浓缩干得粗品,再用乙醇回流煮洗,降温至室温过滤后,干燥得7.2gM,HPLC纯度99.2%,收率71%。
本发明反应原理如下:
本发明以2,3-二氯硝基苯为原料,与2-甲酸甲酯-苯基硼酸频哪醇酯进行偶联反应制备得M-A,接着在碱性条件下水解,制备得羧酸M-B,再与2-联苯碘鎓盐反应合环制备得硝基八元环M-C,再进行硝基关环制备得目标产物咔唑并八元芳环的结构M,本发明制备方法各单步反应无异构,无多取代,产品种类单一,易于分离纯化。
本发明制备方法的路线设计简短,中间体合成比较容易,成本低,中间体M-B与2-联苯碘鎓盐反应合环制备得硝基八元环M-C,再进行硝基关环制备得目标产物,该合环过程阻较小,合环简单,产率高,不会有掉卤素的现象。
本发明以简单易得的原料制备咔唑并八元环大共轭结构,以此结构为母核可以衍生制备一系列化合物,八元环共轭的增大使化合物的分子刚性变强,结构更加稳定,使用该母核的OLED器件也表现出较好的寿命。
上面对本发明优选实施方式作了详细说明,但是本发明不限于上述实施方式,在本领域普通技术人员所具备的知识范围内,还可以在不脱离本发明宗旨的前提下做出各种变化。
不脱离本发明的构思和范围可以做出许多其他改变和改型。应当理解,本发明不限于特定的实施方式,本发明的范围由所附权利要求限定。

Claims (10)

1.一种咔唑并八元环大共轭结构OLED材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:以2,3-二氯硝基苯为原料,与2-甲酸甲酯-苯基硼酸频哪醇酯进行偶联反应制备得M-A,所述2,3-二氯硝基苯与2-甲酸甲酯-苯基硼酸频哪醇酯的摩尔比为1:1~1.2;
步骤2:M-A在碱性条件下水解,制备得M-B;
步骤3:M-B再与2-联苯碘鎓盐反应合环制备得M-C,M-B与2-联苯碘鎓盐的摩尔比为1:1~1.5;
步骤4:M-C用1,2,4-三氯苯进行硝基关环制备得目标产物咔唑并八元环大共轭结构M。
2.根据权利要求1所述的一种咔唑并八元环大共轭结构OLED材料的制备方法,其特征在于,所述步骤1具体为:在N2保护下,将2,3-二氯硝基苯、2-甲酸甲酯-苯基硼酸频哪醇酯、碳酸钾、四(三苯基膦)钯、二氧六环和水加入到反应瓶中,加热回流反应6~8h,TLC监控反应完全,得到M-A溶液,所述2,3-二氯硝基苯与碳酸钾和四(三苯基膦)钯的摩尔比为1:1.2~1.6:0.01~0.02,2,3-二氯硝基苯与二氧六环和水的用量比为0.01mol:21~25ml:4~8ml。
3.根据权利要求2所述的一种咔唑并八元环大共轭结构OLED材料的制备方法,其特征在于,所述M-A溶液的后处理为:加入乙酸乙酯和水进行萃取,水洗至中性,有机相浓缩后得到中间体,用正己烷重结晶得M-A,所述2,3-二氯硝基苯与乙酸乙酯和水的用量比为0.01mol:15~20ml:10~15ml。
4.根据权利要求1所述的一种咔唑并八元环大共轭结构OLED材料的制备方法,其特征在于,所述步骤2具体为:在反应瓶中加入M-A、氢氧化钠、乙醇和水,加热至回流反应,TLC监控反应完全,得到M-B溶液,所述M-A与氢氧化钠的摩尔比为1:2.5~3.5,M-A与乙醇和水的用量比为0.01mol:20~25ml:5~10ml。
5.根据权利要求4所述的一种咔唑并八元环大共轭结构OLED材料的制备方法,其特征在于,所述M-B溶液的后处理为:浓缩掉70%的乙醇,用盐酸酸化至PH为3~4,过滤,滤饼水洗至中性,干燥得M-B。
6.根据权利要求1所述的一种咔唑并八元环大共轭结构OLED材料的制备方法,其特征在于,所述步骤3具体为:向反应瓶中加入M-B、联苯-2碘鎓盐、醋酸钯、碳酸钾和NMP,加热至130~140℃,搅拌反应16~18小时,TLC监控反应完全,得到M-C溶液,所述M-B与醋酸钯和碳酸钾的摩尔比为1:0.02~0.03:2~3,M-B与NMP的用量比为0.01mol:62~70ml。
7.根据权利要求6所述的一种咔唑并八元环大共轭结构OLED材料的制备方法,其特征在于,所述M-C溶液的后处理为:降温至室温,用乙酸乙酯提取,氯化钠水溶液水洗,无水硫酸镁干燥有机相,滤去干燥剂,除去溶剂,粗品用正庚烷/二氯乙烷过硅胶柱得M-C。
8.根据权利要求1所述的一种咔唑并八元环大共轭结构OLED材料的制备方法,其特征在于,所述步骤4具体为:在N2保护下,向反应瓶中加入M-C、1,2,4-三氯苯和三苯基膦,加热升温至200℃反应,TLC监控反应完全,得到M溶液,所述M-C与三苯基膦的摩尔比为1:3~4,M-C与1,2,4-三氯苯的用量比为0.01mol:11~15ml。
9.根据权利要求8所述的一种咔唑并八元环大共轭结构OLED材料的制备方法,其特征在于,所述M溶液的后处理为:减压浓缩除去溶剂,加入甲苯60℃提取,滤去不溶物,滤液过硅胶柱,甲苯淋洗柱床,过柱液浓缩干得粗品,再用乙醇回流煮洗,降温至室温过滤后,干燥得目标产物咔唑并八元环大共轭结构M。
10.一种咔唑并八元环大共轭结构OLED材料,其特征在于,所述咔唑并八元环大共轭结构OLED材料由权利要求1~9任一项所述的一种咔唑并八元环大共轭结构OLED材料的制备方法制成,所述咔唑并八元环大共轭结构M的结构式为咔唑并八元环大共轭结构M用于制备OLED器件。
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