CN116665551A - 电子装置 - Google Patents

电子装置 Download PDF

Info

Publication number
CN116665551A
CN116665551A CN202310719535.3A CN202310719535A CN116665551A CN 116665551 A CN116665551 A CN 116665551A CN 202310719535 A CN202310719535 A CN 202310719535A CN 116665551 A CN116665551 A CN 116665551A
Authority
CN
China
Prior art keywords
circuit
electronic device
light emitting
circuit board
driving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310719535.3A
Other languages
English (en)
Inventor
高克毅
曾名骏
陈良禄
毛立维
胡顺源
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Innolux Corp
Original Assignee
Innolux Display Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Innolux Display Corp filed Critical Innolux Display Corp
Publication of CN116665551A publication Critical patent/CN116665551A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Abstract

本揭露提供一种电子装置，电子装置包括多个发光单元、驱动电路以及控制电路。驱动电路用于驱动多个发光单元中的至少一个发光单元。控制电路用于控制驱动电路。多个发光单元、驱动电路以及控制电路分别设置在不同基板上。

Description

电子装置
本发明是2020年10月29日所提出的申请号为202011182961.0、发明名称为《电子装置》的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本揭露涉及一种电子装置。
背景技术
目前市面上的电子装置(如显示装置)已发展地相当成熟，但仍有一些问题或现象有待改善或提升，例如：降低成本、提升电子元件的能源转换效率、方便布线设计、改善运送时的耗损等。
发明内容
本揭露提供一种电子装置，其有助于改善上述其中至少一个问题。
根据本揭露的实施例，电子装置包括多个发光单元、驱动电路以及控制电路。驱动电路用于驱动多个发光单元中的至少一个发光单元。控制电路用于控制驱动电路。多个发光单元、驱动电路以及控制电路分别设置在不同基板上。
为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1是根据本揭露的实施例的电子装置的局部剖面示意图；
图2是图1中驱动电路以及控制电路的电路图；
图3是图1中电子装置的背面的局部示意图；
图4至图8分别是根据本揭露的其他实施例的电子装置的局部剖面示意图。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露。需注意的是，为了使读者能容易了解及附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出电子装置/显示装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
本揭露通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求中，“具有”与“包括”等词为开放式词语，因此其应被解释为“包括但不限定为…”之意。
本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本揭露。应了解到，当元件或膜层被称为设置在另一个元件或膜层“上”或“连接”另一个元件或膜层时，所述元件或膜层可以直接在所述另一元件或膜层上或直接连接到所述另一元件或膜层，或者两者之间存在有***的元件或膜层(非直接情况)。相反地，当元件或膜层被称为“直接”在另一个元件或膜层“上”或“直接连接”另一个元件或膜层时，两者之间不存在有***的元件或膜层。
本文中所提到的术语“大约”、“等于”、“相等”、“相同”、“实质上”或“大致上”通常代表落在给定数值或范围的10％范围内，或代表落在给定数值或范围的5％、3％、2％、1％或0.5％范围内。此外，用语“给定范围为第一数值至第二数值”、“给定范围落在第一数值至第二数值的范围内”表示所述给定范围包含第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。
在本揭露一些实施例中，关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。此外，用语“电性连接”、“耦接”包含任何直接及间接的电性连接手段。
在下述实施例中，相同或相似的元件将采用相同或相似的标号，且将省略其赘述。此外，不同实施例中的特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用，且依本说明书或权利要求所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本揭露涵盖的范围内。另外，本说明书或权利要求中提及的“第一”、“第二”等用语仅用以命名不同的元件或区别不同实施例或范围，而并非用来限制元件数量上的上限或下限，也并非用以限定元件的制造顺序或设置顺序。
本揭露的电子装置可包括显示装置、天线装置、感测装置、发光装置、或拼接装置，但不以此为限。电子装置可包括可弯折或可挠式电子装置。电子装置可例如包括液晶(liquid crystal)层或发光二极管。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organiclight emitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot LED，可包括QLED、QDLED)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)或其他适合的材料、或上述组合，但不以此为限。下文将以显示装置做为电子装置以说明本揭露内容，但本揭露不以此为限。
本揭露的显示装置可以是任何种类的显示装置，如自发光显示装置或非自发光显示装置。自发光显示装置可包括发光二极管、光转换层或其他适合的材料、或上述组合，但不以此为限。发光二极管(light emitting diode，LED)可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot LED，可包括QLED、QDLED)，但不以此为限。光转换层可包括波长转换材料和/或光过滤材料，光转换层可例如包括荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、量子点(Quantum Dot，QD)、其他合适的材料或上述的组合，但不以此为限。非自发光显示装置可包括液晶显示装置，但不以此为限。下文将以自发光显示装置作为显示装置以说明本揭露内容，但本揭露不以此为限。在一些实施例中，发光二极管的芯片尺寸约为300μm至10mm(300μm≤芯片尺寸≤10mm)，次毫米发光二极管的芯片尺寸约为100μm至300μm(100μm≤芯片尺寸≤300μm)，微发光二极管的芯片尺寸约为1μm至100μm(1μm≤芯片尺寸≤100μm)，但不以此为限。
图1是根据本揭露的实施例的电子装置的局部剖面示意图。请参照图1，电子装置1包括多个发光单元10、驱动电路11以及控制电路12。驱动电路11用于驱动多个发光单元10中的至少一个发光单元10。控制电路12用于控制驱动电路11。多个发光单元10、驱动电路11以及控制电路12分别设置在不同基板上，此处的基板指的是用于设置/承载/形成多个发光单元10、驱动电路11以及控制电路12的基板。如图1所示，多个发光单元10、驱动电路11以及控制电路12例如分别设置/形成在基板13、基板14以及基板15上。基板13、基板14以及基板15的材料可依据不同的需求、考量而选择。举例来说，基板13、基板14以及基板15的材料可包括玻璃、塑胶、晶圆(wafer)或其组合，但不以此为限。
详细而言，多个发光单元10可包括多个发光二极管芯片、多个发光二极管封装件或其组合。图1示意性示出多个发光单元10包括多个发光二极管封装件100，其中发光二极管封装件100设置在基板13上且包括三个发光二极管芯片(如发光二极管芯片1000、发光二极管芯片1001以及发光二极管芯片1002)以及一个保护层1003。应理解，多个发光单元10的种类、发光单元10中发光二极管芯片的数量、发光单元10中膜层的数量或种类、或发光单元10中的元件/膜层的相对设置关系或尺寸(长、宽、厚度等)等可依需求改变，而不以图1所显示的为限。
三个发光二极管芯片例如可分别发出不同色光。举例来说，发光二极管芯片1000、发光二极管芯片1001以及发光二极管芯片1002可分别为红色发光二极管芯片、绿色发光二极管芯片以及蓝色发光二极管芯片，但不以此为限。保护层1003覆盖三个发光二极管芯片以及基板13。保护层1003的材料可包括透明材料、阻水氧材料、其他合适的材料或上述组合，但不以此为限。举例来说，保护层1003的材料可包括环氧树脂(epoxy)、丙烯酸类树脂(acylic-based resin)、硅胶(silicone)、聚酰亚胺聚合物(polyimide polymer)或上述组合，但不以此为限。
多个发光单元10可排列成阵列。举例来说，多个发光单元10可沿第一方向D1以及第二方向D2排列成二维矩阵。第一方向D1与第二方向D2彼此相交且皆垂直于电子装置1的厚度方向(如第三方向D3)。图1示意性示出第一方向D1与第二方向D2彼此垂直，但不以此为限。在一些实施例中，第一方向D1与第二方向D2相交的夹角可不彼此垂直。
在一些实施例中，电子装置1还可包括电路板16。电路板16可包括具有线路的薄膜(film)、板材(board)或上述的组合。举例来说，电路板16可以是印刷电路板(PrintedCircuit Board，PCB)或可挠式印刷电路板(Flexible Printed Circuit Board，FPCB)，但不以此为限。
多个发光单元10、驱动电路11以及控制电路12可通过已知的任一种接合方式设置在电路板16上，且三者与电路板16的接合方式可相同或不同。图1示意性示出多个发光单元10通过多个导电凸块(如焊锡)17而与电路板16电连接，驱动电路11以及控制电路12通过连接件18(如可挠性扁平排线或可挠性印刷电路板)而与电路板16电连接，但不以此为限。在其他实施例中，驱动电路11以及控制电路12中的任一者也可通过导电凸块17而与电路板16电连接。此外，依据不同的设计，基板14可位于驱动电路11与电路板16之间，或者驱动电路11可位于基板14与电路板16之间。类似地，基板15可位于控制电路12与电路板16之间，或者控制电路12可位于基板15与电路板16之间。
图2是图1中驱动电路以及控制电路的电路图。图3是图1中电子装置的背面的局部示意图。请参照图1至图3，驱动电路11可通过电路板16与所述至少一个发光单元10电连接。举例来说，驱动电路11可通过电路板16中的导电通孔160(示出于图1及图3)而与所述至少一个发光单元10电连接，但不以此为限。或者，驱动电路11可通过电路板16中的内连线结构(例如包含多个导孔及多个金属层)与所述至少一个发光单元10电连接。另一方面，控制电路12可通过电路板16与驱动电路11电连接。举例来说，控制电路12可通过电路板16上的线路162(示出于图3)而与驱动电路11电连接，但不以此为限。
在一些实施例中，驱动电路11可包括用于驱动所述至少一个发光单元10的驱动晶体管110，且控制电路12可包括用于控制驱动晶体管110的控制晶体管120。如图2及图3所示，驱动电路11可以是包括多个驱动晶体管110的集成电路(Integrated Circuit，IC)或芯片。另一方面，控制电路12也可以是包括多个控制晶体管120的集成电路或芯片。
详细来说，可将多个驱动晶体管110及其他元件(如发光信号产生器112、多条信号线114、发光信号控制晶体管116等)形成在基板14上，再通过封装制程以及单体化制程(如切割制程)而形成多个驱动电路11，各驱动电路11可包括多个驱动晶体管110及其他元件(如发光信号产生器112、多条信号线114、发光信号控制晶体管116等)。类似地，可将多个控制晶体管120及其他元件(如扫描信号产生器122、多条扫描线124、多条数据线126等)形成在基板15上，再通过封装制程以及单体化制程而形成多个控制电路12，各控制电路12可包括多个控制晶体管120及其他元件(如扫描信号产生器122、多条扫描线124、多条数据线126等)。在一些实施例中，控制电路12还可包括偏压补偿元件(未示出)、电容(未示出)或其组合，但不以此为限，其中，偏压补偿元件(未示出)可以是补偿阈值电压(thresholdvoltage)偏压的元件。
在一些实施例中，多条数据线126的延伸方向可大致上与第一方向D1平行，多条扫描线124的延伸方向可大致上与第二方向D2平行，但不以此为限。
如图2所示，控制电路12(如控制晶体管120)可接收来自扫描线124以及数据线126的信号。驱动电路11的驱动晶体管110电连接于信号端VDD以及发光信号控制晶体管116之间，发光信号控制晶体管116电连接于驱动晶体管110与发光单元10之间，且发光单元10电连接于发光信号控制晶体管116与信号端VSS之间。
如图3所示，来自电路板16的信号可经由连接层F1传递至芯片C1。连接层F1可以是具有线路的基板，芯片C1可以是玻璃覆晶(Chip-on-Glass，COG)封装或软膜覆晶(Chip-on-Flex，COF)，但不以此为限。芯片C1可传递信号至驱动电路11的驱动晶体管110以及发光信号控制晶体管116，其中传递至发光信号控制晶体管116的信号可通过导电通孔160而传递至对应的发光单元10，使得所述对应的发光单元10被驱动。另一方面，来自电路板16的信号可经由连接层F2传递至芯片C2。连接层F2与芯片C2的种类可参照连接层F1以及芯片C1，于此不再重述。芯片C2可通过扫描线124、数据线126以及扫描信号产生器122传递信号至控制电路12的控制晶体管120，并通过线路162而传递信号至驱动电路11的驱动晶体管110。应理解，驱动电路11或控制电路12中各元件(如晶体管或其他线路)的数量、尺寸或排列方式等设计参数可依需求改变，而不以图3所显示的为限。
请再参照图1，多个发光单元10可设置在电路板16的正面SF，以提供光束。另一方面，驱动电路11以及控制电路12可设置在电路板16的背面SB，以降低驱动电路11以及控制电路12对于视觉效果的影响或降低驱动电路11以及控制电路12的可视性。在一些实施例中，各发光单元10可由一个或多个驱动电路11以及一个或多个控制电路12控制。在另一些实施例中，各驱动电路11以及对应的控制电路12可控制一个或多个发光单元10。电子装置1中的发光单元10、驱动电路11以及控制电路12各自的数量可依需求改变，于此不加以限制。
由于多个驱动晶体管110以及多个控制晶体管120是分别制作在不同的基板(如基板14以及基板15)上后再与电路板16接合，因此驱动晶体管110以及控制晶体管120可分别具有由不同材料制成的通道(channel)。举例来说，需要产生大电流来控制发光单元10的驱动晶体管110的通道可具有比控制晶体管120的通道更大的电子迁移率。如此，可改善驱动晶体管110跨压大所造成的压降(IR drop)，而有助于提升能源转换效率。举例来说，驱动晶体管110的通道的材料可包括单晶硅，而控制晶体管120的通道的材料可包括多晶硅、非晶硅或金属氧化物，但不限于此。在一些实施例中，基于成本或信赖性(reliability)的考量，驱动晶体管110以及发光信号控制晶体管116也可以是金属氧化物半导体场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)、双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor，BJT)、铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)、有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor，OTFT)或微晶硅薄膜晶体管(microcrystallinesilicon Thin Film Transistor，μ-Si TFT)。
利用多个驱动晶体管110集成为芯片(集成化)的设计，有助于降低运送或移动途中因外力冲击或碰撞而造成的耗损，从而有助于提升良率或降低成本。此外，由于多个驱动晶体管110是以芯片的形式设置在电路板16上，因此除了有助于提升布线空间的利用率、方便布线或提升布线设计的弹性之外，还方便修补、置换而有助于提升良率或降低成本。再者，由于电路板16中的线路可采用铜或其他低阻值的材质制作，因此有助于降低热源的产生或降低成本。
依据不同的需求，电子装置1还可包括其他元件。举例来说，电子装置1还可包括元件19。元件19可包括芯片、电阻、电容或其他元件，于此不多加限制。本揭露的任一实施例可同此改变，于下便不再重述。
图4至图8分别是根据本揭露的其他实施例的电子装置的局部剖面示意图。请参照图4，电子装置2包括多个发光单元20、多个驱动电路21、多个控制电路22、多个基板13、多个基板14、多个基板15、电路板16、聚酰亚胺层23以及光学膜24。
多个发光单元20设置在多个基板13上，且多个基板13可通过多个导电凸块17而与电路板16电连接。多个发光单元20可包括多个发光二极管芯片200，而基板13的材料可选自于玻璃，但不以此为限。依据不同的应用(例如作为非自发光显示器的背光或作为自发光显示器)，多个发光二极管芯片200可发出相同或不同色光。在一些实施例中，发光单元20还可包括光转换层、彩色滤光层或其他适合的材料或上述组合，但不以此为限。
多个驱动电路21设置在多个基板14上，其中多个驱动电路21位于电路板16与多个基板14之间，且多个驱动电路21可通过多个导电凸块17而与电路板16电连接。基板14的材料可包括晶圆，但不以此为限。
在本实施例中，驱动电路21的驱动晶体管110以及发光信号控制晶体管116可不集成为集成电路，如图4所示，驱动晶体管110以及发光信号控制晶体管116可分别设置在不同的基板14上再通过多个导电凸块17而与电路板16电连接。如此，可缩小驱动电路21中每一个单体(如驱动晶体管110以及基板14，或发光信号控制晶体管116以及基板14)的体积或降低每一个单体的可视性。在此架构下，驱动电路21除了可设置在电路板16的背面SB之外，还可设置在电路板16的正面SF。
多个控制电路22设置在多个基板15上，其中多个控制电路22位于电路板16与多个基板15之间，且多个控制电路22可通过多个导电凸块17而与电路板16电连接。在本实施例中，各控制电路22中的控制晶体管150的数量可为一个，且所述一个晶体管可设置在基板15上再通过多个导电凸块17而与电路板16电连接。换句话说，控制电路22也可不集成为集成电路。如此，可缩小控制电路22中每一个单体(如控制晶体管150以及基板15)的体积或降低每一个单体的可视性。在此架构下，控制电路22除了可设置在电路板16的背面SB之外，还可设置在电路板16的正面SF。
在一些实施例中，多个发光单元20、驱动电路21与控制电路22可皆设置在电路板16的正面SF，可降低制程的步骤与难度。
在图4的实施例中，电子装置2可包括多个最小单元U。多个最小单元U可沿着第一方向D1以及第二方向D2排列。最小单元U可包括一个发光单元20、一个驱动电路21以及一个控制电路22，且每一个发光单元20被一个驱动电路21以及一个控制电路22控制。在其他实施例中，每一个发光单元20可被多个驱动电路21以及多个控制电路22控制，或者，一个驱动电路21以及一个控制电路22可控制多个发光单元20。
聚酰亚胺层23设置在多个控制电路22以及上面设置有多个控制电路22的基板15之间。多个基板15的硬度可大于聚酰亚胺层23的硬度。举例来说，多个基板15的材料可包括玻璃，但不以此为限。多个基板15的设置除了可保护多个控制电路22之外，还可提供支撑性，使得多个控制电路22能够形成在聚酰亚胺层23上。此外，由于聚酰亚胺层23较软，因此可作为多个基板15与多个控制电路22之间的缓冲，有助于改善多个基板15因热涨冷缩而破裂的问题。在其他实施例中，电子装置2可不包括聚酰亚胺层23。
光学膜24可以是光反射层，在本实施例中，光学膜24设置在电路板16的正面SF上且位于多个导电凸块17以外的区域中。光学膜24(例如:光反射层)可用于将光反射，提升光利用率。举例来说，光学膜24的材料可包括白色的胶、漆或胶带等，但不以此为限。在图4中，光学膜24包括在第三方向D3上与发光单元20、控制电路22、驱动晶体管110以及发光信号控制晶体管116重叠的部分(如部分24-1至部分24-4)。在另一些实施例中，光学膜24可不包括在第三方向D3上与发光单元20、控制电路22、驱动晶体管110以及发光信号控制晶体管116重叠的部分(如部分24-1至部分24-4)。在又一些实施例中，光学膜24可进一步覆盖多个发光单元20以外的元件(如基板15以及基板14)。以下实施例都可同此改变，于下便不再重述。
在一些实施例中，光学膜24可以是光吸收层，可用于吸收光，可增加对比度，需注意的是，光吸收层所吸收的光为干扰或影响发光单元的发光质量的光线。此外，在一些实施例中，光学膜24可依电子装置的光学设计选择部分区域设置光反射层部分区域设置光吸收层，但不限于此。
请参照图5，在电子装置3中，控制电路22、聚酰亚胺层23以及基板15设置在电路板16的背面SB上，且控制电路22通过多个导电凸块17而与电路板16电连接。如此，可缩减相邻两个最小单元U(参见图4)之间的节距(pitch)，而有助于提升点亮区域的密度，进而有助于提升电子装置3的解析度。
请参照图6，在电子装置4中，驱动电路21及基板14设置在电路板16的背面SB上，且驱动电路21通过多个导电凸块17而与电路板16电连接。如此，可缩减相邻两个最小单元U(参见图4)之间的节距，而有助于提升点亮区域的密度，进而有助于提升电子装置4的解析度。
请参照图7，在电子装置5中，驱动电路21的驱动晶体管110、基板14、发光单元20以及基板13设置在电路板16的背面SB上，且驱动晶体管110以及发光单元20通过多个导电凸块17而与电路板16电连接。如此，可缩减相邻两个最小单元U(参见图4)之间的节距，而有助于提升点亮区域的密度，进而有助于提升电子装置5的解析度。
应理解，发光单元20、驱动电路21以及控制电路22皆可设置在电路板16的正面SF或背面SB上，且本揭露的保护范围包括上述三者的设置方式的任一组合，而不限于图4至图7所示出的。
在图4至图7的实施例中，发光单元20、驱动电路21以及控制电路22通过多个导电凸块17而与电路板16电连接，但上述三者与电路板16的电连接方式不以此为限。举例来说，上述三者也可通过异方性导电膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)而与电路板16电连接，但不以此为限。如图8所示，在电子装置6中，元件60可通过粘着件(未示出，如胶水或胶带等)而设置在电路板16的正面SF上，或者，虽然未示出，但元件60也可通过粘着件而设置在电路板16的背面SB上。导体62覆盖元件60的接垫CP1以及电路板16的接垫CP2。元件60的接垫CP1可通过导体62而与电路板16的接垫CP2电连接。举例来说，接垫CP1以及接垫CP2的材料可包括镍和金，但不以此为限。导体62可为锡、导电胶(材料可为铜或银)或其他合适的导电材质。
在本实施例中，除了接垫CP1之外，元件60还包括聚酰亚胺基板600、缓冲层601、主动层602、闸绝缘层603、导电层604、绝缘层605、绝缘层606、导电层607、绝缘层608、绝缘层609、绝缘层610、导电层611以及绝缘层612。缓冲层601、主动层602、闸绝缘层603、导电层604、绝缘层605、绝缘层606、导电层607、绝缘层608、绝缘层609、绝缘层610、导电层611、绝缘层612以及接垫CP1依序设置在电路板16上。导电层604为图案化导电层。举例来说，导电层604可包括设置在主动层602的通道6020上的栅极6030及其他元件(如信号线等)。导电层607为图案化导电层。举例来说，导电层607可包括源极6070、汲极6072及其他元件(如信号线等)。源极6070以及汲极6072可分别通过贯穿闸绝缘层603、绝缘层605以及绝缘层606的贯孔TH1以及贯孔TH2而与主动层602的通道6020连接。导电层611为图案化导电层。举例来说，导电层611可包括电极6110及其他元件。电极6110可通过贯穿绝缘层608、绝缘层609以及绝缘层610的贯孔TH3而与汲极6072连接。接垫CP1可通过绝缘层612的开孔AP而与电极6110连接。
应理解，元件60仅为示意，元件60中膜层的数量、种类、尺寸、相对设置关系或其他设计参数可依需求改变。此外，元件60可以是上述实施例的驱动电路21的晶体管、控制电路22的晶体管、集成电路或发光单元20等。
为便于说明，图8仅示出元件60的一个接垫CP1以及电路板16的一个接垫CP2，但元件60的接垫CP1的数量以及电路板16的接垫CP2的数量可依需求改变。利用导体62进行接垫CP1与接垫CP2的侧向连接，有助于提升阻抗的一致性。
综上所述，在本揭露的实施例中，通过将多个发光单元、驱动电路以及控制电路分别设置在不同基板上，多个发光单元所在基板的材质选择上不再受限于薄膜晶体管制程，可依需求(如多个发光单元的固着力、是否有利于贯孔制程等其他考量)而选择多个发光单元所在基板的材质。类似地，驱动电路以及控制电路也可依需求而选择所在基板的材质。此外，驱动晶体管以及控制晶体管可分别具有由不同材料制成的通道。举例来说，驱动晶体管的通道可具有比控制晶体管的通道更大的电子迁移率。如此，可改善驱动晶体管跨压大所造成的压降，而有助于提升能源转换效率。在一些实施例中，利用多个驱动晶体管集成为芯片(集成化)的设计，有助于降低运送或移动途中因外力冲击或碰撞而造成的耗损，从而有助于提升良率或降低成本。此外，由于多个驱动晶体管是以芯片的形式设置在电路板上，因此除了有助于提升布线空间的利用率、方便布线或提升布线设计的弹性之外，还方便修补、置换而有助于提升良率或降低成本。另外，由于电路板中的线路可采用铜或其他低阻值的材质制作，因此有助于降低热源的产生或降低成本。在一些实施例中，多个驱动晶体管可分别设置在多个基板上，且多个控制晶体管可分别设置在多个基板上，可将发光单元、驱动电路以及控制电路设置在电路板的正面以及背面，来缩减相邻两个最小单元之间的节距，而有助于提升点亮区域的密度，进而有助于提升电子装置的解析度。在一些实施例中，利用导体进行发光单元、驱动电路以及控制电路其中至少一者的接垫与电路板的接垫的侧向连接，有助于提升阻抗的一致性。
以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。
虽然本揭露的实施例及其优点已揭示如上，但应该了解的是，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本揭露的精神和范围内，当可作更改、替代与润饰，且各实施例间的特征可任意互相混合替换而成其他新实施例。此外，本揭露的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中技术人员可从本揭露揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本揭露使用。因此，本揭露的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本揭露的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。本揭露的保护范围当视随附的权利要求所界定的为准。

Claims (17)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：
电路板，具有第一表面、相对于所述第一表面的第二表面、第一线路以及第二线路，所述第一线路及所述第二线路设置于所述第二表面上；
至少一芯片，设置于所述第一表面并与所述电路板电性连接；
驱动电路，与所述第一线路电性连接，用于驱动所述至少一芯片；以及
控制电路，与所述第二线路电性连接，用于控制所述驱动电路。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述驱动电路包括至少一第一晶体管，所述控制电路包含至少一第二晶体管，且所述至少一第一晶体管与所述至少一第二晶体管包括相同材料的通道。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：
第一基板，设置于所述驱动电路与所述电路板之间；以及
第二基板，设置于所述控制电路与所述电路板之间。
4.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于，所述驱动电路及所述控制电路至少其中之一经由导电元件与所述电路板的所述第一线路与所述第二线路电性连接。
5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述导电元件包括焊錫。
6.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于，所述第一基板与所述第二基板分离。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：
光学膜，设置于所述电路板与所述至少一芯片之间。
8.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，于所述电子装置的俯视方向上，所述光学膜与所述至少一芯片至少部分重叠。
9.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述光学膜是光学反射层。
10.一种电子装置，其特征在于，包括：
电路板；
驱动电路，设置于第一基板上，所述第一基板位于所述驱动电路与所述电路板之间；以及
控制电路，设置于第二基板上，所述第二基板位于所述控制电路与所述电路板之间，
其中所述控制电路经由所述电路板与所述驱动电路电性连接，以控制所述驱动电路。
11.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于，所述第一基板与所述第二基板分离。
12.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于，所述驱动电路包括至少一第一晶体管，所述控制电路包含至少一第二晶体管，且所述至少一第一晶体管与所述至少一第二晶体管包括相同材料的通道。
13.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于，所述驱动电路及所述控制电路至少其中之一经由导电元件与所述电路板电性连接。
14.根据权利要求13所述的电子装置，其特征在于，所述导电元件包括焊錫。
15.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于，所述电路板更包括第一线路与第二线路，其中所述第一线路与所述驱动电路电性连接，所述第二线路与所述控制电路电性连接。
16.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于，还包括：
至少一芯片，与所述电路板电性连接。
17.根据权利要求16所述的电子装置，其特征在于，所述驱动电路用于驱动所述至少一芯片。
CN202310719535.3A 2020-02-14 2020-10-29 电子装置 Pending CN116665551A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202062976361P 2020-02-14 2020-02-14
US62/976,361 2020-02-14
CN202011182961.0A CN113270046B (zh) 2020-02-14 2020-10-29 电子装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011182961.0A Division CN113270046B (zh) 2020-02-14 2020-10-29 电子装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116665551A true CN116665551A (zh) 2023-08-29

Family

ID=77227810

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011182961.0A Active CN113270046B (zh) 2020-02-14 2020-10-29 电子装置
CN202310719535.3A Pending CN116665551A (zh) 2020-02-14 2020-10-29 电子装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011182961.0A Active CN113270046B (zh) 2020-02-14 2020-10-29 电子装置

Country Status (2)

Country Link
US (3) US11527194B2 (zh)
CN (2) CN113270046B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113270046B (zh) * 2020-02-14 2023-07-07 群创光电股份有限公司 电子装置
TWI784612B (zh) * 2021-07-05 2022-11-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW578137B (en) * 2002-10-24 2004-03-01 Chi Mei Optoelectronics Corp Driving circuit of a liquid crystal display device
CN1622730A (zh) * 2004-12-16 2005-06-01 新磊微制造股份有限公司 发光模块
KR101241973B1 (ko) * 2005-03-11 2013-03-08 서울반도체 주식회사 발광 장치 및 이의 제조 방법
KR100960431B1 (ko) * 2005-11-25 2010-05-28 샤프 가부시키가이샤 표시 장치
JP4661557B2 (ja) * 2005-11-30 2011-03-30 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
KR101274939B1 (ko) * 2006-06-30 2013-06-18 엘지디스플레이 주식회사 구동회로 및 이를 구비한 액정모듈
CN101276542A (zh) * 2007-03-28 2008-10-01 中国科学院微电子研究所 一种有机发光二极管象素驱动电路
TWI447892B (zh) * 2009-04-20 2014-08-01 Ind Tech Res Inst 發光裝置與其製造方法
US8642363B2 (en) * 2009-12-09 2014-02-04 Nano And Advanced Materials Institute Limited Monolithic full-color LED micro-display on an active matrix panel manufactured using flip-chip technology
US8705909B2 (en) * 2010-07-16 2014-04-22 Ibiden Co., Ltd. Optical interconnect
CN101958102B (zh) * 2010-09-15 2013-01-09 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种具有共数据线结构的有源矩阵有机发光显示器
JP5929136B2 (ja) * 2011-12-05 2016-06-01 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
KR101294714B1 (ko) * 2012-08-21 2013-08-08 우리이앤엘 주식회사 발광 장치용 리드 프레임 원판 및 이를 이용한 발광 장치 제조 방법
JP2014102319A (ja) * 2012-11-19 2014-06-05 Sony Corp 発光素子及び表示装置
US9153171B2 (en) * 2012-12-17 2015-10-06 LuxVue Technology Corporation Smart pixel lighting and display microcontroller
KR102020982B1 (ko) * 2013-02-28 2019-09-16 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
TWI562119B (en) * 2014-11-26 2016-12-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Pixel unit and driving method for driving the pixel unit
KR102316986B1 (ko) * 2014-12-09 2021-10-25 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
DE102015112502B4 (de) * 2015-07-30 2021-11-04 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelemente
WO2017053477A1 (en) 2015-09-25 2017-03-30 Sxaymiq Technologies Llc Hybrid micro-driver architectures having time multiplexing for driving displays
CN107807480B (zh) * 2016-09-08 2021-04-20 株式会社日本显示器 显示装置
JP6904769B2 (ja) * 2017-04-20 2021-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN107748457B (zh) * 2017-11-03 2024-05-28 惠科股份有限公司 显示装置
KR102514873B1 (ko) * 2017-11-29 2023-03-29 삼성전자주식회사 엘이디 디스플레이 장치
CN115951521A (zh) * 2018-04-19 2023-04-11 群创光电股份有限公司 发光模块及显示设备
KR102637270B1 (ko) * 2018-05-16 2024-02-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US20190363070A1 (en) * 2018-05-28 2019-11-28 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Light emitting diode surface lighting source, and manufacturing method and display panel thereof
JP7273280B2 (ja) * 2018-06-15 2023-05-15 日亜化学工業株式会社 発光モジュールおよび発光モジュールの製造方法
KR20200049394A (ko) * 2018-10-31 2020-05-08 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조 방법
KR102530811B1 (ko) * 2018-10-31 2023-05-09 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
US11551611B2 (en) * 2018-12-18 2023-01-10 Samsung Display Co., Ltd. Pixel circuit and organic light emitting display device including i he same
CN111463193B (zh) * 2019-01-21 2021-11-12 光宝光电(常州)有限公司 芯片级发光二极管封装结构
WO2020211087A1 (zh) * 2019-04-19 2020-10-22 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、其制备方法及显示装置
CN110379386B (zh) * 2019-06-11 2021-10-01 惠科股份有限公司 显示面板和显示器
CN113270046B (zh) * 2020-02-14 2023-07-07 群创光电股份有限公司 电子装置
KR20220019152A (ko) * 2020-08-06 2022-02-16 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
US11620953B2 (en) * 2020-09-21 2023-04-04 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate and display device
KR20230078648A (ko) * 2020-09-30 2023-06-02 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20210256899A1 (en) 2021-08-19
US11790839B2 (en) 2023-10-17
CN113270046B (zh) 2023-07-07
CN113270046A (zh) 2021-08-17
US20230073714A1 (en) 2023-03-09
US20230410730A1 (en) 2023-12-21
US11527194B2 (en) 2022-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10096647B2 (en) Display apparatus having a plurality of reflective electrodes
US11444066B2 (en) Display apparatus and manufacturing method thereof
US11790839B2 (en) Electronic device
US12046591B2 (en) Light-emitting substrate, method of manufacturing light-emitting substrate, and display device
TW201929215A (zh) 電子封裝單元與其製造方法及電子裝置
KR20170096471A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
TWI748166B (zh) 電子裝置及其製造方法
US20220199597A1 (en) Display device
CN110197841B (zh) 显示面板
CN111145681A (zh) 电子装置
US20230207743A1 (en) Micro led package and display module comprising same
CN110071068B (zh) 显示装置及其制造方法
US12020630B1 (en) Stacked structure, display screen, and display apparatus
CN110783443B (zh) 微型发光元件模块
KR20210066205A (ko) 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
CN116391267A (zh) 显示模块和该显示模块的制造方法
US20220173087A1 (en) Display panel and fabrication method thereof, and display device
CN112467018B (zh) mini-LED/micro-LED面光源及其制造方法
KR20180001978A (ko) 회로 기판 및 회로 기판을 포함하는 표시장치
KR20220111513A (ko) 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법
KR102401089B1 (ko) 표시 장치
CN113380777A (zh) 异质集成透明MicroLED显示装置及其制作方法
KR102480108B1 (ko) 표시 장치
CN217160121U (zh) 电路板组合
US20220246530A1 (en) Chip-on-film package and display apparatus including the same

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination