CN116636141A - 弹性波装置 - Google Patents
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Abstract
提供一种弹性波装置，能够在提高材料的自由度的同时，抑制横模。本发明的弹性波装置(1)具备包括压电体层(6)的压电性基板(2)、设置在压电性基板(2)上并且具有多个电极指的IDT电极(8)以及设置在压电性基板(2)与IDT电极(8)之间的电介质膜(7)。在IDT电极(8)中，在从弹性波传播方向观察时，相邻的电极指重合的区域是交叉区域(A)。在将多个电极指延伸的方向设为电极指延伸方向时，交叉区域(A)包括中央区域(C)和配置为在电极指延伸方向上夹着中央区域(C)的第1区域(E1)及第2区域(E2)。电介质膜(7)的介电常数以及密度低于压电体层(6)的介电常数以及密度。在俯视下，电介质膜(7)设置在与中央区域(C)重叠的部分，并且未设置在与第1区域(E1)及第2区域(E2)重叠的部分。
Description
技术领域
本发明涉及弹性波装置。
背景技术
以往，弹性波装置广泛用于便携式电话机的滤波器等。在下述专利文献1中公开了声波装置、即弹性波装置的一例。在该弹性波装置中，在压电基板上设置有IDT(Interdigital Transducer，叉指换能器)电极。在IDT电极的多个电极指延伸的方向上，配置有声速不同的多个区域。具体而言，在中央区域的外侧配置有低声速区域，在低声速区域的外侧配置有高声速区域。据此，通过使活塞模式成立，从而实现了横模的抑制。
在上述中央区域配置有带状的电介质膜。通过电介质膜，覆盖了位于中央区域的多个电极指。由此，中央区域中的声速被提高，在中央区域与低声速区域之间设置了声速差。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第5221616号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，在如专利文献1所记载的那样的用电介质膜覆盖电极指的中央区域的结构中，已知能够提高中央区域的声速的电介质膜限于氮化硅膜等，在使用了氧化硅膜等的情况下，声速变低。这样，为了使活塞模式成立，用于提高声速的材料是有限的。
本发明的目的在于提供能够在提高材料的自由度的同时抑制横模的弹性波装置。
用于解决问题的手段
本发明涉及的弹性波装置具备：压电性基板，其包括压电体层；IDT电极，其设置在所述压电性基板上，具有多个电极指；以及电介质膜，其设置在所述压电性基板与所述IDT电极之间，在所述IDT电极中，在从弹性波传播方向观察时，相邻的所述电极指彼此重合的区域是交叉区域，在将所述多个电极指延伸的方向设为电极指延伸方向时，所述交叉区域包括在所述电极指延伸方向上位于中央的中央区域和配置为在所述电极指延伸方向上夹着所述中央区域的第1区域及第2区域，所述电介质膜的介电常数以及密度低于所述压电体层的介电常数以及密度，在俯视下，所述电介质膜设置在与所述中央区域重叠的部分，并且未设置在与所述第1区域以及所述第2区域重叠的部分。
发明效果
根据本发明涉及的弹性波装置，能够在提高材料的自由度的同时抑制横模。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。
图2是沿着图1中的I-I线的剖视图。
图3是第2比较例的弹性波装置的俯视图。
图4是示出IDT电极的中央区域中的电介质膜的厚度与声速的关系的图。
图5是示出本发明的第1实施方式以及第2比较例的、中央区域以及第1区域中的阻抗频率特性的图。
图6是示出本发明的第1实施方式的第1变形例涉及的弹性波装置的一部分的主视剖视图。
图7是示出本发明的第1实施方式的第2变形例涉及的弹性波装置的一部分的主视剖视图。
图8是示出电介质膜的厚度以及密度与声速比Ve/Vc的关系的图。
图9是示出电介质膜的厚度以及杨氏模量与声速比Ve/Vc的关系的图。
图10是示出电介质膜的厚度以及介电常数与声速比Ve/Vc的关系的图。
具体实施方式
以下，参照附图来说明本发明的具体的实施方式，由此明确本发明。
另外，需要指出的是，本说明书中记载的各实施方式是例示性的，在不同的实施方式间能够进行结构的部分置换或组合。
图1是本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。图2是沿着图1中的I-I线的剖视图。另外，在图1以及图1以外的俯视图中，通过影线示出后述的电介质膜。
在图1所示的弹性波装置1中，通过使活塞模式成立，从而抑制了横模。弹性波装置1具有压电性基板2。如图2所示，压电性基板2是包括压电体层6的层叠基板。在压电体层6上设置有IDT电极8。另外，在压电体层6与IDT电极8之间设置有电介质膜7。
通过对IDT电极8施加交流电压，从而激励弹性波。如图1所示，在压电体层6上的弹性波传播方向两侧设置有一对反射器9A及反射器9B。如此，本实施方式的弹性波装置1是声表面波谐振器。不过，本发明涉及的弹性波装置不限定于弹性波谐振器，也可以是具有多个弹性波谐振器的滤波器装置、多工器。
IDT电极8具有多个电极指。在IDT电极8中，配置有中央区域C、第1区域E1及第2区域E2、以及第1间隙区域G1及第2间隙区域G2。第1区域E1以及第2区域E2分别包括多个电极指的前端部。通过使上述各区域中的声速不同，从而使活塞模式成立。
本实施方式的特征在于弹性波装置1具有以下结构。1)电介质膜7的介电常数以及密度低于压电体层6的介电常数以及密度。2)电介质膜7设置在压电性基板2与IDT电极8之间，并且在俯视下，设置在与中央区域C重叠的部分，并且未设置在与第1区域E1以及第2区域E2重叠的部分。由此，不仅仅是氮化硅等这样的有限种类的电介质，即使在将其他电介质用于电介质膜7的情况下，也能够提高中央区域C的声速。因而，能够容易地使第1区域E1以及第2区域E2中的声速低于中央区域C中的声速，能够使活塞模式成立。因此，能够在提高材料的自由度的同时，抑制横模。以下对其详细情况与本实施方式的结构的详细情况一起进行说明。
如图2所示，压电性基板2具有支承基板3、作为高声速材料层的高声速膜4、低声速膜5和压电体层6。更具体而言，在支承基板3上设置有高声速膜4。在高声速膜4上设置有低声速膜5。在低声速膜5上设置有压电体层6。
在本实施方式中，压电体层6是钽酸锂层。另一方面，电介质膜7是氧化硅膜。因而，电介质膜7的介电常数以及密度低于压电体层6的介电常数以及密度。另外，压电体层6的材料不限于上述，例如，也能够使用铌酸锂、氧化锌、氮化铝、石英或PZT(锆钛酸铅)等。电介质膜7的材料不限于上述，例如，也能够使用氮化硅或者氧化铝等。只要电介质膜7的介电常数以及密度低于压电体层6的介电常数以及密度即可。
低声速膜5是声速相对低的膜。更具体而言，在低声速膜5传播的体波的声速低于在压电体层6传播的体波的声速。作为低声速膜5的材料，例如，能够使用以玻璃、氧化硅、氮氧化硅、氧化锂、五氧化钽、或者在氧化硅中添加了氟、碳、硼而得到的化合物为主成分的材料。
高声速材料层是声速相对高的材料。在本实施方式中，高声速材料层是高声速膜4。在高声速材料层传播的体波的声速高于在压电体层6传播的弹性波的声速。作为高声速膜4的材料，能够使用硅、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石、氧化镁、DLC(类金刚石碳)膜或者金刚石等、以上述材料为主成分的介质。
作为支承基板3的材料，例如，能够使用氧化铝、钽酸锂、铌酸锂、石英等压电体、矾土、蓝宝石、氧化镁、氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石等各种陶瓷、金刚石、玻璃等电介质、硅、氮化镓等半导体或者树脂等。
如图1所示，IDT电极8具有第1汇流条16及第2汇流条17、以及多个第1电极指18及多个第2电极指19。第1汇流条16及第2汇流条17对置。多个第1电极指18的一端分别连接于第1汇流条16。多个第2电极指19的一端分别连接于第2汇流条17。多个第1电极指18以及多个第2电极指19相互交错对插。如图2所示，电介质膜7设置在IDT电极8的压电体层6侧的面与压电体层6之间。另外，电介质膜7也可以不设置在第1电极指18与第2电极指19之间。
这里，将多个第1电极指18以及多个第2电极指19延伸的方向设为电极指延伸方向。在本实施方式中，电极指延伸方向与弹性波传播方向正交。在IDT电极8中，在从弹性波传播方向观察时，相邻的第1电极指18以及第2电极指19重合的部分是交叉区域A。交叉区域A包括中央区域C、第1区域E1以及上述第2区域E2。中央区域C在交叉区域A中位于电极指延伸方向上的中央侧。第1区域E1以及第2区域E2配置为在电极指延伸方向上夹着中央区域C。更具体而言，第1区域E1相较于中央区域C配置在第1汇流条16侧。第2区域E2相较于中央区域C配置在第2汇流条17侧。而且，第1间隙区域G1位于第1区域E1与第1汇流条16之间。第2间隙区域G2位于第2区域E2与第2汇流条17之间。
IDT电极8具有层叠构造，具有主电极层和密接层及保护层。密接层、主电极层以及保护层从压电体层6侧起依次层叠。在本说明书中，主电极层是指在IDT电极8的质量中的占有率大于50％的层。在本实施方式中，密接层以及保护层双方都是Ti层，主电极层是Al层。不过，IDT电极8的材料不限于上述。或者，IDT电极8也可以仅包括主电极层。在反射器9A以及反射器9B，能够使用与IDT电极8同样的材料。
在弹性波装置1中，在电极指延伸方向上，配置有声速不同的多个区域。具体而言，从电极指延伸方向上的中央起，依次配置有中央区域C、低声速区域L1及低声速区域L2、以及高声速区域H1及高声速区域H2。另外，低声速区域L1及低声速区域L2是该区域中的声速低于中央区域C中的声速的区域。在第1区域E1中，构成了低声速区域L1。在第2区域E2中，构成了低声速区域L2。高声速区域H1及高声速区域H2是该区域中的声速高于中央区域C中的声速的区域。在第1间隙区域G1中构成了高声速区域H1。在第2间隙区域G2中构成了高声速区域H2。
在本实施方式中，在压电体层6与IDT电极8之间的在俯视下与中央区域C重叠的部分设置有电介质膜7。另一方面，在俯视下与第1区域E1及第2区域E2重叠的部分未设置电介质膜7。据此，中央区域C中的声速高于第1区域E1及第2区域E2中的声速。即，第1区域E1及第2区域E2中的声速低于中央区域C中的声速。另一方面，在第1间隙区域G1中，仅设置有第1电极指18以及第2电极指19中的第1电极指18。据此，第1间隙区域G1中的声速高于中央区域C中的声速。同样地，在第2间隙区域G2中，仅设置有第1电极指18以及第2电极指19中的第2电极指19。据此，第2间隙区域G2中的声速高于中央区域C中的声速。
这里，在将中央区域C中的声速设为Vc、将第1区域E1及第2区域E2中的声速设为Ve、将第1间隙区域G1及第2间隙区域G2中的声速设为Vg时，各声速的关系是Vg>Vc>Ve。另外，在图1中的表示声速的关系的部分中，如箭头V所示，表示各声速的高度的线越位于左侧，则表示声速越高。从电极指延伸方向上的中央起，依次配置有中央区域C、低声速区域L1及低声速区域L2、以及高声速区域H1及高声速区域H2。由此，使活塞模式成立。
在本公开中，如上所述，通过在压电体层6与IDT电极8之间的在俯视下与中央区域C重叠的部分设置电介质膜7，从而能够提高中央区域C中的声速。以下示出其详细情况。
求出了具有与第1实施方式同样的结构的弹性波装置、以及第1比较例及第2比较例中的中央区域的声速与电介质膜的厚度的关系。更具体而言，在将具有与第1实施方式同样的结构的弹性波装置的电介质膜设为氧化硅膜的情况以及设为氮化硅膜的情况这两种情况下求出了上述关系。在第1比较例中，将设置在与第1实施方式同样的位置的电介质膜设为了五氧化钽膜。五氧化钽膜的密度高于作为压电体层的钽酸锂层的密度。在第2比较例中，如图3所示，电介质膜107被设置为覆盖IDT电极8。将电介质膜107设为了氧化硅膜。而且，作为第3比较例，还求出了未设置电介质膜的情况下的中央区域中的声速。上述各弹性波装置的设计参数如下所述。另外，将由IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ。所谓电极指间距，是相邻的电极指彼此的中心间距离。
支承基板：材料...Si
高声速膜：材料...SiN，厚度...300nm
低声速膜：材料...SiO2，厚度...300nm
压电体层：材料...55°Y切割LiTaO3，厚度...400nm
IDT电极：各层的材料...从压电体层侧起Ti/Al/Ti，厚度...12nm/100nm/4nm，波长λ...2μm，占空比...0.5
另外，使电介质膜的厚度分别在5nm以上且55nm以下的范围内以10nm刻度而变化。在第3比较例中，电介质膜的厚度是0。
图4是示出IDT电极的中央区域中的电介质膜的厚度与声速的关系的图。
如图4所示，在第1比较例以及第2比较例中，可知电介质膜的厚度变得越厚，则中央区域中的声速Vc变得越低。如第1比较例那样，在电介质膜的密度高于压电体层的密度的情况下，即使将电介质膜的位置以及厚度设为与第1实施方式同样，声速Vc也变低。如第2比较例所示的以往例那样，在将氧化硅膜设置为覆盖IDT电极的情况下，声速Vc也变低。
与这些相对，在第1实施方式中，电介质膜7的厚度变得越厚，则中央区域C中的声速Vc变得越高。尤其，在使用了以往曾认为使声速变低的氧化硅膜的情况下，也提高了声速Vc。据此，如图1所示，能够在中央区域C与第1区域E1及第2区域E2之间设置声速差，能够使活塞模式成立。如此，能够在提高材料的自由度的同时，抑制横模。
这认为是基于以下理由。在压电体层6与IDT电极8之间设置有介电常数以及密度低的电介质膜7的情况下，电场强度变低，机电耦合系数变小。据此，分数带宽的值变小。这可以说是与谐振频率变高同义。在将谐振频率设为f、将由IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ、将声速设为v时，f＝v/λ。因为电极指间距固定，波长λ固定，所以若谐振频率f变高，则声速v也变高。因而，可以说若在压电体层6与IDT电极8之间设置介电常数以及密度低于压电体层6的电介质膜7，则有声速变高的效果。以下示出在第1实施方式的中央区域C中谐振频率变高。而且，对如第2比较例那样在中央区域C中电介质膜107覆盖IDT电极8的情况和第1实施方式进行比较。
图5是示出第1实施方式以及第2比较例的、中央区域以及第1区域中的阻抗频率特性的图。另外，第1区域E1的结构在第1实施方式以及第2比较例中是同样的。因此，由相同的单点划线示出了第1实施方式以及第2比较例中的第1区域E1的结果。
如图5所示，在第2比较例中，由虚线示出的中央区域C中的谐振频率变得低于由单点划线示出的第1区域E1中的谐振频率。因此，中央区域C的声速低于第1区域E1中的声速，活塞模式不成立。
与此相对，在第1实施方式中，可知由实线示出的中央区域C中的谐振频率变得高于第1区域E1中的声速。另外，虽然未图示，但是中央区域C与第2区域E2的声速关系也是同样的。如上所述，在第1实施方式以及第2比较例中，在电介质膜使用了氧化硅膜。而且，在第2比较例中活塞模式不成立，而在第1实施方式中能够使活塞模式成立。如此，在第1实施方式中，能够在提高材料的自由度的同时，抑制横模。
另外，如图2所示，在压电性基板2中，依次层叠了高声速膜4、低声速膜5以及压电体层6。由此，能够将弹性波的能量有效地封闭在压电体层6侧。不过，压电性基板2的结构不限于上述。以下示出仅压电性基板的结构与第1实施方式不同的、第1实施方式的第1变形例以及第2变形例。在第1变形例以及第2变形例中，也与第1实施方式同样地，能够在提高材料的自由度的同时，抑制横模。而且，能够将弹性波的能量有效地封闭在压电体层6侧。
在图6所示的第1变形例中，高声速材料层是高声速支承基板24。压电性基板22A具有高声速支承基板24、低声速膜5和压电体层6。更具体而言，在高声速支承基板24上设置有低声速膜5。在低声速膜5上设置有压电体层6。在本变形例中，也与第1实施方式同样地，压电体层6隔着低声速膜5间接地设置在高声速材料层上。
在图7所示的第2变形例中，压电性基板22B具有支承基板3、高声速膜4和压电体层6。更具体而言，在支承基板3上设置有高声速膜4。在高声速膜4上设置有压电体层6。在本变形例中，压电体层6直接地设置在高声速材料层上。
另外，压电性基板可以是高声速支承基板24以及压电体层6的层叠体，也可以是高声速支承基板24、低声速膜5以及压电体层6的层叠体。或者，压电性基板也可以是仅包括压电体层6的压电基板。
这里，在压电体层6是钽酸锂层，IDT电极8的主电极层是Al层，电介质膜7包括任意电介质的情况下，求出了弹性波装置1的各参数与声速比Ve/Vc的关系。另外，声速比Ve/Vc是第1区域E1以及第2区域E2中的声速Ve相对于中央区域C中的声速Vc的比。作为上述各参数，将电介质膜7的厚度设为t_beta[λ]，将电介质膜7的介电常数设为yuden，将电介质膜7的杨氏模量设为young[GPa]，将电介质膜7的密度设为d_beta[kg/m3]。分别使t_beta、yuden、young以及d_beta变化，从而测定了声速比Ve/Vc。进行了上述测定的弹性波装置1的设计参数如下所述。
支承基板3：材料...Si
高声速膜4：材料...SiN，厚度...300nm
低声速膜5：材料...SiO2，厚度...300nm
压电体层6：材料...55°Y切割LiTaO3，厚度...400nm
IDT电极8：各层的材料...从压电体层6侧起Ti/Al/Ti，厚度...12nm/100nm/4nm，波长λ...2μm，占空比...0.5
通过上述测定，求出了各参数与声速比Ve/Vc的关系。在图8～图10中，示出电介质膜7的各参数与声速比Ve/Vc的关系。
图8是示出电介质膜的厚度以及密度与声速比Ve/Vc的关系的图。图9是示出电介质膜的厚度以及杨氏模量与声速比Ve/Vc的关系的图。图10是示出电介质膜的厚度以及介电常数与声速比Ve/Vc的关系的图。图8～图10中的各曲线分别表示成为固定的声速比Ve/Vc的各参数的关系。
图8～图10中的影线所示的区域是Ve/Vc＜1的区域。在这些区域内，能够更可靠地使活塞模式成立。因而，通过将所使用的电介质膜7的各参数设为这些区域的范围内的值，从而能够更可靠地使活塞模式成立，能够更可靠地抑制横模。
而且，将压电体层6的厚度设为t_LT[λ]，将IDT电极8的主电极层的厚度设为t_Al[λ]。分别使t_LT、t_Al、t_beta、yuden、young以及d_beta变化，从而测定了声速比Ve/Vc。进行了上述测定的弹性波装置1的设计参数如下所述。
支承基板3：材料...Si
高声速膜4：材料...SiN，厚度...300nm
低声速膜5：材料...SiO2，厚度...300nm
压电体层6：材料...55°Y切割LiTaO3，厚度...t_LT
IDT电极8：各层的材料...从压电体层6侧起Ti/Al/Ti，厚度...12nm/t_Al/4nm，波长λ...2μm，占空比...0.5
电介质膜7的厚度t beta：在0.0025λ以上且0.0175λ的范围内，以0.0025λ刻度变化。
电介质膜7的介电常数yuden：在5以上且35以下的范围内，以5刻度变化。
电介质膜7的杨氏模量young：在70GPa以上且280GPa以下的范围内，以70GPa刻度变化。
电介质膜7的密度d_beta：在2kg/m3以上且8kg/m3以下的范围内，以2kg/m3刻度变化。
压电体层6的厚度t_LT：在0.15λ以上且0.3λ以下的范围内，以0.05λ刻度变化。
IDT电极的主电极层的厚度t_Al：在0.05λ以上且0.075λ的范围内，以0.0125λ刻度变化。
通过上述测定，导出了各参数与声速比Ve/Vc的关系式即式1。
[数式1]
Ve/Vc＝100431413354797+(-0.00285716659280799)×(d_beta[kg/m3]-4.66559485530547)+0.0000854138472667538×(young[GPa]-163.239549839228)+(-0.0003506253833567139)×(yuden-20.050911039657)+0.262088599487209×(t_beta[λ]-000998794212218652)+(-000121829646867971)×(t_LT[λ]-0.29981243301179)+(-00171813623903716)×(t_Al[λ]-0.064995980707398)+0.0000011344571772174×((d_beta[kg/m3]--4.66559485530547)×(young[GPa]-163.239549839228))+(-0.0000000938653776651)×((young[GPa]-163.239549839228)×(young[GPa]-163.239549839228)-7625.27702101924)+0.0000162006962167552×((yuden-20.050911039657)×(yuden--20.050911039657)-125.050998634098)+(-0.286079428865232)×((d_beta[kg/m3]-4.66559485530547)×(t_beta[λ]-0.00998794212218652))+0.00817326864820186×((young[GPa]-163.239549839228)×(t_beta[λ]-0.00998794212218652))+(-0.0221047213078)×((yuden-20.050911039657)×(t_beta[λ]-0.00998794212218652))+(-17.2441046243263)×((t_beta[λ]-0.00998794212218652)×(t_beta[λ]-0.00998794212218652)-0.0000249563122710345)+0.00438054956998946×((d_beta[kg/m3]-4.66559485530547)×(t_LT[λ]-0.29981243301179))+(-0.000147617022443897)×((young[GPa]-163.239549839228)×(t_LT[λ]-0.299812433011 79))+(-0.23034817620302)×((t_beta[λ]-0.00998794212218652)×(t_LT[λ]-0.29981243301179))+(-0.0367578157483136)×((t_LT[λ]-0.29981243301179)×(t_LT[λ]0.29981243301179)-0.0199865671766099)+0.000409293299970899×((young[GPa]-163.239549839228)×(t_Al[λ]-0.064995980707398))+(-1.89603355496479)×((t_beta[λ]-0.00998794212218652)×(t_Al[λ]-0.064995980707398))+(-0.0528637488540428)×((t_LT[λ]-0.29981243301179)×(t_Al[λ]-0.064995980707398))…式1
优选由式1导出的声速比Ve/Vc小于1。更具体而言，优选t_beta、yuden、young、d_beta、t_LT以及t_Al是由式1导出的声速比Ve/Vc小于1的范围内的值。即，优选将压电体层6以及IDT电极8的主电极层的厚度、以及电介质膜7的各参数设为满足上述条件的范围内的值。据此，能够在提高电介质膜7的材料的自由度的同时，更可靠地使活塞模式成立，能够更可靠地抑制横模。
附图标记说明
1...弹性波装置
2...压电性基板
3...支承基板
4...高声速膜
5...低声速膜
6...压电体层
7...电介质膜
8...IDT电极
9A、9B...反射器
16、17...第1汇流条、第2汇流条
18、19...第1电极指、第2电极指
22A、22B...压电性基板
24...高声速支承基板
107...电介质膜
A...交叉区域
C...中央区域
E1、E2...第1区域、第2区域
G1、G2...第1间隙区域、第2间隙区域
H1、H2...高声速区域
L1、L2...低声速区域。
Claims (7)
1.一种弹性波装置，具备：
压电性基板，其包括压电体层；
IDT电极，其设置在所述压电性基板上，具有多个电极指；以及
电介质膜，其设置在所述压电性基板与所述IDT电极之间，
在所述IDT电极中，在从弹性波传播方向观察时，相邻的所述电极指彼此重合的区域是交叉区域，在将所述多个电极指延伸的方向设为电极指延伸方向时，所述交叉区域包括在所述电极指延伸方向上位于中央的中央区域和配置为在所述电极指延伸方向上夹着所述中央区域的第1区域及第2区域，
所述电介质膜的介电常数以及密度低于所述压电体层的介电常数以及密度，
在俯视下，所述电介质膜设置在与所述中央区域重叠的部分，并且未设置在与所述第1区域以及所述第2区域重叠的部分。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述电介质膜是氧化硅膜、氮化硅膜或者氧化铝膜。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
所述压电性基板具有高声速材料层，所述压电体层设置在所述高声速材料层上，
在所述高声速材料层传播的体波的声速高于在所述压电体层传播的弹性波的声速。
4.根据权利要求3所述的弹性波装置，其中，
所述压电性基板具有设置在所述高声速材料层与所述压电体层之间的低声速膜，
在所述低声速膜传播的体波的声速低于在所述压电体层传播的体波的声速。
5.根据权利要求3或4所述的弹性波装置，其中，
所述高声速材料层是高声速支承基板。
6.根据权利要求3或4所述的弹性波装置，其中，
所述压电性基板具有支承基板，
所述高声速材料层是设置在所述支承基板上的高声速膜。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述压电体层是钽酸锂层，
所述IDT电极具有主电极层，所述主电极层是Al层，
在将由所述IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ，将所述电介质膜的厚度设为t_beta[λ]，将所述电介质膜的介电常数设为yuden，将所述电介质膜的杨氏模量设为young[GPa]，将所述电介质膜的密度设为d_beta[kg/m3]，将所述压电体层的厚度设为t_LT[λ]，将所述IDT电极的所述主电极层的厚度设为t_Al[λ]，将所述第1区域以及所述第2区域中的声速设为Ve，将所述中央区域中的声速设为Vc时，所述t beta、所述yuden、所述young、所述d_beta、所述t_LT以及所述t_Al是由下述的式1导出的声速比Ve/Vc小于1的范围内的值，
[数式1]
Ve/Vc＝1.00431413354797+(-0.00285716659280799)×(d_beta[kg/m3]-4.66559485530547)+0.0000854138472667538×(young[GPa]-163239549839228)+(-0.0003506253833567139)×(yuden-20.050911039657)+0.262088599487209×(t_beta[λ]-0.00998794212218652)+(-0.00121829646867971)×(t_LT[λ]-0.29981243301179)+(-0.0171813623903716)×(t_Al[λ]-0.064995980707398)+0.0000011344571772174×((d_beta[kg/m3]-4.66559485530547)×(young[GPa]-163.239549839228))+(-0.0000000938653776651)×((young[GPa]-163.239549839228)×(young[GPa]-163.239549839228)-7625.27702101924)+0.0000162006962167552×((yuden-20.050911039657)×(yuden-20.050911039657)-125.050998634098)+(-0.286079428865232)×((d_beta[kg/m3]-4.66559485530547)×(t_beta[λ]-0.00998794212218652))+0.00817326864820186×((young[GPa]-163.239549839228)×(t_beta[λ]-0.00998794212218652))+(-0.0221047213078)×((yuden-20.050911039657)×(t_beta[λ]-0.00998794212218652))+(-17.2441046243263)×((t_beta[λ]-0.00998794212218652)×(t_beta[λ]-0.00998794212218652)-0.0000249563122710345)+0.00438054956998946×((d_beta[kg/m3]-4.66559485530547)×(t_LT[λ]-0.29981243301179))+(-0.000147617022443897)x((young[GPa]-163.239549839228)×(t_LT[λ]-0.29981243301179))+(-0.23034817620302)×((t_beta[λ]-0.00998794212218652)×(t_LT[λ]-0.29981243301179))+(-0.0367578157483136)×((t_LT[λ]-0.29981243301179)×(t_LT[λ]-0.29981243301179)-0.0199865671766099)+0.000409293299970899×((young[GPa]-163.239549839228)×(t_Al[λ]-0.064995980707398))+(-1.89603355496479)×((t_beta[λ]-0.00998794212218652)×(t_AI[λ]-0.064995980707398))+(-0.0528637488540428)×((t_LT[λ]-0.29981243301179)×(t_AI[λ]-0.064995980707398)) …式1。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |