JP7380703B2 - 弾性波装置 - Google Patents
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Description
低音速膜3;材料…SiO2、厚み…0.1λ
タンタル酸リチウム層4;材料…35°Y-LiTaO3、厚み…0.15λ
IDT電極5;材料…Al、厚み…0.05λ
低音速膜3;材料…SiO2、厚み…0.1λ
タンタル酸リチウム層4;材料…35°Y-LiTaO3、厚み…0.15λ
IDT電極;材料…Al、厚み…0.01λ以上、0.15λ以下の間において変化させた。
低音速膜3;材料…SiO2、厚み…0.1λ
タンタル酸リチウム層4;材料…40°Y-LiTaO3、厚み…0.1λ
IDT電極5;材料…Al、厚み…0.14λ
低音速膜3;材料…SiO2、厚み…0以上、0.3λ以下の範囲において、0.05λ刻みで変化させた。
タンタル酸リチウム層4;材料…35°Y-LiTaO3、厚み…0.15λ
IDT電極5;材料…Al、厚み…0.05λ
IDT電極5の波長λ;1μm
低音速膜3;材料…SiO2、厚み…0.1λ
ニオブ酸リチウム層24;オイラー角におけるθLN…135°、厚み…0.1λ
IDT電極5;材料…Al、厚み…0.07λ
低音速膜3;材料…SiO2、厚み…0.1λ
ニオブ酸リチウム層24;材料…45°Y-LiNbO3、厚み…0.1λ
IDT電極5;材料…Al、厚み…0.14λ
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IDT電極5;材料…Al、厚み…0.07λ
IDT電極5の波長λ;1μm
2…炭化ケイ素基板
3…低音速膜
4…タンタル酸リチウム層
5…IDT電極
6A,6B…反射器
16,17…第1,第2のバスバー
18,19…第1,第2の電極指
21…弾性波装置
24…ニオブ酸リチウム層
Claims (18)
- 支持基板と、
前記支持基板上に設けられている圧電体層と、
前記圧電体層上に設けられており、複数の電極指を有するIDT電極と、
を備え、
前記支持基板が、3C-SiC型の立方晶構造である炭化ケイ素基板であり、
前記圧電体層がタンタル酸リチウム層またはニオブ酸リチウム層であり、
SH波をメインモードとして利用しており、
前記炭化ケイ素基板の主面が(100)面及び(110)面のうち一方である、弾性波装置。 - 支持基板と、
前記支持基板上に設けられている圧電体層と、
前記圧電体層上に設けられており、複数の電極指を有するIDT電極と、
を備え、
前記支持基板が、3C-SiC型の立方晶構造である炭化ケイ素基板であり、
前記圧電体層がタンタル酸リチウム層であり、
SH波をメインモードとして利用しており、
弾性表面波の伝搬方向と、前記炭化ケイ素基板の結晶構造における[001]方向とがなす角度が0°以上、20°以下であり、
前記炭化ケイ素基板の結晶構造における[100]方向と、前記IDT電極の前記複数の電極指が延びる方向とがなす角度をαとし、前記タンタル酸リチウム層のオイラー角を(φLT,θLT,ψLT)としたときに、下記の式1及び式2を満たす、弾性波装置。
- 支持基板と、
前記支持基板上に設けられている圧電体層と、
前記圧電体層上に設けられており、複数の電極指を有するIDT電極と、
を備え、
前記支持基板が、3C-SiC型の立方晶構造である炭化ケイ素基板であり、
前記圧電体層がタンタル酸リチウム層またはニオブ酸リチウム層であり、
SH波をメインモードとして利用しており、
前記炭化ケイ素基板を伝搬するバルク波の遅い横波の音速が、前記圧電体層を伝搬するSH波の音速よりも高い、弾性波装置。 - 支持基板と、
前記支持基板上に設けられている圧電体層と、
前記圧電体層上に設けられており、複数の電極指を有するIDT電極と、
を備え、
前記支持基板が、3C-SiC型の立方晶構造である炭化ケイ素基板であり、
前記圧電体層がタンタル酸リチウム層またはニオブ酸リチウム層であり、
SH波をメインモードとして利用しており、
前記炭化ケイ素基板の主面が(100)面であり、
前記炭化ケイ素基板の前記圧電体層を伝搬する弾性表面波の伝搬方向と、前記炭化ケイ素基板の結晶構造における[001]方向とのなす角が、20°以下である、弾性波装置。 - 支持基板と、
前記支持基板上に設けられている圧電体層と、
前記圧電体層上に設けられており、複数の電極指を有するIDT電極と、
を備え、
前記支持基板が、3C-SiC型の立方晶構造である炭化ケイ素基板であり、
前記圧電体層がタンタル酸リチウム層またはニオブ酸リチウム層であり、
SH波をメインモードとして利用しており、
前記炭化ケイ素基板の主面が(110)面であり、
前記炭化ケイ素基板の前記圧電体層を伝搬する弾性表面波の伝搬方向と、前記炭化ケイ素基板の結晶構造における[001]方向とのなす角が、20°以下である、弾性波装置。 - 前記圧電体層がタンタル酸リチウム層である、請求項1または4~6のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記IDT電極の厚みが0.07λ以下である、請求項2、3または7のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記炭化ケイ素基板と前記タンタル酸リチウム層との間に設けられている低音速膜をさらに備え、
前記低音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記タンタル酸リチウム層を伝搬するバルク波の音速よりも低い、請求項2、3、7または8のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 前記低音速膜の厚みが0.1λ以上、0.15λ以下である、請求項9に記載の弾性波装置。
- 前記低音速膜の厚みが0.15λ以上、0.2λ以下である、請求項9に記載の弾性波装置。
- 前記低音速膜の厚みが0.2λ以上である、請求項9に記載の弾性波装置。
- 前記圧電体層がニオブ酸リチウム層である、請求項1または4~6のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記ニオブ酸リチウム層のオイラー角を(φLN,θLN,ψLN)としたときに、60°≦θLN≦175°である、請求項13に記載の弾性波装置。
- 前記ニオブ酸リチウム層のオイラー角を(φLN,θLN,ψLN)としたときに、110°≦θLN≦180°である、請求項13に記載の弾性波装置。
- 110°≦θLN≦150°である、請求項14または15に記載の弾性波装置。
- 前記炭化ケイ素基板と前記ニオブ酸リチウム層との間に設けられている低音速膜をさらに備え、
前記低音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記ニオブ酸リチウム層を伝搬するバルク波の音速よりも低い、請求項13~16のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 前記低音速膜の厚みが0.1λ以下である、請求項9または17に記載の弾性波装置。
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