CN116232011A - 一种具有能量回收机制的电压转换装置以及一种电源芯片 - Google Patents

一种具有能量回收机制的电压转换装置以及一种电源芯片 Download PDF

Info

Publication number
CN116232011A
CN116232011A CN202310245729.4A CN202310245729A CN116232011A CN 116232011 A CN116232011 A CN 116232011A CN 202310245729 A CN202310245729 A CN 202310245729A CN 116232011 A CN116232011 A CN 116232011A
Authority
CN
China
Prior art keywords
voltage
switch
circuit
tube
low
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202310245729.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN116232011B (zh
Inventor
陈廷仰
廖志洋
谢玉轩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yuchuang Semiconductor Shenzhen Co ltd
Original Assignee
Yuchuang Semiconductor Shenzhen Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yuchuang Semiconductor Shenzhen Co ltd filed Critical Yuchuang Semiconductor Shenzhen Co ltd
Priority to CN202310245729.4A priority Critical patent/CN116232011B/zh
Publication of CN116232011A publication Critical patent/CN116232011A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN116232011B publication Critical patent/CN116232011B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/0003—Details of control, feedback or regulation circuits
    • H02M1/0006—Arrangements for supplying an adequate voltage to the control circuit of converters
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/0003—Details of control, feedback or regulation circuits
    • H02M1/0032—Control circuits allowing low power mode operation, e.g. in standby mode
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

本申请公开了一种具有能量回收机制的电压转换装置，属于电压转换技术领域，该装置包括：高压电路、低压电路和低功耗电路，还包括：电压转换电路，用于将低压电路所产生的低压控制信号转换为高压控制信号，并利用高压控制信号对高压电路中的开关管进行控制；高压接地产生模块，用于产生与高压电路的供电电压相对应的高压接地信号，并保证高压电路中开关管的正常运行；能量回收模块，用于对高压电路的供电电压与高压接地信号之间的流动能量进行回收，并利用回收到的能量对低功耗电路进行供电。利用该装置可以对高压电路中供电电压与高压接地信号之间的能量进行回收利用，并进一步提高能量的整体利用率。

Description

一种具有能量回收机制的电压转换装置以及一种电源芯片
技术领域
本发明涉及电压转换技术领域，特别涉及一种具有能量回收机制的电压转换装置以及一种电源芯片。
背景技术
随着科学技术的不断发展，便捷式产品中芯片的功能也越来越多样化，其内部芯片各个功能模块的工作电压也不尽相同，需要使用电压转换电路将电源的供电电压转换为各功能模块所需要的工作电压。在此过程中，为了避免芯片中高压电路的开关管被击穿损毁，通常需要在高压电路中专门设计高压接地信号，以供电压转换电路使用。
请参见图1，图1为现有技术中一种便携式产品芯片的内部结构图。在图1所示的便捷式产品芯片中，是设置有多路模拟电路、数字电路、电压转换电路以及高压电路，其中，多路模拟电路和数字电路均工作于低压功率区域，多路高压电路均工作于高压功率区域。在现有技术中，高压电路中供电电压与高压接地信号之间的能量会由低压接地端流失，无法进行二次利用，这样就浪费掉了大量的能量。目前，针对这一技术问题，还没有较为有效的解决办法。
由此可见，如何对高压电路供电电压与高压接地信号之间的能量进行回收利用，并进一步提高能量的整体利用率，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种具有能量回收机制的电压转换装置以及一种电源芯片，以对高压电路中供电电压与高压接地信号之间的能量进行回收利用，并进一步提高能量的整体利用率。其具体方案如下：
一种具有能量回收机制的电压转换装置，所述电压转换装置包括：高压电路、低压电路和低功耗电路，还包括：
电压转换电路，用于将所述低压电路所产生的低压控制信号转换为高压控制信号，并利用所述高压控制信号对所述高压电路中的开关管进行控制；
高压接地产生模块，与所述电压转换电路相连，用于产生与所述高压电路的供电电压相对应的高压接地信号，并保证所述高压电路中所述开关管的正常运行；
能量回收模块，与所述高压接地产生模块相连，用于对所述高压电路的供电电压与所述高压接地信号之间的流动能量进行回收，并利用回收到的能量对所述低功耗电路进行供电。
优选的，所述电压转换电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管和偏置电流产生器；
其中，所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极、所述第三PMOS管的源极、所述第四PMOS管的源极均用于接收所述高压电路的供电电压，所述第一PMOS管的栅极分别与所述第二PMOS管的漏极、所述第二NMOS管的漏极、所述第三PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极相连，所述第一PMOS管的漏极分别与所述第一NMOS管的漏极、所述第二PMOS管的栅极、所述第四PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极相连，所述第二PMOS管的漏极分别与所述第二NMOS管的漏极、所述第三PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极相连，所述第三PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极相连，所述第四PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的漏极相连，所述第一NMOS管的源极与所述第六NMOS管的漏极相连，所述第二NMOS管的源极与所述第七NMOS管的漏极相连，所述第三NMOS管的源极分别与所述第八NMOS管的漏极和所述第九NMOS管的栅极相连，所述第四NMOS管的源极分别与所述第九NMOS管的漏极和所述第八NMOS管的栅极相连，所述第五NMOS管的漏极、所述第五NMOS管的栅极、所述第六NMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极均与所述偏置电流产生器相连，所述第五NMOS管的源极、所述第六NMOS管的源极和所述第七NMOS管的源极均用于接收所述低压电路的低压接地信号，所述第八NMOS管的源极和所述第九NMOS管的源极均用于接收所述高压接地信号；
相应的，所述第一NMOS管的栅极为所述电压转换电路的第一输入端，所述第二NMOS管的栅极为所述电压转换电路的第二输入端，所述第三PMOS管的漏极为所述电压转换电路的第一输出端，所述第四PMOS管的漏极为所述电压转换电路的第二输出端。
优选的，所述开关管具体为第五PMOS管。
优选的，所述高压接地产生模块包括：第一电阻、误差放大器和第六PMOS管；
其中，所述第一电阻的第一端用于接收所述高压电路的供电电压，所述第一电阻的第二端与所述第五PMOS管的源极相连，所述第五PMOS管的漏极用于接收所述高压接地信号，且所述第五PMOS管的漏极分别与所述第六PMOS管的源极和所述误差放大器的负输入端相连；
相应的，所述第五PMOS管的栅极用于接收所述高压控制信号，所述误差放大器的正输入端用于接收基准电压，所述第六PMOS管的源极为所述高压接地产生模块的输出端。
优选的，所述能量回收模块包括：第十NMOS管、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五开关、第二电阻、储能元件以及用于对所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关、所述第四开关、所述第五开关的导通状态进行控制的控制模块；
其中，所述第十NMOS管的源极分别与所述第一开关的第一端和所述第三开关的第一端相连，所述第一开关的第二端与所述第二电阻的第一端相连，所述第二电阻的第二端接地，所述第三开关的第二端分别与所述第二开关的第一端和所述第四开关的第一端相连，所述第二开关的第二端与所述储能元件的第一端相连，所述储能元件的第二端接地，所述第四开关的第二端与所述低功耗电路的第一端相连，所述低功耗电路的第二端与所述第五开关的第一端相连，所述第五开关的第二端用于接收所述低压电路的供电电压；
相应的，所述第十NMOS管的栅极用于接收所述低压电路的供电电压，所述第十NMOS管的漏极与所述第六PMOS管的漏极相连，所述第三开关的第二端用于接收预设电压。
优选的，所述储能元件具体为电容。
优选的，所述低功耗电路具体为：运算放大器或带隙基准电路。
优选的，所述控制模块包括：比较器、第六开关、第七开关和逻辑控制器；
其中，所述第六开关的第一端用于接收预设上限电压，所述第七开关的第一端用于接收预设下限电压，所述第六开关的第二端和所述第七开关的第二端均与所述比较器的负输入端相连，所述比较器的正输入端用于接收所述预设电压，所述比较器的输出端与所述逻辑控制器的输入端相连；所述预设电压大于所述预设下限电压且小于所述预设上限电压；
所述逻辑控制器的执行逻辑包括：
当所述储能元件的电压值小于所述预设下限电压时，则控制所述第二开关、所述第三开关和所述第五开关短路，并控制所述第一开关和所述第四开关断路，以利用所述高压电路的供电电压对所述储能元件进行充电；
当所述储能元件的电压值大于所述预设下限电压且小于所述预设上限电压时，则控制所述第二开关、所述第三开关和所述第四开关短路，并控制所述第一开关和所述第五开关断路，以利用所述高压电路的供电电压对所述储能元件进行充电，并利用所述储能元件对所述低功耗电路进行供电；
当所述储能元件的电压值大于所述预设上限电压时，则控制所述第三开关断路，并控制所述第一开关、所述第二开关和所述第四开关短路，以利用所述储能元件对所述低功耗电路进行供电。
优选的，所述逻辑控制器具体为由逻辑门电路所搭建的电路。
相应的，本发明还公开了一种电源芯片，包括前述所公开的一种具有能量回收机制的电压转换装置。
可见，在本发明所提供的电压转换装置中，是设置有高压电路、低压电路、低功耗电路、电压转换电路、高压接地产生模块和能量回收模块；其中，电压转换电路能够将低压电路所产生的控制信号转换为高压控制信号，并利用高压控制信号对高压电路中的开关管进行控制；高压接地产生模块能够产生与高压电路的供电电压相对应的高压接地信号，并保证高压电路中开关管的正常运行；而能量回收模块能够对高压电路的供电电压和高压接地信号之间的流动能量进行回收，并利用回收到的能量对低功耗电路进行供电，这样就避免了高压电路中供电电压和高压接地信号之间的能量浪费，由此就可以进一步提高能量的整体利用率。相应的，本发明所提供的一种电源芯片，同样具有上述有益效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为现有技术中一种便携式产品芯片的内部结构图；
图2为本发明实施例所提供的一种具有能量回收机制的电压转换装置的结构图；
图3为本发明实施例所提供的一种电压转换电路的结构图；
图4为图3所示电压转换电路中输入信号D和输出信号OUT的时序图；
图5为本发明实施例所提供的一种高压接地产生模块的结构图；
图6为本发明实施例所提供的一种控制模块的结构图；
图7为现有技术中高压接地产生模块的结构图；
图8为图7所示电路中高压电路的供电电压与高压接地信号之间电压差值的变化示意图；
图9为图5所示电路中高压电路的供电电压和高压接地信号之间电压差值的变化示意图；
图10为使用本申请所提供的具有能量回收机制的电压转换装置之后，低压电路中的平均电流变化示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参见图2，图2为本发明实施例所提供的一种具有能量回收机制的电压转换装置的结构图，该电压转换装置包括：高压电路11、低压电路12和低功耗电路13，还包括：
电压转换电路14，用于将低压电路12所产生的低压控制信号转换为高压控制信号，并利用高压控制信号对高压电路11中的开关管进行控制；
高压接地产生模块15，与电压转换电路14相连，用于产生与高压电路11的供电电压相对应的高压接地信号，并保证高压电路11中开关管的正常运行；
能量回收模块16，与高压接地产生模块15相连，用于对高压电路11的供电电压与高压接地信号之间的流动能量进行回收，并利用回收到的能量对低功耗电路13进行供电。
在本实施例中，是提供了一种具有能量回收机制的电压转换装置，利用该电压转换装置可以避免高压电路中供电电压和高压接地信号之间的能量浪费，并进一步提高能量的整体利用率。
在该电压转换装置中，是设置有高压电路11、低压电路12、低功耗电路13、电压转换电路14、高压接地产生模块15和能量回收模块16。其中，低压电路12是指电路的操作电压在正常MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属半场效晶体管)耐压值以下的电路，低压电路12的供电电压通常为5V、3.3V或者1.8V；高压电路11是指电路的操作电压在正常MOSFET耐压值以上的电路；而低功耗电路13的供电电压通常为低压，且其运行电流一般为微安。有关于高压电路11、低压电路12和低功耗电路13的相关概念可以参见现有技术，此处不作具体赘述。
相较于现有技术而言，本申请所提供电压转换装置的重点在于在电压转换装置中添加了电压转换模块14、高压接地产生模块15和能量回收模块16。其中，电压转换电路14用于将低压电路12所产生的低压控制信号转换为高压控制信号，并利用高压控制信号对高压电路11中的开关管进行控制；其中，高压电路11中开关管的数量既可以是一个，也可以是多个，此处不作具体限定。高压接地产生模块15用于产生与高压电路11的供电电压相对应的高压接地信号，并保证高压电路11中的开关管可以正常导通与关断，同时还能避免高压电路11中的开关管被高压差击穿或烧毁。能量回收模块16用于对高压电路11的供电电压与高压接地信号之间的流动能量进行回收，并利用回收到的能量对低功耗电路13进行供电。
需要说明的是，在实际应用中，电压转换电路14、高压接地产生模块15和能量回收模块16可以是任意一种能够实现相应功能作用的电路结构，此处对于电压转换电路14、高压接地产生模块15和能量回收模块16的电路结构不作具体限定。
能够想到的是，当在电压转换装置中设置了能量回收模块16，并利用能量回收模块16对高压电路11的供电电压与高压接地信号之间的流动能量进行回收之后，利用能量回收模块16所回收到的能量就可以对低功耗电路13进行供电。在此设置方式下，就可以避免高压电路11的供电电压和高压接地信号之间流动能量的浪费，并且，利用能量回收模块16回收到的能量对低功耗电路13进行供电之后，就可以减少低功耗电路对供电电压的消耗，由此就可以进一步提高能量的整体利用率。
可见，在本实施例所提供的电压转换装置中，是设置有高压电路、低压电路、低功耗电路、电压转换电路、高压接地产生模块和能量回收模块；其中，电压转换电路能够将低压电路所产生的控制信号转换为高压控制信号，并利用高压控制信号对高压电路中的开关管进行控制；高压接地产生模块能够产生与高压电路的供电电压相对应的高压接地信号，并保证高压电路中开关管的正常运行；而能量回收模块能够对高压电路的供电电压和高压接地信号之间的流动能量进行回收，并利用回收到的能量对低功耗电路进行供电，这样就避免了高压电路中供电电压和高压接地信号之间的能量浪费，由此就可以进一步提高能量的整体利用率。
基于上述实施例，本实施例对技术方案作进一步的说明与优化，请参见图3，图3为本发明实施例所提供的一种电压转换电路的结构图。作为一种优选的实施方式，电压转换电路包括：第一PMOS管PMOS1、第二PMOS管PMOS2、第三PMOS管PMOS3、第四PMOS管PMOS4、第一NMOS管NMOS1、第二NMOS管NMOS2、第三NMOS管NMOS3、第四NMOS管NMOS4、第五NMOS管NMOS5、第六NMOS管NMOS6、第七NMOS管NMOS7、第八NMOS管NMOS8、第九NMOS管NMOS9和偏置电流产生器；
其中，第一PMOS管PMOS1的源极、第二PMOS管PMOS2的源极、第三PMOS管PMOS3的源极、第四PMOS管PMOS4的源极均用于接收高压电路的供电电压VDD_HV，第一PMOS管PMOS1的栅极分别与第二PMOS管PMOS2的漏极、第二NMOS管NMOS2的漏极、第三PMOS管PMOS3的栅极和第三NMOS管NMOS3的栅极相连，第一PMOS管PMOS1的漏极分别与第一NMOS管NMOS1的漏极、第二PMOS管PMOS2的栅极、第四PMOS管PMOS4的栅极和第四NMOS管NMOS4的栅极相连，第二PMOS管PMOS2的漏极分别与第二NMOS管NMOS2的漏极、第三PMOS管PMOS3的栅极和第三NMOS管NMOS3的栅极相连，第三PMOS管PMOS3的漏极与第三NMOS管NMOS3的漏极相连，第四PMOS管PMOS4的漏极与第四NMOS管NMOS4的漏极相连，第一NMOS管NMOS1的源极与第六NMOS管NMOS6的漏极相连，第二NMOS管NMOS2的源极与第七NMOS管NMOS7的漏极相连，第三NMOS管NMOS3的源极分别与第八NMOS管NMOS8的漏极和第九NMOS管NMOS9的栅极相连，第四NMOS管NMOS4的源极分别与第九NMOS管NMOS9的漏极和第八NMOS管NMOS8的栅极相连，第五NMOS管NMOS5的漏极、第五NMOS管NMOS5的栅极、第六NMOS管NMOS6的栅极和第七NMOS管NMOS7的栅极均与偏置电流产生器相连，第五NMOS管NMOS5的源极、第六NMOS管NMOS6的源极和第七NMOS管NMOS7的源极均用于接收低压电路的低压接地信号VSS_LV，第八NMOS管NMOS8的源极和第九NMOS管NMOS9的源极均用于接收高压接地信号VSS_HV；
相应的，第一NMOS管NMOS1的栅极为电压转换电路的第一输入端，第二NMOS管NMOS2的栅极为电压转换电路的第二输入端，第三PMOS管PMOS3的漏极为电压转换电路的第一输出端，第四PMOS管PMOS4的漏极为电压转换电路的第二输出端。
在本实施例中，是提供了一种电压转换电路的结构图，通过该电压转换电路可以将低压电路所产生的低压控制信号转换为高压控制信号，并利用高压控制信号对高压电路中开关管的导通状态进行控制。
在图3所示的电压转换电路中，第一NMOS管NMOS1的栅极用于向电压转换电路输入信号DB，第二NMOS管NMOS2的栅极用于向电压转换电路输入信号D，第三PMOS管PMOS3的漏极用于输出电压转换电路的输出信号OUTB，第四PMOS管PMOS4的漏极用于输出电压转换电路的输出信号OUT，并且，输出信号OUTB和OUT是互为反向的信号。请参见图4，图4为图3所示电压转换电路中输入信号D和输出信号OUT的时序图。在图4中，VDD_HV为高压电路的供电电压、VDD_LV为低压电路的供电电压、VSS_HV为高压接地信号、VSS_LV为低压接地信号。
基于上述实施例，本实施例对技术方案作进一步的说明与优化，作为一种优选的实施方式，开关管具体为第五PMOS管。
在实际应用中，高压电路中的开关管通常为NMOS管(N Metal OxideSemiconductor)或者PMOS管(Positive Channel Metal Oxide Semiconductor)，下面以高压电路中只有一个第五PMOS管时为例，对高压接地产生模块和能量回收模块的搭建结构进行具体说明。
请参见图5，图5为本发明实施例所提供的一种高压接地产生模块的结构图。作为一种优选的实施方式，高压接地产生模块包括：第一电阻R1、误差放大器U1和第六PMOS管POMS6；
其中，第一电阻R1的第一端用于接收高压电路的供电电压VDD_HV，第一电阻R1的第二端与第五PMOS管POMS5的源极相连，第五PMOS管POMS5的漏极用于接收高压接地信号VSS_HV，且第五PMOS管POMS5的漏极分别与第六PMOS管POMS6的源极和误差放大器U1的负输入端相连；
相应的，第五PMOS管POMS5的栅极用于接收高压控制信号ENABLE，误差放大器U1的正输入端用于接收基准电压VREF，第六PMOS管POMS6的源极为高压接地产生模块的输出端。
通过图5所示的高压接地产生模块可以产生与高压电路的供电电压VDD_HV相对应的高压接地信号VSS_HV，并保证高压电路中开关管的正常运行。也即，可以保证高压电路中第五PMOS管PMOS5的正常导通与关断，并且，第五PMOS管PMOS5在导通与关断的过程中也不会被高压差击穿或烧毁。
作为一种优选的实施方式，能量回收模块包括：第十NMOS管NMOS10、第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3、第四开关S4、第五开关S5、第二电阻R2、储能元件以及用于对第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3、第四开关S4、第五开关S5的导通状态进行控制的控制模块；
其中，第十NMOS管NMOS10的源极分别与第一开关S1的第一端和第三开关S3的第一端相连，第一开关S1的第二端与第二电阻R2的第一端相连，第二电阻R2的第二端接地，第三开关S3的第二端分别与第二开关S2的第一端和第四开关S4的第一端相连，第二开关S2的第二端与储能元件的第一端相连，储能元件的第二端接地，第四开关S4的第二端与低功耗电路的第一端相连，低功耗电路的第二端与第五开关S5的第一端相连，第五开关S5的第二端用于接收低压电路的供电电压VDD_LV；
相应的，第十NMOS管NMOS10的栅极用于接收低压电路的供电电压VDD_LV，第十NMOS管NMOS10的漏极与第六PMOS管POMS6的漏极相连，第三开关S3的第二端用于接收预设电压VER。
作为一种优选的实施方式，可以将储能元件设置为电容C1。因为电容C1的结构简单、造价成本低廉，所以，当使用电容C1来存储高压电路中供电电压VDD_HV与高压接地信号VSS_HV之间的流动能量时，就可以进一步降低能量回收模块的结构复杂度。当然，在实际应用中，还可以使用电感、化学电池等器件来存储高压电路中供电电压VDD_HV与高压接地信号VSS_HV之间的流动能量，此处不作具体赘述。
作为一种优选的实施方式，可以将低功耗电路设置为运算放大器或带隙基准电路。因为运算放大器和带隙基准电路是实际应用中较为常见的低功耗模拟电路，在实际操作中的应用十分广泛，所以，当将低功耗电路设置为运算放大器或者带隙基准电路时，就可以进一步提高本申请所提供具有能量回收机制的电压转换装置在实际应用中的普适性。
请参见图6，图6为本发明实施例所提供的一种控制模块的结构图。作为一种优选的实施方式，控制模块包括：比较器U2、第六开关S6、第七开关S7和逻辑控制器M；
其中，第六开关S6的第一端用于接收预设上限电压VREF_H，第七开关S7的第一端用于接收预设下限电压VREF_L，第六开关S6的第二端和第七开关S7的第二端均与比较器U2的负输入端相连，比较器U2的正输入端用于接收预设电压VER，比较器U2的输出端与逻辑控制器M的输入端相连；预设电压VER大于预设下限电压VREF_L且小于预设上限电压VREF_H；
逻辑控制器M的执行逻辑包括：
当储能元件的电压值小于预设下限电压VREF_L时，则控制第二开关S2、第三开关S3和第五开关S5短路，并控制第一开关S1和第四开关S4断路，以利用高压电路的供电电压VDD_HV对储能元件进行充电；
当储能元件的电压值大于预设下限电压VREF_L且小于预设上限电压VREF_H时，则控制第二开关S2、第三开关S3和第四开关S4短路，并控制第一开关S1和第五开关S5断路，以利用高压电路的供电电压VDD_HV对储能元件进行充电，并利用储能元件对低功耗电路进行供电；
当储能元件的电压值大于预设上限电压VREF_H时，则控制第三开关S3断路，并控制第一开关S1、第二开关S2和第四开关S4短路，以利用储能元件对低功耗电路进行供电。
需要注意的是，在图6中，SW1表示第一开关S1的控制信号、SW2表示第二开关S2的控制信号、SW3表示第三开关S3的控制信号、SW4表示第四开关S4的控制信号、SW5表示第五开关S5的控制信号、SW6表示第六开关S6的控制信号、SW7表示第七开关S7的控制信号。
在介绍图5所示能量回收模块的工作流程之前，此处先对现有技术中高压接地产生模块的结构进行具体说明。请参见图7，图7为现有技术中高压接地产生模块的结构图。在图7中，VDD_HV表示高压电路的供电电压，VSS_HV表示高压接地信号，VDD_LV表示低压电路的供电电压，VSS_LV表示低压接地信号，R11和R12表示电阻，Q3和Q4表示NMOS管，Q1和Q2表示PMOS管、IBIAS表示偏置电流产生器。
从图7可以看出，在现有技术中主要是通过电流镜来调整高压电路中供电电压与高压接地信号之间的电压差值。此种方式虽然简单、有效，但是，高压电路中供电电压与高压接地信号之间的电压差值容易受到电压制程、温度等因素的影响，从而导致高压电路中供电电压与高压接地端之间的电压差值无法固定。请参见图8，图8为图7所示电路中高压电路的供电电压与高压接地信号之间电压差值的变化示意图。能够想到的是，此电路结构如果应用在电源管理芯片上，极易将高压电路中的开关管击穿或烧毁，存在极高的安全风险。
结合图5可知，在本实施例中，由于误差放大器U1可以形成反馈回路，并对高压电路中高压接地信号VSS_HV的信号大小进行调整，所以，在高压电路不同的电压制程及温度变异下可以更为稳定地保持高压电路中供电电压和高压接地信号之间电压差值的恒定。
其中，能量回收模块的运行过程可以分为以下三个阶段：
第一阶段：当储能元件的电压值小于预设下限电压VREF_L时，逻辑控制器M会控制第二开关S2、第三开关S3和第五开关S5短路，并控制第一开关S1和第四开关S4断路，以利用高压电路的供电电压VDD_HV对储能元件进行充电；
第二阶段：当储能元件的电压值大于预设下限电压VREF_L且小于预设上限电压VREF_H时，逻辑控制器M会控制第二开关S2、第三开关S3和第四开关S4短路，并控制第一开关S1和第五开关S5断路，此时高压电路的供电电压VDD_HV会继续对储能元件进行充电，并利用储能元件对低功耗电路进行供电；
第三阶段：当储能元件的电压值大于预设上限电压VREF_H时，逻辑控制器M会控制第三开关S3断路，并控制第一开关S1、第二开关S2和第四开关S4短路，此时低功耗电路的供电电压将由储能元件完全提供。直到储能元件的电压值小于预设上限电压VREF_H时，逻辑控制器M会重新回到第二阶段来对能量回收模块的运行状态进行控制。显然，能量回收模块第三阶段的控制主要是为了避免储能元件中的电压过高，第十NMOS管NMOS10进入截止区，并导致误差放大器U1所建立的反馈回路断开，进而影响高压接地信号VSS_HV的准确度。
请参见图9和图10，图9为图5所示电路中高压电路的供电电压和高压接地信号之间电压差值的变化示意图。图10为使用本申请所提供的具有能量回收机制的电压转换装置之后，低压电路中的平均电流变化示意图。
在图9和图10中，Stage1、Stage2和Stage3表示图5中能量回收模块在工作运行过程中的第一阶段、第二阶段和第三阶段。从图9可以看出，不管图5中的能量回收模块处于哪个工作阶段，高压电路的供电电压VDD_HV和高压接地信号VSS_HV之间的电压差值都能保持恒定状态。在图10中，IVDD_LV表示低压电路的工作电流，IVDD_LV1表示未使用本申请所提供的具有能量回收机制的电压转换装置之前，低压电路在能量回收模块工作于不同阶段下的电流；IVDD_LV2表示使用本申请所提供的具有能量回收机制的电压转换装置之后，低压电路在能量回收模块工作于不同阶段下的电流。
从图10可以看出，使用本申请所提供的具有能量回收机制的电压转换装置之后，低压电路中的平均电流有所下降，这就说明低压电路对高压电路供电电压和高压接地信号之间的流动能量进行了重复利用，由此就可以相对减少低压电路对能量的消耗，进而能够进一步提高对能量的整体利用率。
此外，在实际应用中，为了进一步降低能量回收模块的造价成本，还可以利用逻辑门电路来搭建逻辑控制器。由于逻辑控制器所执行的逻辑控制较为简单，所以，此处对逻辑控制器的内部结构不作具体介绍。
相应的，本发明实施例还提供了一种电源芯片，包括如前述所公开的一种具有能量回收机制的电压转换装置。
本发明实施例所提供的一种电源芯片，具体前述所公开的一种具有能量回收机制的电压转换装置所具有的有益效果。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种具有能量回收机制的电压转换装置以及一种电源芯片进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种具有能量回收机制的电压转换装置，所述电压转换装置包括：高压电路、低压电路和低功耗电路，其特征在于，还包括：
电压转换电路，用于将所述低压电路所产生的低压控制信号转换为高压控制信号，并利用所述高压控制信号对所述高压电路中的开关管进行控制；
高压接地产生模块，与所述电压转换电路相连，用于产生与所述高压电路的供电电压相对应的高压接地信号，并保证所述高压电路中所述开关管的正常运行；
能量回收模块，与所述高压接地产生模块相连，用于对所述高压电路的供电电压与所述高压接地信号之间的流动能量进行回收，并利用回收到的能量对所述低功耗电路进行供电。
2.根据权利要求1所述的电压转换装置，其特征在于，所述电压转换电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管和偏置电流产生器；
其中，所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极、所述第三PMOS管的源极、所述第四PMOS管的源极均用于接收所述高压电路的供电电压，所述第一PMOS管的栅极分别与所述第二PMOS管的漏极、所述第二NMOS管的漏极、所述第三PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极相连，所述第一PMOS管的漏极分别与所述第一NMOS管的漏极、所述第二PMOS管的栅极、所述第四PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极相连，所述第二PMOS管的漏极分别与所述第二NMOS管的漏极、所述第三PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极相连，所述第三PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极相连，所述第四PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的漏极相连，所述第一NMOS管的源极与所述第六NMOS管的漏极相连，所述第二NMOS管的源极与所述第七NMOS管的漏极相连，所述第三NMOS管的源极分别与所述第八NMOS管的漏极和所述第九NMOS管的栅极相连，所述第四NMOS管的源极分别与所述第九NMOS管的漏极和所述第八NMOS管的栅极相连，所述第五NMOS管的漏极、所述第五NMOS管的栅极、所述第六NMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极均与所述偏置电流产生器相连，所述第五NMOS管的源极、所述第六NMOS管的源极和所述第七NMOS管的源极均用于接收所述低压电路的低压接地信号，所述第八NMOS管的源极和所述第九NMOS管的源极均用于接收所述高压接地信号；
相应的，所述第一NMOS管的栅极为所述电压转换电路的第一输入端，所述第二NMOS管的栅极为所述电压转换电路的第二输入端，所述第三PMOS管的漏极为所述电压转换电路的第一输出端，所述第四PMOS管的漏极为所述电压转换电路的第二输出端。
3.根据权利要求1所述的电压转换装置，其特征在于，所述开关管具体为第五PMOS管。
4.根据权利要求3所述的电压转换装置，其特征在于，所述高压接地产生模块包括：第一电阻、误差放大器和第六PMOS管；
其中，所述第一电阻的第一端用于接收所述高压电路的供电电压，所述第一电阻的第二端与所述第五PMOS管的源极相连，所述第五PMOS管的漏极用于接收所述高压接地信号，且所述第五PMOS管的漏极分别与所述第六PMOS管的源极和所述误差放大器的负输入端相连；
相应的，所述第五PMOS管的栅极用于接收所述高压控制信号，所述误差放大器的正输入端用于接收基准电压，所述第六PMOS管的源极为所述高压接地产生模块的输出端。
5.根据权利要求4所述的电压转换装置，其特征在于，所述能量回收模块包括：第十NMOS管、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五开关、第二电阻、储能元件以及用于对所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关、所述第四开关、所述第五开关的导通状态进行控制的控制模块；
其中，所述第十NMOS管的源极分别与所述第一开关的第一端和所述第三开关的第一端相连，所述第一开关的第二端与所述第二电阻的第一端相连，所述第二电阻的第二端接地，所述第三开关的第二端分别与所述第二开关的第一端和所述第四开关的第一端相连，所述第二开关的第二端与所述储能元件的第一端相连，所述储能元件的第二端接地，所述第四开关的第二端与所述低功耗电路的第一端相连，所述低功耗电路的第二端与所述第五开关的第一端相连，所述第五开关的第二端用于接收所述低压电路的供电电压；
相应的，所述第十NMOS管的栅极用于接收所述低压电路的供电电压，所述第十NMOS管的漏极与所述第六PMOS管的漏极相连，所述第三开关的第二端用于接收预设电压。
6.根据权利要求5所述的电压转换装置，其特征在于，所述储能元件具体为电容。
7.根据权利要求5所述的电压转换装置，其特征在于，所述低功耗电路具体为：运算放大器或带隙基准电路。
8.根据权利要求5所述的电压转换装置，其特征在于，所述控制模块包括：比较器、第六开关、第七开关和逻辑控制器；
其中，所述第六开关的第一端用于接收预设上限电压，所述第七开关的第一端用于接收预设下限电压，所述第六开关的第二端和所述第七开关的第二端均与所述比较器的负输入端相连，所述比较器的正输入端用于接收所述预设电压，所述比较器的输出端与所述逻辑控制器的输入端相连；所述预设电压大于所述预设下限电压且小于所述预设上限电压；
所述逻辑控制器的执行逻辑包括：
当所述储能元件的电压值小于所述预设下限电压时，则控制所述第二开关、所述第三开关和所述第五开关短路，并控制所述第一开关和所述第四开关断路，以利用所述高压电路的供电电压对所述储能元件进行充电；
当所述储能元件的电压值大于所述预设下限电压且小于所述预设上限电压时，则控制所述第二开关、所述第三开关和所述第四开关短路，并控制所述第一开关和所述第五开关断路，以利用所述高压电路的供电电压对所述储能元件进行充电，并利用所述储能元件对所述低功耗电路进行供电；
当所述储能元件的电压值大于所述预设上限电压时，则控制所述第三开关断路，并控制所述第一开关、所述第二开关和所述第四开关短路，以利用所述储能元件对所述低功耗电路进行供电。
9.根据权利要求8所述的电压转换装置，其特征在于，所述逻辑控制器具体为由逻辑门电路所搭建的电路。
10.一种电源芯片，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的一种具有能量回收机制的电压转换装置。
CN202310245729.4A 2023-03-07 2023-03-07 一种具有能量回收机制的电压转换装置以及一种电源芯片 Active CN116232011B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310245729.4A CN116232011B (zh) 2023-03-07 2023-03-07 一种具有能量回收机制的电压转换装置以及一种电源芯片

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310245729.4A CN116232011B (zh) 2023-03-07 2023-03-07 一种具有能量回收机制的电压转换装置以及一种电源芯片

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN116232011A true CN116232011A (zh) 2023-06-06
CN116232011B CN116232011B (zh) 2024-01-26

Family

ID=86585563

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310245729.4A Active CN116232011B (zh) 2023-03-07 2023-03-07 一种具有能量回收机制的电压转换装置以及一种电源芯片

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116232011B (zh)

Citations (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6781423B1 (en) * 2003-07-04 2004-08-24 Dialog Semiconductor Gmbh High-voltage interface and driver control circuit
CN103558891A (zh) * 2013-09-22 2014-02-05 龙芯中科技术有限公司 低压差稳压器
US20140152369A1 (en) * 2012-12-05 2014-06-05 iWatt Integrated Circuits Technology (Tianjin) Limited Level Translator Circuit, Driving Circuit for Driving High-Voltage Device and Method Thereof
US20140240208A1 (en) * 2013-02-25 2014-08-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Voltage level conversion circuits and display devices including the same
CN106014731A (zh) * 2016-05-23 2016-10-12 中国第汽车股份有限公司无锡油泵油嘴研究所 能量可回收的喷油器驱动电路
CN107395137A (zh) * 2017-07-10 2017-11-24 东南大学 面向物联网的具有自供电功能的mos管放大器
CN108551163A (zh) * 2018-06-22 2018-09-18 重庆金山科技（集团）有限公司 储能元件能量泄放与回收电路、高压电源、能量发生器及方法
CN110289848A (zh) * 2019-06-03 2019-09-27 上海华力微电子有限公司 电压电平转换电路
CN110429701A (zh) * 2019-09-11 2019-11-08 芯好半导体(成都)有限公司 一种线性能量回收电路、回收方法和电气装置
CN110445407A (zh) * 2019-08-19 2019-11-12 电子科技大学 一种用于启动发电一体机的整流电路
CN210183223U (zh) * 2019-08-05 2020-03-24 芯好半导体(成都)有限公司 能量回收电路、能量回收模块、能量收回***、开关电源及智能控制开关电源
CN210380656U (zh) * 2019-08-05 2020-04-21 芯好半导体(成都)有限公司 一种能量回收电路、模块、***和开关电源
CN111600594A (zh) * 2020-05-22 2020-08-28 赛卓电子科技（上海）有限公司 一种带接反保护的电平转换电路
CN211830580U (zh) * 2019-12-30 2020-10-30 深圳市智慧芯图科技有限公司 浮动电源供电的轨对轨超低失配电荷泵电路
CN111884491A (zh) * 2020-06-23 2020-11-03 华为技术有限公司 一种具有能量回收功能的驱动电路及开关电源
CN112117999A (zh) * 2020-08-25 2020-12-22 广东美的白色家电技术创新中心有限公司 驱动电路及家用电器
CN112671393A (zh) * 2020-12-29 2021-04-16 成都锐成芯微科技股份有限公司 电平转换电路
CN113541453A (zh) * 2021-07-05 2021-10-22 无锡安趋电子有限公司 一种GaN功率管半桥驱动中的高侧自举供电控制***
CN113628648A (zh) * 2020-05-08 2021-11-09 瑞昱半导体股份有限公司 用于静态随机存取内存写入辅助的装置与方法
US20210405673A1 (en) * 2018-09-20 2021-12-30 Canaan Creative Co., Ltd. Full swing voltage conversion circuit and operation unit, chip, hash board, and computing device using same
CN114553212A (zh) * 2022-02-23 2022-05-27 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种高压电源域地可浮动的低压转高压电平位移电路
CN114744851A (zh) * 2022-04-20 2022-07-12 天长市富安电子有限公司 一种用于芯片供电的能量回收电路

Patent Citations (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6781423B1 (en) * 2003-07-04 2004-08-24 Dialog Semiconductor Gmbh High-voltage interface and driver control circuit
US20140152369A1 (en) * 2012-12-05 2014-06-05 iWatt Integrated Circuits Technology (Tianjin) Limited Level Translator Circuit, Driving Circuit for Driving High-Voltage Device and Method Thereof
US20140240208A1 (en) * 2013-02-25 2014-08-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Voltage level conversion circuits and display devices including the same
CN103558891A (zh) * 2013-09-22 2014-02-05 龙芯中科技术有限公司 低压差稳压器
CN106014731A (zh) * 2016-05-23 2016-10-12 中国第汽车股份有限公司无锡油泵油嘴研究所 能量可回收的喷油器驱动电路
CN107395137A (zh) * 2017-07-10 2017-11-24 东南大学 面向物联网的具有自供电功能的mos管放大器
CN108551163A (zh) * 2018-06-22 2018-09-18 重庆金山科技（集团）有限公司 储能元件能量泄放与回收电路、高压电源、能量发生器及方法
US20210405673A1 (en) * 2018-09-20 2021-12-30 Canaan Creative Co., Ltd. Full swing voltage conversion circuit and operation unit, chip, hash board, and computing device using same
CN110289848A (zh) * 2019-06-03 2019-09-27 上海华力微电子有限公司 电压电平转换电路
CN210183223U (zh) * 2019-08-05 2020-03-24 芯好半导体(成都)有限公司 能量回收电路、能量回收模块、能量收回***、开关电源及智能控制开关电源
CN210380656U (zh) * 2019-08-05 2020-04-21 芯好半导体(成都)有限公司 一种能量回收电路、模块、***和开关电源
CN110445407A (zh) * 2019-08-19 2019-11-12 电子科技大学 一种用于启动发电一体机的整流电路
CN110429701A (zh) * 2019-09-11 2019-11-08 芯好半导体(成都)有限公司 一种线性能量回收电路、回收方法和电气装置
CN211830580U (zh) * 2019-12-30 2020-10-30 深圳市智慧芯图科技有限公司 浮动电源供电的轨对轨超低失配电荷泵电路
CN113628648A (zh) * 2020-05-08 2021-11-09 瑞昱半导体股份有限公司 用于静态随机存取内存写入辅助的装置与方法
CN111600594A (zh) * 2020-05-22 2020-08-28 赛卓电子科技（上海）有限公司 一种带接反保护的电平转换电路
CN111884491A (zh) * 2020-06-23 2020-11-03 华为技术有限公司 一种具有能量回收功能的驱动电路及开关电源
CN112117999A (zh) * 2020-08-25 2020-12-22 广东美的白色家电技术创新中心有限公司 驱动电路及家用电器
CN112671393A (zh) * 2020-12-29 2021-04-16 成都锐成芯微科技股份有限公司 电平转换电路
CN113541453A (zh) * 2021-07-05 2021-10-22 无锡安趋电子有限公司 一种GaN功率管半桥驱动中的高侧自举供电控制***
CN114553212A (zh) * 2022-02-23 2022-05-27 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种高压电源域地可浮动的低压转高压电平位移电路
CN114744851A (zh) * 2022-04-20 2022-07-12 天长市富安电子有限公司 一种用于芯片供电的能量回收电路

Also Published As

Publication number Publication date
CN116232011B (zh) 2024-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10423176B2 (en) Low-dropout regulators
CN101097456B (zh) 电压调节器
CN104796171B (zh) 一种应用于soi cmos射频开关的控制电路
CN101989096B (zh) 用于启动带隙基准电路的启动电路
CN105915042B (zh) 一种用于Buck变换器的软启动和软关断电路
CN105511537B (zh) 用于调节电子设备的启动和操作电压的电路
CN110518896B (zh) 一种提供任意频率及占空比的时钟发生电路与芯片
US8587360B2 (en) Level-shifter circuit using low-voltage transistors
CN103729007A (zh) 具有软启动控制电路的线性稳压源
CN106877641B (zh) 一种用于dc-dc变换器的软启动电路
CN101505094B (zh) 一种便携式设备的电源模块
CN103051286A (zh) 一种可修调的高精度弛张振荡器
CN206517296U (zh) 一种时间可控的线性软启动电路
US7579918B2 (en) Clock generator with reduced electromagnetic interference for DC-DC converters
CN116232011B (zh) 一种具有能量回收机制的电压转换装置以及一种电源芯片
CN108631575A (zh) 一种应用于开关电源的软启动电路
CN211180688U (zh) 一种用于高压输入的偏置电路
CN103631298A (zh) 线性稳压源
CN217506424U (zh) 具有软启动电路的低压差线性稳压器
CN108829174A (zh) 线性稳压器电路
CN108599745B (zh) 单电容占空比可控振荡器
Jeon et al. A novel 4-to-3 step-down on-chip SC DC-DC converter with reduced bottom-plate loss
CN220795346U (zh) 自举电容欠压保护检测电路
CN112558673B (zh) 一种计时控制电路及计时控制***
Dutra et al. A Fast Cold-Start Integrated System for Ultra-Low Voltage SC Energy-Harvesting Circuits

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant