CN115985851A - 压力传感器的制作方法及压力传感器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种压力传感器的制作方法及压力传感器，压力传感器的制作方法包括以下步骤：提供一顶硅片，在顶硅片上形成第一掩蔽层；提供一底硅片，在底硅片上形成一空腔；将顶硅片和底硅片键合；将顶硅片减薄抛光，形成一压力传感器的感压薄膜；在感压薄膜制作第二掩蔽层，并进行光刻图形化形成图形层；通过离子注入或者扩散方式，在对应图形层的位置形成多个P型轻掺杂区；在部分P型轻掺杂区位置形成P型重掺杂区；通过离子注入或者扩散方式，形成N型重掺杂区；制作电极与N型重掺杂区和P型重掺杂区连接。该压力传感器的制作方法具有高集成度、高灵敏度、小型化，高通用性、可检测传感器温度，实时温度校准的优点。
Description
要求优先权：
本申请要求于2022年08月23日提交中国专利局、申请号为202211013110.2、申请名称为“压力传感器的制作方法、压力传感器及电子设备”，以及于2022年08月23日提交中国专利局、申请号为202211013139.0、申请名称为“集成器件、电子设备及集成器件的制作方法”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本发明涉及压力传感器技术领域，尤其涉及一种压力传感器的制作方法及压力传感器。
背景技术
在单个设备中测试多种环境特性是当今传感器发展方向之一。目前市面上的多传感器组合方案多基于封装实现，即通过封装实现多传感器功能的组合，此类方案成本高，性能较低，尺寸大，封装方案复杂，不符合现在越发严苛的集成电路发展要求。
传统基于压力传感器的方案，压力芯片和温度芯片通过封装集成在一起，此种方案整体封装尺寸大，成本高，且采集的温度有一定偏差；另一种方案是在压力信号处理芯片(ASIC芯片)上集成温度传感器，虽然在封装尺寸及成本上做到了优化，但是采集的温度仍然不是压力芯片工作时的真实温度。针对压力传感器温漂特性，以及需要对压力传感器进行实时温度补偿的应用场景，准确的获取差压压力传感器工作温度是非常必要的。
而现有的制备方案是在压力传感器工艺基础上进行新的工艺开发，将标准的BJTCMOS工艺集成到传感器芯片上，但采用该工艺制作的压力传感器制作成本较高：并且采用上述叠加方案需要在代工厂进行新的工艺开发和跨平台制程配合，制备过程繁琐的同时增加制造成本。
鉴于此，有必要提供一种新的压力传感器的制作方法及压力传感器，以解决或至少缓解上述技术缺陷。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种压力传感器的制作方法及压力传感器，旨在解决现有技术中压力传感器的制作成本高和制作过程繁琐的技术问题。
为实现上述目的，根据本发明的一个方面，本发明提供一种压力传感器的制作方法，所述压力传感器的制作方法包括以下步骤：
提供一顶硅片，在所述顶硅片上形成第一掩蔽层；
提供一底硅片，在所述底硅片上形成一空腔；将所述顶硅片和所述底硅片键合；
将所述顶硅片减薄抛光，形成一压力传感器的感压薄膜；在所述感压薄膜制作第二掩蔽层，并进行光刻图形化形成图形层；
通过离子注入或者扩散方式，在对应所述图形层的位置形成多个P型轻掺杂区；
在部分所述P型轻掺杂区位置形成P型重掺杂区；
通过离子注入或者扩散方式，形成N型重掺杂区；
制作电极与所述N型重掺杂区和所述P型重掺杂区连接。
在一实施例中，所述在所述图形层区形成多个P型轻掺杂区的步骤包括：
在对应所述图形层的位置形成有左P型轻掺杂区、中间P型轻掺杂区和右P型轻掺杂区，所述左P型轻掺杂区为压力传感器P型轻掺杂区，所述右P型轻掺杂区为温度传感器P型轻掺杂区。
所述在部分所述P型轻掺杂区位置形成P型重掺杂区的步骤包括：
通过离子注入或者扩散方式分别在所述左P型轻掺杂区和所述右P型轻掺杂区形成所述P型重掺杂区。
在一实施例中，所述在所述顶硅片上形成第一掩蔽层的步骤之后，还包括步骤：
通过离子注入或者扩散方式，在所述顶硅片上形成P型轻掺杂子区；
所述在对应所述图形层的位置形成有左P型轻掺杂区、中间P型轻掺杂区和右P型轻掺杂区的步骤还包括：
所述中间P型轻掺杂区与所述P型轻掺杂子区连接形成分隔所述压力传感器和所述温度传感器的电隔离区。
在一实施例中，所述通过离子注入或者扩散方式，形成N型重掺杂区的步骤包括：
通过离子注入或者扩散方式，在所述右P型轻掺杂区，所述右P型轻掺杂区两侧、以及所述左P型轻掺杂区外分别形成所述N型重掺杂区。
在一实施例中，所述在所述顶硅片上形成隔离区的步骤还包括：
在所述顶硅片上形成隔离区和N+层，所述N+层面对所述右P型轻掺杂区设置。
在一实施例中，所述通过离子注入或者扩散方式，形成N型重掺杂区的步骤包括：
通过离子注入或者扩散方式，在所述右P型轻掺杂区形成所述N型重掺杂区。
在一实施例中，所述制作电极与所述N型重掺杂区和所述P型重掺杂区连接的步骤包括：
在所述N型重掺杂区和所述P型重掺杂区对应位置分别形成接触孔；
在所述接触孔位置分别制作金属连接线和焊盘；
生长保护层，蚀刻掉焊盘位置对应的所述保护层以暴露出焊盘。
在一实施例中，所述进行光刻图形化形成图形层的步骤包括：
在所述第二掩蔽层上形成一层光刻胶层，通过黄光光刻在所述光刻胶层上形成所述图形层。
在一实施例中，所述在部分所述P型轻掺杂区位置形成P型重掺杂区的步骤包括：
在部分所述P型轻掺杂区位置注入P型重掺杂离子形成所述P型重掺杂区，所述P型重掺杂离子为硼离子、镓离子或铟离子中的至少一种。
在一实施例中，所述通过离子注入或者扩散方式，形成N型重掺杂区的步骤包括：
通过注入N型重掺杂离子，形成所述N型重掺杂区，所述N型重掺杂离子为硼离子、镓离子或铟离子中的至少一种。
根据本发明的另一方面，本发明还提供一种压力传感器，所述压力传感器包括基底，所述基底内形成有空腔，所述基底上分别设置有压力传感模块和温度传感模块。
在一实施例中，所述压力传感器还包括电隔离区，所述电隔离区设置于所述温度传感模块和压力传感模块之间，所述电隔离区用于对所述温度传感模块和压力传感模块进行电隔离。
在一实施例中，所述基底包括相互拼接的顶硅片和底硅片，所述底硅片上形成有所述空腔，所述压力传感器还包括分别设置于所述顶硅片上下两侧的第一掩蔽层和第二掩蔽层，所述电隔离区的一端与所述第一掩蔽层连接，所述电隔离区的另一端与所述第二掩蔽层连接。
在一实施例中，所述压力传感模块包括两个左P型轻掺杂区、分别设置于两个所述左P型轻掺杂区内的P型重掺杂区，以及设置在所述左P型轻掺杂区一侧的N型重掺杂区，所述P型重掺杂区和N型重掺杂区分别与电极连接；所述温度传感模块为三极管，所述温度传感模块包括N型重掺杂区、右P型轻掺杂区和设置于所述右P型轻掺杂区内的P型重掺杂区，所述P型重掺杂区和N型重掺杂区分别与电极连接。
在一实施例中，所述压力传感器还包括N+层，所述N+层设置于所述第一掩蔽层上，且与所述右P型轻掺杂区面对设置。
在一实施例中，所述压力传感模块包括两个左P型轻掺杂区和分别设置于两个所述左P型轻掺杂区内的P型重掺杂区，所述P型重掺杂区与电极连接；所述温度传感模块为二极管，所述温度传感模块包括右P型轻掺杂区和分别设置于所述右P型轻掺杂区内的P型重掺杂区和N型重掺杂区，所述P型重掺杂区和N型重掺杂区分别与电极连接。
上述方案中，压力传感器的制作方法包括以下步骤：提供一顶硅片，在顶硅片上形成第一掩蔽层；提供一底硅片，在底硅片上形成一空腔；将顶硅片和底硅片键合；将顶硅片减薄抛光，形成一压力传感器的感压薄膜；在感压薄膜制作第二掩蔽层，并进行光刻图形化形成图形层；通过离子注入或者扩散方式，在对应图形层的位置形成多个P型轻掺杂区；在部分P型轻掺杂区位置形成P型重掺杂区；通过离子注入或者扩散方式，形成N型重掺杂区；制作电极与N型重掺杂区和P型重掺杂区连接。本发明的上述实施例，通过离子注入或者扩散的方式分别在硅片上形成P型轻掺杂区、P型重掺杂区和N型重掺杂区，具体地，注入时穿过掩蔽层将离子注入到顶硅片上。由此制作的压力传感器带有温度检测的功能，可以对压力传感器进行温度补偿。该实施例可以在标准压力传感器工艺平台制备温度传感器，通过这种方式，可以将温度传感器制作工艺整合进压力传感器制作工艺，实现压力传感器工艺平台制备温度传感器，实现工艺兼容，具有制作工艺简单、制造成本低的优点；并且相较于普通的半导体电阻，具有更高的灵敏度。本发明提供了一种具有高集成度、高灵敏度、小型化，高通用性、可检测传感器温度，实时温度校准的压力传感器的制作方法。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明第一实施例压力传感器的制作方法的流程示意图；
图2为本发明第二实施例压力传感器的制作方法的流程示意图；
图3为本发明第三实施例压力传感器的制作方法的流程示意图；
图4为本发明第四实施例压力传感器的制作方法的流程示意图；
图5～图8为温度传感模块为三极管时的压力传感器的制作过程中的结构变化图；
图9为温度传感模块为三极管时的压力传感器的的结构示意图；
图10～图13为温度传感模块为二极管时的压力传感器的制作过程中的结构变化图；
图14为温度传感模块为二极管时的压力传感器的的结构示意图。
附图标号说明：
1、顶硅片；2、第一掩蔽层；3、P型轻掺杂子区；4、底硅片；5、空腔；7、左P型轻掺杂区；8、第二掩蔽层；9、右P型轻掺杂区；10、P型重掺杂区；11、N型重掺杂区；12、电隔离区；13、N+层；14、接触孔；15、焊盘；16、保护层；20、压力传感模块；21、温度传感模块。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施方式，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本发明的一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。
需要说明，本发明实施方式中所有方向性指示(诸如上、下……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
并且，本发明各个实施方式之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
参见图1，图1为本发明第一实施例压力传感器的制作方法的流程示意图；并同时参照图5～图13，图5～图8为温度传感模块为三极管时的压力传感器的制作过程中的结构变化图；图10～图13为温度传感模块为二极管时的压力传感器的制作过程中的结构变化图；图5～图13以结构变化的形式形象地体现了压力传感器制作过程中各部件的变化以及实际工艺制作流程。
本发明提供一种压力传感器的制作方法，压力传感器的制作方法包括以下步骤：
S10，提供一顶硅片1，在顶硅片1上形成第一掩蔽层2；
顶硅片1可以采用N型硅片，具体可以是SOI片；在顶硅片1上沉积制作第一掩蔽层2，也可以称为缓冲层或掩膜层，制作材料可以是氧化层、氮化层或氧化层+氮化层的组合物。
S30，提供一底硅片4，在底硅片4上形成一空腔5；将顶硅片1和底硅片4键合；
通过湿法腐蚀等方法在底硅片4上形成一空腔5，作为压力传感器的Cavity空腔5结构，然后将顶硅片1倒扣在底硅片4上，通过高温高压的作用，将顶硅片1与底硅片4键合；
S40，将顶硅片1减薄抛光，形成一压力传感器的感压薄膜；在感压薄膜制作第二掩蔽层8，并进行光刻图形化形成图形层；
顶硅片1和底硅片4键合后，顶硅片1上方的厚度较大，不利于后续加工，因此通过减薄抛光的方式将顶硅片1减薄，减薄后的顶硅片1形成一感压薄膜，在感压薄膜上沉积制作第二掩蔽层8，并行进光刻图形化便于后续离子注入或扩散。
S50，通过离子注入或者扩散方式，在对应图形层的位置形成多个P型轻掺杂区；
通过向顶硅片1的不同位置内注入离子形成多个P型轻掺杂区；
S60，在部分P型轻掺杂区位置形成P型重掺杂区10；
向P型轻掺杂区注入P型重掺杂离子形成P型重掺杂区10；
S70，通过离子注入或者扩散方式，形成N型重掺杂区11；
向预定位置注入N型重掺杂离子形成N型重掺杂区11；
S80，制作电极与N型重掺杂区11和P型重掺杂区10连接。
通过电极分别与N型重掺杂区11和P型重掺杂区10连接便于传递信号。
需要说明的是，本发明的制作的压力传感器是带有温度检测功能的压力传感器。本发明的上述实施例，通过离子注入或者扩散的方式分别在硅片上形成P型轻掺杂区、P型重掺杂区10和N型重掺杂区11，具体地，注入时穿过掩蔽层将离子注入到顶硅片1上。由此制作的压力传感器带有温度检测的功能，可以对压力传感器进行温度补偿。该实施例可以在标准压力传感器工艺平台制备温度传感器，通过这种方式，可以将温度传感器制作工艺整合进压力传感器制作工艺，实现压力传感器工艺平台制备温度传感器，实现工艺兼容，具有制作工艺简单、制造成本低的优点；并且相较于普通的半导体电阻，具有更高的灵敏度。该实施例提供了一种具有高集成度、高灵敏度、小型化，高通用性、可检测传感器温度，实时温度校准的压力传感器的制作方法。
参见图2，图2为本发明第二实施例压力传感器的制作方法的流程示意图；S50的步骤包括：
S501，在对应图形层的位置形成有左P型轻掺杂区7、中间P型轻掺杂区和右P型轻掺杂区9，左P型轻掺杂区7为压力传感器P型轻掺杂区，右P型轻掺杂区9为温度传感器P型轻掺杂区。
S60的步骤包括：
S601，通过离子注入或者扩散方式分别在左P型轻掺杂区7和右P型轻掺杂区9形成P型重掺杂区10。
通过在图形层的位置分别形成左P型轻掺杂区7和右P型轻掺杂区9，并且通过离子注入或者扩散方式分别在左P型轻掺杂区7和右P型轻掺杂区9形成P型重掺杂区10，可以通过同一制作工艺在硅片上同时制作温度传感器和压力传感器，实现两种传感器制作工艺及材料特性的兼容。
参见图3，图3为本发明第三实施例压力传感器的制作方法的流程示意图；S10的步骤之后，还包括步骤：
S20，通过离子注入或者扩散方式，在顶硅片1上形成P型轻掺杂子区3；
通过黄光光刻图形化后，通过离子注入或者扩散等工艺，在掩蔽层下方形成一个P型轻掺杂子区3，作为后续形成电隔离层12的一部分；
在对应图形层的位置形成有左P型轻掺杂区7、中间P型轻掺杂区和右P型轻掺杂区9的步骤还包括：
中间P型轻掺杂区与P型轻掺杂子区3连接形成分隔压力传感器(压力传感模块20)和温度传感器(温度传感模块21)的电隔离区12。
电隔离区12分别两步进行制作，第一步S20中是在顶硅片1上注入离子形成P型轻掺杂子区3，当顶硅片1与底硅片4键合后，因为顶硅片1是倒扣在底硅片4上的，两者键合后，P型轻掺杂子区3位于底硅片4上方或者说是顶硅片1底部；在对顶硅片1减薄后，从顶硅片1的顶部进形离子注入形成中间P型轻掺杂区，中间P型轻掺杂区对应P型轻掺杂子区3的位置，两者相互连接，形成了隔离压力传感器模块20和温度传感器模块21部分的电隔离区12。这种通过两次成型的方式可以实现较深掺杂的结构，又称深节，能够实现压力传感器和温度传感器的电隔离，能确保两种传感器可同时工作并且互不影响。
在一实施例中，当温度传感器为三极管时，通过离子注入或者扩散方式，形成N型重掺杂区11的步骤包括：
通过离子注入或者扩散方式，在右P型轻掺杂区9，右P型轻掺杂区9两侧、以及左P型轻掺杂区7外分别形成N型重掺杂区11。
在一实施例中，在顶硅片1上形成隔离区的步骤还包括：
在顶硅片1上形成隔离区和N+层13，N+层13面对右P型轻掺杂区9设置。在顶硅片1下侧形成一层N+层13，可有效减小BJT温度传感器Collector部分电阻。
在一实施例中，当温度传感器为三极管时，通过离子注入或者扩散方式，形成N型重掺杂区11的步骤包括：
通过离子注入或者扩散方式，在右P型轻掺杂区9形成N型重掺杂区11。
参见图4，图4为本发明第四实施例压力传感器的制作方法的流程示意图；制作电极与N型重掺杂区11和P型重掺杂区10连接的步骤包括：
S801，在N型重掺杂区11和P型重掺杂区10对应位置分别形成接触孔14；
可以通过蚀刻在第二掩蔽层8上形成接触孔14区域；
S802，在接触孔14位置分别制作金属连接线和焊盘15；
在接触孔14区域制作金属层，形成金属连接线及焊盘15结构，金属层的材料可以选择铜或铝等金属；
S803，生长保护层16，蚀刻掉焊盘15位置对应的保护层16以暴露出焊盘15。
在表层生长保护层16，保护层16的材料可以是氮化硅，并将对应焊盘15的位置的保护层16蚀刻掉，将焊盘15表面漏出，焊盘15制作完成后形成电极。
在一实施例中，进行光刻图形化形成图形层的步骤包括：
在第二掩蔽层8上形成一层光刻胶层，通过黄光光刻在光刻胶层上形成图形层。
黄光光刻是将硅片等晶片进行涂胶、软烘、曝光、显影、硬烤，使其光刻出一定图形的工艺，在半导体行业里应用尤其广泛。在压力传感器制作完成后，可以通过加热或其他方式将光刻胶层去除。
在一实施例中，在部分P型轻掺杂区位置形成P型重掺杂区10的步骤包括：
在部分P型轻掺杂区位置注入P型重掺杂离子形成P型重掺杂区10，P型重掺杂离子为硼离子、镓离子或铟离子中的至少一种。
通过离子注入或者扩散方式，形成N型重掺杂区11的步骤包括：
通过注入N型重掺杂离子，形成N型重掺杂区11，N型重掺杂离子为硼离子、镓离子或铟离子中的至少一种。
注入P型重掺杂离子为硼离子、镓离子或铟离子中的至少一种。可以通过离子轰击衬底1的表面的方法实现离子注入。当然，形成P型轻掺杂层注入的离子也可以为硼离子、镓离子或铟离子中的至少一种，只是注入的离子的量不同。N型重掺杂离子为氮离子、磷离子或砷离子中的至少一种。
参照图9和图14，根据本发明的另一方面，本发明还提供一种压力传感器，压力传感器包括基底，基底内形成有空腔5，基底上分别设置有压力传感模块20和温度传感模块21。该压力传感器是同时具备温度检测功能和压力检测功能的传感器，即具备压力传感器的功能和温度传感器的功能，不仅可以达到对压力传感器进行温度补偿，而且可以将二极管或三极管温度传感器制作工艺整合进压力传感器制作工艺，实现压力传感器工艺平台制备温度传感器，实现二极管或三极管结构的同时实现工艺兼容，具有制作工艺简单、制造成本低的优点；并且相较于普通的半导体电阻，具有更高的灵敏度。
在一实施例中，压力传感器还包括电隔离区12，电隔离区12设置于温度传感模块21和压力传感模块20之间，电隔离区12用于对温度传感模块21和压力传感模块20进行电隔离。压力传感器设置有电隔离区12，能够实现压力传感器和温度传感器的电隔离，能确保两种传感器可同时工作并且互不影响，提高检测灵敏度。
在一实施例中，基底包括相互拼接的顶硅片1和底硅片4，底硅片4上形成有空腔5，压力传感器还包括分别设置于顶硅片1上下两侧的第一掩蔽层2和第二掩蔽层8，电隔离区12的一端与第一掩蔽层2连接，电隔离区12的另一端与第二掩蔽层8连接。电隔离区12贯穿顶硅片1，将顶硅片1分隔为温度传感模块21和压力传感模块20，通过两次注射或扩散方式对顶硅片1的上下两侧注入掺杂离子，并且这种通过两次成型的方式可以实现较深掺杂的结构，又称深节，实现了贯穿顶硅片1的电隔离层，电隔离效果好。当然，在第二掩蔽层8上还设置有保护层16.
参照图9，在一实施例中，压力传感器的温度传感模块21可以是三级管，对应的具体结构为：压力传感模块20包括两个左P型轻掺杂区7、分别设置于两个左P型轻掺杂区7内的P型重掺杂区10，以及设置在左P型轻掺杂区7一侧的N型重掺杂区11，P型重掺杂区10和N型重掺杂区11分别与电极连接；温度传感模块21为三极管，温度传感模块21包括N型重掺杂区11、右P型轻掺杂区9和设置于右P型轻掺杂区9内的P型重掺杂区10，P型重掺杂区10和N型重掺杂区11分别与电极连接。
在一实施例中，压力传感器还包括N+层13，N+层13设置于第一掩蔽层2上，且与右P型轻掺杂区9面对设置。在顶硅片1下侧形成一层N+层13，可有效减小BJT温度传感器Collector部分电阻。
参照图14，在一实施例中，压力传感器的温度传感模块21可以是二级管，对应的具体结构为：压力传感模块20包括两个左P型轻掺杂区7和分别设置于两个左P型轻掺杂区7内的P型重掺杂区10，P型重掺杂区10与电极连接；温度传感模块21为二极管，温度传感模块21包括右P型轻掺杂区9和分别设置于右P型轻掺杂区9内的P型重掺杂区10和N型重掺杂区11，P型重掺杂区10和N型重掺杂区11分别与电极连接。
以上仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的技术构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围。
Claims (16)
1.一种压力传感器的制作方法，其特征在于，所述压力传感器的制作方法包括以下步骤：
提供一顶硅片，在所述顶硅片上形成第一掩蔽层；
提供一底硅片，在所述底硅片上形成一空腔；将所述顶硅片和所述底硅片键合；
将所述顶硅片减薄抛光，形成一压力传感器的感压薄膜；在所述感压薄膜制作第二掩蔽层，并进行光刻图形化形成图形层；
通过离子注入或者扩散方式，在对应所述图形层的位置形成多个P型轻掺杂区；
在部分所述P型轻掺杂区位置形成P型重掺杂区；
通过离子注入或者扩散方式，形成N型重掺杂区；
制作电极分别与所述N型重掺杂区和所述P型重掺杂区连接。
2.根据权利要求1所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述在所述图形层区形成多个P型轻掺杂区的步骤包括：
在对应所述图形层的位置形成有左P型轻掺杂区、中间P型轻掺杂区和右P型轻掺杂区，所述左P型轻掺杂区为压力传感器P型轻掺杂区，所述右P型轻掺杂区为温度传感器P型轻掺杂区；
所述在部分所述P型轻掺杂区位置形成P型重掺杂区的步骤包括：
通过离子注入或者扩散方式分别在所述左P型轻掺杂区和所述右P型轻掺杂区形成所述P型重掺杂区。
3.根据权利要求2所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述在所述顶硅片上形成第一掩蔽层的步骤之后，还包括步骤：
通过离子注入或者扩散方式，在所述顶硅片上形成P型轻掺杂子区；
所述在对应所述图形层的位置形成有左P型轻掺杂区、中间P型轻掺杂区和右P型轻掺杂区的步骤还包括：
所述中间P型轻掺杂区与所述P型轻掺杂子区连接形成分隔所述压力传感器和所述温度传感器的电隔离区。
4.根据权利要求1所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述通过离子注入或者扩散方式，形成N型重掺杂区的步骤包括：
通过离子注入或者扩散方式，在所述右P型轻掺杂区，所述右P型轻掺杂区两侧、以及所述左P型轻掺杂区外分别形成所述N型重掺杂区。
5.根据权利要求4所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述在所述顶硅片上形成隔离区的步骤还包括：
在所述顶硅片上形成隔离区和N+层，所述N+层与所述右P型轻掺杂区面对设置。
6.根据权利要求1所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述通过离子注入或者扩散方式，形成N型重掺杂区的步骤包括：
通过离子注入或者扩散方式，在所述右P型轻掺杂区形成所述N型重掺杂区。
7.根据权利要求1所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述制作电极与所述N型重掺杂区和所述P型重掺杂区连接的步骤包括：
在所述N型重掺杂区和所述P型重掺杂区对应位置分别形成接触孔；
在所述接触孔位置分别制作金属连接线和焊盘；
生长保护层，蚀刻掉焊盘位置对应的所述保护层以暴露出焊盘。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述进行光刻图形化形成图形层的步骤包括：
在所述第二掩蔽层上形成一层光刻胶层，通过黄光光刻在所述光刻胶层上形成所述图形层。
9.根据权利要求1～7中任一项所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述在部分所述P型轻掺杂区位置形成P型重掺杂区的步骤包括：
在部分所述P型轻掺杂区位置注入P型重掺杂离子形成所述P型重掺杂区，所述P型重掺杂离子为硼离子、镓离子或铟离子中的至少一种。
10.根据权利要求1～7中任一项所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述通过离子注入或者扩散方式，形成N型重掺杂区的步骤包括：
通过注入N型重掺杂离子，形成所述N型重掺杂区，所述N型重掺杂离子为硼离子、镓离子或铟离子中的至少一种。
11.一种压力传感器，其特征在于，所述压力传感器包括基底，所述基底内形成有空腔，所述基底上分别设置有压力传感模块和温度传感模块。
12.根据权利要求11所述的压力传感器，其特征在于，所述压力传感器还包括电隔离区，所述电隔离区设置于所述温度传感模块和压力传感模块之间，所述电隔离区用于对所述温度传感模块和压力传感模块进行电隔离。
13.根据权利要求12所述的压力传感器，其特征在于，所述基底包括相互拼接的顶硅片和底硅片，所述底硅片上形成有所述空腔，所述压力传感器还包括分别设置于所述顶硅片上下两侧的第一掩蔽层和第二掩蔽层，所述电隔离区的一端与所述第一掩蔽层连接，所述电隔离区的另一端与所述第二掩蔽层连接。
14.根据权利要求11～13中任一项所述的压力传感器，其特征在于，所述压力传感模块包括两个左P型轻掺杂区、分别设置于两个所述左P型轻掺杂区内的P型重掺杂区，以及设置在所述左P型轻掺杂区一侧的N型重掺杂区，所述P型重掺杂区和N型重掺杂区分别与电极连接；所述温度传感模块为三极管，所述温度传感模块包括N型重掺杂区、右P型轻掺杂区和设置于所述右P型轻掺杂区内的P型重掺杂区，所述P型重掺杂区和N型重掺杂区分别与电极连接。
15.根据权利要求14所述的压力传感器，其特征在于，所述压力传感器还包括N+层，所述N+层设置于所述第一掩蔽层上，且与所述右P型轻掺杂区面对设置。
16.根据权利要求11～13中任一项所述的压力传感器，其特征在于，所述压力传感模块包括两个左P型轻掺杂区和分别设置于两个所述左P型轻掺杂区内的P型重掺杂区，所述P型重掺杂区与电极连接；所述温度传感模块为二极管，所述温度传感模块包括右P型轻掺杂区和分别设置于所述右P型轻掺杂区内的P型重掺杂区和N型重掺杂区，所述P型重掺杂区和N型重掺杂区分别与电极连接。
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