CN115956287A - 高频模块以及通信装置 - Google Patents

高频模块以及通信装置 Download PDF

Info

Publication number
CN115956287A
CN115956287A CN202180051220.5A CN202180051220A CN115956287A CN 115956287 A CN115956287 A CN 115956287A CN 202180051220 A CN202180051220 A CN 202180051220A CN 115956287 A CN115956287 A CN 115956287A
Authority
CN
China
Prior art keywords
main surface
disposed
filter
power amplifier
inductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180051220.5A
Other languages
English (en)
Inventor
上岛孝纪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN115956287A publication Critical patent/CN115956287A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/68—Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/46—Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/006—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using switches for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B1/0475—Circuits with means for limiting noise, interference or distortion
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/50—Circuits using different frequencies for the two directions of communication
    • H04B1/52—Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa
    • H04B1/525—Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa with means for reducing leakage of transmitter signal into the receiver
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/111—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/171—A filter circuit coupled to the output of an amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7209—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched from a first band to a second band
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B2001/0408—Circuits with power amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Abstract

高频模块(1A)具备：功率放大器(11、12及13)，配置于模块基板(91)的主面(91a)；发送滤波器(61T)，与功率放大器(11)的输出端子连接，使通信频段A的发送信号通过；发送滤波器(63T)，与功率放大器(12)的输出端子连接，使通信频段C的发送信号通过；发送滤波器(65T)，与功率放大器(13)的输出端子连接，使通信频段E的发送信号通过；树脂构件(92)，覆盖主面(91a)；金属屏蔽层(95)，覆盖树脂构件(92)的表面；金属屏蔽板(80)，配置在主面(91a)上且配置在功率放大器(11)与功率放大器(12)之间，并且配置在功率放大器(11)与功率放大器(13)之间，金属屏蔽板(80)与主面(91a)的第1接地电极以及金属屏蔽层(95)相接。

Description

高频模块以及通信装置
技术领域
本发明涉及高频模块以及通信装置。
背景技术
在便携式电话等移动体通信设备中，特别是，伴随多频段化的进展，构成高频前端电路的电路元件的配置结构复杂化。
在专利文献1公开了一种收发机(收发电路)的电路结构，其具备多个发送机(发送路径)以及多个接收机(接收路径)、和配置在该多个发送机以及多个接收机与天线之间的开关式共用器(switchplexer)(天线开关)。上述多个发送机分别具有发送电路、PA(发送功率放大器)、以及输出电路，上述多个接收机分别具有接收电路、LNA(接收低噪声放大器)、以及输入电路。输出电路包含发送滤波器、阻抗匹配电路、以及双工器等，输入电路包含接收滤波器、阻抗匹配电路、以及双工器等。根据上述结构，通过开关式共用器的切换动作，能够执行同时发送、同时接收、或者同时收发。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特表2014-522216号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在由搭载于移动体通信设备的高频模块构成专利文献1公开的收发机(收发电路)的情况下，有时由PA(发送功率放大器)放大后的高输出的发送信号的谐波重叠于发送信号，发送信号的品质下降。此外，有时分别配置于发送路径以及接收路径的电感器彼此电磁场耦合从而收发间的隔离度下降，发送信号的谐波、或者发送信号和其他高频信号的互调失真等的无用波流入接收路径从而接收灵敏度劣化。
本发明为了解决上述问题而作，目的在于，提供一种发送信号或者接收信号的品质劣化得到了抑制的高频模块以及通信装置。
用于解决问题的技术方案
为了达到上述目的，本发明的一个方式涉及的高频模块具备：模块基板，具有第1主面；第1功率放大器，配置于第1主面；第2功率放大器，配置于第1主面；第3功率放大器，配置于第1主面；第1滤波器，与第1功率放大器的输出端子连接，使第1通信频段的发送信号通过；第2滤波器，与第2功率放大器的输出端子连接，使与第1通信频段不同的第2通信频段的发送信号通过；第3滤波器，与第3功率放大器的输出端子连接，使与第1通信频段以及第2通信频段不同的第3通信频段的发送信号通过；树脂构件，覆盖第1主面的至少一部分；金属屏蔽层，覆盖树脂构件的表面，被设定为接地电位；第1金属屏蔽板，配置在第1主面上，且在俯视模块基板的情况下配置在第1功率放大器与第2功率放大器之间；和第2金属屏蔽板，配置在第1主面上，且在俯视模块基板的情况下配置在第1功率放大器与第3功率放大器之间，第1金属屏蔽板与第1主面的第1接地电极以及金属屏蔽层相接，第2金属屏蔽板与第1主面的第2接地电极以及金属屏蔽层相接。
发明效果
根据本发明，能够提供一种发送信号或者接收信号的品质劣化得到了抑制的高频模块以及通信装置。
附图说明
图1是实施方式涉及的高频模块以及通信装置的电路结构图。
图2是实施例1涉及的高频模块的俯视图以及剖视图。
图3是实施例2涉及的高频模块的俯视图以及剖视图。
图4A是实施例3涉及的高频模块的俯视图。
图4B是实施例3涉及的高频模块的剖视图。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式详细地进行说明。另外，以下说明的实施方式示出总括性或者具体的例子。此外，以下的实施方式以及实施例中示出的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等为一个例子，其主旨并不是限定本发明。此外，关于以下的实施例中的构成要素之中未记载于独立权利要求的构成要素，作为任意的构成要素进行说明。此外，附图所示的构成要素的大小或者大小之比未必严谨。在各图中，对于实质上相同的结构标注相同的附图标记，有时省略或者简化重复的说明。
此外，以下，平行以及垂直等表示要素间的关系性的术语、和矩形形状等表示要素的形状的术语、以及数值范围并非仅表示严格的意思，而意味着实质上等同的范围、例如还包含几％程度的差异。
在以下的各图中，x轴以及y轴是在与模块基板的主面平行的平面上相互正交的轴。此外，z轴是与模块基板的主面垂直的轴，其正方向表示上方向，其负方向表示下方向。
此外，在本公开的电路结构中，所谓“连接”，不仅包含通过连接端子以及/或者布线导体而直接连接的情况，还包含经由其他电路部件而电连接的情况。此外，所谓“连接在A与B之间”，意味着在A与B之间与A以及B双方连接。
此外，在本公开的模块结构中，所谓“俯视”，意味着从z轴正方向侧向xy平面对物体进行正投影来观察。所谓“部件配置于基板的主面”，除了部件以与基板的主面接触的状态配置在主面上之外，还包含部件不与主面接触地配置在主面的上方、以及部件的一部分从主面侧嵌入基板内而配置。所谓“A配置在B与C之间”，意味着将B内的任意的点和C内的任意的点连结的多个线段之中的至少1个通过A。此外，“平行”以及“垂直”等表示要素间的关系性的术语、以及“矩形”等表示要素的形状的术语并非仅表示严格的意思，而意味着实质上等同的范围、例如还包含几％程度的误差。
此外，以下，所谓“发送路径”，意味着由传输高频发送信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或者该电极直接连接的端子等构成的传输线路。此外，所谓“接收路径”，意味着由传输高频接收信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或者该电极直接连接的端子等构成的传输线路。此外，所谓“收发路径”，意味着由传输高频发送信号以及高频接收信号双方的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或者该电极直接连接的端子等构成的传输线路。
(实施方式)
[1高频模块1以及通信装置5的电路结构]
图1是实施方式涉及的高频模块1以及通信装置5的电路结构图。如该图所示，通信装置5具备高频模块1、天线2a、2b以及2c、RF信号处理电路(RFIC)3、和基带信号处理电路(BBIC)4。
RFIC3是对由天线2a～2c收发的高频信号进行处理的RF信号处理电路。具体地，RFIC3通过下变频等对经由高频模块1的接收路径而输入的接收信号进行信号处理，并将该进行信号处理而生成的接收信号向BBIC4输出。此外，RFIC3通过上变频等对从BBIC4输入的发送信号进行信号处理，并将该进行信号处理而生成的发送信号输出到高频模块1的发送路径。
BBIC4是利用比在高频模块1传播的高频信号低频的中间频带来进行信号处理的电路。由BBIC4处理后的信号，例如，作为用于图像显示的图像信号被使用，或者，为了经由扬声器的通话而作为声音信号被使用。
此外，RFIC3还具有作为基于被使用的通信频段(频带)对高频模块1所具有的开关51、52、53、54、55、56、57以及58的连接进行控制的控制部的功能。具体地，RFIC3根据控制信号(未图示)对高频模块1所具有的开关51～58的连接进行切换。另外，控制部也可以设置在RFIC3的外部，例如，也可以设置于高频模块1或者BBIC4。
天线2a与高频模块1的天线连接端子101连接，天线2b与高频模块1的天线连接端子102连接，天线2c与高频模块1的天线连接端子103连接。天线2a～2c辐射从高频模块1输出的高频信号，此外，接收来自外部的高频信号并向高频模块1输出。
另外，在本实施方式涉及的通信装置5中，天线2a～2c以及BBIC4并非必须的构成要素。
接着，对高频模块1的详细的结构进行说明。
如图1所示，高频模块1具备功率放大器11、12以及13、低噪声放大器21、22以及23、发送滤波器61T、62T、63T、64T、65T以及66T、接收滤波器61R、62R、63R、64R、65R以及66R、匹配电路31、32、33、41、42以及43、开关51、52、53、54、55、56、57以及58、天线连接端子101、102以及103、发送输入端子111、112以及113、和接收输出端子121、122以及123。
功率放大器11是第1功率放大器的一个例子，对通信频段A以及B的发送信号进行放大。功率放大器11的输入端子与发送输入端子111连接，功率放大器11的输出端子经由匹配电路31以及开关51而与发送滤波器61T以及62T连接。
功率放大器12是第2功率放大器的一个例子，对比通信频段A以及B靠高频侧的通信频段C以及D的发送信号进行放大。功率放大器12的输入端子与发送输入端子112连接，功率放大器12的输出端子经由匹配电路32以及开关52而与发送滤波器63T以及64T连接。
功率放大器13是第3功率放大器的一个例子，对比通信频段A以及B靠高频侧的通信频段E以及F的发送信号进行放大。功率放大器13的输入端子与发送输入端子113连接，功率放大器13的输出端子经由匹配电路33以及开关53而与发送滤波器65T以及66T连接。
另外，通信频段A以及B是第1通信频段的一个例子，例如为属于低频段组的通信频段。通信频段C以及D是第2通信频段的一个例子，例如为属于中频段组的通信频段。通信频段E以及F是第3通信频段的一个例子，例如为属于高频段组的通信频段。
低频段组是由对应于4G以及5G的多个通信频段构成的频带组，例如，具有1GHz以下的频率范围。作为低频段组的通信频段A以及B，例如，可应用LTE(Long Term Evolution，长期演进)的Band5(发送频带：824～849MHz，接收频带：869～894MHz)、Band8(发送频带：880～915MHz，接收频带：925～960MHz)、以及Band28(发送频带：703～748MHz，接收频带：753～803MHz)等的通信频段。
中频段组是由对应于4G以及5G的多个通信频段构成的频带组，例如，具有1.5～2.2GHz的频率范围。作为中频段组的通信频段C以及D，例如，可应用LTE的Bandl(发送频带：1920～1980MHz，接收频带：2110～2170MHz)、Band39(收发频带：1880～1920MHz)、以及Band66(发送频带：1710～1780MHz，接收频带：2110～2200MHz)等的通信频段。
高频段组是由对应于4G以及5G的多个通信频段构成的频带组，例如，具有2.4～2.8GHz的频率范围。作为高频段组的通信频段E以及F，例如，可应用LTE的Band7(发送频带：2500～2570MHz，接收频带：2620～2690MHz)、以及Band41(收发频带：2496～2690MHz)等的通信频段。
另外，通信频段A～F分别意味着由标准化组织等(例如，3GPP、IEEE(Institute ofElectrical and Electronics Engineers，电气和电子工程师协会)等)为使用无线接入技术(RAT：Radio Access Technology)构建的通信***而预先定义的频率段。在本实施方式中，作为通信***，例如能够使用LTE***、5GNR***、以及WLAN(Wireless Local AreaNetwork，无线局域网)***等，但并不限定于这些。
此外，通信频段A～F分别由发送频带以及接收频带构成。在此，所谓发送频带，意味着通信频段之中的被指定为上行链路用的频率范围。此外，所谓接收频带，意味着通信频段之中的被指定为下行链路用的频率范围。
低噪声放大器21是第1低噪声放大器的一个例子，以低噪声对通信频段A以及B的接收信号进行放大。低噪声放大器21的输入端子经由匹配电路41以及开关54而与接收滤波器61R以及62R连接，低噪声放大器21的输出端子与接收输出端子121连接。
低噪声放大器22是第2低噪声放大器的一个例子，以低噪声对通信频段C以及D的接收信号进行放大。低噪声放大器22的输入端子经由匹配电路42以及开关55而与接收滤波器63R以及64R连接，低噪声放大器22的输出端子与接收输出端子122连接。
低噪声放大器23是第3低噪声放大器的一个例子，以低噪声对通信频段E以及F的接收信号进行放大。低噪声放大器23的输入端子经由匹配电路43以及开关56而与接收滤波器65R以及66R连接，低噪声放大器23的输出端子与接收输出端子123连接。
发送滤波器61T是第1滤波器的一个例子，配置于将发送输入端子111和开关57连结的发送路径AT，经由开关51以及匹配电路31而与功率放大器11连接。发送滤波器61T使由功率放大器11放大后的发送信号之中的通信频段A的发送频带的发送信号通过。
发送滤波器62T是第1滤波器的一个例子，配置于将发送输入端子111和开关57连结的发送路径BT，经由开关51以及匹配电路31而与功率放大器11连接。发送滤波器62T使由功率放大器11放大后的发送信号之中的通信频段B的发送频带的发送信号通过。另外，发送路径AT以及BT是传输低频段组的发送信号的第1发送路径的一个例子。
发送滤波器63T是第2滤波器的一个例子，配置于将发送输入端子112和开关58连结的发送路径CT，经由开关52以及匹配电路32而与功率放大器12连接。发送滤波器63T使由功率放大器12放大后的发送信号之中的通信频段C的发送频带的发送信号通过。
发送滤波器64T是第2滤波器的一个例子，配置于将发送输入端子112和开关58连结的发送路径DT，经由开关52以及匹配电路32而与功率放大器12连接。发送滤波器64T使由功率放大器12放大后的发送信号之中的通信频段D的发送频带的发送信号通过。另外，发送路径CT以及DT是传输中频段组的发送信号的第2发送路径的一个例子。
发送滤波器65T是第3滤波器的一个例子，配置于将发送输入端子113和开关58连结的发送路径ET，经由开关53以及匹配电路33而与功率放大器13连接。发送滤波器65T使由功率放大器13放大后的发送信号之中的通信频段E的发送频带的发送信号通过。
发送滤波器66T是第3滤波器的一个例子，配置于将发送输入端子113和开关58连结的发送路径FT，经由开关53以及匹配电路33而与功率放大器13连接。发送滤波器66T使由功率放大器13放大后的发送信号之中的通信频段F的发送频带的发送信号通过。另外，发送路径ET以及FT是传输高频段组的发送信号的第3发送路径的一个例子。
接收滤波器61R配置于将开关57和接收输出端子121连结的接收路径AR，经由开关54以及匹配电路41而与低噪声放大器21连接。接收滤波器61R使从天线连接端子101输入的接收信号之中的通信频段A的接收频带的接收信号通过。
接收滤波器62R配置于将开关57和接收输出端子121连结的接收路径BR，经由开关54以及匹配电路41而与低噪声放大器21连接。接收滤波器62R使从天线连接端子101输入的接收信号之中的通信频段B的接收频带的接收信号通过。另外，接收路径AR以及BR是传输低频段组的接收信号的第1接收路径的一个例子。
接收滤波器63R是第4滤波器的一个例子，配置于将开关58和接收输出端子122连结的接收路径CR，经由开关55以及匹配电路42而与低噪声放大器22连接。接收滤波器63R使从天线连接端子102或者103输入的接收信号之中的通信频段C的接收频带的接收信号通过。
接收滤波器64R是第4滤波器的一个例子，配置于将开关58和接收输出端子122连结的接收路径DR，经由开关55以及匹配电路42而与低噪声放大器22连接。接收滤波器64R使从天线连接端子102或者103输入的接收信号之中的通信频段D的接收频带的接收信号通过。另外，接收路径CR以及DR是传输中频段组的接收信号的第2接收路径的一个例子。
接收滤波器65R是第5滤波器的一个例子，配置于将开关58和接收输出端子123连结的接收路径ER，经由开关56以及匹配电路43而与低噪声放大器23连接。接收滤波器65R使从天线连接端子102或者103输入的接收信号之中的通信频段E的接收频带的接收信号通过。
接收滤波器66R是第5滤波器的一个例子，配置于将开关58和接收输出端子123连结的接收路径FR，经由开关56以及匹配电路43而与低噪声放大器23连接。接收滤波器66R使从天线连接端子102或者103输入的接收信号之中的通信频段F的接收频带的接收信号通过。另外，接收路径ER以及FR是传输高频段组的接收信号的第3接收路径的一个例子。
发送滤波器61T以及接收滤波器61R构成了将通信频段A作为通带的双工器61。此外，发送滤波器62T以及接收滤波器62R构成了将通信频段B作为通带的双工器62。此外，发送滤波器63T以及接收滤波器63R构成了将通信频段C作为通带的双工器63。此外，发送滤波器64T以及接收滤波器64R构成了将通信频段D作为通带的双工器64。此外，发送滤波器65T以及接收滤波器65R构成了将通信频段E作为通带的双工器65。此外，发送滤波器66T以及接收滤波器66R构成了将通信频段F作为通带的双工器66。
另外，在本实施方式涉及的高频模块1中，各通信频段的发送滤波器以及接收滤波器构成了以频分双工(FDD：Frequency Division Duplex)方式传输发送信号和接收信号的双工器，但也可以以时分双工(TDD：Time Division Duplex)方式传输发送信号和接收信号。在该情况下，在发送滤波器以及接收滤波器的前级以及后级的至少一者配置对发送以及接收进行切换的开关。
另外，上述的发送滤波器61T～66T以及接收滤波器61R～66R例如也可以是声表面波滤波器、使用了BAW(Bulk Acoustic Wave，体声波)的弹性波滤波器、LC谐振滤波器、以及电介质滤波器的任一者，进而，并不限定于这些。
匹配电路31连接在功率放大器11与发送滤波器61T以及62T之间，取得功率放大器11与发送滤波器61T以及62T的阻抗匹配。匹配电路31至少包含第1电感器。
匹配电路32连接在功率放大器12与发送滤波器63T以及64T之间，取得功率放大器12与发送滤波器63T以及64T的阻抗匹配。匹配电路32至少包含第2电感器。
匹配电路33连接在功率放大器13与发送滤波器65T以及66T之间，取得功率放大器13与发送滤波器65T以及66T的阻抗匹配。匹配电路33至少包含第3电感器。
匹配电路41连接在低噪声放大器21与接收滤波器61R以及62R之间，取得低噪声放大器21与接收滤波器61R以及62R的阻抗匹配。
匹配电路42连接在低噪声放大器22与接收滤波器63R以及64R之间，取得低噪声放大器22与接收滤波器63R以及64R的阻抗匹配。匹配电路42至少包含第4电感器。
匹配电路43连接在低噪声放大器23与接收滤波器65R以及66R之间，取得低噪声放大器23与接收滤波器65R以及66R的阻抗匹配。匹配电路43至少包含第5电感器。
开关51连接在匹配电路31与发送滤波器61T以及62T之间，对功率放大器11和发送滤波器61T的连接、以及功率放大器11和发送滤波器62T的连接进行切换。开关51例如由公共端子与匹配电路31连接、一个选择端子与发送滤波器61T连接且另一个选择端子与发送滤波器62T连接的、SPDT(Single Pole Double Throw，单刀双掷)型的开关电路构成。
开关52连接在匹配电路32与发送滤波器63T以及64T之间，对功率放大器12和发送滤波器63T的连接、以及功率放大器12和发送滤波器64T的连接进行切换。开关52例如由公共端子与匹配电路32连接、一个选择端子与发送滤波器63T连接且另一个选择端子与发送滤波器64T连接的SPDT型的开关电路构成。
开关53连接在匹配电路33与发送滤波器65T以及66T之间，对功率放大器13和发送滤波器65T的连接、以及功率放大器13和发送滤波器66T的连接进行切换。开关53例如由公共端子与匹配电路33连接、一个选择端子与发送滤波器65T连接且另一个选择端子与发送滤波器66T连接的SPDT型的开关电路构成。
开关54连接在匹配电路41与接收滤波器61R以及62R之间，对低噪声放大器21和接收滤波器61R的连接、以及低噪声放大器21和接收滤波器62R的连接进行切换。开关54例如由公共端子与匹配电路41连接、一个选择端子与接收滤波器61R连接且另一个选择端子与接收滤波器62R连接的SPDT型的开关电路构成。
开关55连接在匹配电路42与接收滤波器63R以及64R之间，对低噪声放大器22和接收滤波器63R的连接、以及低噪声放大器22和接收滤波器64R的连接进行切换。开关55例如由公共端子与匹配电路42连接、一个选择端子与接收滤波器63R连接且另一个选择端子与接收滤波器64R连接的SPDT型的开关电路构成。
开关56连接在匹配电路43与接收滤波器65R以及66R之间，对低噪声放大器23和接收滤波器65R的连接、以及低噪声放大器23和接收滤波器66R的连接进行切换。开关56例如由公共端子与匹配电路43连接、一个选择端子与接收滤波器65R连接且另一个选择端子与接收滤波器66R连接的SPDT型的开关电路构成。
开关57连接在天线连接端子101与双工器61以及62之间，对天线2a和双工器61的连接、以及天线2a和双工器62的连接进行切换。开关57例如由公共端子与天线连接端子101连接、一个选择端子与双工器61连接且另一个选择端子与双工器62连接的SPDT型的开关电路构成。
开关58连接在天线连接端子102以及103与双工器63～66之间，对天线2b和双工器63～66的连接、以及天线2c和双工器63～66的连接进行切换。开关58例如由一个公共端子与天线连接端子102连接、另一个公共端子与天线连接端子103连接、第1选择端子与双工器63连接、第2选择端子与双工器64连接、第3选择端子与双工器65连接且第4选择端子与双工器66连接的、DP4T(Double Pole 4 Throw，双刀四掷)型的开关电路构成。
此外，功率放大器11～13、以及低噪声放大器21～23例如由以Si系的CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)或者GaAs为材料的、场效应型晶体管(FET)或者异质结双极晶体管(HBT)等构成。
此外，低噪声放大器21、开关54以及57也可以形成于1个半导体IC(IntegratedCircuit，集成电路)。此外，低噪声放大器22、23、开关55、56以及58也可以形成于1个半导体IC。上述的半导体IC例如由CMOS构成。具体地，通过SOI(Silicon On Insulator，绝缘体上硅)工艺而构成。由此，能够廉价地制造半导体IC。另外，半导体IC也可以由GaAs、SiGe以及GaN的至少任一者构成。由此，能够输出具有高品质的放大性能以及噪声性能的高频信号。
在高频模块1的上述电路结构中，功率放大器11、匹配电路31、开关51、发送滤波器61T以及62T、和开关57构成朝向天线连接端子101输出低频段组(通信频段A以及通信频段B)的发送信号的第1发送电路。此外，功率放大器12、匹配电路32、开关52、发送滤波器63T以及64T、和开关58构成朝向天线连接端子102或者103输出中频段组(通信频段C以及通信频段D)的发送信号的第2发送电路。此外，功率放大器13、匹配电路33、开关53、发送滤波器65T以及66T、和开关58构成朝向天线连接端子102或者103输出高频段组(通信频段E以及通信频段F)的发送信号的第3发送电路。
此外，低噪声放大器21、匹配电路41、开关54、接收滤波器61R以及62R、和开关57构成从天线2a经由天线连接端子101输入低频段组(通信频段A以及通信频段B)的接收信号的第1接收电路。此外，低噪声放大器22、匹配电路42、开关55、接收滤波器63R以及64R、和开关58构成从天线2b或者2c经由天线连接端子102或者103输入中频段组(通信频段C以及通信频段D)的接收信号的第2接收电路。此外，低噪声放大器23、匹配电路43、开关56、接收滤波器65R以及66R、和开关58构成从天线2b或者2c经由天线连接端子102或者103输入高频段组(通信频段E以及通信频段F)的接收信号的第3接收电路。
第1发送电路和第1接收电路构成传输低频段组的高频信号的第1传输电路。此外，第2发送电路和第2接收电路构成传输中频段组的高频信号的第2传输电路。此外，第3发送电路和第3接收电路构成传输高频段组的高频信号的第3传输电路。
根据上述电路结构，本实施方式涉及的高频模块1对于低频段组的高频信号、中频段组的高频信号、以及高频段组的高频信号之中的至少2个，能够执行同时发送、同时接收、以及同时收发的至少任一者。
另外，在本发明涉及的高频模块中，发送电路以及接收电路也可以不经由开关57以及58而与天线连接端子101～103连接，上述发送电路以及上述接收电路也可以经由不同的端子而与天线2a～2c连接。此外，作为本发明涉及的高频模块的电路结构，只要至少具有功率放大器11～13以及发送滤波器61T、63T以及65T即可。
此外，天线2a～2c也可以为1个天线。在该情况下，上述1个天线和双工器61～66也可以经由开关连接。进而，在上述1个天线与上述开关之间，也可以配置有对低频段组的信号、中频段组的信号、高频段组的信号进行分波以及合波的三工器。
在此，在使构成上述高频模块1的各电路元件由1个模块来构成的情况下，例如，有时低频段组的由功率放大器11放大后的高输出的发送信号的谐波重叠于中频段组或者高频段组的发送信号，发送信号的品质下降。
此外，例如，有时低频段组的发送信号的谐波流入中频段组的第2接收电路或者高频段组的第3接收电路从而第2接收电路或者第3接收电路的接收灵敏度劣化。例如，可列举由功率放大器11放大后的发送信号的谐波的频率与中频段组或者高频段组的频率范围的至少一部分重复的情况。此外，例如，可列举由功率放大器11放大后的发送信号和其他高频信号的互调失真的频率与中频段组或者高频段组的频率范围的至少一部分重复的情况。即，是低频段组的信号的m(m为2以上的整数)次谐波的频率包含于中频段组的频率范围，低频段组的信号的n(n为2以上的整数)次谐波的频率包含于高频段组的频率范围的情况。
与之相对，在本实施方式涉及的高频模块1中，具有对低频段组的第1发送电路和中频段组的第2传输电路以及高频段组的第3传输电路的电磁场耦合进行抑制的结构。以下，对本实施方式涉及的高频模块1的抑制上述电磁场耦合的结构进行说明。
[2实施例1涉及的高频模块1A的电路部件配置结构]
图2是实施例1涉及的高频模块1A的俯视图以及剖视图。在图2的右侧示出了从z轴正方向侧观察模块基板91的主面91a的情况下的电路部件的配置图。此外，在图2的左侧示出了图2的右图的II-II线处的剖视图。高频模块1A具体地示出了构成实施方式涉及的高频模块1的各电路部件的配置结构。
如图2所示，本实施例涉及的高频模块1A除了具有图1所示的电路结构以外，还具有模块基板91、金属屏蔽板80、金属屏蔽层95、树脂构件92、和外部连接端子150。
模块基板91是具有主面91a(第1主面)并在主面91a上安装第1～第3传输电路的基板。作为模块基板91，例如，可使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(LowTemperature Co-fired Ceramics：LTCC)基板、高温共烧陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramics：HTCC)基板、部件内置基板、具有重布线层(Redistribution Layer：RDL)的基板、或者印刷基板等。
树脂构件92配置于模块基板91的主面91a，覆盖构成第1～第3传输电路的电路部件的至少一部分、和模块基板91的主面91a，具有确保上述电路部件的机械强度以及耐湿性等可靠性的功能。
外部连接端子150配置于模块基板91的主面91b。高频模块1A经由多个外部连接端子150而与配置在高频模块1A的z轴负方向侧的外部基板进行电信号的交换。此外，多个外部连接端子150之中的接地端子150g被设定为外部基板的接地电位。另外，如图2所示，外部连接端子150既可以是形成于主面91b的平面电极，此外，也可以是形成在主面91b上的凸块电极。
如图2所示，在本实施例涉及的高频模块1A中，功率放大器11～13、低噪声放大器21～23、双工器61～66、匹配电路31～33、41～43、以及开关51～58配置于模块基板91的主面91a。另外，低噪声放大器21～23、双工器61～66以及开关51～58也可以配置于模块基板91的主面91a以及91b的任意者。
另外，虽然在图2中未图示，但构成图1所示的发送路径AT～FT以及接收路径AR～FR的布线形成于模块基板91的内部、主面91a以及91b。此外，上述布线既可以是两端与主面91a、91b以及构成高频模块1A的电路元件的任意者接合的接合引线，此外，也可以是形成在构成高频模块1A的电路元件的表面上的端子、电极或者布线。
金属屏蔽层95覆盖树脂构件92的表面，被设定为接地电位。金属屏蔽层95例如是通过溅射法形成的金属薄膜。
金属屏蔽板80是第1金属屏蔽板以及第2金属屏蔽板的一个例子，是从主面91a朝向树脂构件92的z轴正方向侧的顶面而竖立设置的金属壁体。金属屏蔽板80与主面91a的接地电极以及金属屏蔽层95相接。即，金属屏蔽板80在其上方以及下方的两处与接地连接，因此强化了电磁场遮蔽功能。另外，金属屏蔽板80与构成金属屏蔽层95的屏蔽面之中和树脂构件92的顶面相接的屏蔽面或者和树脂构件92的侧面相接的屏蔽面相接。
金属屏蔽板80配置在主面91a上，且在俯视模块基板91的情况下配置在功率放大器11与功率放大器12之间，并且，配置在功率放大器11与功率放大器13之间。
根据上述结构，功率放大器11和功率放大器12夹着被设定为接地电位的金属屏蔽板80而配置，因此能够抑制从功率放大器11输出的发送信号的谐波重叠于从功率放大器12输出的发送信号从而该发送信号的品质下降。此外，功率放大器11和功率放大器13夹着被设定为接地电位的金属屏蔽板80而配置，因此能够抑制从功率放大器11输出的发送信号的谐波重叠于从功率放大器13输出的发送信号从而该发送信号的品质下降。
另外，配置在功率放大器11与功率放大器12之间的第1金属屏蔽板、和配置在功率放大器11与功率放大器13之间的第2金属屏蔽板，既可以如本实施例这样为同一金属屏蔽板80，此外，也可以为分体。
此外，在本实施例涉及的高频模块1A中，在俯视模块基板91的情况下，金属屏蔽板80配置在匹配电路31的第1电感器与匹配电路32的第2电感器之间，并且，配置在匹配电路31的第1电感器与匹配电路33的第3电感器之间。
由此，能够抑制第1电感器和第2电感器的电磁场耦合、以及第1电感器和第3电感器的电磁场耦合。因此，能够更加抑制从功率放大器11输出的发送信号的谐波重叠于从功率放大器12输出的发送信号，此外，能够更加抑制从功率放大器11输出的发送信号的谐波重叠于从功率放大器13输出的发送信号。
此外，在本实施例涉及的高频模块1A中，在俯视模块基板91的情况下，金属屏蔽板80配置在匹配电路31的第1电感器与匹配电路42的第4电感器之间，并且，配置在匹配电路31的第1电感器与匹配电路43的第5电感器之间。
由此，能够抑制第1电感器和第4电感器的电磁场耦合、以及第1电感器和第5电感器的电磁场耦合。因此，能够抑制从功率放大器11输出的发送信号的谐波、以及该发送信号和其他高频信号的互调失真的无用波流入第2接收电路以及第3接收电路从而第2接收电路或者第3接收电路的接收灵敏度劣化。
此外，金属屏蔽板80将主面91a划分为区域P(第1区域以及第3区域)和区域Q(第2区域以及第4区域)。即，对功率放大器11和功率放大器12进行划分的第1金属屏蔽板将主面91a划分为第1区域以及第2区域，对功率放大器11和功率放大器13进行划分的第2金属屏蔽板将主面91a划分为第3区域以及第4区域。在此，如图2所示，发送滤波器61T以及62T配置在区域P，发送滤波器63T、64T、65T以及66T配置在区域Q。
由此，能够抑制发送滤波器61T以及62T和发送滤波器63T、64T、65T以及66T的电磁场耦合。因此，能够抑制低频段组的发送信号的谐波重叠于中频段组以及高频段组的发送信号从而该发送信号的品质下降。
此外，如图2所示，发送滤波器61T以及62T配置在区域P，接收滤波器63R、64R、65R以及66R配置在区域Q。
由此，能够抑制发送滤波器61T以及62T和接收滤波器63R、64R、65R以及66R的电磁场耦合。因此，能够抑制低频段组的发送信号的谐波、以及该发送信号和其他高频信号的互调失真的无用波流入中频段组以及高频段组的接收电路从而该接收电路的接收灵敏度劣化。
另外，在本实施例涉及的高频模块1A中，低噪声放大器21、开关54以及57也可以形成于1个半导体IC71。此外，低噪声放大器22以及23、和开关55、56以及58也可以形成于1个半导体IC72。由此，能够将高频模块1A小型化。
另外，在金属屏蔽板80与主面91a之间，也可以形成有在金属屏蔽板80的法线方向(y轴方向)上贯通的孔。
由此，由于在金属屏蔽板80与主面91a之间形成有孔，因此在将树脂构件92形成于主面91a上的工序中，能够确保金属屏蔽板80的附近处的液状树脂的良好的流动性。因而，在金属屏蔽板80的附近能够抑制未形成树脂构件92的空隙等的产生。
此外，在金属屏蔽板80与树脂构件92的顶面之间，也可以形成有在金属屏蔽板80的法线方向(y轴方向)上贯通的孔。
由此，由于在金属屏蔽板80与上述顶面之间形成有孔，因此在将树脂构件92形成于主面91a上的工序中，能够确保金属屏蔽板80的附近处的液状树脂的良好的流动性。因而，在金属屏蔽板80的附近能够抑制未形成树脂构件92的空隙等的产生。
此外，金属屏蔽板80也可以具有离散性地配置了多个金属板的结构。
由此，由于在多个金属板之间形成有空隙，因此在将树脂构件92形成于主面91a上的工序中，能够确保金属屏蔽板80的附近处的液状树脂的良好的流动性。
[3实施例2涉及的高频模块1B的电路部件配置结构]
图3是实施例2涉及的高频模块1B的俯视图以及剖视图。在图3的右侧示出了从z轴正方向侧观察模块基板91的主面91a的情况下的电路部件的配置图。此外，在图3的左侧示出了图3的右图的III-III线处的剖视图。高频模块1B具体地示出了构成实施方式涉及的高频模块1的各电路部件的配置结构。本实施例涉及的高频模块1B与实施例1涉及的高频模块1A相比较，金属屏蔽板81的配置结构不同。以下，关于本实施例涉及的高频模块1B，与实施例1涉及的高频模块1A相同的点省略说明，以不同的点为中心进行说明。
如图3所示，本实施例涉及的高频模块1B除了具有图1所示的电路结构以外，还具有模块基板91、金属屏蔽板81、金属屏蔽层95、树脂构件92、和外部连接端子150。
如图3所示，在本实施例涉及的高频模块1B中，功率放大器11～13、低噪声放大器21～23、双工器61～66、匹配电路31～33、41～43、以及开关51～58配置于模块基板91的主面91a。另外，低噪声放大器21～23、双工器61～66以及开关51～58也可以配置于模块基板91的主面91a以及91b的任意者。
金属屏蔽板81是第1金属屏蔽板以及第2金属屏蔽板的一个例子，是从主面91a朝向树脂构件92的z轴正方向侧的顶面而竖立设置的金属壁体。金属屏蔽板81与主面91a的接地电极以及金属屏蔽层95相接。即，金属屏蔽板81在其上方以及下方的两处与接地连接，因此强化了电磁场遮蔽功能。另外，金属屏蔽板81与构成金属屏蔽层95的屏蔽面之中和树脂构件92的顶面相接的屏蔽面或者和树脂构件92的侧面相接的屏蔽面相接。
金属屏蔽板81配置在主面91a上，且在俯视模块基板91的情况下配置在功率放大器11与功率放大器12之间，并且，配置在功率放大器11与功率放大器13之间。
根据上述结构，能够抑制从功率放大器11输出的发送信号的谐波重叠于从功率放大器12输出的发送信号从而该发送信号的品质下降。此外，能够抑制从功率放大器11输出的发送信号的谐波重叠于从功率放大器13输出的发送信号从而该发送信号的品质下降。
此外，在本实施例涉及的高频模块1B中，在俯视模块基板91的情况下，金属屏蔽板81配置在匹配电路31的第1电感器与匹配电路32的第2电感器之间，并且，配置在匹配电路31的第1电感器与匹配电路33的第3电感器之间。
由此，能够抑制第1电感器和第2电感器的电磁场耦合、以及第1电感器和第3电感器的电磁场耦合。
此外，在本实施例涉及的高频模块1B中，在俯视模块基板91的情况下，金属屏蔽板81配置在匹配电路31的第1电感器与匹配电路42的第4电感器之间，并且，配置在匹配电路31的第1电感器与匹配电路43的第5电感器之间。
由此，能够抑制第1电感器和第4电感器的电磁场耦合、以及第1电感器和第5电感器的电磁场耦合。
此外，金属屏蔽板81将主面91a划分为区域P(第1区域以及第3区域)和区域Q(第2区域以及第4区域)。即，对功率放大器11和功率放大器12进行划分的第1金属屏蔽板将主面91a划分为第1区域以及第2区域，对功率放大器11和功率放大器13进行划分的第2金属屏蔽板将主面91a划分为第3区域以及第3区域。
在此，如图3所示，功率放大器11以及匹配电路31配置在区域P，接收滤波器63R、64R、65R以及66R配置在区域O。
由此，能够抑制功率放大器11和接收滤波器63R、64R、65R以及66R的电磁场耦合。因此，能够抑制低频段组的发送信号的谐波、以及该发送信号和其他高频信号的互调失真的无用波流入中频段组以及高频段组的接收电路从而该接收电路的接收灵敏度劣化。
[4实施例3涉及的高频模块1C的电路部件配置结构]
图4A是实施例3涉及的高频模块1C的俯视图。此外，图4B是实施例3涉及的高频模块1C的剖视图，具体地，是图4A的IVB-IVB线处的剖视图。另外，在图4A的上段，示出了从z轴正方向侧观察模块基板91的相互对置的主面91a以及91b之中的主面91a的情况下的电路元件的配置图。另一方面，在图4A的下段，示出了对从z轴正方向侧观察主面91b的情况下的电路元件的配置进行透视的图。
实施例3涉及的高频模块1C具体地示出了构成实施方式涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。本实施例涉及的高频模块1C与实施例1涉及的高频模块1A相比较，不同点在于，构成高频模块1C的电路部件配置于模块基板91的两面。以下，关于本实施例涉及的高频模块1C，与实施例1涉及的高频模块1A相同的点省略说明，以不同的点为中心进行说明。
如图4A以及图4B所示，本实施例涉及的高频模块1C除了具有图1所示的电路结构以外，还具有模块基板91、金属屏蔽板82、金属屏蔽层95、树脂构件92以及93、和外部连接端子150。
模块基板91是具有主面91 a(第1主面)以及主面91b(第2主面)并在主面91a上以及91b安装第1～第3传输电路的基板。
树脂构件92配置于模块基板91的主面91a，覆盖构成第1～第3传输电路的电路部件的至少一部分、和主面91a，具有确保上述电路部件的机械强度以及耐湿性等可靠性的功能。树脂构件93配置于主面91b，覆盖构成第1～第3传输电路的电路部件的至少一部分、和主面91b，具有确保上述电路部件的机械强度以及耐湿性等可靠性的功能。
外部连接端子150配置于模块基板91的主面91b。高频模块1C经由多个外部连接端子150而与配置在高频模块1C的z轴负方向侧的外部基板进行电信号的交换。此外，多个外部连接端子150之中的接地端子150g被设定为外部基板的接地电位。另外，外部连接端子150既可以如图4B所示为形成于主面91b的平面电极，此外，也可以为形成在主面91b上的凸块电极。另外，在外部连接端子150由凸块电极形成的情况下，也可以没有树脂构件93。
另外，虽然在图4A以及图4B中未图示，但构成图1所示的发送路径AT、BT以及CT、和接收路径AR、BR以及CR的布线形成于模块基板91的内部、主面91a以及91b。此外，上述布线既可以是两端与主面91a、91b以及构成高频模块1C的电路元件的任意者接合的接合引线，此外，也可以是形成在构成高频模块1C的电路元件的表面上的端子、电极或者布线。
此外，如图4A所示，在多个外部连接端子150中包含天线连接端子101、102以及103、发送输入端子111、112以及113、和接收输出端子121、122以及123。此外，多个外部连接端子150的若干个被设定为外部基板的接地电位。
如图4A所示，在本实施例涉及的高频模块1C中，功率放大器11～13、双工器61～66、匹配电路31～33以及匹配电路41～43配置于模块基板91的主面91a。此外，低噪声放大器21～23以及开关51～58配置于模块基板91的主面91b。
由此，功率放大器11～13和低噪声放大器21～23分开配置于模块基板91的两面，因此能够提高收发间的隔离度。
另外，优选的是，模块基板91具有层叠了多个电介质层的多层构造，并在该多个电介质层的至少1个形成有接地电极图案。由此，模块基板91的电磁场遮蔽功能提高。
金属屏蔽板82是第1金属屏蔽板以及第2金属屏蔽板的一个例子，是从主面91a朝向树脂构件92的z轴正方向侧的顶面而竖立设置的金属壁体。金属屏蔽板82与主面91a的接地电极以及金属屏蔽层95相接。即，金属屏蔽板82在其上方以及下方的两处与接地连接，因此强化了电磁场遮蔽功能。另外，金属屏蔽板82与构成金属屏蔽层95的屏蔽面之中和树脂构件92的顶面相接的屏蔽面或者和树脂构件92的侧面相接的屏蔽面相接。
金属屏蔽板82配置在主面91a上，且在俯视模块基板91的情况下配置在功率放大器11与功率放大器12之间，并且，配置在功率放大器11与功率放大器13之间。
根据上述结构，能够抑制从功率放大器11输出的发送信号的谐波重叠于从功率放大器12输出的发送信号从而该发送信号的品质下降。此外，能够抑制从功率放大器11输出的发送信号的谐波重叠于从功率放大器13输出的发送信号从而该发送信号的品质下降。
另外，配置在功率放大器11与功率放大器12之间的第1金属屏蔽板、和配置在功率放大器11与功率放大器13之间的第2金属屏蔽板，既可以如本实施例这样为同一金属屏蔽板82，此外，也可以为分体。
此外，在本实施例涉及的高频模块1C中，在俯视模块基板91的情况下，金属屏蔽板82配置在匹配电路31的第1电感器与匹配电路32的第2电感器之间，并且，配置在匹配电路31的第1电感器与匹配电路33的第3电感器之间。
由此，能够抑制第1电感器和第2电感器的电磁场耦合、以及第1电感器和第3电感器的电磁场耦合。因此，能够更加抑制从功率放大器11输出的发送信号的谐波重叠于从功率放大器12输出的发送信号，此外，能够更加抑制从功率放大器11输出的发送信号的谐波重叠于从功率放大器13输出的发送信号。
此外，在本实施例涉及的高频模块1C中，在俯视模块基板91的情况下，金属屏蔽板82配置在匹配电路31的第1电感器与匹配电路42的第4电感器之间，并且，配置在匹配电路31的第1电感器与匹配电路43的第5电感器之间。
由此，能够抑制第1电感器和第4电感器的电磁场耦合、以及第1电感器和第5电感器的电磁场耦合。因此，能够抑制从功率放大器11输出的发送信号的谐波、以及该发送信号和其他高频信号的互调失真的无用波流入第2接收电路以及第3接收电路从而第2接收电路或者第3接收电路的接收灵敏度劣化。
此外，金属屏蔽板82将主面91a划分为区域P(第1区域以及第3区域)和区域O(第2区域以及第4区域)。即，对功率放大器11和功率放大器12进行划分的第1金属屏蔽板将主面91a划分为第1区域以及第2区域，对功率放大器11和功率放大器13进行划分的第2金属屏蔽板将主面91a划分为第3区域以及第4区域。在此，如图4A所示，发送滤波器61T以及62T配置在区域P，发送滤波器63T、64T、65T以及66T配置在区域Q。
由此，能够抑制发送滤波器61T以及62T和发送滤波器63T、64T、65T以及66T的电磁场耦合。因此，能够抑制低频段组的发送信号的谐波重叠于中频段组以及高频段组的发送信号从而该发送信号的品质下降。
此外，如图4A所示，发送滤波器61T以及62T配置在区域P，接收滤波器63R、64R、65R以及66R配置在区域Q。
由此，能够抑制发送滤波器61T以及62T和接收滤波器63R、64R、65R以及66R的电磁场耦合。因此，能够抑制低频段组的发送信号的谐波、以及该发送信号和其他高频信号的互调失真的无用波流入中频段组以及高频段组的接收电路从而该接收电路的接收灵敏度劣化。
此外，在本实施例涉及的高频模块1C中，低噪声放大器21～23以及开关54～56也可以形成于1个半导体IC75。此外，开关57以及58也可以形成于1个半导体IC74。此外，开关51～53也可以形成于1个半导体IC73。由此，能够将高频模块1C小型化。
此外，在本实施例涉及的高频模块1C中，功率放大器11～13配置于主面91a。功率放大器11～13是高频模块1C所具有的电路部件之中发热量大的部件。为了使高频模块1C的散热性提高，重要的是，使功率放大器11～13的发热通过具有较小的热阻的散热路径散热到外部基板。假设将功率放大器11～13安装于主面91b的情况下，与功率放大器11～13连接的电极布线配置在主面91b上。因此，作为散热路径，会包含仅经由主面91b上的(沿着xy平面方向的)平面布线图案的散热路径。上述平面布线图案由金属薄膜形成，因此热阻大。因此，将功率放大器11～13配置在主面91b上的情况下，散热性会下降。
与之相对，如本实施例这样，将功率放大器11～13安装于主面91a的情况下，能够经由贯通主面91a与主面91b之间的贯通电极对功率放大器11～13和外部连接端子150进行连接。因此，作为功率放大器11～13的散热路径，能够排除仅经由模块基板91内的布线之中热阻大的沿着xy平面方向的平面布线图案的散热路径。因而，能够提供一种从功率放大器11～13向外部基板的散热性得到了提高的小型的高频模块1C。
此外，在实施例涉及的高频模块1C中，如图4A以及图4B所示，在俯视模块基板91的情况下，优选在与形成了功率放大器11～13的主面91a的区域对置的主面91b的区域未形成电路部件。
由此，能够避免上述电路部件因功率放大器11～13的发热而温度上升从而进行误动作或者被破坏。
[5效果等]
以上，实施例1涉及的高频模块1A具备具有主面91a的模块基板91、配置于主面91a的功率放大器11、配置于主面91a的功率放大器12、配置于主面91a的功率放大器13、与功率放大器11的输出端子连接且使通信频段A的发送信号通过的发送滤波器61T、与功率放大器12的输出端子连接且使通信频段C的发送信号通过的发送滤波器63T、与功率放大器13的输出端子连接且使通信频段E的发送信号通过的发送滤波器65T、覆盖主面91a的至少一部分的树脂构件92、覆盖树脂构件92的表面且被设定为接地电位的金属屏蔽层95、和配置在主面91a上且在俯视模块基板91的情况下配置在功率放大器11与功率放大器12之间并且配置在功率放大器11与功率放大器13之间的金属屏蔽板80，金属屏蔽板80与主面91a的第1接地电极以及金属屏蔽层95相接。
由此，功率放大器11和功率放大器12夹着被设定为接地电位的金属屏蔽板80而配置，因此能够抑制从功率放大器11输出的发送信号的谐波重叠于从功率放大器12输出的发送信号从而该发送信号的品质下降。此外，功率放大器11和功率放大器13夹着被设定为接地电位的金属屏蔽板80而配置，因此能够抑制从功率放大器11输出的发送信号的谐波重叠于从功率放大器13输出的发送信号从而该发送信号的品质下降。
此外，也可以是，高频模块1A还具备配置于主面91a且连接在功率放大器11与发送滤波器61T之间的匹配电路31的第1电感器、配置于主面91a且连接在功率放大器12与发送滤波器63T之间的匹配电路32的第2电感器、和配置于主面91a且连接在功率放大器13与发送滤波器65T之间的匹配电路33的第3电感器，金属屏蔽板80在上述俯视下配置在第1电感器与第2电感器之间，并且，配置在第1电感器与第3电感器之间。
由此，能够抑制第1电感器和第2电感器的电磁场耦合、以及第1电感器和第3电感器的电磁场耦合。因此，能够更加抑制从功率放大器11输出的发送信号的谐波重叠于从功率放大器12输出的发送信号，此外，能够更加抑制从功率放大器11输出的发送信号的谐波重叠于从功率放大器13输出的发送信号。
此外，也可以是，高频模块1A还具备低噪声放大器22以及23、使通信频段C的接收信号通过的接收滤波器63R、使通信频段E的接收信号通过的接收滤波器65R、配置于主面91a且连接在低噪声放大器22与接收滤波器63R之间的匹配电路42的第4电感器、和配置于主面91a且连接在低噪声放大器23与接收滤波器65R之间的匹配电路43的第5电感器，金属屏蔽板80在上述俯视下配置在第1电感器与第4电感器之间，并且，配置在第1电感器与第5电感器之间。
由此，能够抑制第1电感器和第4电感器的电磁场耦合、以及第1电感器和第5电感器的电磁场耦合。因此，能够抑制从功率放大器11输出的发送信号的谐波、以及该发送信号和其他高频信号的互调失真的无用波流入第2接收电路以及第3接收电路从而第2接收电路或者第3接收电路的接收灵敏度劣化。
此外，也可以是，在高频模块1A中，金属屏蔽板80在上述俯视下将主面91a划分为区域P以及区域Q，发送滤波器61T配置在区域P，发送滤波器63T以及65T配置在区域Q。
由此，能够抑制发送滤波器61T和发送滤波器63T以及65T的电磁场耦合。因此，能够抑制低频段组的发送信号的谐波重叠于中频段组以及高频段组的发送信号从而该发送信号的品质下降。
此外，实施例1涉及的高频模块1A具备具有主面91a的模块基板91、配置于主面91a的功率放大器11、配置于主面91a的功率放大器12、配置于主面91a的功率放大器13、使通信频段A的发送信号通过的发送滤波器61T、使通信频段C的接收信号通过的接收滤波器63R、使通信频段E的接收信号通过的接收滤波器65R、配置于主面91a且连接在功率放大器11与发送滤波器61T之间的匹配电路31的第1电感器、配置于主面91a且连接在低噪声放大器22与接收滤波器63R之间的匹配电路42的第4电感器、配置于主面91a且连接在低噪声放大器23与接收滤波器65R之间的第5电感器、覆盖主面91a的至少一部分的树脂构件92、覆盖树脂构件92的表面且被设定为接地电位的金属屏蔽层95、和配置在主面91a上且在俯视模块基板91的情况下配置在第1电感器与第4电感器之间并且配置在第1电感器与第5电感器之间的金属屏蔽板80，金属屏蔽板80与主面91a的第1接地电极以及金属屏蔽层95相接。
由此，能够抑制第1电感器和第4电感器的电磁场耦合、以及第1电感器和第5电感器的电磁场耦合。因此，能够抑制从功率放大器11输出的发送信号的谐波、以及该发送信号和其他高频信号的互调失真的无用波流入第2接收电路以及第3接收电路从而第2接收电路或者第3接收电路的接收灵敏度劣化。
此外，也可以是，在高频模块1A中，金属屏蔽板80在上述俯视下将主面91a划分为区域P以及区域Q，发送滤波器61T配置在区域P，接收滤波器63R以及65R配置在区域Q。
由此，能够抑制发送滤波器61T和接收滤波器63R以及65R的电磁场耦合。因此，能够抑制低频段组的发送信号的谐波、以及该发送信号和其他高频信号的互调失真的无用波流入中频段组以及高频段组的接收电路从而该接收电路的接收灵敏度劣化。
此外，也可以是，在实施例3涉及的高频模块1C中，模块基板91还具有与主面91a对置的主面91b，高频模块1C还具备配置于主面91b的多个外部连接端子150，低噪声放大器22以及23配置于主面91b。
由此，功率放大器11和低噪声放大器22以及23分开配置于模块基板91的两面，因此能够提高收发间的隔离度。因此，能够抑制从功率放大器11输出的发送信号的谐波、以及该发送信号和其他高频信号的互调失真的无用波流入第2接收电路以及第3接收电路从而第2接收电路或者第3接收电路的接收灵敏度劣化。
此外，也可以是，通信频段A的信号的m(m为2以上的整数)次谐波的频率包含于通信频段C，通信频段A的信号的n(n为2以上的整数)次谐波的频率包含于通信频段E。
此外，也可以是，在高频模块1A中，金属屏蔽板80包含配置在功率放大器11与功率放大器12之间的第1金属屏蔽板、和配置在功率放大器11与功率放大器13之间的第2金属屏蔽板。
此外，通信装置5具备对由天线2a～2c收发的高频信号进行处理的RFIC3、和在天线2a～2c与RFIC3之间传输高频信号的高频模块1。
由此，能够提供一种发送信号或者接收信号的品质劣化得到了抑制的通信装置5。
(其他实施方式等)
以上，列举实施方式及其实施例对本发明涉及的高频模块以及通信装置进行了说明，但本发明涉及的高频模块以及通信装置并不限定于上述实施方式及其实施例。将上述实施方式及其实施例中的任意的构成要素组合而实现的其他的实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围内对上述实施方式及其实施例实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例、内置了上述高频模块以及通信装置的各种设备也包含于本发明。
例如，在上述实施方式及其实施例涉及的高频模块以及通信装置中，也可以在附图公开的连接各电路元件以及信号路径的路径之间***其他的电路元件以及布线等。
产业上的可利用性
本发明能够作为配置于应对多频段的前端部的高频模块而广泛利用于便携式电话等通信设备。
附图标记说明
1、1A、1B、1C 高频模块；
2a、2b、2c 天线；
3 RF信号处理电路(RFIC)；
4 基带信号处理电路(BBIC)；
5 通信装置；
11、12、13 功率放大器；
21、22、23 低噪声放大器；
31、32、33、41、42、43 匹配电路；
51、52、53、54、55、56、57、58 开关；
61、62、63、64、65、66 双工器；
61R、62R、63R、64R、65R、66R 接收滤波器；
61T、62T、63T、64T、65T、66T 发送滤波器；
71、72、73、74、75 半导体IC；
80、81、82 金属屏蔽板；
91 模块基板；
91a、91b 主面；
92、93 树脂构件；
95 金属屏蔽层；
101、102、103 天线连接端子；
111、112、113 发送输入端子；
121、122、123 接收输出端子；
150 外部连接端子；
150g 接地端子；
AR、BR、CR、DR、ER、FR 接收路径；
AT、BT、CT、DT、ET、FT 发送路径；
P、Q 区域。

Claims (11)

1.一种高频模块，具备：
模块基板，具有第1主面；
第1功率放大器，配置于所述第1主面；
第2功率放大器，配置于所述第1主面；
第3功率放大器，配置于所述第1主面；
第1滤波器，与所述第1功率放大器的输出端子连接，使第1通信频段的发送信号通过；
第2滤波器，与所述第2功率放大器的输出端子连接，使与所述第1通信频段不同的第2通信频段的发送信号通过；
第3滤波器，与所述第3功率放大器的输出端子连接，使与所述第1通信频段以及所述第2通信频段不同的第3通信频段的发送信号通过；
树脂构件，覆盖所述第1主面的至少一部分；
金属屏蔽层，覆盖所述树脂构件的表面，被设定为接地电位；
第1金属屏蔽板，配置在所述第1主面上，且在俯视所述模块基板的情况下配置在所述第1功率放大器与所述第2功率放大器之间；和
第2金属屏蔽板，配置在所述第1主面上，且在俯视所述模块基板的情况下配置在所述第1功率放大器与所述第3功率放大器之间，
所述第1金属屏蔽板与所述第1主面的第1接地电极以及所述金属屏蔽层相接，
所述第2金属屏蔽板与所述第1主面的第2接地电极以及所述金属屏蔽层相接。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，
还具备：
第1电感器，配置于所述第1主面，连接在所述第1功率放大器与所述第1滤波器之间；
第2电感器，配置于所述第1主面，连接在所述第2功率放大器与所述第2滤波器之间；和
第3电感器，配置于所述第1主面，连接在所述第3功率放大器与所述第3滤波器之间，
所述第1金属屏蔽板在所述俯视下配置在所述第1电感器与所述第2电感器之间，
所述第2金属屏蔽板在所述俯视下配置在所述第1电感器与所述第3电感器之间。
3.根据权利要求2所述的高频模块，其中，
还具备：
第2低噪声放大器；
第3低噪声放大器；
第4滤波器，使所述第2通信频段的接收信号通过；
第5滤波器，使所述第3通信频段的接收信号通过；
第4电感器，配置于所述第1主面，连接在所述第2低噪声放大器与所述第4滤波器之间；和
第5电感器，配置于所述第1主面，连接在所述第3低噪声放大器与所述第5滤波器之间，
所述第1金属屏蔽板在所述俯视下配置在所述第1电感器与所述第4电感器之间，
所述第2金属屏蔽板在所述俯视下配置在所述第1电感器与所述第5电感器之间。
4.根据权利要求3所述的高频模块，其中，
所述模块基板还具有与所述第1主面对置的第2主面，
所述高频模块还具备配置于所述第2主面的多个外部连接端子，
所述第2低噪声放大器以及所述第3低噪声放大器配置于所述第2主面。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的高频模块，其中，
所述第1金属屏蔽板在所述俯视下将所述第1主面划分为第1区域以及第2区域，
所述第2金属屏蔽板在所述俯视下将所述第1主面划分为第3区域以及第4区域，
所述第1滤波器配置在所述第1区域以及所述第3区域，
所述第2滤波器配置在所述第2区域，
所述第3滤波器配置在所述第4区域。
6.一种高频模块，具备：
模块基板，具有第1主面；
第1功率放大器，配置于所述第1主面；
第2低噪声放大器，配置于所述第1主面；
第3低噪声放大器，配置于所述第1主面；
第1滤波器，使第1通信频段的发送信号通过；
第4滤波器，使与所述第1通信频段不同的第2通信频段的接收信号通过；
第5滤波器，使与所述第1通信频段以及所述第2通信频段不同的第3通信频段的接收信号通过；
第1电感器，配置于所述第1主面，连接在所述第1功率放大器与所述第1滤波器之间；
第4电感器，配置于所述第1主面，连接在所述第2低噪声放大器与所述第4滤波器之间；
第5电感器，配置于所述第1主面，连接在所述第3低噪声放大器与所述第5滤波器之间；
树脂构件，覆盖所述第1主面的至少一部分；
金属屏蔽层，覆盖所述树脂构件的表面，被设定为接地电位；
第1金属屏蔽板，配置在所述第1主面上，且在俯视所述模块基板的情况下配置在所述第1电感器与所述第4电感器之间；和
第2金属屏蔽板，配置在所述第1主面上，且在俯视所述模块基板的情况下配置在所述第1电感器与所述第5电感器之间，
所述第1金属屏蔽板与所述第1主面的第1接地电极以及所述金属屏蔽层相接，
所述第2金属屏蔽板与所述第1主面的第2接地电极以及所述金属屏蔽层相接。
7.根据权利要求6所述的高频模块，其中，
所述模块基板还具有与所述第1主面对置的第2主面，
所述高频模块还具备配置于所述第2主面的多个外部连接端子，
所述第2低噪声放大器以及所述第3低噪声放大器配置于所述第2主面。
8.根据权利要求6或7所述的高频模块，其中，
所述第1金属屏蔽板在所述俯视下将所述第1主面划分为第1区域以及第2区域，
所述第2金属屏蔽板在所述俯视下将所述第1主面划分为第3区域以及第4区域，
所述第1滤波器配置在所述第1区域以及所述第3区域，
所述第4滤波器配置在所述第2区域，
所述第5滤波器配置在所述第4区域。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的高频模块，其中，
所述第1通信频段的信号的m次谐波的频率包含于所述第2通信频段，其中，m为2以上的整数，
所述第1通信频段的信号的n次谐波的频率包含于所述第3通信频段，其中，n为2以上的整数。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的高频模块，其中，
所述第1金属屏蔽板和所述第2金属屏蔽板为同一金属屏蔽板。
11.一种通信装置，具备：
RF信号处理电路，对由天线收发的高频信号进行处理；和
权利要求1～10中任一项所述的高频模块，在所述天线与所述RF信号处理电路之间传播所述高频信号。
CN202180051220.5A 2020-08-27 2021-05-24 高频模块以及通信装置 Pending CN115956287A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020143730 2020-08-27
JP2020-143730 2020-08-27
PCT/JP2021/019674 WO2022044456A1 (ja) 2020-08-27 2021-05-24 高周波モジュールおよび通信装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115956287A true CN115956287A (zh) 2023-04-11

Family

ID=80353089

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180051220.5A Pending CN115956287A (zh) 2020-08-27 2021-05-24 高频模块以及通信装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230188171A1 (zh)
CN (1) CN115956287A (zh)
WO (1) WO2022044456A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021164022A (ja) * 2020-03-31 2021-10-11 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3734807B2 (ja) * 2003-05-19 2006-01-11 Ｔｄｋ株式会社 電子部品モジュール
EP2293458B1 (en) * 2008-06-25 2015-09-02 Hitachi Metals, Ltd. High-frequency circuit, high-frequency component, and communication device
JP2011187677A (ja) * 2010-03-09 2011-09-22 Panasonic Corp モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
US20230188171A1 (en) 2023-06-15
WO2022044456A1 (ja) 2022-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN213213460U (zh) 高频模块和通信装置
CN214675136U (zh) 高频模块和通信装置
CN213213456U (zh) 高频模块和通信装置
CN213213452U (zh) 高频模块和通信装置
WO2021039068A1 (ja) 高周波モジュールおよび通信装置
CN214154504U (zh) 高频模块和通信装置
CN213213458U (zh) 高频模块和通信装置
CN213879809U (zh) 高频模块和通信装置
CN213879810U (zh) 高频模块和通信装置
CN213213454U (zh) 高频模块和通信装置
CN112751583B (zh) 高频模块和通信装置
US20230188171A1 (en) Radio-frequency module and communication device
KR102504973B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
CN213879808U (zh) 高频模块和通信装置
CN213661616U (zh) 高频模块和通信装置
CN213937899U (zh) 高频模块和通信装置
CN115885378A (zh) 高频模块以及通信装置
CN116097424A (zh) 高频模块以及通信装置
KR20210122093A (ko) 고주파 모듈 및 통신장치
WO2022070862A1 (ja) 高周波モジュールおよび通信装置
WO2023022047A1 (ja) 高周波モジュール
WO2023021982A1 (ja) 高周波モジュール
WO2021205702A1 (ja) 高周波回路、高周波モジュール及び通信装置
CN117121373A (zh) 高频模块和通信装置
CN116569322A (zh) 高频模块以及通信装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination