CN115926633A - 用于半导体加工用压敏粘合带的压敏粘合剂组合物和使用该压敏粘合剂组合物的压敏粘合带 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及用于半导体加工用压敏粘合带的压敏粘合剂组合物和使用该压敏粘合剂组合物的压敏粘合带。提供一种用于半导体加工用压敏粘合带的压敏粘合剂组合物，其具有优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，并且可以防止剥离时在被粘物上的残胶。用于半导体加工用压敏粘合带的压敏粘合剂组合物包含：基础聚合物；和光聚合引发剂，其中，所述基础聚合物是通过使包含具有羟基的聚合物和由式(1)表示的单体的单体组合物聚合而获得的聚合物：
Figure DDA0003874207890000011
其中"n"表示1以上的整数。

Description

用于半导体加工用压敏粘合带的压敏粘合剂组合物和使用该压敏粘合剂组合物的压敏粘合带
技术领域
本发明涉及用于半导体加工用压敏粘合带的压敏粘合剂组合物和使用该压敏粘合剂组合物的压敏粘合带。
背景技术
半导体晶片用于各种用途，例如个人电脑、智能手机和汽车。在半导体晶片的加工步骤中，压敏粘合带用于在加工时保护其表面。近年来，大规模集成电路(LSI)的小型化和高功能化在进行中，晶片的表面结构变得复杂。其具体实例是由焊料凸块等引起的晶片表面的三维结构的复杂化。因此，半导体加工步骤中使用的压敏粘合带需要具有嵌入晶片表面的凹凸的特性和强的压敏粘合性。
近年来，随着产品的小型化和薄型化，半导体晶片的薄型化在推进。在加工成薄型的晶片中，当压敏粘合带的压敏粘合力过高时，在剥离压敏粘合带时，晶片可能会破损。因此，为了防止在剥离带时被粘物上的残胶和晶片的破损，提出了使用UV固化性压敏粘合剂的压敏粘合带(例如，日本专利申请特开No.2020-017758和日本专利申请特开No.2013-213075)。然而，即使当使用UV固化性压敏粘合剂时，也可能会因压敏粘合力的降低不充分而导致在被粘物上的残胶、晶片破损等问题。
发明内容
本发明是为了解决上述现有技术的问题而完成的，提供一种用于半导体加工用压敏粘合带的压敏粘合剂组合物，其具有优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，可防止剥离时在被粘物上的残胶。
根据本发明的至少一个实施方案，提供一种用于半导体加工用压敏粘合带的压敏粘合剂组合物，其包含：基础聚合物；和光聚合引发剂，其中所述基础聚合物是通过使包含具有羟基的聚合物和由式(1)表示的单体的单体组合物聚合而获得的聚合物：
Figure BDA0003874207870000021
其中"n"表示1以上的整数。
在本发明的至少一个实施方案中，相对于所述具有羟基的聚合物的羟基，所述由式(1)表示的单体的添加量为50mol％～95mol％。
在本发明的至少一个实施方案中，所述由式(1)表示的单体是2-(2-甲基丙烯酰氧基乙氧基)乙基异氰酸酯。
在本发明的至少一个实施方案中，在具有羟基的聚合物的聚合中使用的单体组合物以10mol％～40mol％的比率包含含有羟基的单体。
根据本发明的另一方面，提供一种半导体加工用压敏粘合带。所述半导体加工用压敏粘合带包括：基材；和由所述压敏粘合剂组合物形成的压敏粘合剂层。
在本发明的至少一个实施方案中，所述半导体加工用压敏粘合带用于背面研磨步骤中。
在本发明的至少一个实施方案中，当未用紫外线照射时，所述压敏粘合剂层的25℃下的剪切储能弹性模量G′1为0.2MPa以上。
在本发明的至少一个实施方案中，所述半导体加工用压敏粘合带通过贴合至具有凹凸的被粘物来使用。
在本发明的至少一个实施方案中，所述压敏粘合剂层在紫外线照射后的25℃下的拉伸储能弹性模量E′1为200MPa以下。
在本发明的至少一个实施方案中，所述压敏粘合剂层在紫外线照射后的相对于硅的压敏粘合力为0.15N/20mm以下。
附图说明
图1是根据本发明的至少一个实施方案的压敏粘合带的示意性截面图。
具体实施方式
A.用于半导体加工用压敏粘合带的压敏粘合剂组合物
根据本发明的至少一个实施方案的用于半导体晶片加工用压敏粘合带中的压敏粘合剂组合物包含基础聚合物和光聚合引发剂。基础聚合物是通过使包含具有羟基的聚合物和由式(1)表示的单体的单体组合物聚合而获得的聚合物。使用包含光聚合引发剂的压敏粘合剂组合物的压敏粘合带，通过在剥离时施加紫外线而使压敏粘合剂层固化来改善剥离性。即使当使用包含光聚合引发剂的压敏粘合剂组合物时，在该组合物用于表面上具有凹凸的半导体晶片的加工的情况下，也会产生残胶。当通过使包含由式(1)表示的单体组分的单体组合物聚合而获得的聚合物用作压敏粘合剂组合物的基础聚合物时，获得了即使在用于表面上具有凹凸的半导体晶片的加工的情况下，也可以防止剥离时在被粘物上的残胶的压敏粘合剂组合物。此外，包含基础聚合物的压敏粘合剂组合物可以表现出诸如嵌入半导体晶片表面的凹凸的优异特性和优异的压敏粘合性。因此，根据本发明的至少一个实施方案的压敏粘合剂组合物可以适用于具有复杂表面结构的半导体晶片的加工。在本说明书中，单体组合物可以是仅包含单体的组合物，或者可以是包含单体和低聚物或聚合物等任意适当的其它组分的组合物：
Figure BDA0003874207870000031
其中"n"表示1以上的整数。
A-1.基础聚合物
基础聚合物是通过使包含具有羟基的聚合物和由式(1)表示的单体的单体组合物(以下也称为“基础聚合物用单体组合物”)聚合而获得的聚合物。用于基础聚合物的单体组合物的聚合可以引起由式(1)表示的单体与具有羟基的聚合物的加成聚合。结果，获得了具有源自由式(1)表示的单体的结构单元的聚合物。使用该聚合物作为基础聚合物，可以提供具有优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，并且可以防止剥离时在被粘物上的残胶的压敏粘合剂组合物：
Figure BDA0003874207870000041
其中"n"表示1以上的整数。
基础聚合物的重均分子量优选为300,000以上，更优选为400,000以上，还更优选为600,000～1,000,000。当重均分子量落在这样的范围内时，可以获得防止低分子量组分的渗出、因此具有低污染性的压敏粘合剂组合物。基础聚合物的分子量分布(重均分子量/数均分子量)优选为1至20，更优选3至10。使用具有窄分子量分布的基础聚合物可以提供防止低分子量组分的渗出、因此具有低污染性的压敏粘合剂组合物。重均分子量和数均分子量可以通过凝胶渗透色谱法测定(溶剂：四氢呋喃，以聚苯乙烯换算)来确定。
通过将羟基引入到任何适当的聚合物中获得的聚合物可以用作具有羟基的聚合物。其实例包括各自通过将羟基引入到例如(甲基)丙烯酸系树脂、乙烯基烷基醚系树脂、有机硅系树脂、聚酯系树脂、聚酰胺系树脂、聚氨酯系树脂或苯乙烯-二烯嵌段共聚物等树脂的侧链和/或末端而获得的聚合物。其中，优选使用通过将羟基引入到(甲基)丙烯酸系树脂中而获得的聚合物。(甲基)丙烯酸系树脂的使用可以提供一种压敏粘合剂组合物，其有利于压敏粘合剂层的储能弹性模量和拉伸弹性模量的调节，并且在其压敏粘合力和剥离性之间的平衡优异。此外，可以减少来自压敏粘合剂的组分对被粘物的污染。术语“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸。
具有羟基的聚合物通过例如使包含以下的单体组合物聚合而获得：具有任意适当的直链或支链烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯；以及具有羟基的单体。各自具有直链或支链烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯可以单独使用或以其组合使用。
直链或支链烷基优选为碳原子数为30以下的烷基，更优选为碳原子数为1～20的烷基，还更优选为碳原子数为4～18的烷基。烷基的具体实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基和十二烷基。
任何适当的单体都可以用作含有羟基的单体。其实例包括丙烯酸2-羟甲酯、丙烯酸2-羟乙酯、丙烯酸2-羟丙酯、丙烯酸3-羟丙酯、丙烯酸4-羟丁酯、甲基丙烯酸2-羟甲酯、甲基丙烯酸2-羟乙酯和N-(2-羟乙基)丙烯酰胺。其中，优选使用丙烯酸2-羟甲酯、丙烯酸2-羟乙酯、甲基丙烯酸2-羟甲酯、甲基丙烯酸2-羟乙酯。这些单体可以单独使用或以其组合使用。
相对于在聚合具有羟基的聚合物中使用的单体组合物的全部单体组分100mol％，含有羟基的单体的比例优选为10mol％～40mol％，更优选为10mol％～30mol％，还更优选为15mol％～25mol％。包含含有羟基的单体的单体组合物的聚合提供具有羟基的聚合物。羟基可以用作引入源自由式(1)表示的单体的结构单元的点。例如，具有碳不饱和双键的基础聚合物通过使具有羟基的聚合物(预聚物)与由式(1)表示的单体彼此反应而获得。
为了改进例如压敏粘合剂组合物的内聚强度、耐热性和交联性，可以根据需要进一步使用可与上述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的任何其它单体组分。这样的单体组分的实例包括：例如丙烯酸、甲基丙烯酸等含羧基单体；例如马来酸酐和衣康酸酐等酸酐单体；例如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸等含磺酸基单体；例如(甲基)丙烯酰胺和N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺等(N-取代的)酰胺系单体；例如(甲基)丙烯酸氨基乙酯等(甲基)丙烯酸氨基烷基酯系单体；例如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系单体；例如N-环己基马来酰亚胺、N-异丙基马来酰亚胺等马来酰亚胺系单体；例如N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺等衣康酰亚胺系单体；琥珀酰亚胺系单体；例如乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯烷酮和甲基乙烯基吡咯烷酮等乙烯基系单体；例如丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯单体；例如(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含环氧基的丙烯酸系单体；例如聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯和聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯等二醇系丙烯酸酯单体；例如(甲基)丙烯酸四氢糠酯、氟化(甲基)丙烯酸酯、有机硅(甲基)丙烯酸酯等各自具有杂环、卤素原子或硅原子的丙烯酸酯系单体；例如异戊二烯、丁二烯、异丁烯等烯烃系单体；以及例如乙烯基醚等乙烯基醚系单体。这些单体组分可以单独使用或以其组合使用。
单体组合物中可与(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其它单体组分的含有比例可以设定为任意适当的量。具体而言，使用可与(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其它单体组分，使得(甲基)丙烯酸烷基酯、含有羟基的单体以及可与(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的任意适当的其它单体组分的总量可以是100mol％。
可以通过任何适当的方法获得具有羟基的聚合物。例如，该聚合物可以通过使包含(甲基)丙烯酸烷基酯、含有羟基的单体和可与(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的任何适当的其它单体组分的单体组合物通过任何适当的聚合方法聚合而获得。
如上所述，压敏粘合剂组合物的基础聚合物是通过使包含具有羟基的聚合物和由式(1)表示的单体的单体组合物聚合而获得的聚合物。具有羟基的聚合物的羟基与由式(1)表示的单体的异氰酸酯基的反应提供了其中引入了碳不饱和双键的基础聚合物。使用基础聚合物可以提供一种压敏粘合剂组合物，其具有优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，并且可以防止剥离时在被粘物上的残胶：
Figure BDA0003874207870000071
其中"n"表示1以上的整数。
在式(1)中，“n”表示1以上的整数，优选1～10，更优选1～5。当“n”落入该范围内时，可以提供进一步抑制产生残胶的压敏粘合剂组合物。在本发明的至少一个实施方案中，由式(1)表示的单体是2-(2-甲基丙烯酰氧基乙氧基)乙基异氰酸酯(由式(1)表示的化合物，其中“n”表示1)。由式(1)表示的单体各自可以单独使用或以其组合使用。
相对于具有羟基的聚合物的羟基的摩尔数，由式(1)表示的单体的添加量优选为50mol％至95mol％，更优选为65mol％至90mol％，还更优选70mol％至85mol％。当由式(1)表示的单体的添加量落入该范围内时，可以提供能通过紫外线照射固化并且剥离性优异的压敏粘合剂组合物。当由式(1)表示的单体的添加量大于95mol％时，基础聚合物与交联剂的反应点的数量可能会减少，从而无法得到充分的交联效果。
基础聚合物可以具有通过使用除由式(1)表示的单体之外的具有碳不饱和双键的化合物而引入碳不饱和双键的部分。除由式(1)表示的单体之外的具有碳不饱和双键的化合物的实例包括丙烯酸2-异氰酸乙酯(2-丙烯酰氧基乙基异氰酸酯)、甲基丙烯酸2-异氰酸乙酯(2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯)、甲基丙烯酰基异氰酸酯、1,1-(双丙烯酰氧基甲基)乙基异氰酸酯和间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯。这些化合物可以单独使用或以其组合使用。当组合使用除由式(1)表示的单体之外的具有碳不饱和双键的化合物时，使用由式(1)表示的单体和除由式(1)表示的单体之外的具有碳不饱和双键的化合物，使得其总添加量可以为95mol％以下。
A2.光聚合引发剂
任何适当的引发剂都可以用作光聚合引发剂。光聚合引发剂的实例包括例如2,4,6-三甲基苄基苯基亚膦酸乙酯、(2,4,6-三甲基苯甲酰基)-苯基氧化膦等酰基氧化膦系光引发剂等；例如4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α′-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮和1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇系化合物；例如甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮和2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉代丙烷-1等苯乙酮系化合物；例如苯偶姻***、苯偶姻异丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚系化合物；例如苄基二甲基缩酮等缩酮系化合物；例如2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯系化合物；例如1-苯酮-1,1-丙二酮-2-(邻乙氧基羰基)肟等光敏肟系化合物；例如二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸和3,3′-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；例如噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮和2,4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮系化合物；樟脑醌；卤代酮；和酰基膦酸酯，以及例如2-羟基-1-(4-(4-(2-羟基-2-甲基丙酰基)苄基)苯基-2-甲基丙烷-1等α-羟基苯乙酮。其中，可以优选使用2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮和2-羟基-1-(4-(4-(2-羟基-2-甲基丙酰基)苄基)苯基-2-甲基丙烷-1。光聚合引发剂可以单独使用或以其组合使用。
作为光聚合引发剂，也可以使用市售品。其实例包括来自IGM Resins B.V.的在产品名Omnirad 127D和Omnirad 651下售卖的产品。
可以以任何适当的量使用光聚合引发剂。相对于100重量份上述基础聚合物，光聚合引发剂的含量优选为0.5重量份～20重量份，更优选为0.5重量份～10重量份。当光聚合引发剂的含量小于0.5重量份时，在活性能量射线照射时压敏粘合剂可能不会充分固化。当光聚合引发剂的含量大于20重量份时，压敏粘合剂组合物的储存稳定性会降低。
A-3.添加剂
压敏粘合剂组合物可以进一步包含任何适当的添加剂。添加剂的实例包括交联剂、催化剂(例如，铂催化剂)、增粘剂、增塑剂、颜料、染料、填料、抗老化剂、导电材料、紫外线吸收剂、光稳定剂、剥离改性剂、软化剂、表面活性剂、阻燃剂和溶剂。
在本发明的至少一个实施方案中，压敏粘合剂组合物可以进一步包含交联剂。交联剂的实例包括异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、氮丙啶系交联剂和螯合物系交联剂。交联剂的含有比例可以调整为任意适当的比例。例如，当使用异氰酸酯系交联剂时，相对于100重量份基础聚合物，其含有比例优选为0.01重量份～10重量份，更优选为0.1重量份～5重量份，还更优选为3.0重量份～5.0重量份。由压敏粘合剂组合物形成的压敏粘合剂层的柔软性可以通过交联剂的含有比例来控制。当交联剂的含量小于0.01重量份时，压敏粘合剂组合物变成溶胶，因此可能无法形成压敏粘合剂层。当交联剂的含量大于10重量份时，对被粘物的密合性会降低，可能不能充分保护被粘物。
在本发明的至少一个实施方案中，优选使用异氰酸酯系交联剂。优选异氰酸酯系交联剂，因为该交联剂可以与多种官能团反应。特别优选使用具有3个以上异氰酸酯基的交联剂。当使用异氰酸酯系交联剂作为交联剂且交联剂的含有比例落在上述范围内时，可以形成即使在加热后剥离性也优异且残胶的量显著减少的压敏粘合剂层。
B.半导体加工用压敏粘合带
在本发明的至少一个实施方案中，提供了一种半导体加工用压敏粘合带。半导体加工用压敏粘合带包括基材和由上述压敏粘合剂组合物形成的压敏粘合剂层。如上所述，压敏粘合剂组合物具有优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，并且可以防止剥离时在被粘物上的残胶。因此，当通过使用压敏粘合剂组合物形成压敏粘合剂层时，即使在半导体晶片的表面具有凹凸的情况下，该带在其贴合至半导体晶片时也具有优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，并且可以在半导体加工步骤中适当地保护半导体晶片的表面。如上所述，压敏粘合剂组合物包含光聚合引发剂。因此，该带在通过用紫外线照射进行剥离时能够发挥优异的剥离性，并且即使在被粘物具有凸块等凹凸时，也能够防止在被粘物的表面上的残胶。
在本发明的至少一个实施方案中，压敏粘合带优选在基材和压敏粘合剂层之间包括中间层。当该带包括中间层时，在被粘物的表面具有凹凸的情况下，能够进一步改进带的凹凸嵌入性。图1是根据本发明的至少一个实施方案的压敏粘合带的示意性截面图。附图示例的压敏粘合带100包括基材30、中间层20和压敏粘合剂层10。压敏粘合剂层10是由上述压敏粘合剂组合物形成的层。
压敏粘合带的厚度可以设定在任何适当的范围内。厚度优选为10μm～1,000μm，更优选为50μm～300μm，还更优选为100μm～300μm。
B-1.基材
基材可以由任何适当的树脂形成。形成基材的树脂的具体实例包括：例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚萘二甲酸丁二醇酯(PBN)等聚酯系树脂；例如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物等聚烯烃系树脂；聚乙烯醇；聚偏二氯乙烯；聚氯乙烯；氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；聚乙酸乙烯酯；聚酰胺；聚酰亚胺；纤维素类；氟系树脂；聚醚；例如聚苯乙烯等聚苯乙烯系树脂；聚碳酸酯；和聚醚砜。其中，优选使用聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸丁二醇酯。使用这些树脂可以进一步防止翘曲的发生。
在不损害本发明的效果的范围内，基材可以进一步包含任何其它组分。其它组分的实例包括抗氧化剂、紫外线吸收剂、光稳定剂和热稳定剂。关于其它组分的种类和使用量，可以根据目的以任何适当的量使用任何适当种类的组分。
在本发明的至少一个实施方案中，基材具有抗静电功能。当基材具有抗静电功能时，在带剥离时静电的发生得到抑制，因此可以防止因静电引起的电路的短路和异物的附着。基材可以通过由包含抗静电剂的树脂形成而具有抗静电功能，或者可以通过将包含导电性高分子、有机或无机导电性物质和抗静电剂等抗静电组分的组合物涂布到任何适当的薄膜上以形成抗静电层而具有抗静电功能。当基材具有抗静电层时，优选在其上形成有抗静电层的表面上层叠中间层。
当基材具有抗静电功能时，基材的表面电阻值例如为1.0×102Ω/□～1.0×1013Ω/□，优选为1.0×106Ω/□～1.0×1012Ω/□，更优选1.0×107Ω/□～1.0×1011Ω/□。当表面电阻值落在该范围内时，在带剥离时的静电的产生受到抑制，因此可以防止因静电引起的电路的短路和异物的附着。当使用具有抗静电功能的基材作为基材时，要获得的压敏粘合带的表面电阻值例如可以为1.0×106Ω/□～1.0×1012Ω/□。
基材的厚度可以设定为任何适当的值。基材的厚度优选为10μm～200μm，更优选为20μm～150μm。
基材的弹性模量可以设定为任何适当的值。基材在25℃下的弹性模量优选为50MPa～6,000MPa，更优选为70MPa～5,000MPa。当弹性模量落入该范围内时，可以获得能够适度地追随被粘物表面的凹凸的压敏粘合带。
B-2.压敏粘合剂层
压敏粘合剂层可以由上述A部分中描述的压敏粘合剂组合物形成。如上所述，A部分中描述的压敏粘合剂组合物具有优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，并且可以防止剥离时在被粘物上的残胶。因此，当通过使用压敏粘合剂组合物形成压敏粘合剂层时，即使在半导体晶片的表面具有凹凸的情况下，该压敏粘合带在贴合至半导体晶片时也具有优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，并且可以在半导体加工步骤中适当地保护半导体晶片的表面。
压敏粘合剂层的厚度可以设定为任何适当的值。压敏粘合剂层的厚度优选为1μm～10μm，更优选为1μm～6μm。当压敏粘合剂层的厚度落入该范围内时，该带可以表现出充分的对被粘物的压敏粘合力。
当未用紫外线照射时，压敏粘合剂层的25℃下的剪切储能弹性模量G′1优选为0.175MPa以上，更优选为0.2MPa以上，还更优选为0.23MPa以上。当25℃下的剪切储能弹性模量G′1落入该范围内时，即使在被粘物具有凹凸的情况下，压敏粘合带也可以表现出优异的凹凸嵌入性。压敏粘合剂层的25℃下的剪切储能弹性模量G′1例如为0.80MPa以下。如本文所用，术语“25℃下的剪切储能弹性模量G'1”是指通过使用压敏粘合剂组合物在其上形成厚度为1mm的压敏粘合剂层的样品用动态粘弹性测量设备测量的值。
压敏粘合剂层在紫外线照射后的25℃下的拉伸储能弹性模量E′1优选为300MPa以下，更优选为200MPa以下，还更优选为180MPa以下。当在紫外线照射后的25℃下的拉伸储能弹性模量E′1落入该范围时，压敏粘合带在紫外线照射后可以容易地从被粘物剥离。压敏粘合剂层在紫外线照射后的25℃下的拉伸储能弹性模量E′1为50MPa以上。如本文所用，术语“25℃下的拉伸储能弹性模量E′1”是指如下获得的值：制造通过使用压敏粘合剂组合物在其上形成厚度为1mm的压敏粘合剂层的样品；用紫外线照射压敏粘合剂层，使得积分光量可以为700mJ/cm2，接下来用动态粘弹性测量设备测量值。
压敏粘合剂层在紫外线照射后的相对于硅的压敏粘合力优选为0.15N/20mm以下，更优选为0.10N/20mm以下，还更优选为0.08N/20mm以下。当相对于硅的压敏粘合力落入该范围内时，压敏粘合带在紫外线照射后可以容易地从被粘物剥离。紫外线照射后的相对于硅的压敏粘合力例如为0.01N/20mm以上。如本文所用，术语“相对于硅的压敏粘合力”是指用在其上形成有紫外线固化型压敏粘合剂层的压敏粘合带测量的相对于硅镜面晶片的压敏粘合力。
压敏粘合剂层的数量可以是一层，或者两层以上。当压敏粘合剂层的数量为两层以上时，压敏粘合带只需包括至少一层通过使用上述A部分中描述的压敏粘合剂组合物形成的压敏粘合剂层。当压敏粘合剂层的数量为两层以上时，通过使用A部分中描述的压敏粘合剂组合物形成的压敏粘合剂层优选形成在压敏粘合带的表面上以与被粘物接触。不是由压敏粘合剂组合物形成的压敏粘合剂层可以由任何适当的压敏粘合剂组合物形成。压敏粘合剂组合物可以是紫外线固化型压敏粘合剂，或者可以是感压型压敏粘合剂。
B-3.中间层
中间层可以由任何适当的材料形成。中间层可以由例如丙烯酸系树脂、聚乙烯系树脂、乙烯-乙烯醇共聚物、乙烯乙酸乙烯酯系树脂或乙烯甲基丙烯酸甲酯树脂等树脂或者压敏粘合剂形成。
在本发明的至少一个实施方案中，中间层由包含(甲基)丙烯酸系聚合物的中间层形成用组合物形成。(甲基)丙烯酸系聚合物优选包含来自(甲基)丙烯酸烷基酯的构成组分。(甲基)丙烯酸烷基酯的实例包括(甲基)丙烯酸C1-C20烷基酯，例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯和(甲基)丙烯酸二十烷基酯。
为了改造例如内聚强度、耐热性或交联性的目的，(甲基)丙烯酸系聚合物可以根据需要包含与可与(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其它单体相对应的构成单元。这种单体的实例包括：含羧基的单体，例如丙烯酸和甲基丙烯酸；酸酐单体，例如马来酸酐和衣康酸酐；含羟基单体，例如(甲基)丙烯酸羟乙酯、(甲基)丙烯酸羟丙酯；含磺酸基单体，例如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸；含氮单体，例如(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、丙烯酰基吗啉；(甲基)丙烯酸氨基烷基酯系单体，例如(甲基)丙烯酸氨基乙酯；(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系单体，例如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯；马来酰亚胺系单体，例如N-环己基马来酰亚胺和N-异丙基马来酰亚胺；衣康酰亚胺系单体，例如N-甲基衣康酰亚胺和N-乙基衣康酰亚胺；琥珀酰亚胺系单体；乙烯基系单体，例如乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯烷酮和甲基乙烯基吡咯烷酮；氰基丙烯酸酯单体，例如丙烯腈和甲基丙烯腈；含环氧基的丙烯酸系单体，例如(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；二醇系丙烯酸酯单体，例如聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯和聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯；各自具有杂环、卤素原子或硅原子的丙烯酸酯系单体，例如(甲基)丙烯酸四氢糠酯、氟化(甲基)丙烯酸酯、有机硅(甲基)丙烯酸酯；烯烃系单体，例如异戊二烯、丁二烯和异丁烯；以及乙烯基醚系单体，例如乙烯基醚。这些单体组分可以单独使用或以其组合使用。在100重量份丙烯酸系聚合物中，来自其它单体的构成单元的含有比例优选为1重量份～30重量份，更优选为3重量份～25重量份。
(甲基)丙烯酸系聚合物的重均分子量优选为200,000至1,000,000，更优选为300,000至800,000。重均分子量可以通过GPC(溶剂：THF)测量。
(甲基)丙烯酸系聚合物的玻璃化转变温度优选为-50℃～30℃，更优选为-40℃～20℃。当玻璃化转变温度落在这样的范围内时，可以获得耐热性优异、能够适合在加热步骤中使用的压敏粘合带。
在本发明的至少一个实施方案中，中间层包含光聚合引发剂并且不含任何紫外线固化性组分。即，虽然中间层包含光聚合引发剂，但中间层本身不因紫外线照射而固化。因此，中间层可以在紫外线照射前后保持其柔软性。另外，当中间层包含光聚合引发剂时，压敏粘合剂层中的光聚合引发剂向中间层迁移，这导致可以抑制压敏粘合剂层中的光聚合引发剂的含量随时间减少，。因此，在紫外线照射后，压敏粘合带可以发挥优异的轻剥离性。如本文所用，术语“紫外线固化性组分”是指能够通过紫外线照射交联而经历固化收缩的组分。其具体实例包括各自在其侧链或其末端中具有碳不饱和双键的聚合物。
中间层形成用组合物(所得中间层)中的光聚合引发剂与压敏粘合剂层中的光聚合引发剂可以彼此相同或不同。中间层和压敏粘合剂层优选包含相同的光聚合引发剂。当中间层和压敏粘合剂层包含相同的光聚合引发剂时，可以进一步抑制光聚合引发剂从压敏粘合剂层转移到中间层。上述A部分中作为实例列举的光聚合引发剂可以用作光聚合引发剂。光聚合引发剂可以单独使用或以其组合使用。
相对于中间层形成用组合物中的聚合物构成组分100重量份，中间层中的光聚合引发剂的含量优选为0.1重量份～10重量份，更优选为0.5重量份～8重量份。当中间层中的光聚合引发剂的含量落在该范围内时，可以获得紫外线照射后的轻剥离性优异的压敏粘合带。在本发明的至少一个实施方案中，光聚合引发剂以与压敏粘合剂层形成用组合物中的量相等的量来使用。
在本发明的至少一个实施方案中，中间层形成用组合物进一步包含交联剂。交联剂的实例包括异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、噁唑啉系交联剂、氮丙啶系交联剂、三聚氰胺系交联剂、过氧化物系交联剂、脲系交联剂、金属醇盐系交联剂、金属螯合物系交联剂、金属盐系交联剂、碳二亚胺系交联剂和胺系交联剂。
当中间层形成用组合物包含交联剂时，相对于中间层形成用组合物中的聚合物构成组分100重量份，交联剂的含有比例优选为0.01重量份～5重量份，更优选为0.05重量份～1.0重量份。
中间层形成用组合物根据需要可以进一步包含任何适当的添加剂。添加剂的实例包括活性能量射线聚合促进剂、自由基清除剂、增粘剂、增塑剂(例如，偏苯三酸酯系增塑剂或均苯四酸酯系增塑剂)、颜料、染料、填料、抗老化剂、导电材料、抗静电剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、剥离改性剂、软化剂、表面活性剂、阻燃剂、抗氧化剂。
中间层的厚度优选为10μm～300μm，更优选为50μm～200μm，还更优选为50μm～150μm，特别优选为100μm～150μm。当中间层的厚度落入该范围内时，可以获得能够使凹凸表面令人满意地嵌入的压敏粘合带。
中间层在其紫外线照射之前的25℃下的剪切储能弹性模量G′3优选为0.3MPa～10MPa，更优选为0.4MPa～1.5MPa，还更优选为0.5MPa～1.0MPa。另外，中间层在紫外线照射之前的80℃下的剪切储能弹性模量G′4优选为0.01MPa～0.5MPa，更优选为0.02MPa～0.20MPa，还更优选为0.02MPa～0.15MPa，特别优选为0.03MPa～0.10MPa。当25℃下的剪切储能弹性模量G′3和80℃下的剪切储能弹性模量G′4落入该范围内时，可以获得能够在其贴合时和在背面研磨步骤中使凹凸表面令人满意地嵌入的压敏粘合带。另外，可以改进压敏粘合带的被粘物保持力。
C.压敏粘合带的制造方法
压敏粘合带可以通过任何适当的方法制造。在本发明的至少一个实施方案中，可以通过在基材上形成压敏粘合剂层来制造压敏粘合带。另外，当压敏粘合带包括中间层时，压敏粘合带可以通过例如在基材上形成中间层，然后在中间层上形成压敏粘合剂层来制造。压敏粘合剂层和中间层可以通过将压敏粘合剂层形成用组合物和中间层形成用组合物分别涂布在基材和中间层上来形成，或者可以分别通过在任何适当的剥离衬垫上形成该层，然后转印该层来形成。可以分别采用例如棒涂机涂布、气刀涂布、凹版涂布、凹版反转涂布、逆辊涂布、唇涂、模涂、浸涂、胶版印刷、柔版印刷、丝网印刷等各种方法作为涂布方法。另外，例如，可以采用涉及到在剥离衬垫上分别形成压敏粘合剂层或中间层，然后将所得物贴合到基材上的方法。
D.半导体加工用压敏粘合带的应用
根据本发明的至少一个实施方案的半导体加工用压敏粘合带可以在半导体加工步骤的任意适当的步骤中使用。如上所述，根据本发明的至少一个实施方案的半导体加工用压敏粘合带具有优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，并且可以防止剥离时在被粘物上的残胶。因此，当通过使用该压敏粘合剂组合物形成压敏粘合剂层时，即使在半导体晶片的表面具有凹凸的情况下，该带在贴合至半导体晶片时也具有优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，并且可以在半导体加工步骤中适当地保护半导体晶片的表面。如上所述，压敏粘合剂组合物包含光聚合引发剂。因此，该带能够在通过用紫外线照射进行剥离时发挥优异的剥离性，并且即使在被粘物具有如凸块等凹凸时，也能够防止在被粘物表面上的残胶。因此，该带可以适当地用于需要优异的压敏粘合力和优异的剥离强度的用途中。在本发明的至少一个实施方案中，根据本发明的至少一个实施方案的半导体加工用压敏粘合带可以通过贴合至表面具有凹凸的被粘物上来使用。在这样的被粘物中，会进一步要求使被粘物表面的凹凸嵌入的特性、对带剥离时的残胶的防止效果。即使当使用这样的被粘物时，根据本发明的至少一个实施方案的半导体加工用压敏粘合带也能够在半导体加工步骤中令人满意地保持被粘物。
在本发明的至少一个实施方案中，上述压敏粘合带可适合用作背面研磨带。压敏粘合带在其紫外线照射后可以发挥优异的轻剥离性。另外，在紫外线照射后，无论被粘物表面的结构如何，该带都可以发挥优异的轻剥离性。因此，即使当被粘物表面的结构复杂时，该带也可以防止在被粘物表面上的残胶。因此，在背面研磨步骤后，该带可以容易地从被粘物剥离，并且可以防止在被粘物上的残胶。
实施例
现在，通过实施例具体描述本发明，但本发明不限于这些实施例。实施例中的测试和评价方法如下所述。此外，除非另有说明，否则“份”和“％”均按重量计。
<制造例1>中间层形成用组合物的制备
作为单体，使用58.4摩尔丙烯酸丁酯、38.6摩尔甲基丙烯酸甲酯、3摩尔丙烯酸2-羟乙酯(由Toagosei Co.,Ltd.制造，产品名：ACRYCS(商标)HEA)。将这些单体、相对于单体总重量为0.3wt％的聚合引发剂(由FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制造，产品名：V-50)和溶剂(水)混合以制备单体组合物(固体成分浓度：25％)。将单体组合物装入聚合用试验设备中，该聚合用试验设备是通过将1升圆底可分离烧瓶安装有可分离盖、分液漏斗、温度计、氮气导入管、李比希冷凝器、真空密封装置、搅拌棒和搅拌叶片而获得的。一边搅拌组合物，一边在常温下用氮气吹扫设备1小时。之后，一边在氮气流中搅拌组合物，一边将组合物在56℃下保持5小时以进行乳液聚合，然后进行盐析。由此，得到树脂(中间层形成组合物用聚合物)。
将所得聚合物溶解在乙酸乙酯中，并且相对于溶液的固体成分100重量份，将0.1重量份多异氰酸酯化合物(产品名："CORONATE L"，由Tosoh Corporation制造)和1重量份光聚合引发剂(由IGM Resins B.V.制造，产品名：Omnirad 127D)混合到溶液中。由此，制备了包含乙酸乙酯(固体含量：35％)的中间层形成用组合物。
<制造例2>压敏粘合剂层形成用组合物的制备
作为单体，使用75摩尔丙烯酸丁酯、25摩尔甲基丙烯酸甲酯、20摩尔丙烯酸2-羟乙酯(由Toagosei Co.,Ltd.制造，产品名：ACRYCS(商标)HEA)。将这些单体、相对于单体总重量为0.3wt％的聚合引发剂(由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.制造，产品名：2,2′-偶氮二(异丁腈)(AIBN))和溶剂(乙酸乙酯)混合以制备单体组合物(固体成分浓度：37.5％)。将单体组合物装入聚合用试验设备中，该聚合用试验设备是通过将1升圆底可分离烧瓶安装有可分离盖、分液漏斗、温度计、氮气导入管、李比希冷凝器、真空密封装置、搅拌棒和搅拌叶片而获得的。一边搅拌组合物，一边在常温下用氮气吹扫设备6小时。之后，一边在氮气流中搅拌组合物，一边将组合物在65℃下保持6小时以进行溶液聚合。由此，得到树脂溶液(包含具有羟基的聚合物的聚合物溶液)。
搅拌上述得到的具有羟基的聚合物的溶液，使空气充分进入溶液中。之后，将16mol由式(1)表示的单体(由Showa Denko K.K.制造，产品名：“Karenz MOI-EG”)添加到溶液中。另外，向混合物中添加相对于由式(1)表示的单体的重量为0.05wt％的二月桂酸二丁基锡(IV)(由Wako Pure Chemical Industries,Ltd.制造)，并适当添加溶剂(乙酸乙酯)，将混合物的固体成分浓度调节至31％，然后搅拌。之后，将该混合物在50℃下储存24小时以提供聚合物溶液(压敏粘合剂组合物1)。
相对于所得聚合物溶液的固体成分100重量份，将3.0重量份多异氰酸酯化合物(产品名：“CORONATE L”，由Tosoh Corporation制造)和1重量份光聚合引发剂(由IGMResins B.V.制造，产品名：Omnirad 127D)混合到溶液中。由此，制备包含乙酸乙酯的压敏粘合剂层形成用组合物(固体含量：15％)。
[实施例1]
将制造例1中得到的中间层形成用组合物涂布于厚度为38μm的聚酯系剥离衬垫(产品名：“MRF”，由Mitsubishi Plastics,Inc.制造)的表面，该表面已进行了有机硅处理，在120℃下加热120秒以除去其溶剂。由此，形成厚度为150μm的中间层。接下来，将厚度为50μm的PET膜(产品名：“LUMIRROR S105”，由Toray Industries,Inc.制造)(作为基材的膜)的ESAS处理面贴合至中间层的表面。
分别地，将制造例2中得到的压敏粘合剂层形成用组合物涂布于厚度为75μm的聚酯系剥离衬垫的有机硅处理面，在120℃下加热120秒以除去其溶剂。由此，形成厚度为6μm的压敏粘合剂层。
接下来，将剥离衬垫从中间层剥离，将压敏粘合剂层贴合并转印到中间层上，然后在50℃下将所得物储存72小时。由此，得到依次包括基材、中间层和压敏粘合剂层的压敏粘合带。
[实施例2]
除了将由式(1)表示的单体(由Showa Denko K.K.制造，产品名：“Karenz MOI-EG”)的添加量改变至14mol之外，以与实施例1相同的方式获得压敏粘合带。
[实施例3]
除了将由式(1)表示的单体(由Showa Denko K.K.制造，产品名：“Karenz MOI-EG”)的添加量改变至18mol、光聚合引发剂的添加量改变为2重量份之外，以与实施例1相同的方式获得压敏粘合带。
(比较例1)
除了使用用于引入碳不饱和双键的其它化合物(由Showa Denko K.K.制造，产品名：“Karenz MOI”)代替由式(1)表示的单体(由Showa Denko K.K.制造，产品名：“KarenzMOI-EG”)、光聚合引发剂的添加量改变为1重量份之外，以与实施例3相同的方式获得压敏粘合带。
(比较例2)
将75摩尔丙烯酸2-乙基己酯、25摩尔丙烯酰基吗啉、22摩尔丙烯酸2-羟乙基酯(由Toagosei Co.,Ltd.制造，产品名：ACRYCS(商标)HEA)、相对于单体总重量为0.3wt％的聚合引发剂(由NOF Corporation制造，产品名：NYPER(商标)BW)和溶剂(乙酸乙酯)混合以制备单体组合物(固体成分浓度：40％)。将单体组合物装入聚合用试验设备中，该聚合用试验设备是通过将1升圆底可分离烧瓶安装有可分离盖、分液漏斗、温度计、氮气导入管、李比希冷凝器、真空密封装置、搅拌棒和搅拌叶片而获得的。一边搅拌组合物，一边在常温下用氮气吹扫设备6小时。之后，一边在氮气流中搅拌组合物，一边将组合物在60℃下保持8小时以进行聚合。由此，得到树脂溶液。将11摩尔用于引入碳不饱和双键的其它化合物(由ShowaDenko K.K.制造，产品名：“Karenz MOI”)添加到所得树脂溶液中。此外，将0.0633重量份二月桂酸二丁基锡(IV)(由Wako Pure Chemical Industries,Ltd.制造)添加至混合物中，适当添加溶剂(甲苯)，将混合物的固体成分浓度调节至15％。之后，在空气气氛下，将混合物在50℃下搅拌24小时以提供聚合物溶液(压敏粘合剂组合物)。
除了使用所得压敏粘合剂组合物、将光聚合引发剂的添加量改变为5重量份以外，以与实施例1相同的方式制备压敏粘合剂层形成用组合物。除了使用该压敏粘合剂层形成用组合物之外，以与实施例1中相同的方式获得压敏粘合带。
(比较例3)
除了使用18mol用于引入碳不饱和双键的其它化合物(由Showa Denko K.K.制造，产品名：“Karenz MOI”)之外，以与比较例2中相同的方式获得聚合物溶液(压敏粘合剂组合物)。
除了使用所得压敏粘合剂组合物、将光聚合引发剂的添加量改变为5重量份以外，以与实施例1相同的方式制备压敏粘合剂层形成用组合物。除了使用该压敏粘合剂层形成用组合物之外，以与实施例1中相同的方式获得压敏粘合带。
使用实施例和比较例中得到的压敏粘合带进行以下评价。结果示于表1。
(1)压敏粘合力
硅压敏粘合力(Si压敏粘合强度)通过使用Si镜面晶片(由Shin-Etsu ChemicalCo.,Ltd.制造)作为被粘物来测量。使用用切割器切割成20mm宽的压敏粘合带。通过使2千克辊往复运动一次，将带贴合到晶片上。使用符合JIS Z 0237(2000)的拉伸试验机(TENSILON)(由MinebeaMitsumi Inc.制造，产品名：TG-1kN)进行测量。具体而言，以300mm/min的拉伸速率、室温和180°的剥离角将带剥离。紫外线照射如下进行：将压敏粘合带贴合到晶片上，将所得物在常温下储存30分钟，然后在测量带的压敏粘合力之前用来自高压汞灯的紫外线(700mJ/cm2)照射所得物。在室温23℃、相对湿度50％的环境下进行压敏粘合带的贴合和剥离。
(2)剪切储能弹性模量
将各压敏粘合剂层形成用组合物层叠在剥离衬垫(厚度：38μm，由MitsubishiPlastics,Inc.制造，产品名：“MRF”)上以具有1mm的厚度。因此，获得了样品。样品的剪切储能弹性模量使用ARES流变仪(由Waters Corporation制造)在升温速率为5℃/min、频率为1Hz、测量温度为0℃～100℃的条件下进行测量。
(3)拉伸储能弹性模量
以与上述的剪切储能弹性模量的评价相同的方式制造样品。样品的拉伸储能弹性模量使用动态粘弹性测量设备(产品名：RSA，由TA Instruments,Inc.制造)在升温速率为5℃/min、频率为1Hz、测量温度为0℃～100℃的条件下进行测量。将对压敏粘合剂层形成用组合物层叠后用来自高压汞灯的紫外线(700mJ/cm2)照射的样品进行测量。
(4)嵌入性
将实施例和比较例中获得的各压敏粘合带(230cm×400cm)用带贴合设备(由Nitto Seiki Co.,Ltd.制造，产品名：DR-3000III)贴合到晶片(8英寸，凸块高度：75μm，直径：90μm，间距：200μm)上。在以下条件下进行贴合。
Figure BDA0003874207870000211
贴合后，用激光显微镜(放大倍率：100倍)观察压敏粘合带与晶片的贴合状态。另外，在压敏粘合带朝上的状态下，从压敏粘合带侧对压敏粘合带和晶片进行成像，将图像用图像分析软件(Image J(free software))进行二值化(8位灰度、亮度：0～255、阈值：114)。随机选择5个凸块，计数用于1个凸块的显示的点数。通过将5个凸块的平均点数为830以下的情况用符号“○”(良好)标记，将平均点数大于830的情况用符号“×”(差)标记，进行评价。注意，在未贴合有带的状态下，仅凸块的图像具有220点。当凸块处于贴合有带的状态时，使点数远大于220。当平均点数为830以下时，表示该带具有优异的凹凸嵌入性。
(5)残胶
将实施例和比较例中得到的各压敏粘合带(230cm×400cm)用胶带贴合设备(由Nitto Seiki Co.,Ltd.制造，产品名：DR-3000III)贴合到具有Cu柱和各自包括焊料的凸块的晶片(12英寸，凸块高度：65μm，直径：60μm，间距：150μm)。在以下条件下进行贴合。
Figure BDA0003874207870000221
接下来，用来自高压汞灯的紫外线(700mJ/cm2)照射所得物，并用剥离设备(由Nitto Seiki Co.,Ltd.制造，产品名：RM300-NV4)在以下条件下剥离压敏粘合带。
剥离温度：60℃
剥离速度：5mm/秒
之后，用激光显微镜观察压敏粘合带剥离后的晶片，通过将在凸块上不存在残胶的情况用符号“◎”(非常好)标记，将能够些微观察到残胶但在可允许范围内的情况用符号“○”(良好)标记，并且将在凸块上存在残胶而阻碍晶片使用的情况用符号“×”(差)标记，进行评价。
Figure BDA0003874207870000231
根据本发明的至少一个实施方案的压敏粘合剂组合物可以适当地用于半导体加工用压敏粘合带中。
根据本发明的至少一个实施方案，可以提供一种压敏粘合剂组合物，其具有优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，并且可以防止剥离时在被粘物上的残胶。因此，该组合物可以适当地用于包括使用在其表面上具有凹凸的半导体晶片的半导体加工步骤中。

Claims (10)

1.一种压敏粘合剂组合物，其用于半导体加工用压敏粘合带中，所述压敏粘合剂组合物包含：
基础聚合物；和
光聚合引发剂，
其中所述基础聚合物是通过使包含具有羟基的聚合物和由式(1)表示的单体的单体组合物聚合而获得的聚合物：
Figure FDA0003874207860000011
其中"n"表示1以上的整数。
2.根据权利要求1所述的压敏粘合剂组合物，其中相对于所述具有羟基的聚合物的羟基的摩尔数，所述由式(1)表示的单体的添加量为50mol％～95mol％。
3.根据权利要求1所述的压敏粘合剂组合物，其中所述由式(1)表示的单体是2-(2-甲基丙烯酰氧基乙氧基)乙基异氰酸酯。
4.根据权利要求1所述的压敏粘合剂组合物，其中用于所述具有羟基的聚合物的聚合中的单体组合物以10mol％～40mol％的比率包含含有羟基的单体。
5.一种半导体加工用压敏粘合带，其包括：
基材；和
由根据权利要求1所述的压敏粘合剂组合物形成的压敏粘合剂层。
6.根据权利要求5所述的半导体加工用压敏粘合带，其中所述半导体加工用压敏粘合带用于背面研磨步骤中。
7.根据权利要求5所述的半导体加工用压敏粘合带，其中当未用紫外线照射时，所述压敏粘合剂层的25℃下的剪切储能弹性模量G′1为0.2MPa以上。
8.根据权利要求5所述的半导体加工用压敏粘合带，其中所述半导体加工用压敏粘合带通过贴合至具有凹凸的被粘物来使用。
9.根据权利要求5所述的半导体加工用压敏粘合带，其中所述压敏粘合剂层在紫外线照射后的25℃下的拉伸储能弹性模量E′1为200MPa以下。
10.根据权利要求5所述的半导体加工用压敏粘合带，其中所述压敏粘合剂层在紫外线照射后的相对于硅的压敏粘合力为0.15N/20mm以下。
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