CN115612999A - 一种半导体生产设备及其控制方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种半导体生产设备及其控制方法及装置，用以通过大流量气体清洗高温下的反应腔室，从而达到清洁反应腔室内部器件表面的效果，提高半导体产品良率。本申请提供的半导体生产设备，包括反应腔室，所述设备还包括：与所述反应腔室相连的气体输入装置，以及与所述反应腔室相连的气体输出装置；其中，所述气体输入装置用于向所述反应腔室输入气体；所述气体输出装置用于将所述反应腔室内的气体排出；半导体生产控制装置，用于在多个半导体产品的加工间隙，控制所述反应腔室达到预设温度，并持续预设时长，然后控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。
Description
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体生产设备及其控制方法及装置。
背景技术
离子注入是指当真空中有一束离子束射向一块固体材料时，离子束把固体材料的原子或分子撞出固体材料表面，当离子束射到固体材料以后，受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下来，并最终停留在固体材料中的这一现象称作离子注入。
离子注入的方法就是在真空中、低温下，把杂质离子加速(对Si，电压≥105V)，获得很大动能的杂质离子即可以直接进入半导体中；同时也会在半导体中产生一些晶格缺陷，因此在离子注入后需用低温进行退火或激光退火来消除这些缺陷。也就是说，晶圆制造过程中常使用快速热处理装置，对其前制程(也称为前道工艺)掺入的离子进行退火(anneal)，以达到激活掺杂离子和修复离子注入时造成晶格损伤的目的。
根据掺杂离子的种类和深度，快速热处理会采用不同的退货时间和温度(annealtime and temperature)。目前采用灯泡加热的方式对搭载在空心圆环(edge ring)上的晶圆(wafer)进行热处理，wafer的实际温度主要由wafer下面受石英盖(quartz cover)保护的反射板(reflect plate)来反映。前制程掺杂离子在高温作用下会更容易以气态(gas)形式从晶圆内部往外扩散，涂布(coating)在反应腔室(chamber)内部器件的各表面上，尤其coating在edge ring和/或quartz cover，从而造成wafer受热不均。就经验(lessonlearn)来看，这些受热不均的wafer更容易导致电性测试(WAT)或收益率差(yield worse)。
发明内容
本申请实施例提供了一种半导体生产设备及其控制方法及装置，用以通过大流量气体清洗高温下的反应腔室，从而达到清洁反应腔室内部器件表面的效果，提高半导体产品良率。
本申请实施例提供的一种半导体生产设备，包括反应腔室，所述设备还包括：与所述反应腔室相连的气体输入装置，以及与所述反应腔室相连的气体输出装置；其中，所述气体输入装置用于向所述反应腔室输入气体；所述气体输出装置用于将所述反应腔室内的气体排出；
所述设备还包括：
半导体生产控制装置，用于在多个半导体产品的加工间隙，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出；
其中，所述反应腔室内设置有加热装置；
所述半导体生产控制装置在控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出之前，先控制所述加热装置启动加热；
当所述反应腔室达到预设温度，并持续预设时长时，所述半导体生产控制装置控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。
本申请实施例提供的半导体生产设备，通过与反应腔室相连的气体输入装置，以及与所述反应腔室相连的气体输出装置，以及通过半导体生产控制装置的控制，可以在多个半导体产品的加工间隙，实现利用气体的流动清洗处于高温下的所述反应腔室，从而达到清洁反应腔室内部器件表面的效果，进而避免了或减轻了例如排气涂布情况下的半导体产品受热不均等问题，提高了半导体产品良率。
在一些实施方式中，所述半导体生产控制装置，在所述反应腔室处于空闲态时，控制所述加热装置启动加热，并且，当所述反应腔室达到预设温度，并持续预设时长时，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。
在一些实施方式中，所述半导体生产控制装置，按照预设的气体流量，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体。
在一些实施方式中，所述气体输入装置包括：与所述反应腔室相连的入气管道；
所述气体输出装置包括：与所述反应腔室相连的出气管道，以及与所述出气管道相连的抽气泵。
在一些实施方式中，所述反应腔室内包括加热装置、用于搭载半导体产品的空心圆环、石英盖以及受所述石英盖保护的反射板；
所述入气管道设置在所述加热装置、所述圆环、所述石英盖、所述反射板的同一侧，所述出气管道设置在与所述加热装置、所述圆环、所述石英盖、所述反射板相对的另一侧。
在一些实施方式中，所述入气管道的横截面为蜂窝状；所述反应腔室内设置有与用于与所述入气管道相连接的蜂窝气孔结构；
和/或，所述出气管道的横截面为蜂窝状；所述反应腔室内设置有与用于与所述出气管道相连接的蜂窝气孔结构。
在一些实施方式中，所述抽气泵为功率大于预设值的抽气泵。
在一些实施方式中，所述气体包括具有氧化作用的气体。
本申请实施例提供的一种所述的半导体生产设备的生产控制方法，包括：
在多个半导体产品的加工间隙，控制所述的半导体生产设备中的所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述的半导体生产设备中的所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出；
其中，在控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出之前，先控制所述加热装置启动加热；当所述反应腔室达到预设温度，并持续预设时长时，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。
在一些实施方式中，在确定所述反应腔室处于空闲态时，控制所述加热装置启动加热，并且，当所述反应腔室达到预设温度，并持续预设时长时，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。
在一些实施方式中，按照预设的气体流量，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体。
本申请实施例提供的一种半导体生产控制装置，包括：
存储器，用于存储程序指令；
处理器，用于调用所述存储器中存储的程序指令，按照获得的程序执行：
在多个半导体产品的加工间隙，控制所述的半导体生产设备中的所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述的半导体生产设备中的所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。
在一些实施方式中，所述处理器具体用于：
在控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出之前，先控制所述反应腔室内的加热装置启动加热；
当所述反应腔室达到预设温度，并持续预设时长时，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。
在一些实施方式中，所述处理器，在所述反应腔室处于空闲态时，控制所述加热装置启动加热，并且，当所述反应腔室达到预设温度，并持续预设时长时，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。
在一些实施方式中，所述处理器，按照预设的气体流量，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体。
此外，根据实施例，例如提供了一种用于计算机的计算机程序产品，其包括软件代码部分，当所述产品在计算机上运行时，这些软件代码部分用于执行上述所定义的方法的步骤。该计算机程序产品可以包括在其上存储有软件代码部分的计算机可读介质。此外，该计算机程序产品可以通过上传过程、下载过程和推送过程中的至少一个经由网络直接加载到计算机的内部存储器中和/或发送。
本申请另一实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使所述计算机执行上述任一种方法。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本申请的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种半导体生产设备的总体架构示意图；
图2为本申请实施例提供的另一种半导体生产设备的总体架构示意图；
图3为本申请实施例提供的一种半导体生产设备的具体结构示意图；
图4为本申请实施例提供的对chamber清洗的流程示意图；
图5为本申请实施例提供的对chamber清洗之前在chamber内部形成涂布的示意图；
图6为本申请实施例提供的对chamber清洗的过程示意图；
图7为本申请实施例提供的一种半导体生产控制装置的结构示意图；
图8为本申请实施例提供的一种半导体生产控制方法的总体流程示意图；
图9为本申请实施例提供的一种半导体生产控制方法的具体流程示意图；
图10为本申请实施例提供的另一种半导体生产控制装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，并不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供了一种半导体生产设备及其控制方法及装置，用以通过大流量气体清洗高温下的反应腔室，从而达到清洁反应腔室内部器件表面的效果，提高半导体产品良率，例如可以避免或减轻排气涂布(outgassing coating)情况下的半导体产品受热不均的问题。
其中，方法和装置是基于同一申请构思的，由于方法和装置解决问题的原理相似，因此装置和方法的实施可以相互参见，重复之处不再赘述。
本申请实施例的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的实施例能够以除了在这里图示或描述的内容以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、***、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
以下示例和实施例将只被理解为是说明性的示例。虽然本说明书可能在若干处提及“一”、“一个”或“一些”示例或实施例，但这并非意味着每个这种提及都与相同的示例或实施例有关，也并非意味着该特征仅适用于单个示例或实施例。不同实施例的单个特征也可以被组合以提供其他实施例。此外，如“包括”和“包含”的术语应被理解为并不将所描述的实施例限制为仅由已提及的那些特征组成；这种示例和实施例还可以包含并未具体提及的特征、结构、单元、模块等。
下面结合说明书附图对本申请各个实施例进行详细描述。需要说明的是，本申请实施例的展示顺序仅代表实施例的先后顺序，并不代表实施例所提供的技术方案的优劣。
参见图1，本申请实施例提供的一种半导体生产设备，包括反应腔室，所述设备还包括：与所述反应腔室相连的气体输入装置，以及与所述反应腔室相连的气体输出装置；其中，所述气体输入装置用于向所述反应腔室输入气体；所述气体输出装置用于将所述反应腔室内的气体排出。
其中，本申请实施例所述的气体输入装置的具体结构，可以根据实际需要而定，例如可以包括气体提供装置和相应的管道等结构，具体本申请实施例中不进行限定。
同理，本申请实施例所述的气体输入装置的具体结构，也可以根据实际需要而定，例如可以包括气体抽取装置(抽真空装置)和相应的管道等结构，具体本申请实施例中不进行限定。
同理，本申请实施例所述的反应腔室的内部结构，也可以根据实际需要而定，所述的反应腔室可以是用于实现任何功能的腔室，例如，对于进行退火(anneal)的反应腔室，其内部可以包括加热装置、用于搭载半导体产品的空心圆环、石英盖以及受所述石英盖保护的反射板等结构。对于进行沉积的反应腔室，其内部可以包括其他结构，具体本申请实施例中不进行限定。也就是说，本申请实施例提供的技术方案，可以适用于具有需要清洗反应腔室内部器件表面需求的所有的机台。
本申请实施例提供的半导体生产设备，通过与反应腔室相连的气体输入装置，以及与所述反应腔室相连的气体输出装置，可以实现利用气体的流动(具体的流量、气体、温度、时间等都是可以根据实际需要进行控制的)清洗反应腔室，从而达到清洁反应腔室内部器件表面的效果，进而可以避免或减轻例如排气涂布情况下的半导体产品受热不均的问题，提高了半导体产品良率。
在一些实施方式中，参见图2，所述设备还包括：
半导体生产控制装置，用于在多个半导体产品的加工间隙，例如在两个晶圆的加工间隙(当然也可以是每隔更多个晶圆进行一次清洗)，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。
在一些实施方式中，所述反应腔室内设置有加热装置(例如可以采用灯泡加热方式的装置)；
所述半导体生产控制装置在控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出之前，先控制所述加热装置启动加热，即对反应腔室先进行预热，使之达到一定温度，从而使得反应腔室内部器件表面上的离子气化，所述反应腔室内部器件表面上的离子，是在之前的工艺流程中产生并附着在反应腔室内部器件表面上的；
当所述反应腔室达到预设温度(例如一千度以上，具体例如1100℃)，并持续预设时长(例如半分钟以上，具体例如2～3分钟，或例如1分钟等等)时，所述半导体生产控制装置控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。
在一些实施方式中，所述半导体生产控制装置，在所述反应腔室处于空闲态时，控制所述加热装置启动加热，并且，当所述反应腔室达到预设温度，并持续预设时长时，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。
其中，所述反应腔室处于空闲态，即没有进行半导体产品加工时，例如针对上一晶圆的前制程结束时，还没有开始进行下一晶圆的前制程时。
在一些实施方式中，所述半导体生产控制装置，按照预设的气体流量(例如5～20秒每毫升)，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体。
在一些实施方式中，所述气体输入装置包括：与所述反应腔室相连的入气管道；
所述气体输出装置包括：与所述反应腔室相连的出气管道，以及与所述出气管道相连的抽气泵。
其中，抽气泵的具***置，可以根据实际需要而定，例如，设置在出气管道的远离腔室的一端。
在一些实施方式中，参见图3，所述反应腔室内包括加热装置、用于搭载半导体产品的空心圆环、石英盖以及受所述石英盖保护的反射板；
所述入气管道设置在所述加热装置、所述圆环、所述石英盖、所述反射板的同一侧，所述出气管道设置在与所述加热装置、所述圆环、所述石英盖、所述反射板相对的另一侧。
在一些实施方式中，所述入气管道的横截面为蜂窝状(从而保证气流的均匀)；所述反应腔室内设置有与用于与所述入气管道相连接的蜂窝气孔结构；
和/或，所述出气管道的横截面为蜂窝状；所述反应腔室内设置有与用于与所述出气管道相连接的蜂窝气孔结构。
在一些实施方式中，所述抽气泵为功率大于预设值的抽气泵。例如，抽气泵的功率范围为：0.5～2KW。
在一些实施方式中，所述气体包括具有氧化作用的气体，例如N2O。
在一些实施方式中，N2O的管路(包括上述的入气管道和/或出气管道)为单独控制的，即上述半导体生产控制装置单独控制N2O的管路对反应腔室内进行通气，起到清洁、氧化等作用，即N2O的管路与反应腔室内的已有的气体管路分开设置。
下面以通过高温作用来气化脱气(outgas)，通过大流量氧化性气体清洗(purge)并且提供大功率泵(pump)来抽取达到清洁(clean)退火(anneal)反应腔室内部器件表面，避免或减轻排气涂布(outgassing coating)情况下wafer受热不均造成瑕疵(defect)或收益率差(yield worse)等为例进行说明。
基于当前chamber的内部构造以及脱气(outgassing)的不可避免性，本申请实施例中提出在chamber内部或者外部设置泵(pump)，参见图4，当确认chamber空闲时(whenchamber idle)，先把chamber预热到一千摄氏度以上(例如1100℃)，并持续预设时长(例如半分钟以上，具体例如2～3分钟，或例如1min)，使之前coating在chamber内的outgas气化分布在chamber整个空间内，同时利用预设流量(例如5～20秒每毫升)的气体(例如一氧化二氮(N2O)、氮气、氦气等各种气体)进行purge，并打开强抽力pump去抽气，将气体排出chamber，这样就可以避免由于coating导致的wafer受热不均造成的defect/yield worse，进一步提高了工艺能力(CAPA)。
本申请实施例中，在晶圆加工(wafer process)过程中，参见图5，前制程打入的离子会逸散出来，随着腔室冷却，这些outgassing会慢慢coating在腔室内部的各器件上，包括edge ring和quartz cover上，当下一片wafer进入腔室，搭载在edge ring上，由于coating的存在，wafer受热不均匀，另外由于quartz cover上coating的存在，reflectplate读温不准确，会对功率调整(power tune)做出错误的判断和指令。
所以减轻outgassing coating就显得尤为重要，参见图6，当下一片wafer进入腔室之前，把腔室温度升到1100℃，coating在高温作用下会气化分布在整个空间内，此时控制输入大流量的N2O流(flow)进行purge,同时打开大流量pump去抽，既能够保证coating充分气化，又能保证气化后的outgassing能清除干净，从而减轻wafer受热不均导致造成defect/yield loss等影响。
通过对比图5和图6，所述的前制程中，会在quartz cover和Edge ring上涂布磷(P)离子、硼(B)离子等涂布离子(或者简称涂布)，而通过本申请实施例提供的技术方案，可以通过通入的N2O去除这些涂布离子，即通过通入腔室的气体与这些涂布离子进行反应，例如4P+5O2转化为2P2O5，4B+3O2转化为2B2O3，从而将2P2O5和2B2O3排出chamber，实现将chamber内部器件表面上涂布的磷(P)离子和硼(B)离子清除干净。其中，所述的磷(P)离子、硼(B)离子等涂布离子，来自于晶圆生产过程中的源、漏极等，具体源、漏极的加工工艺不再赘述。
综上，本申请实施例提出当chamber空闲时，对chamber加热使coating气化，通过N2O gas对chamber内部进行purge，利用强功率power去抽取outgassing和N2O，从而解决wafer受热不均造成的defect worse或yield loss问题。
下面介绍一下本申请实施例提供的装置，其中与上述设备中所述的相同或相应的技术特征的解释或举例说明，后续不再赘述。
参见图7，本申请实施例提供的一种半导体生产控制装置，包括：
处理器600，用于读取存储器620中的程序，执行下列过程：
在多个半导体产品的加工间隙，控制所述的半导体生产设备中的所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述的半导体生产设备中的所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。
在一些实施方式中，所述处理器600具体用于：
在控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出之前，先控制所述反应腔室内的加热装置启动加热；
当所述反应腔室达到预设温度，并持续预设时长时，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。
在一些实施方式中，所述处理器600，在所述反应腔室处于空闲态时，控制所述加热装置启动加热，并且，当所述反应腔室达到预设温度，并持续预设时长时，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。
在一些实施方式中，所述处理器600，按照预设的气体流量，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体。
在一些实施例中，所述半导体生产控制还包括收发机610，用于在处理器600的控制下接收和发送数据。
其中，在图7中，总线架构可以包括任意数量的互联的总线和桥，具体由处理器600代表的一个或多个处理器和存储器620代表的存储器的各种电路链接在一起。总线架构还可以将诸如***设备、稳压器和功率管理电路等之类的各种其他电路链接在一起，这些都是本领域所公知的，因此，本文不再对其进行进一步描述。总线接口提供接口。收发机610可以是多个元件，即包括发送机和接收机，提供用于在传输介质上与各种其他装置通信的单元。
在一些实施例中，上述半导体生产控制还包括用户接口630，用户接口630可以是能够外接内接需要设备的接口，连接的设备包括但不限于小键盘、显示器、扬声器、麦克风、操纵杆等。
处理器600负责管理总线架构和通常的处理，存储器620可以存储处理器600在执行操作时所使用的数据。
在一些实施例中，处理器600可以是CPU(中央处埋器)、ASIC(ApplicationSpecific Integrated Circuit，专用集成电路)、FPGA(Field－Programmable GateArray，现场可编程门阵列)或CPLD(Complex Programmable Logic Device，复杂可编程逻辑器件)。
相应地，参见图8，本申请实施例提供的一种半导体生产控制方法，包括：
S101、在多个半导体产品的加工间隙，控制反应腔室内的加热装置启动加热；
S102、当所述反应腔室达到预设温度，并持续预设时长时，控制所述的半导体生产设备中的所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体；以及，控制所述的半导体生产设备中的所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。
其中，控制所述的半导体生产设备中的所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体的步骤和控制所述的半导体生产设备中的所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出的步骤可以同时进行，也可以分别进行。
在一些实施方式中，在所述反应腔室处于空闲态时，控制所述加热装置启动加热，并且，当所述反应腔室达到预设温度，并持续预设时长时，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。
在一些实施方式中，按照预设的气体流量，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体。
那么，本申请实施例提供的一种具体的半导体生产控制流程如图9所示，包括：
S201、在反应腔室处于空闲态时，控制反应腔室内的加热装置启动加热；
S202、当所述反应腔室达到预设温度(例如1100℃)，并持续预设的时长(例如1分钟)时，按照预设的气体流量，控制预设气体(例如N2O)输入装置向所述反应腔室输入气体；
S203、控制气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。
相应地，参见图10，本申请实施例提供的一种具体的半导体生产控制装置，包括：
第一单元11，用于在反应腔室处于空闲态时，控制反应腔室内的加热装置启动加热；
第二单元12，用于当所述反应腔室达到预设温度(例如1100℃)，并持续预设的时长(例如1分钟)时，按照预设的气体流量，控制预设气体(例如N2O)输入装置向所述反应腔室输入气体；
第三单元13，用于控制气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。
需要说明的是，本申请实施例中对单元的划分是示意性的，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式。另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)或处理器(processor)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
本申请实施例提供了一种计算设备，该计算设备具体可以为桌面计算机、便携式计算机、智能手机、平板电脑、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)等。该计算设备可以包括中央处理器(Center Processing Unit，CPU)、存储器、输入/输出设备等，输入设备可以包括键盘、鼠标、触摸屏等，输出设备可以包括显示设备，如液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)、阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)等。
存储器可以包括只读存储器(ROM)和随机存取存储器(RAM)，并向处理器提供存储器中存储的程序指令和数据。在本申请实施例中，存储器可以用于存储本申请实施例提供的任一所述方法的程序。
处理器通过调用存储器存储的程序指令，处理器用于按照获得的程序指令执行本申请实施例提供的任一所述方法。
本申请实施例还提供了一种计算机程序产品或计算机程序，该计算机程序产品或计算机程序包括计算机指令，该计算机指令存储在计算机可读存储介质中。计算机设备的处理器从计算机可读存储介质读取该计算机指令，处理器执行该计算机指令，使得该计算机设备执行上述实施例中的任一所述方法。所述程序产品可以采用一个或多个可读介质的任意组合。可读介质可以是可读信号介质或者可读存储介质。可读存储介质例如可以是——但不限于——电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的***、装置或器件，或者任意以上的组合。可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括：具有一个或多个导线的电连接、便携式盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、光纤、便携式紧凑盘只读存储器(CD-ROM)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。
本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，用于储存为上述本申请实施例提供的装置所用的计算机程序指令，其包含用于执行上述本申请实施例提供的任一方法的程序。所述计算机可读存储介质，可以是非暂时性计算机可读介质。
所述计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或数据存储设备，包括但不限于磁性存储器(例如软盘、硬盘、磁带、磁光盘(MO)等)、光学存储器(例如CD、DVD、BD、HVD等)、以及半导体存储器(例如ROM、EPROM、EEPROM、非易失性存储器(NANDFLASH)、固态硬盘(SSD))等。
应当理解：
适合于被实现为软件代码或其一部分并使用处理器或处理功能运行的实施例是独立于软件代码的，并且可以使用任何已知或未来开发的编程语言来规定，诸如高级编程语言，诸如objective-C、C、C++、C#、Java、Python、Javascript、其他脚本语言等，或低级编程语言，诸如机器语言或汇编程序。
实施例的实现是独立于硬件的，并且可以使用任何已知或未来开发的硬件技术或其任何混合来实现，诸如微处理器或CPU(中央处理单元)、MOS(金属氧化物半导体)、CMOS(互补MOS)、BiMOS(双极MOS)、BiCMOS(双极CMOS)、ECL(发射极耦合逻辑)和/或TTL(晶体管-晶体管逻辑)。
实施例可以被实现为单独的设备、装置、单元、部件或功能，或者以分布式方式实现，例如，可以在处理中使用或共享一个或多个处理器或处理功能，或者可以在处理中使用和共享一个或多个处理段或处理部分，其中，一个物理处理器或多于一个的物理处理器可以被用于实现一个或多个专用于如所描述的特定处理的处理部分。
装置可以由半导体芯片、芯片组或包括这种芯片或芯片组的(硬件)模块来实现。
实施例还可以被实现为硬件和软件的任何组合，诸如ASIC(应用特定IC(集成电路))组件、FPGA(现场可编程门阵列)或CPLD(复杂可编程逻辑器件)组件或DSP(数字信号处理器)组件。
实施例还可以被实现为计算机程序产品，包括在其中体现计算机可读程序代码的计算机可用介质，该计算机可读程序代码适应于执行如实施例中所描述的过程，其中，该计算机可用介质可以是非暂时性介质。
本领域内的技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、***、或计算机程序产品。因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器和光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本申请是参照根据本申请实施例的方法、设备(***)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (15)
1.一种半导体生产设备，包括反应腔室，其特征在于，所述设备还包括：与所述反应腔室相连的气体输入装置，以及与所述反应腔室相连的气体输出装置；其中，所述气体输入装置用于向所述反应腔室输入气体；所述气体输出装置用于将所述反应腔室内的气体排出；
所述设备还包括：
半导体生产控制装置，用于在多个半导体产品的加工间隙，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出；
其中，所述反应腔室内设置有加热装置；
所述半导体生产控制装置在控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出之前，先控制所述加热装置启动加热；
当所述反应腔室达到预设温度，并持续预设时长时，所述半导体生产控制装置控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。
2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述半导体生产控制装置，在所述反应腔室处于空闲态时，控制所述加热装置启动加热，并且，当所述反应腔室达到预设温度，并持续预设时长时，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。
3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述半导体生产控制装置，按照预设的气体流量，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体。
4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述气体输入装置包括：与所述反应腔室相连的入气管道；
所述气体输出装置包括：与所述反应腔室相连的出气管道，以及与所述出气管道相连的抽气泵。
5.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，所述反应腔室内包括加热装置、用于搭载半导体产品的空心圆环、石英盖以及受所述石英盖保护的反射板；
所述入气管道设置在所述加热装置、所述圆环、所述石英盖、所述反射板的同一侧，所述出气管道设置在与所述加热装置、所述圆环、所述石英盖、所述反射板相对的另一侧。
6.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，所述入气管道的横截面为蜂窝状；所述反应腔室内设置有与用于与所述入气管道相连接的蜂窝气孔结构；
和/或，所述出气管道的横截面为蜂窝状；所述反应腔室内设置有与用于与所述出气管道相连接的蜂窝气孔结构。
7.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，所述抽气泵为功率大于预设值的抽气泵。
8.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述气体包括具有氧化作用的气体。
9.一种权利要求1-8任一项所述的半导体生产设备的生产控制方法，其特征在于，所述方法包括：
在多个半导体产品的加工间隙，控制所述的半导体生产设备中的所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述的半导体生产设备中的所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出；
其中，在控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出之前，先控制所述加热装置启动加热；当所述反应腔室达到预设温度，并持续预设时长时，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。
10.根据权利要求9所述的生产控制方法，其特征在于，在确定所述反应腔室处于空闲态时，控制所述加热装置启动加热，并且，当所述反应腔室达到预设温度，并持续预设时长时，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。
11.根据权利要求9所述的生产控制方法，其特征在于，按照预设的气体流量，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体。
12.一种半导体生产控制装置，其特征在于，所述装置包括：
存储器，用于存储程序指令；
处理器，用于调用所述存储器中存储的程序指令，按照获得的程序执行：
在多个半导体产品的加工间隙，控制权利要求1所述的半导体生产设备中的所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制权利要求1至8任一项所述的半导体生产设备中的所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。
13.根据权利要求12所述的控制装置，其特征在于，所述处理器具体用于：
在控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出之前，先控制所述反应腔室内的加热装置启动加热；
当所述反应腔室达到预设温度，并持续预设时长时，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。
14.根据权利要求13所述的控制装置，其特征在于，所述处理器，在所述反应腔室处于空闲态时，控制所述加热装置启动加热，并且，当所述反应腔室达到预设温度，并持续预设时长时，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。
15.根据权利要求12所述的控制装置，其特征在于，所述处理器，按照预设的气体流量，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体。
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