TW202217918A - 用於鋁氧化物表面恢復的方法和設備 - Google Patents

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Abstract

一種清潔基板的表面之方法使用醇處置及水處置。方法可包括在基板的表面上施加醇處置，具有醇處置配置成提供表面還原，及施加水處置至基板的表面，具有水處置配置成藉由從表面的至少一部分移除醇，增強基板的表面的至少一部分的選擇性，用於後續屏蔽層處理。水處置可與醇處置同時實行，或在醇處置之後實行。水處置可包括氣化的水或水注入至電漿中，以產生氫或氧自由基。

Description

用於鋁氧化物表面恢復的方法和設備
本原理的實施例大致關於半導體基板的半導體處理。
配置成實行預清潔處理的處理腔室配置成在基板上沉積一或更多屏蔽層之前移除在基板的金屬接觸墊上的天然氧化物且移除其他材料。預清潔腔室通常使用離子轟擊（藉由RF電漿引發）以藉由從基板蝕刻天然氧化物來移除金屬接觸上的天然氧化物，或使用自由基（藉由遠端電漿生成）以從基板以化學反應減少金屬。在某些情況中，使用醇還原天然氧化物。預清潔處理降低在基板上金屬接觸的接觸電阻，以對在基板上的積體電路強化性能及功率消耗且提升黏著力。為了實行電漿清潔處理，包含積體電路的基板放置在遠端電漿腔室中，且幫浦從腔室移除大部分空氣。電磁能量（例如，射頻）在遠端電漿源施加至注入的氣體，例如氬或氫，以激發注入的氣體成電漿狀態。電漿釋放離子或自由基，而從基板移除污染物及/或材料。污染物及/或基板材料的原子或分子從基板蝕刻，且大部分抽吸離開腔室。然而，發明人已觀察到在清潔處理之後醇可能仍會殘留在基板上。殘留的醇接著影響後續處理，例如屏蔽層的形成。
因此，發明人已提供強化的方法及裝置，以從基板表面移除殘留的醇。
此處提供用於從基板表面移除殘留的醇之方法及裝置。
在某些實施例中，一種清潔基板的表面之方法，可包含在基板的表面上施加醇處置，醇處置配置成提供表面還原；及施加水處置至基板的表面，水處置配置成藉由從表面的至少一部分移除醇，增強基板的表面的至少一部分的選擇性，用於後續屏蔽層處理。
在某些實施例中，方法可進一步包括其中醇處置及水處置同時實行；其中水處置在大約攝氏60度至大約攝氏450度的溫度下實行；其中水處置在大於零Torr至大約1 Torr的壓力下實行；其中水處置在大約500 mTorr的壓力下實行；其中水處置包括在基板的表面上流動氣化的水；其中氣化的水在基板的表面上流動大約10秒至大約60秒的時期；其中水處置包括將基板的表面暴露至來自以水產生的電漿的自由基；其中水處置具有大約5秒至大約120秒的時期；其中水處置包括水處置混合物，水處置混合物包括載氣及用以產生電漿的水；其中水處置混合物具有大於零至大約100%的水；其中水處置混合物具有大約50%的水；及/或其中載氣為氦或氬。
在某些實施例中，一種清潔基板的表面之方法，可包含在基板的表面上施加醇處置，醇處置配置成提供表面還原；及在大約攝氏60度至大約攝氏450度的溫度下，及大於零Tor至大約1 Torr的壓力下，施加水處置至基板的表面長達大約5秒至大約120秒的時期，其中水處置包括將基板的表面暴露至藉由將水處置混合物注入至電漿中生成的氫自由基或氧自由基，且其中水處置配置成藉由從表面的一部分移除醇，增強基板的表面的至少一部分的選擇性，用於後續屏蔽層處理。
在某些實施例中，方法可進一步包括其中水處置混合物包括水及載氣；其中載氣為氦或氬；其中水處置混合物具有大於零至大約100%的水；及/或其中水處置混合物含有大約50%的水及大約50%的載氣。
在某些實施例中，一種具有指令儲存於其上的非暫態電腦可讀取媒體，當執行時，造成實行清潔基板的表面之方法，方法可包含在基板的表面上施加醇處置，醇處置配置成提供表面還原；及施加水處置至該基板的表面，水處置配置成藉由從表面的至少一部分移除醇，增強基板的表面的至少一部分的選擇性，用於後續屏蔽層處理。
在某些實施例中，如請求項19所述之非暫態電腦可讀取媒體，進一步包括隨著水處置在實行醇處置之後，於基板的表面上流動氣化的水；同時實行醇處置及水處置；或以從水注入至電漿生成的氫自由基或氧自由基暴露基板的表面。
以下揭露其他及進一步實施例。
方法及裝置提供表面恢復處理，而回復基板表面的部分的選擇性，用於後續屏蔽層的形成。水處置與醇處置一起或之後實行，以促進從表面移除任何醇。水處置可包括在表面上流動氣化的水（蒸氣引流、泡沫或具有載氣及類似者），或將表面暴露至將水注入至遠端電漿源（RPS）中形成的電漿中產生的氫及/或氧自由基。水處置可在基板表面的還原之後，於預清潔腔室中發生，且不會影響還原性能。再者，水流動處理不會損害低k材料。水處置幫助復原表面用於例如原子層沉積（ALD）的處理，而不具有成核延遲或選擇性影響。
在預清潔處置無法還原氧化物的基板中，留下殘留物而影響在後續處理步驟中屏蔽的成長。本原理的方法及裝置提供水處置而避免成核延遲。舉例而言，水處置可在某些時候於貫孔的底部附近在貫孔的側壁上發現的具有氧化鋁的蝕刻停止層上使用。在缺乏水處置下，蝕刻停止層將抵抗後續氮化鉭屏蔽層形成的形成，造成在蝕刻停止層上薄化屏蔽層，而降低性能。發明人已發現水處置在例如氧化鋁的表面上對醇具有吸收效應，例如但非限於乙醇及/或甲醇。
本原理的方法及裝置可在例如第1圖中描述的腔室的腔室中實施。然而，第1圖的腔室為用於簡述的範例，且並非意圖為任何限制之方式。第1圖描繪預清潔腔室100的剖面視圖，具有整合的表面修改能力。預清潔腔室100為真空腔室，而適以在基板處理期間於內部空間102之中維持次大氣壓力。在某些實施例中，預清潔腔室100可維持大約1 mTorr至100 Torr的壓力。預清潔腔室100包括腔室主體104，而包覆定位於內部空間102的上半部中的處理空間108。腔室主體104可以金屬製成，例如鋁及類似者。腔室主體104可透過耦合至接地110而接地。
基板支撐件112佈置於內部空間102之中，以支撐且保持基板114，例如半導體晶圓，或舉例而言其他此基板。基板支撐件112可大致包含基座116及用於支撐基座116的中空支撐桿118。基座116可以基於鋁的材料或基於陶瓷的材料及類似者組成。以基於陶瓷的材料形成的基座可用於高溫處理。中空支撐桿118提供導管，以提供例如背側氣體、處理氣體、流體、冷卻劑、功率或類似者至基座116。在某些實施例中，基板支撐件112包括佈置於基座116四周的聚焦環120，以在基板114的邊緣處增強處理均勻性。在某些實施例中，聚焦環120以基於石英的材料製成。在某些實施例中，聚焦環120以基於陶瓷的材料製成。基於陶瓷的材料促進高壓處理能力。狹縫閥122可耦合至腔室主體104以促進傳送基板114進出內部空間102。
在某些實施例中，中空支撐桿118耦合至在上部處理位置及下部傳送位置之間提供基座116的垂直運動的舉升致動器124，例如馬達。基板舉升器126可包括固定在連接至桿132的平台130上的舉升銷128，桿132耦合至第二舉升致動器134，用於抬升及降低基板舉升器126，使得基板114可放置在基座116上或從基座116移除。基座116可包括通孔，以容納舉升銷128。中空支撐桿118提供氣體導管194的路徑，用於耦合背側氣體供應器136及/或RF電源供應器138至基座116。在某些實施例中，RF電源供應器138提供偏壓功率通過匹配網路140至功率導管142至基座116。在某些實施例中，藉由RF電源供應器138供應的RF能量可具有約2 MHz或更大的頻率。在某些實施例中，RF電源供應器138可具有約13.56 MHz的頻率。
在某些實施例中，背側氣體供應器136佈置於腔室主體104的外側，且供應氣體至基座116。在某些實施例中，基座116包括氣體通道144，允許氣體與基板114的背側作用，以維持給定溫度。氣體通道144配置成提供例如氮（N）、氬（Ar）或氦（He）的背側氣體至基座116的上部表面146，以作為加熱傳送媒介。氣體面板144透過氣體導管194與背側氣體供應器136流體連通，以在使用期間控制基板114的溫度及/或溫度輪廓。舉例而言，背側氣體供應器136可供應氣體以在使用期間冷卻及/或加熱基板114。在某些實施例中，基板114可從大約攝氏60度加熱至大約攝氏450度。基板114的加熱增強清潔處理及水處置處理。
預清潔腔室100包括圍繞各種腔室部件的處理套件，以避免在此等部件及蝕刻的材料及其他污染物之間非所欲的反應。處理套件包括上部護套148。在某些實施例中，上部護套148可以金屬製成，例如鋁。在某些實施例中，處理套件可以石英構成。在某些實施例中，預清潔腔室100亦耦合至可供應水至預清潔腔室100用於處理佈置於其中的基板的可選化學物傳輸系統150且與可選化學物傳輸系統150流體連通。在某些實施例中，可選化學物傳輸系統150可包括一或更多安瓿，例如第一可選安瓿152及第二可選安瓿154，以提供水及其他化學物用於基板處理。在某些實施例中，第一可選安瓿152可含有液態水，而用以藉由蒸氣引流、泡沫或載氣及類似者傳輸氣相水（氣化的水）至處理腔室100中。在某些實施例中，從第一可選安瓿152流動的水藉由第一流體閥188控制，且從第二可選安瓿154流動的化學物藉由第二流體閥190控制。在某些實施例中，第二可選安瓿154可含有化學物，例如但非限於醇，例如乙醇、甲醇，而用以促進在基板114的表面恢復處理期間移除殘留物及/或氧化物。在某些實施例中，可在基板114的醇處置及/或水處置期間加熱基板114。
噴淋頭158定位於處理空間108上方及腔室主體104的頂板162下方，而在噴淋頭158上方形成氣室156。噴淋頭158包括通孔160，以從氣室156流動氣體至處理空間108中。RPS 164流體連接至氣室156，以允許離子化氣體從RPS 164通過噴淋頭158流動至氣室156中，且至處理空間108中。電漿藉由通過匹配網路168提供RF能量至RPS 164的電漿RF功率源166在RPS中生成。用以形成電漿的處理氣體藉由電漿氣源170供應且藉由第三流體閥186控制。藉由電漿氣源170供應的電漿氣體可包括但非限於氫、氦及/或氬及類似者。RPS 164產生處理氣體的自由基，以促進從基板114清潔殘留物及/或氧化物，以從基板114的表面移除蝕刻殘留物及/或減少金屬氧化物。在某些實施例中，電漿氣源170亦可在具有或不具有例如氦或氬的載氣下供應水，而可注入至RPS中以從電漿生成氫自由基及/或氧自由基。
幫浦通口172配置成促進從內部空間102移除粒子。預清潔腔室100耦合至且與真空系統174流體連通，真空系統174包括節流閥（未顯示）及用於排空預清潔腔室100的幫浦（未顯示）。在某些實施例中，真空系統174耦合至佈置於腔室主體104的底部表面176上的幫浦通口172。預清潔腔室100內側的壓力可藉由調整節流閥及/或真空幫浦來調節。在某些實施例中，幫浦具有每秒約1900公升至每秒約3000公升的流率。在某些實施例中，真空系統174可用以促進基板溫度的調節。
在某些實施例中，控制器178用於預清潔腔室100的操作。控制器178可使用預清潔腔室的直接控制，或者，藉由與預清潔腔室100相關聯的控制部件（或控制器）使用預清潔腔室的間接控制。在操作中，控制器178能夠從預清潔腔室100資料收集及回饋，以優化預清潔腔室100的性能。控制器178大致包括中央處理單元（CPU）180、記憶體182及支援電路184。CPU 180可為任何形式的通用電腦處理器，而可在工業設定中使用。支援電路184傳統耦合至CPU 180，且可包含快取、時鐘電路、輸入/輸出子系統、電源供應器及類似者。例如以下所述的方法的軟體常式可儲存於記憶體182中，且當藉由CPU 180執行時，將CPU 180轉變成專用電腦（控制器178）。軟體常式亦可藉由從預清潔腔室100遠端定位的第二控制器（未顯示）儲存及/或執行。
記憶體182在電腦可讀取儲存媒體的形式中，而含有指令，當藉由CPU 180執行時，促進半導體處理及裝備的操作。在記憶體182中的指令為程式產品的形式，例如實施本原理之方法的程式。程式碼可符合數種不同程式語言之任何一者。在一個範例中，本揭露案可實施作為與電腦系統一起使用儲存於電腦可讀取儲存媒體上的程式產品。程式產品的程式界定態樣的函數（包括此處所述之方法）。圖示電腦可讀取儲存媒體包括但非限於：不可寫入儲存媒體（例如，在電腦之中的唯讀記憶體設備，例如藉由CD-ROM驅動可讀取的CD-ROM碟、快閃記憶體、ROM晶片或任何類型的固態非揮發半導體記憶體），在其上永久儲存資訊；及可寫入儲存媒體（例如，在卡匣驅動或硬碟驅動之中的軟碟，或任何類型的固態隨機存取半導體記憶體），在其上儲存可變資訊。此等電腦可讀取儲存媒體，當承載引導此處所述之方法的功能的電腦可讀取指令時，為本原理之態樣。
第2圖根據某些實施例，為在預清潔腔室中處理基板之方法200。在方塊202中，醇處置施加於基板的表面上。醇處置配置成提供表面還原，以幫助移除殘留物及/或氧化物。醇處置可包括使用乙醇或甲醇及類似者。在某些實施例中，除了醇處置之外，表面還原可使用從遠端電漿源產生的自由基來完成。舉例而言，具有銅接觸及基於鋁的蝕刻停止層的基板將用以圖示方法200，但範例及材料並非意味著以任何方式作為限制。第3圖為具有蝕刻停止層310具有暴露的表面314的基板302的剖面視圖300。基板302的第一低k介電層308具有藉由銅屏蔽層304環繞的嵌入式銅接觸306，以避免銅遷移至第一低k介電層308中。蝕刻停止層310將第一低k介電層308與第二低k介電層312分開。基板302先前已蝕刻以在基板302中開啟貫孔318。嵌入式銅接觸306接續氧化，在貫孔318的底部處形成銅氧化層316。醇處置可用以還原金屬氧化物。
在第4圖的剖面視圖400中，以醇402處置基板302，而幫助還原銅氧化層316。清潔處理將繼續，直到從嵌入式銅接觸306移除（藉由化學還原）金屬氧化物。在第5圖的剖面視圖500中，嵌入式銅接觸306的表面504已清潔任何氧化物，且準備好用於進一步處理。然而，某些醇502保持藉由蝕刻停止層310的暴露的表面314吸收。若留在暴露的表面314上，則醇502在後續屏蔽層形成中將造成成核延遲。成核延遲降低蝕刻停止層310的選擇性，造成屏蔽層薄化。在第6圖的剖面視圖600中，於實行醇處置之後，在蝕刻停止層310上形成屏蔽層602。歸因於在蝕刻停止層310上殘留的醇的成核延遲造成於蝕刻停止層310的暴露的表面314上屏蔽層602的厚度604降低。
在方塊204中，施加水處置至基板的表面。水處置從例如但非限於金屬氧化物（例如氧化鋁及類似者）的表面移除醇（例如乙醇及甲醇及類似者）的吸收，以恢復表面的選擇性。水處置配置成增強暴露的表面314的選擇性。增強的選擇性允許屏蔽層在暴露的表面上形成，而不具有可薄化屏蔽層的成核延遲。如第7圖的剖面視圖700中所顯示，增強的選擇性歸因於從暴露的表面314移除醇502。在測試期間，發明人已發現在醇使用作為還原劑之後，基板無法完全清潔醇，而留下基於醇的殘留物，而影響例如在氧化鋁及其他表面上成長氮化鉭。成長降低歸因於藉由在暴露的表面上的殘留醇造成的成核延遲，舉例而言，氧化鋁蝕刻停止層的暴露的表面。在某些實例中，成核延遲可造成屏蔽層厚度高達50%或更多的降低。發明人已發現若在醇處置期間或醇處置之後引入水，則在暴露的表面314上屏蔽層802的厚度可恢復如第8圖的剖面視圖800中所描繪。發明人已發現屏蔽層厚度可回復至大約80%或更多，取決於水處置的類型及時期。在某些情況中，恢復的百分比為對給定處理水處置的時期及恢復的足夠位準之間的平衡。水處置的時間越長，處理的產量越低。在某些實例中，較高的產量需求可能需要較短的水處置時間，且產生小於100%的恢復（對給定處理可能仍為滿足的）。
在某些實施例中，水處置使用水在基板的表面上流動。水例如可藉由含有液態的水的第一可選安瓿152供應。水接著藉由蒸氣引流、泡沫或載氣氣化，以傳輸氣態水至處理腔室100中。發明人已發現水H 2O提供與例如乙醇及甲醇及類似者的醇的氫鍵合。醇鍵合至水分子且接著藉由水的流動沖離。如上所述，水可與醇處置一起連結或在醇處置之後流動於表面上。在某些實施例中，水處置使用與鈍氣連結的水，例如但非限於氦或氬及類似者。因此，若使用鈍氣則水可小於100%。水的百分比為總水處置的氣化的水部分，而包括氣化的水及鈍氣兩者。在某些實施例中，水在基板上流動長達大約10秒至大約60秒。在某些實施例中，水在基板上流動長達大約30秒。發明人已發現在系統中越少的水增加整體性能及產量。溫度及壓力可影響在基板表面上水的量。發明人已發現更低的壓力幫助從基板的表面更迅速移除水。在某些實施例中，腔室的壓力為大約200 mTorr至大約1000 mTorr。在某些實施例中，壓力為大約500 mTorr。若基板的溫度保持高於大約攝氏100度，則基板的表面處的水更易於重新吸收至腔室環境中。在某些實施例中，基板的溫度為大約攝氏60度至大約攝氏450度。在某些實施例中，溫度為大約攝氏345度。在某些實施例中，醇處置及水處置在相同溫度下實行，以增加效率及產量（在處置之間無須加熱或冷卻時段）。
在某些實施例中，水處置使用藉由將水及/或載氣注入在遠端電漿源（RPS）中生成的電漿產生的氫自由基及/或氧自由基。發明人已發現基於電漿的水處置藉由從低k材料消耗碳可損傷低k材料。當使用電漿水處置時需特別注意應僅移除可接受量的碳或在基板上不存在低k材料。在某些實施例中，低k材料的碳消耗為可容忍的，因為對於某些使用碳消耗並非必定負面影響低k材料的特性。碳消耗使得低k材料更為多孔，使得低k材料更加降低。在某些情況中，降低低k材料可為有益的。非低k材料，例如氧化矽，將不會被電漿水處置影響。電漿水處置的優點為許多預清潔腔室已經配置成產生電漿，且具有某些形式的電漿氣源可容納水注入電漿中。
在電漿水處置的某些實施例中，使用氬或氦的氣體點燃電漿，且接著以水或水及載氣注入。舉例而言，第1圖的電漿氣源170可供應處理氣體及/或水及/或水及載氣。發明人已發現當水注入電漿時，水部分地離子化，產生氫自由基、氧自由基及氧-氫自由基，例如OH及OOH。在某些實施例中，離子將在到達基板的表面之前過濾出，留下主導自由基以撞擊基板表面。發明人已發現自由基從基板的表面吸收醇。在某些實施例中，使用電漿的水處置具有大約5秒至大約100秒的時期。在某些實施例中，水及載氣的水處置混合物可具有從大於0%至大約100%（例如，不使用載氣）的水的百分比。發明人已發現在100%的水（不具有載氣）下，在基板上的金屬表面（例如，銅等等）不會氧化。在某些實施例中，水處置混合物可為從大約1%至大約50%的水。在某些實施例中，水處置混合物可為大約50%的水。在某些實施例中，載氣可為氦或氬及類似者。在某些實施例中，具有電漿的水處置的時期為大約5秒至大約120秒。發明人已發現若在腔室中的壓力太高，則基板的下層將開始氧化。在某些實施例中，壓力可為從大於零至小於1 Torr。
根據本原理的實施例可在硬體、韌體、軟體或其任意結合中實施。實施例亦可實施作為使用一或更多電腦可讀取媒體儲存的指令，而可藉由一或更多處理器讀取及執行。電腦可讀取媒體可包括任何機制用於以機器（例如，計算平台或在一或更多計算平台上運行的「虛擬機器」）可讀取的形式儲存或傳送資訊。舉例而言，電腦可讀取媒體可包括揮發或非揮發記憶體的任何適合形式。在某些實施例中，電腦可讀取媒體可包括非暫態電腦可讀取媒體。
儘管以上導向本原理的實施例，可衍生原理的其他及進一步實施例而不會背離其基本範疇。
100:腔室 102:空間 104:腔室主體 108:空間 110:接地 112:支撐件 114:基板 116:基座 118:桿 120:環 122:閥 124:致動器 126:舉升器 128:銷 130:平台 132:桿 134:致動器 136:供應器 138:供應器 140:網路 142:導管 144:通道 146:表面 148:護套 150:傳輸系統 152:安瓿 154:安瓿 156:氣室 158:噴淋頭 160:孔 162:頂板 164:RPS 166:源 168:網路 170:源 172:通口 174:系統 176:表面 178:控制器 180:CPU 182:記憶體 184:支援電路 186:閥 188:閥 190:閥 194:導管 200:方法 202:方塊 204:方塊 300:視圖 302:基板 304:層 306:接觸 308:層 310:層 312:層 314:表面 316:層 400:視圖 402:醇 500:視圖 502:醇 600:視圖 602:層 604:厚度 700:視圖 800:視圖 802:層
以上簡要概述且以下將詳細討論的本原理的實施例可藉由參考隨附圖式中描繪的本原理的圖示實施例而理解。然而，隨附圖式僅圖示本原理的通常實施例，且因此不應考量為範疇之限制，因為本原理可認可其他均等效果的實施例。
第1圖根據本原理的某些實施例，描繪預清潔腔室的剖面視圖。
第2圖根據本原理的某些實施例，為在預清潔腔室中處理基板之方法。
第3圖根據本原理的某些實施例，描繪具有金屬氧化物之基板表面的剖面視圖。
第4圖根據本原理的某些實施例，描繪以醇處置清潔的基板的剖面視圖。
第5圖根據本原理的某些實施例，描繪在醇處置之後基板的剖面視圖。
第6圖根據本原理的某些實施例，描繪不具水處置的具有屏蔽層的基板的剖面視圖。
第7圖根據本原理的某些實施例，描繪在水處置之後基板的剖面視圖。
第8圖根據本原理的某些實施例，描繪在水處置之後具有屏蔽層的基板的剖面視圖。
為了促進理解，已盡可能地使用相同的元件符號代表共通圖式中相同的元件。圖式並非按照比例繪製，且為了清楚可簡化。一個實施例的元件及特徵可有益地併入其他實施例中而無須進一步說明。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:腔室
102:空間
104:腔室主體
108:空間
110:接地
112:支撐件
114:基板
116:基座
118:桿
120:環
122:閥
124:致動器
126:舉升器
128:銷
130:平台
132:桿
134:致動器
136:供應器
138:供應器
140:網路
142:導管
144:通道
146:表面
148:護套
150:傳輸系統
152:安瓿
154:安瓿
156:氣室
158:噴淋頭
160:孔
162:頂板
164:RPS
166:源
168:網路
170:源
172:通口
174:系統
176:表面
178:控制器
180:CPU
182:記憶體
184:支援電路
186:閥
188:閥
190:閥
194:導管

Claims (20)

  1. 一種清潔一基板的一表面之方法，包含以下步驟： 在該基板的一表面上施加一醇處置，該醇處置配置成提供表面還原；及 施加一水處置至該基板的該表面，該水處置配置成藉由從該表面的至少一部分移除醇，增強該基板的該表面的該至少一部分的選擇性，用於一後續屏蔽層處理。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該醇處置及該水處置同時實行。
  3. 如請求項1所述之方法，其中該水處置在大約攝氏60度至大約攝氏450度的一溫度下實行。
  4. 如請求項1所述之方法，其中該水處置在大於零Torr至大約1 Torr的一壓力下實行。
  5. 如請求項4所述之方法，其中該水處置在大約500 mTorr的一壓力下實行。
  6. 如請求項1所述之方法，其中該水處置包括以下步驟：在該基板的該表面上流動液態水。
  7. 如請求項6所述之方法，其中該液態水在該基板的該表面上流動大約10秒至大約60秒的一時期。
  8. 如請求項1所述之方法，其中該水處置包括以下步驟：將該基板的該表面暴露至來自以水產生的一電漿的自由基。
  9. 如請求項8所述之方法，其中該水處置具有大約5秒至大約120秒的一時期。
  10. 如請求項8所述之方法，其中該水處置包括一水處置混合物，該水處置混合物包括一載氣及用以產生該電漿的水。
  11. 如請求項10所述之方法，其中該水處置混合物具有大於零至大約100%的水。
  12. 如請求項11所述之方法，其中該水處置混合物具有大約50%的水。
  13. 如請求項10所述之方法，其中該載氣為氦或氬。
  14. 一種清潔一基板的一表面之方法，包含以下步驟： 在該基板的一表面上施加一醇處置，該醇處置配置成提供表面還原；及 在大約攝氏60度至大約攝氏450度的一溫度下，及大於零Tor至大約1 Torr的一壓力下，施加一水處置至該基板的該表面長達大約5秒至大約120秒的一時期，其中該水處置包括以下步驟：將該基板的該表面暴露至藉由將一水處置混合物注入至電漿中生成的氫自由基或氧自由基，且其中該水處置配置成藉由從該表面的一部分移除醇，增強該基板的該表面的該至少一部分的選擇性，用於一後續屏蔽層處理。
  15. 如請求項14所述之方法，其中該水處置混合物包括水及一載氣。
  16. 如請求項15所述之方法，其中該載氣為氦或氬。
  17. 如請求項15所述之方法，其中該水處置混合物含有大於零至大約100%的水。
  18. 如請求項17所述之方法，其中該水處置混合物含有大約50%的水及大約50%的該載氣。
  19. 一種具有指令儲存於其上的非暫態電腦可讀取媒體，當執行時，造成實行清潔一基板的一表面之方法，該方法包含以下步驟： 在該基板的一表面上施加一醇處置，該醇處置配置成提供表面還原；及 施加一水處置至該基板的該表面，該水處置配置成藉由從該表面的至少一部分移除醇，增強該基板的該表面的該至少一部分的選擇性，用於一後續屏蔽層處理。
  20. 如請求項19所述之非暫態電腦可讀取媒體，進一步包含： 隨著該水處置在實行該醇處置之後，於該基板的該表面上流動液態水； 同時實行該醇處置及該水處置；或 以從水注入至電漿生成的氫自由基或氧自由基暴露該基板的該表面。
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