TWI410703B - 光學感測元件、其製作方法及光學式觸控裝置 - Google Patents

光學感測元件、其製作方法及光學式觸控裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI410703B
TWI410703B TW098120406A TW98120406A TWI410703B TW I410703 B TWI410703 B TW I410703B TW 098120406 A TW098120406 A TW 098120406A TW 98120406 A TW98120406 A TW 98120406A TW I410703 B TWI410703 B TW I410703B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
dielectric layer
germanium
rich
layer
ruthenium
Prior art date
Application number
TW098120406A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201100904A (en
Inventor
An Thung Cho
Chia Tien Peng
Hang Wei Tseug
Cheng Chiu Pai
Yu Hsuan Li
Chun Hsiun Chen
Wei Ming Huang
Original Assignee
Au Optronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Au Optronics Corp filed Critical Au Optronics Corp
Priority to TW098120406A priority Critical patent/TWI410703B/zh
Priority to US12/718,998 priority patent/US8907923B2/en
Publication of TW201100904A publication Critical patent/TW201100904A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI410703B publication Critical patent/TWI410703B/zh
Priority to US14/535,334 priority patent/US9122352B2/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/042—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means
    • G06F3/0421—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means by interrupting or reflecting a light beam, e.g. optical touch-screen
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/042—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14632—Wafer-level processed structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14678—Contact-type imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14687—Wafer level processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L31/182—Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L31/182—Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
    • H01L31/1824—Special manufacturing methods for microcrystalline Si, uc-Si
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04109—FTIR in optical digitiser, i.e. touch detection by frustrating the total internal reflection within an optical waveguide due to changes of optical properties or deformation at the touch location
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14692—Thin film technologies, e.g. amorphous, poly, micro- or nanocrystalline silicon

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

光學感測元件、其製作方法及光學式觸控裝置
本發明係有關於一種光學感測元件、其製作方法及光學式觸控裝置，尤指一種具有富矽(silicon-rich，Si-rich)介電層之光學感測元件、其製作方法及光學式觸控裝置。
光學感測元件已逐漸廣泛應用於各類型薄膜電晶體(thin film transistor,TFT)顯示器中，現行的光學感測元件係以利用三A族與五A族材料形成之PIN(positive-intrinsic-negative)二極體(diode)為主，然而PIN二極體的光接收效率偏低，且容易受到非目標光源(雜訊)的影響，因此具有訊號雜訊比較差等缺點。此外，對於TFT顯示器內而言，PIN二極體使用的三A族與五A族材料與TFT特性本身的限制而影響其PIN二極體光學感測元件製程的可調性，因此傳統PIN二極體在應用上與產能上皆有其發展限制。
另一方面，業界亦研發利用非晶矽(α-Si)材料之強烈光敏感性，而以非晶矽材料製作薄膜電晶體感應元件(TFT sensor)。請參考第1圖，其為傳統之非晶矽光學感測元件之示意圖。非晶矽光學感測元件10包括第一電極12、第二電極14，以及一層非晶矽層16設置於第一電極12與第二電極14之間。當可見光照射至非晶矽層16時，可激發非晶矽層16而引起光電流。然而，非晶矽薄膜電晶體感應元件也具有光電流穩定性較低之缺點，即使在沒有操作感應元件的情況下，光電流也會容易隨著時間而衰減，因此有嚴重的可靠度問題。此外，非晶矽薄膜電晶體感應元件之主要偵測波段係落於可見光範圍，對於紅外光(infrared rays,IR)周圍波段之偵測能力則較低，因此非晶矽薄膜電晶體感應元件之偵測能力受到較大的侷限。
有鑑於此，目前業界所使用的光學感測元件已無法滿足其在光電領域上的應用，因此新一代的光學感測元件已成為研發的重點。
本發明之目的之一在於提供一種液晶顯示面板，以解決前述習知問題。
為達上述目的，本發明之實施例提供一種光學感測元件，包括第一電極、第二電極、第一富矽介電層以及第二富矽介電層。第一富矽介電層設置於第一電極與第二電極之間，用於吸收紅外光，而第二富矽介電層設置於第一富矽介電層與第二電極之間，用於吸收可見光。
為達上述目的，本發明之實施例另提供一種光學感測元件之製作方法。根據前述製作方法，首先提供基板，並於基板上形成第一電極。之後，於第一電極上形成第一富矽介電層，用於吸收紅外光。接著，於第一富矽介電層上形成第二富矽介電層，用於吸收可見光。其後，於第二富矽介電層上形成第二電極。
此外，本發明之實施例更提供一種光學式觸控裝置，包括光源裝置與顯示面板。光源裝置具有可見光元件與紅外光元件，以分別提供可見光與紅外光。顯示面板包括顯示元件與光學感測元件，且光學感測元件包括第一電極、第二電極、第一富矽介電層與第二富矽介電層。第一富矽介電層設置於第一電極與第二電極之間，用於吸收紅外光，而第二富矽介電層設置於第一富矽介電層與第二電極之間，用於吸收可見光。
以下為有關本發明之詳細說明與附圖。然而所附圖式僅供參考與輔助說明用，並非用來對本發明加以限制者。
為使熟習本發明所屬技術領域之一般技藝者能更進一步了解本發明，下文特列舉本發明之數個較佳實施例，並配合所附圖式，詳細說明本發明的構成內容及所欲達成之功效。
請參考第2圖。第2圖為本發明製作光學感測元件之方法之一較佳實施例示意圖，且可據以說明本發明之光學感測元件結構。圖式僅以說明為目的，並未依照原尺寸作圖。根據本實施例，本發明可先提供基板110，並於基板110上形成第一電極112。之後，於第一電極112上形成第一富矽介電層122，主要可用於吸收紅外光。接著，於第一富矽介電層122上形成第二富矽介電層124，主要可用於吸收可見光。其後，於第二富矽介電層124上形成第二電極114，以製作出光學感測元件100。其中，第一富矽介電層122或第二富矽介電層124實際上不須侷限於僅分別吸收紅外光或可見光，例如第一富矽介電層122或第二富矽介電層124亦可互換，分別吸收近可見光與紅外光(包括近紅外光，near-IR)。
於本實施例中，第一富矽介電層122具有第一矽含量，第二富矽介電層124具有第二矽含量，且第一富矽介電層122之第一矽含量較佳可大於第二富矽介電層124之第二矽含量，如此可使單一光學感測元件100即能有效感測紅外光與可見光之訊號。當近紅外光、紅外光或可見光照射到第一富矽介電層122或第二富矽介電層124時，會激發出電子-電洞對而形成光電流。跟據第一富矽介電層122與第二富矽介電層124成分，第一富矽介電層122之折射率可大於第二富矽介電層124之折射率。針對光學感測元件100各材料層之較佳形成樣態詳述如下，但本發明不需限於此：基板110係供光學感測元件100形成之基底，可以為任何材質、物體或特定區域，例如陣列基板(array substrate)之週邊電路區域、陣列基板之顯示區域，或獨立之觸控面板之基板。第一電極112與第二電極114均可包括導電材料，且第一電極112與第二電極114至少其中之一較佳可包含透明導電材料，或由透明導電材料所構成，以供光線訊號通過。以本實施利為例，第一電極112較佳包含金屬材料，如此不但可以提供低電阻路徑，也便於整合於TFT顯示器之製程中，而第二電極114較佳包含透明導電材料，例如氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide,IZO)等透明金屬氧化物，透明導電材料不但適於作為入光之感測面，且也可同時整合於TFT顯示器之製程中。藉此，光學感測元件100可感測由第二電極114方向射入之光線(正面光)，而由第一電極112方向射入之光線(背面光)則會被第一電極112遮蔽，達到降低背面光線之訊號干擾。再者，第一電極112與第二電極114之形成方式可藉由沉積製程產生膜層，並且可藉由圖案化製程形成所需圖案，但不以此為限。
本發明之第一富矽介電層122例如可包括富矽氧化矽(SiOx1 )層、富矽氮化矽(SiNy1 )層、富矽氮氧化矽(SiOx1 Ny1 )層、富矽之碳氧化矽層(SiOx1 Cz1 )或富矽之碳化矽(SiCz1 )層。形成第一富矽介電層122之方法可包括：進行電漿輔助化學氣相沉積製程，利用矽甲烷與氮來源氣體反應而形成第一富矽介電層122，其中矽甲烷與氮來源氣體之氣體流量比例大致上較佳大於4.0，以使第一富矽介電層122具有較佳成分比例，但不限於此。氮來源氣體例如可為氨氣(NH3 )或氮氣(N2 )其中至少之一者，或亦可為其它合適之含氮氣體。根據本發明之研究結果，第一富矽介電層122之第一矽含量大致上較佳可大於55.6%而小於100%，其折射率大致上較佳介於3.4至3.9之間，而其厚度大致上較佳介於100奈米至300奈米之間，以提供較佳之感測效果與元件可靠度。以富矽氧化矽(SiOx1 )之第一富矽介電層122為例，其第一矽含量Cs1 為1/(1+x1)，而氧含量Cx1 為x1/(1+x1)，其中Cs1 +Cx1 =1，0<x1<2，且較佳介是0<x1<4/5。
第二富矽介電層124亦可包括富矽氧化矽(SiOx2 )層、富矽氮化矽(SiNy2 )層、富矽氮氧化矽(SiOx2 Ny2 )層、富矽之碳氧化矽層(SiOx2 Cz2 )或富矽之碳化矽(SiCz2 )層。形成第二富矽介電層124之方法可包括：進行電漿輔助化學氣相沉積製程，利用矽甲烷與氮來源氣體反應而形成第二富矽介電層124，其中矽甲烷與氮來源氣體之氣體流量比例大致上大於1.2，但不限於此。根據本發明之研究結果，第二矽含量大致上較佳係大於47.4%而小於100%，其折射率大致上較佳介於2.7至3.9之間，而其厚度大致上較佳介於100奈米至300奈米之間，以提供較佳之感測效果與元件可靠度。以富矽氧化矽(SiOx2 )之第二富矽介電層124為例，其第二矽含量Cs2 為1/(1+x2)，而氧含量Cx2 為x2/(1+x2)，其中Cs2 ＋Cx2 =1，0<x2<2，且較佳介是0<x2<10/9。
以本實施例而言，第二富矽介電層124係形成於第一富矽介電層122之後，亦即第一富矽介電層122設置於第一電極112與第二電極114之間，而第二富矽介電層124設置於第一富矽介電層122與第二電極114之間。而於其他實施例中，第一富矽介電層122與第二富矽介電層124之形成順序亦可互換，例如先形成第二富矽介電層124，使得具有較高矽含量之第一富矽介電層122位於第二富矽介電層124與第一電極112之間。根據本發明之研究結果，不論先形成第一富矽介電層122或先形成第二富矽介電層124，本發明之單一光學感測元件100均能有效感測近紅外光與可見光之訊號。須注意的是，前述製作方法主要係提供一種垂直式多層堆疊之光學感測元件100，而本發明之其他實施例亦可利用多道沉積製程與圖案化製程而形成水平式多層堆疊之光學感測元件，不需受到前述步驟順序所侷限。
另外，前述實施例之感光複合層結構主要係由至少兩層不同之富矽介電層所構成，而於其他實施例中，本發明之感光複合層結構亦可包含三層以上之富矽介電層，或包含非氧化物、氮化物或氮氧化物之材料。請參考第3圖至第4圖。第3圖至第4圖為本發明製作光學感測元件之方法之另一較佳實施例示意圖。其中，為比較兩實施例之不同，相同元件使用相同符號標注，且以下僅針對兩實施例不同處加以說明，相同部分則不再贅述。
如第3圖所示，先於基板110上形成第一電極112與第一富矽介電層122，接著可於第一富矽介電層122上形成半導體層226。半導體層226之厚度大致上較佳介於10奈米至30奈米之間，且較佳可包括微米矽(micro-Si)層、奈米矽(nano-Si)層、多晶矽(poly-Si)層、非晶矽(α-Si)層至少其中之一或其組合。其中，本實施例之半導體層226較佳包含微米矽或奈米矽。所謂之微米矽層與奈米矽層分別包含有矽微米晶粒(microcrystalline silicon)與矽奈米晶粒(nanocrystalline silicon)，可提供高感光效率與高轉換效率。形成半導體層226之方法例如包括：進行電漿輔助化學氣相沉積製程，利用氫氣與矽甲烷反應而形成半導體層226，其中氫氣與矽甲烷之氣體流量比例大致上較佳大於8.0，但不限於此。
如第4圖所示，其後於半導體層226上形成第二富矽介電層224，主要可用於吸收可見光，再形成第二電極114，以製作出光學感測元件200。據此，本發明之半導體層226可設置於第一富矽介電層122與第二富矽介電層224之間，但不需侷限於此。其中，本實施例之第二富矽介電層224適合之材料、成分比例、形成方式、折射率與厚度等範圍均可與第一富矽介電層122之適用範圍相同，例如本實施例之第一富矽介電層122與第二富矽介電層224較佳具有相似或相同之材料與成分比例，但兩者不需侷限於此。不論第一富矽介電層122與第二富矽介電層224為相同材料層或不同材料層，第一富矽介電層122、半導體層226與第二富矽介電層224之複合層結構均可提供良好之光學感測元件200，不但可有效感測近紅外光、紅外光與可見光之訊號，且易於整合至光學式觸控裝置之中。
請參考第5圖。第5圖為PIN二極體光學感測元件與本發明之光學感測元件之光感響應頻譜圖(photo-responsibility spectrum)。其中，縱座標係表示光學感測元件之光感響應，橫座標係表示感應光之波長，Poly-Si PIN係PIN二極體光學感測元件之光感響應曲線，Si-rich_1/Si-rich_2係本發明之光學感測元件100之光感響應曲線，Si-rich_1/micro-Si/Si-rich_2與Si-rich_1/micro-Si/Si-rich_1均為本發明之光學感測元件200之光感響應曲線。於Si-rich_1/micro-Si/Si-rich_2之曲線中，第一富矽介電層122之第一矽含量大致上大於55.6%，折射率大致上介於3.4至3.9之間，而第二富矽介電層224之第二矽含量大致上大於47.4%，折射率大致上介於2.7至3.9之間。於Si-rich_1/micro-Si/Si-rich_1之曲線中，第一富矽介電層122與第二富矽介電層224為相同材料層，其矽含量大致上均大於55.6%。
如第5圖所示，不論是在可見光波段範圍(約介於380奈米至780奈米)或近紅外光波段範圍(約介於780奈米至2500奈米)，本發明之光學感測元件100與光學感測元件200的感測效果均優於PIN二極體光學感測元件的感測效果。依照光感響應曲線，各光學感測元件之光感響應程度由低至高分別為：Poly-Si PIN＜Si-rich_1/Si-rich_2＜Si-rich_1/micro-Si/Si-rich_2＜Si-rich_1/micro-Si/Si-rich_1。尤其，具有半導體層226之光學感測元件200(Si-rich_1/micro-Si/Si-rich_2與Si-rich_1/micro-Si/Si-rich_1)對於波長850奈米附近之近紅外光明顯具有較高的感測能力，而PIN二極體光學感測元件對於紅外光的感測能力則明顯較差。
請參考第6圖。第6圖為本發明之光學感測元件整合於光學式觸控裝置之一較佳實施例之示意圖。如第6圖所示，本實施例之光學感測元件100係整合於光學式觸控裝置300內，例如低溫多晶矽TFT液晶顯示裝置。光學式觸控裝置300可包括光源裝置310、顯示面板311與光學膜層312，例如擴散片。顯示面板311包括顯示元件與上述之光學感測元件100，其中顯示元件可包括彩色濾光片基板、陣列基板，以及液晶層318設置彩色濾光片基板與陣列基板。彩色濾光片基板可包含透明基板320、偏光片322、黑色矩陣(black matrix)332與彩色濾光片334。黑色矩陣332之開口可暴露出感光區域(photo-sensing area)330，大致上對應於光學感測元件100之上方。
陣列基板可包含透明基板316、偏光片314、閘極絕緣層GI、氧化物介電層IDL1、氮化物介電層IDL2、閘極電極GE、閘極/源極線SD、保護層PA、平坦層UHA與圖案化之第二電極層ITO等許多膜層，而這些膜層可用以形成驅動薄膜電晶體(drive TFT)328、讀取薄膜電晶體(readout TFT)324與電容326等元件。
光學感測元件100設置於讀取薄膜電晶體324上方，可與光學式觸控裝置300之畫素結構製程整合。例如在本實施例中，光學感測元件100之第一電極122、驅動薄膜電晶體328的閘極/源極線SD與電容326的上電極可均由同一電極層所形成，而光學感測元件100之第二電極114則可與驅動薄膜電晶體328的畫素電極可均由第二電極層ITO所形成。此外，讀取薄膜電晶體324的製程亦可與顯示區之TFT的製程整合，例如讀取薄膜電晶體324的閘極電極GE與驅動薄膜電晶體328的閘極電極GE可利用相同沉積製程與圖案化製程所形成。
本實施例之光源裝置310可設置於顯示面板311下方，光源裝置310內部可具有可見光元件與紅外光元件(第6圖未示)，以分別提供可見光與紅外光。根據光源裝置310之類型，光源裝置310可以包含側光式背光模組或直下式背光模組，分別如第7圖與第8圖所示。於第7圖中，側光式背光模組520包含複數個發光元件522、框架524與導光板526。部分之發光元件522可為可見光元件，而部分之發光元件522可為紅外光元件，惟圖式中僅繪示出單一發光元件522，其餘發光元件522併排被遮蔽而未示。於第8圖中，直下式背光模組510包含複數個發光元件512與框架513。發光元件512包含部分之發光元件512可為可見光元件512a，而部分之發光元件512可為紅外光元件512b。其中，可見光元件512a與紅外光元件512b可以彼此間隔排列或是隨機(random)排列，但不限於此。發光元件之類型與形狀不需受到第7圖與第8圖所侷限，例如，本發明之發光元件可以為發光二極體、冷陰極燈管或任何合適之光源。
請再參照第6圖，本發明之光學式觸控裝置300可具有框膠(圖未示)設置於彩色濾光片基板與陣列基板之間。光學感測元件100可設置於框膠內側之顯示區域內，作為觸控感測元件。如第6圖所示，當觸控物336接近光學式觸控裝置300時，光源裝置310所發出之光線(可包含可見光338與紅外光340)會受到觸控物336之反射而朝向感光區域330照射，進而被光學感測元件100所感測。光學感測元件100被激發出電子-電洞對而形成光電流，而讀取薄膜電晶體324可將形成之光電流轉換為感測訊號。
於其他實施例中，光學感測元件100亦可設置於框膠之外側，作為環境光感測元件。當光學感測元件100作為環境光感測元件之用時，可在顯示裝置運作時偵測環境光的亮度變化而改變光源裝置310的背光亮度，使顯示畫面的亮度最佳化。視產品設計、使用環境或製程整合等需求，本發明光學式觸控裝置300中之光學感測元件100均可視需要而被光學感測元件200或是前述各實施例之光學感測元件所取代。
於其他實施例中，光源裝置亦可具有其他樣態。請參考第9圖。第9圖為本發明之光學式觸控裝置之另一較佳實施例之示意圖。其中，為比較兩實施例之不同，相同元件使用相同符號標注，且以下僅針對兩實施例不同處加以說明。如第9圖所示，光學式觸控裝置400之光源裝置包括可見光背光模組410，設置於顯示面板311下方，可見光背光模組410可以為直下式背光模組或側光式背光模組。而光源裝置另包括紅外光光源模組，設置於顯示面板311上方，紅外光光源模組包含至少一紅外光元件442與導光板444。如此一來，光源裝置可從顯示面板311之下方與上方分別提供可見光338與紅外光340，作為光學感測元件100之光線感測來源。
除了前述之低溫多晶矽TFT液晶顯示裝置之外，本發明之光學感測元件亦可整合於非晶矽TFT液晶顯示裝置中。請參考第10圖。第10圖為本發明之光學感測元件整合於光學式觸控裝置之又一較佳實施例之示意圖，其中本實施例僅繪示出陣列基板上之部分顯示元件與光學感測元件，而光學式觸控裝置之光源裝置、彩色濾光片基板、電容與光學膜層等其餘元件則可參照前述各實施例之設置。如第10圖所示，陣列基板可包含透明基板638、閘極絕緣層GI、閘極電極GE、閘極/源極線SD、圖案化非晶矽層660、摻雜非晶矽層662、平坦層UHA與圖案化之第二電極層ITO等許多膜層。陣列基板上可定義出至少一TFT區域650與至少一感光區域652，前述膜層可於TFT區域650中形成驅動薄膜電晶體676，而於感光區域652中可形成光學感測元件100。
同樣地，光學感測元件100之第一電極122與驅動薄膜電晶體676的閘極/源極線SD可均由同一電極層所形成，而光學感測元件100之第二電極114與驅動薄膜電晶體676之畫素電極ITO可均由同一電極層所形成，達到製程整合之目的。
綜上所述，藉由第一富矽介電層與第二富矽介電層之複合層結構，本發明之單一光學感測元件即可有效感測近紅外光、紅外光與可見光之訊號。此外，本發明之光學感測元件更易於整合至光學式觸控裝置之中，不但可以簡化光學式觸控裝置之製程與結構，且適於形成內嵌光學式觸控面板。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
10．．．非晶矽光學感測元件
12．．．第一電極
14．．．第二電極
16．．．非晶矽層
100．．．光學感測元件
110．．．基板
112．．．第一電極
114．．．第二電極
122．．．第一富矽介電層
124．．．第二富矽介電層
200．．．光學感測元件
224．．．第二富矽介電層
226．．．半導體層
300．．．光學式觸控裝置
310．．．光源裝置
311．．．顯示面板
312．．．光學膜層
314．．．偏光片
316．．．透明基板
318．．．液晶層
320．．．透明基板
322．．．偏光片
324．．．讀取薄膜電晶體
326．．．電容
328．．．驅動薄膜電晶體
330．．．感光區域
332．．．黑色矩陣
334．．．彩色濾光片
336．．．觸控物
338．．．可見光
340．．．紅外光
400．．．光學式觸控裝置
410．．．可見光背光模組
442．．．紅外光元件
444．．．導光板
510．．．直下式背光模組
512．．．發光元件
512a．．．可見光元件
512b．．．紅外光元件
513．．．框架
520．．．側光式背光模組
522．．．發光元件
524．．．框架
526．．．導光板
638．．．透明基板
650．．．TFT區域
652．．．感光區域
660．．．圖案化非晶矽層
662．．．摻雜非晶矽層
676．．．驅動薄膜電晶體
GE．．．閘極電極
GI．．．閘極絕緣層
IDL1．．．氧化物介電層
1DL2．．．氮化物介電層
ITO．．．第二電極層
PA．．．保護層
SD．．．閘極/源極線
UHA．．．平坦層
第1圖為傳統之非晶矽光學感測元件之示意圖。
第2圖為本發明製作光學感測元件之方法之一較佳實施例示意圖。
第3圖至第4圖為本發明製作光學感測元件之方法之另一較佳實施例示意圖。
第5圖為PIN二極體光學感測元件與本發明之光學感測元件之光感響應頻譜圖。
第6圖為本發明之光學感測元件整合於光學式觸控裝置之一較佳實施例之示意圖。
第7圖為本發明之側光式背光模組之示意圖。
第8圖為本發明之直下式背光模組之示意圖。
第9圖為本發明之光學式觸控裝置之另一較佳實施例之示意圖。
第10圖為本發明之光學感測元件整合於光學式觸控裝置之又一較佳實施例之示意圖。
100．．．光學感測元件
110．．．基板
112．．．第一電極
114．．．第二電極
122．．．第一富矽介電層
124．．．第二富矽介電層

Claims (29)

  1. 一種光學感測元件，包括：一第一電極；一第二電極；一第一富矽介電層，設置於該第一電極與該第二電極之間，用於吸收一紅外光；以及一第二富矽介電層，設置於該第一富矽介電層與該第二電極之間，用於吸收一可見光，其中該第一富矽介電層具有一第一矽含量，該第二富矽介電層具有一第二矽含量，該第一富矽介電層之該第一矽含量大於該第二富矽介電層之該第二矽含量，且該第一富矽介電層之折射率大於該第二富矽介電層之折射率。
  2. 如請求項1所述之光學感測元件，其中該第一矽含量大致上大於55.6%而小於100%，且該第二矽含量大致上大於47.4%而小於100%。
  3. 如請求項1所述之光學感測元件，其中該第一富矽介電層包括一富矽氧化矽層、一富矽氮化矽層或一富矽氮氧化矽層。
  4. 如請求項1所述之光學感測元件，其中該第一富矽介電層之折射率大致上介於3.4至3.9之間。
  5. 如請求項1所述之光學感測元件，其中該第一富矽介電層之厚度大致上介於100奈米(nanometer)至300奈米之間。
  6. 如請求項1所述之光學感測元件，其中該第二富矽介電層包括一富矽氧化矽層、一富矽氮化矽層或一富矽氮氧化矽層。
  7. 如請求項1所述之光學感測元件，其中該第二富矽介電層之折射率大致上介於2.7至3.9之間。
  8. 如請求項1所述之光學感測元件，其中該第二富矽介電層之厚度大致上介於100奈米至300奈米之間。
  9. 如請求項1所述之光學感測元件，更包括一半導體層，該半導體層設置於該第一富矽介電層與該第二富矽介電層之間。
  10. 如請求項9所述之光學感測元件，其中該半導體層包括一微米矽(micro-Si)層、一奈米矽(nano-Si)層、一多晶矽層或一非晶矽層。
  11. 如請求項9所述之光學感測元件，其中該半導體層之厚度大致上介於10奈米至30奈米之間。
  12. 一種光學感測元件之製作方法，包括： 提供一基板，並於該基板上形成一第一電極；於該第一電極上形成一第一富矽介電層，用於吸收一紅外光；於該第一富矽介電層上形成一第二富矽介電層，用於吸收一可見光，其中該第一富矽介電層具有一第一矽含量，該第二富矽介電層具有一第二矽含量，該第一富矽介電層之該第一矽含量大於該第二富矽介電層之該第二矽含量，且該第一富矽介電層之折射率大於該第二富矽介電層之折射率；以及於該第二富矽介電層上形成一第二電極。
  13. 如請求項12所述之製作方法，其中該第一矽含量大致上大於55.6%而小於100%，且該第二矽含量大致上大於47.4%而小於100%。
  14. 如請求項12所述之製作方法，其中形成該第一富矽介電層之方法包括：進行一電漿輔助化學氣相沉積製程，利用矽甲烷與一氮來源氣體反應而形成該第一富矽介電層，其中矽甲烷與該氮來源氣體之氣體流量比例大致上大於4.0。
  15. 如請求項12所述之製作方法，其中該第一富矽介電層包括一富矽氧化矽層、一富矽氮化矽層或一富矽氮氧化矽層。
  16. 如請求項12所述之製作方法，其中該第一富矽介電層之折射率 大致上介於3.4至3.9之間。
  17. 如請求項12所述之製作方法，其中該第一富矽介電層之厚度大致上介於100奈米至300奈米之間。
  18. 如請求項12所述之製作方法，其中形成該第二富矽介電層之方法包括：進行一電漿輔助化學氣相沉積製程，利用矽甲烷與一氮來源氣體反應而形成該第二富矽介電層，其中矽甲烷與該氮來源氣體之氣體流量比例大致上大於1.2。
  19. 如請求項12所述之製作方法，其中該第二富矽介電層包括一富矽氧化矽層、一富矽氮化矽層或一富矽氮氧化矽層。
  20. 如請求項12所述之製作方法，其中該第二富矽介電層之折射率大致上介於2.7至3.9之間。
  21. 如請求項12所述之製作方法，其中該第二富矽介電層之厚度大致上介於100奈米至300奈米之間。
  22. 如請求項12所述之製作方法，更包括形成一半導體層，其中該半導體層設置於該第一富矽介電層與該第二富矽介電層之間。
  23. 如請求項22所述之製作方法，其中該半導體層包括一微米矽層、一奈米矽層、一多晶矽層或一非晶矽層。
  24. 如請求項22所述之製作方法，其中形成該半導體層之方法包括：進行一電漿輔助化學氣相沉積製程，利用氫氣與矽甲烷反應而形成該半導體層，其中氫氣與矽甲烷之氣體流量比例大致上大於8.0。
  25. 如請求項22所述之製作方法，其中該半導體層之厚度大致上介於10奈米至30奈米之間。
  26. 一種光學式觸控裝置，包括：一光源裝置，具有一可見光元件與一紅外光元件，以分別提供一可見光與一紅外光；以及一顯示面板，該顯示面板包括一顯示元件與一光學感測元件，該光學感測元件包括：一第一電極；一第二電極；一第一富矽介電層，設置於該第一電極與該第二電極之間，用於吸收一紅外光；以及一第二富矽介電層，設置於該第一富矽介電層與該第二電極之間，用於吸收一可見光，其中該第一富矽介電層具有一第一矽含量，該第二富矽 介電層具有一第二矽含量，該第一富矽介電層之該第一矽含量大於該第二富矽介電層之該第二矽含量，且該第一富矽介電層之折射率大於該第二富矽介電層之折射率。
  27. 如請求項26所述之光學式觸控裝置，其中該光源裝置包括一直下式背光模組，設置於該顯示面板下方。
  28. 如請求項26所述之光學式觸控裝置，其中該光源裝置包括一側光式背光模組，設置於該顯示面板下方。
  29. 如請求項26所述之光學式觸控裝置，其中該光源裝置包括一可見光背光模組，設置於該顯示面板下方，一紅外光光源模組，置於該顯示面板上方。
TW098120406A 2009-06-18 2009-06-18 光學感測元件、其製作方法及光學式觸控裝置 TWI410703B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW098120406A TWI410703B (zh) 2009-06-18 2009-06-18 光學感測元件、其製作方法及光學式觸控裝置
US12/718,998 US8907923B2 (en) 2009-06-18 2010-03-07 Photo sensor, method of forming the same, and optical touch device
US14/535,334 US9122352B2 (en) 2009-06-18 2014-11-07 Optical touch device and method of forming photo sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW098120406A TWI410703B (zh) 2009-06-18 2009-06-18 光學感測元件、其製作方法及光學式觸控裝置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201100904A TW201100904A (en) 2011-01-01
TWI410703B true TWI410703B (zh) 2013-10-01

Family

ID=43353894

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098120406A TWI410703B (zh) 2009-06-18 2009-06-18 光學感測元件、其製作方法及光學式觸控裝置

Country Status (2)

Country Link
US (2) US8907923B2 (zh)
TW (1) TWI410703B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9501686B2 (en) 2014-06-23 2016-11-22 Shanghai Oxi Technology Co., Ltd. Multi-purpose thin film optoelectric sensor
US11774286B2 (en) 2021-08-10 2023-10-03 Au Optronics Corporation Light detection device having stacked light detectors

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI408437B (zh) * 2010-09-09 2013-09-11 液晶顯示器
CN105867690B (zh) * 2011-11-02 2019-02-12 群康科技(深圳)有限公司 影像显示***及触控感测装置的制造方法
TWI452498B (zh) 2011-11-02 2014-09-11 Innolux Corp 影像顯示系統及觸控感測裝置之製造方法
US9893102B2 (en) 2011-11-12 2018-02-13 Cross Match Technologies, Inc. Ambient light illumination for non-imaging contact sensors
US9235298B2 (en) * 2011-11-29 2016-01-12 Eastman Kodak Company Transparent capacitor with multi-layer grid structure
JP5360270B2 (ja) * 2011-12-07 2013-12-04 凸版印刷株式会社 液晶表示装置
TWI504988B (zh) * 2012-11-28 2015-10-21 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 背光模組及液晶顯示裝置
TWI587186B (zh) * 2013-07-15 2017-06-11 Ying-Jia Xue Multi-function display
US9454265B2 (en) * 2013-09-23 2016-09-27 Qualcomm Incorporated Integration of a light collection light-guide with a field sequential color display
WO2015143011A1 (en) * 2014-03-19 2015-09-24 Bidirectional Display Inc. Image sensor panel and method for capturing graphical information using same
US9122349B1 (en) * 2014-03-19 2015-09-01 Bidirectional Display Inc. Image sensor panel and method for capturing graphical information using same
CN104318199B (zh) * 2014-06-23 2020-03-24 上海箩箕技术有限公司 复合式光学传感器及其制作方法和使用方法
US10181070B2 (en) 2015-02-02 2019-01-15 Synaptics Incorporated Low profile illumination in an optical fingerprint sensor
US9829614B2 (en) 2015-02-02 2017-11-28 Synaptics Incorporated Optical sensor using collimator
US10147757B2 (en) 2015-02-02 2018-12-04 Synaptics Incorporated Image sensor structures for fingerprint sensing
KR20170014217A (ko) * 2015-07-29 2017-02-08 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
TWI601301B (zh) 2015-07-31 2017-10-01 友達光電股份有限公司 光學偵測裝置及其製作方法
US9934418B2 (en) 2015-12-03 2018-04-03 Synaptics Incorporated Display integrated optical fingerprint sensor with angle limiting reflector
US10176355B2 (en) 2015-12-03 2019-01-08 Synaptics Incorporated Optical sensor for integration in a display
US10169630B2 (en) 2015-12-03 2019-01-01 Synaptics Incorporated Optical sensor for integration over a display backplane
CN105678255B (zh) * 2016-01-04 2019-01-08 京东方科技集团股份有限公司 一种光学式指纹识别显示屏及显示装置
TWI614694B (zh) * 2016-01-21 2018-02-11 友達光電股份有限公司 指紋感測裝置
KR20170112359A (ko) * 2016-03-31 2017-10-12 주식회사 뷰웍스 티에프티 패널 타입 지문 인식 센서
US10108841B2 (en) 2016-03-31 2018-10-23 Synaptics Incorporated Biometric sensor with diverging optical element
US10380395B2 (en) 2016-09-30 2019-08-13 Synaptics Incorporated Optical sensor with angled reflectors
US10055637B2 (en) 2016-12-07 2018-08-21 Synaptics Incorporated Optical sensor with substrate light filter
US10311276B2 (en) 2017-02-22 2019-06-04 Synaptics Incorporated Under display optical fingerprint sensor arrangement for mitigating moiré effects
CN106935601B (zh) * 2017-03-13 2019-08-23 京东方科技集团股份有限公司 半导体器件、阵列基板和半导体器件的制造方法
CN209281421U (zh) * 2017-05-18 2019-08-20 深圳信炜科技有限公司 光电传感模组及电子装置
CN107958181B (zh) * 2017-05-18 2020-07-24 深圳信炜科技有限公司 光电传感模组及电子装置
CN107958180B (zh) * 2017-05-18 2020-07-24 深圳信炜科技有限公司 导光元件、光电传感模组及电子装置
TWI689090B (zh) 2018-05-29 2020-03-21 友達光電股份有限公司 感光元件及其製造方法
EP3944329A4 (en) 2019-03-18 2022-10-26 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
CN112347836A (zh) * 2019-08-07 2021-02-09 华为技术有限公司 指纹识别装置及电子终端
WO2021051753A1 (zh) * 2019-09-16 2021-03-25 神盾股份有限公司 具有屏下式红外线生物感测器的电子设备
US11637153B2 (en) 2019-09-26 2023-04-25 Apple Inc. Displays with optical edge sensors
TWI703485B (zh) * 2019-11-07 2020-09-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置
CN111863906A (zh) * 2020-07-28 2020-10-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
CN112114700A (zh) 2020-09-03 2020-12-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 传感器组件及显示装置
CN115088025A (zh) * 2020-11-30 2022-09-20 京东方科技集团股份有限公司 光学传感器阵列基板及光学指纹采集器
US11775021B2 (en) * 2021-08-17 2023-10-03 Apple Inc. Moisture-insensitive optical touch sensors
CN115016173B (zh) * 2022-06-07 2023-12-15 武汉华星光电技术有限公司 背光模组及显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4901133A (en) * 1986-04-02 1990-02-13 Texas Instruments Incorporated Multilayer semi-insulating film for hermetic wafer passivation and method for making same
US20020076850A1 (en) * 2000-12-19 2002-06-20 Sadd Michael A. Device structure for storing charge and method therefore
TW512524B (en) * 2001-01-19 2002-12-01 Nat Science Council Fabrication of amorphous silicon/amorphous silicon gemine NI1PI2N infrared position defectors
TW200729277A (en) * 2006-01-16 2007-08-01 United Microelectronics Corp Method of fabricating an image sensor
TW200832516A (en) * 2007-01-25 2008-08-01 Au Optronics Corp Layered structure with silicon nanocrystals, solar cell, nonvolatile memory element, photo sensitive element and fabrications thereof, and method for forming silicon nanocrystals

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54150995A (en) * 1978-05-19 1979-11-27 Hitachi Ltd Photo detector
JP2992464B2 (ja) * 1994-11-04 1999-12-20 キヤノン株式会社 集電電極用被覆ワイヤ、該集電電極用被覆ワイヤを用いた光起電力素子及びその製造方法
KR100779078B1 (ko) * 2005-12-09 2007-11-27 한국전자통신연구원 빛의 방출 효율을 향상시킬 수 있는 실리콘 발광 소자 및그 제조방법
TWI337672B (en) 2006-10-27 2011-02-21 Chimei Innolux Corp Liquid crystal display
US8094129B2 (en) 2006-11-27 2012-01-10 Microsoft Corporation Touch sensing using shadow and reflective modes
US7924272B2 (en) 2006-11-27 2011-04-12 Microsoft Corporation Infrared sensor integrated in a touch panel
US20090294885A1 (en) * 2008-05-29 2009-12-03 Pooran Chandra Joshi Silicon Nanoparticle Embedded Insulating Film Photodetector
TWI464887B (zh) * 2008-12-25 2014-12-11 Au Optronics Corp 光電池元件及顯示面板

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4901133A (en) * 1986-04-02 1990-02-13 Texas Instruments Incorporated Multilayer semi-insulating film for hermetic wafer passivation and method for making same
US20020076850A1 (en) * 2000-12-19 2002-06-20 Sadd Michael A. Device structure for storing charge and method therefore
TW512524B (en) * 2001-01-19 2002-12-01 Nat Science Council Fabrication of amorphous silicon/amorphous silicon gemine NI1PI2N infrared position defectors
TW200729277A (en) * 2006-01-16 2007-08-01 United Microelectronics Corp Method of fabricating an image sensor
TW200832516A (en) * 2007-01-25 2008-08-01 Au Optronics Corp Layered structure with silicon nanocrystals, solar cell, nonvolatile memory element, photo sensitive element and fabrications thereof, and method for forming silicon nanocrystals

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9501686B2 (en) 2014-06-23 2016-11-22 Shanghai Oxi Technology Co., Ltd. Multi-purpose thin film optoelectric sensor
TWI612647B (zh) * 2014-06-23 2018-01-21 上海籮箕技術有限公司 光電感測器
US11774286B2 (en) 2021-08-10 2023-10-03 Au Optronics Corporation Light detection device having stacked light detectors

Also Published As

Publication number Publication date
US8907923B2 (en) 2014-12-09
US20100321341A1 (en) 2010-12-23
US20150062088A1 (en) 2015-03-05
TW201100904A (en) 2011-01-01
US9122352B2 (en) 2015-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI410703B (zh) 光學感測元件、其製作方法及光學式觸控裝置
CN101593785B (zh) 光学感测元件、其制作方法及光学式触控装置
US8368068B2 (en) Display with photo sensor and manufacturing method thereof
TWI398707B (zh) 光感測單元及具有此光感測單元之畫素結構與液晶顯示面板
US7816751B2 (en) Optical sensor
TWI465979B (zh) 觸控面板
US11334195B2 (en) Optical detection apparatus
TWI424574B (zh) 數位ｘ光探測面板及其製作方法
US7682883B2 (en) Manufacturing method of thin film transistor array substrate and liquid crystal display panel
TWI424558B (zh) 顯示器
TWI587197B (zh) 光學式觸控面板及其製造方法以及光學式觸控顯示面板
JP2012058714A (ja) 液晶表示装置
TW201207491A (en) Photodetector, liquid crystal display device, and light-emitting device
TWI659246B (zh) Image detection display device, device and preparation method thereof
CN109037250B (zh) 一种影像侦测显示装置、器件及其制备方法
JP2014006518A (ja) 半導体装置
TWI755525B (zh) 光偵測薄膜、光偵測器件、光偵測顯示裝置及光偵測薄膜的製備方法
CN109375412A (zh) 液晶显示面板及液晶显示装置
TWI668850B (zh) Light detecting film, light detecting device, light detecting display device and preparation method of photosensitive diode
JP2010251496A (ja) イメージセンサー
Han et al. Optical properties of a-SiGe: H thin film transistor for infrared image sensors in touch sensing display
JP2009222910A (ja) 表示装置
CN113629069B (zh) 阵列基板及制备方法、光探测器
JP2007206625A (ja) 表示装置
TWI382554B (zh) 光感測元件及其製作方法