CN115011950A - 基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质 - Google Patents

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柳泽爱彦
大桥直史
高崎唯史
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Kokusai Electric Corp
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Abstract

提供一种提高排气***的清洁效率的基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。具有：对基板进行处理的处理容器；设于处理容器的内部且在平面上支承多个基板的支承部；向设定于处理容器内的第一领域供给第一气体的第一气体供给部；向设定于处理容器内的第二领域供给第二气体的第二气体供给部；沿着支承部的外周设置的排气缓冲构造部；与排气缓冲构造部连接且设在来自第一气体供给部的第一气体的流动下游的第一气体排气部；与排气缓冲构造部连接且设在来自第二气体供给部的第二气体的流动下游的第二气体排气部；以及向排气缓冲构造部供给清洁气体的第三气体供给部。

Description

基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质
技术领域
本发明涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。
背景技术
作为半导体器件的制造工序中使用的基板处理装置，存在例如构成为将多个基板排列配置成圆周状、并向各基板依次供给第一气体及第二气体、从而对各基板进行规定处理(成膜处理等)的基板处理装置(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-102242号公报
发明内容
本发明针对在对所供给的气体进行排气时可能产生第一气体与第二气的混合的隐患，提供一种能够提高排气***的清洁效率的技术。
根据本发明的一个方案，提供一种技术，具有：
对基板进行处理的处理容器；
设于上述处理容器的内部且在平面上支承多个上述基板的支承部；
向设于上述处理容器内的第一领域供给第一气体的第一气体供给部；
向设于上述处理容器内的第二领域供给第二气体的第二气体供给部；
沿着上述支承部的外周设置的排气缓冲构造部；
与上述排气缓冲构造部连接、且设于来自上述第一气体供给部的上述第一气体的流动下游的第一气体排气部；
与上述排气缓冲构造部连接、且设于来自上述第二气体供给部的上述第二气体的流动下游的第二气体排气部；以及
向上述排气缓冲构造部供给清洁气体的第三气体供给部。
发明效果
根据本发明，通过向排气缓冲构造部供给清洁气体，能够提高排气***的清洁效率。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式的基板处理装置的从上方观察到的横截面概略图。
图2是本发明的一个实施方式的基板处理装置的纵截面概略图，是图1中的α-α’线剖视图。
图3是本发明的一个实施方式的基板处理装置的纵截面概略图，是图1中的β-β’线剖视图。
图4是表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的基板支承机构的结构例的说明图。
图5是说明本发明的一个实施方式的基板处理装置中的气体供给部的结构例的说明图。
图6是表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的控制器的功能结构例的框图。
图7是表示本发明的一个实施方式的基板处理装置所执行的基板处理工序的步骤的例子的流程图。
附图标记说明
100 基板
200 基板处理装置
240 第一气体供给部
250 第二气体供给部
260 吹扫气体供给部(非活性气体供给部)
270 第三气体供给部
275 第一活化部
280 第四气体供给部
285 第二活化部
301 处理室
302 腔室(处理容器)
305 闸阀
305a 通路
306a 第一处理区域(第一领域)
306b 第二处理区域(第二领域)
307a 第一吹扫区域(吹扫领域)
307b 第二吹扫区域(吹扫领域)
317 基板载置板(支承部)
334 第一气体排气部
335 第二气体排气部
380 加热器(加热器部)
386 排气缓冲构造部
400 控制器(控制部)
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的一个实施方式。
(1)基板处理装置的结构
主要使用图1、图2、图3、图4说明本发明的一个实施方式的基板处理装置的结构。需要说明的是，以下说明中使用的附图均是示意性的，附图上的各要素的尺寸的关系、各要素的比率等未必与现实一致。另外，多个附图彼此间也是，各要素的尺寸的关系、各要素的比率等未必一致。
图1是本实施方式的基板处理装置200的从上方观察到的横截面概略图。图2是本实施方式的基板处理装置200的纵截面概略图，是图1中的α-α’线剖视图。此外，α-α’线是从α穿过腔室302的中心并朝向α’的线。图3是本实施方式的基板处理装置200的纵截面概略图，是图1中的β-β’线剖视图。此外，β-β’线是从β穿过腔室302的中心并朝向β’的线。图4是表示本实施方式的基板处理装置200中的基板支承机构的结构例的说明图。
(腔室)
如图1、图2及图3所示，基板处理装置200主要由作为圆筒状的气密容器(处理容器)的腔室302构成。腔室302内构成对基板100进行处理的处理室301。在腔室302连接有闸阀305，经由闸阀305搬入搬出基板100。闸阀305与通路305a相邻。基板100经由通路305a移动。
在处理室301内，设定有作为供给处理气体的领域(区域)的处理区域306、和作为供给吹扫气体的领域(区域)的吹扫区域307。在此，处理区域306和吹扫区域307交替配置成圆周状。例如，按照作为第一领域的第一处理区域306a、作为吹扫领域的第一吹扫区域307a、作为第二领域的第二处理区域306b及作为吹扫领域的第二吹扫区域307b的顺序配置。如后述那样，对第一处理区域306a内供给第一气体，对第二处理区域306b内供给第二气体，另外对第一吹扫区域307a及第二吹扫区域307b供给非活性气体。由此，与向各个区域内供给的气体相应地对基板100实施规定处理。
吹扫区域307是在空间上分开第一处理区域306a和第二处理区域306b的区域。吹扫区域307的顶壁308构成为比处理区域306的顶壁309低。在第一吹扫区域307a设有顶壁308a，在第二吹扫区域307b设有顶壁308b。通过降低各顶壁，能够提高吹扫区域307的空间的压力。通过向该空间供给吹扫气体，划分出相邻的处理区域306。此外，吹扫气体也具有除去基板100上的多余气体的作用。
在腔室302内设有支承基板100的作为支承部的基板载置板317。基板载置板317具有配置在腔室302的中心附近的旋转轴，旋转自如地构成。另外，基板载置板317构成为能够将多片(例如5片)基板100配置在同一平面上且沿着旋转方向配置在同一圆周上。基板载置板317具有透热性质，使从后述的加热器380散放的热量透过。所透过的热量对基板100进行加热。基板载置板317由例如石英构成。
基板载置板317的表面由供基板100载置的基板载置面311和除此以外的非基板载置面325构成。
基板载置面311彼此以相等间隔(例如72°的间隔)配置在从基板载置板317的中心呈同心圆状的位置。此外，在图1中，为了便于说明而省略了图示。基板载置面311设于凹部312的底面。各个凹部312在从例如基板载置板317的上表面观察时为圆形状，从侧面观察时为凹形状。优选构成为凹部312的直径比基板100的直径稍大。通过在凹部312内载置基板100，能够将基板100载置到基板载置面311。
非基板载置面325是基板载置面311以外的面，是不载置基板100的面。例如，多个凹部312之间的面、从凹部312来看构成腔室302的中心侧的区域的面、从凹部312来看构成腔室302的外周侧的区域的面等相当于非基板载置面325。
在构成基板载置面311的各凹部312，设有多个供举升销320贯穿的贯穿孔317a。在基板载置板317的下方且与闸阀305相对的部位，设有图4所示的基板保持机构316。基板保持机构316具有多个在基板100的搬入、搬出时顶推基板100并支承基板100的背面的举升销320。举升销320是能够延伸(延长)的结构，例如能够收纳于基板保持机构316的主体。在移载基板100时，举升销320延长并保持基板100。然后，通过举升销320的顶端向下方移动，基板100载置到凹部312。基板保持机构316只要为在基板载置时能够使举升销320***贯穿孔317a的结构即可。
基板载置板317固定于心部321。心部321设于基板载置板317的中心，具有固定基板载置板317的作用。在心部321的下方配置有轴322。轴322支承心部321。
轴322的下方贯穿设于腔室302底部的孔323，在腔室302外被能够实现气密的波纹管304覆盖。另外，在轴322的下端设有旋转部319。此外，在也具有使轴322升降的功能的情况下，也可以称为升降旋转部。旋转部319构成为能够根据后述的控制器400的指示使基板载置板317旋转。
在基板载置板317的下方，配置有作为加热部(加热器部)的内置加热器380的加热器单元381。加热器380对载置于基板载置板317的各基板100进行加热。加热器380沿着腔室302的形状而配置成圆周状。在加热器380连接有加热器控制部387。加热器380与后述的控制器400电连接，根据来自控制器400的指示，控制通向加热器380的电力供给，进行温度控制。
在基板载置板317的外周侧，以沿着基板载置板317的外周的方式设有排气缓冲构造部386。排气缓冲构造部386具有排气槽388和排气缓冲空间389。排气槽388、排气缓冲空间389沿着腔室302的形状而构成为圆周状。
在排气缓冲构造部386的底部设有排气孔392。排气孔392对供给到腔室302内的气体进行排气。各气体经由构成排气缓冲构造部386的排气槽388及排气缓冲空间389而从排气孔392排出。
在排气缓冲构造部386中的与吹扫区域307相邻的部位设有凸部390。凸部390是从排气缓冲构造部386的外周朝向基板支承部317延伸的构造。通过设置凸部390，能够防止从吹扫区域307供给的非活性气体大量流到排气缓冲构造部386内，因此能够遮断从上游侧流来的气体。
(气体供给部)
接下来，主要使用图1、图2、图5说明进行向腔室302的气体供给的气体供给部。
图5是表示本实施方式的基板处理装置200中的气体供给部的结构例的说明图。
如图1、图2所示，在腔室302中，设有在第一处理区域306a延伸的喷嘴341、在第二处理区域306b延伸的喷嘴342、在第一吹扫区域307a延伸的喷嘴344、在第二吹扫区域307b延伸的喷嘴345、在排气缓冲构造部386延伸的喷嘴346、以及在处理室301内的基板载置板317上延伸的喷嘴348。图1中的“A”与图5的(a)中的“A”连接。即，喷嘴341与供给管241连接。图1中的“B”与图5的(b)中的“B”连接。即，喷嘴342与供给管251连接。图1中的“C”与图5的(c)中的“C”连接。即，喷嘴344、喷嘴345分别与供给管261连接。图2中的“D”与图5的(d)中的“D”连接。即，喷嘴346与供给管271连接。图1中的“E”与图5的(e)中的“E”连接。即，喷嘴348与供给管281连接。
图5的(a)示出作为气体供给部的一部分的第一气体供给部240的结构例。在第一气体供给部240中的第一气体供给管241，从上游方向起按顺序设有第一气体供给源242、作为流量控制器(流量控制部)的MFC243、以及作为开闭阀的阀244。
从这样的第一气体供给部240中的第一气体供给管241主要供给含有第一元素的气体(以下称为“第一气体”)。也就是说，第一气体经由MFC243、阀244、第一气体供给管241供给到喷嘴341。并且，通过喷嘴341供给到第一处理区域306a。
第一气体是处理气体之一，是含有第一元素的原料气体。在此，第一元素是例如硅(Si)。即，第一气体是Si气体(也称为含Si气体)，是以Si为主成分的气体。具体地说，使用二氯硅烷(DCS、SiH2Cl2)气体。
主要由第一气体供给管241、MFC243、阀244、喷嘴341构成第一气体供给部240。也可以认为在第一气体供给部240内包含第一气体供给源242。
图5的(b)示出作为气体供给部的一部分的第二气体供给部250的结构例。在第二气体供给部250中的第二气体供给管251，从上游方向起按顺序设有第二气体供给源252、作为流量控制器(流量控制部)的MFC253、阀254。
从这样的第二气体供给部250中的第二气体供给管251主要供给与第一气体反应的反应气体(以下称为“第二气体”)。也就是说，第二气体经由MFC253、阀254、第二气体供给管251供给到喷嘴342。并且，通过喷嘴342供给到第二处理区域306b。
第二气体是处理气体之一，是以例如氮为主成分的含氮气体。作为含氮气体，使用例如氨气(NH3)。
主要由第二气体供给管251、MFC253、阀254、喷嘴342构成第二气体供给部250。也可以在第二气体供给部250内包含第二气体供给源252。此外，第二气体供给部250由于是供给反应气体的结构，所以也存在称为反应气体供给部的情况。
图5的(c)示出作为气体供给部的一部分的吹扫气体(非活性气体)供给部260的结构例。在吹扫气体供给部260中的吹扫气体供给管261，从上游方向起按顺序设有吹扫气体供给源262、作为流量控制器(流量控制部)的MFC263、阀264。
从这样的吹扫气体供给部260中的吹扫气体供给管261供给吹扫气体(非活性气体)。也就是说，吹扫气体经由MFC263、阀264、吹扫气体供给管261分别供给到喷嘴344及喷嘴345。并且，通过喷嘴344供给到第一吹扫区域307a，并且通过喷嘴345供给到第二吹扫区域307b。
吹扫气体是不与第一气体和第二气体等反应的气体，是对处理室301中的环境气体进行吹扫的吹扫气体之一，是例如氮气(N2)。
主要由吹扫气体供给管261、MFC263、阀264、喷嘴344、喷嘴345构成吹扫气体供给部260。也可以在吹扫气体供给部260内包含吹扫气体供给源262。
也将第一气体供给部240、第二气体供给部250统称为处理气体供给部。也可以在处理气体供给部中包含吹扫气体供给部260。
图5的(d)示出作为气体供给部的一部分的第三气体供给部270的结构例。在第三气体供给部270中的第三气体供给管271，从上游方向起按顺序设有第三气体供给源272、作为流量控制器(流量控制部)的MFC273、阀274。
从这样的第三气体供给部270中的第三气体供给管271供给清洁气体。也就是说，清洁气体经由MFC273、阀274、第三气体供给管271供给到喷嘴346。并且，通过喷嘴346供给到排气缓冲构造部386。
清洁气体用于除去因第一气体与第二气体的反应而生成的副产物，使用例如三氟化氮(NF3)气体或氟气(F2)。
主要由第三气体供给管271、MFC273、阀274、喷嘴346构成第三气体供给部270。也可以在第三气体供给部270内包含第三气体供给源272。另外，第三气体供给部270也可以包含使清洁气体活化的活化部(以下也称为“第一活化部”)275。关于第一活化部275，详情将后述。
图5的(e)示出作为气体供给部的一部分的第四气体供给部280的结构例。在第四气体供给部280中的第四气体供给管281，从上游方向起按顺序设有第四气体供给源282、作为流量控制器(流量控制部)的MFC283、阀284。
从这样的第四气体供给部280中的第四气体供给管281供给清洁气体。也就是说，清洁气体经由MFC283、阀284、第四气体供给管281供给到喷嘴348。并且，通过喷嘴348供给到处理室301内的基板载置板317上。
清洁气体用于除去因第一气体与第二气体的反应而生成的副产物，使用例如NF3气体或F2气体。但是，也可以是与第三气体供给部270所供给的清洁气体相比成分不同的清洁气体。
主要由第四气体供给管281、MFC283、阀284、喷嘴348构成第四气体供给部280。也可以在第四气体供给部280内包含第四气体供给源282。另外，第四气体供给部280也可以包含使清洁气体活化的活化部(以下也称为“第二活化部”)285。关于第二活化部285，详情将后述。
作为第一活化部275、第二活化部285，能够分别使用例如等离子体生成部、加热用介质、加热器380之外的第二加热器、微波供给部中的某一种。
(气体排气部)
接下来，主要使用图1、图2说明从腔室302进行气体排气的气体排气部。
如图1所示，在腔室302内的排气缓冲构造部386的下方设有排气孔392。排气口392按每个处理区域306设置。具体地说，与第一处理区域306a相对应地设有排气孔392a，与第二处理区域306b相对应地设有排气孔392b。也就是说，在来自向第一处理区域306a进行气体供给的第一气体供给部240的气体的流动下游侧配置有排气孔392a，在来自向第二处理区域306b进行气体供给的第二气体供给部250的气体的流动下游侧配置有排气孔392b。
在与第一处理区域306a相对应地配置于排气缓冲构造部386的下方的排气孔392a，连接有作为气体排气部的一部分的第一气体排气部334。也就是说，构成第一气体排气部334的一部分的第一排气管334a以与排气孔392a连通的方式与腔室302连接。在第一排气管334a，经由作为开闭阀的阀334d、作为压力调整器(压力调整部)的APC(Auto PressureController，自动压力控制器)阀334c，连接有作为真空排气装置的真空泵334b。由此，第一气体排气部334构成为能够通过排气缓冲构造部386以使处理室301内成为规定压力(真空度)的方式进行真空排气。
主要由APC阀334c、阀334d、第一排气管334a、排气孔392a构成第一气体排气部334。也可以认为在第一气体排气部334内包含真空泵334b。
在与第二处理区域306b相对应地配置于排气缓冲构造部386的下方的排气孔392b，连接有作为气体排气部的一部分的第二气体排气部335。也就是说，构成第二气体排气部335的一部分的第二排气管335a以与排气孔392b连通的方式与腔室302连接。在第二排气管335a，经由作为开闭阀的阀335d、作为压力调整器(压力调整部)的APC阀335c，连接有作为真空排气装置的真空泵335b。由此，第二气体排气部335构成为能够通过排气缓冲构造部386以使处理室301内成为规定压力(真空度)的方式进行真空排气。
主要由APC阀335c、阀335d、第二排气管335a、排气孔392b构成第二气体排气部335。也可以认为在第二气体排气部335内包含真空泵335b。
(控制部)
以上那样构成的基板处理装置200由作为控制部(控制机构)的控制器400控制。
以下，主要使用图6说明控制器400。
图6是表示本实施方式的基板处理装置200中的控制器400的功能结构例的框图。
基板处理装置200具有控制微波供给部、升降旋转部、阀、MFC等各部分的动作的控制器400。控制器400至少具有运算部(CPU)401、暂时存储部402、存储部403、发送接收部404。控制器400经由发送接收部404与基板处理装置200的各结构连接，根据上级控制器或使用者的指示从存储部403调出程序或配方，与其内容相应地控制各结构的动作。此外，控制器400既可以构成为专用计算机，也可以构成为通用计算机。例如，能够通过准备保存有上述程序的外部存储装置(例如，磁带、软盘或硬盘等磁盘、CD或DVD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器(USB Flash Drive)或存储卡等半导体存储器)412，使用外部存储装置412将程序安装到通用计算机而构成本方式的控制器400。另外，用于向计算机供给程序的手段不限于经由外部存储装置412供给的情况。例如，也可以使用因特网或专用线路等通信手段，还可以从上级装置420经由发送接收部411接收信息，不经由外部存储装置412地供给程序。另外，也可以使用键盘或触摸面板等输入输出装置413对控制器400进行指示。
此外，存储部402和外部存储装置412构成为计算机可读的记录介质。以下，对它们进行总称而也仅称为记录介质。此外，在本说明书中使用记录介质这一术语的情况下，存在仅包含存储部402单方的情况、仅包含外部存储装置412单方的情况、或包含其双方的情况。
(2)基板处理工序
接下来，说明使用上述结构的基板处理装置200进行作为半导体器件(半导体元件)的制造工序的一个工序的基板处理工序的情况下的顺序。在此，在基板处理工序中，列举作为第一气体而使用含Si气体、作为第二气体而使用NH3气体、在基板100上作为薄膜而形成氮化硅(SiN)膜的情况为例。
以下，主要使用图7说明基板处理工序。
图7是表示本实施方式的基板处理装置200所执行的基板处理工序的步骤的例子的流程图。
此外，在以下说明中，构成基板处理装置200的各部分的动作由控制器400控制。
(基板搬入、载置工序)
在基板处理工序中，首先，进行基板搬入、载置工序。此外，在图7中，省略了基板搬入、载置工序的图示。
在基板搬入、载置工序中，使基板载置板317旋转，使凹部312向与闸阀305相邻的位置移动。然后，使举升销320上升，贯穿至基板载置板317的贯穿孔317a。接着，打开闸阀305使腔室302与真空搬送室(未图示)连通。然后，使用晶片移载机(未图示)将基板100从该移载室移载到举升销320上，然后使举升销320下降。由此，基板100被支承到基板载置面311上。
在基板100被载置到基板载置面311上之后，使基板载置板317旋转，以使得未载置基板100的基板载置面311与闸阀305相对。然后，同样地将基板载置到基板载置面311。重复该过程直至在全部基板载置面311上均载置了基板100。
在将基板100载置于基板载置板317时，预先向加热器380供给电力，以基板100的表面成为规定温度的方式进行控制。基板100的温度例如为400℃以上且500℃以下。从加热器380辐射的热经由基板载置板317照射到基板100的背面。加热器380至少在从基板搬入、载置工序到后述的基板搬出工序结束的期间，始终为通电状态。
(基板载置板旋转开始工序)
在基板100被载置到各凹部312后，接着，进行基板载置板旋转开始工序(S110)。在基板载置板旋转开始工序(S110)中，旋转部324使基板载置板317向R方向旋转。通过使基板载置板317旋转，基板100按照第一处理区域306a、第一吹扫区域307a、第二处理区域306b、第二吹扫区域307b的顺序移动。
(气体供给开始工序)
若在基板搬入、载置工序中对基板100加热而达到了所希望的温度、且在基板载置板旋转开始工序(S110)中基板载置板317达到了所希望的旋转速度，则接着进行气体供给开始工序(S120)。在气体供给开始工序(S120)中，打开阀244而开始向第一处理区域306a内供给含Si气体。与之并行地，打开阀254而向第二处理区域306b内供给NH3气体。
此时，调整MFC243使得含Si气体的流量成为规定流量。含Si气体的供给流量为例如50sccm以上500sccm以下。
另外，调整MFC253使得NH3气体的流量成为规定流量。NH3气体的供给流量为例如100sccm以上5000sccm以下。
此外，在基板搬入、载置工序后，接着，利用第一气体排气部334及第二气体排气部335对处理室301内进行排气，并且从非活性气体供给部260向第一吹扫区域307a内及第二吹扫区域307b内供给作为吹扫气体的N2气体。
(成膜工序)
接着，进行成膜工序(S130)。在成膜工序(S130)中，在各基板100上，在第一处理区域306a形成含Si层，而且在旋转后的第二处理区域306b，含Si层与NH3气体发生反应，在基板100上形成含Si膜。然后，使基板载置板317旋转规定次数使得基板100上的含Si膜成为所希望的膜厚。此时，由于非基板载置面325上也被供给气体，所以在非基板载置面325上也能够形成膜。
(气体供给停止工序)
在成膜工序(S130)中使基板载置板317旋转规定次数后，接着，进行气体供给停止工序(S140)。在气体供给停止工序(S140)中，关闭阀244、阀254，停止含Si气体向第一处理区域306a的供给、NH3气体向第二处理区域306b的供给。
(基板载置板旋转停止工序)
在气体供给停止工序(S140)之后，进行基板载置板旋转停止工序(S150)。在基板载置板旋转停止工序(S150)中，停止基板载置板317的旋转。
(基板搬出工序)
在基板载置板旋转停止工序(S150)之后，进行基板搬出工序。此外，在图7中中，省略了基板搬出工序的图示。
在基板搬出工序中，使基板载置板317旋转以将想要搬出的基板100移动到与闸阀305相邻的位置。然后，以与基板搬入时相反地步骤搬出基板100。重复进行这些动作而将全部基板100搬出。
(3)清洁处理
如上述那样，在基板处理工序中，对处理室301内的基板100供给含Si气体及NH3气体，在该基板100上形成SiN层。此时，由于基板载置板317的非基板载置面325上也被供给气体，所以存在因含Si气体与NH3气体的混合而在非基板载置面325上也形成膜的隐忧。另外，供给到处理室301内的气体利用第一气体排气部334及第二气体排气部335进行排气，但此时由于经由排气缓冲构造部386，所以存在在排气缓冲构造部386的内壁部分等也形成膜的隐忧。
关于这些膜，由于是非意图形成的膜、即是不被控制膜质的膜，所以需要进行清洁处理而除去。
以下，说明在本实施方式的基板处理装置200中执行的清洁处理。此外，在以下的说明中，构成基板处理装置200的各部分的动作由控制器400控制。
(排气缓冲构造部的清洁处理)
关于排气缓冲构造部386，在对供给到处理室301内的气体进行排气的过程中，由于存在作为第一气体的含Si气体与作为第二气体的NH3气体混合的隐忧，所以需要定期性的清洁处理。尤其是，在基板处理工序时在处理室301中调整为在基板100上形成被控制了膜质的膜(以下也称为“控制膜”)的温度。另一方面，由于在排气缓冲构造部386中不调整温度，所以成为与处理室301不同的温度、例如比处理室301低的温度，形成非意图的膜、即不被控制膜质的膜(以下也称为“非控制膜”)的可能性高。排气缓冲构造部301中形成的非控制膜由于与控制膜相比在低温条件下形成，所以容易剥落，存在成为颗粒的隐忧。
因此，为了可靠地除去在排气缓冲构造部386形成的非控制膜，本实施方式的基板处理装置200具有第三气体供给部270。并且，第三气体供给部270对排气缓冲构造部386的内部直接供给清洁气体。由此，即使在从处理室301内排出的气体经由排气缓冲构造部386的情况下，也能够提高针对该排气缓冲构造部386的清洁效率。也就是说，能够通过直接供给清洁气体而高效且可靠地除去在排气缓冲构造部386形成的非控制膜。
此时，若在第三气体供给部270设置有第一活化部275，则也可以利用该第一活化部275将第三气体供给部270所供给的清洁气体活化。作为第一活化部275，例如，能够使用等离子体生成部、加热用介质、加热器380之外的第二加热器、微波供给部中的某一种。
若利用这样的第一活化部275将清洁气体活化，则即使在对不具有增加能量的结构(例如加热器)的排气缓冲构造部386进行供给的情况下，也能够对清洁气体增加能量，实现针对排气缓冲构造部386的清洁处理的进一步高效化。
清洁气体向排气缓冲构造部386的供给也可以如以下那样进行。例如，将第三气体供给部270构成为，作为向排气缓冲构造部386的清洁气体而能够供给可除去含碳膜的第一清洁气体和可除去不含碳膜的第二清洁气体。并且，在向排气缓冲构造部386供给清洁气体时，控制器400以首先供给第一清洁气体、然后供给第二清洁气体的方式控制第三气体供给部270。作为第一清洁气体，例如，使用氧系的O3气体或NO气体等。作为第二清洁气体，例如，使用NF3气体。
若像这样进行清洁气体的供给，则尤其在作为处理气体而使用含碳(carbon)气体的情况下非常优异。碳与Si等其他成分相比向壁面的吸附率高。因此，在通常的清洁中无法除尽，导致容易残留含碳状态的含碳膜。因此，首先，供给能够除去含碳膜的第一清洁气体而使碳成分汽化，然后使能够除去不含碳膜的第二清洁气体流入来除去膜整体。也就是说，通过供给第一清洁气体和第二清洁气体，对于含有碳成分的膜，也能够高效且可靠地除去。
(非基板载置面的清洁处理)
非控制膜的形成不仅在排气缓冲构造部386产生，在基板载置板317的非基板载置面325也能够产生。
因此，为了可靠地除去非基板载置面325上形成的非控制膜，本实施方式的基板处理装置200具有第四气体供给部280。并且，第四气体供给部280对处理室301内的基板载置板317上供给清洁气体。由此，能够通过向基板载置板317上供给清洁气体来除去在非基板载置面325形成的非控制膜。在供给清洁气体的期间，使基板载置板317旋转。
此时，由于在基板载置板317的下方配置有加热器380，所以利用该加热器380对基板载置板317进行加热。如此，由于能够在加热了基板载置板317的状态下进行清洁处理，所以与无加热的情况相比，针对基板载置板317的非基板载置面325的清洁效率提高。
对非基板载置面325进行清洁处理的第四气体供给部280在重力所作用的方向(以下称为“重力方向”)上，与对排气缓冲构造部386进行清洁处理的第三气体供给部270相比设于上方。更具体地说，构成第四气体供给部280的喷嘴348设为在设置基板处理装置200时的铅垂方向(垂直方向)上，与构成第三气体供给部270的喷嘴346相比位于上方。通过将第四气体供给部280的喷嘴348配置于上方侧，能够将来自该喷嘴348的清洁气体供给到基板载置板317上的整个领域，能够高效地进行针对非基板载置面325的清洁处理。另外，通过将第三气体供给部270的喷嘴346配置于下方侧，能够对成为从腔室302内排气的气体排气路径的排气缓冲构造部386直接供给清洁气体，能够高效地进行针对排气缓冲构造部386的清洁处理。
(各清洁处理的关系)
在此，说明由第三气体供给部270进行的清洁处理与由第四气体供给部280进行的清洁处理的关系。如既述那样，从第三气体供给部270进行的清洁气体供给和从第四气体供给部280进行的清洁气体供给均由控制器400控制。
控制器400例如以在使第一活化部275运转的状态下从第三气体供给部270向排气缓冲构造部386供给清洁气体、在使加热器380运转的状态下从第四气体供给部280向基板载置板317上供给清洁气体的方式，控制第三气体供给部270及第四气体供给部280。
若像这样进行各清洁处理，则针对基板载置板317上能够一边利用加热器380加热一边进行清洁处理。另一方面，对于排气缓冲构造部386，难以受到加热器380的加热影响，但取而代之能够使用第一活化部275提高清洁气体的能量。因此，对于基板载置板317的非基板载置面325和排气缓冲构造部386，均能够高效地进行清洁处理。
另外，控制器400例如以第三气体供给部270对排气缓冲构造部386进行清洁处理时的清洁气体的分压比第四气体供给部280对基板载置板317上进行清洁处理时的清洁气体的分压高的方式，控制第三气体供给部270及第四气体供给部280。
像这样，若提高排气缓冲构造部386中的清洁气体的压力，则清洁气体以高压状态与形成于排气缓冲构造部386的非控制膜接触，因此，即使在排气缓冲构造部386无加热器的情况下，也能够提高针对排气缓冲构造部386的清洁处理的效率。
另外，控制器400例如以基于第三气体供给部270对排气缓冲构造部386进行的清洁处理的频率比基于第四气体供给部280对基板载置板317上进行的清洁处理的频率高的方式，控制第三气体供给部270及第四气体供给部280。
在基板载置板317上，与基板100同样地，由于温度等成膜条件齐备，所以能够形成附着强度高的膜。另一方面，排气缓冲构造部386由于温度等成膜条件不齐备，所以能够形成附着强度弱的膜。即，具有在排气缓冲构造386中与基板载置板317上相比以高频率产生颗粒的隐忧。因此，若以相同频率进行各清洁处理，则对于基板载置板317，在已经完成清洁的状态下还进行清洁处理，存在产生过度蚀刻的隐忧。因此，通过提高针对排气缓冲构造部386的清洁处理的频率，能够消除过度蚀刻的隐忧，实现各清洁处理的高效化。
另外，控制器400例如以第三气体供给部270向排气缓冲构造部386供给的清洁气体的供给时间比第四气体供给部280向基板载置板317上供给的清洁气体的供给时间长的方式，控制第三气体供给部270及第四气体供给部280。
若各清洁处理中的清洁气体的供给时间相同，则对于基板载置板317，存在产生过度蚀刻的隐忧。因此，通过使向排气缓冲构造部386的清洁气体的供给时间长，能够消除过度蚀刻的隐忧，实现各清洁处理的高效化。
另外，在基板载置板317上的非控制膜的附着强度比排气缓冲构造386中的非控制膜强的情况下，控制器400也可以例如以第四气体供给部280向基板载置板317上供给的清洁气体的供给时间比第三气体供给部270向排气缓冲构造部386供给的清洁气体的供给时间长的方式，控制第三气体供给部270及第四气体供给部280。
若各清洁处理中的清洁气体的供给时间相同，则对于排气缓冲构造396，存在产生过度蚀刻的隐忧。因此，通过使向基板载置板317的清洁气体的供给时间长，从而消除过度蚀刻的隐忧，实现各清洁处理的高效化。
另外，控制器400例如以从基于第四气体供给部280向基板载置板317上供给清洁气体起经过规定时间后停止向基板载置板317上的清洁气体供给、并且开始基于第三气体供给部270向排气缓冲构造部386的清洁气体供给的方式，控制第三气体供给部270及第四气体供给部280。也就是说，在对基板载置板317的非基板载置面325进行了清洁处理后，对排气缓冲构造部386进行清洁处理。
假设在以相反顺序进行清洁处理的情况下，存在在针对非基板载置面325的清洁处理中产生的异物(除去后的副产物等)附着于排气缓冲构造部386的隐忧，但若在针对非基板载置面325的清洁处理后进行针对排气缓冲构造部386的清洁处理，则能够抑制异物向排气缓冲构造部386内的附着，实现各清洁处理的高效化。
另外，控制器400例如以第三气体供给部270向排气缓冲构造部386供给的清洁气体的供给次数比第四气体供给部280向基板载置板317上供给的清洁气体的供给次数多的方式，控制第三气体供给部270及第四气体供给部280。
若各清洁处理中的清洁气体的供给次数相同，则与上述的频率的情况同样地，对于基板载置板317存在产生过度蚀刻的隐忧。因此，通过使向排气缓冲构造部386的清洁气体的供给次数多，消除了过度蚀刻的隐忧，实现了各清洁处理的高效化。
另外，在基板载置板317上的非控制膜的附着强度比排气缓冲构造386中的非控制膜强的情况下，控制器400也可以例如以第四气体供给部280向基板载置板317上供给的清洁气体的供给次数比第三气体供给部270向排气缓冲构造部386供给的清洁气体的供给次数多的方式，控制第三气体供给部270及第四气体供给部280。
若各清洁处理中的清洁气体次数相同，则对于排气缓冲构造396，存在产生过度蚀刻的隐忧。因此，通过使向基板载置板317的清洁气体的供给次数多，消除了过度蚀刻的隐忧，实现了各清洁处理的高效化。
另外，若在第四气体供给部280设有第二活化部285，则控制器400也可以利用该第二活化部285将第四气体供给部280所供给的清洁气体活化。作为第二活化部285，与第三气体供给部270的第一活化部275同样地，例如，能够使用等离子体生成部、加热用介质、加热器380之外的第二加热器、微波供给部中的某一种。
在该情况下，控制器400例如以第一活化部275针对第三气体供给部270所供给的清洁气体的活化能量的量比第二活化部285针对第四气体供给部280所供给的清洁气体的活化能量的量高的方式，控制第三气体供给部270中的第一活化部275及第四气体供给部280中的第二活化部285。
如此，能够基于清洁气体的活化实现清洁处理的高效化，并且能够消除对基板载置板317的过度蚀刻的隐忧。
另外，在基板载置板317上的非控制膜的附着强度比排气缓冲构造386中的非控制膜强的情况下，控制器400例如以第二活化部285针对第四气体供给部280所供给的清洁气体的活化能量的量比第一活化部275针对第三气体供给部270所供给的清洁气体的活化能量的量高的方式，控制第三气体供给部270中的第一活化部275及第四气体供给部280中的第二活化部285。
如此，能够基于清洁气体的活化实现清洁处理的高效化，并且消除对排气缓冲构造386的过度蚀刻的隐忧。
也可以构成为从第三气体供给部270供给的清洁气体和从第四气体供给部280供给的清洁气体的彼此成分互不相同。在该情况下，各清洁气体构成为，基于来自第三气体供给部270的清洁气体得到的副产物的除去作用(除去能量)比基于来自第四气体供给部280的清洁气体得到的副产物的除去作用(除去能量)高。如此，即使各清洁气体的供给条件不同，也能够消除对基板载置板317的过度蚀刻的隐忧。
(与吹扫气体供给部的关系)
接下来，说明由第三气体供给部270及第四气体供给部280进行的各清洁处理与由吹扫气体供给部260进行的吹扫气体供给的关系。如既述那样，从吹扫气体供给部260向腔室302内供给吹扫气体，该从吹扫气体供给部260进行的吹扫气体供给由控制器400控制。
控制器400例如以与基于第三气体供给部270向排气缓冲构造部386的清洁气体供给并行地从吹扫气体供给部260供给吹扫气体的方式，控制吹扫气体供给部260及第三气体供给部270。
如此，在进行针对排气缓冲构造部386的清洁处理时，由于能够通过吹扫气体的供给使处理室301内的压力比排气缓冲构造部386高，所以能够抑制在对排气缓冲构造部386的清洁处理中产生的异物(除去后的副产物等)向处理室301侧移动。也就是说，即使处理室301与排气缓冲构造部386连通，也能够恰当地进行针对该排气缓冲构造部386的清洁处理。
此时，控制器400例如以在第三气体供给部270向排气缓冲构造部386供给清洁气体的期间，基板载置板317的上方的分压比排气缓冲构造部386的分压高的方式，控制吹扫气体供给部260及第三气体供给部270。
如此，由于在基板载置板317的上方与排气缓冲构造部386产生压力差，所以能够可靠地抑制异物从排气缓冲构造部386向处理室301内移动。
尤其是，在基板载置板317设有供支承基板100的举升销320贯穿的贯穿孔317a，控制器400例如以在第三气体供给部270向排气缓冲构造部386供给清洁气体的期间，贯穿孔317a的上方的分压比排气缓冲构造部386的分压高的方式，控制吹扫气体供给部260及第三气体供给部270。
如此，由于能够提高贯穿孔317a的上方的分压，所以即使在举升销320从贯穿孔317a贯穿的情况下，供给到排气缓冲构造部386的清洁气体和由该清洁气体除去的异物等也不会经由贯穿孔317a卷起到基板载置板317的上方。
(第三气体供给部的喷嘴配置)
接下来，说明以上那样控制的第三气体供给部270的喷嘴配置。
第三气体供给部270的喷嘴346优选在重力方向(垂直方向)上配置在第一气体供给部240的喷嘴341或第二气体供给部250的喷嘴342、与设于排气缓冲构造部386的下方的排气口392(392a、392b)之间。而且，第三气体供给部270的喷嘴346优选在与重力方向正交的方向(水平方向)上配置在第一气体供给部240的喷嘴341与第二气体供给部250的喷嘴342之间。
另外，第三气体供给部270的喷嘴346优选设在第一吹扫区域307a、第二吹扫区域307b中的气体流动的下游侧，其中该第一吹扫区域307a、第二吹扫区域307b设定在第一处理区域306a与第二处理区域306b之间。
另外，第三气体供给部270的喷嘴346优选设在凸部392的下方。
另外，腔室302具有能够开闭的闸阀305、和设在该闸阀305与基板载置板317之间的通路305a。优选第三气体供给部270的喷嘴346构成为对腔室302内的通路305a也能够供给清洁气体。
这些各部分均是容易产生第一气体(含Si气体等)与第二气体(NH3气体等)的混合、应由清洁处理除去的异物(副产物等)容易滞留的部位。尤其是，在作为吹扫领域的第一吹扫区域307a、第二吹扫区域307b的下游侧，在气体刚通过顶壁308下方、凸部390与基板载置板317或顶壁308之间的空间之后，存在针对气体的压力变动而产生气体湍流的隐忧，因此与其他部位相比异物容易滞留。而且，由于凸部390与基板载置板317之间的空间窄而成为高压，所以在凸部390与基板载置板的317之间异物容易滞留。另外，在闸阀305的附近，构成通路305a的壁与气体碰撞，或者针对气体的压力变动而产生湍流，因此在通路305a异物容易滞留。
该情况下也是，通过设为上述的喷嘴配置，第三气体供给部270能够向异物容易滞留的各部分供给新鲜(未失活)的清洁气体，能够提高针对各部分的清洁效率。
(与第三气体供给部的气体排气部的关系)
接下来，说明第三气体供给部270与作为气体排气部的第一气体排气部334及第二气体排气部335的关系。由第一气体排气部334及第二气体排气部335进行的从腔室302的气体排气由控制器400控制。
控制器400例如以使从第三气体供给部270向排气缓冲构造部386的清洁气体供给、基于第一气体排气部334进行的排气的停止、和基于第二气体排气部335进行的排气的运转(进行)并行地进行，或者使从第三气体供给部270向排气缓冲构造部386的清洁气体供给、基于第一气体排气部334进行的排气的运转、和基于第二气体排气部335进行的排气的停止并行进行的方式，控制第一气体排气部334、第二气体排气部335及第三气体供给部270。
像这样，若在针对排气缓冲构造部386的清洁处理时，停止基于第一气体排气部334和第二气体排气部335中某一方的排气***实现的气体流动，则清洁气体会到达排气缓冲构造部386整体。因此，对于排气缓冲构造部386，能够无遗漏地对其整体进行清洁。
另外，控制器400例如以使从第三气体供给部270向排气缓冲构造部386的清洁气体供给与基于第一气体排气部334的排气量比基于第二气体排气部335的排气量多的排气控制并行进行，或者使从第三气体供给部270向排气缓冲构造部386的清洁气体供给与基于第一气体排气部334的排气量比基于第二气体排气部335的排气量少的排气控制并行进行的方式，控制第一气体排气部334、第二气体排气部335及第三气体供给部270。
像这样，若在针对排气缓冲构造部386的清洁处理时，减小基于第一气体排气部334和第二气体排气部335中的某一方的排气***的排气量，则即使不完全停止基于某一排气***实现的气体流动，清洁气体也会容易到达排气缓冲构造部386整体。因此，针对排气缓冲构造部386，能够无遗漏地对其整体进行清洁。
另外，控制器400例如以使从第三气体供给部270向排气缓冲构造部386的清洁气体供给与基于第一气体排气部334进行的排气的停止及基于第二气体排气部335进行的排气的停止并行进行的方式，控制第一气体排气部334、第二气体排气部335及第三气体供给部270。
像这样，若在针对排气缓冲构造部386的清洁处理时，将基于第一气体排气部334及第二气体排气部335实现的气体流动均停止，则能够将清洁气体关入排气缓冲构造部386内。因此，在实现针对排气缓冲构造部386的清洁处理的高效化方面是有用的。
尤其是，清洁气体向排气缓冲构造部386内的关入例如在如排气缓冲构造部386中的凸部390那样清洁气体难以进入的部分设于排气缓冲构造部386内的情况下非常有用。也就是说，关于构成排气缓冲构造部386的外周壁与基板载置板317之间的距离，在构成为与设置凸部390相应地，吹扫区域307a、307b中的距离比第一处理区域306a及第二处理区域306b中的距离小的情况下，若将清洁气体关入排气缓冲构造部386内，则在实现针对排气缓冲构造部386的清洁处理的高效化方面非常有用。
(4)本实施方式的效果
根据本实施方式，起到以下所示的一个或多个效果。
(a)根据本实施方式，第三气体供给部270对排气缓冲构造部386直接供给清洁气体。因此，即使在对供给到腔室302内的气体进行排气时存在产生第一气体(含Si气体等)与第二气体(NH3气体等)混合的可能性、具有在成为排气路径的排气缓冲构造部386中形成非控制膜的隐忧，也能够提高针对该排气缓冲构造部386的清洁效率。也就是说，通过提高排气***的清洁效率，能够高效且可靠地除去形成于排气缓冲构造部386的非控制膜。
(b)根据本实施方式，第一活化部275将第三气体供给部270所供给的清洁气体活化。因此，即使在对不具有增加能量的结构(例如加热器)的排气缓冲构造部386供给清洁气体的情况下，也能够对该清洁气体增加能量，实现清洁处理的进一步高效化。
(c)根据本实施方式，在向排气缓冲构造部386供给清洁气体时，首先供给能够除去含碳膜的第一清洁气体，然后供给能够除不含碳膜的第二清洁气体。因此，在作为处理气体使用含碳气体的情况非常优异，对于含碳成分的膜能够高效且可靠地除去。
(d)根据本实施方式，第四气体供给部280对处理室301内的基板载置板317上供给清洁气体，并且此时加热器380对基板载置板317加热。因此，由于能够在加热了基板载置板317的状态下进行清洁处理，所以与无加热的情况相比，针对基板载置板317的非基板载置面325的清洁效率变高。
(e)根据本实施方式，在重力方向上，第四气体供给部280与第三气体供给部270相比设于上方。因此，能够将来自上方侧的第四气体供给部280的清洁气体供给到基板载置板317上的整个领域，能够高效地进行针对非基板载置面325的清洁处理。而且，通过将第三气体供给部270配置在下方侧，能够对成为从腔室302内进行排气的气体排气路径的排气缓冲构造部386直接供给清洁气体，因此能够高效地进行针对排气缓冲构造部386的清洁处理。
(f)根据本实施方式，在使第一活化部275运转的状态下从第三气体供给部270向排气缓冲构造部386供给清洁气体，在使加热器380运转的状态下从第四气体供给部280向基板载置板317上供给清洁气体。因此，针对基板载置板317的非基板载置面325和排气缓冲构造部386中的任一方均能够高效地进行清洁处理。
(g)根据本实施方式，设于第三气体供给部270的第一活化部275是等离子体生成部、加热用介质、第二加热器、微波供给部中的某一种。因此，能够可靠地将第三气体供给部270所供给的清洁气体活化，在高效地进行针对排气缓冲构造部386的清洁处理的方面是有用的。
(h)根据本实施方式，使第三气体供给部270对排气缓冲构造部386进行清洁处理时的清洁气体的分压比第四气体供给部280对基板载置板317上进行清洁处理时的清洁气体的分压高。因此，即使在排气缓冲构造部386没有加热器的情况下，也能够提高针对排气缓冲构造部386的清洁处理的效率。
(i)根据本实施方式，使基于第三气体供给部270对排气缓冲构造部386的清洁处理的频率比基于第四气体供给部280对基板载置板317上的清洁处理的频率高。因此，虽然若以同频率进行各清洁处理则对于基板载置板317存在产生过度蚀刻的隐忧，但消除了这样的过度蚀刻的隐忧，实现了各清洁处理的高效化。
(j)根据本实施方式，使第三气体供给部270向排气缓冲构造部386供给的清洁气体的供给时间比第四气体供给部280向基板载置板317上供给的清洁气体的供给时间长。因此，虽然若各清洁处理中的清洁气体的供给时间相同则对于基板载置板317存在产生过度蚀刻的隐忧，但消除了这样的过度蚀刻的隐忧，实现了各清洁处理的高效化。
(k)根据本实施方式，从基于第四气体供给部280对基板载置板317上供给清洁气体起经过规定时间后，停止向基板载置板317上的清洁气体供给，并且开始基于第三气体供给部270向排气缓冲构造部386的清洁气体供给。因此，不存在在针对非基板载置面325的清洁处理中产生的异物(除去后的副产物等)附着到排气缓冲构造部386的隐忧，能够抑制异物向排气缓冲构造部386内的附着，实现各清洁处理的高效化。
(l)根据本实施方式，使第三气体供给部270向排气缓冲构造部386供给的清洁气体的供给次数比第四气体供给部280向基板载置板317上供给的清洁气体的供给次数多。因此，虽然若各清洁处理中的清洁气体的供给次数相同则对于基板载置板317存在产生过度蚀刻的隐忧，但消除了这样的过度蚀刻的隐忧，实现了各清洁处理的高效化。
(m)根据本实施方式，使第一活化部275针对第三气体供给部270所供给的清洁气体的活化能量的量比第二活化部285针对第四气体供给部280所供给的清洁气体的活化能量的量高。因此，能够基于清洁气体的活化实现清洁处理的高效化，并且消除对基板载置板317的过度蚀刻的隐忧。
(n)根据本实施方式，对于从第三气体供给部270供给的清洁气体和从第四气体供给部280供给的清洁气体，各自的成分互不相同。具体地说，例如，以基于来自第三气体供给部270的清洁气体得到的副产物的除去作用(除去能量)比基于来自第四气体供给部280的清洁气体得到的副产物的除去作用(除去能量)高的方式，构成各清洁气体。因此，即使各清洁气体的供给条件不同，也能够消除对基板载置板317的过度蚀刻的隐忧。
(o)根据本实施方式，与基于第三气体供给部270向排气缓冲构造部386的清洁气体供给并行地，从吹扫气体供给部260供给吹扫气体。因此，在进行针对排气缓冲构造部386的清洁处理时，由于能够通过吹扫气体的供给而使处理室301内的压力比排气缓冲构造部386的压力高，所以能够抑制在针对排气缓冲构造部386的清洁处理中产生的异物向处理室301侧移动。也就是说，即使处理室301与排气缓冲构造部386连通，也能够恰当地进行针对该排气缓冲构造部386的清洁处理。
(p)根据本实施方式，以在第三气体供给部270向排气缓冲构造部386供给清洁气体的期间，基板载置板317的上方的分压比排气缓冲构造部386的分压高的方式，从吹扫气体供给部260进行吹扫气体供给。因此，由于在基板载置板317的上方与排气缓冲构造部386之间产生压力差，所以能够可靠地抑制异物从排气缓冲构造部386向处理室301内移动。
(q)根据本实施方式，以在第三气体供给部270向排气缓冲构造部386供给清洁气体的期间，贯穿孔317a的上方的分压比排气缓冲构造部386的分压高的方式，从吹扫气体供给部260进行吹扫气体供给。因此，由于能够提高贯穿孔317a的上方的分压，所以即使在举升销320从贯穿孔317a贯穿的情况下，供给到排气缓冲构造部386的清洁气体和由该清洁气体除去的异物等也不会经由贯穿孔317a卷起到基板载置板317的上方。
(r)根据本实施方式，在重力方向上，第三气体供给部270配置在第一气体供给部240或第二气体供给部250、与设于排气缓冲构造部386的下方的排气口392(392a、392b)之间。而且，在与重力方向正交的方向上，第三气体供给部270配置在第一气体供给部240与第二气体供给部250之间。
另外，根据本实施方式，第三气体供给部270设在第一吹扫区域307a、第二吹扫区域307b中的气体流动的下游侧，其中该第一吹扫区域307a、第二吹扫区域307b设在第一处理区域306a与第二处理区域306b之间。
另外，根据本实施方式，第三气体供给部270对于腔室302内的通路305a也能够供给清洁气体。
这些各部分均是容易产生第一气体(含Si气体等)与第二气体(NH3气体等)的混合、通过清洁处理应除去的异物容易滞留的部位，但即使在该情况下，第三气体供给部270也能够向异物容易滞留的各部分供给新鲜(未失活)的清洁气体，能够提高针对各部分的清洁效率。
(s)根据本实施方式，使从第三气体供给部270向排气缓冲构造部386的清洁气体供给、基于第一气体排气部334进行的排气的停止、和基于第二气体排气部335进行的排气的运转并行地进行，或者使从第三气体供给部270向排气缓冲构造部386的清洁气体供给、基于第一气体排气部334进行的排气的运转、和基于第二气体排气部335进行的排气的停止并行地进行。因此，在进行针对排气缓冲构造部386的清洁处理时，通过停止基于第一气体排气部334和第二气体排气部335中的某一方的排气***实现的气体流动，清洁气体到达排气缓冲构造部386整体，其结果为能够无遗漏地清洁排气缓冲构造部386整体。
(t)根据本实施方式，使从第三气体供给部270向排气缓冲构造部386的清洁气体供给、和基于第一气体排气部334的排气量比基于第二气体排气部335的排气量多的排气控制并行地进行，或者，使从第三气体供给部270向排气缓冲构造部386的清洁气体供给、和基于第一气体排气部334的排气量比基于第二气体排气部335的排气量少的排气控制并行地进行。因此，在进行针对排气缓冲构造部386的清洁处理时，通过减小基于第一气体排气部334和第二气体排气部335中的某一方的排气***的排气量，即使不完全停止基于某一方的排气***实现的气体流动，清洁气体也容易到达排气缓冲构造部386整体，其结果为能够无遗漏地清洁排气缓冲构造部386整体。
(u)根据本实施方式，使从第三气体供给部270向排气缓冲构造部386的清洁气体供给、和基于第一气体排气部334进行的排气的停止及基于第二气体排气部335进行的排气的停止并行地进行。因此，在进行针对排气缓冲构造部386的清洁处理时，通过将基于第一气体排气部334及第二气体排气部335实现的气体流动均停止，能够将清洁气体关入排气缓冲构造部386内，在实现针对排气缓冲构造部386的清洁处理的高效化方面是有用的。
(v)根据本实施方式，进行清洁气体向排气缓冲构造部386内的关入。因此，在如排气缓冲构造部386中的凸部390那样清洁气体难以进入的部分设于排气缓冲构造部386内的情况下非常有用。也就是说，对于清洁气体难以进入的部分也能够供给清洁气体，因此能够无遗漏地对排气缓冲构造部386内进行清洁处理。
(5)变形例等
以上具体地说明了本发明的一个实施方式，但本发明不限定于上述实施方式，能够在不脱离其要旨的范围内进行各种变更。
例如，在上述中实施方式，作为第一气体即原料气体，列举DCS气体为例，但不限定于此。作为原料气体，除了DCS气体以外，还能够使用六氯二硅烷(Si2C6，简称：HCDS)气体、一氯硅烷(SiH3Cl，简称：MCS)气体、二氯硅烷(SiH2Cl2，简称：DCS)、三氯硅烷(SiHCl3，简称：TCS)气体、四氯化硅(SiCl4，简称：STC)气体、八氯三硅烷(Si3Cl8，简称：OCTS)气体等包含Si-Cl键的氯硅烷原料气体。
另外，例如，在上述实施方式中，作为第二气体即反应气体列举NH3气体为例，但不限定于此。作为反应气体，除了NH3气体以外，还能够使用二亚胺(N2H2)气体、联氨(N2H4)气体、N3H8气体等包含N-H键的氮化氢系气体。
另外，例如，在上述实施方式中，作为非活性气体列举N2气体为例，但不限定于此。作为非活性气体，除了N2气体以外，还能够使用Ar气体、He气体、Ne气体、Xe气体等稀有气体。
另外，在上述实施方式中，作为基板处理工序列举向基板100上进行成膜处理的情况为例，但不限定于此，只要是需要气体的供给及排气的处理，则也能够适用于其他处理。作为其他处理，例如，具有扩散处理、氧化处理、氮化处理、氧氮化处理、还原处理、氧化还原处理、蚀刻处理、加热处理等。
(6)本发明的优选方式
以下，附记本发明的优选方式。
[附记1]
根据本发明的一个方式，提供一种基板处理装置，具有：
对基板进行处理的处理容器；
设于上述处理容器的内部并在平面上支承多个上述基板的支承部；
向设定于上述处理容器内的第一领域供给第一气体的第一气体供给部；
向设定于上述处理容器内的第二领域供给第二气体的第二气体供给部；
沿着上述支承部的外周设置的排气缓冲构造部；
与上述排气缓冲构造部连接且设在来自上述第一气体供给部的上述第一气体的流动下游的第一气体排气部；
与上述排气缓冲构造部连接且设在来自上述第二气体供给部的上述第二气体的流动下游的第二气体排气部；以及
向上述排气缓冲构造部供给清洁气体的第三气体供给部。
[附记2]
在附记1所记载的基板处理装置中，优选的是，
具有将上述清洁气体活化的活化部。
[附记3]
在附记1或2所记载的基板处理装置中，优选的是，
第三气体供给部构成为，作为上述清洁气体而能够供给可除去含碳膜的第一清洁气体、和可除去不含碳膜的第二清洁气体，在向上述排气缓冲构造部供给时，先供给上述第一清洁气体，然后供给上述第二清洁气体。
[附记4]
在附记2所记载的基板处理装置中，优选的是，
具有向上述支承部上供给清洁气体的第四气体供给部、和对上述支承部进行加热的加热器部。
[附记5]
在附记4所记载的基板处理装置中，优选的是，
上述第四气体供给部在重力方向(垂直方向)上与上述第三气体供给部相比设于上方。
[附记6]
在附记4或5所记载的基板处理装置中，优选的是，
上述第三气体供给部在使上述活化部运转的状态下，向上述排气缓冲构造部供给清洁气体，
上述第四气体供给部在使上述加热器部运转的状态下，向上述支承部上供给清洁气体。
[附记7]
在附记2或6所记载的基板处理装置中，优选的是，
上述活化部是等离子体生成部、加热用介质、第二加热器、微波供给部中的某一种。
[附记8]
在附记4至6中任一项所记载的基板处理装置中，优选的是，
具有控制部，该控制部以上述第三气体供给部对上述排气缓冲构造部进行清洁时的清洁气体的分压比上述第四气体供给部对上述支承部上进行清洁时的清洁气体的分压高的方式，控制上述第三气体供给部及上述第四气体供给部。
[附记9]
在附记4至6中任一项所记载的基板处理装置中，优选的是，
具有控制部，该控制部以基于上述第三气体供给部对上述排气缓冲构造部的清洁的频率比基于上述第四气体供给部对上述支承部上的清洁的频率高的方式，控制上述第三气体供给部及上述第四气体供给部。
[附记10]
在附记4至6中任一项所记载的基板处理装置中，优选的是，
具有控制部，该控制部以上述第三气体供给部向上述排气缓冲构造部供给的清洁气体的供给时间比上述第四气体供给部向上述支承部上供给的清洁气体的供给时间长的方式，控制上述第三气体供给部及上述第四气体供给部。
[附记11]
在附记4至6中任一项所记载的基板处理装置中，优选的是，
具有控制部，该控制部以从基于上述第四气体供给部向上述支承部上供给清洁气体起经过规定时间后，停止向上述支承部上的清洁气体供给并且开始基于上述第三气体供给部向上述排气缓冲构造部的清洁气体供给的方式，控制上述第三气体供给部及上述第四气体供给部。
[附记12]
在附记4至6中任一项所记载的基板处理装置中，优选的是，
具有控制部，该控制部以上述第三气体供给部向上述排气缓冲构造部供给的清洁气体的供给次数比上述第四气体供给部向上述支承部上供给的清洁气体的供给次数多的方式，控制上述第三气体供给部及上述第四气体供给部。
[附记13]
在附记4至6中任一项所记载的基板处理装置中，优选的是，
具有：
第二活化部，其将上述第四气体供给部所供给的清洁气体活化；和
控制部，其以上述活化部针对上述第三气体供给部所供给的清洁气体的活化能量的量比上述第二活化部的活化能量的量高的方式，控制上述活化部及上述第二活化部。
[附记14]
在附记4至6中任一项所记载的基板处理装置中，优选的是，
构成为从上述第三气体供给部供给的清洁气体与从上述第四气体供给部供给的清洁气体的成分不同。
[附记15]
在附记1所记载的基板处理装置中，优选的是，
具有：
非活性气体供给部，其向上述处理容器内供给非活性气体；
控制部，其以基于上述第三气体供给部向上述排气缓冲构造部的清洁气体供给并行地从上述非活性气体供给部供给非活性气体的方式，控制上述非活性气体供给部及上述第三气体供给部。
[附记16]
在附记15所记载的基板处理装置中，优选的是，
上述控制部以在上述第三气体供给部向上述排气缓冲构造部供给清洁气体的期间，上述支承部的上方的分压比上述排气缓冲构造部的分压高的方式，控制上述非活性气体供给部及上述第三气体供给部。
[附记17]
在附记15或附记16所记载的基板处理装置中，优选的是，
在上述支承部设有供支承上述基板的举升销贯穿的贯穿孔，并且
上述控制部以在上述第三气体供给部向上述排气缓冲构造部供给清洁气体的期间，上述贯穿孔的上方的分压比上述排气缓冲构造部的分压高的方式，控制上述非活性气体供给部及上述第三气体供给部。
[附记18]
在附记15所记载的基板处理装置中，优选的是，
上述第三气体供给部在重力方向(垂直方向)上配置在上述第一气体供给部或上述第二气体供给部与设于上述排气缓冲构造部的排气孔之间，
上述第三气体供给部在与上述重力方向正交的方向(水平方向)上配置在上述第一气体供给部与上述第二气体供给部之间。
[附记19]
在附记1所记载的基板处理装置中，优选的是，
上述第三气体供给部设在吹扫领域中的气体流动的下游侧，该吹扫领域设定在上述第一领域与上述第二领域之间。
[附记20]
在附记1所记载的基板处理装置中，优选的是，
上述处理容器具有能够开闭的闸阀、和设于上述闸阀与上述支承部之间的通路，
上述第三气体供给部构成为能够向上述通路供给上述清洁气体。
[附记21]
在附记1所记载的基板处理装置中，优选的是，
具有控制部，该控制部以使从上述第三气体供给部向上述排气缓冲构造部的清洁气体供给、基于上述第一气体排气部进行的排气的停止、和基于上述第二气体排气部进行的排气的运转并行地进行，或者，使从上述第三气体供给部向上述排气缓冲构造部的清洁气体供给、基于上述第一气体排气部进行的排气的运转、和基于上述第二气体排气部进行的排气的停止并行地进行的方式，控制上述第一气体排气部、上述第二气体排气部及上述第三气体供给部。
[附记22]
在附记1所记载的基板处理装置中，优选的是，
具有控制部，该控制部以使从上述第三气体供给部向上述排气缓冲构造部的清洁气体供给、与基于上述第一气体排气部的排气量比基于上述第二气体排气部的排气量多的排气控制并行地进行，或者，使从上述第三气体供给部向上述排气缓冲构造部的清洁气体供给、与基于上述第一气体排气部的排气量比基于上述第二气体排气部的排气量少的排气控制并行地进行的方式，控制上述第一气体排气部、上述第二气体排气部及上述第三气体供给部。
[附记23]
在附记1所记载的基板处理装置中，优选的是，
具有控制部，该控制部以使从上述第三气体供给部向上述排气缓冲构造部的清洁气体供给、与基于上述第一气体排气部进行的排气的停止及基于上述第二气体排气部进行的排气的停止并行地进行的方式，控制上述第一气体排气部、上述第二气体排气部及上述第三气体供给部。
[附记24]
在附记1所记载的基板处理装置中，优选的是，
上述第三气体供给部设在吹扫领域中的气体流动的下游侧，该吹扫领域设定在上述第一领域与上述第二领域之间，
构成为，对于构成上述排气缓冲构造部的外周壁与上述支承部之间的距离，上述吹扫领域中的该距离比上述第一领域及上述第二领域中的该距离小。
[附记25]
根据本发明的其他方式，提供一种半导体器件的制造方法，具有以下工序：
在设于上述处理容器的内部的支承部的平面上支承多个基板的工序；
进行从第一气体供给部向设定于上述处理容器内的第一领域的第一气体供给、从第二气体供给部向设定于上述处理容器内的第二领域的第二气体供给、和从第一气体排气部的排气及从第二气体排气部的排气，从而对上述基板进行处理的工序，其中，第一气体排气部与沿着上述支承部的外周设置的排气缓冲构造部连接，且设在基于上述第一气体供给部的气流的下游，第二气体排气部与上述排气缓冲构造部连接，且设在基于上述第二气体供给部的气流的下游，
从上述处理容器搬出上述基板的工序；以及
从与上述排气缓冲构造部连接的第三气体供给部供给清洁气体，对上述排气缓冲构造部内进行清洁的工序。
[附记26]
根据本发明的另一其他方式，提供一种程序，其利用计算机使基板处理装置执行以下步骤：
在设于上述处理容器的内部的支承部的平面上支承多个基板的步骤；
进行从第一气体供给部向设定于上述处理容器内的第一领域的第一气体供给、从第二气体供给部向设定于上述处理容器内的第二领域的第二气体供给、和从第一气体排气部的排气及从第二气体排气部的排气，从而对上述基板进行处理的步骤，其中，第一气体排气部与沿着上述支承部的外周设置的排气缓冲构造部连接，且设在基于上述第一气体供给部的气流的下游，第二气体排气部与上述排气缓冲构造部连接，且设在基于上述第二气体供给部的气流的下游，
从上述处理容器搬出上述基板的步骤；以及
从与上述排气缓冲构造部连接的第三气体供给部供给清洁气体，对上述排气缓冲构造部内进行清洁的步骤。

Claims (22)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
对基板进行处理的处理容器；
设于所述处理容器的内部且在平面上支承多个所述基板的支承部；
能够向设定于所述处理容器内的第一领域供给第一气体的第一气体供给部；
能够向设定于所述处理容器内的第二领域供给第二气体的第二气体供给部；
沿着所述支承部的外周设置的排气缓冲构造部；
与所述排气缓冲构造部连接且设于来自所述第一气体供给部的所述第一气体的流动下游的第一气体排气部；
与所述排气缓冲构造部连接且设于来自所述第二气体供给部的所述第二气体的流动下游的第二气体排气部；以及
能够向所述排气缓冲构造部供给清洁气体的第三气体供给部。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
具有能够将所述清洁气体活化的活化部。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第三气体供给部构成为，
作为所述清洁气体而能够供给可除去含碳膜的第一清洁气体、和可除去不含碳膜的第二清洁气体，
在向所述排气缓冲构造部供给时，先供给所述第一清洁气体，然后供给所述第二清洁气体。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
具有能够向所述支承部上供给清洁气体的第四气体供给部。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第四气体供给部在重力方向即垂直方向上与所述第三气体供给部相比设于上方。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
具有控制部，该控制部以所述第三气体供给部对所述排气缓冲构造部进行清洁时的清洁气体的分压比所述第四气体供给部对所述支承部上进行清洁时的清洁气体的分压高的方式，控制所述第三气体供给部及所述第四气体供给部，
或者，以基于所述第三气体供给部对所述排气缓冲构造部的清洁的频率比基于所述第四气体供给部对所述支承部上的清洁的频率高的方式，控制所述第三气体供给部及所述第四气体供给部。
7.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
具有控制部，该控制部以所述第三气体供给部向所述排气缓冲构造部供给的清洁气体的供给时间比所述第四气体供给部向所述支承部上供给的清洁气体的供给时间长的方式，控制所述第三气体供给部及所述第四气体供给部，
或者，以从基于所述第四气体供给部向所述支承部上供给清洁气体起经过规定时间后，停止向所述支承部上的清洁气体供给并且开始基于所述第三气体供给部向所述排气缓冲构造部的清洁气体供给的方式进行控制，
或者，以所述第三气体供给部向所述排气缓冲构造部供给的清洁气体的供给次数比所述第四气体供给部向所述支承部上供给的清洁气体的供给次数多的方式，控制所述第三气体供给部及所述第四气体供给部。
8.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
具有：
能够将所述第三气体供给部所供给的清洁气体活化的第一活化部；
将所述第四气体供给部所供给的清洁气体活化的第二活化部；以及
控制部，该控制部以所述第一活化部针对所述第三气体供给部所供给的清洁气体的活化能量的量比所述第二活化部的活化能量的量高的方式，控制所述第一活化部及所述第二活化部。
9.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
从所述第三气体供给部供给的清洁气体与从所述第四气体供给部供给的清洁气体的成分不同。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备：
能够将所述清洁气体活化的活化部；
能够向所述支承部上供给清洁气体的第四气体供给部；和
能够加热所述支承部的加热器部，
所述第三气体供给部在使所述活化部运转的状态下，向所述排气缓冲构造部供给清洁气体，
所述第四气体供给部在使所述加热器部运转的状态下，向所述支承部上供给清洁气体。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
具有：
向所述处理容器内供给非活性气体的非活性气体供给部；以及
控制部，该控制部以与基于所述第三气体供给部向所述排气缓冲构造部的清洁气体供给并行地从所述非活性气体供给部供给非活性气体的方式，控制所述非活性气体供给部及所述第三气体供给部。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部以在所述第三气体供给部向所述排气缓冲构造部供给清洁气体的期间，所述支承部的上方的分压比所述排气缓冲构造部的分压高的方式，控制所述非活性气体供给部及所述第三气体供给部。
13.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述支承部设有供支承所述基板的举升销贯穿的贯穿孔，并且
所述控制部以在所述第三气体供给部向所述排气缓冲构造部供给清洁气体的期间，所述贯穿孔的上方的分压比所述排气缓冲构造部的分压高的方式，控制所述非活性气体供给部及所述第三气体供给部。
14.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第三气体供给部在重力方向上配置在所述第一气体供给部或所述第二气体供给部与设于所述排气缓冲构造部的排气孔之间，
所述第三气体供给部在与所述重力方向正交的方向上配置在所述第一气体供给部与所述第二气体供给部之间。
15.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第三气体供给部设在吹扫领域中的气体流动的下游侧，该吹扫领域设定在所述第一领域与所述第二领域之间。
16.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理容器具有能够开闭的闸阀、和设于所述闸阀与所述支承部之间的通路，
所述第三气体供给部构成为能够向所述通路供给所述清洁气体。
17.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
具有控制部，该控制部以使从所述第三气体供给部向所述排气缓冲构造部的清洁气体供给、基于所述第一气体排气部进行的排气的停止、和基于所述第二气体排气部进行的排气的运转并行地进行，或者，使从所述第三气体供给部向所述排气缓冲构造部的清洁气体供给、基于所述第一气体排气部进行的排气的运转、和基于所述第二气体排气部进行的排气的停止并行地进行的方式，控制所述第一气体排气部、所述第二气体排气部及所述第三气体供给部。
18.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
具有控制部，该控制部以使从所述第三气体供给部向所述排气缓冲构造部的清洁气体供给、与基于所述第一气体排气部的排气量比基于所述第二气体排气部的排气量多的排气控制并行地进行，或者，使从所述第三气体供给部向所述排气缓冲构造部的清洁气体供给、与基于所述第一气体排气部的排气量比基于所述第二气体排气部的排气量少的排气控制并行地进行的方式，控制所述第一气体排气部、所述第二气体排气部及所述第三气体供给部。
19.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
具有控制部，该控制部以使从所述第三气体供给部向所述排气缓冲构造的清洁气体供给、与基于所述第一气体排气部进行的排气的停止及基于所述第二气体排气部进行的排气的停止并行地进行的方式，控制所述第一气体排气部、所述第二气体排气部及所述第三气体供给部。
20.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第三气体供给部设在吹扫领域中的气体流动的下游侧，该吹扫领域设定在所述第一领域与所述第二领域之间，
构成为，对于构成所述排气缓冲构造部的外周壁与所述支承部之间的距离，所述吹扫领域中的该距离比所述第一领域及所述第二领域中的该距离小。
21.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
在设于处理容器的内部的支承部的平面上支承多个基板的工序；
进行从第一气体供给部向设定于所述处理容器内的第一领域的第一气体供给、从第二气体供给部向设定于所述处理容器内的第二领域的第二气体供给、从第一气体排气部的排气及从第二气体排气部的排气，从而对所述基板进行处理的工序，其中该第一气体排气部与沿着所述支承部的外周设置的排气缓冲构造部连接，且设在基于所述第一气体供给部的气流的下游，该第二气体排气部与所述排气缓冲构造部连接，且设在基于所述第二气体供给部的气流的下游；
将所述基板从所述处理容器搬出的工序；以及
从与所述排气缓冲构造部连接的第三气体供给部供给清洁气体，对所述排气缓冲构造部内进行清洁的工序。
22.一种记录介质，其保存通过计算机使基板处理装置执行以下步骤的程序：
在设于处理容器的内部的支承部的平面上支承多个基板的步骤；
进行从第一气体供给部向设定于所述处理容器内的第一领域的第一气体供给、从第二气体供给部向设定于所述处理容器内的第二领域的第二气体供给、从第一气体排气部的排气及从第二气体排气部的排气，从而对所述基板进行处理的步骤，其中该第一气体排气部与沿着所述支承部的外周设置的排气缓冲构造部连接，且设在基于所述第一气体供给部的气流的下游，该第二气体排气部与所述排气缓冲构造部连接，且设在基于所述第二气体供给部的气流的下游；
将所述基板从所述处理容器搬出的步骤；以及
从与所述排气缓冲构造部连接的第三气体供给部供给清洁气体，对所述排气缓冲构造部内进行清洁的步骤。
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