TWI710026B - 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體 - Google Patents

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山腰莉早
堀田英樹
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日商國際電氣股份有限公司
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Abstract

本發明之課題在於控制在基板上形成之膜的基板面內膜厚分佈。
本發明係具備有：處理室，其係對基板執行形成含主元素膜的處理；第1噴嘴，其係對處理室內的基板，供給含主元素之原料；第2噴嘴，其係設置於遠離第1噴嘴的位置，而對處理室內的基板供給原料；第3噴嘴，其係對處理室內的基板供給反應體；及複數排氣口，其係將處理室內的環境氣體進行排氣；其中，將複數排氣口之各者於俯視時設置於與第1噴嘴的第1氣體噴出孔及第2噴嘴的第2氣體噴出孔呈非對向之位置。

Description

基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體
本發明係關於處理基板的基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體。
半導體裝置之製造步驟的一步驟會有對基板供給原料及反應體，而施行在基板上形成膜之處理的情況(例如參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2014-236129號公報
本發明目的在於提供：可控制形成在基板上之膜之基板面內膜厚分佈的技術。
根據本發明一態樣所提供的技術，係包括有： 處理室，其乃對基板進行形成含主元素之膜的處理；第1噴嘴，其乃對上述處理室內的基板，供給含上述主元素的原料；第2噴嘴，其乃設置於遠離上述第1噴嘴的位置，對上述處理室內的基板供給上述原料；第3噴嘴，其乃對上述處理室內的基板供給反應體；以及複數排氣口，其乃將上述處理室內的環境氣體進行排氣；其中，將上述複數排氣口之各者於俯視時設置於與上述第1噴嘴的第1氣體噴出孔及上述第2噴嘴的第2氣體噴出孔呈非對向之位置。
根據本發明可控制形成在基板上之膜的基板面內膜厚分佈。
115‧‧‧晶舟升降機
121‧‧‧控制器
121a‧‧‧CPU
121b‧‧‧RAM
121c‧‧‧記憶裝置
121d‧‧‧I/O埠
121e‧‧‧內部匯流排
122‧‧‧輸入輸出裝置
123‧‧‧外部記憶裝置
200‧‧‧晶圓(基板)
201‧‧‧處理室
202‧‧‧處理爐
203‧‧‧外管
204‧‧‧內管
204a、204b‧‧‧噴嘴收容室
204c、204d、204c'~204f'、204c"~204e"‧‧‧排氣口
204t‧‧‧開口
205‧‧‧排氣空間
207‧‧‧加熱器
209‧‧‧歧管
209a‧‧‧凸緣部
210‧‧‧反應管
217‧‧‧晶舟
218‧‧‧隔熱板
219‧‧‧密封蓋
220a、220b‧‧‧O形環
231‧‧‧排氣管
232a~232f‧‧‧氣體供給管
241a~241f‧‧‧質量流量控制器(MFC)
243a~243f‧‧‧閥
244‧‧‧APC閥
245‧‧‧壓力感測器
246‧‧‧真空泵
248‧‧‧集聚型供給系統
249a‧‧‧噴嘴(第1噴嘴)
249b‧‧‧噴嘴(第2噴嘴)
249c‧‧‧噴嘴(第3噴嘴)
250、250a~250c‧‧‧氣體噴出孔
251a、251b‧‧‧氣體噴出孔(頂板孔)
255‧‧‧旋轉軸
263‧‧‧溫度感測器
267‧‧‧旋轉機構
A、C'、C"、D'‧‧‧線段
B‧‧‧直線
圖1係以本發明一實施形態較佳地使用之基板處理裝置的直立式處理爐之概略構成圖，而將處理爐部分以縱剖視圖顯示的圖。
圖2係以本發明一實施形態較佳地使用之基板處理裝置的直立式處理爐之概略構成圖，而將處理爐部分以圖1之A-A線剖視圖顯示的圖。
圖3係以本發明一實施形態較佳地使用之基板處理裝置的控制器之概略構成圖，而將控制器的控制系統以方塊圖顯示之圖。
圖4係顯示本發明一實施形態的成膜時序之圖。
圖5係顯示以本發明一實施形態較佳地使用之基板處理裝置的直立式處理爐變形例之剖面構成圖。
圖6(a)、(b)係分別顯示以本發明一實施形態較佳地使用之基板處理裝置的直立式處理爐之變形例之概略構成圖。
圖7(a)係顯示以本發明一實施形態較佳地使用之第1~第3噴嘴的構成例之圖，圖7(b)~(e)係分別顯示第1、第2噴嘴的變形例之圖。
圖8(a)係示意性地顯示使氣體噴出孔與排氣口呈相對向時之處理室內的氣體流動之圖；圖8(b)係示意地顯示使氣體噴出孔與排氣口呈非對向時之處理室內的氣體流動之圖。
圖9(a)係顯示對處理室內供給之HCDS氣體的溫度之圖，圖9(b)係顯示HCDS氣體的熱分解特性之圖。
<本發明之一實施形態>
以下，針對本發明之一實施形態，使用圖1~圖4等進行說明。
(1)基板處理裝置之構成
如圖1所示，處理爐202係具有作為加熱機構(溫度調整部)用的加熱器207。加熱器207係圓筒形狀，藉由被保持板支撐而呈垂直安設。加熱器207亦作為利用熱使氣體活性化(激發)的活性化機構(激發部)而發揮功能。
在加熱器207的內側係與加熱器207呈同心圓狀地配設有反應管210。反應管210係具有雙重管構成，該雙重管構成係具備：內部反應管(內管)204、及呈同心圓狀包圍著內管204的外部反應管(外 管)203。內管204及外管203分別係由例如石英(SiO2)或碳化矽(SiC)等耐熱性材料構成，形成上端封閉且下端呈開口的圓筒形狀。在內管204的筒中空部形成處理室201。處理室201係構成可收容作為基板的晶圓200。
內管204及外管203分別利用歧管209而被從下方支撐。歧管209係由不銹鋼(SUS)等金屬材料構成，形成上端與下端呈開口的圓筒形狀。歧管209內壁的上端部係利用SUS等金屬材料構成，設有朝歧管209的徑向內側延伸出的環狀凸緣部209a。內管204的下端抵接於凸緣部209a的上面。外管203的下端抵接於歧管209的上端。在外管203與歧管209之間設有作為密封構件的O形環220a。歧管209的下端開口係構成為處理爐202的爐口，當晶舟217利用後述之晶舟升降機115上升時，便利用作為蓋體的圓盤狀密封蓋219氣密地密封。在歧管209與密封蓋219之間設有作為密封構件的O形環220b。
內管204的頂板部係形成平坦形狀，外管203的頂板部係形成圓頂形狀。若將內管204的頂板部設為圓頂形狀，則朝處理室201內供給的氣體便不會在複數片晶圓200間流動，而輕易地流入於內管204頂板部的圓頂部分之內部空間。藉由將內管204的頂板部設為平坦形狀，而可使朝處理室201內供給的氣體效率良好地朝複數片晶圓200間流動。藉由縮小內管204的頂板部與後述之晶舟217的頂板間之間隙(空間)，例如藉由設為與晶圓200排列間隔(間距)相同程度之大小，便可效率良好地使氣體朝晶圓200間流動。
如圖2所示，在內管204的側壁形成有噴嘴收容室204a與噴嘴收容室204b，該噴嘴收容室204a係收容著作為第1噴嘴的噴嘴249a及作為第3噴嘴的噴嘴249c，該噴嘴收容室204b係收容著作為第2噴嘴的噴嘴249b。噴嘴收容室204a、204b分別形成為從內管204的側壁朝內管204的徑向向外突出，並沿垂直方向延伸的通道形狀。噴嘴收容室204a、204b的內壁係構成處理室201的內壁之一部分。噴嘴收容室204a與噴嘴收容室204b係沿內管204的內壁，即沿處理室201內所收容之晶圓200的外周，分別配置於相互隔開既定距離的位置。具體而言，噴嘴收容室204a、204b係分別配置於由連結晶圓200中心與噴嘴收容室204a中心的直線、及連結晶圓200中心與噴嘴收容室204b中心的直線所形成之中心角(相對於以噴嘴收容室204a、204b各中心為二端所形成之圓弧的中心角)，成為例如30~150°範圍內的角度之位置。在噴嘴收容室204a內所收容的噴嘴249a、與在噴嘴收容室204b內所收容的噴嘴249b，分別配置於相隔既定距離之位置。在噴嘴收容室204a內收容的噴嘴249a、249c係分別配置於靠近之位置。
噴嘴249a~249c分別設計成從噴嘴收容室204a、204b的下部沿上部，朝晶圓200裝載方向往上方站立。即，噴嘴249a~249c係在晶圓200排列的晶圓排列區域側邊之、呈水平包圍晶圓排列區域的區域中，分別以沿晶圓排列區域之方式設置。如圖7(a)所示，在噴嘴249a~249c的側面分別設有作為第1~第3氣體噴出孔的氣體噴出孔250a~250c。氣體噴出孔250a~250c係以一片片地對應於處理 室201內所收容之複數片晶圓200的方式，於自噴嘴249a~249c下部跨至上部之全域設置有至少與複數片晶圓200之數量相同數量。當晶舟217保持例如120片晶圓200時，便在噴嘴249a~249c的各垂直部側面，分別各設有至少120個氣體噴出孔250a~250c。如圖1所示，氣體噴出孔249a~249c可不僅設置於晶圓排列區域，而亦可設置於較晶圓排列區域更靠下側。氣體噴出孔250a~250c係例如以分別朝處理室201中心之方式開口，構成為可朝晶圓200中心供給氣體。又，氣體噴出孔250a~250c係例如分別具有相同開口面積，且以相同開口間距設計。藉由該等構成，可促進朝各晶圓200中心附近的氣體供給，便可提升後述成膜處理的晶圓面內均勻性。又，可使對各晶圓200供給之氣體的流量、流速輕易地在晶圓200間均勻化，而可提升後述之成膜處理的晶圓間均勻性。
如圖2所示，噴嘴249a~249c分別連接著氣體供給管232a~232c。在氣體供給管232a~232c中從氣流上游側起依序分別設有流量控制器(流量控制部)即質量流量控制器(MFC)241a~241c、及開閉閥即閥243a~243c。在較氣體供給管232a~232c的閥243a~243c更靠下游側，分別連接著供給惰性氣體的氣體供給管232d~232f。在氣體供給管232d~232f中從氣流上游側起依序分別設有MFC241d~241f、及閥243d~243f。
例如將作為構成所欲形成之膜之主元素的矽(Si)及含鹵元素的鹵矽烷原料氣體作為原料(原料氣體)，而自氣體供給管232a、232b經由MFC241a、241b、閥243a、243b、噴嘴249a、249b，分別朝 處理室201內供給。
所謂「原料氣體」係指氣體狀態的原料，例如藉由將常溫常壓下呈液體狀態的原料施行氣化而獲得的氣體、或常溫常壓下呈氣體狀態的原料等。所謂「鹵矽烷原料」係指具鹵基的矽烷原料。鹵基係包含有：氯(Cl)、氟(F)、溴(Br)、碘(I)等鹵元素。作為鹵矽烷原料氣體係可使用例如含有Si與Cl的原料氣體，即氯矽烷原料氣體。氯矽烷原料氣體係作為Si源而發揮作用。作為氯矽烷原料氣體，可使用例如六氯二矽烷(Si2Cl6，簡稱：HCDS)氣體。
例如將含氧(O)氣體作為第1反應體(第1反應氣體)而自氣體供給管232c經由MFC241c、閥243c、噴嘴249c朝處理室201內供給。含O氣體係作為氧化源(氧化劑、氧化氣體)即O源而發揮作用。作為含O氣體係可使用例如氧(O2)氣體。
例如將含氫(H)氣體作為第2反應體(第2反應氣體)而自氣體供給管232a經由MFC241a、閥243a、噴嘴249a朝處理室201內供給。含H氣體雖單體並無法獲得氧化作用，但在後述的成膜處理中，藉由在特定條件下與含O氣體進行反應而生成原子狀氧(atomic oxygen、O)等氧化種，而發揮提升氧化處理效率的作用。含H氣體係可使用例如氫(H2)氣體。
例如將氮(N2)氣體作為惰性氣體而自氣體供給管232d~232f分別經由MFC241d~241f、閥243d~243f、氣體供給管232a~232c、 噴嘴249a~249c朝處理室201內供給。N2氣體係作為沖洗氣體、載氣而發揮作用。
主要由氣體供給管232a、232b、MFC241a、241b、閥243a、243b，構成第1供給系統(原料供給系統)。主要由氣體供給管232a、232c、MFC241a、241c、閥243a、243c，構成第2供給系統(反應體供給系統)。主要由氣體供給管232d~232f、MFC241d~241f、閥243d~243f，構成惰性氣體供給系統。
上述各種供給系統中，任一者或所有供給系統，亦可構成為由閥243a~243f或MFC241a~241f等集聚而成的集聚型供給系統248。集聚型供給系統248係連接於氣體供給管232a~232f之各者，而以利用後述之控制器121控制著朝氣體供給管232a~232f內的各種氣體之供給動作，即閥243a~243f的開閉動作、或由MFC241a~241f進行的流量調整動作等之方式構成。集聚型供給系統248係構成為一體式或分割式集聚單元，可依集聚單元單位對氣體供給管232a~232f等進行裝卸，構成可依集聚單元單位進行集聚型供給系統248的保養、更換、增設等。
在內管204的側面分別朝朝垂直方向細長地開設例如構成為狹縫狀貫通孔的排氣口(排氣狹縫)204c、204d。排氣口204c、204d係前視呈例如矩形，分別從內管204的側壁下部跨至上部地設置。處理室201內、及內管204與外管203間之圓環狀空間即排氣空間205，係經由排氣口204c、204d相連通。排氣口204c、204d之各 者係於俯視時包夾氣體噴出孔250a、250b、與收容於處理室201內的晶圓200中心而配置於非對向之位置。具體而言，將連結氣體噴出孔250a、250b的線段設為線段A時，排氣口204c、204d係於俯視時分別配置於線段A的垂直二等分線即直線B上。另外，直線B係通過晶圓200的中心。連結氣體噴出孔250a、250b的線段A、與通過排氣口204c、204d的直線B係相互正交，又，氣體噴出孔250a、250b係分別以直線B為基準配置於成為線對稱之位置。
如圖1所示，在外管203的下部，經由排氣空間205連接有將處理室201內的環境氣體予以排氣的排氣管231。排氣管231經由檢測排氣空間205內，即處理室201內之壓力之作為壓力檢測器(壓力檢測部)的壓力感測器245及作為壓力調整器(壓力調整部)之APC(Auto Pressure Controller，自動壓力控制器)閥244，連接著作為真空排氣裝置的真空泵246。藉由在使真空泵246運作之狀態下對閥進行開閉，而使APC閥244可執行處理室201內的真空排氣及停止真空排氣，又藉由在使真空泵246運作之狀態下，根據由壓力感測器245所檢測到的壓力資訊而調節閥開度，藉此構成為可調節處理室201內的壓力。主要由排氣管231、APC閥244、壓力感測器245構成排氣系統。亦可考慮將排氣口204c、204d、排氣空間205、真空泵246包含於排氣系統中。
歧管209的下端開口係經由O形環220b而利用密封蓋219而被氣密地密封。密封蓋219係由SUS等金屬材料構成，而形成為圓盤狀。在密封蓋219的下方設置有使晶舟217進行旋轉的旋轉機構 267。旋轉機構267的旋轉軸255係貫穿密封蓋219並連接於晶舟217。旋轉機構267係構成為藉由使晶舟217進行旋轉而使晶圓200旋轉。密封蓋219係構成為利用在反應管210外部垂直地設置之作為升降機構的晶舟升降機115，而在垂直方向進行升降。晶舟升降機115係藉由使密封蓋219進行升降，而構成為將由晶舟217支撐的晶圓200在處理室201內外進行搬入及搬出(搬送)的搬送裝置(搬送機構)。
作為基板支撐具的晶舟217係構成為將複數片(例如25~200片)晶圓200，依水平姿勢且相互中心呈對齊的狀態，在垂直方向上排列並呈多層支撐，即隔開間隔排列。晶舟217係由例如石英、SiC等耐熱性材料構成。在晶舟217的下部，呈多層支撐著由例如石英、SiC等耐熱性材料構成的隔熱板218。
在外管203與內管204之間設置有作為溫度檢測器的溫度感測器263。根據由溫度感測器263所檢測到的溫度資訊，調整對加熱器207的通電程度，藉此使處理室201內的溫度成為所需溫度分佈。溫度感測器263係沿外管203的內壁設置。
如圖3所示，控制部(控制手段)即控制器121係構成為具備CPU(Central Processing Unit，中央處理器)121a、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)121b、記憶裝置121c、及I/O埠121d的電腦。RAM121b、記憶裝置121c、I/O埠121d係經由內部匯流排121e，構成為可與CPU121a進行資料交換。控制器121連 接有例如構成為觸控板等的輸入輸出裝置122。
記憶裝置121c係由例如快閃記憶體、HDD(Hard Disk Drive，硬碟機)等構成。在記憶裝置121c內可讀取地儲存著記載有控制基板處理裝置之動作的控制程式、後述之成膜處理之手續或條件等製程配方等。製程配方係使控制器121執行後述之成膜處理的各手續，並依可獲得既定結果的方式組合者，其作為程式而發揮機能。以下，亦將製程配方、控制程式等單純地統稱為「程式」。又，亦將製程配方簡稱為「配方」。本說明書中當使用「程式」一詞時，係包括有僅包括配方個體的情況、僅包括控制程式個體的情況、或包括該等二者的情況。又，RAM121b係構成為暫時性儲存由CPU121a所讀取之程式、資料等的記憶體區域(工作區)。
I/O埠121d係連接於上述的MFC241a~241f、閥243a~243f、壓力感測器245、APC閥244、真空泵246、加熱器207、溫度感測器263、旋轉機構267、晶舟升降機115等。
CPU121a係構成為從記憶裝置121c讀取控制程式並執行，且配合來自輸入輸出裝置122的操作指令之輸入等而從記憶裝置121c讀取配方。CPU121a係構成為依照所讀取配方的內容，針對由MFC241a~241f進行的各種氣體之流量調整動作、閥243a~243f的開閉動作、APC閥244的開閉動作及根據壓力感測器245之由APC閥244進行的壓力調整動作、真空泵246的啟動及停止、根據溫度感測器263的加熱器207之溫度調整動作、由旋轉機構267進行的 晶舟217之旋轉及旋轉速度調節動作、由晶舟升降機115進行的晶舟217之升降動作等進行控制。
控制器121係可藉由將外部記憶裝置(例如：HDD等磁碟、CD等光碟、MO等光磁碟、USB記憶體等半導體記憶體)123中所儲存的上述程式安裝於電腦而構成。記憶裝置121c、外部記憶裝置123係構成為電腦可讀取的記錄媒體。以下，亦將該等統合簡稱為「記錄媒體」。本說明書中使用「記錄媒體」一詞時，係有僅包含記憶裝置121c個體的情況、僅包含外部記憶裝置123個體的情況、或者包含該等二者的情況。另外，對電腦之程式提供亦可不使用外部記憶裝置123，而使用網際網路、專用線路等通訊手段執行。
(2)基板處理步驟
使用上述基板處理裝置，就半導體裝置之製造步驟的一步驟，針對在作為基板的晶圓200上形成氧化矽膜(SiO膜)之時序例，使用圖4進行說明。以下說明中，構成基板處理裝置的各部分之動作係利用控制器121進行控制。
圖4所示之成膜時序中，係藉由以既定次數(1次以上)執行非同時地進行步驟1與步驟2之循環，而在晶圓200上形成SiO膜而作為含Si及O之膜，該步驟1係經由作為第1噴嘴的噴嘴249a、與配置於遠離噴嘴249a之位置之作為第2噴嘴的噴嘴249b，對處理室201內的晶圓200供給作為原料的HCDS氣體，而利用複數排氣口204c、204d進行排氣，其中該等複數排氣口204c、204d係於 俯視時配置於與噴嘴249a的氣體噴出孔250a及噴嘴249b的氣體噴出孔250b呈非對向之位置，該步驟2係經由作為第3噴嘴的噴嘴249c對處理室201內的晶圓200供給作為反應體的O2氣體，而利用複數排氣口204c、204d進行排氣。
另外，上述步驟2係包含對晶圓200同時供給作為反應體的O2氣體、與作為反應體的H2氣體之期間。H2氣體的供給係由噴嘴249a執行。
本說明書中，為求便利，亦有將圖4所示之成膜時序以如下方式標示之情況。關於後述變形例、或其他實施形態的成膜時序，亦使用同樣記載。
Figure 107107280-A0101-12-0013-27
本說明書中採用「晶圓」一詞時，係有指「晶圓本身」的情況、或指「晶圓、與在其表面上形成之既定層或膜的層積體」的情況。本說明書中，採用「晶圓表面」一詞時，係有指「晶圓本身的表面」之情況、或指「在晶圓上形成之既定層等的表面」之情況。本說明書中，記載「在晶圓上形成既定層」的情況，係指「直接在晶圓本身的表面上形成既定層」的情況、或指「於形成在晶圓上之層等之上形成既定層」的情況。本說明書中，使用「基板」一詞時，亦與使用「晶圓」一詞的情況同義。
(晶圓補充及晶舟裝載)
複數片晶圓200被裝填(晶圓補充)於晶舟217中。然後，如圖1所示，支撐著複數片晶圓200的晶舟217，利用晶舟升降機115而上舉並朝於處理室201內搬入(晶舟裝載)。在此狀態下，密封蓋219成為經由O形環220b而密封歧管209下端的狀態。
(壓力調整及溫度調整)
依處理室201內，即晶圓200所存在之空間成為所需壓力(真空度)的方式，利用真空泵246對處理室201內施行真空排氣(減壓排氣)。此時，處理室201內的壓力係利用壓力感測器245測量，根據該測量到的壓力資訊，回饋控制APC閥244。又，依處理室201內的晶圓200成為所需溫度的方式，利用加熱器207進行加熱。此時，依處理室201內成為所需溫度分佈的方式，根據由溫度感測器263所檢測到的溫度資訊，回饋控制對加熱器207的通電程度。又，開始由旋轉機構267進行晶圓200的旋轉。處理室201內的排氣、晶圓200的加熱及旋轉，均係至少在對晶圓200的處理結束為止之期間內持續進行。
(成膜步驟)
然後，依序執行下述之步驟1、2。
[步驟1]
在該步驟中，利用配置於分離位置的噴嘴249a、249b，同時將HCDS氣體供給至處理室201內的晶圓200。
具體而言，開啟閥243a、243b，朝氣體供給管232a、232b內流入HCDS氣體。HCDS氣體係利用MFC241a、241b進行流量調整，再經由噴嘴249a、249b朝處理室201內供給。自噴嘴249a、249b的氣體噴出孔250a、250b朝處理室201內供給的HCDS氣體，分別如圖2中的一點鏈線箭頭所示，朝晶圓200的中心流動，在晶圓200的中心附近碰撞並減速後，擴散(分散)於晶圓200的面內，再朝排氣口204c、204d之各者流動。此時，橫跨晶圓200面內全域地供給HCDS氣體。然後，HCDS氣體經由排氣口204c、204d而朝排氣空間205內流入，自排氣管231排氣。此時，亦可開啟閥243d~243f，使N2氣體朝氣體供給管232d~232f內流動。此情況，N2氣體係利用MFC241d~241f進行流量調整，並經由噴嘴249a~249c朝處理室201內供給，再經由排氣口204c、204d、排氣空間205，而自排氣管231排氣。
藉由對晶圓200供給HCDS氣體，便在晶圓200的表面上形成含Cl的含Si層(第1層)。含Cl的含Si層係藉由在晶圓200的表面上物理吸附HCDS、或化學吸附HCDS之一部分分解的物質、或由HCDS進行熱分解等而形成。即，含Cl的含Si層係可為HCDS、或由HCDS之一部分進行分解後的物質之吸附層(物理吸附層或化學吸附層)，亦可為含Cl的Si層。以下，將含Cl的含Si層亦簡稱為「含Si層」。
在晶圓200上形成含Si層之後，便關閉閥243a、243b，而停 止朝處理室201內供給HCDS氣體。然後，將處理室201內施行真空排氣，而將殘留於處理室201內的氣體等從處理室201內排除。此時，開啟閥243d~243f，朝處理室201內供給N2氣體。N2氣體係作為沖洗氣體而發揮作用。
[步驟2]
結束步驟1之後，便自配置於相靠近位置的噴嘴249c、249a，同時朝處理室201內的晶圓200供給O2氣體與H2氣體。
具體而言，開啟閥243c、243a，分別朝氣體供給管232c、232a內流入O2氣體、H2氣體。O2氣體、H2氣體分別利用MFC241c、241a進行流量調整，再經由噴嘴249c、249a朝處理室201內供給。從噴嘴249c、249a的氣體噴出孔250c、250a分別朝處理室201內供給的O2氣體、H2氣體，分別朝晶圓200的中心流動，在此過程中會在處理室201內進行混合並反應，再擴散於晶圓200的面內，然後，經由排氣口204c、204d、排氣空間205而被從排氣管231排氣。此時，對晶圓200同時一起供給O2氣體與H2氣體。閥243d~243f的開閉控制係與步驟1中的閥243d~243f之開閉控制相同。
藉由同時一起朝處理室201內供給O2氣體與H2氣體，該等氣體便在被加熱的減壓環境氣體下，利用無電漿被熱性活性化(激發)並反應，藉此生成原子狀氧(O)等含氧但未含水分(H2O)的氧化種。然後，主要利用該氧化種，對利用步驟1在晶圓200上形成的含Si 層施行氧化處理。因為該氧化種所具有的能量係較大於含Si層中所含之Si-Cl鍵結等的鍵能，因而藉由將該氧化種的能量提供給含Si層，含Si層中所含的Si-Cl鍵結等便被斷開。在與Si間之鍵結被斷開的Cl等會被從層中除去，而作為Cl2、HCl等被排出。又，因與Cl等間的鍵結被切斷而剩餘的Si之鍵，會與氧化種中所含的O鍵結而形成Si-O鍵結。依此，含Si層便轉變(改質)為含Si與O，但Cl等雜質含有量較少的層，即高純度的SiO層(第2層)。根據該氧化處理，相較於單獨供給O2氣體的情況、或單獨供給H2O氣體(水蒸氣)的情況，可大幅提升氧化力。即，藉由在減壓環境氣體下，於O2氣體中添加H2氣體，相較於單獨供給O2氣體的情況、或單獨供給H2O氣體的情況，可獲得大幅提升氧化力之效果。
使含Si層轉變為SiO層之後，關閉閥243c、243a，分別停止朝處理室201內供給O2氣體與H2氣體。然後，依照與步驟1同樣的處理手續，將殘留於處理室201內的氣體等從處理室201內排除。
[實施既定次數]
藉由將非同時，即非同步執行步驟1、2的循環進行1次以上(n次)，便可在晶圓200上形成所需膜厚的SiO膜。上述循環較佳係重複複數次。即，較佳為每1循環所形成的SiO層厚度較小於所需膜厚，直到由層積SiO層而形成之SiO膜的膜厚成為所需膜厚為止，複數次重複施行上述循環。
步驟1的處理條件係可例示如下： HCDS氣體供給流量(每支氣體供給管)：5~2000sccm、較佳為50~1000sccm
HCDS氣體供給時間：1~120秒、較佳為1~60秒
N2氣體供給流量(每支氣體供給管)：0~10000sccm
處理溫度：250~800℃、較佳為400~700℃
處理壓力：1~2666Pa、較佳為67~1333Pa。
步驟2的處理條件係可例示如下：O2氣體供給流量：100~10000sccm
H2氣體供給流量：100~10000sccm
O2氣體與H2氣體供給時間：1~120秒、較佳為1~60秒
處理壓力：13.3~1333Pa、較佳為13.3~399Pa。
其他的處理條件係與步驟1的處理條件相同。
作為原料氣體係除HCDS氣體之外，尚可使用：單氯矽烷(SiH3Cl、簡稱：MCS)氣體、二氯矽烷(SiH2Cl2、簡稱：DCS)氣體、三氯矽烷(SiHCl3、簡稱：TCS)氣體、四氯矽烷(SiCl4、簡稱：STC)氣體、八氯三矽烷(Si3Cl8、簡稱：OCTS)氣體等氯矽烷原料氣體。
作為第1反應氣體係除O2氣體之外，尚可使用：氧化亞氮(N2O)氣體、一氧化氮(NO)氣體、二氧化氮(NO2)氣體、臭氧(O3)氣體、H2O氣體、一氧化碳(CO)氣體、二氧化碳(CO2)氣體等含O氣體。
作為第2反應氣體係除H2氣體之外，尚可使用重氫(D2)氣體等 含H氣體。
作為惰性氣體係除N2氣體之外，尚可使用例如：Ar氣體、He氣體、Ne氣體、Xe氣體等稀有氣體。
(後沖洗~回歸大氣壓)
在成膜步驟結束後，從氣體供給管232d~232f之各者朝處理室201內供給N2氣體，經由排氣口204c、204d、排氣空間205從排氣管231排氣。N2氣體係作為沖洗氣體而發揮作用。藉此，處理室201內便被沖洗，而將殘留於處理室201內的氣體、反應副產物從處理室201內除去(後沖洗)。然後，經處理室201內的環境氣體被置換為惰性氣體(惰性氣體置換)後，便使處理室201內的壓力回歸於常壓(回歸大氣壓)。
(晶舟卸載及晶圓退出)
利用晶舟升降機115使密封蓋219下降，且歧管209的下端呈開口。然後，處理完畢之晶圓200在被晶舟217支撐的狀態下，從歧管209下端被搬出於反應管210的外部(晶舟卸載)。處理完畢之晶圓200被搬出於反應管210的外部之後，便從晶舟217中被取出(晶圓退出)。
(3)本實施形態造成的效果
根據本實施形態，可獲得以下所示之1項或複數項效果。
(a)藉由將複數排氣口204c、204d之各者俯視時配置於包夾氣體噴出孔250a、250b、與收容於處理室201內之晶圓200中心，而呈非對向的位置，便可提高在晶圓200上形成之SiO膜的晶圓面內膜厚分佈(以下亦簡稱「面內膜厚分佈」)之控制性。
理由係如圖8(a)所示，當在內管中設置1個排氣口，並將該排氣口俯視時配置於包夾第1氣體噴出孔、與收容於處理室內之晶圓中心而呈相對向的位置時，從第1、第2氣體噴出孔朝處理室內供給的HCDS氣體，會如圖中一點鏈線箭頭所示般流動。即，由第1氣體噴出孔供給的HCDS氣體，幾乎沒有減速地經由晶圓中心朝排氣口直線地流動，再經由排氣口朝處理室外排出。又，由第2氣體噴出孔供給的HCDS氣體並未到達晶圓中心，而是朝向排氣口改變方向，並經由排氣口朝處理室外排出。即，當將排氣口配置如圖8(a)所示狀態時，從第1、第2氣體噴出孔同時供給的HCDS氣體在晶圓中心附近碰撞、減速，較難朝晶圓的面內分散。此時，在晶圓上形成之SiO膜的面內膜厚分佈呈現晶圓表面周緣部(外周部)最厚，隨著靠近中央部逐漸變薄的分佈(以下亦稱「中央凹分佈」)，進而，有此程度變強的情況。該傾向係即便在內管中設置複數排氣口的情況，於與將複數排氣口中至少任一排氣口配置於與第1、第2氣體噴出孔任一者呈相對向之位置的情況下仍相同。
相對於此，如圖8(b)所示，在內管中設置2個排氣口，該等2個排氣口之各者係於俯視時配置於包夾第1、第2氣體噴出孔、與收容於處理室內之晶圓中心而呈非對向之位置的情況，從第1、第 2氣體噴出孔朝處理室內供給的HCDS氣體，將依圖中之一點鏈線箭頭所示般流動。即，從第1、第2氣體噴出孔供給的HCDS氣體朝向晶圓中心流動，並在晶圓中心附近碰撞而減速，經分散於晶圓面內再朝2個排氣口之各者流動。當將排氣口如圖8(b)所示配置時，便可緩和在晶圓上形成之SiO膜的中央凹分佈之程度。所以，可將SiO膜的面內膜厚分佈設為從晶圓200的表面中央部跨至周緣部而呈較少膜厚變形的平坦膜厚分佈(以下亦稱「平坦分佈」)，進而設為在晶圓表面周緣部最薄、且隨著接近中央部而逐漸變厚的分佈(以下亦稱「中央凸分佈」)。即，可廣範圍控制形成於晶圓上之SiO膜的面內膜厚分佈，亦能提升面內膜厚均勻性。
(b)如本實施形態，複數排氣口204c、204d之各者於俯視時配置於連氣體噴出孔250a與氣體噴出孔250b之線段A之垂直二等分線即直線B上的情況，可更進一步提高在晶圓200上形成之SiO膜的面內膜厚分佈之控制性。理由係當將排氣口204c、204d依此方式配置時，從氣體噴出孔250a、250b同時供給的HCDS氣體不僅會在晶圓中心附近碰撞、減速，亦可使在晶圓200中心碰撞的HCDS氣體以直線B為軸呈大致線對稱地擴散(分散)。藉此，可更進一步提升形成於晶圓200上之SiO膜的面內膜厚均勻性。
(c)上述效果係不管於使用HCDS氣體以外的上述原料氣體之情況、使用O2氣體以外的上述含O氣體之情況、使用H2氣體以外的上述含H氣體之情況、以及使用N2氣體以外的上述惰性氣體之情況，均可同樣地獲得。
(4)變形例
本實施形態係可變更為如下變形例。又，該等變形例係可任意組合。
(變形例1)
如圖6(a)所示，亦可在內管204的側壁設置4個排氣口204c'~204f'。此時，將4個排氣口204c'~204f'於俯視時配置成以連結氣體噴出孔250a、250b之線段A垂直二等分線即直線B為基準而呈線對稱。即，使連結排氣口204c'、204d'之線段C'、與直線B相互正交，且將排氣口204c'、204d'分別配置於以直線B為基準而呈線對稱之位置。又，使連結排氣口204e'、204f'之線段D'、與直線B相互正交，且將排氣口204e'、204f'分別配置於以直線B為基準而呈線對稱之位置。
再者，如圖6(b)所示，亦可在內管204的側壁設置3個排氣口204c"~204e"。此情況，將3個排氣口204c"~204e"中之至少1個(此處為排氣口204e")於俯視時配置於連結氣體噴出孔250a、250b之線段A之垂直二等分線即直線B上，並將3個排氣口204c"~204e"中除上述至少1個以外(此處為排氣口204c"、204d")以直線B為基準而呈線對稱配置。即，將排氣口204e"配置於直線B上，又使連結排氣口204c"、204d"之線段C"、與直線B相互正交，並使排氣口204c"、204d"分別配置於以直線B為基準而呈線對稱之位置。
即便為該等情況，當實施如圖4所示之上述成膜時序時，仍可獲得與使用圖1、圖2所示之基板處理裝置情況相同之效果。又，藉由增加在內管204內所設置之排氣口的數量，便可使在晶圓200中心碰撞的HCDS氣體更均勻地朝晶圓200之面內擴散(分散)，俾可更加提升形成於晶圓200上之SiO膜的面內膜厚均勻性。
(變形例2)
如圖5所示，亦可在內管204的頂板面上，設置開口204t而作為與排氣口204c、204d不同之排氣口。
即便於此情況，當實施圖4所示之上述成膜時序時，可獲得與使用圖1、圖2所示之基板處理裝置之情況相同之效果。又，藉由在內管204的上部設計開口204t，當施行步驟1、2時，可提高處理室201上部的氣體置換效率、抑制處理室201上部的壓力上升。藉此，可使處理室201內的各種氣體濃度分佈(晶圓裝載方向的分佈)適當化，藉此可提升晶圓間膜厚均勻性。
另外，藉由適當調整內管204上部與晶舟217上端的頂板間之間隙(clearance)，或適當調整開口204t的口徑，便可微調整晶圓間膜厚分佈。
(變形例3)
使用圖1~圖4、圖7(a)而說明的實施形態，係顯示將噴嘴249a、249b的氣體噴出孔250a、250b之構成(配置、間距、孔數)設為相 互相同的例子，惟本實施形態並不僅侷限於此種態樣。即，噴嘴249a、249b的氣體噴出孔250a、250b之構成(配置、間距、孔數)亦可相互不同。
例如圖7(b)所示，亦可為，於噴嘴249a中，在從下部起跨至上部之全域設置氣體噴出孔250a，且於噴嘴249b中，僅在上部設置氣體噴出孔250b，除此之外的部分並未設置氣體噴出孔250b。又，例如圖7(c)所示，亦可為，於噴嘴249a中，在從下部起跨至上部之全域設置氣體噴出孔250a，且於噴嘴249b中，僅在下部設置氣體噴出孔250b，除此之外的部分並未設置氣體噴出孔250b(全長縮短，在其側面全域設置氣體噴出孔250b)。又，例如圖7(d)所示，亦可為，於噴嘴249a中，在上部沒有設置氣體噴出孔250(全長亦縮短)，除此之外的部分之全域均設有氣體噴出孔250a，且於噴嘴249b中，僅在上部設置氣體噴出孔250b，除此之外的部分均沒有設置氣體噴出孔250b。又，例如圖7(e)所示，亦可為，於噴嘴249a、249b中，從下部起跨至上部全域分別設置氣體噴出孔250a、250b，且在噴嘴249a、249b的各自頂板部，分別設置朝垂直方向呈開口的氣體噴出孔(頂板孔)251a、251b。此情況時，氣體噴出孔251a的開口面積(直徑)最佳為大於氣體噴出孔250a的開口面積(直徑)，而較佳為使氣體噴出孔251b的開口面積(直徑)大於氣體噴出孔250b的開口面積(直徑)。例如，較佳為將氣體噴出孔251a的直徑設為氣體噴出孔250a直徑的2倍以上且8倍以下之大小，而較佳為將氣體噴出孔251b的直徑設為氣體噴出孔250b直徑的2倍以上且8倍以下之大小。另外，亦可不在噴嘴249a、249b中之其中 一噴嘴的頂板部上設置頂板孔。
即便該等情況，當實施圖4所示之上述成膜時序時，仍可獲得與使用圖1、圖2所示之基板處理裝置之情況相同之效果。又，施行步驟1時，可微調整處理室201內的HCDS氣體之濃度分佈(晶圓裝載方向的分佈)而使其適當化，藉此可提升晶圓間膜厚均勻性。
理由係朝處理室內供給的HCDS氣體，藉由被加熱而被熱分解為A×Si+B×SiCl2+C×SiCl4(其中，A、B、C分別係任意數，表示相對於分解生成物之總量的比例)。該等分解生成物中，有助於SiO膜形成的成分主要係SiCl2。根據發明者等的深入鑽研，得知在晶圓排列區域的中央部處因熱分解而生成的SiCl2之生成量較多，有提高SiO膜形成速率的傾向。另一方面，亦得知在晶圓排列區域的上部或下部，因熱分解而生成的SiCl2之生成量較少，有SiO膜之形成速率降低的傾向。圖9(a)係顯示朝處理室內供給的HCDS氣體之溫度之圖。圖9(a)中，橫軸係表示HCDS氣體的溫度[℃]，縱軸係表示晶圓的收容位置(120為上部，0為下部)。如圖9(a)所示，得知朝處理室內供給的HCDS氣體溫度，在晶圓排列區域的下部為300℃左右，相對地在上部成為700℃左右。圖9(b)係顯示HCDS氣體的熱分解特性之圖。圖9(b)中，橫軸係表示HCDS氣體的溫度[℃]，縱軸係表示因HCDS之熱分解而生成的SiCl2之生成量[a.u.]。根據圖9(b)，得知SiCl2生成量係在HCDS氣體溫度未滿35℃之範圍則較少，若在400~500℃之範圍則變為極多，若超過此範圍，例如成為600℃左右便再度變少。另外，若HCDS氣體溫度達800℃， 會進行2Si2Cl6→Si+3SiCl3的熱分解反應，而幾乎不生成SiCl2。由該等結果得知，在晶圓排列區域的中央部，有助於SiO膜形成的SiCl2生成量增加，在晶圓排列區域的上部或下部，有助於SiO膜形成的SiCl2之生成量減少。此情況時，形成於晶圓上之SiO膜的晶圓間膜厚分佈，會有呈現在晶圓排列區域中央部最厚，而在晶圓排列區域的下部或上部則變薄的分佈(弓形狀分佈)之情況。
針對此種課題，使用圖7(b)~圖7(e)中任一者所示之噴嘴249a、249b係屬非常有效。藉由使用圖7(b)~圖7(e)中任一者所示之噴嘴249a、249b，便朝晶圓排列區域的上部或下部供給(補充)HCDS氣體，便可促進有助於SiO膜形成的SiCl2之生成。藉此，提升在晶圓200上形成之SiO膜的晶圓間膜厚均勻性，並能緩和上述弓形狀分佈的程度。
<其他實施形態>
以上，針對本發明實施形態進行具體說明。惟，本發明並不僅侷限於上述實施形態，舉凡在不脫逸主旨之範圍內均可進行各種變更。
例如上述實施形態中，針對噴嘴收容室204a、204b設為不同大小、形狀、容積的例子進行說明，惟亦可將該等設為相同大小、形狀、容積。藉由將噴嘴收容室204a、204b的大小、形狀、容積設為相同，而可使從噴嘴249a、249b供給之HCDS氣體的供給環境氣體、供給條件一樣，俾能更加提升SiO膜的面內膜厚均勻性。
再者，亦可為，例如使用諸如：氨(NH3)氣體等含氮(N)氣體、丙烯(C3H6)氣體等含碳(C)氣體、三乙胺((C2H5)3N、簡稱：TEA)氣體等含N與C的氣體、三氯硼烷(BCl3)氣體等含硼(B)氣體等作為反應體，依照以下所示之成膜時序，在基板上形成氮氧化矽膜(SiON膜)、氮化矽膜(SiN膜)、氮碳化矽膜(SiCN膜)、氮碳氧化矽膜(SiOCN膜)、氮碳化矽硼膜(SiBCN膜)、氮化矽硼膜(SiBN膜)等。該等情況仍可獲得與上述實施形態同樣的效果。供給該等反應體時的處理手續、處理條件，係可設為與例如上述實施形態中供給反應體時的情況同樣。
Figure 107107280-A0101-12-0027-26
再者，亦可為，例如使用諸如四氯化鈦(TiCl4)氣體或三甲基鋁(Al(CH3)3、簡稱：TMA)氣體等作為原料，依照以下所示之成膜時序，在基板上形成氮化鈦膜(TiN膜)、氮氧化鈦膜(TiON膜)、氮碳化鋁鈦膜(TiAlCN膜)、碳化鋁鈦膜(TiAlC膜)、氮碳化鈦膜(TiCN 膜)、氧化鈦膜(TiO膜)等。該等情況仍可獲得與上述實施形態同樣的效果。供給該等原料/反應體時的處理手續、處理條件，係可設為與上述實施形態中供給原料/反應體時的情況同樣。
Figure 107107280-A0101-12-0028-25
基板處理所使用的配方較佳為配合處理內容再個別準備，經由電氣通訊線路或外部記憶裝置123，預先儲存於記憶裝置121c內。然後，在開始處理時，較佳為由CPU121a從儲存於記憶裝置121c內的複數配方中，配合基板處理內容而適當選擇合適的配方。藉此，利用1台基板處理裝置便可再現性良好地形成各種膜種、組成比、膜質、膜厚的膜。又，可在減輕操作員的負擔、避免操作失誤之狀態下，迅速的開始進行處理。
上述配方並不僅侷限於製新品的情況，例如亦可利用變更已在基板處理裝置中安裝的現有配方而準備。變更配方時，亦可將變更後的配方，經由電氣通訊線路或已記錄該配方的記錄媒體，安裝於基板處理裝置中。又，亦可操縱現有之基板處理裝置所具備的輸入輸出裝置122，直接變更已安裝於基板處理裝置中的現有配方。
上述實施形態係針對使用一次便處理複數片基板的批次式基板處理裝置而形成膜施行的例子進行說明。本發明並不僅侷限於上述實施形態，亦可較佳地適用於例如使用一次處理1片或數片基板的單片式基板處理裝置而形成膜的情況。又，上述實施形態係針對使用具熱壁式處理爐的基板處理裝置而形成膜的例子進行說明。本發明並不僅侷限於上述實施形態，亦可較佳地適用於使用具冷壁式處理爐的基板處理裝置而形成膜的情況。使用該等基板處理裝置的情況，仍可依照與上述實施形態或變形例同樣的時序、處理條件進行成膜，而能獲得與上述實施形態或變形例同樣的效果。
再者，上述各種實施形態係可適當組合使用。此時的處理手續、處理條件，例如可設為與上述實施形態的處理手續、處理條件同樣。
200‧‧‧晶圓(基板)
201‧‧‧處理室
202‧‧‧處理爐
203‧‧‧外管
204‧‧‧內管
204a、204b‧‧‧噴嘴收容室
204c、204d‧‧‧排氣口
205‧‧‧排氣空間
207‧‧‧加熱器
210‧‧‧反應管
231‧‧‧排氣管
232a~232f‧‧‧氣體供給管
241a~241f‧‧‧質量流量控制器(MFC)
243a~243f‧‧‧閥
248‧‧‧集聚型供給系統
249a‧‧‧噴嘴(第1噴嘴)
249b‧‧‧噴嘴(第2噴嘴)
249c‧‧‧噴嘴(第3噴嘴)
250a~250c‧‧‧氣體噴出孔
263‧‧‧溫度感測器
A‧‧‧線段
B‧‧‧直線

Claims (18)

  1. 一種基板處理裝置，係包括有：處理室，其乃對基板進行形成含主元素之膜的處理；第1噴嘴，其乃對上述處理室內的基板，供給含上述主元素的原料；第2噴嘴，其乃設置於遠離上述第1噴嘴的位置，對上述處理室內的基板供給上述原料；第3噴嘴，其乃對上述處理室內的基板供給反應體；以及複數排氣口，其乃將上述處理室內的環境氣體進行排氣；其中，將上述複數排氣口之各者於俯視時設置於與上述第1噴嘴的第1氣體噴出孔及上述第2噴嘴的第2氣體噴出孔呈非對向之位置，於俯視時，上述複數排氣口係以如下方式中之一者進行配置：(a)上述複數排氣口之各者係配置於連結上述第1氣體噴出孔與上述第2氣體噴出孔之線段的垂直二等分線上；(b)上述複數排氣口之各者係以連結上述第1氣體噴出孔與上述第2氣體噴出孔之線段的垂直二等分線為基準而線對稱地配置；(c)上述複數排氣口之至少1者配置於連結上述第1氣體噴出孔與上述第2氣體噴出孔之線段的垂直二等分線上，而上述至少1者以外者則以上述垂直二等分線為基準而線對稱地配置。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，於俯視時，上述複數排氣口之各者係配置於連結上述第1氣體噴出孔與上述第2氣體噴出孔之線段的垂直二等分線上。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中，於俯視時，上述複數排氣口之各者係以連結上述第1氣體噴出孔與上述第2 氣體噴出孔之線段的垂直二等分線為基準而線對稱地配置。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其中，於俯視時，上述複數排氣口之至少1者配置於連結上述第1氣體噴出孔與上述第2氣體噴出孔之線段的垂直二等分線上，而上述至少1者以外者則以上述垂直二等分線為基準而線對稱地配置。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其中，更進一步具備有：外部反應管；以及內部反應管，其乃設置於上述外部反應管內，而形成上述處理室；上述複數排氣口係設置於上述內部反應管的側面。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中，在上述內部反應管的頂板面，設有與上述複數排氣口不同之排氣口。
  7. 一種基板處理裝置，係包括有：處理室，其乃對基板進行形成含主元素之膜的處理；第1噴嘴，其乃對上述處理室內的基板，供給含上述主元素的原料；第2噴嘴，其乃設置於遠離上述第1噴嘴的位置，對上述處理室內的基板供給上述原料；第3噴嘴，其乃對上述處理室內的基板供給反應體；以及複數排氣口，其乃將上述處理室內的環境氣體進行排氣；其中，將上述複數排氣口之各者於俯視時設置於與上述第1噴嘴的第1氣體噴出孔及上述第2噴嘴的第2氣體噴出孔呈非對向之位置，上述第1噴嘴的上述第1氣體噴出孔之構成與上述第2噴嘴的上述第2氣體噴出孔之構成係相同。
  8. 一種基板處理裝置，係包括有： 處理室，其乃對基板進行形成含主元素之膜的處理；第1噴嘴，其乃對上述處理室內的基板，供給含上述主元素的原料；第2噴嘴，其乃設置於遠離上述第1噴嘴的位置，對上述處理室內的基板供給上述原料；第3噴嘴，其乃對上述處理室內的基板供給反應體；以及複數排氣口，其乃將上述處理室內的環境氣體進行排氣；其中，將上述複數排氣口之各者於俯視時設置於與上述第1噴嘴的第1氣體噴出孔及上述第2噴嘴的第2氣體噴出孔呈非對向之位置，上述第1噴嘴的上述第1氣體噴出孔之構成與上述第2噴嘴的上述第2氣體噴出孔之構成係不同。
  9. 如請求項8之基板處理裝置，其中，上述第1氣體噴出孔係僅設置於上述第1噴嘴的上部或下部，此外的其餘部分則沒有設置，或者，上述第2氣體噴出孔係僅設置於上述第2噴嘴的上部或下部，此外的其餘部分則沒有設置。
  10. 如請求項1之基板處理裝置，其中，更進一步具備有：原料供給系統，其乃供給上述原料；反應體供給系統，其乃供給上述反應體；排氣系統，其乃將上述處理室內的環境氣體從上述複數排氣口進行排氣；以及控制部，其構成為藉由既定次數執行非同時進行第1處理與第2處理的循環，以在上述基板上進行形成含上述主元素之膜的處理之方式，對上述原料供給系統、上述反應體供給系統及上述排氣系統進行控制；該第1處理係經由上述第1噴嘴與上述第2噴嘴，對上 述處理室內的基板供給上述原料，而從上述複數排氣口排氣；該第2處理係經由上述第3噴嘴，對上述處理室內的上述基板供給上述反應體，而從上述複數排氣口排氣。
  11. 如請求項10之基板處理裝置，其中，上述控制部係構成為在上述第1處理中，以同時執行經由上述第1噴嘴之上述原料的供給、及經由上述第2噴嘴之上述原料的供給之方式，對上述原料供給系統進行控制。
  12. 如請求項10之基板處理裝置，其中，上述控制部係構成為在上述第1處理中，以使經由上述第1噴嘴而供給的上述原料與經由上述第2噴嘴而供給的上述原料在上述基板之中央部碰撞的方式，對上述原料供給系統與上述排氣系統進行控制。
  13. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述第1噴嘴、上述第2噴嘴及上述第3噴嘴之各者係設置於上述基板的側邊。
  14. 如請求項5之基板處理裝置，其中，上述第1噴嘴、上述第2噴嘴及上述第3噴嘴之各者係設置於在上述內部反應管的側壁上所設之噴嘴收納室內。
  15. 如請求項14之基板處理裝置，其中，上述噴嘴收納室係從上述內部反應管的側壁朝外突出。
  16. 如請求項14之基板處理裝置，其中，上述噴嘴收納室係形成為沿垂直方向延伸的通道形狀。
  17. 一種半導體裝置之製造方法，係包括有藉由在基板處理裝置的處理室內以既定次數執行非同時地進行如下步驟之循環，而在基板上形成含主元素之膜之步驟：經由第1噴嘴與設置於遠離上述第1噴嘴之位置的第2噴嘴，對 上述處理室內的上述基板供給含有構成所欲形成之膜之上述主元素的原料，而自複數排氣口排氣，其中，該複數排氣口係於俯視時設置於與上述第1噴嘴的第1氣體噴出孔及上述第2噴嘴的第2氣體噴出孔呈非對向之位置；以及經由第3噴嘴，對上述處理室內的上述基板供給反應體，而從上述複數排氣口進行排氣；於俯視時，上述複數排氣口係以如下方式中之一者進行配置：(a)上述複數排氣口之各者係配置於連結上述第1氣體噴出孔與上述第2氣體噴出孔之線段的垂直二等分線上；(b)上述複數排氣口之各者係以連結上述第1氣體噴出孔與上述第2氣體噴出孔之線段的垂直二等分線為基準而線對稱地配置；(c)上述複數排氣口之至少1者配置於連結上述第1氣體噴出孔與上述第2氣體噴出孔之線段的垂直二等分線上，而上述至少1者以外者則以上述垂直二等分線為基準而線對稱地配置。
  18. 一種記錄媒體，其係電腦可讀取者，且記錄有程式，該程式係利用電腦而使基板處理裝置執行在上述基板處理裝置的處理室內藉由以既定次數執行非同時地進行如下手續之循環，而在基板上形成含主元素之膜之手續：經由第1噴嘴與設置於遠離上述第1噴嘴之位置的第2噴嘴，對上述處理室內的上述基板供給含有構成所欲形成之膜之上述主元素的原料，而自複數排氣口排氣，其中，該複數排氣口係於俯視時設置於與上述第1噴嘴的第1氣體噴出孔及上述第2噴嘴的第2氣體噴出孔呈非對向之位置；以及經由第3噴嘴對上述處理室內的上述基板供給反應體，而從上述 複數排氣口進行排氣；於俯視時，上述複數排氣口係以如下方式中之一者進行配置：(a)上述複數排氣口之各者係配置於連結上述第1氣體噴出孔與上述第2氣體噴出孔之線段的垂直二等分線上；(b)上述複數排氣口之各者係以連結上述第1氣體噴出孔與上述第2氣體噴出孔之線段的垂直二等分線為基準而線對稱地配置；(c)上述複數排氣口之至少1者配置於連結上述第1氣體噴出孔與上述第2氣體噴出孔之線段的垂直二等分線上，而上述至少1者以外者則以上述垂直二等分線為基準而線對稱地配置。
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