CN114772584A - 一种图案化立式石墨烯及其制备方法 - Google Patents

一种图案化立式石墨烯及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114772584A
CN114772584A CN202210285998.9A CN202210285998A CN114772584A CN 114772584 A CN114772584 A CN 114772584A CN 202210285998 A CN202210285998 A CN 202210285998A CN 114772584 A CN114772584 A CN 114772584A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mask
vertical graphene
graphene
patterned vertical
argon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210285998.9A
Other languages
English (en)
Inventor
李新禄
李永健
孟雨辰
王荣华
康斯坦丁·诺沃舍洛夫
葛奇
曹蔚琦
孟晓敏
冯霜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chongqing Nuoying 2d Materials Research Institute Co ltd
Chongqing University
Original Assignee
Chongqing Nuoying 2d Materials Research Institute Co ltd
Chongqing University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chongqing Nuoying 2d Materials Research Institute Co ltd, Chongqing University filed Critical Chongqing Nuoying 2d Materials Research Institute Co ltd
Priority to CN202210285998.9A priority Critical patent/CN114772584A/zh
Publication of CN114772584A publication Critical patent/CN114772584A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C01B32/184—Preparation
    • C01B32/186—Preparation by chemical vapour deposition [CVD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2204/00—Structure or properties of graphene
    • C01B2204/04—Specific amount of layers or specific thickness
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2204/00—Structure or properties of graphene
    • C01B2204/20—Graphene characterized by its properties
    • C01B2204/32—Size or surface area

Abstract

一种图案化立式石墨烯及其制备方法，本发明采用铁、钴、镍、钼等材料作为基底，将掩模置于基底上以调控立式石墨烯的生长区域，最终得到图案化立式石墨烯。本发明工艺简单，有利于实现大规模生产，便于推广应用；采用本发明方法制得的产品具有导电性好、比表面积大、电化学稳定性强等优异性能，可广泛应用于超级电容器、锂离子电池、太阳能电池等新能源器件，也可适用于传感器件、真空电子器件、电磁屏蔽等领域。

Description

一种图案化立式石墨烯及其制备方法
技术领域
本发明属于石墨烯制备的技术领域，具体涉及到一种图案化立式石墨烯及其制备方法。
背景技术
石墨烯是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的二维碳纳米材料。因其优异的光学、电学和力学性能，石墨烯在微纳加工、储能、传感器、场发射材料等领域具有重要的应用前景。石墨烯只有保持单体的高度分散才能保证其优异的性能，而由于其原子层片状结构、层间范德瓦尔斯力和π-π相互作用，分，粉末形态的石墨烯容易团聚，使石墨烯丧失了固有的一些优异性能。而立式石墨烯通常垂直于基底，单个立式石墨烯纳米薄片的横向和纵向尺寸通常为0.1 到数十微米，厚度只有几纳米。相比于石墨烯，立式石墨烯克服了石墨烯易团聚的缺点，其具有独特的生长方向、外露的尖锐边缘、非堆叠的形态和超高的比表面积，因此立式石墨烯在储能、传感器、场发射材料等领域同样应用潜力巨大。
立式石墨烯的独特尖锐边缘使其具有优异的电子场发射性能，因此能够应用于场发射材料的研究领域。以往的研究发现：当碳纳米管、石墨烯等材料应用于场发射材料领域，材料的分布密度严重影响器件的场发射性能，过大的密度会产生场屏蔽效应降低材料的电子发射能力。因此通过图案化立式石墨烯，降低场屏蔽效应，使其电子发射能力达到最佳。
现有技术方案中，公开号为CN106128906A的专利公开了一种直立式石墨烯薄膜场发射阴极及其制作方法、电极，该阴极是在衬底的预设区域上设置多个相互独立的突起，使得独立突起顶端立式石墨烯的厚度大于突起顶端内部的厚度，同时两相邻突起间的石墨烯薄膜存在高度差，以此来达到降低场屏蔽效应，增强石墨烯薄膜的电子发射能力。通过在衬底上的预设区域设置相对独立的突起，使生长得到的立式石墨烯存在高度差能够一定程度上降低场屏蔽效应，但是对衬底的前期处理成本高，工艺复杂。而且工艺上控制突起顶端周边的厚度大于突起顶端内部的厚度存在困难，难以实现工业化生产。
发明内容
本发明的目的是解决现有技术的不足和缺点，提供一种图案化立式石墨烯及其制备方法，具有工艺简单，操作方便，生产成本低等特点。本发明方法制备出的图案化立式石墨烯具有导电性好、比表面积大、电化学稳定性强等优异性能，可广泛应用于超级电容器、锂离子电池、太阳能电池等新能源器件，也可适用于传感器件、真空电子器件、电磁屏蔽等领域。
实现本发明目的的技术方案是：一种图案化立式石墨烯及其制备方法，具体步骤如下：
1、一种图案化立式石墨烯，其特征在于所述材料的组分、纯度及其几何尺寸：
组分：立式石墨烯
纯度：含碳量≥99％
几何尺寸：立式石墨烯的高度为1-20μm，层数为1-10层
2、一种图案化立式石墨烯的制备方法，其特征在于所述的制备方法，具体步骤如下：
(1)掩模的预处理：将掩模置于去离子水中清洗、打磨，然后在无水乙醇中超声清洗5-20min以除去表面杂质；
其中，所述的掩模为氧化硅、玻璃、氧化铝等无机物，或为铬、铝、镁合金中的任意一种，掩模具有规则或不规则的几何图案；
(2)将预处理后的掩模置于金属基底上，然后将负载掩模的金属基底置入等离子体气相沉积系反应腔内；
其中，所述的金属基底是铁、钴、镍和钼中的一种或多种组合而成的金属或合金基底；
(3)采用等离子体增强化学气相沉积法在载有掩模的金属基底上生长图案化立式石墨烯，具体步骤为：抽真空至反应腔内气压为60-80Torr，升温速率为 5-10℃/min直至反应腔温度为700-850℃，然后通入碳源气体和载气，同时施加垂直于金属基底的电场，在等离子体增强条件下进行化学气相生长，时间为30- 120min，即得到立式石墨烯，最后在保护气氛下冷却至室温，所述的碳源气体与载气体积流量比为10-30：200-1000，所述的碳源气体的种类为甲烷、乙烯或乙炔，所述的载气为氢气与氩气的混合气，其中氢气与氩气体积比为200-1000：0–800，所述的电场强度为10-100V/cm，所述的保护气氛为氮气或氩气或氦气或氙气或氡气；
(4)去除掩模即得到图案化立式石墨烯。
本发明采用上述技术方案后，主要有以下效果：
(1)本发明采用铁、钴、镍、钼等材料作为基底，成本低廉，将掩模置于基底上来调控立式石墨烯的生长区域，该方法工艺简单，有利于实现大规模生产，便于推广应用；
(2)本发明将掩模置于基底上来控制立式石墨烯的生长区域，能够有效调整立式石墨烯薄膜间的距离，降低场屏蔽效应，提高电子发射性能。
本发明方法可广泛用于图案化立式石墨烯的制备，采用本发明方法制得的产品，可广泛应用于超级电容器、锂离子电池、太阳能电池等新能源器件，也可适用于传感器件、真空电子器件、电磁屏蔽等领域。
附图说明
图1-3为本实施例3制备出的图案化立式石墨烯的SEM电镜图；
图4为本实施例3制备出的图案化立式石墨烯和未图案化立式石墨烯作为场发射冷阴极材料时的场发射性能I-V和F-N曲线。
具体实施方式
下面结合具体实施方式，进一步说明本发明。
实施例1
一种图案化立式石墨烯的制备方法，包括以下步骤：
(1)氧化硅掩模的预处理：将氧化硅掩模置于去离子水中清洗、打磨，然后在无水乙醇中超声清洗5min以除去表面杂质；
(2)将预处理后的氧化硅掩模置于金属铁基底上，然后将负载氧化硅掩模的金属铁基底置入等离子体气相沉积反应腔内；
(3)采用等离子体增强化学气相沉积法在载有氧化硅掩模的金属铁基底上生长图案化立式石墨烯，具体步骤为：抽真空至反应腔内气压为60Torr，升温速率为5℃/min直至反应腔温度为700℃，然后通入甲烷气体和氢气，同时施加垂直于金属铁基底的电场，在等离子体增强条件下进行化学气相生长，时间为 30min，石墨烯薄膜沿着电场方向继续生长，即得到立式石墨烯，最后在氮气气氛下冷却至室温，所述的甲烷气体和氢气体积流量比为10：200，所述的电场强度为10V/cm；
(4)去除氧化硅掩模即得到图案化立式石墨烯。
实施例2
一种图案化立式石墨烯的制备方法，包括以下步骤：
(1)玻璃掩模的预处理：将玻璃掩模置于去离子水中清洗、打磨，然后在无水乙醇中超声清洗10min以除去表面杂质；
(2)将预处理后的玻璃掩模置于金属钴基底上，然后将负载玻璃掩模的金属钴基底置入等离子体气相沉积反应腔内；
(3)采用等离子体增强化学气相沉积法在载有玻璃掩模的金属钴基底上生长图案化立式石墨烯，具体步骤为：抽真空至反应腔内气压为70Torr，升温速率为8℃/min直至反应腔温度为800℃，然后通入乙烯气体和氢气，同时施加垂直于金属钴基底的电场，在等离子体增强条件下进行化学气相生长，时间为80 min，即得到立式石墨烯，最后在氩气气氛下冷却至室温，所述的乙烯气体和氢气体积流量比为20：600，所述的电场强度为10-50V/cm；
(4)去除玻璃掩模即得到图案化立式石墨烯。
实施例3
(1)氧化铝掩模的预处理：将金属铬掩模置于去离子水中清洗、打磨，然后在无水乙醇中超声清洗20min以除去表面杂质；
(2)将预处理后的氧化铝掩模置于金属镍基底上，然后将负载氧化铝掩模的金属镍基底置入等离子体气相沉积反应腔内；
(3)采用等离子体增强化学气相沉积法在载有氧化铝掩模的金属镍基底上生长图案化立式石墨烯，具体步骤为：抽真空至反应腔内气压为80Torr，升温速率为10℃/min直至反应腔温度为850℃，然后通入乙炔气体和氢气，同时施加垂直于金属镍基底的电场，在等离子体增强条件下进行化学气相生长，时间为120min，即得到立式石墨烯，最后在氦气气氛下冷却至室温，所述的乙炔气体和氢气体积流量比为30：1000，所述的电场强度为100V/cm
(4)去除氧化铝掩模即得到图案化立式石墨烯。
实施例4
(1)铬合金掩模的预处理：将铬合金掩模置于去离子水中清洗、打磨，然后在无水乙醇中超声清洗5min以除去表面杂质；
(2)将预处理后的铬合金掩模置于金属钼基底上，然后将负载铬合金掩模的金属钼基底置入等离子体气相沉积反应腔内；
(3)采用等离子体增强化学气相沉积法在载有铬合金掩模的金属钼基底上生长图案化立式石墨烯，具体步骤为：抽真空至反应腔内气压为60Torr，升温速率为10℃/min直至反应腔温度为700℃，然后通入甲烷气体和氢气与氩气的混合气，同时施加垂直于金属钼基底的电场，在等离子体增强条件下进行化学气相生长，时间为30min，即得到立式石墨烯，最后在氙气气氛下冷却至室温，所述的甲烷气体和氢气与氩气的混合气体积流量比为10：1000，所述的电场强度为 10V/cm，氢气与氩气体积流量比为200：800；
(4)去除铬合金掩模即得到图案化立式石墨烯。
实施例5
一种图案化立式石墨烯的制备方法，包括以下步骤：
(1)铝合金掩模的预处理：将铝合金掩模置于去离子水中清洗、打磨，然后在无水乙醇中超声清洗20min以除去表面杂质；
(2)将预处理后的铝合金掩模置于铁钴合金基底上，然后将负载铝合金掩模的铁钴合金基底置入等离子体气相沉积反应腔内；
(3)采用等离子体增强化学气相沉积法在载有铝合金掩模的铁镍合金基底上生长图案化立式石墨烯，具体步骤为：抽真空至反应腔内气压为80Torr，升温速率为5℃/min直至反应腔温度为850℃，然后通入乙烯气体和氢气与氩气的混合气，同时施加垂直于铁镍合金基底的电场，在等离子体增强条件下进行化学气相生长，时间为30min，即得到立式石墨烯，最后在氡气气氛下冷却至室温，所述的乙烯气体和氢气与氩气的混合气体积流量比为30：200，所述的电场强度为100V/cm，氢气与氩气体积流量比为1000：500；
(4)去除铝合金掩模即得到图案化立式石墨烯。
实施例6
(1)镁合金掩模的预处理：将镁合金掩模置于去离子水中清洗、打磨，然后在无水乙醇中超声清洗10min以除去表面杂质；
(2)将预处理后的镁合金掩模置于铁钴镍合金基底上，然后将负载镁合金掩模的铁钴镍合金基底置入等离子体气相沉积反应腔内；
(3)采用等离子体增强化学气相沉积法在载有镁合金掩模的铁钴镍合金基底上生长图案化立式石墨烯，具体步骤为：抽真空至反应腔内气压为70Torr，升温速率为5℃/min直至反应腔温度为750℃，然后通入乙炔气体和氢气与氩气的混合气，同时施加垂直于铁镍合金基底的电场在等离子体增强条件下进行化学气相生长，时间为80min，即得到立式石墨烯，最后在氮气气氛下冷却至室温，所述的乙炔气体和氢气与氩气的混合气体积流量比为20：200，所述的电场强度为50V/cm，氢气与氩气体积流量比为600：200；
(4)去除镁合金掩模即得到图案化立式石墨烯。
实施例7
(1)镁合金掩模的预处理：将镁合金掩模置于去离子水中清洗、打磨，然后在无水乙醇中超声清洗5min以除去表面杂质；
(2)将预处理后的镁合金掩模置于铁钴镍钼合金基底上，然后将负载镁合金掩模的铁钴镍钼合金基底置入等离子体气相沉积反应腔内；
(3)采用等离子体增强化学气相沉积法在载有镁合金掩模的铁钴镍钼合金基底上生长图案化立式石墨烯，具体步骤为：抽真空至反应腔内气压为90Torr，升温速率为8℃/min直至反应腔温度为850℃，然后通入甲烷气体和氢气与氩气的混合气，同时施加垂直于铁钴镍钼合金基底的电场，在等离子体增强条件下进行化学气相生长，时间为120min，即得到立式石墨烯，最后在氩气气氛下冷却至室温，所述的甲烷气体和氢气与氩气的混合气体积流量比为30：500，所述的电场强度为100V/cm，氢气与氩气体积流量比为200：800；
(4)去除镁合金掩模即得到图案化立式石墨烯。
试验结果
对实施例3制备出的立式石墨烯进行扫描电镜表征，其俯视图如图1-3所示。由试验结果分析可知，立式石墨烯具有外露的尖锐边缘和非堆叠的形态。实施例 3制备出的立式石墨烯作为场发射冷阴极材料，其场发射性能曲线图如图4所示。由试验结果分析可知，制备得到的未图案化立式石墨烯和图案化立式石墨烯的开启电场分别为2.42V/μm和2.01V/μm，电流密度分别能达到19.83mA/cm2和 28.14mA/cm2，F-N曲线计算得到的未图案化立式石墨烯和图案化立式石墨烯的场增强因子β分别为3653和4059。一般情况下，开启电场越低，β值越大场发射能力越强。因此，我们认为图案化后立式石墨烯之间的场屏蔽效应减弱，场发射能力增强。

Claims (3)

1.一种图案化立式石墨烯，其特征在于所述材料的组分、纯度及其几何尺寸：组分：立式石墨烯
纯度：含碳量≥99％
几何尺寸：立式石墨烯的高度为1-20μm，层数为1-10层。
2.一种图案化立式石墨烯的制备方法，其特征在于所述的制备方法，具体步骤如下：
(1)掩模的预处理：将掩模置于去离子水中清洗、打磨，然后在无水乙醇中超声清洗5-20min以除去表面杂质；
(2)将预处理后的掩模置于金属基底上，然后将负载掩模的金属基底置入等离子体气相沉积系反应腔内；
(3)采用等离子体增强化学气相沉积法在载有掩模的金属基底上生长图案化立式石墨烯，具体步骤为：抽真空至反应腔内气压为60-80Torr，升温速率为5-10℃/min直至反应腔温度为700-850℃，然后通入碳源气体和载气，同时施加垂直于金属基底的电场，在等离子体增强条件下进行化学气相生长，时间为30-120min，即得到立式石墨烯，最后在保护气氛下冷却至室温，所述的碳源气体与载气体积流量比为10-30：200-1000；
(4)去除掩模即得到图案化立式石墨烯。
3.根据权利要求2所述的一种图案化立式石墨烯的制备方法，其特征在于：
所述的掩模为氧化硅、玻璃、氧化铝等无机物，或为铬、铝、镁合金中的任意一种，掩模具有规则或不规则的几何图案；
所述的金属基底是铁、钴、镍和钼中的一种或多种组合而成的金属或合金基底；
所述的碳源气体的种类为甲烷、乙烯或乙炔；
所述的电场强度为10-100V/cm；
所述的载气为氢气与氩气的混合气，其中氢气与氩气体积流量比为200-1000：0–800；
所述的保护气氛为氮气或氩气或氦气或氙气或氡气。
CN202210285998.9A 2022-03-23 2022-03-23 一种图案化立式石墨烯及其制备方法 Pending CN114772584A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210285998.9A CN114772584A (zh) 2022-03-23 2022-03-23 一种图案化立式石墨烯及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210285998.9A CN114772584A (zh) 2022-03-23 2022-03-23 一种图案化立式石墨烯及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114772584A true CN114772584A (zh) 2022-07-22

Family

ID=82424446

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210285998.9A Pending CN114772584A (zh) 2022-03-23 2022-03-23 一种图案化立式石墨烯及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114772584A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220009781A1 (en) * 2018-12-05 2022-01-13 King Abdullah University Of Science And Technology One-step growth of reduced graphene oxide on arbitrary substrates

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102680527A (zh) * 2012-05-23 2012-09-19 哈尔滨工业大学 一种基于纳米软印刷技术批量制备石墨烯气体传感器的方法
CN106191802A (zh) * 2016-07-08 2016-12-07 重庆启越涌阳微电子科技发展有限公司 选择性生长立式石墨稀的制备方法
CN107311159A (zh) * 2017-05-22 2017-11-03 中国科学院微电子研究所 一种石墨烯图形化生长方法
CN107611020A (zh) * 2016-07-12 2018-01-19 上海交通大学 利用紫外光氧化实现和调控石墨烯薄膜图案化的方法
US20180039122A1 (en) * 2015-11-20 2018-02-08 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. Method for manufacturing patterned electrode and liquid crystal display panel and manufacturing method thereof
CN108545725A (zh) * 2018-05-14 2018-09-18 南京航空航天大学 一种石墨烯制备装置及应用该装置图案化生长石墨烯的方法
CN112079350A (zh) * 2019-05-26 2020-12-15 重庆诺奖二维材料研究院有限公司 一种大面积石墨烯薄膜的制备方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102680527A (zh) * 2012-05-23 2012-09-19 哈尔滨工业大学 一种基于纳米软印刷技术批量制备石墨烯气体传感器的方法
US20180039122A1 (en) * 2015-11-20 2018-02-08 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. Method for manufacturing patterned electrode and liquid crystal display panel and manufacturing method thereof
CN106191802A (zh) * 2016-07-08 2016-12-07 重庆启越涌阳微电子科技发展有限公司 选择性生长立式石墨稀的制备方法
CN107611020A (zh) * 2016-07-12 2018-01-19 上海交通大学 利用紫外光氧化实现和调控石墨烯薄膜图案化的方法
CN107311159A (zh) * 2017-05-22 2017-11-03 中国科学院微电子研究所 一种石墨烯图形化生长方法
CN108545725A (zh) * 2018-05-14 2018-09-18 南京航空航天大学 一种石墨烯制备装置及应用该装置图案化生长石墨烯的方法
CN112079350A (zh) * 2019-05-26 2020-12-15 重庆诺奖二维材料研究院有限公司 一种大面积石墨烯薄膜的制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
YUAN, J ET AL: ""3D few-layered MoS2/graphene hybrid aerogels on carbon fiber papers: A free-standing electrode for high-performance lithium/sodium-ion batteries"", 《CHEMICAL ENGINEERING JOURNAL》, vol. 398, no. 15, pages 125592 *
董毅博: ""石墨烯免转移图形化生长及其光电器件应用"", 《中国博士学位论文全文数据库工程科技Ⅰ辑》, pages 015 - 15 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220009781A1 (en) * 2018-12-05 2022-01-13 King Abdullah University Of Science And Technology One-step growth of reduced graphene oxide on arbitrary substrates

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Li et al. Controllable synthesis of graphene by plasma‐enhanced chemical vapor deposition and its related applications
Wu et al. A review of graphene synthesis by indirect and direct deposition methods
CN102191476B (zh) 硫掺杂石墨烯薄膜的制备方法
EP3802418B1 (en) Methods for forming carbon nanostructured materials
CN109809372B (zh) 一种基于空间限域策略制备单层二硒化钨纳米带的方法
CN102220566A (zh) 一种化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法
CN102259849A (zh) 一种固态碳源制备石墨烯的方法
CN107777674B (zh) 一种利用常压等离子体制备二维材料的方法
CN108069416B (zh) 超洁净石墨烯及其制备方法
CN108411267B (zh) 一种制备自由态多面体纳米Ag颗粒的方法
CN102367570B (zh) 一种制备金刚石-石墨烯复合膜的方法
US20170113933A1 (en) Method for manufacturing vertically-growing open carbon nanotube thin film
CN106006619A (zh) 一种特定尺寸的石墨烯的制备方法
CN114772584A (zh) 一种图案化立式石墨烯及其制备方法
CN102206867B (zh) 一种石墨烯单晶片的制备方法
CN108666358B (zh) 过渡金属硫属化合物与氮化硼或石墨烯异质结的制备方法
CN109179388B (zh) 一种一氧化碳制备石墨烯的方法
Wu et al. Tunable synthesis of carbon nanosheet/silicon nanowire hybrids for field emission applications
CN109850908B (zh) 一种二氧化硅/石墨烯复合物的制备方法及产品
CN103101907B (zh) 石墨烯、石墨烯制备方法及应用
CN115072711B (zh) 石墨烯纳米带的制备方法
Suhail et al. Two‐dimensional hexagonal boron nitride and borophenes
CN102602922B (zh) 带状石墨烯的制备方法
CN112919453B (zh) 一种制备石墨烯粉体材料的方法
CN110697696B (zh) 一种利用金属插层大面积制备单层石墨烯的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20220722