CN102220566A - 一种化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法 - Google Patents

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Abstract

一种化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法，涉及一种石墨烯材料的制备方法。步骤是，将金属衬底置于真空管式炉或者真空气氛炉中，在除去真空腔内氧气的情况下，将氢气注入真空腔中，并升温至800-1100摄氏度，再将碳源气体注入真空腔中，即得沉积石墨烯的金属衬底。本发明采用化学气相沉积法，在金属衬底（铜箔或镍箔等）上高温裂解甲烷或其他碳源气体，沉积得到石墨烯薄膜，从而提供一种制备超大面积单层或者多层石墨烯薄膜的方法。

Description

一种化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法
技术领域
本发明涉及一种石墨烯材料的制备方法。
背景技术
石墨烯，英文名Graphene，是碳原子按照六角排列而成的二维晶格结构。 作为单层碳原子平面材料，石墨烯可以通过剥离石墨材料而得到。这种石墨晶体薄膜自2004年被曼彻斯特大学的科学家发现之后，石墨烯就成为科学界和工业界关注的焦点。石墨烯的厚度只有0.335纳米，不仅是已知材料中最薄的一种，还非常牢固坚硬；作为单质，它在室温下传递电子的速度比已知所有的导体和半导体都快(石墨烯中电子的迁移速度达到了光速的1/300)。由于石墨烯的特殊原子结构，其中载流子（电子和空穴）的行为必须用相对论量子力学(relativistic quantum mechanics)才能描绘。由于其高电子迁移率以及高透光率，石墨烯在可能被应用在各种信息技术领域，例如作为透明导电电极应用在平板显示器上，或者作为沟道层应用在高频/射频晶体管上。同时，作为单层碳原子结构，石墨烯的理论比表面积高达2630 m2/g。如此高的比表面积使得以基于石墨烯的材料成为极有前途的能量储存活性材料， 使得石墨烯材料有可能在储氢、新型锂离子电池、超级电容器或者燃料电池得到应用。
目前有以下几种制备方法：
1. 轻微摩擦法或撕胶带发（粘贴HOPG）
这种方法简单易行，容易得到高质量的石墨烯。但是产率极低，在一块Si衬底上通常只能得到若干片微米见方的石墨烯。因此这种方法只适用于实验室制备石墨烯，不适用于工业化大规模生产。
2. 加热 SiC法
该法是通过加热单晶6H-SiC脱除Si，在单晶(0001) 面上分解出石墨烯片层。具体过程是：将经氧气或氢气刻蚀处理得到的样品在高真空下通过电子轰击加热，除去氧化物。用俄歇电子能谱确定表面的氧化物完全被移除后，将样品加热使之温度升高至1250~1450℃后恒温1分钟到20分钟，从而形成极薄的石墨层，经过几年的探索，Berger等人已经能可控地制备出单层或是多层石墨烯。由于其厚度由加热温度决定，制备大面积具有单一厚度的石墨
烯比较困难。
该方法可以实现大尺寸，高质量石墨烯制备，是一种对实现石墨烯器件的实际应用非常重要的制备方法，缺点是SiC过于昂贵，并且得到的石墨烯难以转移到其他衬底上。
3. 化学分散法
氧化石墨是石墨在H2SO4、HNO3、HClO4等强氧化剂的作用下，或电化学过氧化作用下，经水解后形成的。氧化石墨同样是一层状共价化合物，层间距离大约为0.8nm（石墨为0.335nm）依制备方法而异。一般认为，氧化石墨中含有-C-OH、-C-O-C，甚至-COOH等基团。和石墨不同，由于极性基团的存在，氧化石墨片层具有较强的亲水或极性溶剂的特性。因此，氧化石墨在外力，如超声波的作用下在水中或其它极性溶剂中可以发生剥离，形成单层氧化石墨烯（graphene oxide）。制得氧化石墨烯后，再通过化学还原使所制氧化石墨烯脱氧重新石墨化，保持其几何形貌时可恢复部分其导电性。
该方法在氧化和还原过程中将天然石墨粉解离成单层石墨。其产品具有相当高的粉末比表面积（>700 m2/g），且过程相对简单，因此该方法比较适合工业化大规模生产石墨烯材料。但是在氧化还原过程中只是部分还原其导电性（破坏了石墨烯本身的高电子迁移率）。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有石墨烯制备方法的缺陷，提供了一种制备超大面积单层或者多层石墨烯薄膜的方法。
为了解决上述技术问题，本发明提供了如下的技术方案：
一种化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法，将金属衬底置于真空管式炉或者真空气氛炉中，在除去真空腔内氧气的情况下，将氢气注入真空腔中，并升温至800-1100摄氏度，再将碳源气体注入真空腔中，即得沉积石墨烯的金属衬底。
进一步地，除去真空腔内氧气的方法是：
（1）将管式炉或气氛炉的气压抽至极限真空状态4～8×10-2 Torr；
（2）以气体流量1-100 sccm将纯度高于99.99%的惰性气体注入到真空腔中；
（3）关闭惰性气体进气阀门，将管式炉或气氛炉的气压抽至极限4～8×10-2 Torr；
（4）重复操作步骤（2）和步骤（3）2～3次，直至将管式炉或气氛炉内的残余氧气除至氧气分压小于1×10-6Torr。
取出沉积石墨烯的金属衬底的方法是：关闭氢气和碳源气体阀门、真空泵，用惰性气体将管式炉或气氛炉气压充满到一个大气压状态，然后取出沉积石墨烯的金属衬底。
氢气和碳源气体的流速为1-100 sccm，纯度高于99.99%。
所述碳源气体为只含碳氢原子的有机气体，优选的碳源气体为甲烷。
所述金属衬底为铜箔、镍箔、铷箔或钌箔。
本发明采用化学气相沉积法，在金属衬底（铜箔或镍箔等）上高温裂解甲烷或其他碳源气体，沉积得到石墨烯薄膜，从而提供一种制备超大面积单层或者多层石墨烯薄膜的方法。
本发明与已有技术相比具有以下优点：
（1）石墨烯产品缺陷峰低，具有极高晶体质量；（2）石墨烯产品的尺寸（晶畴）可以达到厘米以上尺寸；（3）石墨烯产品具有极好的透光性（透射率优于97%）；（4）石墨烯的厚度从单层到多层可控，容易得到单原子层石墨烯。本方法得到的产品可应用于多个技术领域，包括平板显示、高频/射频晶体管。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是本发明实施例1-3采用的反应装置的结构示意图；
图2是本发明实施例3所制备石墨烯的拉曼光谱图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
如图1所示，该反应装置是由惰性气体流量计1、氢气流量计2、碳源气体流量计3、石英管4、管式炉5、真空计6、衬底7组成的化学气相沉积***，石英管4置于管式炉5中，石英管4的一侧通过惰性气体流量计1、氢气流量计2、碳源气体流量计3分别与惰性气体、氢气和碳源气体气瓶相连，石英管4的另一侧依次与真空计6和真空泵相连。
当然，石英管和管式炉可以换成一个具有较大空间的气氛炉，其操作步骤与上述管式炉相同。
实施例1
通过化学气相沉积法在铜箔上制备石墨烯薄膜，包括以下制备步骤：
1.取25微米厚铜箔衬底7置于石英管4中；
2.打开真空泵将石英管4的气压抽至极限真空状态4×10-2 托（Torr）；
3. 惰性气体流量计1设定为5 sccm，将氩气注入到真空腔中；
4. 5分钟后，关闭惰性气体流量计1阀门，将管式炉5的气压抽至极限8×10-2 托（Torr）；
5. 重复步骤（3）和步骤（4）的操作步骤3次；直到将石英管4的残余氧气驱赶干净至氧气分压小于1×10-6Torr；
6. 氢气流量计2设定为5 sccm，将氢气注入到真空腔中；
7. 将管式炉5的温度升高到1000摄氏度；
8. 碳源气体流量计3设定5 sccm，将甲烷注入到真空腔中；
9. 将管式炉5的温度降至室温。
10. 关闭氢气流量计2、碳源气体流量计3阀门以及真空泵。惰性气体流量计1设定为50sccm，用氩气将石英管4气压充满到一个大气压状态；
11. 打开石英管4真空接口，取出已沉积石墨烯的铜箔衬底7。
实施例2
通过化学气相沉积法在镍膜上制备石墨烯薄膜，包括以下制备步骤：
1.通过磁控溅射在硅衬底7上蒸镀500nm厚度镍膜；取蒸镀好镍膜的硅衬底7置于石英管4中；
2.打开真空泵将石英管4的气压抽至极限真空状态8×10-2 托（Torr）；
3. 惰性气体流量计1设定为50 sccm，将氦气注入到真空腔中；
4. 5分钟后，关闭惰性气体流量计1阀门，将管式炉5的气压抽至极限4×10-2 托（Torr）；
5. 重复步骤（3）和步骤（4）的操作步骤2次；直到将石英管4的残余氧气驱赶干净至氧气分压小于1×10-6Torr；
6. 氢气流量计2设定为50 sccm，将氢气注入到真空腔中；
7. 将管式炉5的温度升高到900摄氏度；
8. 碳源气体流量计3设定50 sccm，将乙烷注入到真空腔中；
9. 将管式炉5的温度降至室温。
10. 关闭氢气流量计2、碳源气体流量计3阀门以及真空泵。惰性气体流量计1设定为100 sccm，用氦气将石英管4气压充满到一个大气压状态；
11. 打开石英管4真空接口，取出已沉积石墨烯的镍膜衬底7。
实施例3
通过化学气相沉积法在镍膜上制备石墨烯薄膜，包括以下制备步骤：
1.通过磁控溅射在硅衬底7上蒸镀500nm厚度镍膜；取蒸镀好镍膜的硅衬底7置于石英管4中；
2.打开真空泵将石英管4的气压抽至极限真空状态6×10-2 托（Torr）；
3. 惰性气体流量计1设定为100 sccm，将氮气注入到真空腔中；
4. 5分钟后，关闭惰性气体流量计1阀门，将管式炉5的气压抽至极限6×10-2 托（Torr）；
5. 重复步骤（3）和步骤（4）的操作步骤2次；直到将石英管4的残余氧气驱赶干净至氧气分压小于1×10-6Torr；
6. 氢气流量计2设定为100sccm，将氢气注入到真空腔中；
7. 将管式炉5的温度升高到800摄氏度；
8. 碳源气体流量计3设定100sccm，将乙烯注入到真空腔中；
9. 将管式炉5的温度降至室温。
10. 关闭氢气流量计2、碳源气体流量计3阀门以及真空泵。惰性气体流量计1设定为75 sccm，用氮气将石英管4气压充满到一个大气压状态；
11. 打开石英管4真空接口，取出已沉积石墨烯的镍膜衬底7。
附图2是本实施例3所得石墨烯的拉曼光谱，从该图可以看出：（1）存在石墨烯的两个本征拉曼峰- G峰和2D峰（1580 cm-1和2680 cm-1）；（2）2D峰的强度大约为G峰的两倍，说明所得石墨烯为单原子层；（3）缺陷峰–D峰（1350 cm-1）几乎不能分辨，说明所得石墨烯具有极高晶体质量。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法，其特征在于：将过渡金属衬底置于真空反应炉中，在除去真空腔内氧气的情况下，将氢气注入真空腔中，并升温至800-1100摄氏度，再将碳源气体注入真空腔中，同时保持氢气流量，1-100分钟后即得沉积石墨烯的金属衬底。
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法，其特征在于：除去真空腔内氧气的方法是：
（1）将管式炉或气氛炉的气压抽至极限真空状态4～8×10-2 Torr；
（2）以气体流量1-100 sccm将纯度高于99.99%的惰性气体注入到真空腔中；
（3）关闭惰性气体进气阀门，将管式炉或气氛炉的气压抽至极限4～8×10-2 Torr；
（4）重复操作步骤（2）和步骤（3）2～3次，直至将管式炉或气氛炉内的残余氧气除至氧气分压小于1×10-6Torr。
3.根据权利要求1所述的化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法，其特征在于：取出沉积石墨烯的金属衬底的方法是：关闭氢气和碳源气体阀门、真空泵，用惰性气体将管式炉或气氛炉气压充满到一个大气压状态，然后取出金属衬底。
4.根据权利要求1所述的化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法，其特征在于：氢气和碳源气体的流速为1-100 sccm，纯度高于99.99%。
5.根据权利要求1-4所述的化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法，其特征在于：所述碳源气体为只含碳氢原子的有机气体。
6.根据权利要求5所述的化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法，其特征在于：所述碳源气体为甲烷。
7.根据权利要求1-4所述的化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法，其特征在于：所述金属衬底为铜箔、镍箔、铷箔或钌箔。
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Cited By (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102409399A (zh) * 2011-11-04 2012-04-11 南京航空航天大学 一种高质量石墨烯的制法
CN102433544A (zh) * 2012-01-11 2012-05-02 中国科学院上海微***与信息技术研究所 一种利用多苯环碳源低温化学气相沉积生长大面积石墨烯的方法
CN102586868A (zh) * 2012-02-06 2012-07-18 中国科学院金属研究所 一种大尺寸单晶石墨烯及其连续薄膜的制备方法
CN102747337A (zh) * 2012-06-27 2012-10-24 浙江大学 一种制备大面积高质量非晶碳薄膜的方法
WO2012167701A1 (zh) * 2011-06-09 2012-12-13 无锡第六元素高科技发展有限公司 一种化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法
CN102849733A (zh) * 2012-09-25 2013-01-02 山东师范大学 双温区控制低温直接制备石墨烯的方法及双温区管式炉
CN102982861A (zh) * 2012-11-27 2013-03-20 无锡力合光电石墨烯应用研发中心有限公司 一种用于电容式触摸屏的透明导电膜层
CN103000535A (zh) * 2012-12-31 2013-03-27 西安电子科技大学 一种旁栅石墨烯场效应晶体管的制备方法
CN103072978A (zh) * 2013-02-04 2013-05-01 杭州格蓝丰纳米科技有限公司 一种制备双层石墨烯的化学气相沉积方法
CN103086358A (zh) * 2011-11-01 2013-05-08 海洋王照明科技股份有限公司 一种制备石墨烯的方法
CN103086360A (zh) * 2011-11-01 2013-05-08 海洋王照明科技股份有限公司 一种连续制备石墨烯的方法
CN103086359A (zh) * 2011-11-01 2013-05-08 海洋王照明科技股份有限公司 一种连续制备石墨烯的方法
CN103101906A (zh) * 2011-11-15 2013-05-15 海洋王照明科技股份有限公司 石墨烯、石墨烯制备方法和应用
CN103101907A (zh) * 2011-11-15 2013-05-15 海洋王照明科技股份有限公司 石墨烯、石墨烯制备方法及应用
WO2013143147A1 (zh) * 2012-03-31 2013-10-03 海洋王照明科技股份有限公司 一种石墨烯纸的制备方法
CN103343328A (zh) * 2013-07-10 2013-10-09 合肥微晶材料科技有限公司 一种正压条件下合成石墨烯的方法
WO2013149420A1 (zh) * 2012-04-06 2013-10-10 北京中石伟业科技股份有限公司 一种高导热金属箔胶带
CN103350992A (zh) * 2013-06-19 2013-10-16 厦门烯成新材料科技有限公司 一种高导电性氟化石墨烯薄膜的制备方法
CN103545110A (zh) * 2013-02-06 2014-01-29 钰邦电子（无锡）有限公司 电容器阴极箔结构及其制造方法
CN103995619A (zh) * 2014-06-13 2014-08-20 郑州巨顺佳电子科技有限公司 无边框触摸屏感应片及其制备方法
CN104018136A (zh) * 2014-04-30 2014-09-03 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 直接在三维结构基片上全表面共形覆盖石墨烯薄膜的方法
CN104030277A (zh) * 2014-06-11 2014-09-10 苏州斯迪克新材料科技股份有限公司 化学气相沉积法制备石墨烯
CN104085150A (zh) * 2014-07-09 2014-10-08 南京信息工程大学 一种金属石墨烯复合材料及其制备方法
CN104098090A (zh) * 2014-07-31 2014-10-15 苏州斯迪克新材料科技股份有限公司 一种大面积石墨烯中间体的制备方法
US8865105B2 (en) 2012-08-15 2014-10-21 National Cheng Kung University Graphene and its growth
CN104183735A (zh) * 2013-05-23 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 一种阳极及其制备方法和有机电致发光器件
CN104334495A (zh) * 2012-05-17 2015-02-04 新加坡国立大学 生长均匀、大规模的多层石墨烯膜的方法
CN104498901A (zh) * 2015-01-06 2015-04-08 北京华进创威电子有限公司 一种碳化硅单晶片的镀膜方法和装置
CN104627998A (zh) * 2015-02-13 2015-05-20 西安科技大学 一种利用低阶煤制备石墨烯薄膜的装置及方法
CN104797525A (zh) * 2012-11-19 2015-07-22 三星泰科威株式会社 石墨烯合成装置
CN106087038A (zh) * 2016-05-31 2016-11-09 湖北航天化学技术研究所 一种石墨烯/金属或合金复合材料的直接制备方法
CN106163980A (zh) * 2013-11-05 2016-11-23 加利福尼亚大学董事会 混合碳纳米管和石墨烯纳米结构体
CN106495135A (zh) * 2016-09-27 2017-03-15 济南米铎碳新能源科技有限公司 由秸秆、林木或其副产品制备石墨烯的方法
CN107539976A (zh) * 2017-09-19 2018-01-05 北京大学 一种二氧化碳制备超洁净石墨烯的方法
CN107833698A (zh) * 2017-10-27 2018-03-23 成都天航智虹知识产权运营管理有限公司 一种制备石墨烯透明导电薄膜的方法
CN108117070A (zh) * 2016-11-30 2018-06-05 清华大学 人造石墨的制备方法
US10023468B2 (en) 2012-01-06 2018-07-17 Ut-Battelle, Llc High quality large scale single and multilayer graphene production by chemical vapor deposition
WO2018201952A1 (zh) * 2017-05-02 2018-11-08 王武生 一种生产石墨烯的方法及实现该方法的装置
CN108866507A (zh) * 2018-07-19 2018-11-23 河北环亚线缆有限公司 一种化学气相沉积法制备电缆铜导体镀包石墨烯薄膜的方法
US10233566B2 (en) 2016-12-29 2019-03-19 Ut-Battelle, Llc Continuous single crystal growth of graphene
CN110205603A (zh) * 2019-07-10 2019-09-06 北京石墨烯研究院 多层石墨烯及其制备方法
CN110429087A (zh) * 2019-06-27 2019-11-08 重庆惠科金渝光电科技有限公司 阵列基板金属线及其制备方法、以及显示面板
CN110775965A (zh) * 2019-12-02 2020-02-11 江苏龙汇纳米科技有限公司 一种用于高分子纳米复合材料制备的化学气相沉积工艺
CN110976257A (zh) * 2019-12-06 2020-04-10 安徽启东热能科技有限公司 一种提升盛放液态轻烃罐安全性的处理方法
CN111665284A (zh) * 2019-03-08 2020-09-15 天津大学 石墨烯掺杂后作为传感材料的应用
CN112899694A (zh) * 2021-01-15 2021-06-04 康斯坦丁·诺沃肖洛夫 一种降低单晶铜丝电阻率的方法
CN116273131A (zh) * 2023-04-04 2023-06-23 上海天阳钢管有限公司 一种将甲烷直接转化为氢的无金属催化剂及其制备方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI505986B (zh) * 2013-01-10 2015-11-01 Nat Tsing Hua Unioversity 石墨烯製備系統及方法
KR101458045B1 (ko) * 2013-05-15 2014-11-04 한국과학기술원 대면적 고품질의 그래핀 성장을 위한 cvd 보조 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101285175A (zh) * 2008-05-29 2008-10-15 中国科学院化学研究所 化学气相沉积法制备石墨烯的方法
CN101760724A (zh) * 2010-01-26 2010-06-30 电子科技大学 超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法
CN102011100A (zh) * 2010-12-01 2011-04-13 中国科学院化学研究所 一种在铁基衬底上制备大面积高质量石墨烯的方法
CN102020263A (zh) * 2010-07-02 2011-04-20 浙江大学 一种合成石墨烯薄膜材料的方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009129194A2 (en) * 2008-04-14 2009-10-22 Massachusetts Institute Of Technology Large-area single- and few-layer graphene on arbitrary substrates
US8470400B2 (en) * 2009-10-21 2013-06-25 Board Of Regents, The University Of Texas System Graphene synthesis by chemical vapor deposition
CN102001650B (zh) * 2010-12-28 2013-05-29 上海师范大学 冷腔壁条件下化学气相沉积制备石墨烯的方法
CN102220566A (zh) * 2011-06-09 2011-10-19 无锡第六元素高科技发展有限公司 一种化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101285175A (zh) * 2008-05-29 2008-10-15 中国科学院化学研究所 化学气相沉积法制备石墨烯的方法
CN101760724A (zh) * 2010-01-26 2010-06-30 电子科技大学 超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法
CN102020263A (zh) * 2010-07-02 2011-04-20 浙江大学 一种合成石墨烯薄膜材料的方法
CN102011100A (zh) * 2010-12-01 2011-04-13 中国科学院化学研究所 一种在铁基衬底上制备大面积高质量石墨烯的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
《新型炭材料》 20110228 任文才等 石墨烯的化学气相沉积法制备 71－80 1－7 第26卷, 第1期 *

Cited By (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012167701A1 (zh) * 2011-06-09 2012-12-13 无锡第六元素高科技发展有限公司 一种化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法
CN103086360A (zh) * 2011-11-01 2013-05-08 海洋王照明科技股份有限公司 一种连续制备石墨烯的方法
CN103086358A (zh) * 2011-11-01 2013-05-08 海洋王照明科技股份有限公司 一种制备石墨烯的方法
CN103086358B (zh) * 2011-11-01 2016-01-27 海洋王照明科技股份有限公司 一种制备石墨烯的方法
CN103086360B (zh) * 2011-11-01 2015-10-28 海洋王照明科技股份有限公司 一种连续制备石墨烯的方法
CN103086359B (zh) * 2011-11-01 2015-10-28 海洋王照明科技股份有限公司 一种连续制备石墨烯的方法
CN103086359A (zh) * 2011-11-01 2013-05-08 海洋王照明科技股份有限公司 一种连续制备石墨烯的方法
CN102409399A (zh) * 2011-11-04 2012-04-11 南京航空航天大学 一种高质量石墨烯的制法
CN103101907A (zh) * 2011-11-15 2013-05-15 海洋王照明科技股份有限公司 石墨烯、石墨烯制备方法及应用
CN103101907B (zh) * 2011-11-15 2014-09-17 海洋王照明科技股份有限公司 石墨烯、石墨烯制备方法及应用
CN103101906B (zh) * 2011-11-15 2014-10-15 海洋王照明科技股份有限公司 石墨烯、石墨烯制备方法和应用
CN103101906A (zh) * 2011-11-15 2013-05-15 海洋王照明科技股份有限公司 石墨烯、石墨烯制备方法和应用
US10023468B2 (en) 2012-01-06 2018-07-17 Ut-Battelle, Llc High quality large scale single and multilayer graphene production by chemical vapor deposition
CN102433544B (zh) * 2012-01-11 2013-07-10 中国科学院上海微***与信息技术研究所 一种利用多苯环碳源低温化学气相沉积生长大面积石墨烯的方法
CN102433544A (zh) * 2012-01-11 2012-05-02 中国科学院上海微***与信息技术研究所 一种利用多苯环碳源低温化学气相沉积生长大面积石墨烯的方法
CN102586868A (zh) * 2012-02-06 2012-07-18 中国科学院金属研究所 一种大尺寸单晶石墨烯及其连续薄膜的制备方法
CN102586868B (zh) * 2012-02-06 2014-11-05 中国科学院金属研究所 一种大尺寸单晶石墨烯及其连续薄膜的制备方法
WO2013143147A1 (zh) * 2012-03-31 2013-10-03 海洋王照明科技股份有限公司 一种石墨烯纸的制备方法
WO2013149420A1 (zh) * 2012-04-06 2013-10-10 北京中石伟业科技股份有限公司 一种高导热金属箔胶带
CN104334495A (zh) * 2012-05-17 2015-02-04 新加坡国立大学 生长均匀、大规模的多层石墨烯膜的方法
CN102747337A (zh) * 2012-06-27 2012-10-24 浙江大学 一种制备大面积高质量非晶碳薄膜的方法
TWI466823B (zh) * 2012-08-15 2015-01-01 Univ Nat Cheng Kung 雪花型石墨烯及其製備方法
US8865105B2 (en) 2012-08-15 2014-10-21 National Cheng Kung University Graphene and its growth
CN102849733A (zh) * 2012-09-25 2013-01-02 山东师范大学 双温区控制低温直接制备石墨烯的方法及双温区管式炉
CN102849733B (zh) * 2012-09-25 2015-07-15 山东师范大学 双温区控制低温直接制备石墨烯的方法及双温区管式炉
CN104797525A (zh) * 2012-11-19 2015-07-22 三星泰科威株式会社 石墨烯合成装置
CN102982861A (zh) * 2012-11-27 2013-03-20 无锡力合光电石墨烯应用研发中心有限公司 一种用于电容式触摸屏的透明导电膜层
CN103000535A (zh) * 2012-12-31 2013-03-27 西安电子科技大学 一种旁栅石墨烯场效应晶体管的制备方法
CN103000535B (zh) * 2012-12-31 2016-04-13 西安电子科技大学 一种旁栅石墨烯场效应晶体管的制备方法
CN103072978A (zh) * 2013-02-04 2013-05-01 杭州格蓝丰纳米科技有限公司 一种制备双层石墨烯的化学气相沉积方法
CN103545110A (zh) * 2013-02-06 2014-01-29 钰邦电子（无锡）有限公司 电容器阴极箔结构及其制造方法
CN103545110B (zh) * 2013-02-06 2016-08-10 钰邦电子（无锡）有限公司 电容器阴极箔结构及其制造方法
CN104183735A (zh) * 2013-05-23 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 一种阳极及其制备方法和有机电致发光器件
CN103350992A (zh) * 2013-06-19 2013-10-16 厦门烯成新材料科技有限公司 一种高导电性氟化石墨烯薄膜的制备方法
CN103343328A (zh) * 2013-07-10 2013-10-09 合肥微晶材料科技有限公司 一种正压条件下合成石墨烯的方法
CN106163980A (zh) * 2013-11-05 2016-11-23 加利福尼亚大学董事会 混合碳纳米管和石墨烯纳米结构体
CN104018136A (zh) * 2014-04-30 2014-09-03 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 直接在三维结构基片上全表面共形覆盖石墨烯薄膜的方法
CN104030277A (zh) * 2014-06-11 2014-09-10 苏州斯迪克新材料科技股份有限公司 化学气相沉积法制备石墨烯
CN103995619A (zh) * 2014-06-13 2014-08-20 郑州巨顺佳电子科技有限公司 无边框触摸屏感应片及其制备方法
CN104085150B (zh) * 2014-07-09 2016-08-31 南京信息工程大学 一种金属石墨烯复合材料及其制备方法
CN104085150A (zh) * 2014-07-09 2014-10-08 南京信息工程大学 一种金属石墨烯复合材料及其制备方法
CN104098090A (zh) * 2014-07-31 2014-10-15 苏州斯迪克新材料科技股份有限公司 一种大面积石墨烯中间体的制备方法
CN104498901A (zh) * 2015-01-06 2015-04-08 北京华进创威电子有限公司 一种碳化硅单晶片的镀膜方法和装置
CN104498901B (zh) * 2015-01-06 2017-03-29 北京世纪金光半导体有限公司 一种碳化硅单晶片的镀膜方法和装置
CN104627998A (zh) * 2015-02-13 2015-05-20 西安科技大学 一种利用低阶煤制备石墨烯薄膜的装置及方法
CN104627998B (zh) * 2015-02-13 2016-08-24 西安科技大学 一种利用低阶煤制备石墨烯薄膜的装置及方法
CN106087038A (zh) * 2016-05-31 2016-11-09 湖北航天化学技术研究所 一种石墨烯/金属或合金复合材料的直接制备方法
CN106495135A (zh) * 2016-09-27 2017-03-15 济南米铎碳新能源科技有限公司 由秸秆、林木或其副产品制备石墨烯的方法
CN106495135B (zh) * 2016-09-27 2018-09-14 济南米铎碳新能源科技有限公司 由秸秆、林木或其副产品制备石墨烯的方法
CN108117070A (zh) * 2016-11-30 2018-06-05 清华大学 人造石墨的制备方法
CN108117070B (zh) * 2016-11-30 2020-12-04 清华大学 人造石墨的制备方法
US10233566B2 (en) 2016-12-29 2019-03-19 Ut-Battelle, Llc Continuous single crystal growth of graphene
WO2018201952A1 (zh) * 2017-05-02 2018-11-08 王武生 一种生产石墨烯的方法及实现该方法的装置
CN107539976B (zh) * 2017-09-19 2020-01-31 北京大学 一种二氧化碳制备超洁净石墨烯的方法
CN107539976A (zh) * 2017-09-19 2018-01-05 北京大学 一种二氧化碳制备超洁净石墨烯的方法
CN107833698A (zh) * 2017-10-27 2018-03-23 成都天航智虹知识产权运营管理有限公司 一种制备石墨烯透明导电薄膜的方法
CN108866507A (zh) * 2018-07-19 2018-11-23 河北环亚线缆有限公司 一种化学气相沉积法制备电缆铜导体镀包石墨烯薄膜的方法
CN111665284A (zh) * 2019-03-08 2020-09-15 天津大学 石墨烯掺杂后作为传感材料的应用
CN110429087A (zh) * 2019-06-27 2019-11-08 重庆惠科金渝光电科技有限公司 阵列基板金属线及其制备方法、以及显示面板
CN110205603A (zh) * 2019-07-10 2019-09-06 北京石墨烯研究院 多层石墨烯及其制备方法
CN110205603B (zh) * 2019-07-10 2021-04-20 北京石墨烯研究院 多层石墨烯及其制备方法
CN110775965A (zh) * 2019-12-02 2020-02-11 江苏龙汇纳米科技有限公司 一种用于高分子纳米复合材料制备的化学气相沉积工艺
CN110976257A (zh) * 2019-12-06 2020-04-10 安徽启东热能科技有限公司 一种提升盛放液态轻烃罐安全性的处理方法
CN112899694A (zh) * 2021-01-15 2021-06-04 康斯坦丁·诺沃肖洛夫 一种降低单晶铜丝电阻率的方法
CN116273131A (zh) * 2023-04-04 2023-06-23 上海天阳钢管有限公司 一种将甲烷直接转化为氢的无金属催化剂及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012167701A1 (zh) 2012-12-13

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Yeh et al. Single-step growth of graphene and graphene-based nanostructures by plasma-enhanced chemical vapor deposition
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